JP2018073588A - 点火プラグ - Google Patents

Abstract

【課題】磁性体を用いて電波ノイズを抑制する。【解決手段】中心電極と端子金具とを電気的に接続する接続部は、フェライト焼結体の粒子と、導電物を含みフェライト焼結体の粒子を被覆する被覆層と、を含む複数の複合粒子を含む複合部を含む。フェライト焼結体は、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａの少なくとも１つを含む。複合部の軸線を含む断面において、フェライト焼結体の複数の粒子のそれぞれの最大径の平均は、０．７５ｍｍ以上、１．４５ｍｍ以下であり、フェライト焼結体の複数の粒子の総面積は、０．０３ｃｍ２以上、０．０７ｃｍ２以下である。フェライト焼結体の複数の粒子の内部の気孔率は、２．０％以上、７．０％以下である。【選択図】 図１

Description

本明細書は、点火プラグに関するものである。

従来から、内燃機関に、点火プラグが用いられている。また、点火によって発生する電波ノイズを抑制するために、絶縁体の貫通孔内に抵抗体を設ける技術が提案されている。また、絶縁体の貫通孔内に磁性体を設ける技術も提案されている。

特開２００４−２５９６０５号公報 特開２０１１−１５９４７５号公報

ところが、磁性体を用いて電波ノイズを抑制する点については、工夫の余地があった。

本明細書は、磁性体を用いて電波ノイズを抑制できる技術を開示する。

本明細書は、例えば、以下の適用例を開示する。

［適用例１］
軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
前記貫通孔内で、前記中心電極と前記端子金具とを電気的に接続する接続部と、
を備える点火プラグであって、
前記接続部は、フェライト焼結体の粒子と、導電物を含み前記フェライト焼結体の粒子を被覆する被覆層と、を含む複数の複合粒子を含む複合部を含み、
前記フェライト焼結体は、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａの少なくとも１つを含み、
前記複合部の前記軸線を含む断面における、前記軸線に垂直な方向の長さが２ｍｍであり、前記軸線の方向の長さが５ｍｍである、前記軸線を中心とする矩形領域において、
前記フェライト焼結体の複数の粒子のそれぞれの最大径の平均は、０．７５ｍｍ以上、１．４５ｍｍ以下であり、
前記フェライト焼結体の前記複数の粒子の総面積は、０．０３ｃｍ^２以上、０．０７ｃｍ^２以下であり、
前記複合部の前記軸線を含む断面における、前記軸線に垂直な方向の長さが２００μｍであり前記軸線の方向の長さが２００μｍである特定矩形状の領域において、前記フェライト焼結体の前記複数の粒子の内部の気孔率は、２．０％以上、７．０％以下である、
点火プラグ。

この構成によれば、電波ノイズを抑制でき、また、耐久性を向上できる。

［適用例２］
適用例１に記載の点火プラグであって、
前記導電物は、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｇの少なくとも１つを含み、
前記被覆層の平均厚さは、０．５μｍ以上、７．５μｍ以下である、
点火プラグ。

この構成によれば、電波ノイズを適切に抑制でき、また、耐久性を適切に向上できる。

［適用例３］
適用例１または２に記載の点火プラグであって、
前記複合部は、さらに、フェライトとガラスとの混合物を備え、
前記ガラスは、Ｓｉ、Ｐ、Ｂ、アルカリ金属、アルカリ土類金属のうちの２種以上を含む、
点火プラグ。

この構成によれば、電波ノイズを抑制でき、また、耐久性を向上できる。

［適用例４］
適用例３に記載の点火プラグであって、
前記断面における前記特定矩形状の領域において、前記混合物の気孔率は、１．５％以上、４．５％以下である、点火プラグ。

この構成によれば、電波ノイズを適切に抑制できる。

［適用例５］
適用例１から４のいずれかに記載の点火プラグであって、
前記複合部の前記軸線の方向の長さは、３ｍｍ以上である、
点火プラグ。

この構成によれば、電波ノイズを適切に抑制できる。

［適用例６］
適用例１から５のいずれかに記載の点火プラグであって、
前記絶縁体の外周側に固定された主体金具を備え、
前記複合部は、前記主体金具に囲まれた部分から、前記主体金具の後端から後端側に１．５ｍｍ以上離れた位置まで、延びている、
点火プラグ。

この構成によれば、電波ノイズを適切に抑制できる。

［適用例７］
適用例１から６のいずれかに記載の点火プラグであって、
前記接続部は、
前記中心電極と前記複合部との間に配置された抵抗体と、
前記中心電極と前記抵抗体との間に配置され、前記中心電極と前記抵抗体とに接触する第１導電性シール部と、
前記抵抗体と前記複合部との間に配置され、前記抵抗体と前記複合部とに接触する第２導電性シール部と、
前記複合部と前記端子金具との間に配置され、前記複合部と前記端子金具とに接触する第３導電性シール部と、
を含む、点火プラグ。

この構成によれば、電波ノイズを適切に抑制できる。

なお、本明細書に開示の技術は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、点火プラグや点火プラグを用いた点火装置、その点火プラグを搭載する内燃機関や、その点火プラグを用いた点火装置を搭載する内燃機関等の態様で実現することができる。

一実施形態としての点火プラグ１００の断面図である。 複合部２００の説明図である。 複合部２００の長さＬ１と外長Ｌ２との説明図である。 評価試験の結果を示す表である。

Ａ．実施形態：
Ａ−１．点火プラグ１００の構成：
図１は、一実施形態としての点火プラグ１００の断面図である。図中には、点火プラグ１００の中心軸ＣＬ（「軸線ＣＬ」とも呼ぶ）と、点火プラグ１００の中心軸ＣＬを含む平らな断面と、が示されている。以下、中心軸ＣＬに平行な方向を「軸線ＣＬの方向」、または、単に「軸線方向」または「前後方向」とも呼ぶ。軸線ＣＬに垂直な方向を、「径方向」とも呼ぶ。中心軸ＣＬに平行な方向のうち、図１における下方向を先端方向Ｄｆ、または、前方向Ｄｆと呼び、上方向を後端方向Ｄｆｒ、または、後方向Ｄｆｒとも呼ぶ。先端方向Ｄｆは、後述する端子金具４０から中心電極２０に向かう方向である。また、図１における先端方向Ｄｆ側を点火プラグ１００の先端側と呼び、図１における後端方向Ｄｆｒ側を点火プラグ１００の後端側と呼ぶ。

点火プラグ１００は、軸線ＣＬに沿って延びる貫通孔１２（軸孔１２とも呼ぶ）を有する筒状の絶縁体１０と、貫通孔１２の先端側で保持される中心電極２０と、貫通孔１２の後端側で保持される端子金具４０と、貫通孔１２内で中心電極２０と端子金具４０との間に配置された抵抗体７３と、貫通孔１２内で抵抗体７３と端子金具４０との間に配置された複合部２００と、中心電極２０と抵抗体７３とに接触してこれらの部材２０、７３を電気的に接続する導電性の第１シール部７２と、抵抗体７３と複合部２００とに接触してこれらの部材７３、２００を電気的に接続する導電性の第２シール部７４と、複合部２００と端子金具４０とに接触してこれらの部材２００、４０を電気的に接続する導電性の第３シール部７６と、絶縁体１０の外周側に固定された筒状の主体金具５０と、一端が主体金具５０の先端面５５に接合されるとともに他端が中心電極２０とギャップｇを介して対向するように配置された接地電極３０と、を有している。

絶縁体１０の軸線方向の略中央には、外径が最も大きな大径部１４が形成されている。大径部１４より後端側には、後端側胴部１３が形成されている。大径部１４よりも先端側には、後端側胴部１３よりも外径の小さな先端側胴部１５が形成されている。先端側胴部１５よりもさらに先端側には、縮外径部１６と、脚部１９とが、先端側に向かってこの順に形成されている。縮外径部１６の外径は、前方向Ｄｆに向かって、徐々に小さくなっている。縮外径部１６の近傍（図１の例では、先端側胴部１５）には、前方向Ｄｆに向かって内径が徐々に小さくなる縮内径部１１が形成されている。絶縁体１０は、機械的強度と、熱的強度と、電気的強度とを考慮して形成されることが好ましく、例えば、アルミナを焼成して形成されている（他の絶縁材料も採用可能である）。

中心電極２０は、後端側から先端側に向かって延びた棒状の部材である。中心電極２０は、絶縁体１０の貫通孔１２内の前方向Ｄｆ側の端部に配置されている。中心電極２０は、外径が最も大きい部分である頭部２４と、頭部２４の前方向Ｄｆ側に形成された軸部２７と、軸部２７の先端に接合（例えば、レーザ溶接）された第１チップ２９と、を有している。頭部２４の外径は、絶縁体１０の縮内径部１１よりも前方向Ｄｆ側の部分の内径よりも大きい。頭部２４の前方向Ｄｆ側の面は、絶縁体１０の縮内径部１１によって、支持されている。軸部２７は、軸線ＣＬに平行に前方向Ｄｆに向かって延びている。軸部２７は、外層２１と、外層２１の内周側に配置された芯部２２と、を有している。外層２１は、例えば、ニッケルを主成分として含む合金で形成されている。ここで、主成分は、含有率（重量％）が最も高い成分を意味している。芯部２２は、外層２１よりも熱伝導率が高い材料（例えば、銅を主成分として含む合金）で形成されている。第１チップ２９は、軸部２７よりも放電に対する耐久性に優れる材料（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）等の貴金属、タングステン（Ｗ）、それらの金属から選択された少なくとも１種を含む合金）を用いて形成されている。中心電極２０のうち第１チップ２９を含む先端側の一部分は、絶縁体１０の軸孔１２から前方向Ｄｆ側に露出している。なお、芯部２２と第１チップ２９との少なくとも一方は、省略されてもよい。

絶縁体１０の貫通孔１２の後端側には、端子金具４０の前方向Ｄｆ側の一部が挿入されている。端子金具４０は、軸線ＣＬに平行に延びる棒状の部材である。端子金具４０は、導電性材料を用いて形成されている（例えば、鉄を主成分として含む金属）。端子金具４０は、前方向Ｄｆに向かって順番で並ぶ、キャップ装着部４９と、鍔部４８と、軸部４１と、を有している。キャップ装着部４９は、絶縁体１０の後端側で、軸孔１２の外に露出している。キャップ装着部４９には、高圧ケーブル（図示せず）に接続されたプラグキャップが装着され、火花放電を発生するための高電圧が印加される。キャップ装着部４９は、高圧ケーブルが接続される部分である端子部の例である。軸部４１は、絶縁体１０の軸孔１２の後方向Ｄｆｒ側の部分に挿入されている。鍔部４８の前方向Ｄｆ側の面は、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の端である後端１０ｅに接している。

絶縁体１０の軸孔１２内において、端子金具４０と中心電極２０との間には、電気的なノイズを抑制するための抵抗体７３が配置されている。抵抗体７３は、導電性材料（例えば、ガラスと炭素粒子とセラミック粒子との混合物）を用いて形成されている。この抵抗体７３と端子金具４０との間には、電気的なノイズを抑制するための複合部２００が配置されている。複合部２００は、例えば、導電性材料と、磁性体と、ガラスと、を用いて形成されている。複合部２００の詳細については、後述する。抵抗体７３と中心電極２０との間には、第１シール部７２が配置され、抵抗体７３と複合部２００との間には、第２シール部７４が配置され、複合部２００と端子金具４０との間には、第３シール部７６が配置されている。これらのシール部７２、７４、７６は、導電性材料（例えば、金属粒子と複合部２００の材料に含まれるものと同じガラスとの混合物）を用いて形成されている。中心電極２０は、第１シール部７２、抵抗体７３、第２シール部７４、複合部２００、第３シール部７６によって、端子金具４０に電気的に接続されている。以下、絶縁体１０の軸孔１２内で端子金具４０と中心電極２０とを電気的に接続する部材７２、７３、７４、２００、７６との全体を、接続部３００とも呼ぶ。

主体金具５０は、軸線ＣＬに沿って延びる貫通孔５９を有する筒状の部材である。主体金具５０の貫通孔５９には、絶縁体１０が挿入され、主体金具５０は、絶縁体１０の外周に固定されている。主体金具５０は、導電材料（例えば、低炭素鋼等の金属）を用いて形成されている。絶縁体１０の前方向Ｄｆ側の一部は、貫通孔５９の外に露出している。また、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の一部は、貫通孔５９の外に露出している。

主体金具５０は、工具係合部５１と、胴部５２と、を有している。工具係合部５１は、点火プラグ用のレンチ（図示せず）が嵌合する部分である。胴部５２は、主体金具５０の先端面５５を含む部分である。胴部５２の外周面には、内燃機関（例えば、ガソリンエンジン）の取付孔に螺合するためのネジ部５７が形成されている。ネジ部５７は、雄ねじであり、螺旋状のネジ山を有している（図示省略）。

主体金具５０の工具係合部５１と胴部５２との間には、径方向外側に突き出たフランジ状の鍔部５４が形成されている。胴部５２のネジ部５７と鍔部５４との間には、環状のガスケット９０が配置されている。ガスケット９０は、例えば金属の板状部材を折り曲げることによって形成されており、点火プラグ１００がエンジンに取り付けられた際に押し潰されて変形する。このガスケット９０の変形によって、点火プラグ１００と（具体的には、鍔部５４の前方向Ｄｆ側の面）、エンジンと、の隙間が封止され、燃焼ガスの漏出が抑制される。

主体金具５０の胴部５２には、先端側に向かって内径が徐々に小さくなる縮内径部５６が形成されている。主体金具５０の縮内径部５６と、絶縁体１０の縮外径部１６と、の間には、先端側パッキン８が挟まれている。本実施形態では、先端側パッキン８は、例えば、鉄製の板状リングである（他の材料（例えば、銅等の金属材料）も採用可能である）。

主体金具５０の工具係合部５１より後端側には、薄肉のカシメ部５３が形成されている。また、鍔部５４と工具係合部５１との間には、薄肉の座屈部５８が形成されている。主体金具５０の工具係合部５１からカシメ部５３にかけての内周面と、絶縁体１０の後端側胴部１３の外周面との間には、円環状のリング部材６１，６２が挿入されている。さらにこれらのリング部材６１，６２の間には、タルク７０の粉末が充填されている。点火プラグ１００の製造工程において、カシメ部５３が内側に折り曲げられて加締められると、座屈部５８が圧縮力の付加に伴って外向きに変形（座屈）し、この結果、主体金具５０と絶縁体１０とが固定される。タルク７０は、この加締め工程の際に圧縮され、主体金具５０と絶縁体１０との間の気密性が高められる。また、パッキン８は、絶縁体１０の縮外径部１６と主体金具５０の縮内径部５６との間で押圧され、そして、主体金具５０と絶縁体１０との間をシールする。

接地電極３０は、棒状の本体部３７と、本体部３７の先端部３４に取り付けられた第２チップ３９と、を有している。本体部３７の一端部３３（基端部３３とも呼ぶ）は、主体金具５０の先端面５５に接合されている（例えば、抵抗溶接）。本体部３７は、主体金具５０に接合された基端部３３から先端方向Ｄｆに向かって延び、中心軸ＣＬに向かって曲がって、先端部３４に至る。第２チップ３９は、先端部３４の後方向Ｄｆｒ側の部分に固定されている（例えば、レーザ溶接）。接地電極３０の第２チップ３９と、電極２０の第１チップ２９とは、ギャップｇを形成している。第２チップ３９は、本体部３７よりも放電に対する耐久性に優れる材料（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）等の貴金属、タングステン（Ｗ）、それらの金属から選択された少なくとも１種を含む合金）を用いて形成されている。本体部３７は、外層３１と、外層３１の内周側に配置された内層３２と、を有している。外層３１は、内層３２よりも耐酸化性に優れる材料（例えば、ニッケルを含む合金）で形成されている。内層３２は、外層３１よりも熱伝導率が高い材料（例えば、純銅、銅合金、等）で形成されている。なお、内層３２と第２チップ３９との少なくとも一方は、省略されてもよい。

Ａ−２．複合部２００の構成：
図２は、複合部２００の説明図である。図２の左上部には、絶縁体１０の貫通孔１２内に配置された複合部２００の断面が示されている。この断面９００は、中心軸ＣＬを含む平面による断面である。図中の先端面２１０は、複合部２００の前方向Ｄｆ側の端面であり、第２シール部７４に接触している。後端面２２０は、複合部２００の後方向Ｄｆｒ側の端面であり、第３シール部７６に接触している。図示するように、先端面２１０と後端面２２０とは、それぞれ、湾曲し得る。第１部分２１９は、断面上における先端面２１０のうちの最も後方向Ｄｆｒ側の部分である。第２部分２２９は、断面上における後端面２２０のうちの最も前方向Ｄｆ側の部分である。

図中の点線で示された領域９５０は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で撮影される断面９００上の視野領域を示している。後述する評価試験では、この視野領域９５０が、ＳＥＭによって観察される。視野領域９５０は、中心軸ＣＬに平行な２辺と、中心軸ＣＬに垂直な２辺と、で構成された矩形状の領域である。図中の幅Ｌｘは、中心軸ＣＬに垂直な方向の視野領域９５０の長さである。複合部２００の断面のうち、先端面２１０の第１部分２１９から、後端面２２０の第２部分２２９までの、２．５ｍｍ以上の幅Ｌｘを有する領域が、視野領域９５０として用いられた。

視野領域９５０内には、対象領域８００が配置されている。図２の右上部には、対象領域８００の拡大図が示されている。対象領域８００は、後述する評価試験において点火プラグ１００の複合部２００の構成を特定する際に用いられる領域である。対象領域８００は、中心軸ＣＬに平行な２辺と、中心軸ＣＬに垂直な２辺と、で構成された矩形状の領域である。第１長Ｌａは、中心軸ＣＬに垂直な方向の対象領域８００の長さであり、具体的には、２ｍｍである。第２長Ｌｂは、中心軸ＣＬに平行な方向の対象領域８００の長さであり、具体的には、５ｍｍである。なお、図２の例では、対象領域８００は、中心軸ＣＬを中心とする矩形領域である。すなわち、対象領域８００の形状は、中心軸ＣＬを対称軸とする線対称である。以下、対象領域８００を、第１矩形領域８００とも呼ぶ。

図２の右上部の対象領域８００には、断面の構成の模式図が示されている。図示するように、対象領域８００（すなわち、複合部２００の断面９００）は、支持領域８１０と、導電領域８２０と、磁性領域８３０と、を含んでいる。磁性領域８３０は、複数の粒状の領域８３５で構成されている（以下、「磁性粒領域８３５」または、単に「粒領域８３５」とも呼ぶ）。磁性領域８３０は、磁性体としてのフェライト（すなわち、鉄含有酸化物）で形成されている。フェライトとしては、例えば、種々のスピネルフェライト（例えば、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｆｅ_２Ｏ_４）を採用可能である。複数の磁性粒領域８３５は、複合部２００の材料としてフェライトの粉末を用いることによって、形成される。本実施形態では、材料の粉末に含まれるフェライトの複数の粒子が互いにくっついて１つの粒子状の構造物を形成し、形成された１つの粒子状の構造物が焼成されて１つの焼結体を形成する。この焼結体の断面が、磁性粒領域８３５である。複合部２００の製造方法の詳細については、後述する。以下、断面９００上の１つの磁性粒領域８３５を形成する立体的な粒子状の構造物を「磁性粒子」と呼ぶ。１つの磁性粒領域８３５は、１つの磁性粒子の断面を示している。

図示を省略するが、複数の磁性粒領域８３５を形成する複数の磁性粒子のそれぞれの表面は、導電性物質の被覆層に被覆されている。以下、磁性粒子と、磁性粒子を被覆する導電性物質の被覆層と、を含む粒子状の構造体を、複合粒子とも呼ぶ。導電性物質としては、例えば、金属（Ｎｉ、Ｃｕなど）、ペロブスカイト型酸化物（ＳｒＴｉＯ_３、ＳｒＣｒＯ_３など）、炭素（Ｃ）、炭素化合物（Ｃｒ_３Ｃ_２、ＴｉＣなど）を採用可能である。

図２の導電領域８２０は、磁性粒子の表面に形成された導電性物質の被覆層の断面を示している。図示するように、導電領域８２０は、磁性粒領域８３５の縁を被覆している。導電領域８２０は、複数の磁性粒領域８３５を被覆する複数の被覆領域８２５で構成されている。１つの磁性粒領域８３５を被覆する部分が、１つの被覆領域８２５に対応する。１つの磁性粒領域８３５と、その磁性粒領域８３５を被覆する１つの被覆領域８２５とは、粒子状の領域８４０を形成する（「複合粒領域８４０」と呼ぶ）。複合粒領域８４０は、上述した複合粒子の断面を示している。図示するように、複数の複合粒領域８４０は、互いに被覆領域８２５が接するように、配置されている。互いに接する複数の被覆領域８２５は、後端方向Ｄｆｒ側から先端方向Ｄｆ側へ延びる電流の経路を形成している。電流の経路を形成する導電領域８２０が磁性領域８３０の近傍を通るので、複合部２００は、電波ノイズを抑制できる。

図示を省略するが、対象領域８００（すなわち、断面９００）上には、２つの複合粒領域８４０が離れて配置され得る。このように対象領域８００上では互いに離れた２つの複合粒領域８４０は、対象領域８００よりも奥、または、手前の位置で、互いに接する２つの立体的な複合粒子の断面を表している場合がある。このように、対象領域８００上で、互いに接する、または、互いに離れた、複数の複合粒領域８４０は、後端方向Ｄｆｒ側から先端方向Ｄｆ側へ延びる電流の経路を形成可能である。放電時には、電流が、複数の複合粒領域８４０の複数の被覆領域８２５（すなわち、導電領域８２０）を通じて、複合部２００を流れる。

上述のように、導電領域８２０は、磁性領域８３０を被覆している。すなわち、電流の経路は、磁性体を囲むように構成されている。磁性体が導電経路の近傍に配置されると、放電によって生じる電波ノイズが抑制される。例えば、磁性体がインダクタンス素子として機能することによって、電波ノイズが抑制される。また、導電経路のインピーダンスが大きくなることによって、電波ノイズが抑制される。

図２の中段の左部には、磁性粒領域８３５の拡大図が示されている。図示するように、磁性粒領域８３５内には、複数の気孔８３２が生じている。複数の気孔８３２は、例えば、材料の粉末に含まれるフェライトの複数の粒子の間の隙間によって、形成される。点火プラグ１００の放電時には、気孔８３２内においても部分的な放電が生じ得る。気孔８３２内で部分放電が生じることによって、電波ノイズが生じ得る。また、部分放電に起因して、複合部２００が劣化し得る。例えば、気孔８３２が大きくなり得る。また、新たな気孔が形成され得る。このような複合部２００の劣化に起因して、電波ノイズが強くなり得、また、複合部２００の劣化が更に進行し得る。従って、磁性粒領域８３５に対する気孔８３２の割合（例えば、磁性粒領域８３５の面積に対する気孔８３２の面積の割合）が小さいことが好ましい。

支持領域８１０は、複数の複合粒領域８４０の間に配置された領域である。支持領域８１０は、複数の複合粒領域８４０の隙間を埋めている。複数の複合粒領域８４０（すなわち、導電領域８２０と磁性領域８３０）は、支持領域８１０によって支持されている。このような支持領域８１０は、ガラスとフェライトとの混合物で形成される。

図示を省略するが、支持領域８１０内にも、磁性粒領域８３５内と同様に、気孔が生じ得る。この気孔内においても部分的な放電が生じ得る。気孔内の部分放電によって、支持領域８１０が劣化し得、また、電波ノイズが生じ得る。従って、支持領域８１０に対する気孔の割合（例えば、面積割合）が小さいことが好ましい。支持領域８１０のガラスは、複合部２００の焼成時に溶融して複合粒子（複合粒領域８４０）の隙間に流入し得る。従って、ガラスを含む支持領域８１０を用いることによって、複合部２００の気孔を小さくできる。

なお、支持領域８１０から、フェライトが省略されてもよい。また、支持領域８１０は、ガラスに限らず、種々の絶縁材料（例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢｅＦ_２などのセラミック）で形成されてよい。

図３は、複合部２００の長さＬ１と外長Ｌ２と、の説明図である。図中には、図１に示す断面のうち複合部２００を含む一部分が示されている。図中には、複合部２００の先端面２１０と後端面２２０とが示されている。前基準部２１２は、先端面２１０のうちの最も前方向Ｄｆ側の部分である。後基準部２２２は、後端面２２０のうちの最も前方向Ｄｆ側の部分である。複合部２００の軸線ＣＬの方向の長さＬ１は、前基準部２１２と後基準部２２２との間の軸線ＣＬに平行な方向の距離である。なお、図中では、前基準部２１２と後基準部２２２とは、中心軸ＣＬを含む１つの断面上に配置されている。ただし、後基準部２２２は、前基準部２１２と中心軸ＣＬとを含む断面とは異なる中心軸ＣＬを含む断面上に配置され得る。

また、図３に示すように、複合部２００の前方向Ｄｆ側の一部分は、主体金具５０の後方向Ｄｆｒ側の端５０ｅ（後端５０ｅと呼ぶ）よりも前方向Ｄｆ側に配置されている。複合部２００の後方向Ｄｆｒ側の一部分は、主体金具５０の後端５０ｅよりも後方向Ｄｆｒ側に配置されている。外長Ｌ２は、主体金具５０の後端５０ｅと、複合部２００の後基準部２２２と、の間の軸線ＣＬに平行な方向の距離である。複合部２００は、主体金具５０に囲まれた部分から、主体金具５０の後端５０ｅから後方向Ｄｆｒ側に外長Ｌ２離れた位置まで、延びている。

複合部２００のうちの主体金具５０の後端５０ｅよりも後方向Ｄｆｒ側に配置された部分は、以下に説明するように、電波ノイズを効果的に抑制できる。主体金具５０の後端５０ｅよりも前方向Ｄｆ側では、複合部２００と主体金具５０とは、絶縁体１０を挟むキャパシタを形成する。キャパシタのインピーダンスは、周波数が高いほど小さくなる。従って、放電時には、高周波電流は、複合部２００を流れずに、複合部２００と主体金具５０との間で絶縁体１０を介して流れ得る。このような高周波電流が、電波ノイズを生成し得る。主体金具５０の後端５０ｅよりも後方向Ｄｆｒ側では、そのようなキャパシタが形成されないので、高周波電流は、複合部２００から主体金具５０へ移動せずに、複合部２００を流れる。上述したように、複合部２００は、インダクタンス素子として機能することによって、高周波電流を抑制できる。以上により、複合部２００のうちの主体金具５０の後端５０ｅよりも後方向Ｄｆｒ側に配置された部分は、高周波電流、ひいては、電波ノイズを、効果的に抑制できる。外長Ｌ２は、複合部２００のうちの電波ノイズを効果的に抑制する部分の長さを示している。

Ａ−３．製造方法：
点火プラグ１００の製造方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、以下の製造方法を採用可能である。まず、絶縁体１０と、中心電極２０と、端子金具４０と、導電性シール部６０、８０のそれぞれの材料粉末と、複合部２００の材料粉末と、を準備する。

複合部２００の材料粉末は、例えば、以下のように準備される。フェライトの材料粉末にバインダなどの液体を添加して混合することによって、磁性粒子を形成する。例えば、フェライトの材料粉末の粒子が凝集することによって、磁性粒子が形成される。また、フェライトの材料粉末の粒子がバインダを介して互いにくっつくことによって、磁性粒子が形成される。こうして得られた磁性粒子に、例えば、無電解メッキによって、磁性粒子の表面を覆う導電性物質の被覆層を形成する。そして、被覆層で覆われた磁性粒子（すなわち、複合粒子）の粉末と、支持領域８１０の材料粉末とを、混合することによって、複合部２００の材料粉末を準備する。なお、支持領域８１０の材料粉末は、フェライトの材料粉末と、ガラスの材料粉末とを混合することによって、準備される。なお、メッキに代えて、磁性粒子の粉末の表面にバインダを塗布し、導電性物質の粒子を磁性粒子の表面に付着させることによって、被覆層を形成してもよい。

次に、絶縁体１０（図１）の貫通孔１２の後端方向Ｄｆｒ側の開口（以下、「後開口１０ｑ」と呼ぶ）から、中心電極２０を挿入する。図１で説明したように、中心電極２０は、絶縁体１０の縮内径部１１によって支持されることによって、貫通孔１２内の所定位置に配置される。

次に、第１シール部７２、抵抗体７３、第２シール部７４、複合部２００、第３シール部７６のそれぞれの材料粉末の投入と投入された粉末材料の成形とが、部材７２、７３、７４、２００、７６の順番に、行われる。粉末材料の投入は、貫通孔１２の後開口１０ｑから行われる。投入された粉末材料の成形は、開口１０ｑから挿入した棒を用いて、行われる。材料粉末は、対応する部材の形状と略同じ形状に、成形される。

次に、絶縁体１０を、部材７２、７３、７４、２００、７６の材料粉末に含まれるガラス成分の軟化点よりも高い所定温度まで加熱し、所定温度に加熱した状態で、貫通孔１２の開口１０ｑから、端子金具４０の軸部４１を貫通孔１２に挿入する。この結果、部材７２、７３、７４、２００、７６の材料粉末が圧縮および焼結されて、シール部７２、７４、７６と、抵抗体７３と、複合部２００と、のそれぞれが形成される。そして、端子金具４０が、絶縁体１０に固定される。

次に、絶縁体１０の外周に主体金具５０を組み付け、主体金具５０に、接地電極３０を固定する。次に、接地電極３０を屈曲して、点火プラグを完成させる。なお、絶縁体１０に主体金具５０を組み付けるよりも前に、接地電極３０が主体金具５０に固定されてもよい。

Ｂ．評価試験：
Ｂ−１．概要
点火プラグの複数種類のサンプルを用いた評価試験について説明する。図４に示す表は、サンプルの種類の番号と、各サンプルのそれぞれの構成と、評価試験の結果と、を示している。この評価試験では、Ａ１番からＡ２５番と、Ｂ１番からＢ７番と、の３２種類のサンプルが評価された。後述する複数のパラメータと複数の試験結果との関係を特定するために、同じ条件下で製造された複数のサンプルが、同じ種類のサンプルとして用いられた。

サンプルの構成としては、複合部２００の構成と、プラグの構成と、が示されている。複合部２００の構成としては、磁性領域８３０の構成と、導電領域８２０の構成と、支持領域８１０の構成と、複合部２００の長さＬ１、外長Ｌ２と、が示されている。磁性領域８３０の構成としては、磁性領域８３０の組成と、最大径の平均Ｄｃ（平均最大径Ｄｃとも呼ぶ）と、気孔率Ｒ１と、面積Ｓと、が示されている（詳細は、後述）。導電領域８２０の構成としては、導電領域８２０に含まれる導電性物質と、平均厚Ｔと、が示されている。支持領域８１０の構成としては、支持領域８１０のガラスに含まれる元素（Ｓｉ、Ｂ、Ｐのいずれかと、アルカリ金属とアルカリ土類金属とのいずれかに分類される元素）と、気孔率Ｒ２と、が示されている（詳細は、後述）。評価試験の結果としては、耐久試験前の電波ノイズ強度（試験前ノイズ強度とも呼ぶ）と、耐久試験後の電波ノイズ強度（試験後ノイズ強度とも呼ぶ）と、が示されている。以下、表に示す上記の各項目について、順に説明する。

磁性領域８３０の組成（ここでは、フェライトの焼結体の組成）は、サンプルの磁性領域８３０のフェライトの材料の組成を示している。図４の表に示すように、種々のフェライトが用いられた（詳細は後述）。なお、磁性領域８３０の組成は、微小Ｘ線回折法などの分析によって、特定されてもよい。

平均最大径Ｄｃは、複合部２００の断面における磁性粒領域８３５（図２）の最大径の平均である（図４の表での単位は、ｍｍ）。平均最大径の算出方法は、以下の通りである。まず、複合部２００の断面を、鏡面研磨し、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で撮影することによって、図２で説明した第１矩形領域８００の断面画像を取得した（第１断面画像とも呼ぶ）。ここで、加速電圧は１５ｋＶに設定された。第１断面画像を、磁性粒領域８３５と他の領域とを分離できるように調整された閾値を用いて２値化して、第１断面画像上の複数の磁性粒領域８３５を特定した。特定された各磁性粒領域８３５の最大径を測定した。最大径は、磁性粒領域８３５（フェライト焼結体）の外径が最大となるように長辺を設定したときの、長辺の長さ（すなわち、最大の外径）である。換言すれば、最大径は、断面上で磁性粒領域８３５の外径をあらゆる方向で測定したときの最大値である。そして、対象領域８００に含まれる複数の粒領域８３５のそれぞれの最大径の平均を、平均最大径Ｄｃとして算出した。なお、平均最大径Ｄｃの算出には、第１矩形領域８００に全体が含まれる磁性粒領域８３５が用いられた。磁性粒領域８３５の一部が第１矩形領域８００の外に位置する場合、その磁性粒領域８３５は、平均最大径Ｄｃの算出には用いられなかった。

気孔率Ｒ１は、図２の複合部２００の断面における複数の磁性粒領域８３５（すなわち、磁性領域８３０）の内部の気孔率である（図４の表での単位は、％）。気孔率Ｒ１は、磁性粒領域８３５の面積（気孔８３２の面積を含む）に対する気孔８３２の面積の割合である。磁性粒領域８３５の面積は、２値化されたＳＥＭ画像を用いて特定された磁性粒領域８３５の面積を算出することによって、特定された。気孔８３２の面積については、以下の通りである。まず、ＳＥＭ画像の２値化の閾値を、気孔８３２と他の領域とを分離できるように調整することによって、ＳＥＭ画像上の気孔８３２の領域を特定した。そして、特定された気孔８３２の領域の面積を算出した。算出された面積を用いて、気孔率Ｒ１を算出した。なお、気孔率Ｒ１の算出には、以下に説明する第２矩形領域の断面画像が用いられた。第２矩形領域は、軸線ＣＬに平行な方向の長さが２００μｍであり、軸線ＣＬに垂直な方向の長さが２００μｍである特定の矩形状（ここでは、正方形）の領域である（図示省略）。図２の上段の右部の断面に示された矩形領域９２０は、第２矩形領域の例である。第２矩形領域は、図２で説明した第１矩形領域８００内から選択された。また、第２矩形領域は、磁性粒領域８３５の断面を含むように、決定された。第２矩形領域の断面画像を取得する際には、電子顕微鏡の設定は、視野領域がおおよそ第２矩形領域となるように、調整された。気孔率Ｒ１を算出するにあたり、断面上の複数の磁性粒領域８３５から第２矩形領域内に磁性粒領域８３５の少なくとも一部が含まれるような磁性粒領域８３５を選択した。そして、選択された１以上の磁性粒領域８３５の第２矩形領域内での気孔率の平均値を算出した。本評価試験では、互いに異なる１０個の第２矩形領域のそれぞれに関して、気孔率の平均値が算出された。そして、１０個の第２矩形領域から得られる気孔率の１０個の平均値の平均値を、気孔率Ｒ１として採用した。

面積Ｓは、図２の対象領域８００内における複数の磁性粒領域８３５の総面積（すなわち、磁性領域８３０の総面積）である（図４の表での単位は、ｃｍ^２）。この総面積（すなわち、面積Ｓ）の算出には、全体が対象領域８００内に位置するような磁性粒領域８３５に加えて、一部分が対象領域８００の外に位置するような磁性粒領域８３５も、用いられた。

導電領域８２０の導電性物質は、サンプルの導電領域８２０の材料に含まれる導電性物質を示している。図４の表に示すように、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）から選択された１種または２種の物質が、用いられた。

導電領域８２０の平均厚Ｔは、断面９００上の対象領域８００における被覆領域８２５の厚さ（すなわち、導電領域８２０の厚さ）の平均値である。図２の中段の右部には、１個の複合粒領域８４０ａを含む断面の拡大図が示されている。複合粒領域８４０ａは、磁性粒領域８３５ａと、磁性粒領域８３５ａを被覆する被覆領域８２５ａ（すなわち、導電領域８２０の一部）と、で構成されている。この被覆領域８２５ａは、右下の複合粒領域８４０ｂの被覆領域８２５ｂと接触しており、また、上の複合粒領域８４０ｃの被覆領域８２５ｃと接触している。２つの複合粒領域の被覆領域が接触する場合、２つの接触領域の境界線が不明瞭である場合がある。このような場合には、境界線を、以下のように特定可能である。複合粒領域８４０ａの右下に位置する被覆領域８２５ａ、８２５ｂの接触部分は、支持領域８１０の互いに対向する２つの突出部８１１、８１２によって挟まれている。この２つの突出部８１１、８１２を接続する最短の直線ＢＬ１を、境界線として採用する。同様に、複合粒領域８４０ａの上に位置する被覆領域８２５ａ、８２５ｂの接触部分は、支持領域８１０の互いに対向する２つの突出部８１３、８１４によって挟まれている。この２つの突出部８１３、８１４を接続する最短の直線ＢＬ２を、境界線として採用する。一般的には、２つの複合粒領域８４０の被覆領域８２５が接触する場合、接触部分を形成する支持領域８１０の括れた部分を結ぶ最短の直線が、境界線として用いられる。この境界線が、複合粒領域８４０（すなわち、被覆領域８２５）の輪郭の一部として用いられる。

図２の下段には、１つの複合粒領域８４０ａからの導電領域８２０の厚さの算出の説明図が示されている。下段の左部に示された円８５１は、磁性粒領域８３５ａの面積と同じ面積を有する仮想円である。図中の直径Ｄ１は、この仮想円８５１の直径である。この直径Ｄ１は、磁性粒領域８３５ａを円で近似して得られる直径である（「近似径Ｄ１」とも呼ぶ）。図２の下段の右部に示された円８５２は、複合粒領域８４０ａの面積（すなわち、被覆領域８２５ａの外周側の輪郭によって囲まれる領域の面積）と同じ面積を有する仮想円である。この仮想円８５２の面積は、磁性粒領域８３５ａの面積と被覆領域８２５ａの面積との合計値と同じである。図中の直径Ｄ２は、この仮想円８５２の直径である。この直径Ｄ２は、複合粒領域８４０ａを円で近似して得られる直径である（「近似径Ｄ２」とも呼ぶ）。複合粒領域８４０ａの導電領域８２０（ここでは、被覆領域８２５ａ）の厚さＴａは、（Ｄ２−Ｄ１）／２で算出される。

以上のように、１個の複合粒領域８４０の被覆領域８２５の厚さ（すなわち、導電領域８２０の厚さ）は、複合粒領域８４０を近似する仮想円の直径（例えば、仮想円８５２の直径Ｄ２）と、磁性粒領域８３５を近似する仮想円の直径（例えば、仮想円８５１の直径Ｄ１）と、を用いて算出される。平均厚Ｔは、対象領域８００に含まれる複数の複合粒領域８４０の導電領域８２０の厚さの平均である。なお、平均厚Ｔの算出には、対象領域８００に全体が含まれる複合粒領域８４０が用いられた。複合粒領域８４０の一部が対象領域８００の外に位置する場合、その複合粒領域８４０は、平均厚Ｔの算出には用いられなかった。また、複合粒領域８４０が他の複合粒領域８４０と接触する場合、接触部分を形成する支持領域８１０の括れた部分を結ぶ最短の直線が、境界線として用いられた。

支持領域８１０のガラスに含まれる元素は、サンプル（特に、Ａ１１番からＡ２５番のサンプル）の支持領域８１０の材料のうちガラスの材料に含まれる元素を示している。図４の表では、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）のいずれかと、アルカリ金属とアルカリ土類金属とのいずれかに分類される元素と、が示されている。アルカリ金属とアルカリ土類金属とのいずれかに分類される元素としては、Ｎａ、Ｃａ、Ｋ、Ｍｇから選択された１種、２種、または、３種の元素が含まれ得る。

複合部２００の気孔率Ｒ２は、支持領域８１０（例えば、フェライトとガラスの混合物）における気孔率である。気孔率Ｒ２は、図２の複合部２００の断面における、支持領域８１０の面積（気孔の面積を含む）に対する支持領域８１０内の気孔の面積の割合である。本評価試験では、ＳＥＭ画像の２値化の閾値を、支持領域８１０と他の領域とを分離できるように調整して、ＳＥＭ画像上の支持領域８１０を特定し、支持領域８１０の面積を算出した。また、ＳＥＭ画像の２値化の閾値を、支持領域８１０内の気孔と気孔以外の領域とを分離できるように調整することによって、ＳＥＭ画像上の気孔の領域を特定し、気孔の領域の面積を算出した。そして、算出された面積を用いて、気孔率Ｒ２を算出した。なお、気孔率Ｒ２の算出には、上述した第２矩形領域と同じ矩形状の領域である第３矩形領域の断面画像が用いられた。図２の上段の右部の断面に示された矩形領域９３０は、第３矩形領域の例である。第３矩形領域は、図２で説明した第１矩形領域８００内から選択された。また、第３矩形領域は、支持領域８１０の断面を含むように、決定された。第３矩形領域の断面画像を取得する際には、電子顕微鏡の設定は、視野領域がおおよそ第３矩形領域となるように、調整された。本評価試験では、互いに異なる１０個の第３矩形領域のそれぞれに関して、支持領域８１０の面積（気孔の面積を含む）に対する支持領域８１０内の気孔の面積の割合が算出された。そして、１０個の第３矩形領域から得られる１０個の割合の平均値を、気孔率Ｒ２として採用した。

複合部２００の長さＬ１と外長Ｌ２とは、図３で説明した長さＬ１と外長Ｌ２とである。

プラグの構成としては、複合部２００を挟むシール部７４、７６の有無と、抵抗体７３の有無と、が示されている。図４の表の「シール」の欄では、シール部７４、７６を有するサンプルに関しては、「Ａ」が示されている。本評価試験では、全てのサンプルが、シール部７４、７６を有している。「抵抗体」の欄では、抵抗体７３を有するサンプルに関しては、「Ａ」が示されて、抵抗体７３と第１シール部７２とが省略されたサンプルに関しては、「−」が示されている。抵抗体７３が省略された場合、複合部２００と中心電極２０との間には、第２シール部７４が設けられ、第２シール部７４が、中心電極２０と複合部２００とを接続する。

電波ノイズ強度は、ＪＡＳＯ Ｄ００２−２（日本自動車技術会伝送規格Ｄ−００２−２）の「自動車−電波雑音特性−第２部：防止器の測定方法 電流法」に従って測定された。具体的には、スパークプラグのサンプルに電圧を印加して放電させた。そして、放電時に、電流プローブを用いて端子金具を流れる電流を測定し、測定された値を、比較のためにｄＢに換算した。ノイズとしては、５０ＭＨｚ、７５ＭＨｚの２種類の周波数のノイズが測定された。表中の強度は、所定の基準に対するノイズの強度を示している。数値が大きいほど、ノイズが強い。

耐久試験は、摂氏３５０度の環境下で、２０ｋＶの放電電圧で、３６００回／分の放電周期で、スパークプラグのサンプルに１００時間放電させる試験である。このような耐久試験によって複合部２００の劣化が進行し得る。複合部２００の劣化が進行することによって、耐久試験後のノイズが、耐久試験前のノイズよりも、強くなり得る。

Ｂ−２．磁性領域８３０の組成（フェライトの焼結体の組成）について：
図４の表に示すように、Ａ１番からＡ２５番のそれぞれの磁性領域８３０のフェライトの焼結体は、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａの少なくとも１つを含んでいた。また、Ａ１番からＡ２５番に関して、試験前ノイズ強度は、８３ｄＢ（５０ＭＨｚ）、７６ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であり、試験後ノイズ強度は、８７ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８２ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であった。一方、Ｂ１番のサンプルの磁性領域８３０のフェライトの焼結体は、ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９であり、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａのいずれも含んでいない。そして、Ｂ１番のサンプルに関しては、試験前ノイズ強度は、８９ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８５ｄＢ（７５ＭＨｚ）であり、試験後ノイズ強度は、９３ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９１ｄＢ（７５ＭＨｚ）であった。このように、Ａ１番からＡ２５番の試験前ノイズ強度は、Ｂ１番の試験前ノイズ強度と比べて、６ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。さらに、Ａ１番からＡ２５番の試験後ノイズ強度は、Ｂ１番の試験後ノイズ強度と比べて、６ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａの少なくとも１つを含むフェライトを用いて複合部２００を形成することによって、ノイズ強度を大幅に改善でき、そして、耐久性を大幅に改善できた。

Ｂ−３．フェライト焼結体の平均最大径Ｄｃについて：
Ａ１番からＡ５番の平均最大径Ｄｃは、０．７５ｍｍ以上、１．４５ｍｍ以下の範囲内であった。一方、Ｂ２番の平均最大径Ｄｃは、Ａ１番からＡ５番の平均最大径Ｄｃの最小値（０．７５ｍｍ）よりも小さい０．７２ｍｍであった。そして、Ｂ２番に関しては、試験前ノイズ強度は、９０ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８４ｄＢ（７５ＭＨｚ）であり、試験後ノイズ強度は、９４ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９０ｄＢ（７５ＭＨｚ）であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ１番からＡ５番のノイズ強度は、Ｂ２番のノイズ強度と比べて、７ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、平均最大径Ｄｃが大きい場合にノイズ強度を低減できる理由は、平均最大径Ｄｃが過度に小さい場合と比べて、複合部２００における導電領域８２０の割合が小さくなることによって、導電領域８２０を流れる高周波電流の電流密度が高くなり、高周波電流に対する損失が大きくなるからだと推定される。

Ｂ３番の平均最大径Ｄｃは、Ａ１番からＡ５番の平均最大径Ｄｃの最大値（１．４５ｍｍ）よりも大きい１．４８ｍｍであった。そして、Ｂ３番に関しては、試験前ノイズ強度は、９１ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８４ｄＢ（７５ＭＨｚ）であり、試験後ノイズ強度は、９５ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９０ｄＢ（７５ＭＨｚ）であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ１番からＡ５番のノイズ強度は、Ｂ３番のノイズ強度と比べて、８ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、平均最大径Ｄｃが小さい場合にノイズ強度を低減できる理由は、平均最大径Ｄｃが過度に大きい場合と比べて、磁性体の近くを通る多数の細かい導電経路が形成されるので、高周波電流に対する損失が大きくなるからだと推定される。

ノイズを適切に抑制したＡ１番からＡ５番の平均最大径Ｄｃは、小さい順に、０．７５、０．８８、１．０３、１．１２、１．４５［ｍｍ］であった。平均最大径Ｄｃの好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）を、上記の５個の値を用いて定めることが可能である。具体的には、上記の５個の値のうちの任意の値を、平均最大径Ｄｃの好ましい範囲の下限として採用可能である。また、これらの値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、平均最大径Ｄｃの好ましい範囲として、０．７５ｍｍ以上、１．４５ｍｍ以下の範囲を採用可能である。

Ｂ−４．フェライト焼結体の気孔率Ｒ１について：
ノイズを適切に抑制したＡ１番からＡ５番の気孔率Ｒ１は、２．０％以上、７．０％以下の範囲内であった。一方、Ｂ４番の気孔率Ｒ１は、Ａ１番からＡ５番の気孔率Ｒ１の最小値（２．０％）よりも小さい１．９％であった。また、Ｂ４番に関しては、試験前ノイズ強度は、９０ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８５ｄＢ（７５ＭＨｚ）であり、試験後ノイズ強度は、９４ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９１ｄＢ（７５ＭＨｚ）であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ１番からＡ５番のノイズ強度は、Ｂ４番のノイズ強度と比べて、７ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。なお、気孔率Ｒ１を過度に小さくする場合（例えば、気孔率Ｒ１を１．５％未満にする場合）、焼結体を製造するための負担（ひいては、コスト）が増大し得る。

Ｂ５番の気孔率Ｒ１は、Ａ１番からＡ５番の気孔率Ｒ１の最大値（７．０％）よりも大きい７．２％であった。そして、Ｂ５番に関しては、試験前ノイズ強度は、９２ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８７ｄＢ（７５ＭＨｚ）であり、試験後ノイズ強度は、９６ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９３ｄＢ（７５ＭＨｚ）であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ１番からＡ５番のノイズ強度は、Ｂ５番の同じ周波数のノイズ強度と比べて、９ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、気孔率Ｒ１が小さい場合に耐久試験前のノイズ強度に加えて耐久試験後のノイズ強度も抑制できる理由は、以下のように推定される。すなわち、気孔率Ｒ１が小さい場合には、気孔内での部分放電が抑制されるので、磁性領域８３０の耐久性が向上すると推定される。また、気孔内での部分放電が抑制されるので、その分、導電領域８２０を流れる電流が大きくなり、この結果、高周波電流に対する損失が大きくなると推定される。また、気孔率Ｒ１が小さい場合には、磁性領域８３０の内部において高周波電流を抑制する磁性体とは異なる気孔８３２の割合が小さいので、高周波電流を抑制できると推定される。

ノイズを適切に抑制したＡ１番からＡ５番の気孔率Ｒ１は、小さい順に、２．０、３．３、４．８、５．２、７．０［％］であった。気孔率Ｒ１の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）を、上記の５個の値を用いて定めることが可能である。具体的には、上記の５個の値のうちの任意の値を、気孔率Ｒ１の好ましい範囲の下限として採用可能である。また、これらの値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、気孔率Ｒ１の好ましい範囲として、２．０％以上、７．０％以下の範囲を採用可能である。

Ｂ−５．フェライト焼結体の面積Ｓについて：
ノイズを適切に抑制したＡ１番からＡ５番の面積Ｓは、０．０３ｃｍ^２以上、０．０７ｃｍ^２以下の範囲内であった。一方、Ｂ６番の面積Ｓは、Ａ１番からＡ５番の面積Ｓの最小値（０．０３ｃｍ^２）よりも小さい０．０２ｃｍ^２であった。また、Ｂ６番に関しては、試験前ノイズ強度は、９１ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９６ｄＢ（７５ＭＨｚ）であり、試験後ノイズ強度は、９５ｄＢ（５０ＭＨｚ）、１０２ｄＢ（７５ＭＨｚ）であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ１番からＡ５番のノイズ強度は、Ｂ６番のノイズ強度と比べて、８ｄＢ（５０ＭＨｚ）、２０ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、磁性領域８３０の面積Ｓが大きい場合にノイズ強度を低減できる理由は、複合部２００における磁性領域８３０の割合が大きくなることによって、導電領域８２０を流れる高周波電流に対するインダクタンス素子としての効果が大きくなり、高周波電流が抑制されるからだと推定される。

Ｂ７番の面積Ｓは、Ａ１番からＡ５番の面積Ｓの最大値（０．０７ｃｍ^２）よりも大きい０．０８ｃｍ^２であった。Ｂ７番に関しては、試験前ノイズ強度は、８９ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８５ｄＢ（７５ＭＨｚ）であり、試験後ノイズ強度は、９３ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９１ｄＢ（７５ＭＨｚ）であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ１番からＡ５番のノイズ強度は、Ｂ７番のノイズ強度と比べて、６ｄＢ（５０ＭＨｚ）、９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、面積Ｓが小さい場合にノイズ強度を低減できる理由は、面積Ｓが過度に大きい場合と比べて、面積Ｓが小さい場合には、電流密度が高くなり、この結果、高周波電流に対する損失が大きくなるからだと推定される。

ノイズを適切に抑制したＡ１番からＡ５番の面積Ｓは、小さい順に、０．０３、０．０４、０．０５、０．０７［ｃｍ^２］であった。面積Ｓの好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）を、上記の５個の値を用いて定めることが可能である。具体的には、上記の５個の値のうちの任意の値を、面積Ｓの好ましい範囲の下限として採用可能である。また、これらの値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、面積Ｓの好ましい範囲として、０．０３ｃｍ^２以上、０．０７ｃｍ^２以下の範囲を採用可能である。

なお、Ｂ１番からＢ７番のフェライトの組成と平均最大径Ｄｃと気孔率Ｒ１と面積Ｓとのうち、Ａ１番からＡ５番と対比されたパラメータ以外のパラメータは、上記の好ましい範囲内である。例えば、Ｂ２番の平均最大径Ｄｃは、上記の好ましい範囲外であるが、フェライトの組成と気孔率Ｒ１と面積Ｓとは、上記の好ましい範囲内である。従って、フェライトの組成と、平均最大径Ｄｃと、気孔率Ｒ１と、面積Ｓと、の全てが、上記の好ましい範囲内であることによって、ノイズ強度を大幅に低減できると推定される。

Ｂ−６．導電領域８２０の導電性物質と平均厚Ｔとについて：
図４の表に示すように、Ａ１番からＡ５番のそれぞれの導電領域８２０の導電性物質は、金（Ａｕ）であり、平均厚Ｔは、０．３μｍであった。また、Ａ１番からＡ５番に関して、試験前ノイズ強度の最小値は、８１ｄＢ（５０ＭＨｚ）、７５ｄＢ（７５ＭＨｚ）であり、試験後ノイズ強度の最小値は、８５ｄＢ（５０ＭＨｚ）、８１ｄＢ（７５ＭＨｚ）であった。一方、Ａ６番からＡ１０番の導電性物質は、番号の順に、「Ｎｉ，Ｐ」、「Ｎｉ、Ｂ」、「Ｃｕ」、「Ａｇ」、「Ｎｉ，Ｂ」であった。Ａ６番からＡ１０番の平均厚Ｔは、０．５μｍ以上、７．５μｍ以下の範囲内であった。そして、Ａ６番からＡ１０番に関しては、試験前ノイズ強度は、７９ｄＢ（５０ＭＨｚ）、７３ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であり、試験後ノイズ強度は、８３ｄＢ（５０ＭＨｚ）、７９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ６番からＡ１０番のノイズ強度は、Ａ１番からＡ５番のノイズ強度と比べて、２ｄＢ（５０ＭＨｚ）、２ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。

より良好なノイズ強度を実現したＡ６番からＡ１０番の導電性物質は、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｇの少なくとも１つを含んでいる。このような導電性物質を用いる場合に耐久試験前のノイズ強度に加えて耐久試験後のノイズ強度も抑制できる理由は、導電領域８２０と磁性領域８３０との密着性が向上し、通電による導電領域８２０の損傷（例えば、磁性領域８３０からの導電領域８２０の剥離）が抑制されるからだと推定される。

また、より良好なノイズ強度を実現したＡ６番からＡ１０番の平均厚Ｔは、Ａ１番からＡ５番の平均厚Ｔよりも大きい。このように、平均厚Ｔが大きい場合に耐久試験前のノイズ強度に加えて耐久試験後のノイズ強度も抑制できる理由は、平均厚Ｔが過度に小さい場合と比べて、通電による導電領域８２０の損傷（例えば、磁性領域８３０からの導電領域８２０の剥離）が抑制されるからだと推定される。

なお、より良好なノイズ強度を実現したＡ６番からＡ１０番の平均厚Ｔは、小さい順に、０．５、１．８、４．５、６．２、７．５［μｍ］であった。平均厚Ｔの好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）を、上記の５個の値を用いて定めることが可能である。具体的には、上記の５個の値のうちの任意の値を、平均厚Ｔの好ましい範囲の下限として採用可能である。また、これらの値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、平均厚Ｔの好ましい範囲として、０．５μｍ以上、７．５μｍ以下の範囲を採用可能である。なお、平均厚Ｔが過度に小さい場合には、複合部２００の耐久性が低下すると推定される。また、平均厚Ｔが過度に大きい場合には、導電領域８２０の高価な材料の量が多くなる。

なお、Ａ６番からＡ１０番の磁性領域８３０の構成、具体的には、フェライト焼結体の組成と平均最大径Ｄｃと気孔率Ｒ１と面積Ｓとのそれぞれは、Ａ１番からＡ５番を用いて説明した上記の好ましい範囲内であった。このように、磁性領域８３０の上記の好ましい構成に、導電領域８２０の上記の好ましい構成（具体的には、導電物質と、平均厚Ｔ）を適用することによって、さらに良好なノイズ強度を実現できた。

Ｂ−７．複合部２００の長さＬ１について：
図４の表に示すように、Ａ１１番からＡ１４番のそれぞれの長さＬ１は、３．０ｍｍ以上であった。また、Ａ１１番からＡ１４番に関しては、試験前ノイズ強度は、７２ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であり、試験後ノイズ強度は、７６ｄＢ（５０ＭＨｚ）、７５ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であった。一方、Ａ１番からＡ１０番のそれぞれの長さＬ１は、２．９ｍｍ以下であった。そして、Ａ１番からＡ１０番に関しては、試験前ノイズ強度は、７７ｄＢ（５０ＭＨｚ）、７１ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上であり、試験後ノイズ強度は、８１ｄＢ（５０ＭＨｚ）、７７ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ１１番からＡ１４番のノイズ強度は、Ａ１番からＡ１０番のノイズ強度と比べて、５ｄＢ（５０ＭＨｚ）、２ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。複合部２００長さＬ１が長い場合にノイズ強度を低減できる理由は、長さＬ１が長いほど、複合部２００によるノイズ抑制の効果が大きいからだと推定される。

より良好なノイズ強度を実現したＡ１１番からＡ１４番の複合部２００の長さＬ１は、小さい順に、３．０、３．９、７．９、８．８［ｍｍ］であった。長さＬ１の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）を、上記の４個の値を用いて定めることが可能である。具体的には、上記の４個の値のうちの任意の値を、長さＬ１の好ましい範囲の下限として採用可能である。例えば、長さＬ１は、３．０ｍｍ以上であってよい。また、これらの値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、長さＬ１は、８．８ｍｍ以下であってよい。なお、複合部２００の長さＬ１が長いほど、複合部２００によるノイズ抑制の効果が大きくなると推定される。従って、複合部２００の長さＬ１が、Ａ１１番からＡ１４番の長さＬ１の最大値である８．８ｍｍよりも大きい場合にも、適切にノイズを低減できると推定される。

なお、Ａ１１番からＡ１４番の磁性領域８３０の構成と導電領域８２０の構成、具体的には、フェライト焼結体の組成と平均最大径Ｄｃと気孔率Ｒ１と面積Ｓと、導電領域８２０の導電物質と平均厚Ｔと、のそれぞれは、Ａ１番からＡ１０番を用いて説明した上記の好ましい範囲内であった。このように、磁性領域８３０と導電領域８２０との上記の好ましい構成に、複合部２００の長さＬ１の上記の好ましい範囲を適用することによって、さらに良好なノイズ強度を実現できた。なお、複合部２００の内部の構成に依存せずに、複合部２００の長さＬ１が長いほど、複合部２００によるノイズ低減の効果が大きいと推定される。従って、長さＬ１の好ましい範囲は、磁性領域８３０と導電領域８２０との種々の構成に適用できると推定される。例えば、導電領域８２０の構成が、Ａ６番からＡ１０番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。

Ｂ−８．支持領域８１０の気孔率Ｒ２について：
図４の表に示すように、Ａ１５番からＡ１９番のそれぞれの気孔率Ｒ２は、１．５％以上、４．５％以下の範囲内であった。また、Ａ１５番からＡ１９番に関しては、試験前ノイズ強度は、６７ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６３ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であり、試験後ノイズ強度は、７１ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であった。一方、Ａ１番からＡ１４番のそれぞれの気孔率Ｒ２は、４．８％以上であった。そして、Ａ１番からＡ１４番に関しては、試験前ノイズ強度は、７１ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６８ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上であり、試験後ノイズ強度は、７５ｄＢ（５０ＭＨｚ）、７４ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ１５番からＡ１９番のノイズ強度は、Ａ１番からＡ１４番のノイズ強度と比べて、４ｄＢ（５０ＭＨｚ）、５ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、気孔率Ｒ２が小さい場合に耐久試験前のノイズ強度に加えて耐久試験後のノイズ強度も抑制できる理由は、気孔内での部分放電が抑制され、そして、支持領域８１０の耐久性が向上するからだと推定される。

より良好なノイズ強度を実現したＡ１５番からＡ１９番の支持領域８１０の気孔率Ｒ２は、小さい順に、１．５、１．８、２．７、３．３、４．５［％］であった。気孔率Ｒ２の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）を、上記の５個の値を用いて定めることが可能である。具体的には、上記の５個の値のうちの任意の値を、気孔率Ｒ２の好ましい範囲の上限として採用可能である。例えば、気孔率Ｒ２は、４．５％以下であってよい。また、これらの値のうちの上限以下の任意の値を、下限として採用可能である。例えば、気孔率Ｒ２は、１．５％以上であってよい。なお、気孔率Ｒ２が小さいほど、部分放電が抑制され、また、部分放電による支持領域８１０の劣化を抑制できる。従って、気孔率Ｒ２が、Ａ１５番からＡ１９番の気孔率Ｒ２の最小値である１．５％よりも小さい場合も、適切にノイズを低減でき、そして、耐久性を向上できると推定される。

なお、Ａ１５番からＡ１９番の磁性領域８３０の構成と導電領域８２０の構成と複合部２００の長さＬ１と、のそれぞれは、Ａ１番からＡ１４番を用いて説明した上記の好ましい範囲内であった。このように、磁性領域８３０と導電領域８２０と長さＬ１との上記の好ましい構成に、支持領域８１０の気孔率Ｒ２の上記の好ましい範囲を適用することによって、さらに良好なノイズ強度を実現できた。なお、支持領域８１０の気孔率Ｒ２が上記の好ましい範囲内である場合には、気孔率Ｒ２以外の複合部２００のパラメータ（例えば、磁性領域８３０の構成、導電領域８２０の構成、複合部２００の長さＬ１）に依存せずに、支持領域８１０の気孔での部分放電を抑制できると推定される。従って、気孔率Ｒ２の好ましい範囲は、複合部２００の種々の構成に適用できると推定される。例えば、導電領域８２０の構成が、Ａ６番からＡ１０番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。また、複合部２００の長さＬ１が、Ａ１１番からＡ１４番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。

Ｂ−９．複合部２００の外長Ｌ２について：
図４の表に示すように、Ａ２０番からＡ２２番のそれぞれの外長Ｌ２は、１．５ｍｍ以上であった。また、Ａ２０番からＡ２２番に関しては、試験前ノイズ強度は、６３ｄＢ（５０ＭＨｚ）、５９ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であり、試験後ノイズ強度は、６７ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６５ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であった。一方、Ａ１番からＡ１９番のそれぞれの外長Ｌ２は、１．２ｍｍ以下であった。そして、Ａ１番からＡ１９番に関しては、試験前ノイズ強度は、６５ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６２ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上であり、試験後ノイズ強度は、６９ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６８ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ２０番からＡ２２番のノイズ強度は、Ａ１番からＡ１９番のノイズ強度と比べて、２ｄＢ（５０ＭＨｚ）、３ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、外長Ｌ２が大きい場合にノイズ強度を抑制できる理由は、外長Ｌ２が大きいほど、複合部２００のうちのノイズ抑制の効果が大きい部分（すなわち、主体金具５０（図３）の後端５０ｅよりも後方向Ｄｆｒ側の部分）が、大きいからである。

より良好なノイズ強度を実現したＡ２０番からＡ２２番の複合部２００の外長Ｌ２は、小さい順に、１．５、２．６、３．３［ｍｍ］であった。外長Ｌ２の好ましい範囲（下限以上、上限以下の範囲）を、上記の３個の値を用いて定めることが可能である。具体的には、上記の３個の値のうちの任意の値を、外長Ｌ２の好ましい範囲の下限として採用可能である。例えば、外長Ｌ２は、１．５ｍｍ以上であってよい。すなわち、複合部２００は、主体金具５０（図３）に囲まれた部分から、主体金具５０の５０ｅから後方向Ｄｆｒ側に１．５ｍｍ以上離れた位置まで、延びていてよい。また、これらの値のうちの下限以上の任意の値を、上限として採用可能である。例えば、外長Ｌ２は、３．３ｍｍ以下であってよい。なお、複合部２００の外長Ｌ２が長いほど、複合部２００によるノイズ低減の効果が大きくなると推定される。従って、複合部２００の外長Ｌ２が、Ａ２０番からＡ２２番の外長Ｌ２の最大値である３．３ｍｍよりも大きい場合にも、適切にノイズを低減できると推定される。

なお、Ａ２０番からＡ２２番の磁性領域８３０の構成と導電領域８２０の構成と複合部２００の長さＬ１と気孔率Ｒ２と、のそれぞれは、Ａ１番からＡ１９番を用いて説明した上記の好ましい範囲内であった。このように、磁性領域８３０と導電領域８２０と長さＬ１と気孔率Ｒ２との上記の好ましい構成に、複合部２００の外長Ｌ２の上記の好ましい範囲を適用することによって、さらに良好なノイズ強度を実現できた。なお、複合部２００の外長Ｌ２が上記の好ましい範囲内である場合には、外長Ｌ２以外の複合部２００のパラメータ（例えば、磁性領域８３０の構成、導電領域８２０の構成、複合部２００の長さＬ１、気孔率Ｒ２）に依存せずに、複合部２００のうちの主体金具５０の後端５０ｅよりも後方向Ｄｆｒ側の部分が、電波ノイズを適切に抑制できると推定される。従って、外長Ｌ２の好ましい範囲は、複合部２００の種々の構成に適用できると推定される。例えば、導電領域８２０の構成が、Ａ６番からＡ１０番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。また、複合部２００の長さＬ１が、Ａ１１番からＡ１４番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。また、支持領域８１０の気孔率Ｒ２が、Ａ１５番からＡ１９番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。

Ｂ−１０．抵抗体７３について：
図４の表に示すように、Ａ２３番からＡ２５番のサンプルは、抵抗体７３を備えている。また、Ａ２３番からＡ２５番に関しては、試験前ノイズ強度は、５６ｄＢ（５０ＭＨｚ）、５２ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であり、試験後ノイズ強度は、６０ｄＢ（５０ＭＨｚ）、５８ｄＢ（７５ＭＨｚ）以下であった。一方、Ａ１番からＡ２２番のサンプルは、抵抗体７３を備えていない。そして、Ａ１番からＡ２２番に関しては、試験前ノイズ強度は、６２ｄＢ（５０ＭＨｚ）、５８ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上であり、試験後ノイズ強度は、６６ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６４ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上であった。耐久試験の前と後との両方において、Ａ２３番からＡ２５番のノイズ強度は、Ａ１番からＡ２２番のノイズ強度と比べて、６ｄＢ（５０ＭＨｚ）、６ｄＢ（７５ＭＨｚ）以上改善された。このように、複合部２００と中心電極２０との間に抵抗体７３を設けることによって、ノイズ強度を大幅に低減できた。

なお、抵抗体７３は、複合部２００の構成（例えば、磁性領域８３０の構成、導電領域８２０の構成、複合部２００の長さＬ１、気孔率Ｒ２、外長Ｌ２）に依存せずに、高周波電流に損失を付与することによって、電波ノイズを抑制できると推定される。従って、抵抗体７３は、種々の構成の複合部２００を備える点火プラグに適用できると推定される。例えば、導電領域８２０の構成が、Ａ６番からＡ１０番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。また、複合部２００の長さＬ１が、Ａ１１番からＡ１４番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。また、支持領域８１０の気孔率Ｒ２が、Ａ１５番からＡ１９番を用いて説明した好ましい範囲外であってもよい。また、複合部２００の外長Ｌ２は、Ａ２０番からＡ２２番を用いて説明した範囲外であってもよい。

Ｂ−１１．支持領域８１０について：
図４の表に示す複数種類のサンプルのそれぞれの支持領域８１０（図２）は、フェライトとガラスとの混合物で形成されている。具体的には、フェライトとしては、磁性領域８３０（フェライト焼結体）のフェライトと同じ組成のフェライトが用いられた。また、ガラスとしては、例えば、シリコンＳｉとホウ素ＢとリンＰとのうちの少なくとも１種と、アルカリ金属とアルカリ土類金属とのいずれかに分類される１以上の元素と、を含むガラスが用いられた（図４の表には、Ａ１１番からＡ２５番のサンプルのガラスに含まれる元素が示されている）。支持領域８１０に含まれるガラスは、焼成時に溶融することによって、複数の複合粒子（すなわち、複数の複合粒領域８４０）の間の隙間を埋めることができる。これにより、複合部２００（特に、複合粒領域８４０以外の部分）に生じる気孔を小さくすることができる。この結果、気孔で生じる部分放電が抑制されるので、電波ノイズを抑制でき、そして、複合部２００の耐久性を向上できる。また、支持領域８１０に含まれるフェライトは、インダクタンス素子として機能することによって、電波ノイズを抑制できる。

なお、支持領域８１０に含まれるガラスとしては、複合部２００の焼成時に溶融可能な種々のガラスを採用可能である。支持領域８１０のガラスは、例えば、珪素（Ｓｉ）とリン（Ｐ）とホウ素（Ｂ）のうちの１種以上の元素の酸化物を含んでよい（例えば、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５から任意に選択された１つ以上の酸化物）。また、ガラスは、１種以上のアルカリ金属（すなわち、周期律表第１族元素）を含んでよい（特に、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）のうちの１種以上）。例えば、Ｓｉ、Ｐ、Ｂのうちの１種以上の元素の酸化物と、１種以上のアルカリ金属の酸化物と、を含むガラスを採用してよい。アルカリ金属の酸化物を含むガラスとしては、例えば、ホウケイ酸ガラスを採用してよい。また、ガラスは、１種以上のアルカリ土類金属（すなわち、周期律表第２族元素）を含んでよい（特に、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）のうちの１種以上）。例えば、Ｓｉ、Ｐ、Ｂのうちの１種以上の元素の酸化物と、１種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、を含むガラスを採用してよい。以上のようなガラスの材料としては、例えば、ＳｉＯ_２，Ｂ_２Ｏ_３，Ｐ_２Ｏ_５のうちの少なくとも１つと、Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，Ｒｂ_２Ｏ，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯのうちの少なくとも１つと、を含む材料を採用してよい。

また、ガラスは、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属の炭酸塩を含んでもよい。そのようなガラスの材料としては、例えば、ＳｉＯ_２，Ｂ_２Ｏ_３，Ｐ_２Ｏ_５のうちの少なくとも１つと、Ｌｉ_２ＣＯ_３，Ｎａ_２ＣＯ_３，Ｋ_２ＣＯ_３，Ｒｂ_２ＣＯ_３，ＭｇＣＯ_３，ＣａＣＯ_３，ＳｒＣＯ_３，ＢａＣＯ_３のうちの少なくとも１つと、を含む材料を採用してよい。

また、ガラスは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩と、の両方を含んでもよい。一般的には、支持領域８１０のガラスとしては、例えば、珪素（Ｓｉ）とリン（Ｐ）とホウ素（Ｂ）とアルカリ金属とアルカリ土類金属とのうちの２種以上を含むガラスを採用してよい。さらに、ガラスとしては、珪素（Ｓｉ）とリン（Ｐ）とホウ素（Ｂ）とのうちの少なくとも１つと、アルカリ金属とアルカリ土類金属とのうちの少なくとも１種と、を含むガラスを採用してよい。

また、支持領域８１０に含まれるフェライトとしては、インダクタンス素子として機能することが可能な種々の鉄含有酸化物を採用可能である。例えば、スピネルフェライト、ガーネットフェライト、六方晶フェライトのうちの少なくとも１種を採用してよい。また、支持領域８１０に含まれるフェライトは、磁性領域８３０に含まれるフェライトと同じであってもよく、磁性領域８３０に含まれるフェライトと異なっていてもよい。

Ｃ．変形例：
（１）複合部２００の磁性領域８３０を形成するフェライト焼結体の材料としては、種々の鉄含有酸化物を採用可能である。例えば、種々のスピネルフェライトを採用してよい。具体的には、図４の表のサンプルで用いられた「（Ｃａ，Ｚｎ）Ｆｅ_２Ｏ_４」、「（Ｍｇ，Ｚｎ）Ｆｅ_２Ｏ_４」、「（Ｍｎ，Ｚｎ）Ｆｅ_２Ｏ_４」、「（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｆｅ_２Ｏ_４」、「（Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｕ）Ｆｅ_２Ｏ_４」の少なくとも１種を採用してよい。より一般的には、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａの少なくとも１つを含む鉄含有酸化物を採用してよい。

（２）複合部２００の構成は、図４の評価試験で用いられたサンプルの構成に代えて、他の種々の構成であってよい。例えば、導電領域８２０は、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｇから任意に選択された１以上の元素を含んでよい。これに代えて、導電領域８２０は、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｇの何れをも含まずに、他の導電性物質（例えば、Ａｕ）を用いて形成されてもよい。また、支持領域８１０は、フェライトを含まずに、ガラスを用いて形成されてもよい。また、支持領域８１０は、ガラスに代えて、他の種々の絶縁材料（例えば、アルミナなどのセラミック）を用いて形成されてもよい。また、平均最大径Ｄｃと気孔率Ｒ１と面積Ｓと平均厚Ｔと気孔率Ｒ２と長さＬ１と外長Ｌ２とは、それぞれ、図４のサンプルの値に代えて、他の種々の値であってよい。ここで、平均厚Ｔ、気孔率Ｒ２、長さＬ１、外長Ｌ２の少なくとも１つが、上記の好ましい範囲外であってもよい。

（３）点火プラグの構成は、図１で説明した構成に代えて、他の種々の構成であってよい。例えば、複合部２００の全体が、主体金具５０の後端５０ｅよりも後方向Ｄｆｒ側に配置されていてもよい。また、中心電極の側面（軸線ＣＬに垂直な方向側の面）と、接地電極とが、放電用のギャップを形成してもよい。また、放電用のギャップの総数が２以上であってもよい。また、中心電極２０の全体が、絶縁体１０の貫通孔１２内に配置されてもよい。また、端子金具４０の全体が、絶縁体１０の貫通孔１２内に配置されてもよい。

以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。

８...先端側パッキン、１０...絶縁体、１０ｅ...後端、１０ｑ...開口（後開口）、１１...縮内径部、１２...貫通孔（軸孔）、１３...後端側胴部、１４...大径部、１５...先端側胴部、１６...縮外径部、１９...脚部、２０...中心電極、２１...外層、２２...芯部、２４...頭部、２７...軸部、２９...第１チップ、３０...接地電極、３１...外層、３２...内層、３３...基端部、３４...先端部、３７...本体部、３９...第２チップ、４０...端子金具、４１...軸部、４８...鍔部、４９...キャップ装着部、５０...主体金具、５０ｅ...後端、５１...工具係合部、５２...胴部、５３...カシメ部、５４...鍔部、５５...先端面、５６...縮内径部、５７...ネジ部、５８...座屈部、５９...貫通孔、６０...導電性シール部、６１...リング部材、７０...タルク、７２...第１シール部、７３...抵抗体、７４...第２シール部、７６...第３シール部、９０...ガスケット、１００...点火プラグ、２００...複合部、２１０...先端面、２１２...前基準部、２１９...第１部分、２２０...後端面、２２２...後基準部、２２９...第２部分、３００...接続部、８００...対象領域、８１０...支持領域、８２０...導電領域、８２５...被覆領域、８３０...磁性領域、８３２...気孔、８３５...磁性粒領域、８４０...複合粒領域、９００...断面、９５０...視野領域、ｇ...ギャップ、Ｓ...面積、Ｔ...平均厚、Ｄｍａｘ...最大径、Ｒ１...気孔率、Ｄ１...長径、Ｌ２...外長、Ｒ２...気孔率、Ｄ２...短径、ＣＧ...粒子、ＣＬ...中心軸（軸線）、Ｌａ...第１長、Ｄａ...粒径、Ｌｂ...第２長、Ｄｆ...先端方向（前方向）、Ｌｘ...幅、ＤＧ１...対角線、Ｄｆｒ...後端方向（後方向）

Claims (7)

1. 軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
   前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
   前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
   前記貫通孔内で、前記中心電極と前記端子金具とを電気的に接続する接続部と、
   を備える点火プラグであって、
   前記接続部は、フェライト焼結体の粒子と、導電物を含み前記フェライト焼結体の粒子を被覆する被覆層と、を含む複数の複合粒子を含む複合部を含み、
   前記フェライト焼結体は、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃａの少なくとも１つを含み、
   前記複合部の前記軸線を含む断面における、前記軸線に垂直な方向の長さが２ｍｍであり、前記軸線の方向の長さが５ｍｍである、前記軸線を中心とする矩形領域において、
   前記フェライト焼結体の複数の粒子のそれぞれの最大径の平均は、０．７５ｍｍ以上、１．４５ｍｍ以下であり、
   前記フェライト焼結体の前記複数の粒子の総面積は、０．０３ｃｍ^２以上、０．０７ｃｍ^２以下であり、
   前記複合部の前記軸線を含む断面における、前記軸線に垂直な方向の長さが２００μｍであり前記軸線の方向の長さが２００μｍである特定矩形状の領域において、前記フェライト焼結体の前記複数の粒子の内部の気孔率は、２．０％以上、７．０％以下である、
   点火プラグ。
2. 請求項１に記載の点火プラグであって、
   前記導電物は、Ｎｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃｕ、Ａｇの少なくとも１つを含み、
   前記被覆層の平均厚さは、０．５μｍ以上、７．５μｍ以下である、
   点火プラグ。
3. 請求項１または２に記載の点火プラグであって、
   前記複合部は、さらに、フェライトとガラスとの混合物を備え、
   前記ガラスは、Ｓｉ、Ｐ、Ｂ、アルカリ金属、アルカリ土類金属のうちの２種以上を含む、
   点火プラグ。
4. 請求項３に記載の点火プラグであって、
   前記断面における前記特定矩形状の領域において、前記混合物の気孔率は、１．５％以上、４．５％以下である、点火プラグ。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の点火プラグであって、
   前記複合部の前記軸線の方向の長さは、３ｍｍ以上である、
   点火プラグ。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の点火プラグであって、
   前記絶縁体の外周側に固定された主体金具を備え、
   前記複合部は、前記主体金具に囲まれた部分から、前記主体金具の後端から後端側に１．５ｍｍ以上離れた位置まで、延びている、
   点火プラグ。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の点火プラグであって、
   前記接続部は、
   前記中心電極と前記複合部との間に配置された抵抗体と、
   前記中心電極と前記抵抗体との間に配置され、前記中心電極と前記抵抗体とに接触する第１導電性シール部と、
   前記抵抗体と前記複合部との間に配置され、前記抵抗体と前記複合部とに接触する第２導電性シール部と、
   前記複合部と前記端子金具との間に配置され、前記複合部と前記端子金具とに接触する第３導電性シール部と、
   を含む、点火プラグ。

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