JPWO2015033442A1 - 基板移載システム及び基板移載方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 473
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 54
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
主面に基板が搭載される基板搭載領域が定義された基板プレートを有するサンプルホルダと、真空吸着によって基板を保持する基板保持パッドを有し、基板保持パッドに保持した状態で基板を移動させる基板移動装置と、サンプルホルダからの基板の回収時に、基板保持パッドに保持された状態で基板搭載領域に搭載された基板と基板搭載領域との境界に第1の剥離用気体を噴射する第1の気体噴射装置とを備える。
Description
本発明は、処理対象の基板をサンプルホルダに移載する基板移載システム及び基板移載方法に関する。
成膜やエッチングなどの処理工程で、基板はサンプルホルダに搭載されてプロセス処理装置に搬入される。サンプルホルダには、基板を水平に搭載するカートタイプや、基板を垂直に搭載するボートタイプなどがある。処理効率を向上させるために、ボートタイプのサンプルホルダ(以下において、「ボート」という。)を用いて同時に処理できる基板の数を増やすことが有効である。基板が搭載される基板搭載領域が定義された基板プレートを複数有するボートを使用することにより、多数の基板を同時に処理するプロセス処理装置のフットプリントを小さくすることができる。
サンプルホルダに基板を搭載したり、サンプルホルダから基板を回収するには、真空経路を備えるロボットハンドに基板を真空吸着させた状態で行う方法などを採用できる(例えば、特許文献1参照。)。
サンプルホルダが高温であるときなどに、サンプルホルダに搭載された基板とサンプルホルダとが密着する場合がある。この場合、ロボットハンドによって基板を回収しようとして、基板と共に基板を搭載したサンプルホルダもロボットハンドによって持ち上げられてしまうことがある。また、密着した基板をサンプルホルダから剥がすことにより、基板が割れてしまうという問題があった。
上記問題点に鑑み、本発明は、サンプルホルダでの基板の移載を、基板を破損せずに行える基板移載システム及び基板移載方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、(イ)主面に基板が搭載される基板搭載領域が定義された基板プレートを有するサンプルホルダと、(ロ)真空吸着によって基板を保持する基板保持パッドを有し、基板保持パッドに保持した状態で基板を移動させる基板移動装置と、(ハ)サンプルホルダからの基板の回収時に、基板保持パッドに保持された状態で基板搭載領域に搭載された基板と基板搭載領域との境界に第1の剥離用気体を噴射する第1の気体噴射装置とを備える基板移載システムが提供される。
本発明の他の態様によれば、主面に基板が搭載される基板搭載領域が定義された基板プレートを有するサンプルホルダに基板を移載する基板移載方法であって、(イ)真空吸着によって基板を保持する基板保持パッドを有する基板移動装置を準備するステップと、(ロ)基板搭載領域に搭載された基板を基板保持パッドに吸着させるステップと、(ハ)基板保持パッドに保持された状態で基板搭載領域に搭載された基板と基板搭載領域との境界に第1の剥離用気体を噴射しながら、基板保持パッドに保持した状態で基板をサンプルホルダから回収するステップとを含む基板移載方法が提供される。
本発明によれば、サンプルホルダでの基板の移載を、基板を破損せずに行える基板移載システム及び基板移載方法を提供できる。
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
本発明の実施形態に係る図1に示す基板移載システム1は、基板搭載領域220を有するサンプルホルダ20に基板100を移載する。図1に示したサンプルホルダ20は、垂直方向に延伸する主面210に基板搭載領域220が定義された基板プレート21を備えたボートタイプのサンプルホルダである。なお、「サンプルホルダ20に基板100を移載する」とは、サンプルホルダ20の基板搭載領域220に基板100を搭載すること、及びサンプルホルダ20の基板搭載領域220から基板100を回収することを含む。
基板移載システム1は、基板移動装置10、第1の気体噴射装置11及び第2の気体噴射装置12とを備える。基板移動装置10は、真空吸着によって基板100を保持する基板保持パッド101を有し、基板保持パッド101に保持した状態で基板100を移動させる。第1の気体噴射装置11は、サンプルホルダ20からの基板100の回収時に、基板保持パッド101に保持された状態で基板搭載領域220に搭載された基板100と基板搭載領域220との境界に第1の剥離用気体110を噴射する。第2の気体噴射装置12は、サンプルホルダ20への基板100の搭載時に、基板搭載領域220に搭載された基板100と基板100を保持する基板保持パッド101との境界に第2の剥離用気体120を噴射する。
先ず、図1に示したサンプルホルダ20について説明する。図2(a)〜図2(b)に、サンプルホルダ20の構造例を示す。サンプルホルダ20は、垂直方向に延伸する第1の主面211と第2の主面212をそれぞれ有する複数の基板プレート21を備える。以下において、第1の主面211と第2の主面212を総称して「主面210」という。基板プレート21は、それぞれの底部が1つの底板22に固定されて、互いに離間し且つ平行に配置されている。第1の主面211と第2の主面212の少なくとも一方に、基板100が搭載される矩形状の基板搭載領域220が定義されている。そして、複数の基板プレート21が基板搭載領域220の法線方向に沿って配列されている。基板プレート21には、例えばカーボンプレートなどを採用可能である。
図2(a)には、1つの主面210に4つの基板搭載領域220が定義される例を示したが、1つの主面210に定義される基板搭載領域220の数は4つに限られない。図2(b)には、基板プレート21の第1の主面211と第2の主面212にそれぞれ基板100を搭載する例を示した。しかし、1回に処理する基板100の枚数が少ない場合などには、基板プレート21の一方の主面のみに基板100を搭載してもよい。また、図2(b)では基板プレート21が6枚であるサンプルホルダ20の例を示したが、基板プレート21の枚数は6枚に限られない。
基板100は、シリコン基板やガラス基板などの、半導体デバイスなどに使用される基板である。例えば、シリコンからなる太陽電池基板がサンプルホルダ20に搭載されて、反射防止膜やパッシベーション膜を太陽電池基板上に形成するプロセス処理装置に格納される。
サンプルホルダ20に基板100を垂直に搭載することにより、1回の処理工程で処理する基板100の枚数を増やすことができる。その結果、全体の処理時間を短縮できる。
次に、第1の気体噴射装置11について説明する。第1の気体噴射装置11は、基板100をサンプルホルダ20から回収する際に、基板100と基板搭載領域220との境界に第1の剥離用気体110を噴射する。
既に述べたように、基板搭載領域220に搭載された基板100とサンプルホルダ20とが密着する場合がある。例えば、プロセス処理が終了した直後の高温のサンプルホルダ20に基板100が密着しやすい。これは、以下の理由による。
プロセス処理によって高温となったサンプルホルダ20と基板100間には、図3(a)に示すように、高温の空気300が存在する。サンプルホルダ20に比べて基板保持パッド101が低温であるため、基板回収時に基板保持パッド101が基板100に接触すると、図3(b)に示すように、基板100とサンプルホルダ20間の空気300が冷却収縮する。その結果、図3(c)に示すように、基板100を移動させようとする基板移動装置10にサンプルホルダ20が引きずられてしまう。
上記のように、基板100がサンプルホルダ20に密着したままの状態で基板100をサンプルホルダ20から回収しようとすると、サンプルホルダ20が基板移動装置10によって移動するおそれがある。また、基板100をサンプルホルダ20から剥がすことにより、基板100が破損することがある。
しかし、基板100と基板搭載領域220との境界に第1の気体噴射装置11が第1の剥離用気体110を噴射することにより、基板100とサンプルホルダ20間に気体の層が作られる。このため、サンプルホルダ20から基板100を容易に剥離させることができる。
その結果、サンプルホルダ20からの回収時に基板100が破損することを抑制できる。また、基板移動装置10が基板100の密着したサンプルホルダ20を移動することが防止される。第1の剥離用気体110には、圧縮された空気や窒素ガスなどを使用可能である。第1の気体噴射装置11は、例えば、20〜200リットル/cm3程度の流量の空気を基板100と基板搭載領域220との境界に噴射する。
なお、図4に示すように、矩形状である基板搭載領域220の周囲4方向から第1の剥離用気体110を噴射することが、1方向から第1の剥離用気体110を噴射することよりも好ましい。図5に本発明者らの実験結果を示すように、4方向から第1の剥離用気体110を噴射することにより、サンプルホルダ20から基板100をより容易に剥離させることができることが確認された。即ち、基板搭載領域220の外縁部の1辺から第1の剥離用気体110を噴射した場合には、40枚中7枚の基板100が割れる結果であった。しかし、基板搭載領域220の外縁部の4辺から第1の剥離用気体110を噴射した場合には、割れた基板100は40枚中0枚であった。
また、図6に示すように、基板プレート21の外縁部から基板搭載領域220の内側まで連続して、基板プレート21の主面210に溝221が形成されていることが好ましい。溝221の内部に噴射された第1の剥離用気体110は、基板100と基板プレート21との間に入り込みやすい。したがって、溝221の内部に第1の剥離用気体110を噴射することにより、より容易にサンプルホルダ20から基板100を剥離させることができる。例えば図7に示すように、主面210の各辺から延伸する溝221は基板搭載領域220の内側において互いに連結され、基板プレート21の主面210に格子状に形成される。
その結果、図8に実験結果を示すように、回収時における基板100の割れを減少させることができた。即ち、基板プレート21の主面210に溝221が無い場合には、40枚中7枚の基板100が割れる結果であった。しかし、溝221を基板プレート21の主面210に形成することにより、割れた基板100は120枚中1枚であった。
図1に示した基板移動装置10は、基板100を基板搭載領域220に搭載するため、及び基板100を基板搭載領域220から回収するために、基板保持パッド101に保持して基板100を移動させる。例えば基板移動装置10は、真空経路102を搭載したロボットハンドであり、基板保持パッド101の表面に真空経路102に連結する開口部が設けられている。
吸着装置103によって真空経路102内を周囲よりも負圧にすることより、基板保持パッド101に基板100を吸着させることができる。吸着装置103には、真空ポンプなど使用される。一方、真空経路102内の真空状態を破ることにより、基板保持パッド101から基板100が離れる。
しかしながら、真空経路102の真空状態を破るだけでは基板剥離までの時定数が長く、サンプルホルダ20に基板100を搭載するのに要する時間が増大する。
これに対し、第2の気体噴射装置12は、基板移動装置10によって基板100をサンプルホルダ20に搭載した後に、基板100と基板保持パッド101との境界に第2の剥離用気体120を噴射する。その結果、基板100が基板保持パッド101から離れるまでの時間を短縮することができる。第2の剥離用気体120には、圧縮された空気や窒素ガスなどを使用可能である。第2の気体噴射装置12は、例えば、20〜200リットル/cm3程度の流量の空気を基板100と基板保持パッド101との境界に噴射する。
なお、例えば図9に示すように、基板100の下辺側の離間した2箇所から、基板100と基板保持パッド101との境界に第2の剥離用気体120を噴射することが好ましい。基板100の下辺側の2箇所から第2の剥離用気体120を噴射することによって、基板100が基板保持パッド101から離れるまでの時間をより短縮できることが、本発明者らによって確認されている。
以下に、図10(a)、図10(b)〜図14(a)、図14(b)を参照しながら、基板移載システム1によって基板100をサンプルホルダ20に搭載する方法を説明する。図10(a)〜図14(a)に示すように、基板プレート21の主面210には、基板搭載領域220の左辺、右辺及び下辺に支持ピン250がそれぞれ配置され、基板100は支持ピン250に支持されて基板搭載領域220に搭載される。なお、図10(b)〜図14(b)では支持ピン250を省略している。また、矢印Mは基板保持パッド101の動きを示す。
先ず、図10(a)、図10(b)に示すように、基板移動装置10の基板保持パッド101に保持された基板100が、基板プレート21の基板搭載領域220上に移動される。このとき、図10(a)に示すように、基板100の主面が基板搭載領域220と平行に、且つ基板100の各辺が基板搭載領域220に対して斜めに保持される。なお、図10(b)に示すように、基板100は垂直方向に基板プレート21の主面210の上方を移動する。
次いで、図11(a)、図11(b)に示すように、基板移動装置10によって基板100が基板搭載領域220に押し当てられる。そして、図12(a)、図12(b)に示すように、基板移動装置10が基板搭載領域220の面法線を中心軸に基板100を回転させ、基板100を支持ピン250によって支持させる。
次に、一定の時間、図13(a)、図13(b)に示すように、基板保持パッド101に保持された状態で基板100を基板搭載領域220に接触させて、基板100の温度をサンプルホルダ20の温度になじませる。
その後、図14(a)、図14(b)に示すように、基板100から基板保持パッド101を離す。このとき、既に説明したように、基板移動装置10に搭載された真空経路102の真空状態を破るだけではなく、第2の気体噴射装置12が基板100と基板保持パッド101との境界に第2の剥離用気体120を噴射する。具体的には、基板保持パッド101による真空吸着を停止した後、基板100と基板保持パッド101との境界に第2の剥離用気体120を噴射する。そして、第2の剥離用気体120を噴射しながら基板保持パッド101を移動させて、基板100から基板保持パッド101を剥離する。これにより、基板100が基板保持パッド101から離れるまでの時間が短縮される。また、基板100の割れの発生を抑制できる。
なお、第2の剥離用気体120を基板100と基板搭載領域220との境界に噴射することにより、基板100とサンプルホルダ20との温度差に起因する基板100の熱反りを緩和することができる。
次に、図15(a)、図15(b)〜図19(a)、図19(b)を参照しながら、基板移載システム1によって基板100をサンプルホルダ20から回収する方法を説明する。なお、図15(b)〜図19(b)では支持ピン250を省略している。また、矢印Mは基板保持パッド101の動きを示す。
先ず、図15(a)、図15(b)に示すように、基板搭載領域220に搭載された基板100に基板移動装置10の基板保持パッド101を近づける。通常、垂直方向に基板保持パッド101を移動させる。次いで、図16(a)、図16(b)に示すように、基板100に基板保持パッド101を押し当てる。
次に、真空吸着によって基板保持パッド101に基板100を吸着させた後、図17(a)、図17(b)に示すように、第2の気体噴射装置12によって基板100と基板搭載領域220との境界に第1の剥離用気体110を噴射する。そして、第1の剥離用気体110を噴射しながら、図18(a)、図18(b)に示すように、基板移動装置10が基板搭載領域220の面法線を中心軸に基板100を回転させる。更に、図19(a)、図19(b)に示すように、基板保持パッド101で保持した基板100をサンプルホルダ20から離すことにより、サンプルホルダ20からの基板100の回収が完了する。
既に説明したように、基板100と基板搭載領域220との境界に第1の剥離用気体110を噴射することにより、基板搭載領域220に密着した基板100をサンプルホルダ20から容易に剥離することができる。その結果、回収作業に要する時間が短縮されると共に、基板100の割れの発生が抑制される。
以上に説明したように、本発明の実施形態に係る基板移載システム1では、サンプルホルダ20への基板100の搭載時に基板100と基板保持パッド101との境界に第2の剥離用気体120を噴射し、サンプルホルダ20からの基板100の回収時に基板100と基板搭載領域220との境界に第1の剥離用気体110を噴射する。これにより、基板100の搭載作業及び回収作業に要する時間を短縮するとともに、基板100の破損を抑制することができる。
基板移載システム1は、例えばプラズマ化学気相成長(CVD)法などにより太陽電池基板上に反射防止膜やパッシベーション膜を形成する成膜工程で利用可能である。つまり、太陽電池基板を成膜装置に搬入する際に、太陽電池基板を破損することなくサンプルホルダ20に搭載したり、成膜工程後の太陽電池基板を破損することなくサンプルホルダ20から回収したりすることができる。更に、太陽電池基板の移載作業に要する時間の増大を抑制できる。
また、サンプルホルダ20が成膜装置以外のエッチング装置や加熱装置に基板100を搬入するためのサンプルホルダであってもよい。つまり、基板移載システム1は、基板100を垂直に搭載するサンプルホルダ20が使用される各種製造工程において適用可能である。
(その他の実施形態)
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、基板移載システム1が、第1の気体噴射装置11と第2の気体噴射装置12のいずれかを有するだけでもよい。
また、上記ではサンプルホルダ20がボートタイプである場合を説明したが、図20に示すように、基板100を水平方向に搭載するカートタイプのサンプルホルダ20についても、本発明は適用可能である。即ち、水平方向に延伸する基板搭載領域220に基板100が搭載された場合であっても、基板100と基板搭載領域220との境界に第1の剥離用気体110を噴射することにより、サンプルホルダ20からの基板100を破損することなく回収できる。また、基板100と基板保持パッド101との境界に第2の剥離用気体120を噴射することにより、サンプルホルダ20に基板100を破損することなく、且つ、短時間で搭載できる。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
本発明の基板移載技術は、基板をサンプルホルダに移載する用途に利用可能である。
本発明の一態様によれば、(イ)主面に基板が搭載される基板搭載領域が定義された基板プレートを有するサンプルホルダと、(ロ)真空吸着によって基板を保持する基板保持パッドを有し、基板保持パッドに保持した状態で基板を移動させる基板移動装置と、(ハ)サンプルホルダからの基板の回収時に、基板保持パッドに保持された状態で基板搭載領域に搭載された基板と基板搭載領域との境界に第1の剥離用気体を噴射する第1の気体噴射装置と、サンプルホルダへの基板の搭載時に、基板搭載領域に搭載された基板と基板を保持する基板保持パッドとの境界に第2の剥離用気体を噴射する第2の気体噴射装置とを備える基板移載システムが提供される。
本発明の他の態様によれば、主面に基板が搭載される基板搭載領域が定義された基板プレートを有するサンプルホルダに基板を移載する基板移載方法であって、(イ)真空吸着によって基板を保持する基板保持パッドを有する基板移動装置を準備するステップと、(ロ)基板搭載領域に搭載された基板を基板保持パッドに吸着させるステップと、(ハ)基板保持パッドに保持された状態で基板搭載領域に搭載された基板と基板搭載領域との境界に第1の剥離用気体を噴射しながら、基板保持パッドに保持した状態で基板をサンプルホルダから回収するステップと、(ニ)基板保持パッドに保持した状態で基板を基板搭載領域に搭載した後、基板搭載領域に搭載された基板と基板保持パッドとの境界に第2の剥離用気体を噴射しながら保持パッドを移動させ、基板から基板保持パッドを剥離するステップとを含む基板移載方法が提供される。
Claims (12)
- 主面に基板が搭載される基板搭載領域が定義された基板プレートを有するサンプルホルダと、
真空吸着によって前記基板を保持する基板保持パッドを有し、前記基板保持パッドに保持した状態で前記基板を移動させる基板移動装置と、
前記サンプルホルダからの前記基板の回収時に、前記基板保持パッドに保持された状態で前記基板搭載領域に搭載された前記基板と前記基板搭載領域との境界に第1の剥離用気体を噴射する第1の気体噴射装置と
を備えることを特徴とする基板移載システム。 - 前記第1の気体噴射装置が、矩形状の前記基板搭載領域の周囲4方向から前記基板と前記基板搭載領域との境界に前記第1の剥離用気体を噴射することを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
- 前記基板プレートの外縁部から前記基板搭載領域の内側まで連続して前記基板プレートの前記主面に溝が形成され、前記第1の気体噴射装置が前記溝の内部に前記第1の剥離用気体を噴射することを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
- 前記サンプルホルダへの前記基板の搭載時に、前記基板搭載領域に搭載された前記基板と前記基板を保持する前記基板保持パッドとの境界に第2の剥離用気体を噴射する第2の気体噴射装置を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
- 前記第2の気体噴射装置が、前記基板の下辺の互いに離間した2箇所から前記基板と前記基板保持パッドとの境界に前記第2の剥離用気体を噴射することを特徴とする請求項4に記載の基板移載システム。
- 前記基板プレートが、互いに対向し且つ垂直方向に延伸する第1の前記基板搭載領域と第2の前記基板搭載領域とを有することを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
- 前記サンプルホルダが、前記基板搭載領域の面法線方向に沿って並列に配置された複数の前記基板プレートを有することを特徴とする請求項1に記載の基板移載システム。
- 主面に基板が搭載される基板搭載領域が定義された基板プレートを有するサンプルホルダに前記基板を移載する基板移載方法であって、
真空吸着によって前記基板を保持する基板保持パッドを有する基板移動装置を準備するステップと、
前記基板搭載領域に搭載された前記基板を前記基板保持パッドに吸着させるステップと、
前記基板保持パッドに保持された状態で前記基板搭載領域に搭載された前記基板と前記基板搭載領域との境界に第1の剥離用気体を噴射しながら、前記基板保持パッドに保持した状態で前記基板を前記サンプルホルダから回収するステップと
を含むことを特徴とする基板移載方法。 - 矩形状の前記基板搭載領域の周囲4方向から前記基板と前記基板搭載領域との境界に前記第1の剥離用気体を噴射することを特徴とする請求項8に記載の基板移載方法。
- 前記主面に外縁部から前記基板搭載領域の内側まで連続して溝が形成された前記基板プレートを準備し、
前記基板を回収するステップにおいて、前記溝の内部に前記第1の剥離用気体を噴射することを特徴とする請求項8に記載の基板移載方法。 - 前記基板保持パッドに保持した状態で前記基板を前記基板搭載領域に搭載するステップと、
前記基板搭載領域に搭載された前記基板と前記基板保持パッドとの境界に第2の剥離用気体を噴射しながら前記保持パッドを移動させ、前記基板から前記基板保持パッドを剥離するステップと
を更に備えることを特徴とする請求項8に記載の基板移載方法。 - 前記基板の下辺の互いに離間した2箇所から前記基板と前記基板保持パッドとの境界に前記第2の剥離用気体を噴射することを特徴とする請求項11に記載の基板移載方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2013/074113 WO2015033442A1 (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | 基板移載システム及び基板移載方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015033442A1 true JPWO2015033442A1 (ja) | 2017-03-02 |
JP6156502B2 JP6156502B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=52627948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015535238A Expired - Fee Related JP6156502B2 (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | 基板移載システム及び基板移載方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6156502B2 (ja) |
WO (1) | WO2015033442A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016174116A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-09-29 | 株式会社島津製作所 | 基板移載システム及び基板移載方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000077368A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | チャック機構よりウエハを取り外す方法 |
JP2006021849A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Central Glass Co Ltd | 薄板ガラスの搬送装置及び搬送方法 |
JP2009267275A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理用ステージ装置 |
WO2013111358A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | 株式会社島津製作所 | 基板移載システム及び基板移載方法 |
-
2013
- 2013-09-06 JP JP2015535238A patent/JP6156502B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-06 WO PCT/JP2013/074113 patent/WO2015033442A1/ja active Application Filing
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000077368A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | チャック機構よりウエハを取り外す方法 |
JP2006021849A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Central Glass Co Ltd | 薄板ガラスの搬送装置及び搬送方法 |
JP2009267275A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理用ステージ装置 |
WO2013111358A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | 株式会社島津製作所 | 基板移載システム及び基板移載方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6156502B2 (ja) | 2017-07-05 |
WO2015033442A1 (ja) | 2015-03-12 |
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