JPWO2015099081A1 - スパークプラグ - Google Patents

Abstract

絶縁体の貫通孔内で中心電極と端子金具とを接続する接続部は、抵抗体と、抵抗体の先端側または後端側の抵抗体から離れた位置に配置された磁性体と導電体とを含む磁性体構造物と、を有する。抵抗体と磁性体構造物とのうち、先端側に配置された部材を第１部材とし、後端側に配置された部材を第２部材とする。接続部は、さらに、第１導電性シール部と第２導電性シール部と第３導電性シール部とを有する。第１導電性シール部は、第１部材の先端側に配置され、第１部材に接触する。第２導電性シール部は、第１部材と第２部材との間に配置され、第１部材と第２部材とに接触する。第３導電性シール部は、第２部材の後端側に配置され、第２部材に接触する。また、抵抗体とシール部とが省略され、接続部が、磁性体と導電体とを含む磁性体構造物を含んでもよい。

Description

本開示は、スパークプラグに関するものである。

従来から、内燃機関に、スパークプラグが用いられている。また、点火によって発生する電波ノイズを抑制するために、絶縁体の貫通孔内に抵抗体を設ける技術が提案されている。また、絶縁体の貫通孔内に磁性体を設ける技術も提案されている。

特開平０２−２８４３７４号公報 特開昭６２−１５０６８１号公報 特開昭６１−２３０２８１号公報 特開昭５４−１５１７３６号公報 特開昭６１−１３５０７９号公報 特開昭６１−１０４５８０号公報 特開昭６１−２０８７６８号公報

ところが、磁性体を用いて電波ノイズを抑制する点については、十分な工夫がなされていないのが実情であった。

本開示は、磁性体を用いて電波ノイズを抑制できる技術を開示する。

本開示は、例えば、以下の適用例を開示する。

［適用例１］
軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
前記貫通孔内で、前記中心電極と前記端子金具とを接続する接続部と、
を備えるスパークプラグであって、
前記接続部は、
抵抗体と、
前記抵抗体の先端側または後端側の前記抵抗体から離れた位置に配置された、磁性体と導電体とを含む磁性体構造物と、
を有し、
前記抵抗体と前記磁性体構造物とのうち、先端側に配置された部材を第１部材とし、後端側に配置された部材を第２部材としたときに、
前記接続部は、さらに、
前記第１部材の先端側に配置され、前記第１部材に接触する第１導電性シール部と、
前記第１部材と前記第２部材との間に配置され、前記第１部材と前記第２部材とに接触する第２導電性シール部と、
前記第２部材の後端側に配置され、前記第２部材に接触する第３導電性シール部と、
を有する、スパークプラグ。

この構成によれば、第１、第２、第３導電性シール部によって、抵抗体の両端における電気的な接触不良と、磁性体構造物の両端における電気的な接触不良とを抑制できる。以上により、抵抗体と磁性体構造物との両方を用いて適切に電波ノイズを抑制できる。

［適用例２］
適用例１に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体構造物の先端から後端までの電気抵抗値は３ｋΩ以下である、
スパークプラグ。

この構成によれば、磁性体構造物の発熱を抑制できる。従って、磁性体構造物の発熱による不具合（例えば、磁性体の変質等）を抑制できる。

［適用例３］
適用例２に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体構造物の前記先端から前記後端までの電気抵抗値は１ｋΩ以下である、
スパークプラグ。

この構成によれば、磁性体構造物の発熱を更に抑制できる。従って、磁性体構造物の発熱による不具合（例えば、磁性体の変質等）を更に抑制できる。

［適用例４］
適用例１から３のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記導電体は、前記磁性体の外周の少なくとも一部を囲む螺旋状のコイルを含み、
前記コイルの電気抵抗値は、前記磁性体の電気抵抗値よりも、低い、
スパークプラグ。

この構成によれば、コイルによって、磁性体の発熱を抑制しつつ、適切に電波ノイズを抑制できる。

［適用例５］
適用例１から３のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記導電体は、前記磁性体を前記軸線の方向に貫通する導電部を含む、
スパークプラグ。

この構成によれば、耐久性を向上しつつ、適切に電波ノイズを抑制できる。

［適用例６］
適用例１から５のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体構造物は、前記抵抗体の後端側に配置されている、スパークプラグ。

この構成によれば、適切に、電波ノイズを抑制できる。

［適用例７］
適用例１から６のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記接続部は、さらに、前記磁性体構造物の外表面の少なくとも一部を覆い、前記磁性体構造物と前記絶縁体との間に介在する被覆部を有する、スパークプラグ。

この構成によれば、絶縁体と磁性体構造物とが直接的に接触することを抑制できる。

［適用例８］
適用例１から７のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体は、酸化鉄を含む強磁性の材料を用いて形成されている、スパークプラグ。

この構成によれば、適切に電波ノイズを抑制できる。

［適用例９］
適用例８に記載のスパークプラグであって、
前記強磁性の材料は、スピネル型フェライトである、スパークプラグ。

この構成によれば、容易に電波ノイズを抑制できる。

［適用例１０］
適用例１から９のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体は、ＮｉＺｎフェライト、または、ＭｎＺｎフェライトである、スパークプラグ。

この構成によれば、適切に電波ノイズを抑制できる。

［適用例１１］
適用例１から３のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体構造物は、
１）前記導電体としての、導電性物質と、
２）前記磁性体としての、鉄含有酸化物と、
３）珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックと、
を含み、
前記磁性体構造物の前記軸線を含む断面において、
前記軸線を中心線とし、前記軸線に垂直な方向の大きさが２．５ｍｍであり、前記軸線の方向の大きさが５．０ｍｍである矩形領域を、対象領域としたときに、
前記対象領域において、前記鉄含有酸化物の領域は、複数の粒状の領域を含み、
前記対象領域において、前記複数の粒状の領域のそれぞれの縁の少なくとも一部は、前記導電性物質によって被覆されており、
前記粒状の領域の前記縁の全長に対する前記導電性物質によって被覆されている部分の長さの割合を被覆率としたときに、前記対象領域において、前記複数の粒状の領域の前記被覆率の平均値は、５０％以上である、
スパークプラグ。

この構成によれば、磁性体構造物が特定の構成を有することにより、適切にノイズを抑制できる。

［適用例１２］
適用例１１に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体構造物の前記断面上の前記対象領域のうち、前記鉄含有酸化物の前記領域を除いた残りの領域において、気孔率が５％以下である、
スパークプラグ。

この構成によれば、電波ノイズを適切に抑制できる。

［適用例１３］
適用例１１または１２に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体構造物の前記断面上の前記対象領域内において、前記粒状の領域の面積と同じ面積を有する円の直径が、４００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内である粒状の領域の総数が、６以上である、
スパークプラグ。

この構成によれば、更に適切に電波ノイズを抑制できる。

［適用例１４］
適用例１１から１３のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記磁性体構造物の前記断面上の前記対象領域において、前記粒状の領域の縁を被覆する前記導電性物質の最小の厚さは、１μｍ以上、２５μｍ以下である、スパークプラグ。

この構成によれば、更に適切に電波ノイズを抑制できる。

［適用例１５］
適用例１１から１４のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
前記絶縁体の径方向の周囲に配置される主体金具を有し、
前記磁性体構造物は、前記抵抗体の後端側に配置され、
前記磁性体構造物の後端は、前記主体金具の後端よりも後端側に位置している、
スパークプラグ。

この構成によれば、更に適切に電波ノイズを抑制できる。

［適用例１６］
軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
前記貫通孔内で、前記中心電極と前記端子金具とを接続する接続部と、
を備えるスパークプラグであって、
前記接続部は、磁性体と導電体とを含む磁性体構造物を含み、
前記磁性体構造物は、
１）前記導電体としての、導電性物質と、
２）前記磁性体としての、鉄含有酸化物と、
３）珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックと、
を含み、
前記磁性体構造物の前記軸線を含む断面において、
前記軸線を中心線とし、前記軸線に垂直な方向の大きさが２．５ｍｍであり、前記軸線の方向の大きさが５．０ｍｍである矩形領域を、対象領域としたときに、
前記対象領域において、前記鉄含有酸化物の領域は、複数の粒状の領域を含み、
前記対象領域において、前記複数の粒状の領域のそれぞれの縁の少なくとも一部は、前記導電性物質によって被覆されており、
前記粒状の領域の前記縁の全長に対する前記導電性物質によって被覆されている部分の長さの割合を被覆率としたときに、前記対象領域において、前記複数の粒状の領域の前記被覆率の平均値は、５０％以上である、
スパークプラグ。

この構成によれば、磁性体構造物が特定の構成を有することにより、適切にノイズを抑制できる。

なお、上記の適用例１６に、上記の適用例１から１５のうち任意に選択された１以上の適用例を組み合わせてもよい。

第１実施形態のスパークプラグ１００の断面図である。 第２実施形態のスパークプラグ１００ｂの断面図である。 参考例のスパークプラグ１００ｃの断面図である。 第３実施形態のスパークプラグ１００ｄの断面図である。 磁性体構造物２００ｄの説明図である。 図４の断面図の一部分の拡大図である。 第４実施形態のスパークプラグ１００ｅの断面図である。

Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．スパークプラグの構成：
図１は、第１実施形態のスパークプラグ１００の断面図である。図示されたラインＣＬは、スパークプラグ１００の中心軸を示している。図示された断面は、中心軸ＣＬを含む断面である。以下、中心軸ＣＬのことを「軸線ＣＬ」とも呼び、中心軸ＣＬと平行な方向を「軸線ＣＬの方向」または、単に「軸線方向」とも呼ぶ。中心軸ＣＬを中心とする円の径方向を、単に「径方向」とも呼び、中心軸ＣＬを中心とする円の円周方向を「周方向」とも呼ぶ。中心軸ＣＬと平行な方向のうち、図１における下方向を先端方向Ｄ１と呼び、上方向を後端方向Ｄ２とも呼ぶ。先端方向Ｄ１は、後述する端子金具４０から電極２０、３０に向かう方向である。また、図１における先端方向Ｄ１側をスパークプラグ１００の先端側と呼び、図１における後端方向Ｄ２側をスパークプラグ１００の後端側と呼ぶ。

スパークプラグ１００は、絶縁体１０（「絶縁碍子１０」とも呼ぶ）と、中心電極２０と、接地電極３０と、端子金具４０と、主体金具５０と、第１導電性シール部６０と、抵抗体７０と、第２導電性シール部７５と、磁性体構造物２００と、被覆部２９０と、第３導電性シール部８０と、先端側パッキン８と、タルク９と、第１後端側パッキン６と、第２後端側パッキン７と、を備えている。

絶縁体１０は、中心軸ＣＬに沿って延びて絶縁体１０を貫通する貫通孔１２（「軸孔１２」とも呼ぶ）を有する略円筒状の部材である。絶縁体１０は、アルミナを焼成して形成されている（他の絶縁材料も採用可能）。絶縁体１０は、先端側から後端側に向かって順番に並ぶ、脚部１３と、第１縮外径部１５と、先端側胴部１７と、鍔部１９と、第２縮外径部１１と、後端側胴部１８と、を有している。

鍔部１９は、絶縁体１０の最大外径部分である。鍔部１９よりも先端側の第１縮外径部１５の外径は、後端側から先端側に向かって、徐々に小さくなる。絶縁体１０の第１縮外径部１５の近傍（図１の例では、先端側胴部１７）には、後端側から先端側に向かって内径が徐々に小さくなる縮内径部１６が形成されている。鍔部１９よりも後端側の第２縮外径部１１の外径は、先端側から後端側に向かって、徐々に小さくなる。

絶縁体１０の貫通孔１２の先端側には、中心電極２０が挿入されている。中心電極２０は、中心軸ＣＬに沿って延びる棒状の部材である。中心電極２０は、電極母材２１と、電極母材２１の内部に埋設された芯材２２と、を有している。電極母材２１は、例えば、ニッケルを主成分として含む合金であるインコネル（「ＩＮＣＯＮＥＬ」は、登録商標）を用いて形成されている。芯材２２は、電極母材２１よりも熱伝導率が高い材料（例えば、銅を含む合金）で形成されている。

また、中心電極２０の外観形状に着目すると、中心電極２０は、先端方向Ｄ１側の端を形成する脚部２５と、脚部２５の後端側に設けられた鍔部２４と、鍔部２４の後端側に設けられた頭部２３と、を有している。頭部２３と鍔部２４とは、貫通孔１２内に配置され、鍔部２４の先端方向Ｄ１側の面は、絶縁体１０の縮内径部１６によって、支持されている。脚部２５の先端側の部分は、絶縁体１０の先端側で、貫通孔１２の外に露出している。

絶縁体１０の貫通孔１２の後端側には、端子金具４０が挿入されている。端子金具４０は、導電材料（例えば、低炭素鋼等の金属）を用いて形成されている。端子金具４０の表面には、防食のための金属層が形成され得る。例えば、Ｎｉ層がメッキで形成される。端子金具４０は、鍔部４２と、鍔部４２より後端側の部分を形成するキャップ装着部４１と、鍔部４２より先端側の部分を形成する脚部４３と、を有している。キャップ装着部４１は、絶縁体１０の後端側で、貫通孔１２の外に露出している。脚部４３は、絶縁体１０の貫通孔１２に挿入されている。

絶縁体１０の貫通孔１２内において、端子金具４０と中心電極２０との間には、電気的なノイズを抑制するための抵抗体７０が配置されている。抵抗体７０は、主成分であるガラス粒子（例えば、Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系のガラス）と、ガラス以外のセラミック粒子（例えば、ＺｒＯ_２）と、導電性材料（例えば、炭素粒子）と、を含む組成物で形成されている。

絶縁体１０の貫通孔１２内において、抵抗体７０と端子金具４０との間には、電気的なノイズを抑制するための磁性体構造物２００が配置されている。図１の右部には、被覆部２９０に覆われた状態の磁性体構造物２００の斜視図と、被覆部２９０を取り除いた状態の磁性体構造物２００の斜視図と、が示されている。磁性体構造物２００は、磁性体２１０と、導電体２２０と、を有している。

磁性体２１０は、中心軸ＣＬを中心とする略円柱状の部材である。磁性体２１０は、例えば、酸化鉄を含む強磁性の材料を用いて形成されている。酸化鉄を含む強磁性の材料としては、例えば、スピネル型フェライト、六方晶フェライト等を採用可能である。また、スピネル型フェライトとしては、例えば、ＮｉＺｎ（ニッケル−亜鉛）フェライト、ＭｎＺｎ（マンガン−亜鉛）フェライト、ＣｕＺｎ（銅−亜鉛）フェライト等を採用可能である。

導電体２２０は、磁性体２１０の外周を囲む螺旋状のコイルである。導電体２２０は、金属線、例えば、主にニッケルとクロムとを含む合金の線材を用いて形成されている。導電体２２０は、磁性体２１０の先端方向Ｄ１側の端の近傍から後端方向Ｄ２側の端の近傍までの範囲に亘って、巻かれている。

貫通孔１２内において、抵抗体７０と中心電極２０との間は、抵抗体７０と中心電極２０とに接触する第１シール部６０が配置されている。抵抗体７０と磁性体構造物２００との間には、抵抗体７０と磁性体構造物２００とに接触する第２導電性シール部７５が配置されている。磁性体構造物２００と端子金具４０との間には、磁性体構造物２００と端子金具４０とに接触する第３導電性シール部８０が配置されている。シール部６０、７５、８０は、例えば、抵抗体７０と同様のガラス粒子と、金属粒子（Ｃｕ、Ｆｅなど）と、を含んでいる。

中心電極２０と端子金具４０とは、抵抗体７０と磁性体構造物２００とシール部６０、７５、８０とを介して、電気的に接続される。すなわち、第１導電性シール部６０と、抵抗体７０と、第２導電性シール部７５と、磁性体構造物２００と、第３導電性シール部８０とは、中心電極２０と端子金具４０とを電気的に接続する導電経路を形成する。導電性シール部６０、７５、８０を用いることによって、積層される部材２０、６０、７０、７５、２００、８０、４０間の接触抵抗が安定し、中心電極２０と端子金具４０との間の電気抵抗値を安定させることができる。以下、貫通孔１２内で、中心電極２０と端子金具４０とを接続する複数の部材６０、７０、７５、２００、２９０、８０の全体を、「接続部３００」とも呼ぶ。

図１には、抵抗体７０の後端方向Ｄ２側の端の位置７２が、示されている（「後端位置７２」と呼ぶ）。絶縁体１０の貫通孔１２のうちの、後端位置７２から後端方向Ｄ２側の部分の内径は、後端位置７２から先端方向Ｄ１側の部分（特に、第１導電性シール部６０と抵抗体７０とを収容する部分）の内径よりも、若干大きい。ただし、双方の内径が同じであってもよい。

磁性体構造物２００の外周面は、被覆部２９０によって覆われている。被覆部２９０は、磁性体構造物２００の外周を覆う円筒状の部材である。被覆部２９０は、絶縁体１０の内周面１０ｉと、磁性体構造物２００の外周面と、の間に介在する。被覆部２９０は、ガラス（例えば、ホウケイ酸ガラス）を用いて形成されている。スパークプラグ１００を装着した内燃機関（図示省略）が動作すると、内燃機関からスパークプラグ１００に振動が伝達する。この振動は、絶縁体１０と磁性体構造物２００との間の位置ズレを引き起こし得る。しかし、第１実施形態のスパークプラグ１００では、絶縁体１０と磁性体構造物２００との間に配置された被覆部２９０が、振動を吸収することによって、絶縁体１０と磁性体構造物２００との間の位置ズレを抑制可能である。

主体金具５０は、中心軸ＣＬに沿って延びて主体金具５０を貫通する貫通孔５９を有する略円筒状の部材である。主体金具５０は、低炭素鋼材を用いて形成されている（他の導電材料（例えば、金属材料）も採用可能）。主体金具５０の表面には、防食のための金属層が形成され得る。例えば、Ｎｉ層がメッキで形成される。主体金具５０の貫通孔５９には、絶縁体１０が挿入され、主体金具５０は、絶縁体１０の外周に固定されている。主体金具５０の先端側では、絶縁体１０の先端（本実施形態では、脚部１３の先端側の部分）が、貫通孔５９の外に露出している。主体金具５０の後端側では、絶縁体１０の後端（本実施形態では、後端側胴部１８の後端側の部分）が、貫通孔５９の外に露出している。

主体金具５０は、先端側から後端側に向かって順番に並ぶ、胴部５５と、座部５４と、変形部５８と、工具係合部５１と、加締部５３と、を有している。座部５４は、鍔状の部分である。座部５４の先端方向Ｄ１側の胴部５５の外径は、座部５４の外径よりも、小さい。胴部５５の外周面には、内燃機関（例えば、ガソリンエンジン）の取付孔に螺合するためのネジ部５２が形成されている。座部５４とネジ部５２との間には、金属板を折り曲げて形成された環状のガスケット５が嵌め込まれている。

主体金具５０は、変形部５８よりも先端方向Ｄ１側に配置された、縮内径部５６を有している。縮内径部５６の内径は、後端側から先端側に向かって、徐々に小さくなる。主体金具５０の縮内径部５６と、絶縁体１０の第１縮外径部１５と、の間には、先端側パッキン８が挟まれている。先端側パッキン８は、鉄製のＯリングである（他の材料（例えば、銅等の金属材料）も採用可能である）。

主体金具５０の変形部５８は、径方向の外側（中心軸ＣＬから離れる方向）に向かって中央部が突出するように、変形している。変形部５８の後端側には、工具係合部５１が設けられている。工具係合部５１の形状は、スパークプラグレンチが係合する形状（例えば、六角柱）である。工具係合部５１の後端側には、工具係合部５１よりも肉厚が薄い加締部５３が設けられている。加締部５３は、絶縁体１０の第２縮外径部１１よりも後端側に配置され、主体金具５０の後端（すなわち、後端方向Ｄ２側の端）を形成する。加締部５３は、径方向の内側に向かって屈曲されている。

主体金具５０の後端側では、主体金具５０の内周面と、絶縁体１０の外周面と、の間に、環状の空間ＳＰが形成されている。本実施形態では、この空間ＳＰは、主体金具５０の加締部５３および工具係合部５１と、絶縁体１０の第２縮外径部１１および後端側胴部１８と、に囲まれた空間である。この空間ＳＰ内の後端側には、第１後端側パッキン６が配置され、この空間ＳＰ内の先端側には、第２後端側パッキン７が配置されている。本実施形態では、これらの後端側パッキン６、７は、鉄製のＣリングである（他の材料も採用可能である）。空間ＳＰ内における２つの後端側パッキン６、７の間には、タルク（滑石）９の粉末が充填されている。

スパークプラグ１００の製造時には、加締部５３が内側に折り曲がるように加締められる。そして、加締部５３が先端方向Ｄ１側に押圧される。これにより、変形部５８が変形し、パッキン６、７とタルク９とを介して、絶縁体１０が、主体金具５０内で、先端側に向けて押圧される。先端側パッキン８は、第１縮外径部１５と縮内径部５６との間で押圧され、そして、主体金具５０と絶縁体１０との間をシールする。以上により、内燃機関の燃焼室内のガスが、主体金具５０と絶縁体１０との間を通って外に漏れることが、抑制される。また、主体金具５０が、絶縁体１０に、固定される。

接地電極３０は、主体金具５０の先端（すなわち、先端方向Ｄ１側の端）に接合されている。本実施形態では、接地電極３０は、棒状の電極である。接地電極３０は、主体金具５０から先端方向Ｄ１に向かって延び、中心軸ＣＬに向かって曲がって、先端部３１に至る。先端部３１は、中心電極２０の先端面２０ｓ１（先端方向Ｄ１側の表面２０ｓ１）との間でギャップｇを形成する。また、接地電極３０は、主体金具５０に、電気的に導通するように、接合されている（例えば、レーザ溶接）。接地電極３０は、接地電極３０の表面を形成する母材３５と、母材３５内に埋設された芯部３６と、を有している。母材３５は、例えば、インコネルを用いて形成されている。芯部３６は、母材３５よりも熱伝導率が高い材料（例えば、純銅）を用いて形成されている。

以上のように、第１実施形態では、中心電極２０と端子金具４０とを結ぶ導電経路の途中に、磁性体２１０が配置されている。従って、放電によって生じる電波ノイズを抑制できる。また、導電体２２０が、磁性体２１０の少なくとも一部と並列に接続されている。従って、中心電極２０と端子金具４０との間の電気抵抗値が大きくなることを抑制できる。また、導電体２２０が、螺旋状のコイルであるので、電波ノイズをさらに抑制できる。

Ａ−２．製造方法：
第１実施形態のスパークプラグ１００の製造方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、以下の製造方法を採用可能である。まず、絶縁体１０と、中心電極２０と、端子金具４０と、導電性シール部６０、７５、８０のそれぞれの材料粉末と、抵抗体７０の材料粉末と、磁性体構造物２００と、を準備する。磁性体構造物２００は、公知の方法で形成された磁性体２１０に、導電体２２０を巻き付けることによって、形成される。

次に、絶縁体１０の貫通孔１２の後端方向Ｄ２側の開口（以下、「後開口１４」と呼ぶ）から、中心電極２０を挿入する。図１で説明したように、中心電極２０は、絶縁体１０の縮内径部１６によって支持されることによって、貫通孔１２内の所定位置に配置される。

次に、第１導電性シール部６０、抵抗体７０、第２導電性シール部７５のそれそれの材料粉末の投入と投入された粉末材料の成形とが、部材６０、７０、７５の順番に、行われる。粉末材料の投入は、貫通孔１２の後開口１４から、行われる。投入された粉末材料の成形は、後開口１４から挿入した棒を用いて、行われる。材料粉末は、対応する部材の形状と略同じ形状に、成形される。

次に、貫通孔１２の後開口１４を通じて、磁性体構造物２００を、第２導電性シール部７５の後端方向Ｄ２側に、配置する。そして、磁性体構造物２００と絶縁体１０の内周面１０ｉとの間の隙間に、被覆部２９０の材料粉末を充填する。次に、第３導電性シール部８０の材料粉末を、貫通孔１２の後開口１４から、投入する。そして、絶縁体１０を、各材料粉末に含まれるガラス成分の軟化点よりも高い所定温度まで加熱し、所定温度に加熱した状態で、貫通孔１２の後開口１４から、端子金具４０を貫通孔１２に挿入する。この結果、各材料粉末が圧縮および焼結されて、導電性シール部６０、７５、８０と、抵抗体７０と、被覆部２９０と、のそれぞれが形成される。

次に、絶縁体１０の外周に主体金具５０を組み付け、主体金具５０に、接地電極３０を固定する。次に、接地電極３０を屈曲して、スパークプラグを完成させる。

Ｂ．第２実施形態：
図２は、第２実施形態のスパークプラグ１００ｂの断面図である。図１に示す第１実施形態のスパークプラグ１００との差異は、磁性体構造物２００が、磁性体構造物２００ｂに置換されている点だけである。スパークプラグ１００ｂの他の構成は、図１のスパークプラグ１００の構成と、同じである。図２の要素のうち、図１の要素と同じ要素には、同じ符号を付して、その説明を省略する。

図示するように、磁性体構造物２００ｂは、絶縁体１０の貫通孔１２内における抵抗体７０と端子金具４０との間に配置されている。図２の右部には、被覆部２９０ｂに覆われた状態の磁性体構造物２００ｂの斜視図（「第１斜視図Ｐ１」と呼ぶ）と、被覆部２９０ｂを取り除いた状態の磁性体構造物２００ｂの斜視図（「第２斜視図Ｐ２」と呼ぶ）と、が示されている。第２斜視図Ｐ２は、磁性体構造物２００ｂの内部の構成を表すように、磁性体構造物２００ｂの一部が切り取られた状態を示している。

図示するように、磁性体構造物２００ｂは、磁性体２１０ｂと、導電体２２０ｂと、を有している。第２斜視図Ｐ２では、導電体２２０ｂにハッチングが付されている。磁性体２１０ｂは、中心軸ＣＬを中心とする円筒状の部材である。磁性体２１０ｂの材料は、図１の磁性体２１０の材料と同様に、種々の磁性材料を採用可能である（例えば、酸化鉄を含む強磁性の材料）。

導電体２２０ｂは、中心軸ＣＬに沿って磁性体２１０ｂを貫通している。導電体２２０ｂは、磁性体２１０ｂの先端方向Ｄ１側の端から後端方向Ｄ２側の端まで、延びている。導電体２２０ｂの材料としては、図１の導電体２２０の材料と同様に、種々の導電性材料を採用可能である（例えば、主にニッケルとクロムとを含む合金）。

磁性体構造物２００ｂの外周面は、被覆部２９０ｂによって覆われている。被覆部２９０ｂは、図１の被覆部２９０と同様に、磁性体構造物２００ｂを覆う円筒状の部材である。被覆部２９０ｂは、絶縁体１０の内周面１０ｉと、磁性体構造物２００ｂの外周面と、の間に介在することによって、絶縁体１０と磁性体構造物２００ｂとの間の位置ズレを抑制する。被覆部２９０ｂの材料としては、図１の被覆部２９０の材料と同様に、種々の材料を採用可能である（例えば、ホウケイ酸ガラス等のガラス）。

貫通孔１２内において、磁性体構造物２００ｂと抵抗体７０との間には、磁性体構造物２００ｂと抵抗体７０とに接触する第２導電性シール部７５ｂが配置されている。また、磁性体構造物２００ｂと端子金具４０との間には、磁性体構造物２００ｂと端子金具４０とに接触する第３導電性シール部８０ｂが配置されている。導電性シール部７５ｂ、８０ｂのそれぞれの材料としては、図１の導電性シール部７５、８０のそれぞれの材料と同様に、種々の導電性材料を採用可能である（例えば、抵抗体７０と同様のガラス粒子と、金属粒子（Ｃｕ、Ｆｅなど）とを含む材料）。

磁性体構造物２００ｂの先端方向Ｄ１側の端、すなわち、磁性体２１０ｂと導電体２２０ｂとのそれぞれの先端方向Ｄ１側の端は、第２導電性シール部７５ｂによって、抵抗体７０と電気的に接続される。また、磁性体構造物２００ｂの後端方向Ｄ２側の端、すなわち、磁性体２１０ｂと導電体２２０ｂとのそれぞれの後端方向Ｄ２側の端は、第３導電性シール部８０ｂによって、端子金具４０と電気的に接続される。第１導電性シール部６０と、抵抗体７０と、第２導電性シール部７５ｂと、磁性体構造物２００ｂと、第３導電性シール部８０ｂとは、中心電極２０と端子金具４０とを電気的に接続する導電経路を形成する。導電性シール部６０、７５ｂ、８０ｂを用いることによって、積層される部材２０、６０、７０、７５ｂ、２００ｂ、８０ｂ、４０間の接触抵抗が安定し、中心電極２０と端子金具４０との間の電気抵抗値を安定させることができる。以下、貫通孔１２内で、中心電極２０と端子金具４０とを接続する複数の部材６０、７０、７５ｂ、２００ｂ、２９０ｂ、８０ｂの全体を、「接続部３００ｂ」とも呼ぶ。

以上のように、第２実施形態では、中心電極２０と端子金具４０とを結ぶ導電経路の途中に、磁性体２１０ｂが配置されている。従って、放電によって生じる電波ノイズを抑制できる。また、導電体２２０ｂが、磁性体２１０ｂと並列に接続されている。従って、中心電極２０と端子金具４０との間の電気抵抗値が大きくなることを抑制できる。また、導電体２２０ｂは、磁性体２１０ｂに埋め込まれている。すなわち、導電体２２０ｂは、両端を除く全体に亘って、磁性体２１０ｂによって覆われている。従って、導電体２２０ｂの破損を抑制できる。例えば、振動によって導電体２２０ｂが断線することを抑制できる。

なお、第２実施形態のスパークプラグ１００ｂは、第１実施形態のスパークプラグ１００と同じ方法を用いて製造可能である。磁性体構造物２００ｂは、公知の方法で形成された磁性体２１０ｂの貫通孔に、導電体２２０ｂを挿入することによって、形成される。

Ｃ．参考例：
図３は、参考例のスパークプラグ１００ｃの断面図である。このスパークプラグ１００ｃは、後述する評価試験で、参考例として用いられる。図１、図２に示す実施形態のスパークプラグ１００、１００ｂとの差異は、磁性体構造物２００、２００ｂと第３導電性シール部８０、８０ｂとが省略されている点である。参考例では、端子金具４０ｃの脚部４３ｃは、脚部４３ｃの先端方向Ｄ１側の端が抵抗体７０の近傍に届くように、実施形態の脚部４３よりも長い。脚部４３ｃと抵抗体７０との間には、脚部４３ｃと抵抗体７０とに接触する第２導電性シール部７５ｃが配置されている。第２導電性シール部７５ｃの材料としては、上記実施形態の第２導電性シール部７５の材料と同じ材料を、採用可能である。

また、図３には、絶縁体１０ｃの貫通孔１２ｃのうちの脚部４３ｃを収容する部分の途中の位置４４が示されている（「途中位置４４」と呼ぶ）。貫通孔１２ｃのうちの、途中位置４４から後端方向Ｄ２側の部分の内径は、途中位置４４から先端方向Ｄ１側の部分（特に、第１導電性シール部６０と抵抗体７０と第２導電性シール部７５ｃと脚部４３の一部とを収容する部分）の内径よりも、若干大きい。ただし、双方の内径が同じであってもよい。

参考例のスパークプラグ１００ｃの他の部分の構成は、図１、図２に示すスパークプラグ１００、１００ｂの構成と、同じである。第１導電性シール部６０と、抵抗体７０と、第２導電性シール部７５ｃとの全体は、貫通孔１２ｃ内で中心電極２０と端子金具４０ｃとを接続する接続部３００ｃを形成する。このような参考例のスパークプラグ１００ｃは、実施形態のスパークプラグ１００、１００ｂと同じ方法を用いて、製造可能である。

Ｄ．評価試験：
Ｄ−１．スパークプラグのサンプルの構成：
スパークプラグの複数種類のサンプルを用いた評価試験について説明する。以下に示す表１は、各サンプルのそれぞれの構成と、４つの評価試験のそれぞれの評価結果と、を示している。

この評価試験では、互いに構成が異なる１３種類のサンプルが、評価された。表中には、サンプルの種類の番号と、構成の種類を示す符号と、被覆部の有無と、電波ノイズ特性の評価結果と、耐衝撃特性の評価結果と、抵抗値安定性の評価結果と、耐久性の評価結果とが、示されている。

構成の種類を示す符号とスパークプラグの構成との対応関係は、以下の通りである。
Ａ：図１の構成
Ｂ：図２の構成
Ｃ：図３の構成
Ｄ：図１の構成において、抵抗体７０と磁性体構造物２００との配置を入れ替えた構成
Ｅ：図２の構成において、抵抗体７０と磁性体構造物２００ｂとの配置を入れ替えた構成
Ｆ：図１の構成において、磁性体２１０を、アルミナ製の同形状の部材に置換した構成
Ｇ：図２の構成において、導電体２２０ｂを、２ｋΩの導電体に置換した構成
Ｈ：図２の構成において、導電体２２０ｂを、１ｋΩの導電体に置換した構成
Ｉ：図１の構成において、第３導電性シール部８０を省略した構成
Ｊ：図１の構成において、第２導電性シール部７５を省略した構成
Ｋ：図２の構成において、導電体２２０ｂを、２００Ωの導電体に置換した構成
なお、表１に示すように、被覆部２９０、２９０ｂの有無は、上記の構成Ａ〜Ｋとは独立に、決定される。

各構成Ａ〜Ｋに共通な構成は、以下の通りである。
１）抵抗体７０の材料：Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系のガラスとセラミック粒子としてのＺｒＯ_２と導電性材料としてのＣとの混合物
２）磁性体２１０、２１０ｂの材料：ＭｎＺｎフェライト
３）導電体２２０、２２０ｂの材料：主にニッケルとクロムとを含む合金
４）導電性シール部６０、７５、７５ｂ、８０、８０ｂ、８０ｃの材料：Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系のガラスと金属粒子としてのＣｕとの混合物
ここで、導電体の電気抵抗値は、先端方向Ｄ１側の端と後端方向Ｄ２側の端との間の電気抵抗値である。以下、先端方向Ｄ１側の端と後端方向Ｄ２側の端との間の電気抵抗値を「両端抵抗値」と呼ぶ。次に、各評価試験の内容と結果について説明する。

Ｄ−２．電波ノイズ特性の評価試験：
電波ノイズ特性は、ＪＡＳＯ Ｄ００２−２に規定された方法に従って測定された挿入損を用いて、評価されている。具体的には、３番のサンプルを基準とした場合の３００ＭＨｚの周波数での挿入損の改善値（単位はｄＢ）を、評価結果として採用した。「ｍ（ｍはゼロ以上、かつ、１０以下の整数）」の評価結果は、３番のサンプルからの挿入損の改善値が、ｍ（ｄＢ）以上、かつ、ｍ＋１（ｄＢ）未満であることを示している。例えば、「５」の評価結果は、改善値が、５ｄＢ以上、かつ、６ｄＢ未満であることを示している。改善値が１０ｄＢ以上である場合、評価結果を「１０」に決定した。なお、この評価試験では、サンプルの各種類の挿入損として、構成が同じ５本のサンプルの挿入損の平均値を用いた。５本のサンプルとしては、中心電極２０と端子金具４０、４０ｃとの間の電気抵抗値が、５ｋΩを中心とする幅が０．６ｋΩである範囲内、すなわち、４．７ｋΩ以上、かつ、５．３ｋΩ以下の範囲内にある５本のサンプルが、採用された。１１番と１２番とについては、電気抵抗値のバラツキが大きく、電気抵抗値が上記の範囲内である５本のサンプルを確保できなかったので、評価を省略した。

表１に示すように、１番と８番とを比較すると、磁性体２１０を有する１番の方が、磁性体２１０が省略された８番よりも、評価結果が良好であった。このように、磁性体２１０を設けることによって、電波ノイズを抑制できた。

また、コイル状の導電体２２０を有する１番と６番の評価結果は、最も良い「１０」であり、直線状の導電体２２０ｂを有する２番と７番の評価結果は、１０よりも低い「６」であった。このように、コイル状の導電体２２０を設けることによって、大幅に電波ノイズを抑制できた。

また、１番と４番とを比較すると、磁性体構造物２００が抵抗体７０よりも後端方向Ｄ２側に配置された１番の方が、磁性体構造物２００が抵抗体７０よりも先端方向Ｄ１側に配置された４番よりも、評価結果が良好であった。同様に、２番と５番とを比較すると、磁性体構造物２００ｂが抵抗体７０よりも後端方向Ｄ２側に配置された２番の方が、磁性体構造物２００ｂが抵抗体７０よりも先端方向Ｄ１側に配置された５番よりも、評価結果が良好であった。このように、磁性体構造物の構成に拘わらずに、磁性体構造物を抵抗体の後端方向Ｄ２側に配置することによって、電波ノイズを抑制できた。

また、磁性体構造物２００を挟む第２導電性シール部７５と第３導電性シール部８０との少なくとも一方を省略する場合（１１番、１２番）、中心電極２０と端子金具４０との間の電気抵抗値を安定させることが困難であった。一方、第２導電性シール部７５と第３導電性シール部８０とを設けることによって、電気抵抗値を安定させることができた。

Ｄ−３．耐衝撃特性の評価試験：
耐衝撃特性は、ＪＩＳ Ｂ８０３１：２００６の７．４に規定された耐衝撃性試験に基づいて、評価されている。「０」の評価結果は、耐衝撃性試験によって異常が生じたことを示している。耐衝撃性試験によって異常が生じなかった場合、さらに、追加の３０分間の振動試験をおこなった。そして、評価試験を行う前の電気抵抗値の測定値と、評価試験を行った後の電気抵抗値の測定値と、の間の差分を算出した。ここで、電気抵抗値は、中心電極２０と端子金具４０、４０ｃとの間の電気抵抗値である。「５」の評価結果は、電気抵抗値の差分の絶対値が、試験前の電気抵抗値の１０％を超えたことを示している。「１０」の評価結果は、電気抵抗値の差分の絶対値が、試験前の電気抵抗値の１０％以下であることを示している。

表１に示すように、磁性体構造物２００を挟む第２導電性シール部７５と第３導電性シール部８０との少なくとも一方が省略された１１番と１２番の評価結果は「０」であった。一方、磁性体構造物２００、２００ｂを挟む２つの導電性シール部（例えば、図１の導電性シール部７５、８０）を有する１番〜１０番、１３番の評価結果は、１１番と１２番との評価結果よりも良好な「５」または「１０」であった。このように、磁性体構造物２００、２００ｂを２つの導電性シール部で挟むことによって、耐衝撃性を向上できた。

また、磁性体構造物２００、２００ｂが２つの導電性シール部によって挟まれるものの、被覆部２９０、２９０ｂを有さない６番と７番の評価結果は、「５」であった。一方、磁性体構造物２００、２００ｂを挟む２つの導電性シール部と被覆部２９０、２９０ｂとを有する１番〜５番、８番〜１０番、１３番の評価結果は「１０」であった。このように、被覆部２９０、２９０ｂを設けることによって、耐衝撃性を大幅に向上できた。ただし、被覆部２９０、２９０ｂを省略してもよい。

Ｄ−４．抵抗値安定性の評価試験：
抵抗値安定性は、中心電極２０と端子金具４０、４０ｃとの間の電気抵抗値の標準偏差に基づいて評価されている。評価試験で用いたスパークプラグは、上述したように、接続部（例えば、図１の接続部３００）の材料が貫通孔１２、１２ｃ内に配置された状態で、絶縁体１０を加熱することによって、製造される。この加熱によって、導電性シール部６０、７５、７５ｂ、７５ｃ、８０、８０ｂの粉末材料は、流動し得る。この流動によって、電気抵抗値がばらつく場合がある。このばらつきの大きさを、評価した。具体的には、サンプルの各種類毎に、構成が同じ１００本のスパークプラグを製造する。そして、中心電極２０と端子金具４０、４０ｃとの間の電気抵抗値を測定し、測定された電気抵抗値の標準偏差を算出する。「０」の評価結果は、標準偏差が０．８よりも大きいことを示し、「５」の評価結果は、標準偏差が０．５より大きく、かつ、０．８以下であることを示し、「１０」の評価結果は、標準偏差が０．５以下であることを示している。

表１に示すように、磁性体構造物２００を挟む第２導電性シール部７５と第３導電性シール部８０との少なくとも一方が省略された１１番と１２番の評価結果は「０」であった。一方、磁性体構造物２００、２００ｂを挟む２つの導電性シール部（例えば、図１の導電性シール部７５、８０）を有する１番〜１０番、１３番の評価結果は、１１番と１２番との評価結果よりも良好な「１０」であった。このように、磁性体構造物２００、２００ｂを２つの導電性シール部で挟むことによって、電気抵抗値を大幅に安定化できた。

Ｄ−５．耐久性の評価試験：
耐久性は、放電に対する耐久性を示している。この耐久性を評価するために、スパークプラグのサンプルを自動車用のトランジスタ点火装置に接続し、以下の条件下で放電を繰り返す運転を行った。
温度 ：摂氏３５０度
スパークプラグに印加される電圧 ：２０ｋＶ
放電周期 ：３６００回／分
運転時間 ：１００時間
評価試験では、上記条件下での運転を行い、その後に、中心電極２０と端子金具４０、４０ｃとの間の常温での電気抵抗値を測定した。そして、評価試験後の電気抵抗値が評価試験前の電気抵抗値の１．５倍未満である場合、評価結果を「１０」に決定した。評価試験後の電気抵抗値が評価試験前の電気抵抗値の１．５倍以上である場合、評価結果を「１」に決定した。

表１に示すように、導電体２２０ｂを有する２番の評価結果は、「１０」であった。また、導電体２２０ｂの代わりに２００Ωの導電体を有する１３番の評価結果は、「１０」であった。また、導電体２２０ｂの代わりに１ｋΩの導電体を有する１０番の評価結果は、「１０」であった。また、導電体２２０ｂの代わりに２ｋΩの導電体を有する９番の評価結果は、「１」であった。なお、導電体２２０ｂの両端抵抗値は、おおよそ、５０Ωであった。このように、磁性体構造物の導電体（具体的には、磁性体２１０ｂに接続された導電体）の両端抵抗値を小さくすることによって、放電に対する耐久性を向上できた。

磁性体構造物の導電体の両端抵抗値を小さくすることによって放電に対する耐久性を向上できる理由は、以下のように推定できる。すなわち、放電時には、磁性体２１０ｂに接続された導電体に電流が流れるので、導電体が発熱する。放電時の電流の大きさは、スパークプラグの内部構成には依存せず、ギャップｇにおける適切な火花発生を実現するように調整される。従って、導電体の両端抵抗値が大きいほど、導電体の温度が高くなり得る。導電体の温度が高くなると、導電体の断線の可能性が高くなる。導電体が断線すると、中心電極２０と端子金具４０との間の電気抵抗値が増大し得る。また、導電体の温度が高くなると、磁性体２１０ｂの温度も高くなる。磁性体２１０ｂは、温度が高い場合には、温度が低い場合と比べて、損傷しやすい（例えば、磁性体２１０ｂにクラックが生じる）。磁性体２１０ｂが損傷すると、磁性体２１０ｂの両端抵抗値が増大することによって、中心電極２０と端子金具４０との間の電気抵抗値が増大し得る。以上により、導電体の両端抵抗値が小さいほど、磁性体２１０ｂの損傷と導電体の断線とを抑制できる。この結果、放電に対する耐久性を向上できる、と推定できる。また、導電体の両端抵抗値が大きい場合には、放電のように電流が導電体の表面に沿って流れることによって、電波ノイズが発生する場合がある。以上により、磁性体構造物の導電体の両端抵抗値が小さいことが好ましい。

耐久性の良好な評価結果「１０」が得られた２番と１３番と１０番とのそれぞれの導電体２２０ｂの両端抵抗値は、５０Ω、２００Ω、１ｋΩであった。これらの値のうちの任意の値を、導電体２２０ｂの両端抵抗値の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）の上限として採用可能である。また、これらの値のうちの上限以下の任意の値を、下限として採用可能である。例えば、導電体２２０ｂの両端抵抗値として、１ｋΩ以下の値を採用可能である。また、より好ましくは、導電体２２０ｂの両端抵抗値として、２００Ω以下の値を採用可能である。なお、導電体２２０ｂの両端抵抗値の好ましい範囲の下限としては、上記の値に加えて、ゼロΩを採用可能である。

以上、図２の構成を有する２番と１０番と１１番と１３番との評価結果を用いて説明したが、導電体の発熱と不具合（導電体の断線と磁性体の損傷）の生じ易さとの関係は、磁性体構造物の構成によらず、適用可能であると推定される。従って、図１の構成を有するスパークプラグにおいても、コイル状の導電体２２０の両端抵抗値が小さいほど、導電体２２０の断線と磁性体２１０の損傷を抑制でき、この結果、放電に対する耐久性を向上できる、と推定できる。なお、コイル状の導電体２２０の材料としては、鉄系材料や銅などの導電性金属を採用することが好ましい。また、耐熱性とコストを考慮する場合、ステンレス鋼、または、ニッケル系合金を採用することが、特に好ましい。

なお、放電時には、導電体２２０、２２０ｂに加えて、磁性体２１０、２１０にも、電流が流れ得る。従って、磁性体２１０、２１０ｂの損傷を抑制するためには、磁性体２１０、２１０ｂと導電体２２０、２２０ｂとの全体である磁性体構造物２００、２００ｂの両端抵抗値が小さいことが好ましい。磁性体構造物２００、２００ｂの両端抵抗値の好ましい範囲としては、例えば、ゼロΩ以上、かつ、３ｋΩ以下の範囲を採用可能である。ただし、３ｋΩよりも大きな値を採用してもよい。また、耐久性の良好な評価結果が得られた２番と１３番と１０番の導電体の両端抵抗値は、それぞれ、５０Ω、２００Ω、１ｋΩである。そのような導電体を採用することを考慮することによって、これらの両端抵抗値のうちの任意の値を、磁性体構造物２００、２００ｂの両端抵抗値の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）の上限として採用可能である。また、これらの値のうちの上限以下の任意の値を、下限として採用可能である。例えば、磁性体構造物２００、２００ｂの両端抵抗値として、１ｋΩ以下の値を採用可能である。また、より好ましくは、磁性体構造物２００、２００ｂの両端抵抗値として、２００Ω以下の値を採用可能である。なお、磁性体構造物２００、２００ｂの両端抵抗値の好ましい範囲の下限としては、上記の値に加えて、ゼロΩを採用可能である。

また、磁性体構造物２００、２００ｂの発熱を抑制するためには、導電体２２０、２２０ｂの両端抵抗値が、磁性体２１０、２１０ｂの両端抵抗値よりも低いことが好ましい。この構成によれば、磁性体２１０、２１０ｂに導電体２２０、２２０ｂを接続することによって、磁性体構造物２００、２００ｂの両端抵抗値を低減できる。この結果、磁性体構造物２００、２００ｂの発熱を抑制できる。なお、上記の１番から１３番までの各サンプルでは、磁性体２１０、２１０ｂの両端抵抗値は、いずれも、数ｋΩであり、導電体（例えば、導電体２２０、２２０ｂ）の両端抵抗値よりも大きい。そして、表１に示すように、１番〜８番、１０番、１３番のサンプルは、耐久性の良好な評価結果を示している。

また、表１に示すように、磁性体構造物２００を挟む第２導電性シール部７５と第３導電性シール部８０との少なくとも一方が省略された１１番と１２番の評価結果は「１」であった。良好な「１０」の評価結果が得られた１番〜８番、１０番、１３番のサンプルは、いずれも、磁性体構造物２００、２００ｂを挟む２つの導電性シール部（例えば、図１の導電性シール部７５、８０）を有している。このように、磁性体構造物２００、２００ｂを２つの導電性シール部で挟むことによって、放電に対する耐久性を、向上できた。

なお、スパークプラグに設けられた磁性体構造物の両端抵抗値を測定する方法としては、以下の方法を採用可能である。以下、図１、図２のスパークプラグ１００、１００ｂを例に説明する。まず、絶縁体１０から主体金具５０を取り外し、そして、ダイヤモンドブレード等の切削工具を用いて絶縁体１０を切断し、貫通孔１２内に配置された接続部３００、３００ｂを取り出す。次に、磁性体構造物２００、２００ｂに接触する導電性シール部を、ニッパー等の切削工具を用いて、磁性体構造物２００、２００ｂから取り外す。次に、磁性体構造物２００、２００ｂに接触する被覆部２９０、２９０ｂを、ＣＴスキャンにて内部構造を観察後、該当箇所を切断及び研磨によって削り出すことによって、磁性体構造物２００、２００ｂから取り外す。このようにして得られた磁性体構造物２００、２００ｂの先端方向Ｄ１側の端と後端方向Ｄ２側の端とに抵抗値測定器のプローブを接触させることによって、両端抵抗値を測定する。

また、磁性体構造物の導電体の両端抵抗値を測定する方法としては、以下の方法を採用可能である。すなわち、上記の方法で得られた磁性体構造物２００、２００ｂから、ニッパー等の切削工具を用いて、磁性体２１０、２１０ｂを取り除くことによって、導電体２２０、２２０ｂを取得する。得られた導電体２２０、２２０ｂの先端方向Ｄ１側の端と後端方向Ｄ２側の端とに抵抗値測定器のプローブを接触させることによって、両端抵抗値を測定する。

また、磁性体構造物の磁性体の両端抵抗値を測定する方法としては、以下の方法を採用可能である。すなわち、上記の方法で得られた磁性体構造物２００、２００ｂから、ＣＴスキャンにて内部構造を観察後、該当箇所を切断及び研磨によって削り出すことによって得られた磁性体２１０、２１０ｂの先端方向Ｄ１側の端と後端方向Ｄ２側の端とに抵抗値測定器のプローブを接触させることによって、両端抵抗値を測定する。

磁性体構造物と、導電体と、磁性体とのそれぞれにおいて、先端方向Ｄ１側の端と後端方向Ｄ２側の端との少なくとも一方が面である場合がある。この場合、その面上の任意の位置にプローブを接触させることによって得られる最小の両端抵抗値を採用する。

Ｅ．第３実施形態：
Ｅ−１．スパークプラグの構成：
図４は、第３実施形態のスパークプラグ１００ｄの断面図である。第３実施形態では、図１、図２に示す実施形態の磁性体構造物２００、２００ｂの代わりに、磁性体構造物２００ｄが設けられている。図４の右部には、磁性体構造物２００ｄの斜視図が示されている。磁性体構造物２００ｄは、中心軸ＣＬを中心とする略円柱状の部材である。絶縁体１０ｄの貫通孔１２ｄ内には、先端方向Ｄ１側から後端方向Ｄ２に向かって、中心電極２０の後端方向Ｄ２側の部分と、第１導電性シール部６０ｄと、抵抗体７０ｄと、第２導電性シール部７５ｄと、磁性体構造物２００ｄと、第３導電性シール部８０ｄと、端子金具４０ｄの脚部４３ｄとが、この順番に配置されている。磁性体構造物２００ｄは、抵抗体７０ｄの後端方向Ｄ２側に配置されている。そして、部材６０ｄ、７０ｄ、７５ｄ、２００ｄ、８０ｄの全体は、貫通孔１２ｄ内で中心電極２０と端子金具４０ｄとを接続する接続部３００ｄを形成している。第３実施形態のスパークプラグ１００ｄの他の部分の構成は、図１、図２に示すスパークプラグ１００、１００ｂの構成と、概ね同じである。図４では、第３実施形態のスパークプラグ１００ｄの他の部分については、図１、図２のスパークプラグ１００、１００ｂの対応する部分と同じ符号を付して、説明を省略する。

図５は、磁性体構造物２００ｄの説明図である。図５の左上部には、磁性体構造物２００ｄの斜視図が示されている。この斜視図は、一部分が切断された磁性体構造物２００ｄを示している。図中の断面９００は、中心軸ＣＬを含む平面による磁性体構造物２００ｄの断面である。図５の中央上部には、断面９００上の一部分８００を拡大した模式図が示されている（以下、「対象領域８００」と呼ぶ）。対象領域８００は、中心軸ＣＬを中心線とする矩形領域であり、その矩形状は、中心軸ＣＬに平行な２辺と、中心軸ＣＬに垂直な２辺と、で構成されている。対象領域８００の形状は、中心軸ＣＬを対称軸とする線対称である。図中の第１長Ｌａは、対象領域８００の中心軸ＣＬに垂直な方向の長さであり、第２長Ｌｂは、対象領域８００の中心軸ＣＬに平行な方向の長さである。ここで、第１長Ｌａは、２．５ｍｍであり、第２長Ｌｂは、５．０ｍｍである。

図示するように、対象領域８００（すなわち、磁性体構造物２００ｄの断面）は、セラミック領域８１０と、導電領域８２０と、磁性領域８３０と、を含んでいる。磁性領域８３０は、複数の粒状の領域８３５で構成されている（以下、「磁性粒領域８３５」または、単に「粒領域８３５」とも呼ぶ）。磁性領域８３０は、磁性体としての鉄含有酸化物で形成されている。鉄含有酸化物としては、例えば、スピネルフェライトである（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｆｅ_２Ｏ_４や、六方晶フェライトであるＢａＦｅ_１２Ｏ_１９などを採用可能である。複数の磁性粒領域８３５は、磁性体構造物２００ｄの材料として鉄含有酸化物の粉末を用いることによって、形成される。例えば、材料の粉末に含まれる鉄含有酸化物の１つの粒子が１つの磁性粒領域８３５を形成し得る。また、材料の粉末に含まれる鉄含有酸化物の複数の粒子が互いにくっついて１つの粒子状の構造物を形成し、形成された１つの粒子状の構造物が磁性粒領域８３５を形成し得る。粒子状の構造物は、例えば、鉄含有酸化物の材料粉末にバインダを添加して混合することによって、形成される。鉄含有酸化物の複数の粒子は、バインダを介して互いにくっつくことによって、大きな径を有する粒子状の構造物を形成できる。以下、１つの粒子と、複数の粒子で構成された１つの粒子状の構造物と、を区別する必要がない場合には、１つの磁性粒領域８３５を形成する立体的な粒子状の要素を「磁性粒子」と呼ぶ。１つの磁性粒領域８３５は、１つの磁性粒子の断面を示している。

図示を省略するが、複数の磁性粒領域８３５を形成する複数の磁性粒子のそれぞれの表面は、導電性物質の被覆層に被覆されている。導電性物質としては、例えば、金属（Ｎｉ、Ｃｕなど）、ペロブスカイト型酸化物（ＳｒＴｉＯ_３、ＳｒＣｒＯ_３など）、炭素（Ｃ）、炭素化合物（Ｃｒ_３Ｃ_２、ＴｉＣなど）を採用可能である。

図５の導電領域８２０は、磁性粒子の表面に形成された導電性物質の被覆層の断面を示している。図示するように、導電領域８２０は、磁性粒領域８３５の縁を被覆している。導電領域８２０は、複数の磁性粒領域８３５を被覆する複数の被覆領域８２５で構成されている。１つの磁性粒領域８３５を被覆する部分が、１つの被覆領域８２５に対応する。１つの磁性粒領域８３５と、その磁性粒領域８３５を被覆する１つの被覆領域８２５とは、粒子状の領域８４０を形成する（「複合粒領域８４０」と呼ぶ）。図示するように、複数の複合粒領域８４０は、互いに被覆領域８２５が接するように、配置されている。互いに接する複数の被覆領域８２５は、後端方向Ｄ２側から先端方向Ｄ１側へ延びる電流の経路を形成している。

図示を省略するが、対象領域８００（すなわち、断面９００）上には、２つの複合粒領域８４０が離れて配置され得る。このように対象領域８００上では互いに離れた２つの複合粒領域８４０は、対象領域８００よりも奥、または、手前の位置で、互いに接する２つの立体的な粒子状の部分の断面を表している場合がある。このように、対象領域８００上で、互いに接する、または、互いに離れた、複数の複合粒領域８４０は、後端方向Ｄ２側から先端方向Ｄ１側へ延びる電流の経路を形成可能である。放電時には、電流が、複数の複合粒領域８４０の複数の被覆領域８２５（すなわち、導電領域８２０）を通じて、磁性体構造物２００ｄを流れる。

上述のように、導電領域８２０は、磁性領域８３０を被覆している。すなわち、電流の経路は、磁性体を囲むように構成されている。磁性体が導電経路の近傍に配置されると、放電によって生じる電波ノイズが抑制される。例えば、導電経路がインダクタンス素子として機能することによって、電波ノイズが抑制される。また、導電経路のインピーダンスが大きくなることによって、電波ノイズが抑制される。

セラミック領域８１０は、セラミックで形成されている。セラミックとしては、例えば、珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックを採用可能である。このようなセラミックとしては、例えば、第１実施形態で説明したガラスを採用可能である。ガラスとしては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）とホウ酸（Ｂ_２Ｏ_５）とリン酸（Ｐ_２Ｏ_５）とから任意に選択された１つ以上の酸化物を含む物質を採用可能である。図示するように、複数の複合粒領域８４０（すなわち、複数の磁性粒領域８３５と、複数の磁性粒領域８３５を被覆する複数の被覆領域８２５）は、セラミック領域８１０に囲まれている。

図５の中央下部には、１つの粒領域８３５と、１つの円８３５ｃとが示されている。円８３５ｃは、粒領域８３５の面積と同じ面積を有する仮想円である（以下「仮想円８３５ｃ」と呼ぶ）。図中の直径Ｄｃは、仮想円８３５ｃの直径である。この直径Ｄｃは、粒領域８３５を円で近似して得られる直径である（以下「近似径Ｄｃ」とも呼ぶ）。近似径Ｄｃは、粒領域８３５が大きいほど、大きい。

複数の粒領域８３５のそれぞれの近似径Ｄｃが大きいことは、複数の被覆領域８２５のそれぞれが大きいこと、すなわち、電流の経路が太いことを意味している。電流経路の耐久性は、電流経路が太いほど良好である。従って、対象領域８００に含まれる複数の粒領域８３５のうち、大きな近似径Ｄｃ（例えば、４００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内の近似径Ｄｃ）を有する磁性粒領域８３５の数が多いほど、電流経路、ひいては、磁性体構造物２００ｄの耐久性を向上できる。

図５の右下部には、対象領域８００の一部分の拡大図が示されている。図中の最小厚さＴは、対象領域８００内における導電領域８２０の最小の厚さである。最小厚さＴが小さい場合には、導電領域８２０の耐久性が低下し得る。また、最小厚さＴが大きい場合には、磁性体構造物２００ｄの形成のための導電領域８２０の材料の量が多くなる。

セラミック領域８１０は、磁性体構造物２００ｄの材料としてセラミックの粉末を用いることによって、形成される。従って、対象領域８００上において、セラミック領域８１０内には、気孔が生じ得る。図５の左下部には、セラミック領域８１０の拡大図が示されている。図示するように、セラミック領域８１０内には、気孔８１２が生じている。スパークプラグ１００ｄの放電時には、気孔８１２内においても部分的な放電が生じ得る。気孔８１２内で部分放電が生じることによって、磁性体構造物２００ｄが劣化し、また、電波ノイズが生じ得る。従って、磁性体構造物２００ｄに対する気孔８１２の割合（例えば、対象領域８００から磁性領域８３０を除いた残りの領域の面積に対する気孔８１２の面積の割合）が小さいことが好ましい。

図６は、図４の断面図の一部分の拡大図である。図中には、主体金具５０の加締部５３の近傍が示されている。図中の突出距離Ｌｄは、加締部５３の後端５３ｅ（すなわち、主体金具５０の後端）と、磁性体構造物２００ｄの後端２００ｄｅと、の間の中心軸ＣＬに平行な距離である。磁性体構造物２００ｄの後端２００ｄｅが主体金具５０の後端５３ｅよりも後端方向Ｄ２側に位置している場合に、突出距離Ｌｄが正値である。そして、突出距離Ｌｄが大きいほど、端子金具４０ｄの脚部４３ｄと主体金具５０との間の距離が大きい。

図示するように、端子金具４０ｄと主体金具５０との間には、絶縁体１０ｄが配置されている。すなわち、端子金具４０ｄと主体金具５０とは、絶縁体１０ｄを挟むコンデンサを形成する。従って、電波ノイズは、端子金具４０ｄから、絶縁体１０ｄを介して、接地電極３０と同電位である主体金具５０へ流れ得る。この結果、電波ノイズの抑制の効果が低減し得る。ここで、突出距離Ｌｄが大きい場合には、端子金具４０ｄと主体金具５０との間の距離が大きくなるので、コンデンサの容量が小さくなる。コンデンサの容量が小さい場合には、コンデンサのインピーダンスの大きさ（絶対値）が大きい。従って、端子金具４０ｄと主体金具５０との間の距離が小さい場合と比べて、電波ノイズを抑制できる。

Ｅ−２．製造方法：
磁性体構造物２００ｄを有するスパークプラグ１００ｄは、第１実施形態で説明した製造方法と同じ手順で製造可能である。絶縁体１０ｄの貫通孔１２ｄ内の部材については、以下の通りである。導電性シール部６０ｄ、７５ｄ、８０ｄのそれぞれの材料粉末と、抵抗体７０ｄの材料粉末と、磁性体構造物２００ｄの材料粉末と、を準備する。導電性シール部６０ｄ、７５ｄ、８０ｄと抵抗体７０ｄとのそれぞれの材料粉末としては、第１実施形態で説明した導電性シール部６０、７５、８０と抵抗体７０とのそれぞれの材料粉末と同じものを採用可能である。磁性体構造物２００ｄの材料粉末は、例えば、以下のように準備される。磁性体の粉末に、無電解メッキによって、磁性体の粒子の表面を覆う導電性物質の被覆層を形成する。被覆層で覆われた磁性体の粉末と、セラミックの粉末とを、混合することによって、磁性体構造物２００ｄの材料粉末を準備する。また、メッキに代えて、磁性体の粉末の表面にバインダを塗布し、導電性物質の粒子を磁性体の粒子の表面に付着させることによって、被覆層を形成してもよい。そして、被覆層に覆われた磁性体の粉末と、セラミックの粉末とを、混合することによって、磁性体構造物２００ｄの材料粉末を準備してもよい。

次に、第１実施形態の製造方法と同様に、貫通孔１２ｄ内の縮内径部１６によって支持される所定位置に、中心電極２０を配置する。そして、第１導電性シール部６０ｄ、抵抗体７０ｄ、第２導電性シール部７５ｄ、磁性体構造物２００ｄ、第３導電性シール部８０ｄのそれそれの材料粉末の貫通孔１２ｄへの投入と投入された粉末材料の成形とが、部材６０ｄ、７０ｄ、７５ｄ、２００ｄ、８０ｄの順番に、行われる。粉末材料の投入は、貫通孔１２ｄの後開口１４から、行われる。投入された粉末材料の成形は、後開口１４から挿入した棒を用いて、行われる。材料粉末は、対応する部材の形状と略同じ形状に、成形される。

そして、絶縁体１０ｄを、各材料粉末に含まれるガラス成分の軟化点よりも高い所定温度まで加熱し、所定温度に加熱した状態で、貫通孔１２ｄの後開口１４から、端子金具４０ｄを貫通孔１２ｄに挿入する。この結果、各材料粉末が圧縮および焼結されて、導電性シール部６０ｄ、７５ｄ、８０ｄと、抵抗体７０ｄと、磁性体構造物２００ｄと、のそれぞれが形成される。

Ｆ．第４実施形態：
図７は、第４実施形態のスパークプラグ１００ｅの断面図である。図４のスパークプラグ１００ｄとの差異は、抵抗体７０ｄと第２導電性シール部７５ｄとが省略されている点である。第４実施形態のスパークプラグ１００ｅでは、中心電極２０と磁性体構造物２００ｄとは、第１導電性シール部６０ｅによって接続され、磁性体構造物２００ｄと端子金具４０ｅの脚部４３ｅとは、第２導電性シール部８０ｅによって接続されている。部材６０ｅ、２００ｄ、８０ｅの全体は、貫通孔１２ｄ内で中心電極２０と端子金具４０ｅとを接続する接続部３００ｅを形成している。図７では、磁性体構造物２００ｄの全体は、主体金具５０の後端５３ｅよりも先端方向Ｄ１側に配置されている。ただし、磁性体構造物２００ｄの少なくとも一部が、主体金具５０の後端５３ｅよりも後端方向Ｄ２側に配置されてもよい。第４実施形態のスパークプラグ１００ｅの他の部分の構成は、図４に示すスパークプラグ１００ｄの構成と、概ね同じである。図７では、第４実施形態のスパークプラグ１００ｅの他の部分については、図４のスパークプラグ１００ｄの対応する部分と同じ符号を付して、説明を省略する。

第４実施形態の磁性体構造物２００ｄは、図４で説明した磁性体構造物２００ｄと同じである。上述したように、磁性体構造物２００ｄ内では、電流の経路を形成する導電領域８２０が磁性領域８３０の近傍を通るので、磁性体構造物２００ｄは、電波ノイズを抑制できる。

なお、第４実施形態のスパークプラグ１００ｅは、図４で説明したスパークプラグ１００ｄの製造方法と同様の方法で、製造可能である。導電性シール部６０ｅ、８０ｅの材料粉末としては、図４の導電性シール部６０ｄ、８０ｄの材料粉末と同じものを採用可能である。

Ｇ．評価試験：
Ｇ−１．概要
図４のスパークプラグ１００ｄの複数種類のサンプルと、図７のスパークプラグ１００ｅの複数種類のサンプルと、を用いた評価試験について説明する。以下に示す表２、表３、表４は、各サンプルのそれぞれの構成と、評価試験の結果と、を示している。

この評価試験では、Ａ−１番からＡ−３０番と、Ｂ−１番からＢ−４番との３４種類のサンプルが評価された。表３のＡ−１８番からＡ−２８番の１１種類のサンプルは、図４のスパークプラグ１００ｄのサンプルであり、他の２３種類のサンプルは、図７のスパークプラグ１００ｅのサンプルである。スパークプラグ１００ｄ（図４：Ａ−１８番からＡ−２８番）の１１種類のサンプルの間では、磁性体構造物２００ｄの内部構成と、突出距離Ｌｄと、の少なくとも一方が互いに異なっている。スパークプラグ１００ｅ（図７）の２３種類のサンプルの間では、磁性体構造物２００ｄの内部構成が互いに異なっている。表２、表３、表４は、サンプルの番号と、磁性体構造物２００ｄの内部構成（ここでは、鉄含有酸化物の構成と、導電性物質の構成と、セラミックに含まれる元素と、気孔率）と、突出距離Ｌｄと、シール部７５ｄの有無と、抵抗体７０ｄの有無）と、耐久試験前後のノイズ試験の結果と、を示している。なお、磁性体構造物２００ｄの内部構成と、接続部３００ｄ、３００ｅの構成と、以外の部分の構成は、スパークプラグの３４種類のサンプルの間で、同じであった。例えば、磁性体構造物２００ｄの形状は、３４種類のサンプルの間で、おおよそ同じであった。磁性体構造物２００ｄの外径（すなわち、貫通孔１２ｄの磁性体構造物２００ｄを収容する部分の内径）は、３．９ｍｍであった。

鉄含有酸化物の構成としては、組成と、特定の磁性粒領域８３５の数（粒数）と、が示されている。鉄含有酸化物の組成は、磁性体構造物２００ｄの材料に含まれる鉄含有酸化物の材料から特定された。粒数にカウントされる特定の磁性粒領域８３５は、近似径Ｄｃ（図５）が４００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内の磁性粒領域８３５である。近似径Ｄｃは、以下のように算出された。サンプルの磁性体構造物２００ｄを、中心軸ＣＬを含む平面で切断し、磁性体構造物２００ｄの断面を、アルゴンイオン等のイオンビームで試料の断面を処理するクロスセクションポリッシャ（Cross Section Polisher）で処理した。そして、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、断面上の対象領域８００（図５）に対応する２．５ｍｍ×５．０ｍｍの領域を含む領域を撮影した。ＳＥＭの加速電圧は、１５．０ｋＶに設定され、作動距離（working distance）は、１０ｍｍ以上１２ｍｍ以下の範囲内に設定された。得られたＳＥＭ画像は、図５の中央上部の対象領域８００に示すような画像を表していた。ＳＥＭ画像は、画像解析ソフト（Ｓｏｆｔ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ ＧｍｂＨ社製のＡｎａｌｙｓｉｓ Ｆｉｖｅ）を用いて２値化された。２値化の閾値は、以下のように設定した。
（１）ＳＥＭ画像のうちの二次電子像及び反射電子像を確認し、反射電子像における濃色の境界（結晶粒界に相当する）にラインを引き、結晶粒界の位置を明確にした。
（２）反射電子像の画像を改善するために、結晶粒界のエッジを保ちながら反射電子像の画像を滑らかにした。
（３）反射電子像の画像から、横軸に明るさ、縦軸に頻度をとったグラフを作成した。得られるグラフは二山状のグラフになる。この二つの山の中間点の明るさを２値化の閾値に設定した。

このような２値化によって、磁性領域８３０と導電領域８２０（すなわち、磁性粒領域８３５と被覆領域８２５）が分離された。２値化された画像を用いて複数の磁性粒領域８３５のそれぞれの面積を算出した。算出された面積を用いて、複数の磁性粒領域８３５のそれぞれの近似径Ｄｃが算出された。そして、近似径Ｄｃが４００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内の磁性粒領域８３５の個数をカウントした（以下、「特定粒数」とも呼ぶ）。なお、１つの磁性粒領域８３５の一部分が対象領域８００の外にはみ出ている場合、その磁性粒領域８３５は対象領域８００内の磁性粒領域８３５であることとして、特定の磁性粒領域８３５の数をカウントした。また、特定粒数が小さいサンプルでは、上記の範囲よりも小さい近似径Ｄｃを有する磁性粒領域８３５の数が多かった。すなわち、特定粒数が大きいサンプルでは、特定粒数が小さいサンプルと比べて、大きな近似径Ｄｃを有する磁性粒領域８３５の割合、すなわち、４００μｍ以上１５００μｍ以下の近似径Ｄｃを有する磁性粒領域８３５の割合が高かった。

導電性物質の構成としては、被覆率と最小厚さＴとが示されている。被覆率は、磁性粒領域８３５の縁の全長（１周の長さ）対する、被覆領域８２５によって被覆されている部分の長さの割合である。被覆率は、上記の２値化された画像を解析することによって、算出された。表中の被覆率は、対象領域８００内の複数の磁性粒領域８３５の被覆率の平均値である。磁性粒領域８３５の一部が対象領域８００の外にはみ出ている場合、その磁性粒領域８３５は対象領域８００内の磁性粒領域８３５であることとして、被覆率を算出した。なお、導電性物質としては、金属（具体的には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ）、ペロブスカイト型酸化物（具体的には、ＬａＭｎＯ_３、ＹＭｎＯ_３）、炭素（具体的には、カーボンブラック）、炭素化合物（具体的には、ＴｉＣ）から選択された材料が採用された。本評価試験では、導電性物質の違いがノイズ抑制能力と耐久性とに与える影響は、小さいと推定される。

最小厚さＴは、上記の２値化された画像を用いて、算出された。なお、被覆率が１００％よりも小さい場合には、被覆領域８２５は、磁性粒領域８３５の縁の一部分のみを被覆する。図５の右上部には、磁性粒領域８３５の縁の一部分を被覆する被覆領域８２５の例が示されている。図示するように、被覆領域８２５は、磁性粒領域８３５の縁上の第１端Ｅ１から第２端Ｅ２までの部分を被覆している。このような被覆領域８２５の厚さは、端Ｅ１、Ｅ２の近傍で局所的に小さくなり得る。そこで、被覆領域８２５のうち、端Ｅ１、Ｅ２からの直線距離が所定値（ここでは、５０μｍ）以下である端部ＥＰ１、ＥＰ２を除いた残りの部分を用いて、最小厚さＴを算出した（図中では、端部ＥＰ１、ＥＰ２に、ハッチングが付されている）。

セラミックに含まれる元素は、セラミック材料（本評価試験では、非晶質のガラスの材料）に含まれる元素から、特定された。表中には、酸素以外の他の元素が示されている。例えば、「ＳｉＯ_２」がセラミック材料として用いられる場合、酸素（Ｏ）の表記が省略されて「Ｓｉ」が示されている。また、セラミック材料には、種々の添加成分が追加され得る。表中には、このような添加成分の元素も示されている（例えば、Ｃａ、Ｎａ）。なお、セラミックに含まれる元素は、セラミック領域８１０のＥＰＭＡ分析によって特定することもできる。

気孔率は、対象領域８００から磁性領域８３０を除いた残りの領域における気孔８１２（図５）の面積割合である。気孔率は、以下のように算出された。上記のＳＥＭ画像を、上述の方法と同様の方法で２値化した。ここで、２値化の閾値は、気孔８１２と他の領域とを分離できるように、調整された。このような２値化によって、気孔８１２と他の領域とが分離された。この２値化の結果を用いて、気孔８１２の面積を算出した（「第１面積」と呼ぶ）。そして、この２値化の結果と、上記の２値化によって特定された磁性領域８３０と、を用いて、対象領域８００から磁性領域８３０を除いた残りの領域の面積を算出した（「第２面積」と呼ぶ）。気孔率は、第１面積／第２面積である。

突出距離Ｌｄは、図６で説明した突出距離Ｌｄである。表中では、磁性体構造物２００ｄの全体が主体金具５０の後端５３ｅよりも先端方向Ｄ１側に配置されているサンプルに関しては、突出距離Ｌｄの記載を省略した。

シール部７５ｄの有無に関しては、表中の「Ａ」は、サンプルがシール部７５ｄを有していることを示し、「Ｎ」は、サンプルがシール部７５ｄを有していないことを示している。抵抗体７０ｄに有無に関しても、同様に、「Ａ」は、サンプルが抵抗体７０ｄを有していることを示し、「Ｎ」は、サンプルが抵抗体７０ｄを有していないことを示している。
シール部７５ｄと抵抗体７０ｄとの両方が「Ａ」であるサンプルは、図４のスパークプラグ１００ｄのサンプルである。シール部７５ｄと抵抗体７０ｄとの両方が「Ｎ」であるサンプルは、図７のスパークプラグ１００ｅのサンプルである。

なお、磁性体構造物２００ｄの断面の画像を解析して得られる数値（例えば、特定の磁性粒領域８３５の個数と、平均被覆率と、最小厚さＴと、気孔率）としては、１０枚の断面の画像から得られる１０個の値の平均値を採用した。１つの種類のサンプルの１０枚の断面の画像は、同じ条件下で製造された同じ種類の１０個のサンプルの１０個の断面を用いて、撮影された。

ノイズ試験では、ＪＡＳＯ Ｄ００２−２（日本自動車技術会伝送規格Ｄ−００２−２）の「自動車−電波雑音特性−第２部：防止器の測定方法 電流法」に従って、ノイズの強度が測定された。具体的には、スパークプラグのサンプルのギャップｇの距離を０．９ｍｍ±０．０１ｍｍに調整し、１３ｋＶから１６ｋＶの範囲内の電圧をサンプルに印加して放電させた。そして、放電時に、電流プローブを用いて端子金具４０ｄ、４０ｅを流れる電流を測定し、測定された値を、比較のためにｄＢに換算した。ノイズとしては、３０ＭＨｚ、１００ＭＨｚ、２００ＭＨｚの３種類の周波数のノイズが測定された。表中の数値は、所定の基準に対するノイズの強度を示している。数値が大きいほど、ノイズが強い。「耐久前」は、後述する耐久試験を行う前のノイズ試験の結果を示し、「耐久後」は、耐久試験を行った後のノイズ試験の結果を示している。耐久試験は、摂氏２００度の環境下で、２０ｋＶの放電電圧で、スパークプラグのサンプルに４００時間放電させる試験である。このような耐久試験によって磁性体構造物２００ｄの劣化が進行し得る。磁性体構造物２００ｄの劣化が進行することによって、「耐久後」ノイズが、「耐久前」のノイズよりも強くなり得る。

なお、表２から表４に示すように、耐久前と耐久後のいずれにおいても、周波数が高いほどノイズ強度は小さかった。

Ｇ−２．導電性物質の平均被覆率について：
Ａ−１番からＡ−６番では、導電性物質の平均被覆率は、５０％以上、１００％以下の範囲内であった。このようなＡ−１番からＡ−６番は、耐久前には、全ての周波数において６６ｄＢ以下という十分に小さいノイズ強度を実現できた。また、耐久後であっても、全ての周波数においてノイズ強度は７７ｄＢ以下であり、ノイズの増大を抑制できた。すなわち、磁性体構造物２００ｄの良好な耐久性を実現できた。また、耐久試験によるノイズ強度の増大量は、全ての周波数において、８ｄＢ以上、１３ｄＢ以下の範囲内であった。

表４のＢ−１番の平均被覆率は、Ａ−１番からＡ−６番の平均被覆率よりも小さい４９％であった。耐久前と耐久後のそれぞれにおいて、Ｂ−１番のノイズ強度は、Ａ−１番からＡ−６番の任意のサンプルの同じ周波数のノイズ強度よりも、大きかった。また、Ｂ−１番では、耐久試験によるノイズ強度の増大量は、２１ｄＢ （３０ＭＨｚ）、２４ｄＢ（１００ＭＨｚ）、２２ｄＢ（２００ＭＨｚ）であった。Ａ−１番からＡ−６番の増大量（８ｄＢ以上、１３ｄＢ以下）は、Ｂ−１番の同じ周波数での増大量（２１ｄＢ以上、２４ｄＢ以下）と比べて、８ｄＢ以上改善された。

表４のＢ−２番の平均被覆率は、Ｂ−１番の平均被覆率よりも更に小さい４２％であった。耐久前と耐久後のそれぞれにおいて、Ｂ−２番のノイズ強度は、Ａ−１番からＡ−６番の任意のサンプルの同じ周波数のノイズ強度よりも、大きかった。また、Ｂ−２番では、耐久試験によるノイズ強度の増大量は、２４ｄＢ （３０ＭＨｚ）、２３ｄＢ（１００ＭＨｚ）、２２ｄＢ（２００ＭＨｚ）であった。Ａ−１番からＡ−６番の増大量（８ｄＢ以上、１３ｄＢ以下）は、Ｂ−２番の同じ周波数での増大量（２２ｄＢ以上、２４ｄＢ以下）と比べて、１１ｄＢ以上改善された。

このように、比較的大きい平均被覆率を有するＡ−１番からＡ−６番は、比較的小さい平均被覆率を有するＢ−１番、Ｂ−２番と比べて、良好な耐久性を実現できた。この理由は、平均被覆率が大きい場合には、平均被覆率が小さい場合と比べて、導電領域８２０（図５）によって形成される電流の経路が太くなり、また、導電領域８２０によって形成される電流の経路が多くなるからだと推定される。

ノイズを抑制し、そして、良好な耐久性を実現したＡ−１番からＡ−６番の導電性物質の平均被覆率は、小さい順に、５０、５５、６９、７２、９４、１００（％）であった。対象領域８００内の複数の磁性粒領域８３５のそれぞれの平均被覆率の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）を、上記の６個の値を用いて定めることが可能である。具体的には、上記の６個の値のうちの任意の値を、平均被覆率の好ましい範囲の下限として採用可能である。また、これらの値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、対象領域８００内の複数の磁性粒領域８３５の被覆率の平均値の好ましい範囲として、５０％以上、１００％以下の範囲を採用可能である。

一般的に、被覆率が５０％以上である場合には、粒領域８３５の特定方向側の表面と反対方向側の表面との双方が被覆領域８２５によって被覆されている可能性が高い。従って、１つの被覆領域８２５が他の複数の被覆領域８２５と接している可能性が高い。従って、磁性体構造物２００ｄ内に局所的に電気抵抗が高い高抵抗部分が形成されることを、抑制できる。高抵抗部分では、低抵抗部分よりも、電流による発熱が大きい。このような発熱によって、磁性体構造物２００ｄが劣化し得る。対象領域８００内の複数の磁性粒領域８３５の被覆率の平均値が５０％以上である場合には、高抵抗部分の形成が抑制されるので、磁性体構造物２００ｄの耐久性を向上できる。

なお、対象領域８００内の複数の磁性粒領域８３５が、上記の好ましい範囲の外の平均被覆率を有する磁性粒領域８３５を含んでも良い。この場合も、スパークプラグは、磁性体構造物２００ｄが省略される場合と比べて、ノイズを抑制できると推定される。

平均被覆率を調整する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、導電性物質の無電解メッキのメッキ時間を長くすることによって、平均被覆率を増大できる。また、導電性物質の材料の量を増大することによって、平均被覆率を増大できる。なお、本評価試験の３４種類のサンプルでは、以下のように平均被覆率が調整された。全表面が導電性物質で被覆された磁性粒子の材料粉末を準備した。そして、１００％未満の平均被覆率を実現するために、導電性物質で被覆済の磁性粒子の材料粉末をかき回すことによって、導電性物質の一部を磁性粒子から剥がした。

Ｇ−３．セラミックについて：
Ａ−１番からＡ−６番の磁性体構造物２００ｄのセラミックは、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含んでいた。表４のＢ−３番とＢ−４番の磁性体構造物２００ｄのセラミックは、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのいずれも含んでおらず、代わりに、Ｃａ、Ｍｇ、Ｋを含んでいた。なお、Ｂ−３番、Ｂ−４番の平均被覆率は、６８％、７５％であった。

耐久前には、Ａ−１番からＡ−６番のノイズ強度は、Ｂ−３番、Ｂ−４番のうち任意のサンプルの同じ周波数のノイズ強度と同じ、または、より小さかった。耐久後には、Ａ−１番からＡ−６番のノイズ強度は、Ｂ−３番、Ｂ−４番のうち任意のサンプルの同じ周波数のノイズ強度よりも、小さかった。このように、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含むセラミックを有するＡ−１番からＡ−６番は、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのいずれも含まないセラミックを有するＢ−３番、Ｂ−４番と比べて、ノイズを抑制できた。

また、Ｂ−３番、Ｂ−４番の耐久試験によるノイズの増大量は、２１ｄＢ以上、２６ｄＢ以下であった。Ａ−１番からＡ−６番の増大量（８ｄＢ以上、１３ｄＢ以下）は、Ｂ−３番、Ｂ−４番の同じ周波数での増大量と比べて、８ｄＢ以上改善された。

このように、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含むセラミックを採用することによって、良好なノイズ抑制能力と耐久性とを実現できた。この理由は、以下のように推定される。Ｓｉ、Ｂ、Ｐのいずれも含まないセラミックは、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含むセラミック（例えば、ガラス）と比べて、放電時の電流によって生じる熱によって鉄含有酸化物と反応し易い。従って、耐久試験によって、セラミックと鉄含有酸化物との反応による新たな相が形成され得る。これにより、気孔８１２の数が増加し、そして、気孔８１２の径が増大する。一方、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含むセラミックは、ガラスの一種である。このようなセラミックを用いる場合、Ｓｉ、Ｂ、Ｐと鉄含有酸化物との反応は、抑制される。従って、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのいずれも含まないセラミックを用いる場合と比べて、気孔８１２の数の増加と気孔８１２の径の増大とが、抑制される。これにより、気孔８１２での部分放電を抑制できる。

Ｇ−４．平均被覆率と磁性体構造物２００ｄの材料について：
ノイズを抑制し、そして、良好な耐久性を実現したＡ−１番からＡ−６番のサンプルでは、以下の材料が用いられた。磁性体構造物２００ｄの磁性領域８３０を形成する磁性体は、酸化鉄であるＦｅ_２Ｏ_３、Ｆｅ_３Ｏ_４、ＦｅＯと、スピネルフェライトである（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｆｅ_２Ｏ_４と、六方晶フェライトであるＢａＦｅ_１２Ｏ_１９、ＳｒＦｅ_１２Ｏ_１９と、から選択された材料が用いられた。磁性体構造物２００ｄのセラミックは、珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含んでいた。

一般的には、第１材料と同じ種類の第２材料は、第１材料と同様の特性を有する場合が多い。従って、磁性体構造物２００ｄの上記の材料に代えて同じ種類の他の材料を用いる場合にも、導電性物質の平均被覆率の上記の好ましい範囲を適用可能と推定される。例えば、磁性体構造物２００ｄが以下の構成Ｚ１〜構成Ｚ３を有する場合に、平均被覆率の好ましい範囲を適用可能と推定される。
［構成Ｚ１］磁性体構造物２００ｄは、導電体としての、導電性物質を含む。
［構成Ｚ２］磁性体構造物２００ｄは、磁性体としての、鉄含有酸化物を含む。
［構成Ｚ３］磁性体構造物２００ｄは、珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックを含む。

Ｇ−５．気孔率について：
表２のＡ−１番からＡ−６番の気孔率は、４．３％以上、５％以下の範囲内であった。そして、Ａ−１番からＡ−６番は、上述したように、ノイズを抑制でき、そして、良好な耐久性を実現できた。表３のＡ−２９番、Ａ−３０番の気孔率は、Ａ−１番からＡ−６番の気孔率と比べて大きく、６．６、７．２（％）であった。なお、Ａ−２９番、Ａ−３０番の他の構成については、以下の通りであった。すなわち、平均被覆率は、５６、６２（％）であった。そして、磁性体構造物２００ｄのセラミックは、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含んでいた。

耐久前と耐久後とのそれぞれにおいて、Ａ−１番からＡ−６番のノイズ強度は、Ａ−２９番、Ａ−３０番のうち任意のサンプルの同じ周波数のノイズ強度よりも、小さかった。このように、比較的小さい気孔率を有するＡ−１番からＡ−６番は、比較的大きい気孔率を有するＡ−２９番、Ａ−３０番と比べて、ノイズを抑制できた。この理由は、気孔率が小さい場合には、気孔率が大きい場合と比べて、気孔８１２（図５）内での部分放電が抑制されるからだと推定される。

ノイズ抑制の能力が比較的良好であったＡ−１番からＡ−６番の気孔率は、小さい順に、４．３、４．６、４．８、５（％）であった。これら４個の値のうちの任意の値を、気孔率の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）の上限として採用可能である。また、これらの値のうちの上限以下の任意の値を、下限として採用可能である。例えば、気孔率として、４．３％以上、５％以下の値を採用可能である。なお、ノイズ抑制の能力と耐久性とは、気孔率が小さいほど良いと推定される。従って、気孔率の下限としては、ゼロ％を採用してもよい。例えば、気孔率の好ましい範囲として、ゼロ％以上５％以下の範囲を採用可能である。

なお、Ａ−１番からＡ−６番のノイズ抑制の能力は、一般的なスパークプラグ（例えば、磁性体構造物２００ｄが省略されたスパークプラグ）の能力と比べて、良好である。従って、気孔率が更に大きい場合であっても、実用可能なノイズ抑制の能力を実現可能と推定される。従って、気孔率の上限としては、更に大きい値（例えば、１０％）を採用可能と推定される。例えば、Ａ−２９番とＡ−３０番とのいずれかの構成を採用してもよい。

気孔率を調整する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、磁性体構造物２００ｄの焼成温度（例えば、貫通孔１２ｄ内に接続部３００ｄ、３００ｅの材料を収容する絶縁体１０ｄの加熱温度）を高くすることによって、磁性体構造物２００ｄのセラミック材料が溶融し易くなり、そして、気孔率を小さくできる。また、端子金具４０ｄ、４０ｅを貫通孔１２ｄ内に挿入する場合の端子金具４０ｄ、４０ｅに印加される力を強くすることによって、気孔８１２を潰すことができ、そして、気孔率を小さくできる。また、磁性体構造物２００ｄのセラミック材料の粒径を小さくすることによって、気孔率を小さくできる。

Ｇ−６．特定の磁性粒領域８３５の個数（特定粒数）について：
表２のＡ−１番からＡ−６番では、特定粒数、すなわち、近似径Ｄｃが４００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内である磁性粒領域８３５の総数は、３個以上、５個以下であった。Ａ−７番からＡ−１１番の特定粒数は、Ａ−１番からＡ−６番の特定粒数よりも多く、６個以上８個以下の範囲内であった。なお、Ａ−７番からＡ−１１番の他の構成については、以下の通りであった。すなわち、平均被覆率は、５６％以上、７４％以下であった。気孔率は、４％以上、４．３％以下であった。そして、磁性体構造物２００ｄのセラミックは、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含んでいた。

耐久前と耐久後とのそれぞれにおいて、Ａ−７番からＡ−１１番のノイズ強度は、Ａ−１番からＡ−６番の任意のサンプルの同じ周波数のノイズ強度よりも、小さかった。このように、特定粒数（すなわち、比較的大きい近似径Ｄｃを有する磁性粒領域８３５の数）が大きい場合には、特定粒数が小さい場合と比べて、ノイズを抑制できた。この理由は、以下のように推定される。特定粒数が大きいことは、導電領域８２０（すなわち、電流の経路）の近傍に大きな磁性体が配置されていることを示している。電流の経路（導電領域８２０）の近傍に大きな磁性体が配置されている場合には、電流の経路の近傍の磁性体が小さい場合と比べて、ノイズを抑制できる。

また、Ａ−７番からＡ−１１番の耐久試験によるノイズの増大量は、全ての周波数で、８ｄＢであった。Ａ−１番からＡ−６番の増大量は、８ｄＢ以上、１３ｄＢ以下の範囲内であり、Ａ−７番からＡ−１１番の増大量よりも大きかった。このように、特定粒数が大きい場合には、特定粒数が小さい場合と比べて、磁性体構造物２００ｄの耐久性を向上できた。この理由は、以下のように推定される。特定粒数が大きいことは、磁性粒領域８３５の近似径Ｄｃが大きいことを示している。近似径Ｄｃが大きいことは、被覆領域８２５、ひいては、電流の経路が太いことを示している。電流の経路が太い場合には、電流の経路が細い場合と比べて、電流経路、ひいては、磁性体構造物２００ｄの耐久性を向上できる。

このように、Ａ−１番からＡ−６番に加えて、Ａ−７番からＡ−１１番も、良好なノイズ抑制能力と耐久性とを実現した。Ａ−１番からＡ−１１番の特定粒数は、小さい順に、３、４、５、６、７、８であった。これら６個の値のうちの任意の値を、特定粒数の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）の下限として採用可能である。例えば、特定粒数として、３個以上の値を採用可能である。また、これら６個の値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、特定粒数として、８個以下の値を採用可能である。

また、更に良好なノイズ抑制能力と耐久性とを実現したＡ−７番からＡ−１１番の特定粒数は、小さい順に、６、７、８であった。従って、特定粒数の好ましい範囲の下限を、これら３個の値から任意に選択することが好ましい。例えば、特定粒数として、６個以上の値を採用してもよい。

なお、ノイズ抑制能力と耐久性とは、特定粒数が大きいほど良いと推定される。従って、特定粒数の上限としては、更に大きい値（例えば、２０個）を採用可能と推定される。また、後述するように、Ａ−１２番からＡ−２８番のサンプルは、更に良好なノイズ抑制能力と耐久性とを実現した。そして、Ａ−１番からＡ−２８番の特定粒数は、小さい順に、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１であった。これら９個の値のうちの任意の値を、特定粒数の好ましい範囲の下限として採用可能である。また、これら９個の値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、特定粒数として、１１個以下の値を採用してもよい。

なお、特定粒数を調整する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、鉄含有酸化物の材料粉末の粒径を大きくすることによって、特定粒数を大きくできる。なお、特定粒数が、上記の好ましい範囲外であってもよい。

Ｇ−７．導電性物質の最小厚さＴについて：
表２のＡ−１番からＡ−６番の最小厚さＴは、１μｍ未満、または、２８μｍ以上であった。また、表３のＡ−１２番からＡ−１７番の最小厚さＴは、１μｍ以上、２５μｍ以下であった。なお、Ａ−１２番からＡ−１７番の他の構成については、以下の通りであった。すなわち、平均被覆率は、５８％以上、６９％以下であった。気孔率は、３．６％以上、４％以下であった。特定粒数は、６個以上、９個以下であった。そして、磁性体構造物２００ｄのセラミックは、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含んでいた。

耐久前と耐久後とのそれぞれにおいて、Ａ−１２番からＡ−１７番のノイズ強度は、Ａ−１番からＡ−６番の任意のサンプルの同じ周波数のノイズ強度よりも、小さかった。この理由は、以下のように推定される。最小厚さＴが１μｍよりも小さい場合、導電領域８２０が薄いので、耐久前であっても、種々の原因（例えば、製造時の加熱や試験放電による電流）によって、電流の経路が損傷を受け得る。これにより、最小厚さＴが大きい場合と比べて、ノイズが強くなり得る。また、最小厚さＴが２８μｍ以上である場合には、導電領域８２０が厚いので、電流が磁性粒領域８３５から遠い位置を流れ得る。従って、最小厚さＴが小さい場合と比べて、ノイズが強くなり得る。

また、Ａ−１２番からＡ−１７番の耐久試験によるノイズ強度の増大量は、４ｄＢ以上、６ｄＢ以下の範囲内であった。Ａ−１２番からＡ−１７番の増大量（４ｄＢ以上、６ｄＢ以下）は、１μｍよりも小さい最小厚さＴを有するＡ−１番からＡ−３番の同じ周波数での増大量（８ｄＢ以上、１３ｄＢ以下）と比べて、３ｄＢ以上改善された。この理由は、以下のように推定される。最小厚さＴが１μｍよりも小さい場合には、電流の経路が損傷を受け易い。従って、最小厚さＴが大きい場合と比べて、耐久性が低くなり得る。

良好なノイズ抑制能力と耐久性とを実現したＡ−１２番からＡ−１７番の最小厚さＴは、小さい順に、１、１１、１６、１９、２２、２５（μｍ）であった。これらの６個の値のうちの任意の値を、最小厚さＴの好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）の上限として採用可能である。また、これらの値のうちの上限以下の任意の値を、下限として採用可能である。例えば、最小厚さＴとして、１μｍ以上、２５μｍ以下の値を採用可能である。ただし、Ａ−１番からＡ−６番のように、最小厚さＴが、好ましい範囲の外であってもよい。

なお、最小厚さＴを調整する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、無電解メッキによって導電領域８２０を形成する場合には、メッキ時間を長くすることによって、最小厚さＴを増大できる。また、導電性物質の材料粉末を用いる場合には、導電性物質の粒子の粒径を大きくすることによって、最小厚さＴを増大できる。

Ｇ−８．突出距離Ｌｄについて：
表３のＡ−１８番からＡ−２８番は、他のサンプルとは異なり、図４のスパークプラグ１００ｄのサンプルであり、突出距離Ｌｄ（図６）がゼロよりも大きかった。具体的には、Ａ−１８番からＡ−２３番の突出距離Ｌｄは、１０ｍｍであった。また、Ａ−２４番からＡ−２８番の突出距離Ｌｄは、サンプル番号の順に、１、３、５、７、９（ｍｍ）であった。なお、Ａ−１８番からＡ−２８番の他の構成については、以下の通りであった。すなわち、平均被覆率は、６９％以上、９５％以下であった。気孔率は、３．３％以上、３．９％以下であった。特定粒数は、８個以上、１１個以下であった。最小厚さＴは、３μｍ以上、１３μｍ以下であった。そして、磁性体構造物２００ｄのセラミックは、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうちの少なくとも１つを含んでいた。

耐久前と耐久後とのそれぞれにおいて、Ａ−１８番からＡ−２８番のノイズ強度は、Ａ−１番からＡ−１７番の任意のサンプルの同じ周波数のノイズ強度よりも、小さかった。この理由は、図６で説明したように、突出距離Ｌｄが大きい場合には、端子金具４０ｄと主体金具５０とによって形成されるコンデンサの容量が小さくなるので、電波ノイズが端子金具４０ｄから絶縁体１０ｄを介して主体金具５０へ流れることが抑制されるからである。

良好なノイズ抑制能力を実現したＡ−１８番からＡ−２８番の突出距離Ｌｄは、小さい順に、１、３、５、７、９、１０（ｍｍ）であった。これらの６個の値のうちの任意の値を、突出距離Ｌｄの好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）の上限として採用可能である。また、これらの値のうちの上限以下の任意の値を、下限として採用可能である。例えば、突出距離Ｌｄとして、１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の値を採用可能である。なお、ノイズ抑制の能力は、突出距離Ｌｄが大きいほど良いと推定される。従って、突出距離Ｌｄがゼロよりも大きい場合、すなわち、磁性体構造物２００ｄの後端２００ｄｅが、主体金具５０の後端５３ｅよりも後端方向Ｄ２側に位置している場合には、磁性体構造物２００ｄの全体が、主体金具５０の後端５３ｅよりも先端方向Ｄ１側に配置されている場合と比べて、ノイズを抑制できると推定される。また、突出距離Ｌｄの上限としては、更に大きい値（例えば、２０ｍｍ）を採用可能と推定される。また、突出距離Ｌｄの好ましい範囲に関する上記の説明は、抵抗体７０、７０ｄを有するスパークプラグ１００、１００ｂ、１００ｄにも適用可能と推定される。但し、Ａ−１番からＡ−１７番のように、磁性体構造物２００ｄの全体が、主体金具５０の後端５３ｅよりも先端方向Ｄ１側に配置されてもよい。

Ｇ−９．鉄含有酸化物について：
磁性領域８３０を形成する鉄含有酸化物としては、表２から表４の鉄含有酸化物、例えば、ＦｅＯと、Ｆｅ_２Ｏ_３と、Ｆｅ_３Ｏ_４と、Ｎｉと、Ｍｎと、Ｃｕと、Ｓｒと、Ｂａと、Ｚｎと、Ｙと、のうちの少なくとも１つを含む鉄含有酸化物を採用可能である。また、電波ノイズを抑制可能な鉄含有酸化物としては、表２から表４のサンプルに含まれる鉄含有酸化物に限らず、他の種々の鉄含有酸化物（例えば、種々のフェライト）を採用可能と推定される。また、磁性領域８３０が、複数種類の鉄含有酸化物で形成されてもよい。

以上、抵抗体７０ｄを有するスパークプラグ１００ｄ（図４）のサンプルと、抵抗体７０ｄを有さないスパークプラグ１００ｅ（図７）のサンプルとを用いて、スパークプラグの構成（例えば、磁性体構造物２００ｄの構成）について検討した。ここで、抵抗体７０ｄが省略される場合には、磁性体構造物２００ｄが、抵抗体７０ｄの代わりに、電流を抑制する抵抗体として機能し得る。従って、抵抗体７０ｄを有するスパークプラグ１００ｄ（図４）のサンプルの評価結果から導かれた好ましい構成を、抵抗体７０ｄを有さないスパークプラグ１００ｅ（図７）に適用可能と推定される。例えば、突出距離Ｌｄの好ましい範囲を、図７のスパークプラグ１００ｅに適用してもよい。また、抵抗体７０ｄを有さないスパークプラグ１００ｅ（図７）のサンプルの評価結果から導かれた好ましい構成を、抵抗体７０ｄを有するスパークプラグ１００ｄ（図４）に適用可能と推定される。例えば、平均被覆率の好ましい範囲と、気孔率の好ましい範囲と、特定粒数の好ましい範囲と、最小厚さＴの好ましい範囲と、セラミック領域８１０と導電領域８２０と磁性領域８３０とのそれぞれの好ましい材料とを、図４のスパークプラグ１００ｄに適用してもよい。

Ｅ．変形例
（１）磁性体２１０、２１０ｂの材料としては、ＭｎＺｎフェライトに限らず、種々の磁性材料を採用可能である。例えば、種々の強磁性材料を採用可能である。ここで、強磁性材料は、自発磁化を形成している材料である。強磁性材料としては、例えば、フェライト（スピネル型を含む）などの酸化鉄を含む材料や、アルニコ（Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ）などの鉄合金などの、種々の材料を採用可能である。このような強磁性材料を採用すれば、電波ノイズを適切に抑制できる。また、強磁性材料に限らず、常磁性材料を採用してもよい。この場合も、電波ノイズを抑制できる。

（２）磁性体構造物の構成としては、図１、図２に示す構成に限らず、磁性体と導電体とを有する種々の構成を採用可能である。例えば、コイル状の導電体が、磁性体の内部に、埋設されてもよい。一般には、磁性体構造物の先端方向Ｄ１側の端と後端方向Ｄ２側の端とを結ぶ導電経路上において、導電体が磁性体の少なくとも一部と並列に接続されているような構成を採用することが好ましい。このような構成を採用すれば、磁性体によって電波ノイズを抑制できる。さらに、導電体によって磁性体構造物の両端抵抗値を低減できるので、磁性体構造物の温度が高くなることを抑制できる。この結果、磁性体構造物の損傷を抑制できる。

また、磁性体構造物の構成としては、図４、図５で説明したように、導電体としての導電性物質と、磁性体と、セラミックと、が混合された部材を採用してもよい。ここで、導電性物質は、複数種類の導電性物質を含んでもよい（例えば、金属とペロブスカイト型酸化物との両方）。また、磁性体は、複数種類の鉄含有酸化物を含んでも良い（例えば、Ｆｅ_２Ｏ_３と六方晶フェライトであるＢａＦｅ_１２Ｏ_１９との両方）。また、セラミックは、複数種類の成分を含んでもよい（例えば、ＳｉＯ_２とＢ_２Ｏ_３との両方）。いずれの場合も、導電性物質と、磁性体としての鉄含有酸化物と、セラミックと、の組合せとしては、表２、表３のサンプルの組合せに限らず、他の種々の組合せを採用可能である。いずれの場合も、導電性物質の組成と鉄含有酸化物の組成とは、種々の方法で特定可能である。例えば、微小Ｘ線回折法で組成を特定してもよい。

（３）磁性体構造物２００ｄに含まれるセラミックは、導電性物質と磁性体（ここでは、鉄含有酸化物）とを支持している。このように導電性物質と磁性体とを支持するセラミックとしては、種々のセラミックを採用可能である。例えば、非晶質のセラミックを採用してもよい。非晶質のセラミックとしては、例えば、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５から任意に選択された１以上の成分を含むガラスを採用可能である。これに代えて、結晶性のセラミックを採用してもよい。結晶性のセラミックとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系ガラスなどの結晶化ガラス（ガラスセラミックとも呼ばれる）を採用してもよい。いずれの場合も、表２、表３のＡ−１番からＡ−３０番のように、珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックを採用することによって、適切なノイズ抑制の能力と適切な耐久性とを実現できると推定される。

（４）磁性体構造物２００ｄの導電領域８２０を形成する導電性物質としては、種々の導電性物質を採用可能と推定される。磁性体構造物２００ｄの良好な耐久性を実現するためには、良好な耐酸化性を有する導電性物質を採用することが好ましい。また、電気抵抗率が５０Ω・ｍ以下の導電性物質を採用すれば、大電流が流れた場合の発熱による劣化を抑制できる。例えば、導電領域８２０の材料としては、金属と、炭素と、炭素化合物と、ペロブスカイト型酸化物と、のうちの少なくとも１つを含む材料を採用してもよい。金属としては、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、インコネル、センダスト、パーマロイから任意に選択された１以上の金属を採用可能である。炭素化合物としては、例えば、Ｃｒ_３Ｃ_２、ＴｉＣから任意に選択された１以上の化合物を採用可能である。

ペロブスカイト型酸化物については、以下の通りである。ペロブスカイト型酸化物は、一般式ＡＢＯ_３で表される。先頭の元素Ａ（例えば、ＬａＭｎＯ_３の「Ｌａ」）は、Ａサイトの元素を示し、続く元素Ｂ（例えば、ＬａＭｎＯ_３の「Ｍｎ」）は、Ｂサイトの元素を示している。結晶構造が歪みの無い立方晶である場合には、Ｂサイトは、６配位のサイトであり、酸素によって構成される８面体に囲まれており、Ａサイトは、１２配位のサイトである。このようなペロブスカイト型酸化物としては、例えば、ＬａＭｎＯ_３、ＬａＣｒＯ_３、ＬａＣｏＯ_３、ＬａＦｅＯ_３、ＮｄＭｎＯ_３、ＰｒＭｎＯ_３、ＹｂＭｎＯ_３、ＹＭｎＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＳｒＣｒＯ_３の１０個の酸化物から任意に選択された１以上の酸化物を採用可能である。これらの酸化物は、電気抵抗が小さく安定であるので、良好なノイズ抑制能力と耐久性とを実現可能である。

また、Ｂサイトの元素が異なる場合であっても、Ａサイトの元素が同じである複数種類のペロブスカイト型酸化物は、同程度のノイズ抑制の能力と同程度の耐久性とを実現可能であると推定される。例えば、上記の１０個のペロブスカイト型酸化物のＡサイトの元素は、Ｌａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｙｂ、Ｙ、Ｓｒから選択されている。磁性体構造物２００ｄの導電性物質が、ＡサイトがＬａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｙｂ、Ｙ、Ｓｒの少なくとも１つであるペロブスカイト型酸化物を含む場合には、ノイズを抑制でき、良好な耐久性を実現できると推定される。なお、ペロブスカイト型酸化物としては、Ａサイトの元素として複数種類の元素を有する酸化物を採用してもよい。また、導電性物質は、複数種類のペロブスカイト型酸化物を含んでもよい。

いずれの場合も、磁性体構造物２００ｄの導電領域８２０に含まれる元素は、ＥＰＭＡ分析によって特定可能である。

（５）図４、図５、図７で説明した磁性体構造物２００ｄの製造方法としては、絶縁体１０ｄの貫通孔１２ｄの内に磁性体構造物２００ｄの材料を配置して焼成する方法に代えて、他の任意の方法を採用可能である。例えば、成形型を用いて磁性体構造物２００ｄの材料を円柱状に成形し、成形体を焼成することによって円柱状の焼成済の磁性体構造物２００ｄを形成してもよい。そして、絶縁体１０ｄの貫通孔１２ｄ内に他の部材（例えば、図４の部材６０ｄ、７０ｄ、７５ｄ、８０ｄ、または、図７の部材６０ｅ、８０ｅ）の材料粉末を投入するときに、磁性体構造物２００ｄの材料粉末の代わりに、焼成済の磁性体構造物２００ｄを貫通孔１２ｄ内に挿入すればよい。そして、絶縁体１０ｄを加熱した状態で端子金具４０ｄ、４０ｅを後開口１４から貫通孔１２ｄに挿入することによって、接続部（例えば、図４の接続部３００ｄ、または、図７の接続部３００ｅ）を形成できる。

（６）磁性体構造物の構成としては、図１、図２、図４、図５、図７に示す構成に限らず、他の種々の構成を採用可能である。例えば、図４、図５で説明した磁性体構造物２００ｄの構成を、図１、図２の磁性体構造物２００、２００ｂに適用してもよい。例えば、図１、図２の磁性体２１０、２１０ｂとして、図４、図５で説明した磁性体構造物２００ｄと同じ構成の部材を採用してもよい。また、図６で説明したスパークプラグ１００ｄの構成を、図１、図２、図７のスパークプラグ１００、１００ｂ、１００ｅに適用してもよい。例えば、図１、図２、図７の磁性体構造物２００、２００ｂ、２００ｄの後端が、主体金具５０の後端よりも後端方向Ｄ２側に位置してもよい。ただし、磁性体構造物２００、２００ｂ、２００ｄの後端が、主体金具５０の後端よりも先端方向Ｄ１側に位置してもよい。また、図１、図２で説明したスパークプラグ１００、１００ｂの構成を、図４、図５、図７のスパークプラグ１００ｄ、１００ｅに適用してもよい。例えば、図４、図７の磁性体構造物２００ｄの外周面を、図１、図２の被覆部２９０、２９０ｂと同様の被覆部によって被覆してもよい。また、磁性体構造物２００ｄの両端抵抗値が、磁性体構造物２００、２００ｂの両端抵抗値の上記の好ましい範囲内となるように、磁性体構造物２００ｄを形成してもよい（例えば、ゼロΩ以上、３ｋΩ以下の範囲内、または、ゼロΩ以上、１ｋΩ以下の範囲内）。ただし、磁性体構造物２００ｄの両端抵抗値が、上記の好ましい範囲外であってもよい。また、抵抗体７０、７０ｄとシール部６０、６０ｄ、６０ｅ、７５、７５ｂ、７５ｄ、８０、８０ｂ、８０ｄ、８０ｅとの少なくとも１つは、結晶性のセラミックを含んでも良い。また、磁性体構造物２００ｄが抵抗体７０ｄよりも先端方向Ｄ１側に配置されてもよい。また、シール部６０、６０ｄ、６０ｅ、７５、７５ｂ、７５ｄ、８０、８０ｂ、８０ｄ、８０ｅの少なくとも１つが省略されてもよい。

（７）スパークプラグの構成としては、図１、図２、表１、図４から図７、表２から表４で説明した構成に限らず、種々の構成を採用可能である。例えば、中心電極２０のうちのギャップｇを形成する部分に、貴金属チップを設けても良い。また、接地電極３０のうちのギャップｇを形成する部分に、貴金属チップを設けてもよい。貴金属チップの材料としては、イリジウムや白金等の貴金属を含む合金を採用可能である。

また、上記の各実施形態では、接地電極３０の先端部３１が、中心電極２０の先端方向Ｄ１側を向く面である先端面２０ｓ１と対向して、ギャップｇを形成している。この代わりに、接地電極３０の先端部が、中心電極２０の外周面と対向して、ギャップを形成してもよい。

以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。

本開示は、内燃機関等に使用されるスパークプラグに、好適に利用できる。

５...ガスケット、６...第１後端側パッキン、７...第２後端側パッキン、８...先端側パッキン、９...タルク、１０、１０ｃ、１０ｄ...絶縁体（絶縁碍子）、１０ｉ...内周面、１１...第２縮外径部、１２、１２ｃ、１２ｄ...貫通孔（軸孔）、１３...脚部、１４...後開口、１５...第１縮外径部、１６...縮内径部、１７...先端側胴部、１８...後端側胴部、１９...鍔部、２０...中心電極、２０ｓ１...先端面、２１...電極母材、２２...芯材、２３...頭部、２４...鍔部、２５...脚部、３０...接地電極、３１...先端部、３５...母材、３６...芯部、４０、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ...端子金具、４１...キャップ装着部、４２...鍔部、４３、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅ...脚部、５０...主体金具、５１...工具係合部、５２...ネジ部、５３...加締部、５４...座部、５５...胴部、５６...縮内径部、５８...変形部、５９...貫通孔、６０、６０ｄ、６０ｅ...第１導電性シール部、７０、７０ｄ...抵抗体、７５、７５ｂ、７５ｃ、７５ｄ、８０ｅ...第２導電性シール部、８０、８０ｂ、８０ｄ...第３導電性シール部、１００、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ...スパークプラグ、２００、２００ｂ、２００ｄ...磁性体構造物、２１０、２１０ｂ...磁性体、２２０、２２０ｂ...導電体、２９０、２９０ｂ...被覆部、３００、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄ、３００ｅ...接続部、８００...対象領域、８１０...セラミック領域、８１２...気孔８１２、８２０...導電領域、８２５...被覆領域８２５、８３０...磁性領域、８３５...磁性粒領域、８４０...複合粒領域、ｇ...ギャップ、ＣＬ...中心軸（軸線）

本開示は、例えば、以下の態様または適用例を開示する。
［態様１］
軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
前記貫通孔内で、前記中心電極と前記端子金具とを接続する接続部と、
を備えるスパークプラグであって、
前記接続部は、
抵抗体と、
前記抵抗体の先端側または後端側の前記抵抗体から離れた位置に配置された、磁性体と導電体とを含む磁性体構造物と、
を有し、
前記抵抗体と前記磁性体構造物とのうち、先端側に配置された部材を第１部材とし、後端側に配置された部材を第２部材としたときに、
前記接続部は、さらに、
前記第１部材の先端側に配置され、前記第１部材に接触する第１導電性シール部と、
前記第１部材と前記第２部材との間に配置され、前記第１部材と前記第２部材とに接触する第２導電性シール部と、
前記第２部材の後端側に配置され、前記第２部材に接触する第３導電性シール部と、
を有し、
前記磁性体構造物は、
１）前記導電体としての、導電性物質と、
２）前記磁性体としての、鉄含有酸化物と、
３）珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックと、
を含み、
前記磁性体構造物の前記軸線を含む断面において、
前記軸線を中心線とし、前記軸線に垂直な方向の大きさが２．５ｍｍであり、前記軸線の方向の大きさが５．０ｍｍである矩形領域を、対象領域としたときに、
前記対象領域において、前記鉄含有酸化物の領域は、複数の粒状の領域を含み、
前記対象領域において、前記複数の粒状の領域のそれぞれの縁の少なくとも一部は、前記導電性物質によって被覆されており、
前記粒状の領域の前記縁の全長に対する前記導電性物質によって被覆されている部分の長さの割合を被覆率としたときに、前記対象領域において、前記複数の粒状の領域の前記被覆率の平均値は、５０％以上であり、
前記磁性体構造物の前記断面上の前記対象領域内において、前記粒状の領域の面積と同じ面積を有する円の直径が、４００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内である粒状の領域の総数が、６以上である、
スパークプラグ。
［態様２］
軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
前記貫通孔内で、前記中心電極と前記端子金具とを接続する接続部と、
を備えるスパークプラグであって、
前記接続部は、磁性体と導電体とを含む磁性体構造物を含み、
前記磁性体構造物は、
１）前記導電体としての、導電性物質と、
２）前記磁性体としての、鉄含有酸化物と、
３）珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックと、
を含み、
前記磁性体構造物の前記軸線を含む断面において、
前記軸線を中心線とし、前記軸線に垂直な方向の大きさが２．５ｍｍであり、前記軸線の方向の大きさが５．０ｍｍである矩形領域を、対象領域としたときに、
前記対象領域において、前記鉄含有酸化物の領域は、複数の粒状の領域を含み、
前記対象領域において、前記複数の粒状の領域のそれぞれの縁の少なくとも一部は、前記導電性物質によって被覆されており、
前記粒状の領域の前記縁の全長に対する前記導電性物質によって被覆されている部分の長さの割合を被覆率としたときに、前記対象領域において、前記複数の粒状の領域の前記被覆率の平均値は、５０％以上であり、
前記磁性体構造物の前記断面上の前記対象領域内において、前記粒状の領域の面積と同じ面積を有する円の直径が、４００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内である粒状の領域の総数が、６以上である、
スパークプラグ。

Claims (16)

1. 軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
   前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
   前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
   前記貫通孔内で、前記中心電極と前記端子金具とを接続する接続部と、
   を備えるスパークプラグであって、
   前記接続部は、
   抵抗体と、
   前記抵抗体の先端側または後端側の前記抵抗体から離れた位置に配置された、磁性体と導電体とを含む磁性体構造物と、
   を有し、
   前記抵抗体と前記磁性体構造物とのうち、先端側に配置された部材を第１部材とし、後端側に配置された部材を第２部材としたときに、
   前記接続部は、さらに、
   前記第１部材の先端側に配置され、前記第１部材に接触する第１導電性シール部と、
   前記第１部材と前記第２部材との間に配置され、前記第１部材と前記第２部材とに接触する第２導電性シール部と、
   前記第２部材の後端側に配置され、前記第２部材に接触する第３導電性シール部と、
   を有する、スパークプラグ。
2. 請求項１に記載のスパークプラグであって、
   前記磁性体構造物の先端から後端までの電気抵抗値は３ｋΩ以下である、
   スパークプラグ。
3. 請求項２に記載のスパークプラグであって、
   前記磁性体構造物の前記先端から前記後端までの電気抵抗値は１ｋΩ以下である、
   スパークプラグ。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
   前記導電体は、前記磁性体の外周の少なくとも一部を囲む螺旋状のコイルを含み、
   前記コイルの電気抵抗値は、前記磁性体の電気抵抗値よりも、低い、
   スパークプラグ。
5. 請求項１から３のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
   前記導電体は、前記磁性体を前記軸線の方向に貫通する導電部を含む、
   スパークプラグ。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
   前記磁性体構造物は、前記抵抗体の後端側に配置されている、スパークプラグ。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
   前記接続部は、さらに、前記磁性体構造物の外表面の少なくとも一部を覆い、前記磁性体構造物と前記絶縁体との間に介在する被覆部を有する、スパークプラグ。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
   前記磁性体は、酸化鉄を含む強磁性の材料を用いて形成されている、スパークプラグ。
9. 請求項８に記載のスパークプラグであって、
   前記強磁性の材料は、スピネル型フェライトである、スパークプラグ。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
    前記磁性体は、ＮｉＺｎフェライト、または、ＭｎＺｎフェライトである、スパークプラグ。
11. 請求項１から３のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
    前記磁性体構造物は、
    １）前記導電体としての、導電性物質と、
    ２）前記磁性体としての、鉄含有酸化物と、
    ３）珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックと、
    を含み、
    前記磁性体構造物の前記軸線を含む断面において、
    前記軸線を中心線とし、前記軸線に垂直な方向の大きさが２．５ｍｍであり、前記軸線の方向の大きさが５．０ｍｍである矩形領域を、対象領域としたときに、
    前記対象領域において、前記鉄含有酸化物の領域は、複数の粒状の領域を含み、
    前記対象領域において、前記複数の粒状の領域のそれぞれの縁の少なくとも一部は、前記導電性物質によって被覆されており、
    前記粒状の領域の前記縁の全長に対する前記導電性物質によって被覆されている部分の長さの割合を被覆率としたときに、前記対象領域において、前記複数の粒状の領域の前記被覆率の平均値は、５０％以上である、
    スパークプラグ。
12. 請求項１１に記載のスパークプラグであって、
    前記磁性体構造物の前記断面上の前記対象領域のうち、前記鉄含有酸化物の前記領域を除いた残りの領域において、気孔率が５％以下である、
    スパークプラグ。
13. 請求項１１または１２に記載のスパークプラグであって、
    前記磁性体構造物の前記断面上の前記対象領域内において、前記粒状の領域の面積と同じ面積を有する円の直径が、４００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内である粒状の領域の総数が、６以上である、
    スパークプラグ。
14. 請求項１１から１３のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
    前記磁性体構造物の前記断面上の前記対象領域において、前記粒状の領域の縁を被覆する前記導電性物質の最小の厚さは、１μｍ以上、２５μｍ以下である、スパークプラグ。
15. 請求項１１から１４のいずれか１項に記載のスパークプラグであって、
    前記絶縁体の径方向の周囲に配置される主体金具を有し、
    前記磁性体構造物は、前記抵抗体の後端側に配置され、
    前記磁性体構造物の後端は、前記主体金具の後端よりも後端側に位置している、
    スパークプラグ。
16. 軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
    前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
    前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
    前記貫通孔内で、前記中心電極と前記端子金具とを接続する接続部と、
    を備えるスパークプラグであって、
    前記接続部は、磁性体と導電体とを含む磁性体構造物を含み、
    前記磁性体構造物は、
    １）前記導電体としての、導電性物質と、
    ２）前記磁性体としての、鉄含有酸化物と、
    ３）珪素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリン（Ｐ）とのうちの少なくとも１つを含むセラミックと、
    を含み、
    前記磁性体構造物の前記軸線を含む断面において、
    前記軸線を中心線とし、前記軸線に垂直な方向の大きさが２．５ｍｍであり、前記軸線の方向の大きさが５．０ｍｍである矩形領域を、対象領域としたときに、
    前記対象領域において、前記鉄含有酸化物の領域は、複数の粒状の領域を含み、
    前記対象領域において、前記複数の粒状の領域のそれぞれの縁の少なくとも一部は、前記導電性物質によって被覆されており、
    前記粒状の領域の前記縁の全長に対する前記導電性物質によって被覆されている部分の長さの割合を被覆率としたときに、前記対象領域において、前記複数の粒状の領域の前記被覆率の平均値は、５０％以上である、
    スパークプラグ。

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