JPWO2015068613A1 - トランスおよび通信端末装置 - Google Patents

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Abstract

複数の基材層が積層される積層体の、互いに異なる基材層に第１コイル導体（ＬＰ１）および第２コイル導体（ＬＰ２）が形成される。第１コイル導体（ＬＰ１）と第２コイル導体（ＬＰ２）は層間接続導体（Ｖ１１，Ｖ１２）で層間接続される。第１コイル導体（ＬＰ１）が形成するコイル開口（ＡＰ１）と第２コイル導体（ＬＰ２）が形成するコイル開口（ＡＰ２）とは、積層体の積層方向からの平面視で重なる。第１コイル導体（ＬＰ１）と第２コイル導体（ＬＰ２）とは、少なくとも２個所で層間接続導体（Ｖ１１，Ｖ１２）を介して接続される。これにより、第１コイル導体（ＬＰ１）の第１部（Ｌ１１）と第２コイル導体（ＬＰ２）の第１部（Ｌ２１）との並列接続部が構成され、第１コイル導体（ＬＰ１）の第２部（Ｌ１２）および第２コイル導体（ＬＰ２）の第２部（Ｌ２２）で直列接続部が構成される。

Description

本発明は、積層型コイル、インピーダンス変換回路およびそれを備えた通信端末装置に関する。
携帯電話端末などの無線通信機器の小型化に伴って、アンテナは小型化され、そのインピーダンスは低くなる傾向にある。そして、給電回路に比べてインピーダンスが非常に低いアンテナと給電回路とを、リアクタンス素子で整合させようとすると、すなわちインピーダンス変換比が大きくなると、整合する周波数帯域は狭帯域化してしまう。
一方、１つのアンテナで複数の通信システムに対応させる場合、例えば、ローバンド（例えば800MHz帯）とハイバンド（例えば2GHz帯）の通信システムに対応させる場合、１つの放射素子の基本共振モードと高次共振モードが利用される。しかし放射素子のインピーダンスは周波数によって異なるため、一方の周波数帯に整合する整合回路を設けると他方周波数で整合できないといった問題も生じる。
上記問題を解決するため、特許文献１に示されるように、整合回路にトランス回路を用いたインピーダンス変換回路が提案されている。
特許第４７６１００９号公報
一般に、トランスの一次コイルおよび二次コイルの形状が同一で、且つ互いに近接配置される程、一次コイルと二次コイルの結合係数が高くなる。そこで、複数の基材層が積層された積層体にトランスが構成される場合、ループ状のコイル導体が積層方向に近接配置されれば結合係数は高くなる。
しかし、コイル導体を他のコイル導体や外部端子に接続するためには、コイル導体の形成領域外に配線を形成する必要がある。このような配線は、一次コイルと二次コイルとの結合には全く寄与しないため、この配線の存在によって、一次コイルと二次コイルの結合係数は劣化する。
また、トランス構造のインピーダンス変換回路やコモンモードチョークコイル等の積層型コイルを構成する際、コイル導体の形成領域外の上記配線の存在は小型化を阻害する要因となる。すなわち、層間を接続する層間接続導体とコイル導体との間には、絶縁状態を保つためにある程度の距離が必要である。その結果、コイル導体の形成領域のサイズを小さくする必要がある。ところが、コイル導体の形成領域が小さくなることで、一層あたりに得られるインダクタンスは小さくなり、所望のインダクタンスを得るためには、コイル導体の形成層数を増やす必要がある。その結果、結合係数が劣化するだけではなく、コイルのＱ値の劣化を招く。積層体内部の配線を無くすために、積層体の側面電極を用いて配線を行う手法もある。しかし、積層体の側面電極の位置はサイズや用途により予め決定されており、変更の自由度は非常に低い。
また、一次コイルと二次コイルの結合係数を高めるには、それぞれのコイル導体が同一形状であることが重要である。ここで、コイル導体が形成された２つの基材層１１，１２の平面図を図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示す。図８（Ｃ）、図８（Ｄ）は、基材層１１，１２を重ねた状態での平面図である。図８（Ａ）は、２つの基材層にほぼ１ターン分のコイル導体が形成され、積層体の一方端に給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２およびグランド端子Ｐ３が形成された例である。図８（Ｂ）は積層体の上下左右に上記端子が形成された例である。いずれもコイル導体の所定位置で層間接続導体Ｖによって層間接続される。図８（Ａ）、図８（Ｃ）に示す構造では高い結合係数が得られるが、側面電極の形成位置に自由度がない。また、図８（Ｂ）、図８（Ｄ）に示す構造では高い結合係数が得られない。
また、端子の形成位置を規定位置にするために、コイル導体を複数層に亘って形成することは有効である。例えば図９に示すように、複数の基材層１１〜１５にコイル導体を形成し、所定位置に層間接続導体Ｖ１〜Ｖ４を形成すれば、１ターン以上のコイルを形成して端子を積層体の対向する端部に配置することができる。しかし、この構造では非常に多くの基材層が必要となり、且つ、必要な（小さな）インダクタ値を得るのが困難となる。
そこで、本発明の目的は、上述の課題の解決に適する、所定のインダクタンス値を有する小型の積層型コイル、小型でありながら高い結合係数を得ることのできるインピーダンス変換回路、または、外部端子の位置が変更できない場合でも、所定のインダクタンスを得て、所定のインピーダンス変換比を定められるようにしたインピーダンス変換回路を提供すること、およびそれを備えた通信端末装置を提供することにある。
（１）本発明の積層型コイルは、
複数の基材層が積層される積層体の、互いに異なる前記基材層に形成される、第１コイル導体および第２コイル導体と、
前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とを接続する層間接続導体と、を備え、
前記第１コイル導体が形成するコイル開口と前記第２コイル導体が形成するコイル開口とは、前記積層体の積層方向からの平面視で重なり、
前記層間接続導体の数は複数であり、
前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とが、少なくとも２個所で前記層間接続導体を介して接続されることで、前記第１コイル導体の第１部と前記第２コイル導体の第１部との並列接続部が構成され、
前記並列接続部に接続され、前記第１コイル導体の第２部および前記第２コイル導体の第２部で直列接続部が構成される。
上記構成により、平面形状や平面サイズの制約があっても、所定のインダクタンスを有するコイルが得られる。また、コイルを構成しない配線が不要であるため、限られた面積にコイル開口の大きなコイル導体が形成でき、小型で所定インダクタンスのコイルが構成される。
（２）上記（１）において、前記第１コイル導体は実質的に１ターンのコイルを構成し、前記第２コイル導体は実質的に１ターンのコイルを構成することが好ましい。これにより、限られた面積にコイル開口の大きなコイル（実質的に１ターンのコイル）が構成でき、小型で所定インダクタンスのコイルが構成される。
（３）上記（１）または（２）において、前記第１コイル導体の第１端に繋がる第１外部端子、および前記第２コイル導体の第１端に繋がる第２外部端子が前記積層体に形成され、前記第１外部端子と前記第２外部端子は、前記第１コイル導体および前記第２コイル導体の形成領域を挟んで対向する位置に配置されることが好ましい。これにより、外部端子の引き出しが容易となる。
（４）上記（１）または（２）において、前記第１コイル導体の第１端に繋がる第１外部端子、および前記第２コイル導体の第１端に繋がる第２外部端子が前記積層体に形成され、前記第１コイル導体を、前記第１コイル導体の第１端からトレースするとき、前記並列接続部の開始位置は、前記第２コイル導体の第１端を越える位置であり、前記第２コイル導体を、前記第２コイル導体の第１端からトレースするとき、前記並列接続部の開始位置は、前記第１コイル導体の第１端を越える位置であることが好ましい。これにより、第１外部端子、第２外部端子の位置に応じて並列接続部を構成できる。すなわち、外部端子の配置に制約されずに、コイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
（５）本発明のインピーダンス変換回路は、
複数の基材層が積層される積層体と、
前記積層体に設けられ、互いにトランス結合する第１コイル素子および第２コイル素子と、を備え、
少なくとも前記第１コイル素子は、
互いに異なる前記基材層に形成される第１コイル導体および第２コイル導体と、
前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とを接続する層間接続導体と、を備え、
前記第１コイル素子が形成するコイル開口および前記第２コイル素子が形成するコイル開口は、前記積層体の積層方向からの平面視で重なり、
前記層間接続導体の数は複数であり、
前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とが、少なくとも２個所で前記層間接続導体を介して接続されることで、前記第１コイル導体の第１部と前記第２コイル導体の第１部との並列接続部が構成され、
前記並列接続部に接続され、前記第１コイル導体の第２部および前記第２コイル導体の第２部で直列接続部が構成される。
上記構成により、引き出し電極のような、コイルを構成しない配線が不要であるため、コイル導体のループ形状を維持して、高い結合係数が得られる。また、外部端子の位置に制約されずにコイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
（６）上記（５）において、前記第１コイル素子の第１端に繋がる第１外部端子、および前記第１コイル素子の第２端に繋がる第２外部端子が前記積層体に形成され、前記第１コイル素子を構成する前記第１コイル導体を、前記第１コイル導体の第１端からトレースするとき、前記並列接続部の開始位置は、前記第２コイル導体の第１端を越える位置であることが好ましい。これにより、第１外部端子、第２外部端子の位置に応じて並列接続部を構成できる。すなわち、外部端子の配置に制約されずに、コイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
（７）上記（５）または（６）において、給電端子、アンテナ端子およびグランド端子を備え、前記給電端子は前記第１コイル素子の第１端に繋がり、前記アンテナ端子は前記第１コイル素子の第２端および前記第２コイル素子の第１端に繋がり、前記グランド端子は前記第２コイル素子の第２端に繋がることが好ましい。これにより、オートトランス構造となって、大きなインピーダンス変換比が得られる。また、給電端子からアンテナ端子まで第１コイル素子を介して直接接続されるので、トランス構造による挿入損失の増大は抑制される。
（８）上記（７）において、前記給電端子、前記アンテナ端子および前記グランド端子は前記積層体の側面に形成されることが好ましい。これにより、各端子への引き出し（引き回し）距離が最短化でき、大きなコイル開口を確保できる。
（９）上記（７）または（８）において、前記給電端子は前記積層体の第１側面に形成され、前記アンテナ端子は、前記積層体の第１側面に対向する第２側面に形成され、前記グランド端子は前記積層体の第３側面に形成されることが好ましい。これにより、給電回路とアンテナとの間に本インピーダンス変換回路を配置する状態で、給電回路とアンテナとの間の信号伝送経路への挿入およびグランドとの接続が容易となる。
（１０）上記（５）〜（９）において、
前記基材層は誘電体もしくは磁性体、または誘電体および磁性体である。これにより、第１コイル素子と第２コイル素子との結合度が高まり、インピーダンス変換比を大きくできる。また、所定のインダクタンスを得るに要する、第１コイル素子および第２コイル素子のコイル導体長が短くなるので、小型化できる。
（１１）本発明の通信端末装置は、高周波信号を送受信するアンテナと、このアンテナに対する給電回路とを備え、前記給電回路と前記アンテナとの間に、上記インピーダンス変換回路を備えたことを特徴としている。これにより、小型でありながら大きな所定のインピーダンス変換比のインピーダンス変換回路を備えることで、小型の（より低インピーダンスの）アンテナを備えることができ、全体に小型で低損失の通信端末装置が構成される。
本発明のインピーダンス変換回路によれば、所定のインダクタンス値を有する小型の積層型コイル、小型でありながら高い結合係数を得ることのできるインピーダンス変換回路、または外部端子の位置が変更できない場合でも、所定のインダクタンスを得て、所定のインピーダンス変換比を定められるようにしたインピーダンス変換回路が構成できる。また、このインピーダンス変換回路を備えた通信端末装置を構成できる。
図１は第１の実施形態に係る積層型コイル１０の導体部分のみを表す斜視図である。 図２は積層型コイル１０の２つの基材層に形成される導体パターンを示す平面図である。 図３は積層型コイル１０の回路図である。 図４は第２の実施形態に係るインピーダンス変換回路１０１の内部透視斜視図である。 図５はインピーダンス変換回路１０１の各基材層に形成される導体パターンと電流経路を示す図である。 図６（Ａ）は、図４、図５に示したインピーダンス変換回路１０１の回路図、図６（Ｂ）はインピーダンス変換回路１０１の等価回路図である。 図７は第３の実施形態に係る携帯電話端末等の通信端末装置の構成を示す図である。 図８（Ａ）（Ｂ）は、コイル導体が形成された２つの基材層１１，１２の平面図である。図８（Ｃ）（Ｄ）は、基材層１１，１２を重ねた状態での平面図である。 図９はコイル導体を複数層に亘って形成した各基材層の平面図である。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付す。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る積層型コイル１０の導体部分のみを表す斜視図である。図２は積層型コイルの２つの基材層に形成される導体パターンを示す平面図である。
積層型コイル１０は、複数の基材層が積層される積層体の、互いに異なる基材層に形成される、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２を備える。また、積層型コイル１０は第１コイル導体ＬＰ１と第２コイル導体ＬＰ２とを接続する層間接続導体（ビア）Ｖ１１，Ｖ１２を備える。第１コイル導体ＬＰ１が形成するコイル開口ＡＰ１と第２コイル導体ＬＰ２が形成するコイル開口ＡＰ２とは、積層体の積層方向からの平面視で重なる。
第１コイル導体ＬＰ１と第２コイル導体ＬＰ２とは２個所で層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して接続される。
図３は積層型コイル１０の回路図である。この図３に表すように、第１コイル導体ＬＰ１の第１部Ｌ１１と第２コイル導体ＬＰ２の第１部Ｌ２１との並列接続部ＰＰが構成される。また、並列接続部に接続され、第１コイル導体ＬＰ１の第２部Ｌ１２および第２コイル導体ＬＰ２の第２部Ｌ２２で直列接続部ＳＰが構成される。ここで、第１コイル導体ＬＰ１の第１部Ｌ１１と第２コイル導体ＬＰ２の第１部Ｌ２１のインダクタンスをL11，L21で表し、第１コイル導体ＬＰ１の第２部Ｌ１２と第２コイル導体ＬＰ２の第２部Ｌ２２のインダクタンスをL12，L22で表すと、この積層型コイル１０のインダクタンスLは次式で表される。
L = L12 + L22 + L11・L21 / (L11 + L21)
図１、図２に示したように、本実施形態の積層型コイル１０の第１コイル導体ＬＰ１は実質的に１ターンのコイルを構成し、第２コイル導体ＬＰ２は実質的に１ターンのコイルを構成する。また、第１コイル導体ＬＰ１の第１端Ｅ１１に繋がる第１外部端子Ｔ１、および第２コイル導体ＬＰ２の第１端Ｅ２１に繋がる第２外部端子Ｔ２が積層体に形成される。また、第１外部端子Ｔ１と第２外部端子Ｔ２は、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２の形成領域を挟んで対向する位置に配置される。
積層型コイル１０は、第１コイル導体ＬＰ１を、第１コイル導体ＬＰ１の第１端Ｅ１１から右回りにトレースする（なぞる）とき、並列接続部の開始位置である層間接続導体Ｖ１１の形成位置は、第２コイル導体ＬＰ２の第１端Ｅ２１を越える位置である。また、第２コイル導体ＬＰ２を、第２コイル導体ＬＰ２の第１端Ｅ２１から左回りにトレースするとき、並列接続部の開始位置である層間接続導体Ｖ１２の形成位置は、第１コイル導体ＬＰ１の第１端Ｅ１１を越える位置である。
以上に示した構成により、次のような効果を奏する。
（ａ）層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２の位置によって、並列接続部ＰＰのインダクタンスおよび直列接続部ＳＰのインダクタンスが定まるので、コイル開口を変えることなく、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２の位置によって、積層型コイル１０の合成インダクタンスを所定値に定めることができる。
（ｂ）コイルを構成しない配線が不要であり、第１コイル導体ＬＰ１が形成するコイル開口ＡＰ１と第２コイル導体ＬＰ２が形成するコイル開口ＡＰ２とは、積層体の積層方向からの平面視で重なるので、限られた平面サイズで大きなコイル開口が得られる。
（ｃ）限られた面積にコイル開口の大きなコイル（１つの基材層に実質的に１ターンのコイル）が構成でき、限られた平面サイズで大きなコイル開口が得られる。
（ｄ）第１外部端子と第２外部端子は、第１コイル導体および第２コイル導体の形成領域を挟んで対向する位置に配置されるので、外部端子の引き出しが容易である。
（ｅ）第１コイル導体を、第１コイル導体の第１端からトレースするとき、並列接続部の開始位置は、第２コイル導体の第１端を越える位置であり、第２コイル導体を、第２コイル導体の第１端からトレースするとき、並列接続部の開始位置は、第１コイル導体の第１端を越える位置であることにより、第１外部端子、第２外部端子の位置に応じて並列接続部を構成できる。すなわち、外部端子の配置に制約されずに、コイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
なお、第１コイル導体ＬＰ１が形成するコイル開口ＡＰ１と第２コイル導体ＬＰ２が形成するコイル開口ＡＰ２とは、コイル開口ＡＰ１の全体とコイル開口ＡＰ２の全体とが、積層体の積層方向からの平面視で重なることが好ましいが、重ならない部分があってもよい。
《第２の実施形態》
図４は第２の実施形態に係るインピーダンス変換回路１０１の内部透視斜視図である。但し、積層構造の分かりやすさを考慮して、積層方向の寸法は誇張して表されている。実際の寸法は、例えば実装面は１．６mm×０．８mm、高さは０．６mmである。
後に詳述するように、積層体２０は複数の基材層が積層されることより構成される。
複数の基材層のうち所定の基材層に各種導体パターンが形成される。４つの基材層にコイル導体ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４がそれぞれ形成される。各コイル導体ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４は所定位置で層間接続導体（ビア）Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２等により層間接続される。
第１コイル導体ＬＰ１と第２コイル導体ＬＰ２とを所定個所で層間接続する２つの層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２と、第１コイル導体ＬＰ１と、第２コイル導体ＬＰ２とを備えて、第１コイル素子が構成される。同様に、第３コイル導体ＬＰ３と第４コイル導体ＬＰ４とを所定個所で層間接続する２つの層間接続導体と第３コイル導体ＬＰ３と、第４コイル導体ＬＰ４とを備えて、第２コイル素子が構成される。
第１コイル素子が形成するコイル開口および第２コイル素子が形成するコイル開口は、積層体２０の積層方向からの平面視で重なる。
積層体２０の外面には、外部端子である、給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３および空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。具体的には、積層体２０の第１側面に給電端子Ｐ１、第１側面に対向する第２側面にアンテナ端子Ｐ２、がそれぞれ形成される。第３側面にはグランド端子Ｐ３、第３側面に対向する第４側面には空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。積層体２０の下面および上面には、側面の外部端子に繋がる、給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３および空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。
第１コイル素子の第１端（第１コイル導体ＬＰ１の一方の端部）は給電端子Ｐ１に導通する。第２コイル素子の第１端（第３コイル導体ＬＰ３の一方の端部）はアンテナ端子Ｐ２に導通する。第２コイル素子の第２端（第４コイル導体ＬＰ４の一方の端部）はグランド端子Ｐ３に導通する。
図５はインピーダンス変換回路１０１の各基材層に形成される導体パターンと電流経路を示す図である。基材層１５に第１コイル導体ＬＰ１、基材層１４に第２コイル導体ＬＰ２、基材層１３に第３コイル導体ＬＰ３、基材層１２に第４コイル導体ＬＰ４、がそれぞれ形成される。第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２は第１コイル素子Ｌ１の一部を構成する。また、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４は第２コイル素子Ｌ２の一部を構成する。
第１コイル導体ＬＰ１と第２コイル導体ＬＰ２とは、２個所で層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２で層間接続される。第１コイル導体ＬＰ１の第１部である導体パターンＬ１Ｂ１と第２コイル導体ＬＰ２の第１部である導体パターンＬ１Ｂ２とは、２つの層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して並列接続される。
第１コイル導体ＬＰ１の第２部である導体パターンＬ１Ａの一方の端部は給電端子Ｐ１に導通する。第１コイル導体ＬＰ１の第２部である導体パターンＬ１Ｃの一方の端部は層間接続導体Ｖ２１を介して第３コイル導体ＬＰ３の導体パターンＬ２Ｂ２の一方の端部に接続される。
このように、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２は、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して部分的に並列接続されるとともに全体が直列接続される。また、第１コイル素子Ｌ１は、一部切欠のループ状になる。
第３コイル導体ＬＰ３と第４コイル導体ＬＰ４とは、２個所で層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３で層間接続される。第３コイル導体ＬＰ３の第１部である導体パターンＬ２Ｂ２と第４コイル導体ＬＰ４の第１部である導体パターンＬ２Ｂ１とは、２つの層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３を介して並列接続される。
第３コイル導体ＬＰ３の第２部である導体パターンＬ２Ｃの一方の端部はアンテナ端子Ｐ２に導通する。第４コイル導体ＬＰ４の第２部である導体パターンＬ２Ａの一方の端部はグランド端子Ｐ３に導通する。
このように、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４は、層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３を介して部分的に並列接続されるとともに全体が直列接続される。また、第２コイル素子Ｌ２は、一部切欠のループ状になる。
図５に表れるように、第１コイル素子Ｌ１の端部に繋がる給電端子Ｐ１は積層体の外方（側面）に形成され、層間接続導体Ｖ１２は給電端子Ｐ１の近傍に形成される。第１コイル素子Ｌ１を構成する複数のコイル導体を、第１コイル素子Ｌ１の第１端（給電端子Ｐ１に繋がる端部）から周回方向（図５において右回り方向）にトレースしたとき、層間接続導体Ｖ１１による並列接続の開始位置（層間接続導体Ｖ１１の位置）は、第１コイル素子Ｌ１の第２端が接続されるアンテナ端子Ｐ２の近傍を通り越した位置である。また、第２コイル素子Ｌ２を構成する複数のコイル導体を、第２コイル素子Ｌ２の第１端（グランド端子Ｐ３に繋がる端部）から周回方向（図５において左回り方向）にトレースしたとき、層間接続導体Ｖ２３による並列接続の開始位置（層間接続導体Ｖ２３の位置）は、第２コイル素子Ｌ２の第２端が接続されるアンテナ端子Ｐ２の近傍を通り越した位置である。第２コイル素子Ｌ２を構成する複数のコイル導体を、第２コイル素子Ｌ２の第２端（アンテナ端子Ｐ２に繋がる端部）から周回方向（図５において右回り方向）にトレースしたとき、層間接続導体Ｖ２２による並列接続の開始位置（層間接続導体Ｖ２２の位置）は、第２コイル素子Ｌ２の第１端が接続されるグランド端子Ｐ３の近傍を通り越した位置である。
図５において、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２には、給電端子Ｐ１→導体パターンＬ１Ａ→導体パターン（Ｌ１Ｂ１＋Ｌ１Ｂ２）→導体パターンＬ１Ｃ→アンテナ端子Ｐ２の経路で電流が流れる。また、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４には、アンテナ端子Ｐ２→導体パターンＬ２Ｃ→導体パターン（Ｌ２Ｂ２＋Ｌ２Ｂ１）→導体パターンＬ２Ａ→グランド端子Ｐ３の経路で電流が流れる。
基材層１１〜１６は誘電体（絶縁体）または磁性体の層である。例えば、誘電体セラミックスのグリーンシートを使用し、それらを積層圧着して焼成することにより積層体２０を構成してもよいし、樹脂シートを圧着して積層体２０を構成してもよい。また、磁性体セラミックスのグリーンシートを使用し、それらを積層圧着して焼成することにより積層体２０を構成してもよいし、磁性体フィラーを分散させた樹脂シートを圧着して積層体２０を構成してもよい。さらには、磁芯となるべき層のみを磁性体とし、その他の層を誘電体としてもよい。例えば複数の基材層のうち、基材層１３，１４，１５を、磁性体を有する層とし、その他の基材層を非磁性体の層とする。
このように、磁性体を有する積層体に、第１コイル素子Ｌ１および第２コイル素子Ｌ２を設けることにより、第１コイル素子Ｌ１と第２コイル素子Ｌ２との結合度が高まり、相互インダクタンスが大きくなるため、インピーダンス変換比を大きくできる。また、所定のインダクタンスを得るに要する、第１コイル素子Ｌ１および第２コイル素子Ｌ２のコイル導体長が短くなるので、インピーダンス変換回路１０１はより小型になる。
積層体２０は直方体形状であり、平面視での２つの短辺の中央に給電端子Ｐ１とアンテナ端子Ｐ２がそれぞれ配置され、２つの長辺の中央にグランド端子Ｐ３と空き端子ＮＣがそれぞれ配置されている。そのため、給電回路とアンテナとの間の信号伝送経路の途中に、インピーダンス変換回路１０１を容易に配置できる。特に、給電回路とアンテナとの間の信号伝送経路がコプレーナラインである場合に、給電端子Ｐ１とアンテナ端子Ｐ２を中心導体に接続し、グランド端子Ｐ３と空き端子ＮＣを回路基板のグランド導体に容易に接続できる。すなわち、各端子を接続するための引き回しパターンや特別なランドパターンを設ける必要がなく、回路基板へのインピーダンス変換回路１０１の実装が容易である。
図６（Ａ）は、図４、図５に示したインピーダンス変換回路１０１の回路図、図６（Ｂ）はインピーダンス変換回路１０１の等価回路図である。インピーダンス変換回路１０１の給電端子Ｐ１に給電回路３０が接続され、アンテナ端子Ｐ２にアンテナ４０が接続される。グランド端子Ｐ３はグランドに接続される。
インピーダンス変換回路１０１は、給電端子Ｐ１に接続された第１コイル素子Ｌ１と、第１コイル素子Ｌ１に結合した第２コイル素子Ｌ２とを備える。より具体的には、第１コイル素子Ｌ１の第１端は給電端子Ｐ１に、第２端はアンテナ端子Ｐ２にそれぞれ接続され、第２コイル素子Ｌ２の第１端はアンテナ端子Ｐ２に、第２端はグランド端子Ｐ３にそれぞれ接続される。
このインピーダンス変換回路１０１は第１コイル素子Ｌ１と第２コイル素子Ｌ２とを相互インダクタンスを介して密結合したトランス型回路を含む。このトランス型回路は、図６（Ｂ）に示すように、三つのインダクタンス素子Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３によるＴ型回路に等価変換できる。すなわち、このＴ型回路は、給電回路３０に接続される給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３、給電端子Ｐ１と分岐点Ａとの間に接続されたインダクタンス素子Ｚ１、アンテナ端子Ｐ２と分岐点Ａとの間に接続されたインダクタンス素子Ｚ２、およびグランド端子Ｐ３と分岐点Ａとの間に接続された第３インダクタンス素子Ｚ３で構成される。
第１コイル素子Ｌ１と第２コイル素子Ｌ２との結合による相互インダクタンスをＭ、第１コイル素子Ｌ１のインダクタンスをＬ１、第２コイル素子Ｌ２のインダクタンスをＬ２、でそれぞれ表すと、インダクタンス素子Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３のインダクタンスは次のとおりである。
Ｚ１：Ｌ１＋Ｍ
Ｚ２：−Ｍ
Ｚ３：Ｌ２＋Ｍ
また、変圧比は（Ｌ１＋Ｌ２＋２Ｍ）：Ｌ２である。
以上に示した構成により次のような効果を奏する。
（ａ）コイル開口の形状を実質的に同じにできるので、第１コイル素子Ｌ１のコイル開口の全体と第２コイル素子Ｌ２のコイル開口の全体とが重ねられる。このことにより、第１コイル素子Ｌ１および第２コイル素子Ｌ２間の高い電磁界結合が得られる。
（ｂ）第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２を接続する層間接続導体は、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２の形成位置上にあり、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４を接続する層間接続導体は、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４の形成位置上にあるので、層間接続導体形成のための領域が不要であり、コイル導体の形成領域外に配線を形成する必要がない。そのため、限られた領域にループ状コイル導体を形成でき、小型化できる。
（ｃ）４つのコイル導体ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４は、層間接続導体を介して部分的に並列接続されるとともに全体が直列接続されるので、第１コイル素子および第２コイル素子のインダクタンスを容易に所定値に定めることができる。
（ｄ）第１コイル素子Ｌ１の第１端からコイル導体をトレースしたとき、層間接続導体による並列接続の開始位置は、第１コイル素子の第２端が接続される外部端子の近傍を通り越した位置であり、第２コイル素子Ｌ２の第１端からコイル導体をトレースしたとき、層間接続導体による並列接続の開始位置は、第２コイル素子の第２端が接続される外部端子の近傍を通り越した位置であるので、外部端子の位置に応じて並列接続部を構成できる。すなわち、外部端子の配置に制約されずに、コイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
（ｅ）積層体の側面電極を利用して層間接続を行っているため、並列接続のための層間接続導体以外の層間接続導体が積層体内に不要となり、コイル素子の磁気的開口面を大きくすることができ、全体に小型化できる。すなわち、小型で大きな結合係数が得られる。
（ｆ）第１コイル素子と第２コイル素子とによりオートトランスが構成されるので、第１コイル素子と第２コイル素子とにより生じる相互インダクタンス（Ｍ）の作用でインピーダンス変換比を大きくできる。また、給電端子からアンテナ端子まで第１コイル素子を介して直接接続されるので、トランス構造による挿入損失の増大は抑制される。
なお、第１コイル素子Ｌ１のコイル開口と第２コイル素子Ｌ２のコイル開口とは、それらの全体とが、積層体の積層方向からの平面視で重なることが好ましいが、重ならない部分があってもよい。
《第３の実施形態》
図７は第３の実施形態に係る携帯電話端末等の通信端末装置の構成を示す図である。この図７では、通信端末装置の筐体内の主要部について表される。筐体内にアンテナ４０および回路基板が設けられ、回路基板にはグランド導体５０、インピーダンス変換回路１０１および給電回路３０が設けられる。アンテナ４０はＴ分岐型アンテナである。グランド導体５０はアンテナ４０のイメージ形成用導体として作用、またはアンテナ４０とともに放射素子として作用する。
インピーダンス変換回路１０１の構成は第２の実施形態で示したとおりである。インピーダンス変換回路１０１の給電端子Ｐ１は給電回路３０に接続され、インピーダンス変換回路１０１のアンテナ端子Ｐ２はアンテナ４０に接続され、インピーダンス変換回路１０１のグランド端子Ｐ３は回路基板のグランド導体５０に接続される。
インピーダンス変換回路１０１は、小型でありながら大きな所定のインピーダンス変換比をもつことができるので、小型の（より低インピーダンスの）アンテナ４０を備えることができ、全体に小型で低損失の通信端末装置が構成される。
《他の実施形態》
第１・第２の実施形態では、各コイル導体がほぼ矩形のループ状である例を示したが、コイル導体のループ形状はこれに限らない。例えば円形、楕円形、角に丸みをもつ四角形、角をカットした四角形などであってもよい。矩形であれば、限られたスペースでコイル開口を稼ぐことができる。円形、楕円形、角に丸みをもつ四角形であれば、角部における損失を低減できる。
第１・第２の実施形態では、隣接する基材層に形成された２つのコイル導体を２つの層間接続導体で接続することにより、１つの並列接続部を構成した例を示したが、本発明はこの構成に限られない。第１コイル導体と第２コイル導体とが３個所以上で層間接続導体を介して接続されることで、第１コイル導体と第２コイル導体との並列接続部が２個所以上構成されてもよい。
本発明は、トランス構造のインピーダンス変換回路以外にコモンモードチョークコイル等の積層型コイルにも同様に適用される。例えば、積層体に第１コイル素子と第２コイル素子を、それらのコイル開口が積層体の積層方向からの平面視で重なるように設け、第１コイル素子の２つの端子と第２コイル素子の２つの端子をそれぞれ積層体に形成する。
ＡＰ１，ＡＰ２…コイル開口
Ｅ１１…第１コイル導体の第１端
Ｅ１２…第１コイル導体の第２端
Ｅ２１…第２コイル導体の第１端
Ｅ２２…第２コイル導体の第２端
Ｌ１…第１コイル素子
Ｌ２…第２コイル素子
Ｌ１１…第１コイル導体の第１部
Ｌ１２…第１コイル導体の第２部
Ｌ２１…第２コイル導体の第１部
Ｌ２２…第２コイル導体の第２部
Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ１，Ｌ１Ｂ２，Ｌ１Ｃ…導体パターン
Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ１，Ｌ２Ｂ２，Ｌ２Ｃ…導体パターン
ＬＰ１…第１コイル導体
ＬＰ２…第２コイル導体
ＬＰ３…第３コイル導体
ＬＰ４…第４コイル導体
ＮＣ…空き端子
Ｐ１…給電端子
Ｐ２…アンテナ端子
Ｐ３…グランド端子
ＰＰ…並列接続部
ＳＰ…直列接続部
Ｖ，Ｖ１〜Ｖ４…層間接続導体
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３…層間接続導体
１１〜１６…基材層
１０…積層型コイル
２０…積層体
３０…給電回路
４０…アンテナ
５０…グランド導体
１０１…インピーダンス変換回路
本発明は、トランスおよびそれを備えた通信端末装置に関する。
携帯電話端末などの無線通信機器の小型化に伴って、アンテナは小型化され、そのインピーダンスは低くなる傾向にある。そして、給電回路に比べてインピーダンスが非常に低いアンテナと給電回路とを、リアクタンス素子で整合させようとすると、すなわちインピーダンス変換比が大きくなると、整合する周波数帯域は狭帯域化してしまう。
一方、１つのアンテナで複数の通信システムに対応させる場合、例えば、ローバンド（例えば800MHz帯）とハイバンド（例えば2GHz帯）の通信システムに対応させる場合、１つの放射素子の基本共振モードと高次共振モードが利用される。しかし放射素子のインピーダンスは周波数によって異なるため、一方の周波数帯に整合する整合回路を設けると他方周波数で整合できないといった問題も生じる。
上記問題を解決するため、特許文献１に示されるように、整合回路にトランス回路を用いたインピーダンス変換回路が提案されている。
特許第４７６１００９号公報
一般に、トランスの一次コイルおよび二次コイルの形状が同一で、且つ互いに近接配置される程、一次コイルと二次コイルの結合係数が高くなる。そこで、複数の基材層が積層された積層体にトランスが構成される場合、ループ状のコイル導体が積層方向に近接配置されれば結合係数は高くなる。
しかし、コイル導体を他のコイル導体や外部端子に接続するためには、コイル導体の形成領域外に配線を形成する必要がある。このような配線は、一次コイルと二次コイルとの結合には全く寄与しないため、この配線の存在によって、一次コイルと二次コイルの結合係数は劣化する。
また、トランス構造のインピーダンス変換回路やコモンモードチョークコイル等の積層型コイルを構成する際、コイル導体の形成領域外の上記配線の存在は小型化を阻害する要因となる。すなわち、層間を接続する層間接続導体とコイル導体との間には、絶縁状態を保つためにある程度の距離が必要である。その結果、コイル導体の形成領域のサイズを小さくする必要がある。ところが、コイル導体の形成領域が小さくなることで、一層あたりに得られるインダクタンスは小さくなり、所望のインダクタンスを得るためには、コイル導体の形成層数を増やす必要がある。その結果、結合係数が劣化するだけではなく、コイルのＱ値の劣化を招く。積層体内部の配線を無くすために、積層体の側面電極を用いて配線を行う手法もある。しかし、積層体の側面電極の位置はサイズや用途により予め決定されており、変更の自由度は非常に低い。
また、一次コイルと二次コイルの結合係数を高めるには、それぞれのコイル導体が同一形状であることが重要である。ここで、コイル導体が形成された２つの基材層１１，１２の平面図を図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示す。図８（Ｃ）、図８（Ｄ）は、基材層１１，１２を重ねた状態での平面図である。図８（Ａ）は、２つの基材層にほぼ１ターン分のコイル導体が形成され、積層体の一方端に給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２およびグランド端子Ｐ３が形成された例である。図８（Ｂ）は積層体の上下左右に上記端子が形成された例である。いずれもコイル導体の所定位置で層間接続導体Ｖによって層間接続される。図８（Ａ）、図８（Ｃ）に示す構造では高い結合係数が得られるが、側面電極の形成位置に自由度がない。また、図８（Ｂ）、図８（Ｄ）に示す構造では高い結合係数が得られない。
また、端子の形成位置を規定位置にするために、コイル導体を複数層に亘って形成することは有効である。例えば図９に示すように、複数の基材層１１〜１５にコイル導体を形成し、所定位置に層間接続導体Ｖ１〜Ｖ４を形成すれば、１ターン以上のコイルを形成して端子を積層体の対向する端部に配置することができる。しかし、この構造では非常に多くの基材層が必要となり、且つ、必要な（小さな）インダクタ値を得るのが困難となる。
そこで、本発明の目的は、上述の課題の解決に適する、所定のインダクタンス値を有する小型のトランス、小型でありながら高い結合係数を得ることのできるトランス、または、外部端子の位置が変更できない場合でも、所定のインダクタンスを得て、所定のインピーダンス変換比を定められるようにしたトランスを提供すること、およびこのトランスを備えた通信端末装置を提供することにある。
（１）本発明のトランスは、
複数の基材層が積層される積層体と、
前記積層体に設けられ、前記複数の基材層の積層方向からの平面視で互いに重なり、互いに結合する第１コイル素子および第２コイル素子と、
を備え、
少なくとも前記第１コイル素子は、前記複数の基材層のうち互いに異なる基材層に形成され、前記平面視で互いに重なる、第１コイル導体および第２コイル導体を備え、
前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とが、少なくとも２個所で層間接続導体を介して接続されることで、前記第１コイル素子の一部に、前記第１コイル導体の一部と前記第２コイル導体の一部とを含んだ第１並列接続部が構成されている、
ことを特徴とする。
上記構成により、引き出し電極のような、コイルを構成しない配線が不要であるため、コイル導体のループ形状を維持して、高い結合係数が得られる。また、外部端子の位置に制約されずにコイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
（２）上記（１）において、前記第１コイル素子の第１端に繋がる第１外部端子、および前記第１コイル素子の第２端に繋がる第２外部端子が前記積層体に形成され、
前記第１コイル素子を構成する前記第１コイル導体を、前記第１コイル導体の前記第１端からトレースするとき、前記第１並列接続部の開始位置は、前記第２コイル導体の前記第１端を越える位置であることが好ましい。これにより、第１外部端子、第２外部端子の位置に応じて並列接続部を構成できる。すなわち、外部端子の配置に制約されずに、コイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
（３）上記（１）において、給電端子、アンテナ端子およびグランド端子を備え、前記給電端子は前記第１コイル素子の第１端に繋がり、前記アンテナ端子は前記第１コイル素子の第２端および前記第２コイル素子の第１端に繋がり、前記グランド端子は前記第２コイル素子の第２端に繋がることが好ましい。これにより、オートトランス構造となって、大きなインピーダンス変換比が得られる。また、給電端子からアンテナ端子まで第１コイル素子を介して直接接続されるので、トランス構造による挿入損失の増大は抑制される。
（４）上記（３）において、前記給電端子、前記アンテナ端子および前記グランド端子は前記積層体の側面に形成されることが好ましい。これにより、各端子への引き出し（引き回し）距離が最短化でき、大きなコイル開口を確保できる。
（５）上記（３）または（４）において、前記給電端子は前記積層体の第１側面に形成され、前記アンテナ端子は、前記積層体の第１側面に対向する第２側面に形成され、前記グランド端子は前記積層体の第３側面に形成されることが好ましい。これにより、給電回路とアンテナとの間に本インピーダンス変換回路を配置する状態で、給電回路とアンテナとの間の信号伝送経路への挿入およびグランドとの接続が容易となる。
（６）上記（１）〜（５）のいずれかにおいて、
前記基材層は誘電体もしくは磁性体、または誘電体および磁性体である。これにより、第１コイル素子と第２コイル素子との結合度が高まり、インピーダンス変換比を大きくできる。また、所定のインダクタンスを得るに要する、第１コイル素子および第２コイル素子のコイル導体長が短くなるので、小型化できる。
（７）上記（１）において、前記第２コイル素子は、前記複数の基材層のうち互いに異なる基材層に形成され、前記平面視で互いに重なる、第３コイル導体および第４コイル導体を備え、前記第３コイル導体と前記第４コイル導体とが、少なくとも２個所で層間接続導体を介して接続されることで、前記第２コイル素子の一部に、前記第３コイル導体の一部と前記第４コイル導体の一部とを含んだ第２並列接続部が構成されている、ことが好ましい。
（８）上記（７）において、前記第１並列接続部と前記第２並列接続部とは、前記平面視で異なる領域に構成されていることが好ましい。
（９）本発明の通信端末装置は、高周波信号を送受信するアンテナと、前記アンテナに対する給電回路と、前記給電回路と前記アンテナとの間に設けられたトランスとを備える通信端末装置であって、
前記トランスは、
複数の基材層が積層される積層体と、
前記積層体に設けられ、前記複数の基材層の積層方向からの平面視で互いに重なり、互いに結合する第１コイル素子および第２コイル素子と、
を備え、
少なくとも前記第１コイル素子は、前記複数の基材層のうち互いに異なる基材層に形成され、前記平面視で互いに重なる、第１コイル導体および第２コイル導体を備え、
前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とが、少なくとも２個所で層間接続導体を介して接続されることで、前記第１コイル素子の一部に、前記第１コイル導体の一部と前記第２コイル導体の一部とを含んだ第１並列接続部が構成されている、
ことを特徴とする。これにより、上記トランスは小型でありながら大きな所定のインピーダンス変換比のインピーダンス変換回路として作用し、小型の（より低インピーダンスの）アンテナを備えることができ、全体に小型で低損失の通信端末装置が構成される。
本発明によれば、所定のインダクタンス値を有する小型のトランス、小型でありながら高い結合係数を得ることのできるトランス、または外部端子の位置が変更できない場合でも、所定のインダクタンスを得て、所定のインピーダンス変換比を定められるようにしたトランスが構成できる。また、このトランスを備えた通信端末装置を構成できる。
図１は第１の実施形態に係る積層型コイル１０の導体部分のみを表す斜視図である。 図２は積層型コイル１０の２つの基材層に形成される導体パターンを示す平面図である。 図３は積層型コイル１０の回路図である。 図４は第２の実施形態に係るインピーダンス変換回路１０１の内部透視斜視図である。 図５はインピーダンス変換回路１０１の各基材層に形成される導体パターンと電流経路を示す図である。 図６（Ａ）は、図４、図５に示したインピーダンス変換回路１０１の回路図、図６（Ｂ）はインピーダンス変換回路１０１の等価回路図である。 図７は第３の実施形態に係る携帯電話端末等の通信端末装置の構成を示す図である。 図８（Ａ）（Ｂ）は、コイル導体が形成された２つの基材層１１，１２の平面図である。図８（Ｃ）（Ｄ）は、基材層１１，１２を重ねた状態での平面図である。 図９はコイル導体を複数層に亘って形成した各基材層の平面図である。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付す。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。
《第１の実施形態》
第１の実施形態では、本発明に係るトランスの一例としての積層型コイルについて示す。
図１は第１の実施形態に係る積層型コイル１０の導体部分のみを表す斜視図である。図２は積層型コイルの２つの基材層に形成される導体パターンを示す平面図である。
積層型コイル１０は、複数の基材層が積層される積層体の、互いに異なる基材層に形成される、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２を備える。また、積層型コイル１０は第１コイル導体ＬＰ１と第２コイル導体ＬＰ２とを接続する層間接続導体（ビア）Ｖ１１，Ｖ１２を備える。第１コイル導体ＬＰ１が形成するコイル開口ＡＰ１と第２コイル導体ＬＰ２が形成するコイル開口ＡＰ２とは、積層体の積層方向からの平面視で重なる。
第１コイル導体ＬＰ１と第２コイル導体ＬＰ２とは２個所で層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して接続される。
図３は積層型コイル１０の回路図である。この図３に表すように、第１コイル導体ＬＰ１の第１部Ｌ１１と第２コイル導体ＬＰ２の第１部Ｌ２１との並列接続部ＰＰが構成される。また、並列接続部に接続され、第１コイル導体ＬＰ１の第２部Ｌ１２および第２コイル導体ＬＰ２の第２部Ｌ２２で直列接続部ＳＰが構成される。ここで、第１コイル導体ＬＰ１の第１部Ｌ１１と第２コイル導体ＬＰ２の第１部Ｌ２１のインダクタンスをL11，L21で表し、第１コイル導体ＬＰ１の第２部Ｌ１２と第２コイル導体ＬＰ２の第２部Ｌ２２のインダクタンスをL12，L22で表すと、この積層型コイル１０のインダクタンスLは次式で表される。
L = L12 + L22 + L11・L21 / (L11 + L21)
図１、図２に示したように、本実施形態の積層型コイル１０の第１コイル導体ＬＰ１は実質的に１ターンのコイルを構成し、第２コイル導体ＬＰ２は実質的に１ターンのコイルを構成する。また、第１コイル導体ＬＰ１の第１端Ｅ１１に繋がる第１外部端子Ｔ１、および第２コイル導体ＬＰ２の第１端Ｅ２１に繋がる第２外部端子Ｔ２が積層体に形成される。また、第１外部端子Ｔ１と第２外部端子Ｔ２は、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２の形成領域を挟んで対向する位置に配置される。
積層型コイル１０は、第１コイル導体ＬＰ１を、第１コイル導体ＬＰ１の第１端Ｅ１１から右回りにトレースする（なぞる）とき、並列接続部の開始位置である層間接続導体Ｖ１１の形成位置は、第２コイル導体ＬＰ２の第１端Ｅ２１を越える位置である。また、第２コイル導体ＬＰ２を、第２コイル導体ＬＰ２の第１端Ｅ２１から左回りにトレースするとき、並列接続部の開始位置である層間接続導体Ｖ１２の形成位置は、第１コイル導体ＬＰ１の第１端Ｅ１１を越える位置である。
以上に示した構成により、次のような効果を奏する。
（ａ）層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２の位置によって、並列接続部ＰＰのインダクタンスおよび直列接続部ＳＰのインダクタンスが定まるので、コイル開口を変えることなく、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２の位置によって、積層型コイル１０の合成インダクタンスを所定値に定めることができる。
（ｂ）コイルを構成しない配線が不要であり、第１コイル導体ＬＰ１が形成するコイル開口ＡＰ１と第２コイル導体ＬＰ２が形成するコイル開口ＡＰ２とは、積層体の積層方向からの平面視で重なるので、限られた平面サイズで大きなコイル開口が得られる。
（ｃ）限られた面積にコイル開口の大きなコイル（１つの基材層に実質的に１ターンのコイル）が構成でき、限られた平面サイズで大きなコイル開口が得られる。
（ｄ）第１外部端子と第２外部端子は、第１コイル導体および第２コイル導体の形成領域を挟んで対向する位置に配置されるので、外部端子の引き出しが容易である。
（ｅ）第１コイル導体を、第１コイル導体の第１端からトレースするとき、並列接続部の開始位置は、第２コイル導体の第１端を越える位置であり、第２コイル導体を、第２コイル導体の第１端からトレースするとき、並列接続部の開始位置は、第１コイル導体の第１端を越える位置であることにより、第１外部端子、第２外部端子の位置に応じて並列接続部を構成できる。すなわち、外部端子の配置に制約されずに、コイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
なお、第１コイル導体ＬＰ１が形成するコイル開口ＡＰ１と第２コイル導体ＬＰ２が形成するコイル開口ＡＰ２とは、コイル開口ＡＰ１の全体とコイル開口ＡＰ２の全体とが、積層体の積層方向からの平面視で重なることが好ましいが、重ならない部分があってもよい。
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、本発明に係るトランスの一例としてのインピーダンス変換回路について示す。
図４は第２の実施形態に係るインピーダンス変換回路１０１の内部透視斜視図である。但し、積層構造の分かりやすさを考慮して、積層方向の寸法は誇張して表されている。実際の寸法は、例えば実装面は１．６mm×０．８mm、高さは０．６mmである。
後に詳述するように、積層体２０は複数の基材層が積層されることより構成される。
複数の基材層のうち所定の基材層に各種導体パターンが形成される。４つの基材層にコイル導体ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４がそれぞれ形成される。各コイル導体ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４は所定位置で層間接続導体（ビア）Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２等により層間接続される。
第１コイル導体ＬＰ１と第２コイル導体ＬＰ２とを所定個所で層間接続する２つの層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２と、第１コイル導体ＬＰ１と、第２コイル導体ＬＰ２とを備えて、第１コイル素子が構成される。同様に、第３コイル導体ＬＰ３と第４コイル導体ＬＰ４とを所定個所で層間接続する２つの層間接続導体と第３コイル導体ＬＰ３と、第４コイル導体ＬＰ４とを備えて、第２コイル素子が構成される。
第１コイル素子が形成するコイル開口および第２コイル素子が形成するコイル開口は、積層体２０の積層方向からの平面視で重なる。
積層体２０の外面には、外部端子である、給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３および空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。具体的には、積層体２０の第１側面に給電端子Ｐ１、第１側面に対向する第２側面にアンテナ端子Ｐ２、がそれぞれ形成される。第３側面にはグランド端子Ｐ３、第３側面に対向する第４側面には空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。積層体２０の下面および上面には、側面の外部端子に繋がる、給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３および空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。
第１コイル素子の第１端（第１コイル導体ＬＰ１の一方の端部）は給電端子Ｐ１に導通する。第２コイル素子の第１端（第３コイル導体ＬＰ３の一方の端部）はアンテナ端子Ｐ２に導通する。第２コイル素子の第２端（第４コイル導体ＬＰ４の一方の端部）はグランド端子Ｐ３に導通する。
図５はインピーダンス変換回路１０１の各基材層に形成される導体パターンと電流経路を示す図である。基材層１５に第１コイル導体ＬＰ１、基材層１４に第２コイル導体ＬＰ２、基材層１３に第３コイル導体ＬＰ３、基材層１２に第４コイル導体ＬＰ４、がそれぞれ形成される。第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２は第１コイル素子Ｌ１の一部を構成する。また、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４は第２コイル素子Ｌ２の一部を構成する。
第１コイル導体ＬＰ１と第２コイル導体ＬＰ２とは、２個所で層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２で層間接続される。第１コイル導体ＬＰ１の第１部である導体パターンＬ１Ｂ１と第２コイル導体ＬＰ２の第１部である導体パターンＬ１Ｂ２とは、２つの層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して並列接続される。
第１コイル導体ＬＰ１の第２部である導体パターンＬ１Ａの一方の端部は給電端子Ｐ１に導通する。第１コイル導体ＬＰ１の第２部である導体パターンＬ１Ｃの一方の端部は層間接続導体Ｖ２１を介して第３コイル導体ＬＰ３の導体パターンＬ２Ｂ２の一方の端部に接続される。
このように、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２は、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して部分的に並列接続されるとともに全体が直列接続される。また、第１コイル素子Ｌ１は、一部切欠のループ状になる。
第３コイル導体ＬＰ３と第４コイル導体ＬＰ４とは、２個所で層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３で層間接続される。第３コイル導体ＬＰ３の第１部である導体パターンＬ２Ｂ２と第４コイル導体ＬＰ４の第１部である導体パターンＬ２Ｂ１とは、２つの層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３を介して並列接続される。
第３コイル導体ＬＰ３の第２部である導体パターンＬ２Ｃの一方の端部はアンテナ端子Ｐ２に導通する。第４コイル導体ＬＰ４の第２部である導体パターンＬ２Ａの一方の端部はグランド端子Ｐ３に導通する。
このように、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４は、層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３を介して部分的に並列接続されるとともに全体が直列接続される。また、第２コイル素子Ｌ２は、一部切欠のループ状になる。
図５に表れるように、第１コイル素子Ｌ１の端部に繋がる給電端子Ｐ１は積層体の外方（側面）に形成され、層間接続導体Ｖ１２は給電端子Ｐ１の近傍に形成される。第１コイル素子Ｌ１を構成する複数のコイル導体を、第１コイル素子Ｌ１の第１端（給電端子Ｐ１に繋がる端部）から周回方向（図５において右回り方向）にトレースしたとき、層間接続導体Ｖ１１による並列接続の開始位置（層間接続導体Ｖ１１の位置）は、第１コイル素子Ｌ１の第２端が接続されるアンテナ端子Ｐ２の近傍を通り越した位置である。また、第２コイル素子Ｌ２を構成する複数のコイル導体を、第２コイル素子Ｌ２の第１端（グランド端子Ｐ３に繋がる端部）から周回方向（図５において左回り方向）にトレースしたとき、層間接続導体Ｖ２３による並列接続の開始位置（層間接続導体Ｖ２３の位置）は、第２コイル素子Ｌ２の第２端が接続されるアンテナ端子Ｐ２の近傍を通り越した位置である。第２コイル素子Ｌ２を構成する複数のコイル導体を、第２コイル素子Ｌ２の第２端（アンテナ端子Ｐ２に繋がる端部）から周回方向（図５において右回り方向）にトレースしたとき、層間接続導体Ｖ２２による並列接続の開始位置（層間接続導体Ｖ２２の位置）は、第２コイル素子Ｌ２の第１端が接続されるグランド端子Ｐ３の近傍を通り越した位置である。
図５において、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２には、給電端子Ｐ１→導体パターンＬ１Ａ→導体パターン（Ｌ１Ｂ１＋Ｌ１Ｂ２）→導体パターンＬ１Ｃ→アンテナ端子Ｐ２の経路で電流が流れる。また、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４には、アンテナ端子Ｐ２→導体パターンＬ２Ｃ→導体パターン（Ｌ２Ｂ２＋Ｌ２Ｂ１）→導体パターンＬ２Ａ→グランド端子Ｐ３の経路で電流が流れる。
基材層１１〜１６は誘電体（絶縁体）または磁性体の層である。例えば、誘電体セラミックスのグリーンシートを使用し、それらを積層圧着して焼成することにより積層体２０を構成してもよいし、樹脂シートを圧着して積層体２０を構成してもよい。また、磁性体セラミックスのグリーンシートを使用し、それらを積層圧着して焼成することにより積層体２０を構成してもよいし、磁性体フィラーを分散させた樹脂シートを圧着して積層体２０を構成してもよい。さらには、磁芯となるべき層のみを磁性体とし、その他の層を誘電体としてもよい。例えば複数の基材層のうち、基材層１３，１４，１５を、磁性体を有する層とし、その他の基材層を非磁性体の層とする。
このように、磁性体を有する積層体に、第１コイル素子Ｌ１および第２コイル素子Ｌ２を設けることにより、第１コイル素子Ｌ１と第２コイル素子Ｌ２との結合度が高まり、相互インダクタンスが大きくなるため、インピーダンス変換比を大きくできる。また、所定のインダクタンスを得るに要する、第１コイル素子Ｌ１および第２コイル素子Ｌ２のコイル導体長が短くなるので、インピーダンス変換回路１０１はより小型になる。
積層体２０は直方体形状であり、平面視での２つの短辺の中央に給電端子Ｐ１とアンテナ端子Ｐ２がそれぞれ配置され、２つの長辺の中央にグランド端子Ｐ３と空き端子ＮＣがそれぞれ配置されている。そのため、給電回路とアンテナとの間の信号伝送経路の途中に、インピーダンス変換回路１０１を容易に配置できる。特に、給電回路とアンテナとの間の信号伝送経路がコプレーナラインである場合に、給電端子Ｐ１とアンテナ端子Ｐ２を中心導体に接続し、グランド端子Ｐ３と空き端子ＮＣを回路基板のグランド導体に容易に接続できる。すなわち、各端子を接続するための引き回しパターンや特別なランドパターンを設ける必要がなく、回路基板へのインピーダンス変換回路１０１の実装が容易である。
図６（Ａ）は、図４、図５に示したインピーダンス変換回路１０１の回路図、図６（Ｂ）はインピーダンス変換回路１０１の等価回路図である。インピーダンス変換回路１０１の給電端子Ｐ１に給電回路３０が接続され、アンテナ端子Ｐ２にアンテナ４０が接続される。グランド端子Ｐ３はグランドに接続される。
インピーダンス変換回路１０１は、給電端子Ｐ１に接続された第１コイル素子Ｌ１と、第１コイル素子Ｌ１に結合した第２コイル素子Ｌ２とを備える。より具体的には、第１コイル素子Ｌ１の第１端は給電端子Ｐ１に、第２端はアンテナ端子Ｐ２にそれぞれ接続され、第２コイル素子Ｌ２の第１端はアンテナ端子Ｐ２に、第２端はグランド端子Ｐ３にそれぞれ接続される。
このインピーダンス変換回路１０１は第１コイル素子Ｌ１と第２コイル素子Ｌ２とを相互インダクタンスを介して密結合したトランス型回路を含む。このトランス型回路は、図６（Ｂ）に示すように、三つのインダクタンス素子Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３によるＴ型回路に等価変換できる。すなわち、このＴ型回路は、給電回路３０に接続される給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３、給電端子Ｐ１と分岐点Ａとの間に接続されたインダクタンス素子Ｚ１、アンテナ端子Ｐ２と分岐点Ａとの間に接続されたインダクタンス素子Ｚ２、およびグランド端子Ｐ３と分岐点Ａとの間に接続された第３インダクタンス素子Ｚ３で構成される。
第１コイル素子Ｌ１と第２コイル素子Ｌ２との結合による相互インダクタンスをＭ、第１コイル素子Ｌ１のインダクタンスをＬ１、第２コイル素子Ｌ２のインダクタンスをＬ２、でそれぞれ表すと、インダクタンス素子Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３のインダクタンスは次のとおりである。
Ｚ１：Ｌ１＋Ｍ
Ｚ２：−Ｍ
Ｚ３：Ｌ２＋Ｍ
また、変圧比は（Ｌ１＋Ｌ２＋２Ｍ）：Ｌ２である。
以上に示した構成により次のような効果を奏する。
（ａ）コイル開口の形状を実質的に同じにできるので、第１コイル素子Ｌ１のコイル開口の全体と第２コイル素子Ｌ２のコイル開口の全体とが重ねられる。このことにより、第１コイル素子Ｌ１および第２コイル素子Ｌ２間の高い電磁界結合が得られる。
（ｂ）第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２を接続する層間接続導体は、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２の形成位置上にあり、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４を接続する層間接続導体は、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４の形成位置上にあるので、層間接続導体形成のための領域が不要であり、コイル導体の形成領域外に配線を形成する必要がない。そのため、限られた領域にループ状コイル導体を形成でき、小型化できる。
（ｃ）４つのコイル導体ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４は、層間接続導体を介して部分的に並列接続されるとともに全体が直列接続されるので、第１コイル素子および第２コイル素子のインダクタンスを容易に所定値に定めることができる。
（ｄ）第１コイル素子Ｌ１の第１端からコイル導体をトレースしたとき、層間接続導体による並列接続の開始位置は、第１コイル素子の第２端が接続される外部端子の近傍を通り越した位置であり、第２コイル素子Ｌ２の第１端からコイル導体をトレースしたとき、層間接続導体による並列接続の開始位置は、第２コイル素子の第２端が接続される外部端子の近傍を通り越した位置であるので、外部端子の位置に応じて並列接続部を構成できる。すなわち、外部端子の配置に制約されずに、コイル導体は一部切欠のループ状になるので、外部端子位置の設計上の自由度が高い。
（ｅ）積層体の側面電極を利用して層間接続を行っているため、並列接続のための層間接続導体以外の層間接続導体が積層体内に不要となり、コイル素子の磁気的開口面を大きくすることができ、全体に小型化できる。すなわち、小型で大きな結合係数が得られる。
（ｆ）第１コイル素子と第２コイル素子とによりオートトランスが構成されるので、第１コイル素子と第２コイル素子とにより生じる相互インダクタンス（Ｍ）の作用でインピーダンス変換比を大きくできる。また、給電端子からアンテナ端子まで第１コイル素子を介して直接接続されるので、トランス構造による挿入損失の増大は抑制される。
なお、第１コイル素子Ｌ１のコイル開口と第２コイル素子Ｌ２のコイル開口とは、それらの全体とが、積層体の積層方向からの平面視で重なることが好ましいが、重ならない部分があってもよい。
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、本発明に係るトランスの一例としてのインピーダンス変換回路について示す。
図７は第３の実施形態に係る携帯電話端末等の通信端末装置の構成を示す図である。この図７では、通信端末装置の筐体内の主要部について表される。筐体内にアンテナ４０および回路基板が設けられ、回路基板にはグランド導体５０、インピーダンス変換回路１０１および給電回路３０が設けられる。アンテナ４０はＴ分岐型アンテナである。グランド導体５０はアンテナ４０のイメージ形成用導体として作用、またはアンテナ４０とともに放射素子として作用する。
インピーダンス変換回路１０１の構成は第２の実施形態で示したとおりである。インピーダンス変換回路１０１の給電端子Ｐ１は給電回路３０に接続され、インピーダンス変換回路１０１のアンテナ端子Ｐ２はアンテナ４０に接続され、インピーダンス変換回路１０１のグランド端子Ｐ３は回路基板のグランド導体５０に接続される。
インピーダンス変換回路１０１は、小型でありながら大きな所定のインピーダンス変換比をもつことができるので、小型の（より低インピーダンスの）アンテナ４０を備えることができ、全体に小型で低損失の通信端末装置が構成される。
《他の実施形態》
第１・第２の実施形態では、各コイル導体がほぼ矩形のループ状である例を示したが、コイル導体のループ形状はこれに限らない。例えば円形、楕円形、角に丸みをもつ四角形、角をカットした四角形などであってもよい。矩形であれば、限られたスペースでコイル開口を稼ぐことができる。円形、楕円形、角に丸みをもつ四角形であれば、角部における損失を低減できる。
第１・第２の実施形態では、隣接する基材層に形成された２つのコイル導体を２つの層間接続導体で接続することにより、１つの並列接続部を構成した例を示したが、本発明はこの構成に限られない。第１コイル導体と第２コイル導体とが３個所以上で層間接続導体を介して接続されることで、第１コイル導体と第２コイル導体との並列接続部が２個所以上構成されてもよい。
本発明は、インピーダンス変換回路以外にコモンモードチョークコイル等にも同様に適用される。例えば、積層体に第１コイル素子と第２コイル素子を、それらのコイル開口が積層体の積層方向からの平面視で重なるように設け、第１コイル素子の２つの端子と第２コイル素子の２つの端子をそれぞれ積層体に形成する。
ＡＰ１，ＡＰ２…コイル開口
Ｅ１１…第１コイル導体の第１端
Ｅ１２…第１コイル導体の第２端
Ｅ２１…第２コイル導体の第１端
Ｅ２２…第２コイル導体の第２端
Ｌ１…第１コイル素子
Ｌ２…第２コイル素子
Ｌ１１…第１コイル導体の第１部
Ｌ１２…第１コイル導体の第２部
Ｌ２１…第２コイル導体の第１部
Ｌ２２…第２コイル導体の第２部
Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ１，Ｌ１Ｂ２，Ｌ１Ｃ…導体パターン
Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ１，Ｌ２Ｂ２，Ｌ２Ｃ…導体パターン
ＬＰ１…第１コイル導体
ＬＰ２…第２コイル導体
ＬＰ３…第３コイル導体
ＬＰ４…第４コイル導体
ＮＣ…空き端子
Ｐ１…給電端子
Ｐ２…アンテナ端子
Ｐ３…グランド端子
ＰＰ…並列接続部
ＳＰ…直列接続部
Ｖ，Ｖ１〜Ｖ４…層間接続導体
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３…層間接続導体
１１〜１６…基材層
１０…積層型コイル
２０…積層体
３０…給電回路
４０…アンテナ
５０…グランド導体
１０１…インピーダンス変換回路

Claims (11)

  1. 複数の基材層が積層される積層体の、互いに異なる前記基材層に形成される、第１コイル導体および第２コイル導体と、
    前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とを接続する層間接続導体と、を備え、
    前記第１コイル導体が形成するコイル開口と前記第２コイル導体が形成するコイル開口とは、前記積層体の積層方向からの平面視で重なり、
    前記層間接続導体の数は複数であり、
    前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とが、少なくとも２個所で前記層間接続導体を介して接続されることで、前記第１コイル導体の第１部と前記第２コイル導体の第１部との並列接続部が構成され、
    前記並列接続部に接続され、前記第１コイル導体の第２部および前記第２コイル導体の第２部で直列接続部が構成される、
    積層型コイル。
  2. 請求項１に記載の積層型コイルであり、
    前記第１コイル導体は実質的に１ターンのコイルを構成し、
    前記第２コイル導体は実質的に１ターンのコイルを構成する。
  3. 請求項１または２に記載の積層型コイルであり、
    前記第１コイル導体の第１端に繋がる第１外部端子、および前記第２コイル導体の第１端に繋がる第２外部端子が前記積層体に形成され、
    前記第１外部端子と前記第２外部端子は、前記第１コイル導体および前記第２コイル導体の形成領域を挟んで対向する位置に配置される。
  4. 請求項１または２に記載の積層型コイルであり、
    前記第１コイル導体の第１端に繋がる第１外部端子、および前記第２コイル導体の第１端に繋がる第２外部端子が前記積層体に形成され、
    前記第１コイル導体を、前記第１コイル導体の第１端からトレースするとき、前記並列接続部の開始位置は、前記第２コイル導体の第１端を越える位置であり、
    前記第２コイル導体を、前記第２コイル導体の第１端からトレースするとき、前記並列接続部の開始位置は、前記第１コイル導体の第１端を越える位置である。
  5. 複数の基材層が積層される積層体と、
    前記積層体に設けられ、互いにトランス結合する第１コイル素子および第２コイル素子と、を備え、
    少なくとも前記第１コイル素子は、
    互いに異なる前記基材層に形成される第１コイル導体および第２コイル導体と、
    前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とを接続する層間接続導体と、を備え、
    前記第１コイル素子が形成するコイル開口および前記第２コイル素子が形成するコイル開口は、前記積層体の積層方向からの平面視で重なり、
    前記層間接続導体の数は複数であり、
    前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とが、少なくとも２個所で前記層間接続導体を介して接続されることで、前記第１コイル導体の第１部と前記第２コイル導体の第１部との並列接続部が構成され、
    前記並列接続部に接続され、前記第１コイル導体の第２部および前記第２コイル導体の第２部で直列接続部が構成される、
    インピーダンス変換回路。
  6. 請求項５に記載のインピーダンス変換回路であり、
    前記第１コイル素子の第１端に繋がる第１外部端子、および前記第１コイル素子の第２端に繋がる第２外部端子が前記積層体に形成され、
    前記第１コイル素子を構成する前記第１コイル導体を、前記第１コイル導体の第１端からトレースするとき、前記並列接続部の開始位置は、前記第２コイル導体の第１端を越える位置である。
  7. 請求項５または６に記載のインピーダンス変換回路であり、
    給電端子、アンテナ端子およびグランド端子を備え、
    前記給電端子は前記第１コイル素子の第１端に繋がり、前記アンテナ端子は前記第１コイル素子の第２端および前記第２コイル素子の第１端に繋がり、前記グランド端子は前記第２コイル素子の第２端に繋がる。
  8. 請求項７に記載のインピーダンス変換回路であり、
    前記給電端子、前記アンテナ端子および前記グランド端子は前記積層体の側面に形成される。
  9. 請求項７または８に記載のインピーダンス変換回路であり、
    前記給電端子は前記積層体の第１側面に形成され、前記アンテナ端子は、前記積層体の第１側面に対向する第２側面に形成され、前記グランド端子は前記積層体の第３側面に形成される。
  10. 請求項５〜９のいずれかに記載のインピーダンス変換回路であり、
    前記基材層は誘電体もしくは磁性体、または誘電体および磁性体である。
  11. 高周波信号を送受信するアンテナと、前記アンテナに対する給電回路と、前記給電回路と前記アンテナとの間に設けられたインピーダンス変換回路とを備え、
    前記インピーダンス変換回路は、
    複数の基材層が積層される積層体と、
    前記積層体に設けられ、互いにトランス結合する第１コイル素子および第２コイル素子と、を備え、
    少なくとも前記第１コイル素子は、
    互いに異なる前記基材層に形成される第１コイル導体および第２コイル導体と、
    前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とを接続する層間接続導体と、を備え、
    前記第１コイル素子が形成するコイル開口および前記第２コイル素子が形成するコイル開口は、前記積層体の積層方向からの平面視で重なり、
    前記層間接続導体の数は複数であり、
    前記第１コイル導体と前記第２コイル導体とが、少なくとも２個所で前記層間接続導体を介して接続されることで、前記第１コイル導体の第１部と前記第２コイル導体の第１部との並列接続部が構成され、
    前記並列接続部に接続され、前記第１コイル導体の第２部および前記第２コイル導体の第２部で直列接続部が構成される、
    通信端末装置。
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