JPWO2015072554A1 - 液晶配向剤及びそれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

シール剤と液晶配向膜との接着性を高め、高温高湿条件下で液晶表示素子の額縁付近の表示ムラの発生を抑制できる液晶配向剤を提供する。（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び有機溶剤を含有する液晶配向剤。（Ａ）成分：式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種の重合体。（Ｂ）成分：ヒドロキシアルキルアミド基を有する化合物。［化１］(Ｘ１は独立して、４価の有機基；Ｙ１は２価の有機基；Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基；Ａ１、Ａ２は独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基又は炭素数２〜１０のアルキニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。)

Description

本発明は、液晶表示素子の製造において用いられる液晶配向剤、この液晶配向剤から得られる液晶配向膜及びこの液晶配向膜を使用した液晶表示素子に関するものである。

液晶表示素子は、軽量、薄型かつ低消費電力の表示デバイスとして知られている。近年では、急速にシェアを拡大してきた携帯電話やタブレット型端末向けの高精細液晶表示素子においても、高い表示品位が求められるほどの目覚ましい発展を遂げている。
液晶表示素子は、電極を備えた透明な一対の基板により液晶層を挟持して構成される。液晶表示素子では、液晶が基板間で所望の配向状態となるように、有機材料からなる有機膜が液晶配向膜として使用されている。すなわち、液晶配向膜は、液晶表示素子の構成部材であって、液晶を挟持する基板の液晶と接する面に形成され、その基板間で液晶を一定の方向に配向させるという役割を担っている。更には、液晶配向膜によって、液晶のプレチルト角を制御することができる。主にポリイミドの構造を選択することでプレチルト角を高くする方法（特許文献１参照）及び低くする方法（特許文献２参照）などが知られている。

日本特開平０９−２７８７２４号公報 日本特開平１０−１２３５３２号公報

近年、スマートフォンや携帯電話などのモバイル用途向けに、液晶表示素子が用いられている。これら用途では、できるだけ大きい表示面を確保するため、液晶表示素子の基板間を接着させるために用いるシール剤の幅を、従来に比べて狭くする、所謂狭額縁化が要求されている。かかるパネルの狭額縁化に伴って、液晶表示素子を作製する際に用いるシール剤の塗布位置が、液晶配向膜の端部に接した位置、あるいは液晶配向膜の上部に塗布されるようになるが、ポリイミドには極性基がなく、もしくは少ないため、シール剤と液晶配向膜表面で共有結合が形成されず、基板同士の接着が不十分となる問題点があった。 このような場合、特に高温高湿条件下での使用において、シール剤と液晶配向膜との間から水が混入しやすくなり、液晶表示素子の額縁付近に表示ムラが発生してしまうという問題が生じる。従って、ポリイミド系液晶配向膜とシール剤や基板との接着性（密着性）を向上させることが課題となる。上述のごとき液晶配向膜のシール剤や基板との接着性の改善は、液晶配向膜の有する、液晶配向性や電気特性を低下させずに達成されることが必要であり、さらにはこれらの特性を向上させることが要求される。
本発明の主目的は、液晶配向性や電気特性を低下することなく、液晶配向膜とシール剤や基板との密着性を向上させることができる液晶配向剤を提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の要旨は以下に示す通りである。
１．下記の（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び有機溶剤を含有することを特徴とする液晶配向剤。
（Ａ）成分：下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種類の重合体。
（Ｂ）成分：ヒドロキシアルキルアミド基を有する化合物。

（Ｘ_１は、４価の有機基であり、Ｙ_１は、２価の有機基である。Ｒ_１は、水素原子、又は炭素数１〜５のアルキル基である。Ａ_１及びＡ_２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、又は炭素数２〜１０のアルキニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。）

２．（Ｂ）成分がヒドロキシアルキルアミド基を２つ以上有する化合物である、上記１に記載の液晶配向剤。
３．（Ｂ）成分が(Ａ)成分に対して０．１〜２０質量％含有される、上記１又は２に記載の液晶配向剤。
４．（Ｂ）成分が下記式（２）で表される、上記１〜３のいずれかに記載の液晶配向剤。

（Ｘ_２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基を含むｎ価の有機基であり、ｎは２〜６の整数である。Ｒ_２及びＲ_３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、又は炭素数２〜４のアルキニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。なお、Ｒ_２及びＲ_３のうち少なくとも１つは、置換基としてヒドロキシ基を有する。）

５．Ｒ_２及びＲ_３のうち少なくとも１つが、下記式（３）である、上記１〜４のいずれかに記載の液晶配向剤。

（Ｒ_４〜Ｒ_７は、それぞれ独立して、水素原子、炭化水素基、又はヒドロキシ基で置換された炭化水素基である。）

６．Ｘ_２中の、カルボニル基に直接結合する原子は、芳香環を形成していない炭素原子である、上記１〜５のいずれかに記載の液晶配向剤。
７．Ｘ_２が、脂肪族炭化水素基である、上記１〜６のいずれかに記載の液晶配向剤。
８．Ｒ_２及びＲ_３が、下記式（４）で表される化合物である、上記１〜７のいずれかに記載の液晶配向剤。

９．（Ｂ）成分が下記のいずれかの化合物である、上記１〜８のいずれかに記載の液晶配向剤。

１０．Ｘ_１が、下記式（Ｘ−１）〜（Ｘ−１４）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造である、上記１〜９のいずれかに記載の液晶配向剤。

（Ｒ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、アルケニル基、又はフェニル基である。）

１１．Ｘ_１が、下記式（Ｘ１−１）及び（Ｘ１−２）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造である、上記１〜１０のいずれかに記載の液晶配向剤。

１２．Ｙ_１が、下記式（５）及び（６）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造である、上記１〜１１のいずれかに記載の液晶配向剤。

(Ｒ_１２は単結合、又は炭素数１〜３０の２価の有機基であり、Ｒ_１３は水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜３０の１価の有機基であり、ａは１〜４の整数であり、ａが２以上の場合は、(Ｒ_１２−Ｒ_１３)は、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ_１４は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ_１５−、アミド結合、エステル結合、ウレア結合、又は炭素数１〜４０の２価の有機基であり、Ｒ_１５は、水素原子、又はメチル基である。)

１３．上記１〜１２のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布し、焼成して得られる液晶配向膜。
１４．上記１〜１２のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布し、波長１００〜４００ｎｍの偏光させた放射線を照射して得られる液晶配向膜。
１５．焼成後の膜厚が５〜３００ｎｍである上記１３又は１４に記載の液晶配向膜。
１６．上記１３〜１５のいずれかに記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
１７．上記１３〜１５のいずれかに記載の液晶配向膜を具備する横電界駆動型液晶表示素子。

本発明の液晶配向剤を用いることで、シール剤と液晶配向膜との接着性を高め、高温高湿条件下において液晶表示素子の額縁付近の表示ムラの発生を抑制することができる液晶配向膜を得ることができる。これにより、本発明の液晶配向膜を有する液晶表示素子は、シール剤と液晶配向膜との接着性を高めることで額縁付近の表示ムラが解決でき、大画面で高精細の液晶ディスプレイにできる。
さらに、本発明の液晶配向剤を用いることで、液晶配向性や電気特性を低下させることなく上述の課題を達成することが可能となる。

＜（Ａ）成分＞
本発明の液晶配向剤に含まれる（Ａ）成分は、下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種類の重合体である。

式（１）において、Ｘ_１は、４価の有機基であり、Ｙ_１は、２価の有機基である。
Ｒ_１は、水素原子、又は炭素数１〜５のアルキル基である。
Ａ_１〜Ａ_２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、又は炭素数２〜１０のアルキニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ_１における上記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基などが挙げられる。加熱によるイミド化のしやすさの観点から、Ｒ_１は、水素原子、又はメチル基が好ましい。

式（１）において、Ｘ_１はテトラカルボン酸誘導体由来の４価の有機基であり、その構造は特に限定されるものではない。ポリイミド前駆体中、Ｘ_１は２種類以上が混在していてもよい。Ｘ_１の具体例を示すならば、下記式（Ｘ−１）〜（Ｘ−４４）の構造が挙げられる。

上記式（Ｘ−１）におけるＲ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、アルキニル基、若しくは、フェニル基である。Ｒ_８〜Ｒ_１１が嵩高い構造である場合、液晶配向性を低下させる可能性があるため、水素原子、メチル基、又はエチル基がより好ましく、水素原子、又はメチル基が特に好ましい。

式（１）において、Ｘ_１はモノマーの入手性の観点から、（Ｘ−１）〜（Ｘ−１４）から選ばれる構造が好ましい。
得られる液晶配向膜の信頼性をさらに高めることができることから、Ｘ_１の構造は、（Ｘ−１）〜（Ｘ−７）及び（Ｘ−１０）のような、脂肪族基のみからなる構造が好ましく、（Ｘ−１）で表される構造がより好ましい。更に、良好な液晶配向性を示すため、Ｘ_１の構造としては、下記式（Ｘ１−１）又は（Ｘ１−２）がさらに好ましい。

上記（Ｘ−１）〜（Ｘ−１４）から選ばれる構造の好ましい割合としては、Ｘ_１全体の２０モル％以上であり、より好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上である。

式（１）において、Ａ_１及びＡ_２は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜１０のアルケニル基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１０のアルキニル基である。
上記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロヘキシル基などが挙げられる。

アルケニル基としては、上記のアルキル基に存在する１つ以上のＣＨ_２−ＣＨ_２構造を、ＣＨ＝ＣＨ構造に置き換えたものが挙げられ、より具体的には、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、シクロプロペニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。
アルキニル基としては、前記のアルキル基に存在する１つ以上のＣＨ_２−ＣＨ_２構造をＣ≡Ｃ構造に置き換えたものが挙げられ、より具体的には、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基などが挙げられる。

上記のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基は置換基を有していてもよく、更には置換基によって環構造を形成してもよい。なお、置換基によって環構造を形成するとは、置換基同士又は置換基と母骨格の一部とが結合して環構造となることを意味する。
置換基の例としては、ハロゲン基、水酸基、チオール基、ニトロ基、アリール基、オルガノオキシ基、オルガノチオ基、オルガノシリル基、アシル基、エステル基、チオエステル基、リン酸エステル基、アミド基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等を挙げることができる。

置換基であるハロゲン基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられる。
置換基であるアリール基としては、フェニル基が挙げられる。このアリール基には前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。
置換基であるオルガノオキシ基としては、−Ｏ−Ｒで表される構造を示すことができる。Ｒは同一でも異なってもよく、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などを例示することができる。これらのＲには、前述した置換基がさらに置換していてもよい。オルガノオキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基などが挙げられる。

置換基であるオルガノチオ基としては、−Ｓ−Ｒで表される構造を示すことができる。Ｒとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などを例示することができる。これらのＲには、前述した置換基がさらに置換していてもよい。オルガノチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基などが挙げられる。
置換基であるオルガノシリル基としては、−Ｓｉ−（Ｒ）_３で表される構造を示すことができる。Ｒは同一でも異なってもよく、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などを例示することができる。これらのＲには、前述した置換基がさらに置換していてもよい。オルガノシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘキシルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基などが挙げられる。

置換基であるアシル基としては、−Ｃ（Ｏ）−Ｒで表される構造を示すことができる。Ｒとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アリール基などを例示することができる。これらのＲには、前述した置換基がさらに置換していてもよい。アシル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ベンゾイル基などが挙げられる。
置換基であるエステル基としては、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｒ、又は−ＯＣ（Ｏ）−Ｒで表される構造を示すことができる。Ｒとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などを例示することができる。これらのＲには、前述した置換基がさらに置換していてもよい。

置換基であるチオエステル基としては、−Ｃ（Ｓ）Ｏ−Ｒ、又は−ＯＣ（Ｓ）−Ｒで表される構造を示すことができる。Ｒとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などを例示することができる。これらのＲには前述した置換基がさらに置換していてもよい。
置換基であるリン酸エステル基としては、−ＯＰ（Ｏ）−（ＯＲ）₂で表される構造を示すことができる。Ｒは同一でも異なってもよく、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などを例示することができる。これらのＲには前述した置換基がさらに置換していてもよい。

置換基であるアミド基としては、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ_２、又は、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＲ、−ＮＨＣ（Ｏ）Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）_２、−ＮＲＣ（Ｏ）Ｒで表される構造を示すことができる。このＲは同一でも異なってもよく、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基などを例示することができる。これらのＲには、前述した置換基がさらに置換していてもよい。
置換基であるアリール基としては、前述したアリール基と同じものを挙げることができる。このアリール基には、前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。
置換基であるアルキル基としては、前述したアルキル基と同じものを挙げることができる。このアルキル基には、前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。

置換基であるアルケニル基としては、前述したアルケニル基と同じものを挙げることができる。このアルケニル基には、前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。
置換基であるアルキニル基としては、前述したアルキニル基と同じものを挙げることができる。このアルキニル基には、前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。
一般に、嵩高い構造を導入すると、アミノ基の反応性や液晶配向性を低下させる可能性があるため、Ａ_１及びＡ_２としては、水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数１〜５のアルキル基がより好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基が特に好ましい。

式（１）において、Ｙ_１はジアミン由来の２価の有機基であり、その構造は特に限定されない。Ｙ_１の構造の具体例としては、下記の(Ｙ−１)〜（Ｙ−１１８）が挙げられる。

（式（Ｙ−１０９）中、ｍ、及びｎは、それぞれ１〜１１の整数であり、ｍ＋ｎは２〜１２の整数である。式（Ｙ−１１４）中、ｈは１〜３の整数であり、式（Ｙ−１１１）及び（Ｙ−１１７）中、ｊは０〜３の整数である。）

Ｙ_１の構造としては、得られる液晶配向膜の液晶配向性やプレチルト角の観点から、下記式（５）及び（６）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造であることがより好ましい。

式（５）中、Ｒ_１２は単結合、又は炭素数１〜３０の２価の有機基であり、Ｒ_１３は水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜３０の１価の有機基である。
ａは１〜４の整数であり、ａが２以上の場合は、（Ｒ_１２−Ｒ_１３）は、互いに同一でも異なっていてもよい。
式（６）中のＲ_１４は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ_１５−、アミド結合、エステル結合、ウレア結合、又は炭素数１〜４０の２価の有機基であり、Ｒ_１５は、水素原子、又はメチル基である。

式（５）及び式（６）で表されるＹ₁の具体例としては、直線性の高い構造は、液晶配向膜としたときに液晶の配向性を高めることができるため、(Ｙ−７)、（Ｙ−２１）、（Ｙ−２２）、（Ｙ−２３）、（Ｙ−２５）、（Ｙ−４３）〜（Ｙ−４６）、（Ｙ−４８）、（Ｙ−６３）、（Ｙ−７１）〜（Ｙ−７５）、（Ｙ−９８）、（Ｙ−９９）、（Ｙ−１００）、（Ｙ−１１８）等が好ましい。
液晶配向性を高めることができる上記構造の割合としては、Ｙ_１全体の２０モル％以上が好ましく、より好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上である。通常、好ましくは９０モル％以下である。

液晶配向膜としたときの液晶のプレチルト角を高くしたい場合には、側鎖に長鎖アルキル基、芳香族環、脂肪族環、ステロイド骨格、又はこれらを組み合わせた構造をＹ₁が有することが好ましい。そのようなＹ₁としては、(Ｙ−７６)〜（Ｙ−９７）が挙げられる。
プレチルト角を高くしたい場合の上記構造の割合としては、Ｙ_１全体の１〜３０モル％が好ましく、１〜２０モル％がより好ましい。
本発明に用いるポリイミド前駆体は、ジアミン成分とテトラカルボン酸誘導体との反応により得られるものであり、ポリアミック酸やポリアミック酸エステル等が挙げられる。

＜（Ｂ）成分＞
本発明の液晶配向剤に含有される（Ｂ）成分は、ヒドロキシアルキルアミド基を有する化合物である。（Ｂ）成分は、ヒドロキシアルキルアミド基を有していれば、その他の構造は特に限定されないが、入手性等の点から、好ましい例として、下記式（２）で表される化合物が挙げられる。

Ｘ_２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基を含むｎ価の有機基である。ｎは２〜６の整数である。

Ｒ_２及びＲ_３は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜４のアルケニル基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜４のアルキニル基である。また、Ｒ_２及びＲ_３のうち少なくとも１つは、ヒドロキシ基で置換された炭化水素基を表す。
中でも、式（２）のＸ_２中の、カルボニル基に直接結合する原子は、芳香環を形成していない炭素原子であることが液晶配向性の観点から好ましい。また、式（２）のＸ_２は、液晶配向性及び溶解性の観点から、脂肪族炭化水素基であることが好ましく、炭素数１〜１０であることがより好ましい。
式（２）中、ｎは、溶解性の観点から、２〜４が好ましい。

式（２）中、Ｒ_２及びＲ_３のうち少なくとも１つは、下記式（３）で表される構造であることが、反応性の観点から好ましく、下記式（４）で表される構造であることがさらに好ましい。

式（３）中、Ｒ_４〜Ｒ_７は、それぞれ独立して、水素原子、炭化水素基、又はヒドロキシ基で置換された炭化水素基である。

（Ｂ）成分の好ましい具体例としては、下記の化合物が挙げられる。

（Ｂ）成分は、多すぎると液晶配向性やプレチルト角に影響を与え、少なすぎると本発明の効果が得られない。そのため、(Ｂ)成分の含有量は、（Ａ）成分に対して、０．１〜２０質量％が好ましく、１〜１０質量％がより好ましい。

＜ポリイミド前駆体−ポリアミック酸の製造＞
本発明に用いられるポリイミド前駆体であるポリアミック酸は、以下の方法により製造することができる。
具体的には、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを、溶媒の存在下で、−２０〜１５０℃、好ましくは０〜５０℃において、３０分〜２４時間、好ましくは１〜１２時間反応させることによって合成できる。

ジアミン成分とテトラカルボン酸成分との反応は、通常、溶媒中で行う。その際に用いる溶媒としては、生成したポリイミド前駆体が溶解するものであれば特に限定されない。下記に、反応に用いる溶媒の具体例を挙げるが、これらの例に限定されるものではない。例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、又は１，３−ジメチル−イミダゾリジノンが挙げられる。
また、ポリイミド前駆体の溶解性が高い場合は、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン又は下記の式［Ｄ−１］〜式［Ｄ−３］で示される溶媒を用いることができる。

式［Ｄ−１］中、Ｄ^１は炭素数１〜３のアルキル基を示し、式［Ｄ−２］中、Ｄ^２は炭素数１〜３のアルキル基を示し、式［Ｄ−３］中、Ｄ^３は炭素数１〜４のアルキル基を示す。

これら溶媒は単独で使用しても、混合して使用してもよい。さらに、ポリイミド前駆体を溶解させない溶媒であっても、生成したポリイミド前駆体が析出しない範囲で、前記溶媒に混合して使用してもよい。また、溶媒中の水分は、重合反応を阻害し、さらには生成したポリイミド前駆体を加水分解させる原因となるので、溶媒は脱水乾燥させたものを用いることが好ましい。
反応系中におけるポリアミック酸ポリマーの濃度は、ポリマーの析出が起こりにくく、かつ高分子量体が得やすいという点から、１〜３０質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好ましい。
上記のようにして得られたポリアミック酸は、反応溶液をよく撹拌させながら、下記貧溶媒に注入することで、ポリマーを析出させて回収することができる。また、析出を数回行い、貧溶媒で洗浄後、常温あるいは加熱乾燥することで、精製されたポリアミック酸の粉末を得ることができる。貧溶媒は、特に限定されないが、水、メタノール、エタノール、ヘキサン、ブチルセロソルブ、アセトン、トルエン等が挙げられる。

＜ポリイミド前駆体−ポリアミック酸エステルの製造＞
本発明に用いられるポリイミド前駆体であるポリアミック酸エステルは、以下に示す（１）、（２）又は（３）の製法で製造することができる。
（１）ポリアミック酸から製造する場合
ポリアミック酸エステルは、前記のように製造されたポリアミック酸をエステル化することによって製造できる。具体的には、ポリアミック酸とエステル化剤を、溶媒の存在下で、−２０〜１５０℃、好ましくは０〜５０℃において、３０分〜２４時間、好ましくは１〜４時間反応させることによって製造することができる。

エステル化剤としては、精製によって容易に除去できるものが好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジエチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジプロピルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジネオペンチルブチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ−ｔ−ブチルアセタール、１−メチル−３−ｐ−トリルトリアゼン、１−エチル−３−ｐ−トリルトリアゼン、１−プロピル−３−ｐ−トリルトリアゼン、４−（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジンー２−イル）−４−メチルモルホリニウムクロリドなどが挙げられる。エステル化剤の添加量は、ポリアミック酸の繰り返し単位１モルに対して、２〜６モル当量が好ましく、２〜２．５モル当量がより好ましい。

溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド又は１，３−ジメチル−イミダゾリジノンが挙げられる。また、ポリイミド前駆体の溶媒溶解性が高い場合は、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、又は前記式［Ｄ−１］〜式［Ｄ−３］で示される溶媒を用いることができる。

これら溶媒は単独で使用しても、混合して使用してもよい。さらに、ポリイミド前駆体を溶解しない溶媒であっても、生成したポリイミド前駆体が析出しない範囲で、前記溶媒に混合して使用してもよい。また、溶媒中の水分は、重合反応を阻害し、さらには生成したポリイミド前駆体を加水分解させる原因となるので、溶媒は脱水乾燥させたものを用いることが好ましい。
上記の反応に用いる溶媒は、ポリマーの溶解性からＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、又はγ−ブチロラクトンが好ましく、これらは１種又は２種以上を混合して用いてもよい。製造時の濃度は、ポリマーの析出が起こりにくく、かつ高分子量体が得やすいという点から、１〜３０質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好ましい。

（２）テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンとの反応により製造する場合
具体的には、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンを、塩基と溶媒の存在下で、−２０〜１５０℃、好ましくは０〜５０℃において、３０分〜２４時間、好ましくは１〜４時間反応させることによって製造することができる。
塩基には、ピリジン、トリエチルアミン、４−ジメチルアミノピリジンなどが使用できるが、反応が穏和に進行するためにピリジンが好ましい。塩基の添加量は、除去が容易な量で、かつ高分子量体が得やすいという点から、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドに対して、２〜４倍モルであることが好ましく、２．５〜３倍モルがより好ましい。

上記の反応に用いる溶媒は、モノマー及びポリマーの溶解性から、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、又はγ−ブチロラクトンが好ましく、これらは１種又は２種以上を混合して用いてもよい。製造時のポリマー濃度は、ポリマーの析出が起こりにくく、かつ高分子量体が得やすいという点から、１〜３０質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好ましい。また、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドの加水分解を防ぐため、ポリアミック酸エステルの製造に用いる溶媒は、できるだけ脱水されていることが好ましく、窒素雰囲気中で、外気の混入を防ぐのが好ましい。

（３）テトラカルボン酸ジエステルとジアミンから製造する場合
具体的には、テトラカルボン酸ジエステルとジアミンを、縮合剤、塩基、及び有機溶剤の存在下で、０〜１５０℃、好ましくは０〜１００℃において、３０分〜２４時間、好ましくは３〜１５時間反応させることによって製造することができる。
縮合剤には、トリフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、Ｎ，Ｎ’−カルボニルジイミダゾール、ジメトキシ−１，３，５−トリアジニルメチルモルホリニウム、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−1−イル)−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウム テトラフルオロボラート、Ｏ−（ベンゾトリアゾール−１−イル)−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート、（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾリル)ホスホン酸ジフェニルなどが使用できる。縮合剤の添加量は、テトラカルボン酸ジエステルに対して２〜３倍モルが好ましく、２〜２．５倍モルがより好ましい。

塩基には、ピリジン、トリエチルアミンなどの３級アミンが使用できる。塩基の添加量は、除去が容易な量で、かつ高分子量体が得やすいという点から、ジアミン成分に対して２〜４倍モルが好ましい。
また、上記反応において、ルイス酸を添加剤として加えることで、反応が効率的に進行する。ルイス酸としては、塩化リチウム、臭化リチウムなどのハロゲン化リチウムが好ましい。ルイス酸の添加量はジアミン成分に対して０〜１．０倍モルが好ましく、０〜０．５倍モルがより好ましい。
上記３つのポリアミック酸エステルの製造方法の中でも、高分子量のポリアミック酸エステルが得られるため、上記（１）又は上記（２）の製法が特に好ましい。
上記のようにして得られるポリアミック酸エステルの溶液は、よく撹拌させながら下記貧溶媒に注入することで、ポリマーを析出させることができる。析出を数回行い、貧溶媒で洗浄後、常温あるいは加熱乾燥して、精製されたポリアミック酸エステルの粉末を得ることができる。貧溶媒は、特に限定されないが、水、メタノール、エタノール、ヘキサン、ブチルセロソルブ、アセトン、トルエン等が挙げられる。

＜ポリイミド＞
本発明に用いられるポリイミドは、前記したポリアミック酸エステル又はポリアミック酸をイミド化することにより製造することができる。ポリアミック酸エステルからポリイミドを製造する場合、前記ポリアミック酸エステル溶液、又はポリアミック酸エステル樹脂粉末を溶媒に溶解させて得られるポリアミック酸溶液に、塩基性触媒を添加する化学的イミド化が簡便である。化学的イミド化は、比較的低温でイミド化反応が進行し、イミド化の過程で重合体の分子量低下が起こりにくいので好ましい。
化学的イミド化は、イミド化させたいポリアミック酸エステルを、溶媒中において塩基性触媒の存在下で、撹拌することにより行うことができる。溶媒としては、前述した重合反応時に用いる溶媒を使用することができる。塩基性触媒としては、ピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン等が挙げられる。中でもトリエチルアミンは反応を進行させるのに充分な塩基性を持つので好ましい。

イミド化反応を行うときの温度は、−２０〜１４０℃、好ましくは０〜１００℃であり、反応時間は１〜１００時間、好ましくは１〜５時間で行うことができる。
塩基性触媒の量は、アミック酸エステル基の０．５〜３０モル倍、好ましくは２〜２０モル倍である。
得られる重合体のイミド化率は、触媒量、温度、反応時間等を調節することで制御することができる。
イミド化反応後の溶液には、添加した触媒等が残存しているので、以下に述べる手段により、得られたイミド化重合体を回収し、溶媒で再溶解して、本発明の液晶配向剤とすることが好ましい。

ポリアミック酸からポリイミドを製造する場合、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物との反応で得られた前記ポリアミック酸の溶液に、触媒を添加する化学的イミド化が簡便である。化学的イミド化は、比較的低温でイミド化反応が進行し、イミド化の過程で重合体の分子量低下が起こりにくいので好ましい。
化学的イミド化は、イミド化させたいポリアミック酸を、溶媒中において塩基性触媒と酸無水物の存在下で、攪拌することにより行うことができる。溶媒としては、前述した重合反応時に用いる溶媒を使用することができる。塩基性触媒としては、ピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン等を挙げることができる。中でもピリジンは、反応を進行させるのに適度な塩基性を持つので好ましい。また、酸無水物としては、無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等を挙げることができ、中でも無水酢酸を用いると反応終了後の精製が容易となるので好ましい。
イミド化反応を行うときの温度は、−２０〜１４０℃、好ましくは０〜１００℃であり、反応時間は１〜１００時間、好ましくは１〜５時間で行うことができる。
塩基性触媒の量は、アミック酸基の０．５〜３０モル倍、好ましくは２〜２０モル倍であり、酸無水物の量は、アミック酸基の１〜５０モル倍、好ましくは３〜３０モル倍である。得られる重合体のイミド化率は、触媒量、温度、反応時間等を調節することで制御することができる。

なお、ポリアミック酸エステル又はポリアミック酸のイミド化反応では、イミド化促進剤を使用することができる。以下にイミド化促進剤の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

上記式（Ｂ−１）から（Ｂ−１７）におけるＤは、それぞれ独立して、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基又は９−フルオレニルメトキシカルボニル基である。式（Ｂ−１４）〜（Ｂ−１７）に存在する複数のＤは、互いに同一であっても異なってもよい。加熱による脱保護後の塩基性が高くなるほど、ポリアミック酸エステル及びポリアミック酸のイミド化促進効果がさらに高まる。よって、熱イミド化促進効果をより高めるという点から（Ｂ−１４）〜（Ｂ−１７）が好ましく、中でも（Ｂ−１７）が特に好ましい。

ポリアミック酸エステル又はポリアミック酸のイミド化反応後の溶液には、添加した触媒等が残存しているので、以下に述べる手段により、得られたイミド化重合体を回収し、溶媒で再溶解して、本発明の液晶配向剤とすることが好ましい。
上記のようにして得られるポリイミドの溶液は、よく撹拌させながら下記貧溶媒に注入することで、重合体を析出させることができる。析出を数回行い、貧溶媒で洗浄後、常温あるいは加熱乾燥して、精製されたポリアミック酸エステルの粉末を得ることができる。
貧溶媒は、特に限定されないが、メタノール、アセトン、ヘキサン、ブチルセルソルブ、ヘプタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、トルエン、ベンゼン等が挙げられる。

＜液晶配向剤＞
本発明に用いられる液晶配向剤は、前記した（Ａ）成分であるポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種の重合体（以下、特定構造の重合体とする）、及び（Ｂ）成分であるヒドロキシアルキルアミド基を有する化合物が、溶媒中に溶解された溶液の形態を有する。
特定構造重合体の分子量は、重量平均分子量で２，０００〜５００，０００が好ましく、より好ましくは５，０００〜３００，０００であり、さらに好ましくは、１０，０００〜１００，０００である。また、数平均分子量は、好ましくは、１，０００〜２５０，０００であり、より好ましくは、２，５００〜１５０，０００であり、さらに好ましくは、５，０００〜５０，０００である。

本発明の液晶配向剤中の重合体の濃度は、形成させようとする塗膜の厚みの設定によって適宜変更することができるが、均一で欠陥のない塗膜を形成させるという点からは、１質量％以上であることが好ましく、溶液の保存安定性の点からは、１０質量％以下とすることが好ましい。特に好ましくは３〜６．５質量％である。
本発明の液晶配向剤に含有される溶媒(良溶媒ともいう)は、特定構造重合体が均一に溶解するものであれば特に限定されない。
例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメチル−イミダゾリジノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどを挙げることができる。

なかでも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、又はγ−ブチロラクトンを用いることが好ましい。
さらに、本発明の重合体の溶媒への溶解性が高い場合は、前記式［Ｄ−１］〜式［Ｄ−３］で示される溶媒を用いることが好ましい。
本発明の液晶配向剤における良溶媒は、液晶配向剤に含まれる溶媒全体の２０〜９９質量％であることが好ましい。なかでも、２０〜９０質量％が好ましい。より好ましいのは、３０〜８０質量％である。

本発明の液晶配向剤は、本発明の効果を損なわない限り、液晶配向剤を塗布した際の液晶配向膜の塗膜性や表面平滑性を向上させる溶媒（貧溶媒ともいう）を用いることができる。下記に、貧溶媒の具体例を挙げるが、これらの例に限定されるものではない。
例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、シクロヘキサノール、１−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサノール、１，２−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、１，２−ブトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、３−エトキシブチルアセタート、１−メチルペンチルアセタート、２−エチルブチルアセタート、２−エチルヘキシルアセタート、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールジアセタート、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、２−（メトキシメトキシ）エタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソアミルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、２−（ヘキシルオキシ）エタノール、フルフリルアルコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノブチルエーテル、１−（ブトキシエトキシ）プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールジアセタート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアセタート、ジエチレングリコールアセタート、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸ｎ−プロピルエステル、乳酸ｎ−ブチルエステル、乳酸イソアミルエステル、前記式［Ｄ−１］〜式［Ｄ−３］で示される溶媒などを挙げることができる。
なかでも、１−ヘキサノール、シクロヘキサノール、１，２−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル又はジプロピレングリコールジメチルエーテルを用いることが好ましい。

貧溶媒は、液晶配向剤に含まれる溶媒全体の１〜８０質量％であることが好ましく、１０〜８０質量％がさらに好ましく、２０〜７０質量％がより好ましい。
本発明の液晶配向剤には、上記の他、本発明の効果が損なわれない範囲であれば、本発明に記載の重合体以外の重合体、液晶配向膜の誘電率や導電性などの電気特性を変化させる目的の誘電体若しくは導電物質、液晶配向膜と基板との密着性を向上させる目的のシランカップリング剤、液晶配向膜にした際の膜の硬度や緻密度を高める目的の架橋性化合物、さらには塗膜を焼成する際にポリイミド前駆体の加熱によるイミド化を効率よく進行させる目的のイミド化促進剤等を添加しても良い。

＜液晶配向膜＞
＜液晶配向膜の製造方法＞
本発明の液晶配向膜は、上記液晶配向剤を基板に塗布し、乾燥し、焼成して得られる膜である。本発明の液晶配向剤を塗布する基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板、窒化珪素基板、アクリル基板、ポリカーボネート基板等のプラスチック基板等を用いることができる。さらに、液晶駆動のためのＩＴＯ電極等が形成された基板を用いることが、プロセスの簡素化の点から好ましい。また、反射型の液晶表示素子では、片側の基板のみにならばシリコンウエハー等の不透明な物でも使用でき、この場合の電極は、アルミニウム等の光を反射する材料も使用できる。

本発明の液晶配向剤の塗布方法としては、スピンコート法、印刷法、インクジェット法などが挙げられる。本発明の液晶配向剤を塗布した後の乾燥、焼成工程は、任意の温度と時間を選択することができる。通常は、含有される溶媒を十分に除去するために、５０〜１２０℃、好ましくは６０〜１００℃で、１〜１０分間、好ましくは２〜５分間乾燥させ、その後、１５０〜３００℃、好ましくは２００〜２４０℃で、５〜１２０分間、好ましくは１０〜３０分間焼成する。焼成後の塗膜の厚みは、特に限定されないが、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、５〜３００nm、好ましくは１０〜２００nmである。

得られた液晶配向膜を配向処理する方法としては、ラビング法、光配向処理法などが挙げられる。
ラビング処理は、既存のラビング装置を利用して行うことができる。この際のラビング布の材質としては、コットン、ナイロン、レーヨンなどが挙げられる。ラビング処理の条件としては一般に、回転速度３００〜２０００ｒｐｍ、送り速度５〜１００ｍｍ/ｓ、押し込み量０．１〜１．０ｍｍという条件が用いられる。その後、純水やアルコールなどを用いて超音波洗浄により、ラビングで生じた残渣が除去される。

光配向処理法の具体例としては、前記塗膜表面に、一定方向に偏向した放射線を照射し、場合によっては、さらに１５０〜２５０℃の温度で加熱処理を行い、液晶配向能を付与する方法が挙げられる。放射線としては、１００〜８００nmの波長を有する紫外線及び可視光線を用いることができる。このうち、１００〜４００nmの波長を有する紫外線が好ましく、２００〜４００ｎｍの波長を有するも紫外線が特に好ましい。また、液晶配向性を改善するために、塗膜基板を５０〜２５０℃で加熱しつつ、放射線を照射してもよい。前記放射線の照射量は、１〜１０，０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、１００〜５，０００ｍＪ／ｃｍ^２が特に好ましい。上記のようにして作製した液晶配向膜は、液晶分子を一定の方向に安定して配向させることができる。
偏光された紫外線の消光比が高いほど、より高い異方性が付与できるため好ましい。具体的には、直線に偏光された紫外線の消光比は、１０：１以上が好ましく、２０：１以上がより好ましい。
上記で、偏光された放射線を照射した膜は、次いで、水及び有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む溶媒で接触処理してもよい。

接触処理に使用する溶媒としては、光照射によって生成した分解物を溶解する溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体例としては、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、１−メトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート、ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸メチル、ジアセトンアルコール、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸シクロヘキシルなどが挙げられる。これらの溶媒は２種以上を併用してもよい。
汎用性や安全性の点から、水、２−プロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール及び乳酸エチルからなる群から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。水、２−プロパンール、又は水と２−プロパノールの混合溶媒が特に好ましい。

本発明において、偏光された放射線を照射した膜と溶媒を含む溶液の接触処理は、浸漬処理、噴霧（スプレー）処理などの、膜と液とが、好ましくは十分に接触するような方法で行なわれる。なかでも、溶媒を含む溶液中に、好ましくは１０秒〜１時間、より好ましくは１〜３０分浸漬処理する方法が好ましい。接触処理は、常温でも加温してもよいが、好ましくは１０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃で実施される。また、必要に応じて、超音波などの接触を高める手段を施すことができる。
接触処理の後に、使用した溶液中の溶媒を除去する目的で、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトン、メチルエチルケトンなどの低沸点溶媒によるすすぎ（リンス）や乾燥のいずれか、又は両方を行ってよい。

さらに、溶媒を含む溶液による接触処理をした膜は、溶媒の乾燥及び膜中の分子鎖の再配向を目的に、１５０℃以上で加熱してもよい。
加熱の温度としては、１５０〜３００℃が好ましい。温度が高いほど、分子鎖の再配向が促進されるが、温度が高すぎると分子鎖の分解を伴う恐れがある。そのため、加熱温度としては、１８０〜２５０℃がより好ましく、２００〜２３０℃が特に好ましい。
加熱する時間は、短すぎると、分子鎖の再配向の効果が得られない可能性があり、長すぎると、分子鎖が分解してしまう可能性があるため、１０秒〜３０分が好ましく、１〜１０分がより好ましい。

＜液晶表示素子＞
本発明の液晶表示素子は、前記液晶配向膜の製造方法によって得られた液晶配向膜を具備することを特徴とする。
本発明の液晶表示素子は、本発明の液晶配向剤から前記液晶配向膜の製造方法によって液晶配向膜付きの基板を得た後、公知の方法で液晶セルを作製し、それを使用して液晶表示素子としたものである。
液晶セルの作製方法の一例として、パッシブマトリクス構造の液晶表示素子を例にとり説明する。尚、画像表示を構成する各画素部分に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などのスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス構造の液晶表示素子であってもよい。

まず、透明なガラス製の基板を準備し、一方の基板の上にコモン電極を、他方の基板の上にセグメント電極を設ける。これらの電極は、例えば、ＩＴＯ電極とすることができ、所望の画像表示ができるようにパターニング(Patterning)される。次いで、各基板の上に、コモン電極とセグメント電極を被覆するようにして絶縁膜を設ける。絶縁膜は、例えば、ゾル−ゲル法によって形成された、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２からなる膜とすることができる。
次に、各基板の上に、本発明の液晶配向膜を形成する。次に、一方の基板に他方の基板を互いの配向膜面が対向するようにして重ね合わせ、周辺をシール材で接着する。シール材には、基板間隙を制御するために、通常、スペーサーを混入しておく。また、シール材を設けない面内部分にも、基板間隙制御用のスペーサーを散布しておくことが好ましい。シール材の一部には、外部から液晶を充填可能な開口部を設けておく。

次に、シール材に設けた開口部を通じて、２枚の基板とシール材で包囲された空間内に液晶材料を注入する。その後、この開口部を接着剤で封止する。注入には、真空注入法を用いてもよいし、大気中で毛細管現象を利用した方法を用いてもよい。次に、偏光板の設置を行う。具体的には、２枚の基板の液晶層とは反対側の面に一対の偏光板を貼り付ける。以上の工程を経ることにより、本発明の液晶表示素子が得られる。
本発明において、シール剤としては、例えば、エポキシ基、アクリロイル基、(メタ)アクリロイル基、ヒドロキシル基、アリル基、アセチル基などの反応性基を有する、紫外線照射や加熱によって硬化する樹脂が用いられる。特に、エポキシ基と（メタ）アクリロイル基の両方の反応性基を有する硬化樹脂系を用いるのが好ましい。

本発明のシール剤には、接着性、耐湿性の向上を目的として、無機充填剤を配合してもよい。使用しうる無機充填剤としては、特に限定されないが、具体的には、球状シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、酸化チタン、チタンブラック、シリコンカーバイド、窒化珪素、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、マイカ、タルク、クレー、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、珪酸カルシウム、珪酸アルミニウム、珪酸リチウムアルミニウム、珪酸ジルコニウム、チタン酸バリウム、硝子繊維、炭素繊維、二硫化モリブデン、アスベスト等が挙げられる。好ましくは、球状シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、酸化チタン、チタンブラック、窒化珪素、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、マイカ、タルク、クレー、アルミナ、水酸化アルミニウム、珪酸カルシウム、又は珪酸アルミニウムが挙げられる。前記の無機充填剤は２種以上を混合して用いてもよい。

以下に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定して解釈されるものではない。以下に、用いた化合物の略号を示す。
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン ＧＢＬ：γ−ブチロラクトン
ＢＣＳ：ブチルセロソルブ ＩＰＡ：２−プロパノール
ＮＥＰ：Ｎ−エチル−２−ピロリドン ＰＢ：プロピレングリコールモノブチルエーテル
ＤＡ−２：下記式（ＤＡ−２）で表される化合物
ＤＡ−３：下記式（ＤＡ−３）で表される化合物
ＤＡ−４：下記式（ＤＡ−４）で表される化合物
ＤＡ−５：ｐ−フェニレンジアミン
ＤＡ−６：３，５−ジアミノ安息香酸
ＤＡ−７：４，４’−ジアミノジフェニルメタン
ＤＡ−８：４,４’−ジアミノジフェニルアミン
ＤＡ−９：１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）プロパン
ＤＡ−１０：１，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ペンタン
ＤＡ−１１：下記式（ＤＡ−１１）で表される化合物
ＤＡ−１２：下記式（ＤＡ−１２）で表される化合物
ＤＡ−１３：４，４’−エチレンジアニリン
ＤＡ−１４：下記式（ＤＡ−１４）で表される化合物
ＤＡ−１５：下記式（ＤＡ−１５）で表される化合物
ＤＡ−１６：下記式（ＤＡ−１６）で表される化合物
ＤＡ−１７：下記式（ＤＡ−１７）で表される化合物
ＤＡ−１８：下記式（ＤＡ−１８）で表される化合物
ＤＡ−１９：下記式（ＤＡ−１９）で表される化合物
ＤＡ−２０：下記式（ＤＡ−２０）で表される化合物
ＤＡ−２１：下記式（ＤＡ−２１）で表される化合物
ＤＡ−２２：４−アミノベンジルアミン
ＤＡ−２３：３−アミノベンジルアミン
ＤＡ−２４：Ｎ，Ｎ−ジアリル−２，４−ジアミノアニリン

ＤＣ−１：１，３−ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
ＤＣ−２：１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
ＤＣ−３：３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＤＣ−４：１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物
ＤＣ−５：ビシクロ［３．３．０］オクタン−2，4，6，8−テトラカルボン酸二無水物
ＤＣ−６：3,4−ジカルボキシ-1,2,3,4−テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物
ＤＣ−７：ピロメリット酸無水物
ＤＣ−８：下記式（ＤＣ−８）で表される化合物
ＤＥ−１：下記式（ＤＥ−１）で表される化合物
添加剤Ａ：下記式で表される化合物（Ｐｒｉｍｉｄ ＸＬ552（エムスケミー社製）
添加剤Ｂ：下記式で表される化合物（Ｐｒｉｍｉｄ ＳＦ4510（エムスケミー社製）
添加剤Ｃ：下記式で表されるジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ダイセル・サイテック社製）
添加剤Ｄ：下記式で表される２，２'−ビス（４−ヒドロキシ-３，５-ジヒドロキシメチルフェニル）プロパン
なお、以下の化学式において、Ｍｅはメチル基、Ｂｕはｎ−ブチル基、Ｂｏｃはｔ−ブトキシ基を表す。

各特性の測定方法は、以下のとおりである。
［粘度］
ポリアミック酸エステル及びポリアミック酸溶液の粘度は、Ｅ型粘度計ＴＶＥ−２２Ｈ（東機産業社製）を用い、サンプル量１．１ｍＬ（ミリリットル）、コーンロータＴＥ−１（１°３４’、Ｒ２４）、温度２５℃で測定した。
［分子量］
ポリアミック酸エステル及びポリアミック酸の分子量は、ＧＰＣ（常温ゲル浸透クロマトグラフィー）装置によって測定し、ポリエチレングリコール（ポリエチレンオキシド）換算値として、数平均分子量（以下、Ｍｎとも言う）と重量平均分子量（以下、Ｍｗとも言う）を算出した。
ＧＰＣ装置：Ｓｈｏｄｅｘ社製（ＧＰＣ−１０１）
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ社製（ＫＤ８０３、及びＫＤ８０５の直列）
カラム温度：５０℃
溶離液：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（添加剤として、臭化リチウム−水和物（ＬｉＢｒ・Ｈ_２Ｏ）が３０ｍｍｏｌ／Ｌ(リットル)、リン酸・無水結晶（ｏ−リン酸）が３０ｍｍｏｌ／Ｌ、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が１０ｍｌ／Ｌ）
流速：１．０ｍｌ／分
検量線作成用標準サンプル：東ソー社製 ＴＳＫ 標準ポリエチレンオキサイド（重量平均分子量（Ｍｗ） 約９００，０００、１５０，０００、１００，０００、及び３０，０００）及びポリマーラボラトリー社製 ポリエチレングリコール（ピークトップ分子量（Ｍｐ）が、約１２，０００、４，０００、及び１，０００）を用いた。測定は、ピークが重なるのを避けるため、９００，０００、１００，０００、１２，０００、及び１，０００の４種類を混合したサンプル、並びに１５０，０００、３０，０００、及び４，０００の３種類を混合したサンプルの２サンプルを別々に実施した。

［イミド化率の測定］
ポリイミドのイミド化率は次のようにして測定した。ポリイミド粉末２０ｍｇをＮＭＲサンプル管（ＮＭＲサンプリングチューブスタンダード，φ５（草野科学社製））に入れ、重水素化ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６，０．０５質量％ＴＭＳ（テトラメチルシラン）混合品）（０.５３ｍL）を添加し、超音波をかけて完全に溶解させた。この溶液をＮＭＲ測定機（ＪＮＷ−ＥＣＡ５００）（日本電子データム社製）にて、５００ＭＨｚのプロトンＮＭＲを測定した。

イミド化率は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、９.５〜１０.０ｐｐｍ付近に現れるアミド酸のＮＨ基に由来するプロトンピーク積算値とを用い、以下の式によって求めた。
イミド化率（％）＝（１−α・ｘ／ｙ）×１００
上記式において、ｘはアミド酸のＮＨ基由来のプロトンピーク積算値、ｙは基準プロトンのピーク積算値、αはポリアミド酸（イミド化率が０％）の場合におけるアミド酸のＮＨ基プロトン１個に対する基準プロトンの個数割合である。

＜合成例１＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの１００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−５を２．９２ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）及びジアミンＤＡ−２を０．７１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを８１．７６ｇ加えて、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、カルボン酸二無水物ＤＣ−１を６．４６ｇ（２８．８ｍｍｏｌ）添加し、更に、固形分濃度が１０質量％になるようにＮＭＰを加え、室温で４時間撹拌して、ポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−１）を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は２３０ｍＰａ・ｓであった。また、このポリアミック酸の分子量はＭｎ＝１１,１３１、Ｍｗ＝３０，００９であった。

＜合成例２＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの１００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−５を２．２７ｇ（２１．０ｍｍｏｌ）及びジアミンＤＡ−４を２．６９ｇ（９．０ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを６１．８７ｇ加えて、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、カルボン酸二無水物ＤＣ−２を５．５９ｇ（２８．５ｍｍｏｌ）添加し、更に、固形分濃度が１２質量％になるようにＮＭＰを加え、室温で４時間撹拌して、ポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−２）の溶液を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は４１０ｍＰａ・ｓであった。また、このポリアミック酸の分子量はＭｎ＝９，０４２、Ｍｗ＝１９，９５８であった。

＜合成例３＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２０００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−３を１１０．４７ｇ（４５２ｍｍｏｌ）、ＤＡ−２を１８．９４ｇ（７９．５ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１５８７ｇ加えて、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、カルボン酸二無水物ＤＣ−１を１１１．１８ｇ（４９６ｍｍｏｌ）添加し、更に固形分濃度が１２質量％になるようにＮＭＰを加え、４０℃で２０時間撹拌して、ポリアミック酸（ＰＡＡ−３）の溶液を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は１８３ｍＰａ・ｓであった。また、このポリアミック酸の分子量はＭｎ＝１２３５６、Ｍｗ＝２５５４４であった。

＜合成例４＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの３０００ｍＬ四つ口フラスコに、得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−３）を９５０ｇ量り取り、ＮＭＰを６７８ｇ加え、３０分撹拌した。得られたポリアミック酸溶液に、無水酢酸を７７．１１ｇ、ピリジンを１９．９２ｇ加えて、６０℃で３時間加熱し、化学イミド化を行った。得られた反応液を、６６００ｍＬのメタノールに撹拌しながら投入し、析出した沈殿物をろ取した。続いて、沈殿物を６６００ｍＬのメタノールで３回洗浄し、２０００ｍＬのメタノールで２回洗浄した。次いで、得られた樹脂粉末を、６０℃で１２時間乾燥することで、ポリイミド樹脂粉末を得た。
このポリイミド樹脂粉末のイミド化率は７５％であり、分子量はＭｎ＝８１５６、Ｍｗ＝１７４０８であった。
撹拌子を入れた２００ｍＬ三角フラスコに、得られたポリイミド樹脂粉末２０．６９ｇを量り取り、ＮＭＰを１５１．７１ｇ加え、４０℃で２４時間撹拌して溶解させ、固形分濃度が１２質量％のポリイミド溶液(ＰＩ−１)を得た。

＜合成例５＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−３を４．２０ｇ（１７．１９ｍｍｏｌ）、及びジアミンＤＡ−４を７．７０ｇ（２５．８１ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１５８ｇ加えて、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、カルボン酸二無水物ＤＣ−３を１２．０２ｇ（４０．８５ｍｍｏｌ）添加し、更に、固形分濃度が１２質量％になるようにＮＭＰを加え、室温で２４時間撹拌して、ポリアミック酸（ＰＡＡ−４）の溶液を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は３９０ｍＰａ・ｓであった。
合成例で用いた各成分の使用量、及び得られたポリイミド系重合体を、表１にまとめて示す。

［液晶配向剤の調製］
（実施例１）
撹拌子を入れた２０ｍｌサンプル管に、合成例１で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−１）を１１．００ｇ量り取り、ＮＭＰを５．００ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ１を得た。
この液晶配向剤Ａ１を用いて、下記に示すような手順で密着性の評価用基板及び液晶セルの作製を行った。

[密着性の評価用基板の作製、及び評価]
＜基板の作製＞
３０ｍｍ×４０ｍｍのＩＴＯ基板に、スピンコート塗布にて液晶配向剤Ａ１を塗布した。その後、８０℃のホットプレート上で２分間乾燥させ、次いで、２３０℃の熱風循環式オーブンで１４分間焼成を行い、膜厚１００nmの塗膜を形成させた。この塗膜面に偏光板を介して、２５４ｎｍの紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２照射し、次いで、２３０℃の熱風循環式オーブンで１４分間焼成を行い、液晶配向膜付き基板を得た。
このようにして得られた２枚の基板を用意し、一方の基板の液晶配向膜面上に、４μｍビーズスペーサーを塗布した後、シール剤（協立化学社製、ＸＮ−１５００Ｔ）を滴下した。次いで、他方の基板の液晶配向膜面を内側にし、基板の重なり幅が１ｃｍになるように、貼り合わせを行った。その際、貼り合わせ後のシール剤の直径が、３ｍｍとなるようにシール剤滴下量を調整した。貼り合わせた２枚の基板をクリップにて固定した後、１５０℃で１時間熱硬化させて、密着性評価用の基板を作製した。
＜密着性の評価＞
基板を卓上形精密万能試験機(島津製作所社製、ＡＧＳ−Ｘ ５００Ｎ)にて、上下基板の端の部分を固定した後、基板中央部の上部から押し込みを行い、剥離する際の圧力（Ｎ）を測定した。

［ＦＦＳ駆動液晶セルの作製、及び液晶配向性の評価］
始めに電極付きの基板を準備した。基板は、３０ｍｍ×３５ｍｍの大きさで、厚さが０．７ｍｍのガラス基板である。基板上には第１層目として対向電極を構成する、ベタ状のパターンを備えたＩＺＯ電極が形成されている。第１層目の対向電極の上には第２層目として、ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＮ（窒化珪素）膜が形成されている。第２層目のＳｉＮ膜の膜厚は５００ｎｍであり、層間絶縁膜として機能する。第２層目のＳｉＮ膜の上には、第３層目としてＩＺＯ膜をパターニングして形成された櫛歯状の画素電極が配置され、第１画素および第２画素の２つの画素を形成している。各画素のサイズは、縦１０ｍｍで横約５ｍｍである。このとき、第１層目の対向電極と第３層目の画素電極とは、第２層目のＳｉＮ膜の作用により電気的に絶縁されている。

第３層目の画素電極は、中央部分が屈曲したくの字形状の電極要素を複数配列して構成された櫛歯状の形状を有する。各電極要素の短手方向の幅は３μｍであり、電極要素間の間隔は６μｍである。各画素を形成する画素電極が、中央部分の屈曲したくの字形状の電極要素を複数配列して構成されているため、各画素の形状は長方形状ではなく、電極要素と同様に中央部分で屈曲する、太字のくの字に似た形状を備える。そして、各画素は、その中央の屈曲部分を境にして上下に分割され、屈曲部分の上側の第１領域と下側の第２領域を有する。
各画素の第１領域と第２領域とを比較すると、それらを構成する画素電極の電極要素の形成方向が異なるものとなっている。すなわち、後述する液晶配向膜の液晶配向方向を基準とした場合、画素の第１領域では画素電極の電極要素が＋１０°の角度をなすように形成され、画素の第２領域では画素電極の電極要素が−１０°の角度をなすように形成されている。すなわち、各画素の第１領域と第２領域とでは、画素電極と対向電極との間の電圧印加によって誘起される液晶の、基板面内での回転動作（インプレーン・スイッチング）の方向が互いに逆方向となるように構成されている。

次に、液晶配向剤を１．０μｍのフィルターで濾過した後、準備された上記電極付き基板に、スピンコート塗布にて液晶配向剤を塗布した。次いで、８０℃のホットプレート上で２分間乾燥させた後、２３０℃の熱風循環式オーブンで１４分間焼成を行い、膜厚１００ｎｍの塗膜を形成させた。この塗膜面に偏光板を介して２５４ｎｍの紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２照射し、液晶配向膜付き基板を得た。また、対向基板として電極が形成されていない高さ４μmの柱状スペーサーを有するガラス基板にも、同様に塗膜を形成させ、配向処理を施した。
上記２枚の基板を一組とし、基板上にシール剤を印刷し、もう１枚の基板を、液晶配向膜面が向き合い配向方向が０°になるようにして張り合わせた後、シール剤を硬化させて空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、液晶ＭＬＣ−２０４１（メルク社製）を注入し、注入口を封止して、ＦＦＳ駆動液晶セルを得た。
液晶セルの配向状態を偏光顕微鏡（ニコン社製、ECLIPSE E600WPOL）にて観察し、配向欠陥がないものを「良好」、配向欠陥があるものは「不良」とした。

［液晶セルの交流駆動焼付き評価］
上記で作製した液晶セルを用い、６０℃の恒温環境下、周波数３０Ｈｚで±１０Ｖの交流電圧を１２０時間印加した。その後、液晶セルの画素電極と対向電極との間をショートさせた状態にし、そのまま室温に一日放置した。
放置の後、液晶セルを偏光軸が直交するように配置された２枚の偏光板の間に設置し、電圧無印加の状態でバックライトを点灯させておき、透過光の輝度が最も小さくなるように液晶セルの配置角度を調整した。そして、第１画素の第２領域が最も暗くなる角度から第１領域が最も暗くなる角度まで液晶セルを回転させたときの回転角度を角度Δとして算出した。第２画素でも同様に、第２領域と第１領域とを比較し、同様の角度Δを算出した。そして、第１画素と第２画素の角度Δ値の平均値を、液晶セルの角度Δとして算出した。交流駆動焼き付きΔが０．１未満を良好とし、それ以上を不良とした。

＜実施例２＞
撹拌子を入れた２０ｍｌサンプル管に、合成例１で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−１）を２．２０ｇ、合成例２で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−２）を７．３３ｇ量り取り、ＮＭＰを６．４７ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ２を得た。
この液晶配向剤Ａ２を用いた以外は、実施例１と同様な方法により密着性評価及び交流駆動焼き付き評価を行った。

＜実施例３＞
撹拌子を入れた２０ｍｌサンプル管に、合成例４で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−１）を４．５８ｇ、合成例５で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−４）を４．５８ｇ量り取り、ＮＭＰを６．８３ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ３を得た。
この液晶配向剤Ａ３を用い、２５４ｎｍの紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ^２照射し、エチルラクテートに３分間浸漬させ、次いで、純水に１分間浸漬させた。その後、２３０℃の熱風循環式オーブンで１４分間焼成を行い、液晶配向膜付き基板を得た以外は、実施例１と同様な方法により密着性評価及び交流駆動焼き付き評価を行った。

＜比較例１＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例１と同様な方法により液晶配向剤Ｂ１を得た。この液晶配向剤Ｂ１を用いた以外は、実施例１と同様な方法により密着性評価及び交流駆動焼き付き評価を行った。
＜比較例２＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例２と同様な方法により液晶配向剤Ｂ２を得た。この液晶配向剤Ｂ２を用いた以外は、実施例２と同様な方法により密着性評価及び交流駆動焼き付き評価を行った。

＜比較例３＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例３と同様な方法により液晶配向剤Ｂ３を得た。この液晶配向剤Ｂ３を用いた以外は、実施例３と同様な方法により密着性評価及び交流駆動焼き付き評価を行った。

表２には、実施例１〜３、及び比較例１〜３で得られた液晶配向剤中に含まれる成分の組成などをまとめて示した。表２中、ポリイミド系重合体の（混合比率）は、各重合体の混合比率(質量％)を表す。溶媒の（比率）は、各有機溶媒のポリマー溶液全体に対する比率（質量％）を表す。添加剤の（ｐｈｒ）は、重合体固形分に対する添加剤含有比率（質量％）を表す。また、固形分濃度の単位は、質量％である。
表３には、実施例１〜３、及び比較例１〜３におけるＦＦＳ駆動液晶セルの作製条件を、まとめて示した。表３中、「−」は、未処理を表す。
表４には、実施例１〜３、及び比較例１〜３における各評価結果等をまとめて示した。

＜合成例６＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの５００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−５を４．５８ｇ（４２．４ｍｍｏｌ）およびジアミンＤＡ−１２を１．７９ｇ（４．７１ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを８４．７ｇ、ＧＢＬを２５４ｇ、及び塩基としてピリジン８．４０ｇ(１０６ｍｍｏｌ) を加え、窒素を送りながら撹拌して溶解させた。次にこのジアミン溶液を撹拌しながらＤＥ−１を１４．４ｇ（４４．２ｍｍｏｌ）添加し、１５℃で一晩反応させた。一晩攪拌後、アクリロイルクロリドを１．２３ｇ（１３．６ｍｍｏｌ）加えて、１５℃で４時間反応させた。得られたポリアミック酸エステルの溶液を、１４７７ｇのＩＰＡに撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、沈殿物を７３８ｇのＩＰＡで５回洗浄し、乾燥することで白色のポリアミック酸エステル樹脂粉末１７．３ｇを得た。収率は、９６．９％であった。また、このポリアミック酸エステルの分子量はＭｎ＝１４，２８８、Ｍｗ＝２９，９５６であった。
得られたポリアミック酸エステル樹脂粉末３．６９ｇを１００ｍＬ三角フラスコにとりＧＢＬを３３．２ｇ加え、窒素雰囲気下室温で２４時間攪拌し溶解させて、ポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−１）を得た。

＜合成例７＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−５を２．５０ｇ（２３．１ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−１４を０．５９ｇ（１．２２ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを４２．８ｇ、ＧＢＬを１２９ｇ、及び塩基としてピリジン４．３４ｇ（５４．９ｍｍｏｌ）を加え、窒素を送りながら撹拌して溶解させた。次にこのジアミン溶液を撹拌しながらＤＥ−１を７．４４ｇ（２２．９ｍｍｏｌ）添加し、１５℃で一晩反応させた。一晩攪拌後、アクリロイルクロリドを０．６３ｇ（７．０１ｍｍｏｌ）加えて、１５℃で４時間反応させた。得られたポリアミック酸エステルの溶液を、５７４ｇのＩＰＡに撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、沈殿物を３８２ｇのＩＰＡで５回洗浄し、乾燥することで白色のポリアミック酸エステル樹脂粉末８．８２ｇを得た。収率は、９７．８％であった。また、このポリアミック酸エステルの分子量はＭｎ＝１６，６１７、Ｍｗ＝３７，３８７であった。
得られたポリアミック酸エステル樹脂粉末０．８０ｇを２０ｍＬ三角フラスコにとりＧＢＬを７．２０ｇ加え、窒素雰囲気下室温で２４時間攪拌し溶解させて、ポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−２）を得た。

＜合成例８＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−５を１．２３ｇ（１１．３ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−１３を０．８０ｇ（３．７７ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを２７．０ｇ、ＧＢＬを９１．２ｇ、及び塩基としてピリジン２．６９ｇ（３４．０ｍｍｏｌ）を加え、窒素を送りながら撹拌して溶解させた。次にこのジアミン溶液を撹拌しながらＤＥ−１を４．６１ｇ（１４．２ｍｍｏｌ）添加し、１５℃で一晩反応させた。一晩攪拌後、アクリロイルクロリドを０．３９ｇ（４．３４ｍｍｏｌ）加えて、１５℃で４時間反応させた。得られたポリアミック酸エステルの溶液を、３８４ｇのＩＰＡに撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、沈殿物を２５６ｇのＩＰＡで５回洗浄し、乾燥することで白色のポリアミック酸エステル樹脂粉末５．１１ｇを得た。収率は、８９．６％であった。また、このポリアミック酸エステルの分子量はＭｎ＝１４，８０６、Ｍｗ＝３２，７１９であった。
得られたポリアミック酸エステル樹脂粉末０．８０ｇを２０ｍＬ三角フラスコにとりＧＢＬを７．２０ｇ加え、窒素雰囲気下室温で２４時間攪拌し溶解させて、ポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−３）を得た。

＜合成例９＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−５を２．８０ｇ（２５．９ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−２を１．４５ｇ（６．４７ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１１１ｇ、及び塩基としてピリジン６．１８ｇ（７８．１ｍｍｏｌ）を加え、窒素を送りながら撹拌して溶解させた。次にこのジアミン溶液を撹拌しながらＤＥ−１を９．８９ｇ（３０．４ｍｍｏｌ）添加し、１５℃で一晩反応させた。一晩攪拌後、アクリロイルクロリドを０．３８ｇ（４．２１ｍｍｏｌ）加えて、１５℃で４時間反応させた。得られたポリアミック酸エステルの溶液を、１２３０ｇの水に撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、沈殿物を１２３０ｇのＩＰＡで５回洗浄し、乾燥することで白色のポリアミック酸エステル樹脂粉末１０．２ｇを得た。収率は、８３．０％であった。また、このポリアミック酸エステルの分子量はＭｎ＝２０，７８６、Ｍｗ＝４０，９７３であった。
得られたポリアミック酸エステル樹脂粉末０．８０ｇを２０ｍＬ三角フラスコにとりＧＢＬを７．１９ｇ加え、窒素雰囲気下室温で２４時間攪拌し溶解させて、ポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−４）を得た。

＜合成例１０＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの１０００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−３を１４．４ｇ（５８．８ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−１２を２．４８ｇ（６．５３ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを６２２ｇ、及び塩基としてピリジン１１．６ｇ（１４７ｍｍｏｌ）を加え、窒素を送りながら撹拌して溶解させた。次にこのジアミン溶液を撹拌しながらＤＥ−１を２０．０ｇ（６１．４ｍｍｏｌ）添加し、１５℃で一晩反応させた。一晩攪拌後、アクリロイルクロリドを１．７０ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）加えて、１５℃で４時間反応させた。得られたポリアミック酸エステルの溶液を、２６９１ｇのＩＰＡに撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、沈殿物を１３４５ｇのＩＰＡで５回洗浄し、乾燥することで白色のポリアミック酸エステル樹脂粉末３１．４ｇを得た。収率は、９５．９％であった。また、このポリアミック酸エステルの分子量はＭｎ＝１３，０１２、Ｍｗ＝２５，５９４であった。
得られたポリアミック酸エステル樹脂粉末３．７０ｇを１００ｍＬ三角フラスコにとりＮＭＰを３３．３ｇ加え、窒素雰囲気下室温で２４時間攪拌し溶解させて、ポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−５）を得た。

＜合成例１１＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの１００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−６を０．９１ｇ（５．９８ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−８を４．７８ｇ（２３．９ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１３．３ｇ、及びＧＢＬを６．６６ｇ加えて、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながらカルボン酸二無水物ＤＣ−４を４．７６ｇ（２４．０ｍｍｏｌ）添加し、ＧＢＬを９．９９ｇ加えて、室温で２時間攪拌した。次に、ＧＢＬを２０．０ｇ加えて攪拌した後、カルボン酸二無水物ＤＣ−７を１．３１ｇ（６．００ｍｍｏｌ）添加し、ＧＢＬを４．８０ｇ加えて、室温で２４時間攪拌し、ポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−５）を得た。得られたポリアミック酸溶液の２５℃における粘度は４，１４７ｍＰａ・ｓであった。また、ポリアミック酸の分子量はＭｎ＝２４，３３３、Ｍｗ＝６０，０１０であった。

＜合成例１２＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの１０００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−３を４８．８６ｇ（２００ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−１１を１８．４７ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを７７０ｇ加えて、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながらカルボン酸二無水物ＤＣ−１を５１．１１ｇ（２２８ｍｍｏｌ）添加し、更に固形分濃度が１２質量％になるようにＮＭＰを加え、４０℃で２０時間撹拌してポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は１９３ｍＰａ・ｓであった。また、このポリアミック酸の分子量はＭｎ＝９８９０、Ｍｗ＝２２４５８であった。
撹拌装置及び窒素導入管付きの３０００ｍL四つ口フラスコに得られたポリアミック酸溶液を１２００ｇ量り取り、ＮＭＰを４００ｇ加え、窒素を流しながら３０分撹拌した。得られたポリアミック酸溶液に、無水酢酸を９３．１０ｇ、ピリジンを２４．０５ｇ加えて、５５℃で２時間半加熱し、化学イミド化を行った。得られた反応液を６６００ｍLのメタノールに撹拌しながら投入し、析出した沈殿物をろ取し、続いて、沈殿物を６６００ｍLのメタノールで３回洗浄し、２０００ｍLのメタノールで２回洗浄した。得られた樹脂粉末を６０℃で１２時間乾燥することで、ポリイミド樹脂粉末（２）を得た。
このポリイミド樹脂粉末のイミド化率は、７０％、分子量はＭｎ＝６７３７、Ｍｗ＝１４１８１であった。
撹拌子を入れた２００ｍL三角フラスコに得られたポリイミド樹脂粉末（２）を２０．６９ｇ秤量し、ＮＭＰを１５１．７１ｇ加え、窒素雰囲気下４０℃で２４時間撹拌し溶解させて、固形分濃度が１２質量％のポリイミド溶液(ＰＩ−２)を得た。

＜合成例１３＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの５０ｍＬ四つ口フラスコに、カルボン酸二無水物ＤＣ−５を０．８９ｇ（３．５６ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−１６を（２．５０ｇ，６．３３ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−１５を１．５３ｇ（６．３２ｍｍｏｌ）及びジアミンＤＡ−５を０．５９ｇ（５．４６ｍｍｏｌ）量り取り、１６．６ｇのＮＥＰ中で混合し、窒素を流しながら８０℃で５時間反応させた。その後、カルボン酸二無水物ＤＣ−２を２．８０ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）とＮＥＰを８．３１ｇ加え、４０℃で６時間反応させ、固形分濃度が２５質量％のポリアミック酸を得た。
得られたポリアミック酸溶液３０．０ｇにＮＭＰを加え、固形分濃度が６質量％となるように希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸を４．４０ｇおよびピリジンを３．３０ｇ加え、８０℃で３時間反応させた。この反応溶液を４６０ｍｌのメタノール中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。続いて、沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（３）を得た。このポリイミドのイミド化率は７５％であり、数平均分子量は１６，８００、重量平均分子量は４４，３００であった。
次いで、ポリイミド粉末（３）を０．５０ｇ秤量し、ＮＥＰを１１．３ｇ加え、窒素雰囲気下７０℃で２４時間攪拌して溶解させた。この溶液に、ＰＢ（７．５２ｇ）を加え、４０℃で４時間攪拌して、ポリイミド溶液（ＰＩ−３）を得た。

＜合成例１４＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの５０ｍＬ四つ口フラスコに、カルボン酸二無水物ＤＣ−５を２．５５ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−１７を１．２７ｇ（３．０９ｍｍｏｌ）及びジアミンＤＡ−６を２．６７ｇ（１７．５ｍｍｏｌ）量り取り、１７．０ｇのＮＥＰ中で混合し、窒素を流しながら８０℃で５時間反応させた。その後、カルボン酸二無水物ＤＣ−２を２．００ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）とＮＥＰを８．５０ｇ加え、４０℃で６時間反応させ、固形分濃度が２５質量％のポリアミック酸を得た。
得られたポリアミック酸溶液３０．０ｇにＮＭＰを加え、固形分濃度が６質量％となるように希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸を４．４０ｇおよびピリジンを３．３０ｇ加え、８０℃で３時間反応させた。この反応溶液を４６０ｍｌのメタノール中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。続いて、沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（４）を得た。このポリイミドのイミド化率は７６％であり、数平均分子量は１８，５００、重量平均分子量は４６，５００であった。
次いで、ポリイミド粉末（４）を０．８０ｇ秤量し、ＮＥＰを７．５２ｇを加え、窒素雰囲気下７０℃で２４時間攪拌して、ポリイミド溶液（ＰＩ−４）を得た。

＜合成例１５＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの５０ｍＬ四つ口フラスコに、カルボン酸二無水物ＤＣ−５を４．２１ｇ（１６．８ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−１８を２．９５ｇ（６．８２ｍｍｏｌ）及びジアミンＤＡ−６を２．４２ｇ（１５．９ｍｍｏｌ）量り取り、２１．４ｇのＮＭＰ中で混合し、窒素を流しながら８０℃で５時間反応させた後、カルボン酸二無水物ＤＣ−２を１．１０ｇ（５．６１ｍｍｏｌ）とＮＭＰを１０．７ｇ加え、４０℃で６時間反応させ、固形分濃度が２５質量％のポリアミック酸を得た。
得られたポリアミック酸溶液３０．０ｇにＮＭＰを加え、固形分濃度が６質量％となるように希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸を４．４０ｇおよびピリジンを３．３０ｇ加え、８０℃で３．５時間反応させた。この反応溶液を４６０ｍｌのメタノール中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。続いて、沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥しポリイミド粉末（５）を得た。このポリイミドのイミド化率は８０％であり、数平均分子量は１７，６００、重量平均分子量は４３，５００であった。
次いで、ポリイミド粉末（５）を２．５０ｇ秤量し、ＮＭＰを１８．３ｇ加え、窒素雰囲気下７０℃で２４時間攪拌して溶解させ、固形分濃度が１２質量％のポリイミド溶液（ＰＩ−５）を得た。

＜合成例１６＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの１００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−２１を３．７７ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを５０．０ｇ加え、すべて溶解したのを確認した後、カルボン酸二無水物ＤＣ−６を９．０１ｇ（３０．００ｍｍｏｌ）固体のままゆっくり加え、窒素を流しながら４０℃で３時間反応させた。
一方でメカニカルスターラーを備え付けた３００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−５を９．７３ｇ（９０．００ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１１１．１ｇと先に調整した反応溶液を加え、すべて溶解したのを確認した後、カルボン酸二無水物ＤＣ−６を２０．２７ｇ（６７．５０ｍｍｏｌ）固体のままゆっくり加え、ＮＭＰ１０．００ｇでフラスコ壁を洗浄し、４０℃で６時間反応させ、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸の分子量は数平均分子量は１０，２００、重量平均分子量は２３，６００であった。
次いで、撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、上記で得られたポリアミック酸溶液を４０．００ｇ量り取り、ＮＭＰを７４．３ｇ加え、無水酢酸を１９．０２ｇ（１８６．２９ｍｍｏｌ）、ピリジンを８．８４ｇ（１１１．７１ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分攪拌した後、４０℃で２．５時間反応させた。反応終了後、反応溶液を室温に戻し、約１０℃に冷やしたメタノール５００ｍｌにゆっくり注ぎ固体を析出させ、沈殿物を濾別した。続いて、沈殿物を２００ｍｌのメタノールで２回リパルプ洗浄を行い、１００℃で真空乾燥させポリイミド粉末（６）を得た。
攪拌子を備えた１００ｍｌ枝付ナスフラスコに、上記の操作で得られたポリイミド粉末（６）を４．０ｇ測り取り、ＧＢＬを６２．６７ｇ加え、窒素雰囲気下５０℃で攪拌し溶解させることにより、固形分濃度が６．０質量％のポリイミド溶液（ＰＩ−６）を得た。

＜合成例１７＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの５００ｍＬ四つ口フラスコに、カルボン酸二無水物ＤＣ−２を１９．８６ｇ（０．１０１ｍｏｌ）、カルボン酸二無水物ＤＣ−７を９．８１ｇ（０．０４５ｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−２２を５．５０ｇ（０．０４５ｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−２４を１２．２０ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、及びジアミンＤＡ−１９を１３．１６ｇ（０．０４５ｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰ２４２．１ｇ中、室温で窒素を流しながら１８時間反応させ、固形分濃度２０質量％のポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は５９７ｍＰａ・ｓであった。またこのポリアミック酸の分子量は、Ｍｎ＝１４２２４、Ｍｗ＝３６１４０であった。
次いで、上記で得られたポリアミック酸溶液１４０．０ｇに、ＮＭＰを２１０．０ｇ加えて希釈し、固形分濃度８．０質量％のポリアミック酸溶液を調製し、無水酢酸２１．０８ｇとピリジン８．９９ｇを加え、５０℃で２時間反応させて化学イミド化した。得られたポリイミド溶液を室温程度まで冷却後、メタノール１３３０ｇ中に投入し、沈殿物を濾別した。続いて、沈殿物をメタノールで２回洗浄した後、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末（７）を得た。このポリイミドの数平均分子量は１０９２０、重量平均分子量は３１１０８であった。また、イミド化率は８５％であった。
攪拌子を備えた１００ｍｌ枝付ナスフラスコに、上記の操作で得られたポリイミド粉末（７）を１１．０ｇ測り取り、ＧＢＬを８０，７ｇ加え、窒素雰囲気下５０℃で２０時間攪拌し溶解させることにより、固形分濃度が１２．０質量％のポリイミド溶液（ＰＩ−７）を得た。

＜合成例１８＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの１００ｍＬ四つ口フラスコに、カルボン酸二無水物ＤＣ−２を１８．５３ｇ（０．０９５ｍｏｌ），カルボン酸二無水物ＤＣ−７を８．８３ｇ（０．０４１ｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−２３を６．６０ｇ（０．０５４ｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−２４を８．２３ｇ（０．０４１ｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−２０を１２．９８ｇ（０．０４１ｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰ２３９．１ｇ中、室温で窒素を流しながら２２時間反応させポリアミック酸（ＰＡＡ−２）の濃度２０ｗｔ％の溶液を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は６９３ｍＰａ・ｓであった。またこのポリアミック酸の分子量は、Ｍｎ＝２０３６６、Ｍｗ＝５４０５２であった。
次いで、撹拌装置及び窒素導入管付きの５００ｍＬ四つ口フラスコに、上記で得られたポリアミック酸溶液１６０．０ｇにＮＭＰを２４０．０ｇ加えて希釈し、固形分濃度８．０質量％のポリアミック酸溶液を調製し、無水酢酸２２．２６ｇとピリジン９．４９ｇを加え、５０℃で２時間反応させてイミド化した。得られたポリイミド溶液を室温程度まで冷却後、メタノール１５１１ｇ中に投入し、沈殿物を濾別した。続いて、沈殿物をメタノールで２回洗浄した後、１００℃で減圧乾燥して、ポリイミド粉末（８）を得た。このポリイミドの数平均分子量は１３３０６、重量平均分子量は３５６１５であった。また、イミド化率は８５%であった。
攪拌子を備えた１００ｍｌ枝付ナスフラスコに、上記の操作で得られたポリイミド粉末（８）を１１．０ｇ測り取り、ＧＢＬを８０，７ｇ加え、窒素雰囲気下５０℃で２０時間攪拌し溶解させることにより、固形分濃度が１２．０質量％のポリイミド溶液（ＰＩ−８）を得た。

＜合成例１９＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの１００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−２１を３．７７ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを５０．０ｇ加え、すべて溶解したのを確認した後、カルボン酸二無水物ＤＣ−８を６．７３ｇ（３０．００ｍｍｏｌ）固体のままゆっくり加え、窒素雰囲気下４０℃で３時間反応させた。
一方でメカニカルスターラーを備え付けた３００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−５を９．７３ｇ（９０．００ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１１１．１ｇと先に調整した反応溶液を加え、すべて溶解したのを確認した後、カルボン酸二無水物ＤＣ−８を１５．１３ｇ（６７．５０ｍｍｏｌ）固体のままゆっくり加え、ＮＭＰ１０．００ｇでフラスコ壁を洗浄し、窒素雰囲気下４０℃で６時間反応させ、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸の分子量は数平均分子量は９，０００、重量平均分子量は２１，６００であった。
次いで、撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、上記で得られたポリアミック酸溶液を３８．００ｇ量り取り、ＮＭＰを７０．３ｇ加え、無水酢酸を１９．０２ｇ（１８６．２９ｍｍｏｌ）、ピリジンを８．８４ｇ（１１１．７１ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分攪拌した後、４０℃で２．５時間反応させた。反応終了後、反応溶液を室温に戻し、約１０℃に冷やしたメタノール５００ｍｌにゆっくり注ぎ固体を析出させ、沈殿物を濾別した。続いて、沈殿物を２００ｍｌのメタノールで２回リパルプ洗浄を行い、１００℃で真空乾燥させポリイミド粉末（９）を得た。
攪拌子を備えた１００ｍｌ枝付ナスフラスコに、上記の操作で得られたポリイミド粉末（９）を４．０ｇ測り取り、ＧＢＬを６２．６７ｇ加え、窒素雰囲気下５０℃で攪拌し溶解させることにより、固形分濃度が６．０質量％のポリイミド溶液（ＰＩ−９）を得た。

＜合成例２０＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２０００ｍＬ四つ口フラスコに、ＤＡ−８を６３．７６ｇ（３２０ｍｍｏｌ）、ＤＡ−６を１２．１７ｇ（７９．９９ｍｍｏｌ）取り、ＮＭＰを１０９４ｇ加えて、窒素を送りながら撹拌し溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ＤＣ−３を１１２．５９ｇ（３８３ｍｍｏｌ）添加し、更に固形分濃度が１２質量％になるようにＮＭＰを加えて、室温で２４時間撹拌し、ポリアミック酸（ＰＡＡ−６）の溶液を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は３８４ｍＰａ・ｓであった。

＜合成例２１＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−１０を５．００ｇ（１７．４６ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを４８．１７ｇ加え溶解させ、氷浴下１０℃以下に冷却し、カルボン酸二無水物ＤＣ−７を３．５０ｇ（１６．０６ｍｍｏｌ）少しずつ加え、室温に戻し粘度が安定するまで反応させ、固形分濃度１５質量％のポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−７）を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は４２０ｍＰａ・ｓであり、数平均分子量１２，５００、重量平均分子量は３３８００であった。

＜合成例２２＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−７を１．９８ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−８を８．４０ｇ（４０．００ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１５２．１０ｇ加え溶解させ、約１０℃に冷却し、カルボン酸二無水物ＤＣ−２を７．３５ｇ（３８．００ｍｍｏｌ）を少しずつ加え、続いてカルボン酸二無水物ＤＣ−６を３．００ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）少しずつ加え、室温に戻し粘度が安定するまで反応させ、固形分濃度が１２質量％のポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−８）を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は１８０ｍＰａ・ｓであった。

＜合成例２３＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−９を４．５１ｇ（１７．４６ｍｍｏｌ）測り取り、ＮＭＰを４５．３９ｇ加え溶解させ、氷浴下１０℃以下に冷却し、カルボン酸二無水物ＤＣ−７を３．５０ｇ（１６．０６ｍｍｏｌ）少しずつ加え、室温に戻し粘度が安定するまで反応させ、固形分濃度が１５質量％のポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−９）を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は３９０ｍＰａ・ｓであり、数平均分子量１１，２００、重量平均分子量は３１８００であった。

＜合成例２４＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの２００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−７を１．９８ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）、ジアミンＤＡ−８を８．４０ｇ（４０．００ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１４４．２５ｇ加え溶解させ、約１０℃に冷却し、カルボン酸二無水物ＤＣ−２を９．２９ｇ（４７．５０ｍｍｏｌ）個体のまま少しずつ加え、室温に戻してから粘度が安定するまで反応させ、固形分濃度が１２質量％のポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−１０）を得た。このポリアミック酸溶液の温度２５℃における粘度は２５０ｍＰａ・ｓであった。

＜合成例２５＞
撹拌装置及び窒素導入管付きの５００ｍＬ四つ口フラスコに、ジアミンＤＡ−７を２９．７３ｇ（１５０．００ｍｍｏｌ）量り取り、ＮＭＰを１６９．８ｇ、ＧＢＬを１６９．８ｇ加え、すべて溶解したのを確認した後、窒素雰囲気下約１０℃にてカルボン酸二無水物ＤＣ−２を１３．８３ｇ（７０．５０ｍｍｏｌ）固体のままゆっくり加え、３０分攪拌し、その後、カルボン酸二無水物ＤＣ−７を１６．３６ｇ（５０．００ｍｍｏｌ）固体のまま加え、室温に戻し６時間反応させ、固形分濃度が１５質量％のポリアミック酸溶液を得た。数平均分子量は９，４００、重量平均分子量は１１，５００であった。
攪拌子を備えた１Ｌの三角フラスコに、上記の操作で得られたポリアミック酸溶液を３５０ｇ測り取り、ＧＢＬを３９３．７５ｇ、ＢＣＳを１３１．２５ｇ加え、３時間攪拌し、固形分濃度が６．０質量％のポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−１１）を得た。

＜実施例４＞
合成例４で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−１）を４．５８ｇ、合成例２０で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−６）を４．５８ｇ量り取り、ＮＭＰを６．８３ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ４を得た。

＜実施例５＞
合成例４で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−１）を３．６７ｇ、合成例２０で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−６）を５．５０ｇ量り取り、ＮＭＰを６．８３ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ５を得た。

＜実施例６＞
合成例１２で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−２）を４．５９ｇ、合成例２０で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−６）を４．５７ｇ量り取り、ＮＭＰを６．８５ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ６を得た。

＜実施例７＞
合成例４で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−１）を９．１７ｇ量り取り、ＮＭＰを６．８３ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ７を得た。

＜実施例８＞
合成例１２で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−１）を８．８５ｇ量り取り、ＮＭＰを７．１５ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ７を得た。
＜実施例９＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｂを添加したこと以外は、実施例４と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ａ９を得た。
＜実施例１０＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｂを添加したこと以外は、実施例５と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ａ１０を得た。

＜実施例１１＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｂを添加したこと以外は、実施例６と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ａ１１を得た。
＜実施例１２＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｂを添加したこと以外は、実施例７と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ａ１２を得た。
＜実施例１３＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｂを添加したこと以外は、実施例８と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ａ１３を得た。

＜実施例１４＞
合成例６で得られたポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−１）を４．４０ｇ、合成例１１で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−５）を５．５０ｇ量り取り、ＮＭＰを０．５２ｇ、ＧＢＬを５．５８ｇ、ＢＣＳを４．０１ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ１４を得た。

＜実施例１５＞
合成例７で得られたポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−２）を４．４１ｇ、合成例１１で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−５）を５．４９ｇ量り取り、ＮＭＰを０．５０ｇ、ＧＢＬを５．６０ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ１５を得た。

＜実施例１６＞
合成例８で得られたポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−３）を４．４２ｇ、合成例１１で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−５）を５．４９ｇ量り取り、ＮＭＰを０．５０ｇ、ＧＢＬを５．６０ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ１６を得た。

＜実施例１７＞
合成例９で得られたポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−４）を４．４２ｇ、合成例１１で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−５）を５．５０ｇ量り取り、ＮＭＰを０．５０ｇ、ＧＢＬを５．６０ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ１７を得た。

＜実施例１８＞
合成例１０で得られたポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−５）を４．４２ｇ、合成例１１で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−５）を５．４９ｇ量り取り、ＮＭＰを０．５０ｇ、ＧＢＬを５．６０ｇ、ＢＣＳを４．００ｇ、イミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、及び添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ１６を得た。

＜実施例１９＞
合成例６で得られたポリアミック酸エステル溶液（ＰＡＥ−１）を１１．０ｇ量り取り、ＧＢＬを４．９９ｇ、ＢＣＳを４．０２ｇ、及びイミド化促進剤としてＮ−α―（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｎ−τ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−ヒスチジンを０．１５ｇ、添加剤Ａを０．０６ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ１９を得た。

＜比較例４＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例４と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ４を得た。
＜比較例５＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例５と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ５を得た。
＜比較例６＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例６と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ６を得た。

＜比較例７＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例７と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ７を得た。
＜比較例８＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例８と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ８を得た。
＜比較例９＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例９と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ９を得た。

＜比較例１０＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例１０と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１０を得た。
＜比較例１１＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例１１と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１１を得た。
＜比較例１２＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例１２と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１２を得た。

＜比較例１３＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例１３と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１３を得た。
＜比較例１４＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例１４と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１４を得た。
＜比較例１５＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｃを添加したこと以外は、実施例５と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１５を得た。

＜比較例１６＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｃを添加したこと以外は、実施例６と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１６を得た。
＜比較例１７＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｄを添加したこと以外は、実施例５と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１７を得た。
＜比較例１８＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｄを添加したこと以外は、実施例６と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１８を得た。

上記実施例４〜１３、及び比較例４〜８、１５〜１８でそれぞれ得られた液晶配向剤を用いて、実施例３と同様な方法により得られた密着性評価の結果、及び液晶セルの液晶配向性の評価、交流駆動焼き付き評価を行った結果を、表５−１及び表５−２にまとめて示す。
同様に、上記実施例１４〜１９、及び比較例９〜１４でそれぞれ得られた液晶配向剤を用いて、実施例１と同様な方法により得られた液晶セルについての密着性評価及び交流駆動焼き付き評価を行った結果を、表５−１及び表５−２にまとめて示す。

＜実施例２０＞
合成例２１で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−７）を８．０ｇ、合成例２２で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−８）を４０．０ｇ量り取り、ＮＭＰを３１．７ｇとＢＣＳを２０．０ｇ及び添加剤Ａを０．３０ｇ加え、４０℃で４時間攪拌し、液晶配向剤Ａ２０を得た。

＜密着性の測定＞
得られた液晶配向剤Ａ２０を１．０μｍのフィルターで濾過した後、透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、８０℃のホットプレート上で５分間乾燥させた後、２３０℃で２０分間焼成して、膜厚１００ｎｍのポリイミド膜を得た。実施例１と同様の手順で密着性評価用のサンプル基板を作製し、卓上形精密万能試験機（島津製作所製、ＡＧＳ−Ｘ ５００Ｎ）にて、上下基板の端の部分を固定した後、基板中央部の上部から押し込みを行い、剥離する際の圧力（Ｎ）を測定した。

＜液晶表示素子の作製＞
実施例１で用いたものと同様の基板を用意し、次いで、５０℃のホットプレート上で５分間乾燥後、２３０℃で２０分間焼成して膜厚６０ｎｍの塗膜として、各基板上にポリイミド膜を得た。このポリイミド膜上を、所定のラビング方向で、レーヨン布によりラビング（ロール径１２０ｍｍ、回転数５００ｒｐｍ、移動速度３０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量０．３ｍｍ）した後、純水中にて１分間超音波照射を行い、８０℃で１０分間乾燥した。
その後、上記液晶配向膜付きの２種類の基板を用いて、それぞれのラビング方向が逆平行になるように組み合わせ、液晶注入口を残して周囲をシールし、セルギャップが３．８μｍの空セルを作製した。この空セルに液晶（ＭＬＣ−２０４１、メルク社製）を常温で真空注入したのち、注入口を封止してアンチパラレル配向の液晶セルとした。得られた液晶セルは、ＦＦＳモード液晶表示素子を構成する。その後、得られた液晶セルを１２０℃で１時間加熱し、一晩放置してから各評価に使用した。

＜液晶配向性の評価＞
液晶セルの配向状態の評価を上記した実施例１と同様の方法により行った。
＜液晶セルの交流駆動焼付き＞
実施例１と同様の方法で第１画素と第２画素の角度Δ値の平均値を液晶セルの角度Δとして算出した。交流駆動焼き付きΔが０．２未満を良好とし、それ以上を不良とした。

＜実施例２１＞
合成例２３で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−９）を８．０ｇ、合成例２４で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−９）を４０．０ｇ秤量し、ＮＭＰを３１．７ｇとＢＣＳを２０．０ｇ及び添加剤Ａを０．３０ｇ加え、４０℃で４時間攪拌し、液晶配向剤Ａ２１を得た。

＜比較例１９＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例２０と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ１９を得た。
＜比較例２０＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例２１と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２０を得た。
＜比較例２１＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｃを添加したこと以外は、実施例２０と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２１を得た。

＜比較例２２＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｃを添加したこと以外は、実施例２１と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２２を得た。
＜比較例２３＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｄを添加したこと以外は、実施例２０と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２３を得た。
＜比較例２４＞
添加剤Ａの代わりに添加剤Ｄを添加したこと以外は、実施例２１と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２４を得た。

上記実施例２０、２１、及び比較例２０〜２４でそれぞれ得られた液晶配向剤を用いて、実施例２０と同様な方法により得られた密着性評価の結果、及び液晶セルの液晶配向性の評価、交流駆動焼き付き評価を行った結果を行った結果を、表６にまとめて示す。

＜実施例２２＞
合成例１３で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−３）を１１．８ｇ、合成例１４で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−４）を８．３ｇ秤量し、ＰＢを１２．５ｇ及び添加剤Ａを０．０７ｇ加え、４０℃で４時間攪拌し、液晶配向剤Ａ２２を得た。

＜密着性の測定＞
得られた液晶配向剤Ａ２２を１．０μｍのフィルターで濾過した後、透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、ホットプレート上にて１００℃で５分間、熱循環型クリーンオーブンにて２３０℃で３０分間加熱処理をして膜厚が１００ｎｍのポリイミド液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を得た。実施例１と同様の手順で密着性評価用のサンプル基板を作製し、卓上形精密万能試験機（島津製作所製、ＡＧＳ−Ｘ ５００Ｎ）にて、上下基板の端の部分を固定した後、基板中央部の上部から押し込みを行い、剥離する際の圧力（Ｎ）を測定した。

＜液晶配向性の評価＞
得られた液晶配向剤Ａ２２を１．０μｍのフィルターで濾過した後、液晶セルの作製を行った。この溶液を純水及びＩＰＡにて洗浄を行った１００×１００ｍｍＩＴＯ電極付き基板（縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）のＩＴＯ面にスピンコートし、ホットプレート上にて１００℃で５分間、熱循環型クリーンオーブンにて２３０℃で３０分間加熱処理をして膜厚が１００ｎｍのポリイミド液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を得た。
得られた液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を２枚用意し、液晶配向膜面を内側にして６μｍのスペーサー挟んで組み合わせ、シール剤で周囲を接着して空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ＭＬＣ−６６０８（メルク・ジャパン製）を注入し、注入口を封止して液晶セル（垂直配向セル）を得た。得られた液晶セルを１２０℃で１時間加熱し、該液晶セルの配向状態の評価を上記した実施例１と同様の方法により行った。

＜実施例２３＞
合成例１５で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−５）を２０．８ｇを秤量し、ＮＭＰを１．３ｇ、ＢＣＳを１９．６ｇ及び添加剤Ａを０．１３ｇ加え、室温で３時間攪拌し、液晶配向剤Ａ２３を得た。

＜比較例２５＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例２２と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２５を得た。
＜比較例２６＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例２３と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２６を得た。

上記実施例２２、２３、及び比較例２５、２６でそれぞれ得られた液晶配向剤を用いて、実施例２２と同様な方法により得られた試験基板についての密着性の評価の結果、及び液晶セルについての液晶配向性の評価を行った結果を、表７にまとめて示す。

＜実施例２４＞
合成例１６で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−６）を５．０ｇ、合成例２５で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−１１）を２０．０ｇ秤量し、添加剤Ａを０．０８ｇ加え、室温で２４時間攪拌し、液晶配向剤Ａ２４を得た。

＜密着性の測定＞
得られた液晶配向剤Ａ２４を１．０μｍのフィルターで濾過した後、透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、温度８０℃のホットプレート上で６０秒乾燥させた後、２２０℃のＩＲ（赤外線）オーブンを用いて窒素雰囲気下で２０分間焼成を行い、膜厚が１００ｎｍのポリイミド液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を得た。実施例１と同様の手順で密着性評価用のサンプル基板を作製し、卓上形精密万能試験機（島津製作所製、ＡＧＳ−Ｘ ５００Ｎ）にて、上下基板の端の部分を固定した後、基板中央部の上部から押し込みを行い、剥離する際の圧力（Ｎ）を測定した。

＜液晶配向性の評価＞
得られた液晶配向剤Ａ２４を１．０μｍのフィルターで濾過した後、液晶セルの作製を行った。この溶液を純水及びＩＰＡにて洗浄を行った１００×１００ｍｍＩＴＯ電極付き基板（縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）のＩＴＯ面にスピンコートし、温度８０℃のホットプレート上で６０秒乾燥させた後、２２０℃のＩＲ（赤外線）オーブンを用いて窒素雰囲気下で２０分間焼成を行い、膜厚１００ｎｍの塗膜を形成させた。この塗膜面をロール径１２０ｍｍのラビング装置でコットン布（吉川製ＹＡ−２５Ｃ）を用いて、ロール回転数１０００ｒｐｍ、ロール進行速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量０．４ｍｍの条件でラビングし、液晶配向膜付き基板を得た。
得られた液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を２枚用意し、２枚の基板を液晶配向膜面が向き合いラビング方向が直行するようにして６μｍのスペーサー挟んで組み合わせ、シール剤で周囲を接着して空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ＭＬＣ−２００３（メルク・ジャパン社製）を注入し、注入口を封止して液晶セル（ＴＮ配向セル）を得た。得られた液晶セルを１２０℃で１時間加熱し、該液晶セルの配向状態の評価を上記した実施例１と同様の方法により行った。

＜実施例２５＞
合成例１７で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−７）を６４．２ｇと、合成例１８で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−８）を２７．５ｇ混合し、さらにこの溶液にＧＢＬ２３．８ｇ、ＮＭＰ４１．８ｇ、ＢＣＳ６２．７ｇおよび添加剤Ａを０．６６ｇ加え、５０℃で２０時間攪拌し、液晶配向剤Ａ２５を得た。
＜実施例２６＞
合成例１９で得られたポリイミド溶液（ＰＩ−９）を５．０ｇ、合成例２５で得られたポリアミック酸溶液（ＰＡＡ−１１）を２０．０ｇ秤量し、添加剤Ａを０．０８ｇ加え、室温で２４時間攪拌し、液晶配向剤Ａ２６を得た。

＜比較例２７＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例２４と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２７を得た。
＜比較例２８＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例２５と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２８を得た。
＜比較例２９＞
添加剤Ａを添加していないこと以外は、実施例２６と同様な方法により液晶配向液晶配向剤Ｂ２９を得た。

上記実施例２４〜２６、及び比較例２７〜２９でそれぞれ得られた液晶配向剤を用いて、実施例２４と同様な方法により得られた密着性評価の結果、及び液晶セルの液晶配向性の評価を行った結果を表７にまとめて示す。

本発明の液晶配向剤から得られる液晶配向膜は、シール剤や基板との接着性（密着性）を満足し、なおかつ、液晶配向性や電気特性を両立した特性が発現する。このような本発明の液晶配向膜を備える、ＩＰＳ、及びＦＦＳ駆動方式の液晶表示素子では、発生する交流駆動により生じる残像や、直流電圧により蓄積した残留電荷による表示焼きつきが抑制され、かつ、高いシール密着性を有する。そのため、高い表示品位が求められる広範な液晶表示素子における利用が可能である。

なお、２０１３年１１月１５日に出願された日本特許出願２０１３−２３７３１９号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (17)

1. 下記の（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び有機溶剤を含有することを特徴とする液晶配向剤。
   （Ａ）成分：下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種の重合体。
   （Ｂ）成分：ヒドロキシアルキルアミド基を有する化合物。
   

   

   （Ｘ_１は、４価の有機基であり、Ｙ_１は、２価の有機基である。Ｒ_１は、水素原子、又は炭素数１〜５のアルキル基である。Ａ_１及びＡ_２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、又は炭素数２〜１０のアルキニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。）
2. （Ｂ）成分が、ヒドロキシアルキルアミド基を２つ以上有する化合物である、請求項１に記載の液晶配向剤。
3. （Ｂ）成分が、(Ａ)成分に対して０．１〜２０質量％含有される、請求項１又は２に記載の液晶配向剤。
4. （Ｂ）成分が、下記式（２）で表される請求項１〜３のいずれかに記載の液晶配向剤。
   

   

   （Ｘ_２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基を含むｎ価の有機基であり、ｎは２〜６の整数である。Ｒ_２及びＲ_３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、又は炭素数２〜４のアルキニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。なお、Ｒ_２及びＲ_３のうち少なくとも１つは、置換基としてヒドロキシ基を有する。）
5. Ｒ_２及びＲ_３のうち少なくとも１つが、下記式（３）である、請求項１〜４のいずれかに記載の液晶配向剤。
   

   

   （Ｒ_４〜Ｒ_７は、それぞれ独立して、水素原子、炭化水素基、又はヒドロキシ基で置換された炭化水素基である。）
6. Ｘ_２中の、カルボニル基に直接結合する原子は、芳香環を形成していない炭素原子である、請求項１〜５のいずれかに記載の液晶配向剤。
7. Ｘ_２が、脂肪族炭化水素基である、請求項１〜６のいずれかに記載の液晶配向剤。
8. Ｒ_２及びＲ_３が、下記式（４）で表される化合物である、請求項１〜７のいずれかに記載の液晶配向剤。
   

   
9. （Ｂ）成分が下記のいずれかの化合物である、請求項１〜８のいずれかに記載の液晶配向剤。
   

   
10. Ｘ_１が、下記式（Ｘ−１）〜（Ｘ−１４）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造である、請求項１〜９のいずれかに記載の液晶配向剤。
    

    

    （Ｒ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、アルケニル基、又はフェニル基である。）
11. Ｘ_１が、下記式（Ｘ１−１）及び（Ｘ１−２）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造である、請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶配向剤。
    

    
12. Ｙ_１が、下記式（５）及び（６）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造である請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶配向剤。
    

    

    （Ｒ_１２は単結合、又は炭素数１〜３０の２価の有機基であり、Ｒ_１３は水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜３０の１価の有機基であり、ａは１〜４の整数であり、ａが２以上の場合は、(Ｒ_１２−Ｒ_１３)は、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ_１４は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ_１５−、アミド結合、エステル結合、ウレア結合、又は炭素数１〜４０の２価の有機基であり、Ｒ_１５は、水素原子、又はメチル基である。）
13. 請求項１〜１２のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布し、焼成して得られる液晶配向膜。
14. 請求項１〜１２のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布し、波長１００〜４００ｎｍの偏光させた放射線を照射して得られる液晶配向膜。
15. 焼成後の膜厚が５〜３００ｎｍである請求項１３又は１４に記載の液晶配向膜。
16. 請求項１３〜１５のいずれかに記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
17. 請求項１３〜１５のいずれかに記載の液晶配向膜を具備する横電界駆動型液晶表示素子。