JPWO2015178050A1 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
Description
ヘテロ接合を有するGaN系積層体と、
上記GaN系積層体上に第1の方向に延在するように形成されたドレイン電極と、
上記GaN系積層体上に上記第1の方向に延在するように形成されていると共に、上記ドレイン電極に対して、上記第1の方向と交差する第2の方向に予め定められた間隔をあけて形成されたソース電極と、
平面視において、上記ドレイン電極と上記ソース電極との間に形成されたゲート電極と、
上記GaN系積層体上に、上記ゲート電極を覆うように形成された絶縁層と、
上記絶縁層上に形成されたゲート電極パッドと、
上記ゲート電極の一端部と上記ゲート電極パッドとを接続する第1の配線と、
上記ゲート電極の他端部と上記ゲート電極パッドとを接続する第2の配線と、
上記第1の配線および上記第2の配線のうちの少なくとも1つの配線のインピーダンスを調整可能なインピーダンス調整部と
を備えることを特徴としている。
上記インピーダンス調整部は、上記第1の配線および上記第2の配線のうちの少なくとも1つの配線に設けられた抵抗素子である。
上記ドレイン電極、上記ソース電極および上記インピーダンス調整部がオーミックメタルからなる。
上記インピーダンス調整部は、上記第1の配線および上記第2の配線のうちの少なくとも1つの配線の一部からなる。
上記ドレイン電極と上記ソース電極とは、
上記第2の方向に互いに間隔をあけて略平行に交互に複数配置されていると共に上記第1の方向にフィンガー状に延在している。
図1は、本発明の第1実施形態であるGaN系HFET(ヘテロ接合電界効果トランジスタ)の平面模式図である。また、図2は、図1のA−A線断面を示す断面図である。
図3は、上記第2実施形態のGaN系HFETの平面模式図である。上記第1実施形態と相違する点を説明すると、この第2実施形態では、ゲート電極接続配線221の第1の配線222に2つの抵抗素子217,217が接続されている。なお、この第2実施形態において、上記第1実施形態と同一の符号は、上記第1実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
図4は、上記第3実施形態のGaN系HFETの平面模式図である。上記第1実施形態と相違する点を説明すると、この第3実施形態では、ゲート電極接続配線321の第1の配線322には抵抗素子が接続されておらず、第1の配線322の両端部322A,322Bがインピーダンス調整部を構成している。なお、この第3実施形態において、上記第1実施形態と同一の符号は、上記第1実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
ヘテロ接合を有するGaN系積層体5と、
上記GaN系積層体5上に第1の方向に延在するように形成されたドレイン電極11と、
上記GaN系積層体5上に上記第1の方向に延在するように形成されていると共に、上記ドレイン電極11に対して、上記第1の方向と交差する第2の方向に予め定められた間隔をあけて形成されたソース電極12と、
平面視において、上記ドレイン電極11と上記ソース電極12との間に形成されたゲート電極13と、
上記GaN系積層体5上に、上記ゲート電極13を覆うように形成された絶縁層8と、
上記絶縁層8上に形成されたゲート電極パッド16と、
上記ゲート電極13の一端部と上記ゲート電極パッド16とを接続する第1の配線22,222,322と、
上記ゲート電極13の他端部と上記ゲート電極パッド16とを接続する第2の配線23,223,323と、
上記第1の配線22,222,322および上記第2の配線23,223,323のうちの少なくとも1つの配線のインピーダンスを調整可能なインピーダンス調整部17,217,317と
を備えることを特徴としている。
上記インピーダンス調整部17,217は、上記第1の配線22,222および上記第2の配線23,223のうちの少なくとも1つの配線に設けられた抵抗素子である。
上記ドレイン電極11、上記ソース電極12および上記インピーダンス調整部17,217がオーミックメタルからなる。
上記インピーダンス調整部317は、上記第1の配線322および上記第2の配線323のうちの少なくとも1つの配線の一部からなる。
上記ドレイン電極11と上記ソース電極12とは、
上記第2の方向に互いに間隔をあけて略平行に交互に複数配置されていると共に上記第1の方向にフィンガー状に延在している。
8 層間絶縁膜
11 ドレインオーミック電極
12 ソースオーミック電極
13 ゲート電極
16 ゲート電極パッド
17,217 抵抗素子
317 インピーダンス調整部
22,222,322 第1の配線
23,223,323 第2の配線
発明が解決しようとする課題
[0005]
しかし、特許文献1や特許文献2の電界効果トランジスタでは、ゲート電極の一端側にのみゲート電極パッドが接続されている。このため、電界効果トランジスタをスイッチングデバイスとして使用したとき、電界効果トランジスタで信号遅延が生じて、均一動作することができない。したがって、リンギングやサージ電圧を十分に抑制できず、電界効果トランジスタの安定した動作を実現できないという問題があった。
[0006]
そこで、本発明の課題は、リンギングやサージ電圧を十分に抑制できて、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供することにある。
課題を解決するための手段
[0007]
上記課題を解決するため、本発明の電界効果トランジスタは、
ヘテロ接合を有するGaN系積層体と、
上記GaN系積層体上に第1の方向に延在するように形成されたドレイン電極と、
上記GaN系積層体上に上記第1の方向に延在するように形成されていると共に、上記ドレイン電極に対して、上記第1の方向と交差する第2の方向に予め定められた間隔をあけて形成されたソース電極と、
平面視において、上記ドレイン電極と上記ソース電極との間に形成されたゲート電極と、
上記GaN系積層体上に、上記ゲート電極を覆うように形成された絶縁層と、
上記絶縁層上に形成されたゲート電極パッドと、
上記ゲート電極パッドから上記ゲート電極に接続する複数の配線と
を備え、
上記複数の配線のうち、インピーダンスの低い配線にインピーダンス調整部を設けることを特徴としている。
また、一実施形態の電界効果トランジスタにおいて、
上記インピーダンス調整部を上記ゲート電極の長手方向に設ける。
[0008]
また、一実施形態の電界効果トランジスタでは、
上記インピーダンス調整部は、上記第1の配線および上記第2の配線のうちの少なくとも1つの配線に設けられた抵抗素子である。
[0009]
また、一実施形態の電界効果トランジスタでは、
上記ドレイン電極、上記ソース電極および上記インピーダンス調整部がオーミックメタルからなる。
[0010]
また、一実施形態の電界効果トランジスタでは、
上記インピーダンス調整部は、上記第1の配線および上記第2の配線のうちの少なくとも1つの配線の一部からなる。
[0011]
また、一実施形態の電界効果トランジスタでは、
上記ドレイン電極と上記ソース電極とは、
上記第2の方向に互いに間隔をあけて略平行に交互に複数配置されていると共に上記第1の方向にフィンガー状に延在している。
発明の効果
[0012]
本発明の電界効果トランジスタによれば、均一に動作でき、リンギングやサージ電圧を十分に抑制できると共に、電界効果トランジスタの安定した動作を実現できる。
図面の簡単な説明
[0013]
[図1]図1は本発明の第1実施形態のGaN系の電界効果トランジスタの平面模式図である。
[図2]図2は図1のA−A線断面を示す断面図である。
[図3]図3は本発明の第2実施形態のGaN系の電界効果トランジスタの平面模式図である。
[図4]図4は本発明の第3実施形態のGaN系の電界効果トランジスタの平面模式図である。
[図5]図5は従来のGaN系の電界効果トランジスタの平面模式図である。
[図6]図6は別の従来のGaN系の電界効果トランジスタの平面模式図である
Claims (5)
- ヘテロ接合を有するGaN系積層体(5)と、
上記GaN系積層体(5)上に第1の方向に延在するように形成されたドレイン電極(11)と、
上記GaN系積層体(5)上に上記第1の方向に延在するように形成されていると共に、上記ドレイン電極(11)に対して、上記第1の方向と交差する第2の方向に予め定められた間隔をあけて形成されたソース電極(12)と、
平面視において、上記ドレイン電極(11)と上記ソース電極(12)との間に形成されたゲート電極(13)と、
上記GaN系積層体(5)上に、上記ゲート電極(13)を覆うように形成された絶縁層(8)と、
上記絶縁層(8)上に形成されたゲート電極パッド(16)と、
上記ゲート電極(13)の一端部と上記ゲート電極パッド(16)とを接続する第1の配線(22,222,322)と、
上記ゲート電極(13)の他端部と上記ゲート電極パッド(16)とを接続する第2の配線(23,223,323)と、
上記第1の配線(22,222,322)および上記第2の配線(23,223,323)のうちの少なくとも1つの配線のインピーダンスを調整可能なインピーダンス調整部(17,217,317)と
を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載の電界効果トランジスタにおいて、
上記インピーダンス調整部(17,217)は、上記第1の配線(22,222)および上記第2の配線(23,223)のうちの少なくとも1つの配線に設けられた抵抗素子であることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項2に記載の電界効果トランジスタにおいて、
上記ドレイン電極(11)、上記ソース電極(12)および上記インピーダンス調整部(17,217)がオーミックメタルからなることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載の電界効果トランジスタにおいて、
上記インピーダンス調整部(317)は、上記第1の配線(322)および上記第2の配線(323)のうちの少なくとも1つの配線の一部からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項1から4のいずれか1つに記載の電界効果トランジスタにおいて、
上記ドレイン電極(11)と上記ソース電極(12)とは、
上記第2の方向に互いに間隔をあけて略平行に交互に複数配置されていると共に上記第1の方向にフィンガー状に延在していることを特徴とする電界効果トランジスタ。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH04103138A (ja) * | 1990-08-22 | 1992-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JPH05304176A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | Fet増幅器 |
JPH098063A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-10 | Nec Corp | 半導体集積装置の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JPH04103138A (ja) * | 1990-08-22 | 1992-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JPH05304176A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | Fet増幅器 |
JPH098063A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-10 | Nec Corp | 半導体集積装置の製造方法 |
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