JPWO2015041157A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015041157A1 JPWO2015041157A1 JP2015537897A JP2015537897A JPWO2015041157A1 JP WO2015041157 A1 JPWO2015041157 A1 JP WO2015041157A1 JP 2015537897 A JP2015537897 A JP 2015537897A JP 2015537897 A JP2015537897 A JP 2015537897A JP WO2015041157 A1 JPWO2015041157 A1 JP WO2015041157A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- layer
- light emitting
- group
- exciplex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 304
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 184
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims abstract description 81
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 81
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 16
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000005281 excited state Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 31
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 27
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 20
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 20
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 19
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 10
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 phenyloxy Group Chemical group 0.000 description 8
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 7
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 5
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 3
- 125000001989 1,3-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([H])C([*:2])=C1[H] 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 3
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000001296 phosphorescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 2
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 2
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005978 1-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004959 2,6-naphthylene group Chemical group [H]C1=C([H])C2=C([H])C([*:1])=C([H])C([H])=C2C([H])=C1[*:2] 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005979 2-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000339 4-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003113 cycloheptyloxy group Chemical group C1(CCCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
- C07C211/54—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to two or three six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
- C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D491/04—Ortho-condensed systems
- C07D491/044—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
- C07D491/052—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being six-membered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
- C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
Abstract
Description
そこで本発明者らは、このような従来技術の課題を解決するために、一重項励起状態の生成効率が高く、高い発光効率が得られる有機エレクトロルミネッセンスを提供することを目的として鋭意検討を進めた。
[2]前記発光層は、ホスト化合物および発光材料であるゲスト化合物を含み、前記ホスト化合物および前記ゲスト化合物と、前記ドナー化合物および前記アクセプター化合物とが、下記式(1)で表される条件を満たすことを特徴とする[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
式(1) ES1>ES1 G かつ ES1 H>ES1 G
[式(1)において、ES1はドナー化合物とアクセプター化合物とで形成されるエキサイプレックスの最低励起一重項エネルギー準位を表し、ES1 Hはホスト化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、ES1 Gはゲスト化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表す。]
[3]前記有機層は、前記発光層と前記遅延蛍光エキサイプレックス層との間に、前記遅延蛍光エキサイプレックス層から前記発光層への励起三重項エネルギーの移動を抑制する三重項励起子ブロッキング層を有することを特徴とする[1]又は[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[4]前記三重項励起子ブロッキング層は、前記ホスト化合物および前記ゲスト化合物と、前記ドナー化合物および前記アクセプター化合物との間で、下記式(2)で表される条件を満たすブロッキング化合物を含むことを特徴とする[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
式(2) ET1 B>ET1>ET1 H>ET1 G
[式(2)において、ET1 Bはブロッキング化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1はドナー化合物とアクセプター化合物とで形成されるエキサイプレックスの最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1 Hはホスト化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1 Gはゲスト化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表す。]
[5]前記三重項励起子ブロッキング層の膜厚が、2nm以上である[3]または[4]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[6]前記三重項励起子ブロッキング層の膜厚が、2nm〜8nmである[3]〜[5]のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[7]前記三重項励起子ブロッキング層の膜厚が、3.5〜4.5nmである[3]〜[6]のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[8]前記発光層に含まれるゲスト化合物は、蛍光材料であることを特徴とする[2]〜[7]のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた有機層を有する。有機層は、発光層および遅延蛍光エキサイプレックス層の少なくとも2層を含むものであり、本発明では、このうち遅延蛍光エキサイプレックス層を有する点に特徴がある。この特徴については、後に詳述する。
典型的な本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成例を図1に示す。図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は三重項励起子ブロッキング層、7は遅延蛍光エキサイプレックス層、8は電子輸送層、9は陰極を表わす。有機層は、図1(a)に例示するように、発光層および遅延蛍光エキサイプレックス層のみからなるものであってもよいし、図1(b)や図1(c)に例示するように、これらの他に1層以上の有機層を有するものであってもよい。そのような他の有機層として、三重項励起子ブロッキング層、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層、励起子阻止層などを挙げることができる。正孔輸送層は正孔注入機能を有した正孔注入輸送層でもよく、電子輸送層は電子注入機能を有した電子注入輸送層でもよい。
以下、有機エレクトロルミネッセンス素子の各部材および各層について説明する。
遅延蛍光エキサイプレックス層は、ドナー化合物とアクセプター化合物とを含み、陽極および陰極のそれぞれから注入された正孔および電子が層内で再結合することにより、ドナー化合物とアクセプター化合物との間で励起状態が形成され、かつ、この励起状態において励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差が生じる層である。
本発明では、このドナー化合物とアクセプター化合物との間で形成される励起状態を「エキサイプレックス」という。
遅延蛍光エキサイプレックス層で形成される励起状態(エキサイプレックス)は、励起状態を形成する二分子が空間的に離れていることに起因して、一分子で形成される励起状態に比べて励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーとの差ΔEstが小さいものと考えられる。このため、この遅延蛍光エキサイプレックス層では、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差が高い確率で発生する。
ここで、正孔と電子との再結合によって形成される励起状態の形成確率は、励起三重項状態の方が励起一重項状態よりも大きいが、この遅延蛍光エキサイプレックス層では、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差が高い確率で発生するため、結果として高い一重項励起子生成効率を得ることができる。このため、上記のような機構によって発光層の発光材料を効率よく蛍光発光させることができる。
エキサイプレックス層に用いるアクセプター化合物は、式(3)と式(4)の条件を満たす化合物であることが好ましい。すなわち、アクセプター化合物のリン光スペクトルにおける短波長側のピーク波長で規定される励起三重項エネルギー(T1 A)が、エキサイプレックス発光のピーク波長で規定されるエキサイプレックスの励起一重項エネルギー(S1)よりも大きくて、その差が0.2eV超であることが好ましい。アクセプター化合物の励起三重項エネルギー(T1 A)とエキサイプレックスの励起一重項エネルギー(S1)の差は、0.3eV超であることがより好ましく、0.4eV超であることがさらに好ましい。また、アクセプター化合物のLUMOのエネルギー準位(|LUMOA|)は2.0eV超であることが好ましく、2.5eV超であることがより好ましく、3.0eV超であることがさらに好ましい。
式(3) T1 A−S1 > 0.2eV
式(4) |LUMOA| > 1.9eV
一般式[1]におけるR1、R2およびR3は、各々独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアルコキシ基を表す。R1、R2およびR3は同一であっても異なっていてもよいが、好ましいのは同一である場合である。R1、R2およびR3は、それぞれAr1、Ar2およびAr3の芳香族炭化水素環の置換基として環に結合するものである。
R1、R2およびR3がとりうるアルキル基は、直鎖状であっても、分枝状であっても、環状であってもよい。好ましいのは直鎖状または分枝状のアルキル基である。アルキル基の炭素数は、1〜20であることが好ましく、1〜12であることがより好ましく、1〜6であることがさらに好ましく、1〜3であること(すなわちメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基)がさらにより好ましい。環状のアルキル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基を挙げることができる。R1、R2およびR3がとりうるアルキル基は置換されていてもよく、その場合の置換基としてはアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基を挙げることができる。ここでいうアルコキシ基の説明と好ましい範囲については、下記のR1、R2およびR3がとりうるアルコキシ基の記載を参照することができる。ここでいうアリール基は、1つの芳香環からなるものであってもよいし、2以上の芳香環が融合した構造を有するものであってもよい。アリール基の環骨格構成炭素数は、6〜22であることが好ましく、6〜18であることがより好ましく、6〜14であることがさらに好ましく、6〜10であること(すなわちフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基)がさらにより好ましい。また、ここでいうアリールオキシ基は、1つの芳香環からなるものであってもよいし、2以上の芳香環が融合した構造を有するものであってもよい。アリールオキシ基の環骨格構成炭素数は、6〜22であることが好ましく、6〜18であることがより好ましく、6〜14であることがさらに好ましく、6〜10であること(すなわちフェニルオキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基)がさらにより好ましい。
一般式[4]におけるPy31、Py32およびPy33は、各々独立に、置換もしくは無置換ピリジル基を表す。Py31、Py32およびPy33は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。ここでいう置換もしくは無置換ピリジル基の説明と好ましい範囲については、一般式[1]の対応する記載を参照することができる。
一般式[4]におけるn31、n32およびn33は、各々独立に、1〜3のいずれかの整数を表し、1または2であることが好ましい。例えば2,4,6位の3置換体、3,5位の2置換体、3位の1置換体、4位の1置換体を挙げることができる。n31、n32およびn33は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。n31が2以上であるとき、分子内に存在する複数の(L31−Py31)は互いに同一であっても異なっていてもよい。好ましいのは同一である場合である。n32およびn33についても同じである。
エキサイプレックス層に用いるドナー化合物は、式(5)と式(6)の条件を満たす化合物であることが好ましい。すなわち、ドナー化合物のリン光スペクトルにおける短波長側のピーク波長で規定される励起三重項エネルギー(T1 D)が、エキサイプレックス発光のピーク波長で規定されるエキサイプレックスの励起一重項エネルギー(S1)よりも大きくて、その差が0.2eV以上であることが好ましい。ドナー化合物の励起三重項エネルギー(T1 D)とエキサイプレックスの励起一重項エネルギー(S1)の差は、0.3eV超であることがより好ましく、0.4eV超であることがさらに好ましい。また、ドナー化合物のHOMOのエネルギー準位(|HOMOD|)は5.3eV以下であることが好ましく、5.2eV未満であることがより好ましく、5.1eV未満であることがさらに好ましい。
式(5) T1 D−S1 ≧ 0.2eV
式(6) |HOMOD| ≦ 5.3eV
一般式[12]におけるm61、m62およびm63は、各々独立に、1または2のいずれかを表す。例えば、3,5位の2置換体、3位の1置換体、4位の1置換体を挙げることができる。m61が2以上であるとき、分子内に存在する複数の
一般式[12]におけるn61、n62、n63、n64、n65およびn66は、各々独立に、0〜5のいずれかの整数を表す。好ましいのは0〜3のいずれかの整数であり、より好ましいのは0〜2のいずれかの整数である。例えば、2,4,6位の3置換体、3,5位の2置換体、2位の1置換体、3位の1置換体、4位の1置換体を挙げることができる。n61が2以上であるとき、分子内に存在する複数のR61は互いに同一であっても異なっていてもよい。好ましいのは同一である場合である。また、分子内に存在する複数のR61のうちの2つのR61がベンゼン環の隣り合う炭素原子に結合しているとき、当該2つのR61は互いに結合して連結基を形成していてもよい。当該2つのR61が互いに結合して連結基を形成することにより、ベンゼン環に融合した環が形成される。2つのR61が互いに結合して形成する連結基の連結鎖原子数は3〜5であることが好ましく、3または4であることがより好ましい。連結基としては、例えばアルキレン基、アルケニレン基を例示することができる。好ましい具体例として−CH=CH−CH=CH−や、その4つの水素原子の少なくとも1つが置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアルコキシ基で置換された連結基を挙げることができる。ここでいう置換もしくは無置換のアルキル基と、置換もしくは無置換のアルコキシ基の説明と好ましい範囲については、一般式[1]の対応する記載を参照することができる。n61に関する上記説明は、n62、n63、n64、n65およびn66についても同じである。n61、n62、n63、n64、n65およびn66は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
一般式[13]におけるn71、n72、n73、n74、n75およびn76は、各々独立に、0〜5のいずれかの整数を表す。好ましくは0〜3のいずれかの整数であり、より好ましくは0〜2のいずれかの整数である。例えば、2,4,6位の3置換体、3,5位の2置換体、2位の1置換体、3位の1置換体、4位の1置換体を挙げることができる。n71が2以上であるとき、分子内に存在する複数のR71は互いに同一であっても異なっていてもよい。好ましいのは同一である場合である。また、分子内に存在する複数のR71のうちの2つのR71がベンゼン環の隣り合う炭素原子に結合しているとき、当該2つのR71は互いに結合して連結基を形成していてもよい。当該2つのR71が互いに結合して連結基を形成することにより、ベンゼン環に融合した環が形成される。2つのR71が互いに結合して形成する連結基の連結鎖原子数は3〜5であることが好ましく、3または4であることがより好ましい。連結基としては、例えばアルキレン基、アルケニレン基を例示することができる。好ましい具体例として−CH=CH−CH=CH−や、その4つの水素原子の少なくとも1つが置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアルコキシ基で置換された連結基を挙げることができる。ここでいう置換もしくは無置換のアルキル基と、置換もしくは無置換のアルコキシ基の説明と好ましい範囲については、一般式[1]の対応する記載を参照することができる。n71に関する上記説明は、n72、n73、n74、n75およびn76についても同じである。n71、n72、n73およびn74は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。また、n75およびn76は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
本発明では、アクセプター化合物とドナー化合物を混合して混合物とする。混合物中のドナー化合物のモル含有率(ドナー化合物/アクセプター化合物とドナー化合物の和)は、0.2超0.6未満であることが好ましく、0.3超0.6未満であることがより好ましく、0.4超0.6未満であることがさらにより好ましい。
アクセプター化合物とドナー化合物の組み合わせは、エキサイプレックスを形成することができるものであれば特に制限されない。以下の表にアクセプター化合物とドナー化合物の好ましい組み合わせを例示する。特に好ましい組み合わせ例として、下記の1、3、8、11、18、37、38を挙げることができ、より好ましくは37(ドナー化合物:TTP、アクセプター化合物:PPT)、38(ドナー化合物:dPTBdA、アクセプター化合物:PPT)である。さらに、ドナー化合物:CzTTP1とアクセプター化合物:PPTとの組合せも好適に用いることができる。31の遅延蛍光エキサイプレックス層は、一重項励起子生成効率が65〜100%と高く、発光層の発光材料を効率よく蛍光発光させることができる。また、32、およびCzTTP1とPPTとの組合せの遅延エキサイプレックス層は、励起三重項エネルギーのデクスター移動が生じ難いため、後述する三重項励起子ブロッキング層が不要であり、有機エレクトロルミネッセンス素子の構成を単純にできるという効果がある。
遅延蛍光エキサイプレックス層の形成方法は特に制限されないが、例えば共蒸着法などを挙げる。
遅延蛍光エキサイプレックス層の厚さは、特に制限されないが10〜120nmであることが好ましく、10〜60nmであることがより好ましく、10〜30nmであることがさらに好ましい。遅延蛍光エキサイプレックス層の厚さを上記範囲から選択することにより、一重項励起子生成効率の高い遅延蛍光エキサイプレックス層を得ることができる。
発光層は、発光材料を含み、遅延蛍光エキサイプレックス層からのエネルギー移動によって発光材料が励起され、その後、基底状態に戻る際に発光する層である。なお、本発明では、発光層でも正孔と電子との再結合が生じ得る。発光層に含まれる発光材料の一部は、このような正孔と電子との再結合によって励起され、その後、基底状態に戻る際に発光してもよい。
発光層と遅延蛍光エキサイプレックス層との位置関係は、遅延蛍光エキサイプレックス層が発光層よりも陰極側であってもよいし、陽極側であってもよい。
発光層に用いる発光材料は、蛍光材料であることが好ましい。これにより、遅延蛍光エキサイプレックス層で効率よく生成される一重項励起子を、発光材料の発光に有効に寄与させることができ、高発光効率の有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。また、蛍光材料として、遅延蛍光材料を使用してもよい。遅延蛍光材料は、キャリアの再結合によって励起一重項状態および励起三重項状態に励起されるが、励起三重項状態に励起されたとき、その少なくとも一部が逆項間交差により励起一重項状態に遷移する蛍光発光材料である。この場合、発光層の発光は、蛍光発光(即時蛍光)および遅延蛍光発光の両方を含む。
発光層は、発光材料単独で構成されていてもよいが、発光材料をゲスト化合物とするホスト化合物を含むことが好ましい。ホスト化合物としては、遅延蛍光エキサイプレックス層に含まれるドナー化合物およびアクセプター化合物と、発光材料であるゲスト化合物との間で、下記式(1)の条件を満たす有機化合物を用いることができる。
式(1) ES1>ES1 G かつ ES1 H>ES1 G
[式(1)において、ES1はドナー化合物とアクセプター化合物とで形成されるエキサイプレックスの最低励起一重項エネルギー準位を表し、ES1 Hはホスト化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、ES1 Gはゲスト化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表す。]
本発明における「最低励起一重項エネルギー準位」は、以下の方法により測定することができる。以下の方法では、測定対象化合物とmCBPを用いた場合について説明する。
測定対象化合物とmCBPとを、測定対象化合物が濃度6重量%となるように共蒸着することでSi基板上に厚さ100nmの試料を作製する。常温(300K)でこの試料の蛍光スペクトルを測定する。励起光入射直後から入射後100ナノ秒までの発光を積算することで、縦軸を燐光強度、横軸を波長の蛍光スペクトルを得る。蛍光スペクトルは、縦軸を発光、横軸を波長とする。この発光スペクトルの短波側のピーク波長値λを次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をES1とする。
換算式:ES1[eV]=1239.85/λedge
発光スペクトルの測定には、励起光源に窒素レーザー(Lasertechnik Berlin社製、MNL200)を検出器には、ストリークカメラ(浜松ホトニクス社製、C4334)を用いることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば実施例4のように、遅延蛍光エキサイプレックス層から発光層への励起三重項エネルギーのデクスター移動が頻繁に生じる系を採用した場合には、発光層と遅延蛍光エキサイプレックス層との間に三重項励起子ブロッキング層を設けることが好ましい。三重項励起子ブロッキング層は、遅延蛍光エキサイプレックス層から発光層への励起三重項エネルギーの移動を抑制する機能を有する。この三重項励起子ブロッキング層を設けることにより、以下の理由から有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率をより高めることができる。
すなわち、上記のように、遅延蛍光エキサイプレックス層では、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差が生じるが、逆項間交差が生じるよりも前に、励起三重項状態が隣接する有機層にエネルギー移動する場合がある。この場合に、遅延蛍光エキサイプレックス層からの励起三重項エネルギーを発光層の発光材料が受け取ると、発光材料が発光せずに熱失活し、そのエネルギーが無駄になってしまう。これに対して、発光層と遅延蛍光エキサイプレックス層との間に三重項励起子ブロッキング層を設けると、遅延蛍光エキサイプレックス層から発光層への励起三重項エネルギーの移動が抑えられ、遅延蛍光エキサイプレックス層で形成された励起三重項状態を確実に逆項間交差させ、蛍光発光に寄与させることができる。その結果、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率をより高めることができる。
一方、遅延蛍光エキサイプックス層から発光層への励起三重項エネルギーのデクスター移動がさほど生じない系を採用した場合には、このような三重項励起子ブロッキング層の形成は不要であり、有機エレクトロルミネッセンス素子の構成を単純なものにすることができる。そのような遅延蛍光エキサイプレックス層としては、CzTTP1とPPTとの組み合わせ、dBTBdAとPPTとの組み合わせ等を挙げることができる。
三重項励起子ブロッキング層の構成材料としては、遅延蛍光エキサイプレックス層に含まれるドナー化合物およびアクセプター化合物と、発光層に含まれるホスト化合物およびゲスト化合物との間で、下記式(2)の条件を満たす有機化合物(ブロッキング化合物)を用いることが好ましい。
式(2) ET1 B>ET1>ET1 H>ET1 G
[式(2)において、ET1 Bはブロッキング化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1はドナー化合物とアクセプター化合物とで形成されるエキサイプレックスの最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1 Hはホスト化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1 Gはゲスト化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表す。]
本発明における「最低励起三重項エネルギー準位」は、以下の方法により測定することができる。以下の方法では、測定対象化合物とmCBPを用いた場合について説明する。
上記の一重項エネルギーES1の測定に用いたのと同じ試料を5[K]に冷却し、励起光(337nm)を燐光測定用試料に照射し、ストリークカメラを用いて、燐光強度を測定する。励起光入射後1ミリ秒から入射後10ミリ秒の発光を積算することで、縦軸を燐光強度、横軸を波長の燐光スペクトルを得る。この発光スペクトルの短波側のピーク波長値λを次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をES1とする。
換算式:ET1[eV]=1239.85/λedge
三重項励起子ブロッキング層の厚さは、遅延蛍光エキサイプレックス層のエキサイプレックスと発光層の発光材料との間のフェルスター移動半径をR0を考慮して選択することが好ましい。具体的には、三重項励起子ブロッキング層の膜厚が一般的なデクスタ―エネルギー移動距離である2nmより大きい十分大きくフェルスター移動半径より小さいことが望ましい。
ここで、フェルスター移動半径は、ゲスト化合物のモル吸光係数と遅延蛍光エキサイプレックスの発光スペクトルによって測定されるものである。
三重項励起子ブロッキング層の厚さを上記範囲から選択することにより、三重項励起子ブロッキング層の機能を十分に享受しつつ、発光層と遅延蛍光エキサイプレックス層との間隔をフェルスター機構によるエネルギー移動が可能な範囲に収めることができ、遅延蛍光エキサイプレックス層で生成した励起一重項エネルギーを発光層へ効率よく移動させることができる。
例えば、発光材料としてC545Tを用い、遅延蛍光エキサイプレックスのドナー化合物としてTTPを用い、遅延蛍光エキサイプレックス層のアクセプター化合物としてPPTを用いた場合のフェルスター移動半径R0は3.5nmである。これらと組み合わせてmCPをブロッキング化合物として用いる場合、三重項励起子ブロッキング層の厚さは、2〜8nmであることが好ましく、3〜5nmであることがさらに好ましく、3.5〜4.5nmであることが最も好ましい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、遅延蛍光エキサイプレックス層、発光層、三重項励起子ブロッキング層の他に、以下のような有機層を有していてもよい。
(注入層)
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層または正孔輸送層の間、および陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。
阻止層は、発光層中に存在する電荷(電子もしくは正孔)および/または励起子の発光層外への拡散を阻止することができる層である。電子阻止層は、発光層および正孔輸送層の間に配置されることができ、電子が正孔輸送層の方に向かって発光層を通過することを阻止する。同様に、正孔阻止層は発光層および電子輸送層の間に配置されることができ、正孔が電子輸送層の方に向かって発光層を通過することを阻止する。阻止層はまた、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止するために用いることができる。すなわち電子阻止層、正孔阻止層はそれぞれ励起子阻止層としての機能も兼ね備えることができる。本明細書でいう電子阻止層または励起子阻止層は、一つの層で電子阻止層および励起子阻止層の機能を有する層を含む意味で使用される。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は電子を輸送しつつ、正孔が電子輸送層へ到達することを阻止する役割があり、これにより発光層中での電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層の材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。
電子阻止層とは、広い意味では正孔を輸送する機能を有する。電子阻止層は正孔を輸送しつつ、電子が正孔輸送層へ到達することを阻止する役割があり、これにより発光層中での電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。
励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。すなわち、励起子阻止層を陽極側に有する場合、正孔輸送層と発光層の間に、発光層に隣接して該層を挿入することができ、陰極側に挿入する場合、発光層と陰極との間に、発光層に隣接して該層を挿入することができる。また、陽極と、発光層の陽極側に隣接する励起子阻止層との間には、正孔注入層や電子阻止層などを有することができ、陰極と、発光層の陰極側に隣接する励起子阻止層との間には、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層などを有することができる。阻止層を配置する場合、阻止層として用いる材料の励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーの少なくともいずれか一方は、発光材料の励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーよりも高いことが好ましい。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物およびスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる場合もある)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。使用できる電子輸送層としては例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機エレクトロルミネッセンス素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英、シリコンなどからなるものを用いることができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極材料とするものが好ましく用いられる。このような電極材料の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極材料の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な材料を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極材料とするものが用いられる。このような電極材料の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性および酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陽極の説明で挙げた導電性透明材料を陰極に用いることで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
膜厚100nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)からなる陽極が形成されたガラス基板を用意した。このガラス基板の陽極上に、CzTTP1を35nmの厚さに形成して正孔輸送層を得た。次に、CzTTP1とPPTとを異なる蒸着源から共蒸着し、30nmの厚さの層を形成して遅延蛍光エキサイプレックス層とした。この時、CzTTP1の濃度は30mol%とした。次に、C545TとPPTとを異なる蒸着源から共蒸着し、10nmの厚さの層を形成して発光層とした。この時、C545Tの濃度は1重量%とした。次に、PPTを25nmの厚さに形成して電子輸送層を得た。さらに、フッ化リチウム(LiF)を0.8nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウム(Al)を80nmの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
正孔輸送層の材料および遅延蛍光エキサイプレックス層のドナー化合物としてCzTTP1の代わりにdPTBdAを用いたこと以外は、実施例1と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
遅延エキサイプレックス層のdPTBdAの濃度を50mol%としたこと以外は、実施例2と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
(三重項励起子ブロッキング層の膜厚の検討)
本実施例では、発光層(C545T−CBP蒸着膜)と遅延蛍光エキサイプレックス層(TTP−PPT蒸着膜)との間に三重項励起子ブロッキング層(mCP蒸着膜)を形成するため、予備実験として三重項励起子ブロッキング層の膜厚を検討した。
(1)遅延蛍光エキサイプレックス層と発光層とのフェルスター移動半径R0
図2に、TTPとPPTとを50mol%で共蒸着したTTP−PPT蒸着膜の発光スペクトルと、C545Tのトルエン溶液の吸収スペクトルを併せて示す。図2から、TTP−PPT蒸着膜とC454Tとのフェルスター移動半径R0は3.5nmであり、三重項励起子ブロッキング層の厚さの上限は(3.5+1)nm付近であることが推定された。
ガラス基板上に、α−NPDを10nmの厚さに形成した。次に、C545TとCBPとを異なる蒸着源から共蒸着し、10nmの厚さの層を形成して発光層とした。この時、C545Tの濃度は2.5重量%とした。次に、mCPを0〜8nmから選択した各種厚さで形成し、mCP膜を得た。次に、TTPとPPTとを異なる蒸着源から共蒸着し、10nmの厚さの層を形成して遅延蛍光エキサイプレックス層とした。この時、TTPおよびPPTの濃度は50mol%とした。以上の工程により、mCP膜の厚さが異なる各サンプルを作製した。
作成した各サンプルについて、遅延蛍光スペクトルを図3に示し、PL量子収率をmCP膜の厚さに対してプロットした結果を図4に示す。
また、図4を見ると、PL量子収率は、mCP膜が4nmのサンプルが最も高く、mCP膜を2nm、6nm、8nmで形成したサンプルは、mCP膜を形成していないサンプルに比べれば高い値が得られるものの、mCP膜を4nmで形成したサンプルよりも低い値になっている。このことから、mCP膜の厚さは、2〜8nmであることが好ましく、4nmであることが最適であることがわかった。
厚さ4nmのmCP膜を三重項励起子ブロッキング層とする有機エレクトロルミネッセンス素子を次にようにして作製した。
膜厚100nmのインジウム・スズ酸化物膜(ITO膜)および膜厚1nmのMoOx膜からなる陽極が形成されたガラス基板を用意した。このガラス基板の陽極上に、α−NPDを40nmの厚さに形成して正孔輸送層を得た。次に、C545TとCBPとを異なる蒸着源から共蒸着し、10nmの厚さの層を形成して発光層とした。この時、C545Tの濃度は2.5重量%とした。次に、mCPを4nmの厚さに形成し、三重項励起子ブロッキング層を得た。次に、TTPとPPTとを異なる蒸着源から共蒸着し、30nmの厚さの層を形成して遅延蛍光エキサイプレックス層とした。この時、TTPの濃度は50mol%とした。次に、PPTを40nmの厚さに形成して電子輸送層を得た。さらに、フッ化リチウム(LiF)を0.75nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウム(Al)を70nmの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
膜厚100nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)からなる陽極が形成されたガラス基板を用意した。このガラス基板の陽極上に、TTPを20nmの厚さに形成して正孔輸送層を得た。次に、TTPとPPTとを異なる蒸着源から共蒸着し、60nmの厚さの層を形成して発光層とした。この時、TTPの濃度は50mol%とした。次に、PPTを20nmの厚さに形成して電子輸送層を得た。さらに、フッ化リチウム(LiF)を0.75nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウム(Al)を70nmの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
(1)発光材料の発光特性
図5に、C545Tのトルエン溶液の発光スペクトルおよび吸収スペクトルを示す。C545Tのトルエン溶液のPL量子収率は91.3%であった。
(2)遅延蛍光エキサイプレックス層の発光特性
代表として、図6に、TTPとPPTとを50mol%で共蒸着したTTP−PPT蒸着膜、TTP蒸着膜、PPT蒸着膜の発光スペクトルを併せて示し、図7に、TTP−PPT蒸着膜の過渡減衰曲線を示す。TTP−PPT蒸着膜のPL量子収率は15.6%であり、このうち遅延蛍光成分のPL量子収率は12.3%であった。また、後述する比較例1の外部量子効率の測定結果から求めた、TTP−PPT蒸着膜の一重項励起子生成効率は65〜100%であった。
作製した各有機エレクトロルミネッセンス素子について、電流密度−外部量子効率特性を図8〜図12に示し、最大外部量子効率を表3に示す。なお図11では、遅延蛍光エキサイプレックス層の厚さを10nmに変更した素子を測定した結果も掲載している。
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 三重項励起子ブロッキング層
7 遅延蛍光エキサイプレックス層
8 電子輸送層
9 陰極
Claims (8)
- 発光層と、ドナー化合物およびアクセプター化合物を含有する遅延蛍光エキサイプレックス層とを含む少なくとも2層の有機層を一対の電極間に有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層は、ホスト化合物および発光材料であるゲスト化合物を含み、
前記ホスト化合物および前記ゲスト化合物と、前記ドナー化合物および前記アクセプター化合物とが、下記式(1)で表される条件を満たすことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
式(1) ES1>ES1 G かつ ES1 H>ES1 G
[式(1)において、ES1はドナー化合物とアクセプター化合物とで形成されるエキサイプレックスの最低励起一重項エネルギー準位を表し、ES1 Hはホスト化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、ES1 Gはゲスト化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表す。] - 前記有機層は、前記発光層と前記遅延蛍光エキサイプレックス層との間に、前記遅延蛍光エキサイプレックス層から前記発光層への励起三重項エネルギーの移動を抑制する三重項励起子ブロッキング層を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記三重項励起子ブロッキング層は、前記ホスト化合物および前記ゲスト化合物と、前記ドナー化合物および前記アクセプター化合物との間で、下記式(2)で表される条件を満たすブロッキング化合物を含むことを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
式(2) ET1 B>ET1>ET1 H>ET1 G
[式(2)において、ET1 Bはブロッキング化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1はドナー化合物とアクセプター化合物とで形成されるエキサイプレックスの最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1 Hはホスト化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1 Gはゲスト化合物の最低励起三重項エネルギー準位を表す。] - 前記三重項励起子ブロッキング層の膜厚が、2nm以上である請求項3または4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記三重項励起子ブロッキング層の膜厚が、2nm〜8nmである請求項3〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記三重項励起子ブロッキング層の膜厚が、3.5〜4.5nmである請求項3〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層に含まれるゲスト化合物は、蛍光材料であることを特徴とする請求項2〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013192357 | 2013-09-17 | ||
JP2013192357 | 2013-09-17 | ||
PCT/JP2014/074174 WO2015041157A1 (ja) | 2013-09-17 | 2014-09-12 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019005655A Division JP6688915B2 (ja) | 2013-09-17 | 2019-01-17 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015041157A1 true JPWO2015041157A1 (ja) | 2017-03-02 |
JP6470181B2 JP6470181B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=52688808
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015537897A Active JP6470181B2 (ja) | 2013-09-17 | 2014-09-12 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2019005655A Active JP6688915B2 (ja) | 2013-09-17 | 2019-01-17 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019005655A Active JP6688915B2 (ja) | 2013-09-17 | 2019-01-17 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10014487B2 (ja) |
EP (1) | EP3059775B1 (ja) |
JP (2) | JP6470181B2 (ja) |
KR (1) | KR102074031B1 (ja) |
CN (1) | CN105580153B (ja) |
TW (1) | TWI640111B (ja) |
WO (1) | WO2015041157A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102074031B1 (ko) * | 2013-09-17 | 2020-02-05 | 가부시키가이샤 큐럭스 | 유기 일렉트로루미네선스 소자 |
US9978812B2 (en) * | 2014-01-14 | 2018-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display panel |
KR101887155B1 (ko) | 2014-08-22 | 2018-08-10 | 샤프 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 그 제조 방법과 발광 방법 |
JP2016141647A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 日本放送協会 | 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池 |
TWI704706B (zh) * | 2015-03-09 | 2020-09-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設置 |
TWI737594B (zh) * | 2015-03-09 | 2021-09-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件,顯示裝置,電子裝置,與照明裝置 |
KR102601599B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2023-11-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
US10240085B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film and organic light-emitting device including the same |
KR102601598B1 (ko) * | 2015-09-14 | 2023-11-14 | 삼성전자주식회사 | 혼합물, 박막 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
US10297764B2 (en) * | 2015-09-14 | 2019-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mixture, thin film, and organic light emitting device including mixture and thin film |
JP6714364B2 (ja) | 2016-01-14 | 2020-06-24 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、素子群、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光波長制御方法 |
CN109196954B (zh) * | 2016-09-06 | 2021-01-05 | 九州有机光材股份有限公司 | 有机发光元件 |
TWI611612B (zh) | 2016-11-30 | 2018-01-11 | 財團法人工業技術研究院 | 有機發光二極體和白光有機發光二極體 |
EP3553151A4 (en) | 2016-12-06 | 2019-12-11 | Kyushu University, National University Corporation | PHOSPHORESCENT SUBSTANCE AND PHOSPHORESCENT ELEMENT |
JP6323970B1 (ja) * | 2016-12-06 | 2018-05-16 | 国立大学法人九州大学 | 蓄光体および蓄光素子 |
CN106784354B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-02-26 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置 |
CN108336237B (zh) * | 2017-01-20 | 2020-01-31 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
US11434376B2 (en) * | 2017-02-14 | 2022-09-06 | Konica Minolta, Inc. | Aminocoumarin compound, and aminocoumarin compound-containing resin particles |
WO2018150450A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | コニカミノルタ株式会社 | アミノクマリン化合物およびアミノクマリン化合物内包樹脂粒子 |
KR102366420B1 (ko) * | 2017-07-31 | 2022-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
US11505739B2 (en) * | 2017-08-09 | 2022-11-22 | Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation | Long-persistent luminescent composition, long-persistent luminescent device and wavelength control method |
KR102497284B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2023-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN108365112B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-06-16 | 昆山国显光电有限公司 | 一种电致发光器件 |
TW201942327A (zh) * | 2018-03-29 | 2019-11-01 | 國立大學法人九州大學 | 蓄光體及蓄光元件 |
KR102634554B1 (ko) * | 2018-06-12 | 2024-02-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 공간 전하 이동 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광표시장치 |
CN117903783A (zh) * | 2019-04-04 | 2024-04-19 | 复旦大学 | 长余辉发光材料 |
JP7395136B2 (ja) * | 2019-10-10 | 2023-12-11 | 国立大学法人九州大学 | 組成物および有機発光素子 |
CN110783473B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-10-21 | 昆山国显光电有限公司 | 一种发光器件和显示面板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008516440A (ja) * | 2004-10-08 | 2008-05-15 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 発光装置 |
JP2012193352A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Kyushu Univ | 遅延蛍光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012195517A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
JP2014044942A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
JP2014045179A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
JP2014220450A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 国立大学法人山形大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4040235B2 (ja) | 2000-04-14 | 2008-01-30 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
US7488986B2 (en) | 2001-10-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
WO2006130883A2 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | The Trustees Of Princeton University | Fluorescent filtered electrophosphorescence |
JP2007200938A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
WO2009110075A1 (ja) | 2008-03-05 | 2009-09-11 | パイオニア株式会社 | 有機半導体素子 |
JP5476061B2 (ja) | 2008-07-30 | 2014-04-23 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
US20100295444A1 (en) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
WO2011030450A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機発光素子 |
JP5124785B2 (ja) | 2009-12-07 | 2013-01-23 | 新日鉄住金化学株式会社 | 有機発光材料及び有機発光素子 |
JP5465088B2 (ja) | 2010-05-31 | 2014-04-09 | キヤノン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2012099241A1 (ja) | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR102112967B1 (ko) * | 2011-03-23 | 2020-05-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
CN103022370B (zh) * | 2011-09-20 | 2016-02-03 | 乐金显示有限公司 | 白色有机发光装置 |
TWI622198B (zh) | 2012-07-18 | 2018-04-21 | 樂金顯示科技股份有限公司 | 有機發光裝置 |
KR102074031B1 (ko) * | 2013-09-17 | 2020-02-05 | 가부시키가이샤 큐럭스 | 유기 일렉트로루미네선스 소자 |
-
2014
- 2014-09-12 KR KR1020167007793A patent/KR102074031B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-12 CN CN201480051330.1A patent/CN105580153B/zh active Active
- 2014-09-12 JP JP2015537897A patent/JP6470181B2/ja active Active
- 2014-09-12 EP EP14846505.7A patent/EP3059775B1/en active Active
- 2014-09-12 US US15/022,244 patent/US10014487B2/en active Active
- 2014-09-12 WO PCT/JP2014/074174 patent/WO2015041157A1/ja active Application Filing
- 2014-09-16 TW TW103131977A patent/TWI640111B/zh active
-
2019
- 2019-01-17 JP JP2019005655A patent/JP6688915B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008516440A (ja) * | 2004-10-08 | 2008-05-15 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 発光装置 |
JP2012193352A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Kyushu Univ | 遅延蛍光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012195517A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
JP2014044942A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
JP2014045179A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
JP2014220450A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 国立大学法人山形大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
KENICHI GOUSHI AND CHIHAYA ADACHI: "Efficient organic light-emitting diodes through up-conversion from triplet to singlet excited states", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 101, JPN7014003552, 12 July 2012 (2012-07-12), US, pages 1 - 4, ISSN: 0003851186 * |
TAKUYA KAWATA ET AL.: "Highly Efficient OLED Devices with Device Architecture for Reducing Drive Voltage", SID SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, vol. Volume 44, Issue 1, JPN6014052556, 1 July 2013 (2013-07-01), pages 685 - 688, ISSN: 0003851187 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3059775A4 (en) | 2017-04-19 |
TW201515297A (zh) | 2015-04-16 |
CN105580153B (zh) | 2018-01-02 |
TWI640111B (zh) | 2018-11-01 |
EP3059775B1 (en) | 2020-03-18 |
KR20160055822A (ko) | 2016-05-18 |
JP6470181B2 (ja) | 2019-02-13 |
CN105580153A (zh) | 2016-05-11 |
KR102074031B1 (ko) | 2020-02-05 |
WO2015041157A1 (ja) | 2015-03-26 |
JP2019091906A (ja) | 2019-06-13 |
EP3059775A1 (en) | 2016-08-24 |
US10014487B2 (en) | 2018-07-03 |
JP6688915B2 (ja) | 2020-04-28 |
US20160248036A1 (en) | 2016-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6688915B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP6670042B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US9783734B2 (en) | Delayed fluorescence material and organic electroluminescence device | |
KR102196821B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
WO2014157619A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP6714364B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、素子群、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光波長制御方法 | |
JP7182774B2 (ja) | 発光素子 | |
TW201343651A (zh) | 發光材料及有機發光元件 | |
JP6567504B2 (ja) | 有機発光素子 | |
TWI801876B (zh) | 有機電致發光元件 | |
JP6034604B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
WO2018159663A1 (ja) | 発光材料、有機発光素子および化合物 | |
JP7337369B2 (ja) | 有機発光素子、積層体および発光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6470181 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |