JPWO2015008492A1 - 表面プラズモン共鳴蛍光分析装置および表面プラズモン共鳴蛍光分析方法 - Google Patents

表面プラズモン共鳴蛍光分析装置および表面プラズモン共鳴蛍光分析方法 Download PDF

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Abstract

表面プラズモン共鳴蛍光分析装置は、分析チップを保持するためのチップホルダーと、励起光を出射する光源と、前記分析チップのプリズムと金属膜との界面に対する前記励起光の入射角を調整する角度調整部と、励起光反射フィルターと、前記分析チップから出射され、前記励起光反射フィルターを透過した蛍光を検出する第1光センサーと、前記分析チップから出射され、前記励起光反射フィルターで反射されたプラズモン散乱光を検出する第2光センサーと、前記角度調整部を制御する制御部とを有する。前記制御部は、前記第2光センサーによるプラズモン散乱光の検出結果に基づいて増強角を決定する。

Description

本発明は、表面プラズモン共鳴(Surface Plasmon Resonance:SPR)を利用して検体に含まれる被検出物質の検出を行う表面プラズモン共鳴蛍光分析装置および表面プラズモン共鳴蛍光分析方法に関する。
臨床検査などにおいて、タンパク質やDNAなどの微量の被検出物質を高感度かつ定量的に検出することができれば、患者の状態を迅速に把握して治療を行うことが可能となる。このため、微量の被検出物質を高感度かつ定量的に検出できる分析方法および分析装置が求められている。
被検出物質を高感度に検出できる方法として、表面プラズモン共鳴蛍光分析法(表面プラズモン励起増強蛍光分光法(Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy):以下「SPFS」と略記する)が知られている(例えば、特許文献1,2参照)。
特許文献1,2には、SPFSを利用する分析方法および分析装置が開示されている。これらの分析方法および分析装置では、誘電体からなるプリズムと、プリズムの1面上に形成された金属膜と、金属膜上に固定された捕捉体(例えば抗体)とを有するセンサチップを使用する。金属膜上に被検出物質を含む検体を提供すると、被検出物質が捕捉体により捕捉される(1次反応)。捕捉された被検出物質は、さらに蛍光物質で標識される(2次反応)。この状態で、表面プラズモン共鳴が生じる角度で励起光をプリズムを介して金属膜に照射すると、金属膜表面上に局在場光を発生させることができる。この局在場光により、金属膜上に捕捉された被検出物質を標識する蛍光物質が選択的に励起され、蛍光物質から放出された蛍光が観察される。これらの分析方法および分析装置では、蛍光を検出して、被検出物質の存在またはその量を検出する。
このようなSPFSを利用する分析方法および分析装置では、微弱な蛍光を定量的に検出するために、光電子増倍管(Photomultiplier:PMT)やアバランシェフォトダイオード(APD)などの高感度な光センサーを用いることが必要である。これらの光センサーの前には、励起光を遮り、蛍光を透過させる励起光カットフィルターが設置される。
特開平10−307141号公報 国際公開第2012/042805号
SPFSを利用する分析方法および分析装置では、検出感度および検出精度を十分に向上させるために、蛍光強度が最大となるように金属膜に対する励起光の入射角を設定する必要がある。
この点について、特許文献1には、金属膜からの反射光の強度が最小となるときの入射角(以下「共鳴角」という)で励起光を照射することが記載されている。しかしながら、蛍光の強度が最大となるときの入射角と共鳴角とはわずかに異なるため、特許文献1に記載の分析方法および分析装置には、検出感度および検出精度に改善の余地がある。
一方、特許文献2に記載の分析方法および分析装置では、表面プラズモン共鳴により発生する散乱光(以下「プラズモン散乱光」という)の強度が最大となるときの入射角(以下「増強角」という)で励起光を照射している。増強角は、共鳴角よりも蛍光の強度が最大となるときの入射角に近いため、特許文献2に記載の分析方法および分析装置は、特許文献1に記載の分析方法および分析装置に比べて検出感度および検出精度の点で優れている。しかしながら、特許文献2に記載の分析方法および分析装置では、蛍光を検出するための光センサーを用いてプラズモン散乱光も検出するため、増強角を決定する際に受光光学系の光路から励起光カットフィルターを退避させなければならないという問題がある。
本発明の目的は、励起光カットフィルターを受光光学系の光路から退避させることなく、プラズモン散乱光が最大となる増強角を決定することができる表面プラズモン共鳴蛍光分析装置および表面プラズモン共鳴蛍光分析方法を提供することである。
上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る表面プラズモン共鳴蛍光分析装置は、金属膜を一面に有するプリズムを含む分析チップが装着され、前記プリズムを介して前記金属膜に励起光を照射することで、前記金属膜上の被検出物質を標識する蛍光物質を励起させ、前記蛍光物質から放出された蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出する表面プラズモン共鳴蛍光分析装置であって、前記分析チップを着脱可能に保持するチップホルダーと、励起光を出射する光源と、前記プリズムを介して前記金属膜に所定の入射角で励起光を照射するために、前記金属膜に対する励起光の入射角を調整する角度調整部と、前記蛍光物質から放出された蛍光を検出する第1光センサーと、前記金属膜上から出射された光を前記第1光センサーに導く受光光学系と、前記受光光学系内に配置され、前記金属膜上から出射された光のうち、前記光源から出射された励起光と同じ波長の光を反射させる励起光反射フィルターと、前記励起光反射フィルターで反射された光を検出する第2光センサーと、前記角度調整部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記第2光センサーによる光の検出結果に基づいて、前記角度調整部による前記金属膜に対する励起光の入射角を制御する。
また、上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る表面プラズモン共鳴蛍光分析方法は、被検出物質を標識する蛍光物質が、表面プラズモン共鳴に基づく局在場光により励起されて発した蛍光を検出して、前記被検出物質の存在またはその量を検出する表面プラズモン共鳴蛍光分析方法であって、プリズムの一面上に配置された金属膜に対する入射角を変化させながら、前記プリズムを介して前記金属膜に励起光を照射するとともに、前記金属膜上から出射され、かつ励起光反射フィルターで反射されたプラズモン散乱光の強度を検出して、前記プラズモン散乱光の強度が最大となるときの入射角である増強角を決定する工程と、蛍光物質で標識された被検出物質を前記金属膜上に配置する工程と、前記金属膜に対する入射角が前記増強角となるように、前記プリズムを介して前記金属膜に励起光を照射するとともに、前記被検出物質を標識する前記蛍光物質から放出され、かつ前記励起光反射フィルターを透過した蛍光の強度を検出する工程と、を含む。
本発明によれば、SPFSを利用する被検出物質の検出において、励起光カットフィルター(励起光反射フィルター)を受光光学系の光路から退避させることなく、プラズモン散乱光が最大となる増強角を決定することができる。したがって、本発明によれば、高感度、高精度かつ高速に被検出物質の存在またはその量を検出することができる。また、本発明によれば、表面プラズモン共鳴蛍光分析装置の小型化および低コスト化を実現することもできる。
実施の形態1に係る表面プラズモン共鳴蛍光分析装置の構成を示す模式図である。 図1に示される装置の部分拡大模式図である。 図1に示される装置の動作手順の一例を示すフローチャートである。 実施の形態2に係る表面プラズモン共鳴蛍光分析装置の部分拡大模式図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
[実施の形態1]
(測定装置の構成)
まず、本発明の実施の形態1に係る表面プラズモン共鳴蛍光分析装置(以下「SPFS装置」ともいう)について説明する。
SPFS装置は、誘電体からなるプリズムと、プリズムの1面に形成された金属膜とを有する分析チップが装着された状態で使用される。金属膜上に被検出物質を含む検体を提供すると、被検出物質が捕捉体により捕捉される。このとき、被検出物質は蛍光物質で標識されていてもよいし、標識されていなくてもよい。捕捉された被検出物質が蛍光物質で標識されていない場合は、捕捉された被検出物質は、さらに蛍光物質で標識される。この状態で、表面プラズモン共鳴が生じる角度で励起光を金属膜に照射すると、金属膜の近傍に局在場光を発生させることができる。この局在場光により、金属膜上に捕捉された被検出物質を標識する蛍光物質が選択的に励起され、蛍光物質から放出された蛍光が観察される。SPFS装置は、蛍光の光量を測定して、被検出物質の存在またはその量を検出する。
図1は、実施の形態1に係るSPFS装置100の構成を示す模式図である。図2は、図1に示されるSPFS装置100の部分拡大模式図である。図1に示されるように、SPFS装置100は、分析チップ10を着脱可能に保持するためのチップホルダー(図示省略)と、分析チップ10に励起光αを照射するための励起光学系ユニット110と、分析チップ10から放出された光(プラズモン散乱光βおよび蛍光γ)を検出するための受光光学系ユニット120と、これらを制御する制御部130とを有する。SPFS装置100は、チップホルダーに分析チップ10を装着した状態で使用される。そこで、分析チップ10について先に説明し、その後にSPFS装置100の各構成要素について説明する。
図1および図2に示されるように、分析チップ10は、入射面21、成膜面22および出射面23を有するプリズム20と、成膜面22に形成された金属膜30と、成膜面22または金属膜30上に配置された流路蓋40とを有する。通常、分析チップ10は、分析のたびに交換される。分析チップ10は、好ましくは、各片の長さが数mm〜数cmである構造物であるが、「チップ」の範疇に含まれないより小型の構造物またはより大型の構造物であってもよい。
プリズム20は、励起光αに対して透明な誘電体からなる。プリズム20は、入射面21、成膜面22および出射面23を有する。入射面21は、励起光学系ユニット110からの励起光αをプリズム20の内部に入射させる。成膜面22の上には、金属膜30が形成される。プリズム20の内部に入射した励起光αは、金属膜30で反射する。より具体的には、プリズム20と金属膜30との界面(成膜面22)で反射する。出射面23は、金属膜30で反射した励起光αをプリズム20の外部に出射させる。プリズム20の形状は、特に限定されない。本実施の形態では、プリズム20の形状は、台形を底面とする柱体である。台形の一方の底辺に対応する面が成膜面22であり、一方の脚に対応する面が入射面21であり、他方の脚に対応する面が出射面23である。底面となる台形は、等脚台形であることが好ましい。これにより、入射面21と出射面23とが対称になり、励起光αのS波成分がプリズム20内に滞留しにくくなる。入射面21は、励起光αが励起光学系ユニット110に戻らないように形成される。励起光αが励起光源であるレーザーダイオードに戻ると、レーザーダイオードの励起状態が乱れてしまい、励起光αの波長や出力が変動してしまうからである。そこで、理想的な増強角を中心とする走査範囲において、励起光αが入射面21に垂直に入射しないように、入射面21の角度が設定される。たとえば、入射面21と成膜面22との角度および成膜面22と出射面23との角度は、いずれも約80°である。プリズム20の材料の例には、樹脂およびガラスが含まれる。プリズム20の材料は、好ましくは、屈折率が1.4〜1.6であり、かつ複屈折が小さい樹脂である。
金属膜30は、プリズム20の成膜面22上に形成されている。金属膜30を設けることで、成膜面22に全反射条件で入射した励起光αの光子と、金属膜30中の自由電子との間で相互作用(表面プラズモン共鳴)が生じ、金属膜30の表面上に局在場光を生じさせることができる。金属膜30の素材は、表面プラズモン共鳴を生じさせる金属であれば特に限定されない。金属膜30の素材の例には、金、銀、銅、アルミ、これらの合金が含まれる。本実施の形態では、金属膜30は、金薄膜である。金属膜30の形成方法は、特に限定されない。金属膜30の形成方法の例には、スパッタリング、蒸着、メッキが含まれる。金属膜30の厚みは、特に限定されないが、30〜70nmの範囲内が好ましい。
また、図1および図2では図示しないが、金属膜30のプリズム20と対向しない面には、被検出物質を捕捉するための捕捉体が固定されていてもよい。捕捉体を固定することで、被検出物質を選択的に検出することが可能となる。本実施の形態では、金属膜30上の所定の領域に、捕捉体が均一に固定されている。捕捉体の種類は、被検出物質を捕捉することができれば特に限定されない。たとえば、捕捉体は、被検出物質に特異的な抗体またはその断片である。
流路蓋40は、金属膜30のプリズム20と対向しない面上に、流路41を挟んで配置されている。金属膜30がプリズム20の成膜面22の一部にのみ形成されている場合は、流路蓋40は、流路41を挟んで成膜面22上に配置されていてもよい。流路蓋40は、金属膜30(およびプリズム20)と共に、検体や蛍光標識液、洗浄液などの液体が流れる流路41を形成する。捕捉体は、流路41内に露出している。流路41の両端は、流路蓋40の上面に形成された注入口および排出口(いずれも図示省略)とそれぞれ接続されている。流路41内へ液体が注入されると、流路41内において、これらの液体は捕捉体に接触する。流路蓋40は、金属膜30のプリズム20と対向しない面およびその近傍から放出された光(プラズモン散乱光βおよび蛍光γ)に対して透明な材料からなる。流路蓋40の材料の例には、樹脂が含まれる。これらの光を受光光学系ユニット120に導くことができれば、流路蓋40の一部は、不透明な材料で形成されていてもよい。流路蓋40は、例えば、両面テープまたは接着剤による接着や、レーザー溶着、超音波溶着、クランプ部材を用いた圧着などにより金属膜30またはプリズム20に接合されている。
図1および図2に示されるように、プリズム20へ導かれた励起光αは、入射面21からプリズム20内に入射する。プリズム20内に入射した励起光αは、プリズム20と金属膜30との界面(成膜面22)に全反射角度(表面プラズモン共鳴が生じる角度)となるように入射する。界面からの反射光は、出射面23からプリズム20外に出射される(図示省略)。一方、表面プラズモン共鳴が生じる角度で励起光αが界面に入射することで、金属膜30およびその近傍からは、プラズモン散乱光βおよび蛍光γが、受光光学系ユニット120の方向へ出射される。
次に、SPFS装置100の各構成要素について説明する。前述のとおり、SPFS装置100は、チップホルダー(図示省略)、励起光学系ユニット110、受光光学系ユニット120および制御部130を有する。
チップホルダー(図示省略)は、所定の位置で分析チップ10を保持する。分析チップ10は、チップホルダーに保持された状態で、励起光学系ユニット110からの励起光αを照射される。このとき、金属膜30のプリズム20と対向しない面およびその近傍からは、励起光αと同一波長のプラズモン散乱光βや蛍光物質から放出された蛍光γなどが上方に放出される。また、励起光αは、プリズム20と金属膜30との界面で反射して、プリズム20の外部に出射される(図示省略)。
励起光学系ユニット110は、励起光αを出射する光源ユニット111と、プリズム20と金属膜30との界面(成膜面22)に対する励起光αの入射角を調整する角度調整部112を有する。
光源ユニット111は、励起光源としてレーザーダイオード(以下「LD」と略記する)を有し、チップホルダーに保持された分析チップ10の入射面21に向けて励起光α(シングルモードレーザー光)を出射する。より具体的には、光源ユニット111は、分析チップ10のプリズム20と金属膜30との界面(成膜面22)に対して励起光αが全反射角度となるように、界面に対するP波のみを入射面21に向けて出射する。たとえば、光源ユニット111は、LDユニット、第1整波器および整形光学系(いずれも図示省略)を有する。
LDユニットは、コリメートされ、かつ波長および光量が一定の励起光αを、プリズム20と金属膜30との界面(成膜面22)における照射スポットの形状が略円形となるように出射する。LDユニットは、励起光源としてのLDと、LDから出射された励起光αをコリメートするコリメーターと、励起光αの光量を一定にするための温度調整回路とを有する。LDから出射される励起光αは、コリメートされてもその輪郭形状が扁平である。このため、界面(成膜面22)における照射スポットの形状が略円形となるように、LDは所定の姿勢で保持されるか、または後述の整形光学系に所定形状のスリットが挿入される。また、LDから出射される励起光αの波長および光量は、温度によって変化する。このため、温度調整回路は、コリメートされた後の励起光αから分岐させた光の光量をフォトダイオードなどにより監視し、励起光αの波長および光量が一定となるようにヒーターやペルチェ素子などを用いてLDの温度を調整する。
第1整波器は、第1バンドパスフィルター(以下「BPF1」と略記する)および直線偏光フィルター(以下「LP」と略記する)を含み、LDユニットから出射された励起光αを整波する。LDユニットからの励起光αは、若干の波長分布幅を有しているため、BPF1は、LDユニットからの励起光αを中心波長のみの狭帯域光にする。また、LDユニットからの励起光αは、完全な直線偏光ではないため、LPは、LDユニットからの励起光αを完全な直線偏光の光にする。第1整波器は、金属膜30にP波成分が入射するように励起光αの偏光方向を調整する半波長板を含んでいてもよい。
整形光学系は、プリズム20と金属膜30との界面(成膜面22)における照射スポットの形状が所定サイズの円形となるように、励起光αのビーム径や輪郭形状などを調整する。整形光学系から出射された励起光αは、分析チップ10のプリズム20に照射される。整形光学系は、例えばスリットやズーム手段などである。
なお、光源ユニット111に含まれる光源の種類は、特に限定されず、LDでなくてもよい。光源の例には、発光ダイオード、水銀灯、その他のレーザー光源が含まれる。光源から出射される光がビームでない場合は、光源から出射される光は、レンズや鏡、スリットなどによりビームに変換される。また、光源から出射される光が単色光でない場合は、光源から出射される光は、回折格子などにより単色光に変換される。さらに、光源から出射される光が直線偏光でない場合は、光源から出射される光は、偏光子などにより直線偏光の光に変換される。
角度調整部112は、金属膜30(プリズム20と金属膜30との界面(成膜面22))への励起光αの入射角を調整する。角度調整部112は、励起光αをプリズム20を介して金属膜30(成膜面22)の所定の位置に所定の入射角で照射するために、励起光αの光軸とチップホルダーとを相対的に回転させる。本実施の形態では、角度調整部112は、光源ユニット111を励起光αの光軸と直交する軸を中心として回転させる。このとき、入射角を走査しても金属膜30(成膜面22)上での照射位置がほとんど移動しないように、回転軸の位置を設定する。たとえば、回転中心の位置を、入射角の走査範囲の両端における2つの励起光αの光軸の交点近傍(成膜面22上の照射位置と入射面21との間)に設定することで、照射位置のズレを極小化することができる。
受光光学系ユニット120は、チップホルダーに保持された分析チップ10の金属膜30のプリズム20と対向しない面に対向するように配置されている。より具体的には、この後説明する第1レンズ121、第2レンズ123および第1光センサー124が、金属膜30(成膜面22)における励起光αの照射スポットを通り、かつ金属膜30表面に垂直な直線上に位置するように、受光光学系ユニット120は配置されている。受光光学系ユニット120は、金属膜30上から出射される光(プラズモン散乱光βおよび蛍光γ)を検出する。受光光学系ユニット120は、第1レンズ121、励起光反射フィルター122、第2レンズ123、第1光センサー124および第2光センサー125を有する。
第1レンズ121および第2レンズ123は、迷光の影響を受けにくい共役光学系を構成する。第1レンズ121と第2レンズ123との間を進行する光は、略平行光となる。第1レンズ121および第2レンズ123は、金属膜30上から出射される蛍光γを第1光センサー124の受光面上に結像させる。また、この後説明するように、第1レンズ121は、励起光反射フィルター122と共に、金属膜30上(分析チップ10)から出射されるプラズモン散乱光βを第2光センサー125の受光面に集光させる。
励起光反射フィルター122は、第1レンズ121および第2レンズ123の間に配置されている。励起光反射フィルター122は、励起光αの波長の光(プラズモン散乱光β)を反射させる一方で蛍光γを透過させることで、第1光センサー124に蛍光γの波長以外の光が到達することを防ぐ。すなわち、励起光反射フィルター122は、第1光センサー124に到達する光からノイズ成分を除去し、微弱な蛍光γの検出精度および感度の向上に寄与する「励起光カットフィルター」として機能する。
励起光反射フィルター122としては、例えば、片面または両面が誘電体多層膜でコートされた透明基板を使用することができる。誘電体多層膜は、高屈折率材料からなる層と低屈折率材料からなる層とを交互に繰り返し積層することで形成されうる。このとき、各層の厚みや数を適切に設定することで、所望の透過反射特性のフィルターを得ることができる。高屈折率材料の例には、TiやNb、Ta、Laなどの酸化物(例えば、TiO、Nb、Taなど)が含まれる。低屈折率材料の例には、SiやAlなどの酸化物(例えば、SiOなど)が含まれる。たとえば、ガラス基板(BK7)の表面に、Nb層(厚み約100nm)とSiO層(厚み約100nm)とを交互に40〜50層積層して誘電体多層膜(厚み4000〜5000nm)を形成することで、励起光反射フィルター122を作製することができる。このようにして得られる励起光反射フィルター122では、フィルターへの主光線の入射角が20°の場合、波長635〜645nmの光の反射率は99%以上であり、波長665〜675nmの光の反射率は1%以下である。
図1および図2に示されるように、励起光反射フィルター122は、第1レンズ121および第2レンズ123により構成される共役光学系(受光光学系)の光軸に対して傾斜して配置されている。したがって、励起光反射フィルター122により反射されたプラズモン散乱光βは、分析チップ10には戻らずに、第2光センサー125に向かう。
図2に示される、共役光学系(受光光学系)の光軸に対する励起光反射フィルター122の垂線の傾斜角度θ(°)は、下記式(1)を満たすことが好ましい。このようにすることで、プラズモン散乱光βを検出する第2光センサー125を、分析チップ10と干渉しない位置に配置することが可能となる。なお、傾斜角度θが45°を超えると、蛍光γの透過率が低下してしまうため好ましくない。

1/2tan−1(b/a)<θ≦45 …(1)

上記式(1)において、aは、共役光学系(受光光学系)の光軸および励起光反射フィルター122の交点Aと、共役光学系(受光光学系)の光軸およびプリズム20の成膜面22の交点Bとの距離である。bは、交点Bからの、共役光学系(受光光学系)の光軸に直交する方向における分析チップ10の端部までの最短距離である(図2参照)。
第1光センサー124は、金属膜30上から出射される蛍光γを検出する。たとえば、第1光センサー124は、感度およびSN比が高い光電子増倍管である。第1光センサー124は、アバランシェ・フォトダイオード(APD)などであってもよい。なお、金属膜30の一方の面(プリズム20と対向する面)における励起光αの照射スポットの大きさは、金属膜30の他方の面(第1レンズ121と対向する面)における第1光センサー124による測定領域の大きさよりも小さくなるように調整される(図1参照)。このようにすることで、プリズム20の各パラメータの誤差により照射スポットがわずかに位置ずれした場合であっても、照射スポットが測定領域から外れることを防止できる。
第2光センサー125は、金属膜30上から出射される(金属膜30表面およびその近傍)からのプラズモン散乱光βを検出する。第2光センサー125は、励起光反射フィルター122で反射されたプラズモン散乱光βを検出できる位置に配置される。本実施の形態では、第2光センサー125は、励起光反射フィルター122で反射され、第1レンズ121で集光されたプラズモン散乱光βの集光点近傍に配置されている。このように、励起光反射フィルター122で反射されたプラズモン散乱光βを第1レンズ121で集光することで、第2光センサー125として、受光面積が小さい小型の光センサーを使用したり、低感度の光センサーを使用したりすることが可能となる。もちろん、第2光センサー125として、高感度の光センサーを使用してもよい。たとえば、第2光センサー125は、光電子増倍管やアバランシェ・フォトダイオード(APD)、一般的なフォトダイオード(PD)などである。
制御部130は、各駆動部の制御や、第1光センサー124および第2光センサー125における受光量の定量化などを一元的に行う。本実施の形態では、制御部130は、光源ユニット111を制御する光源制御部131と、第1光センサー124を制御する第1光センサー制御部132と、第2光センサー125を制御する第2光センサー制御部133と、制御処理部134とを有する。制御処理部134は、角度調整部112、光源制御部131、第1光センサー制御部132および第2光センサー制御部133を包括的に制御して、SPFS装置100全体の動作を制御する。制御部130は、例えば、ソフトウェアを実行するコンピュータである。後述するように、制御部130(制御処理部134)は、第2光センサー125によるプラズモン散乱光βの測定結果に基づいて、蛍光測定時の金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの入射角を制御する。
また、制御部130(制御処理部134および光源制御部131)は、金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの入射角を決定するために第2光センサー125がプラズモン散乱光βを検出している時と、被検出物質を検出するために第1光センサー124が蛍光γを検出している時とで、励起光αの光量が異なるように光源ユニット111を制御する。具体的には、制御部130は、第1光センサー124が蛍光γを検出している時よりも第2光センサー125がプラズモン散乱光βを検出している時の方が励起光αの光量が大きくなるように、光源ユニット111を制御する。このようにプラズモン散乱光βの検出時(増強角の決定時)における励起光αの光量を増大させることで、第2光センサー125として、検出感度に劣る安価な光センサーを使用することが可能となる。なお、蛍光γを検出する時は、蛍光物質の褪色を抑制するために、励起光αの光量を必要以上に増大させないことが好ましい。
次に、SPFS装置100の検出動作について説明する。図3は、SPFS装置100の動作手順の一例を示すフローチャートである。
まず、測定の準備をする(工程S10)。具体的には、SPFS装置100の所定の位置に分析チップ10を設置する。また、分析チップ10の流路41内に保湿剤が存在する場合は、捕捉体が適切に被検出物質を捕捉できるように、流路41内を洗浄して保湿剤を除去する。
次いで、検体中の被検出物質と捕捉体とを反応させる(1次反応、工程S20)。具体的には、流路41内に検体を注入して、検体と捕捉体とを接触させる。検体中に被検出物質が存在する場合は、被検出物質の少なくとも一部は捕捉体により捕捉される。この後、流路41内を緩衝液などで洗浄して、捕捉体に捕捉されなかった物質を除去する。検体の種類は、特に限定されない。検体の例には、血液や血清、血漿、尿、鼻孔液、唾液、精液などの体液およびその希釈液が含まれる。
次いで、励起光αを金属膜30(成膜面22)の所定の位置に照射しながら、金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの入射角を走査して、最適な入射角を決定する(工程S30)。具体的には、制御処理部134は、光源ユニット111および角度調整部112を制御して、励起光αを金属膜30(成膜面22)の所定の位置に照射しながら、金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの入射角を走査する。同時に、制御処理部134は、第2光センサー125が金属膜30上(金属膜30表面およびその近傍)からのプラズモン散乱光βを検出するように、第2光センサー制御部133を制御する。金属膜30上(金属膜30表面およびその近傍)からのプラズモン散乱光βは、第1レンズ121によりコリメートされ、励起光反射フィルター122に到達する。プラズモン散乱光βは、第1レンズ121の中心軸に対して傾いて配置されている励起光反射フィルター122で反射され、第1レンズ121に斜めに入射する。このため、プラズモン散乱光βは、金属膜30に戻らずに、第2光センサー125に到達する。第2光センサー125は、このように励起光反射フィルター122で反射してきたプラズモン散乱光βの強度を検出する。これにより、制御処理部134は、励起光αの入射角とプラズモン散乱光βの強度との関係を含むデータを得る。そして、制御処理部134は、データを2次近似などのフィッティングにより解析して、プラズモン散乱光βの強度が最大となる入射角(増強角)を決定する。なお、増強角は、基本的には、プリズム20の素材および形状、金属膜30の厚み、流路41内の液体の屈折率などにより決まるが、流路41内の蛍光物質の種類および量、プリズム20の形状誤差などの各種要因によりわずかに変動する。このため、分析を行うたびに増強角を決定することが好ましい。増強角は、0.1°度程度のオーダーで決定される。
増強角の測定時(工程S30)には、後の蛍光強度の測定時(工程S70)よりも励起光αの光量を増大させてもよい。前述のとおり、このようにすることで、第2光センサー125として、検出感度に劣る安価な光センサーを使用することが可能となる。なお、この時点では、流路41内に蛍光物質が存在しないため、蛍光物質の褪色は問題とならない。
次いで、金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの入射角を、前の工程で決定した増強角に設定する(工程S40)。具体的には、制御処理部134は、角度調整部112を制御して、金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの入射角を増強角に設定する。以後の工程では、金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの入射角は、増強角のままである。
次いで、励起光αを金属膜30(成膜面22)に照射して、蛍光γと同じ波長の光の強度(光学ブランク値)を測定する(工程S50)。具体的には、制御処理部134は、光源制御部131を制御して、光源ユニット111に励起光αを出射させる。同時に、制御処理部134は、第1光センサー124が蛍光γと同じ波長の光の強度を検出するように、第1光センサー制御部132を制御する。測定値は、制御処理部134に送信され、光学ブランク値として記録される。
次いで、捕捉体に捕捉された被検出物質を蛍光物質で標識する(2次反応、工程S60)。具体的には、流路41内に蛍光標識液を注入する。蛍光標識液は、例えば、蛍光物質で標識された抗体(2次抗体)を含む緩衝液である。蛍光標識液が流路41に注入されると、蛍光標識液が被検出物質に接触し、被検出物質が蛍光物質で標識される。この後、流路41内を緩衝液などで洗浄し、遊離の蛍光物質などを除去する。
最後に、励起光αを金属膜30(成膜面22)に照射して、金属膜30(金属膜30表面およびその近傍)上から放出される蛍光γの強度を測定する(工程S70)。具体的には、制御処理部134は、光源制御部131を制御して、光源ユニット111に励起光αを出射させる。同時に、制御処理部134は、第1光センサー124が金属膜30(金属膜30およびその近傍)上から放出される蛍光γを検出するように、第1光センサー制御部132を制御する。制御処理部134は、測定値から光学ブランク値を引き、被検出物質の量に相関する蛍光強度を算出する。蛍光強度は、必要に応じて、被検出物質の量や濃度などに換算される。
以上の手順により、励起光カットフィルター(励起光反射フィルター122)を受光光学系の光路から退避させたり光路に挿入したりすることなく、検体中の被検出物質の存在または被検出物質の量を検出することができる。
以上のように、本実施の形態に係るSPFS装置100では、被検出物質を検出する際に、金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの入射角を、プラズモン散乱光βが最大となる増強角として、蛍光γを検出する。したがって、本実施の形態に係るSPFS装置100は、被検出物質の存在または被検出物質の量を高感度かつ高精度に検出することができる。
また、本実施の形態に係るSPFS装置100では、金属膜30(成膜面22)に対する励起光αの最適な入射角(増強角)を決定する際にも、励起光カットフィルター(励起光反射フィルター122)を受光光学系の光路から退避させる必要がない。したがって、本実施の形態に係るSPFS装置100は、従来のSPFS装置(特許文献2参照)のように励起光カットフィルターの位置を切り替える機構が不要であり、小型化および低コスト化を実現することができる。
また、従来のSPFS装置(特許文献2参照)では、プラズモン散乱光βの検出と蛍光γの検出を同じ光センサーを用いて行うため、プラズモン散乱光βの検出時にNDフィルターを受光光学系の光路内に挿入することが必要であった。これに対し、本実施の形態に係るSPFS装置100では、プラズモン散乱光βの検出と蛍光γの検出をそれぞれ異なる光センサーを用いて行うため、金属膜22(成膜面22)に対する励起光αの最適な入射角(増強角)を決定する際に、NDフィルターを受光光学系の光路内に挿入する必要がない。この点からも、本実施の形態に係るSPFS装置100は、小型化および低コスト化を実現することができる。
[実施の形態2]
実施の形態2に係るSPFS装置200は、実施の形態1に係るSPFS装置100と同様に、チップホルダー、励起光学系ユニット110、受光光学系ユニット220および制御部130を有する。実施の形態2に係るSPFS装置200は、受光光学系ユニット220の構成のみが実施の形態1に係るSPFS装置100と異なる。そこで、本実施の形態では、受光光学系ユニット220についてのみ説明する。
図4は、実施の形態2に係るSPFS装置200の部分拡大模式図である。図4に示されるように、受光光学系ユニット220は、第1レンズ121、励起光反射フィルター122、第2レンズ123、第3レンズ226、第1光センサー124および第2光センサー125を有する。実施の形態2に係る受光光学系ユニット220における第1レンズ121、第2レンズ123および第1光センサー124は、実施の形態1に係る受光光学系ユニット120における第1レンズ121、第2レンズ123および第1光センサー124とそれぞれ同じである。
本実施の形態では、励起光反射フィルター122は、第1レンズ121および第2レンズ123により構成される共役光学系(受光光学系)の光軸に対して45°傾斜して配置されている。したがって、プラズモン散乱光βは、励起光反射フィルター122により、共役光学系(受光光学系)の光軸に垂直な方向に反射される。
第3レンズ226および第2光センサー125は、第1レンズ121および第2レンズ123を保持する鏡筒(図示省略)の側面に配置されている。第3レンズ226は、励起光反射フィルター122で反射したプラズモン散乱光βを第2光センサー125の受光面に集光させる。なお、プラズモン散乱光βの強度が十分に高い場合は、第3レンズ226を配置しなくてもよい。この場合は、第2光センサー125は、プラズモン散乱光βの一部を検出することになる。
本実施の形態に係るSPFS装置200は、実施の形態1に係るSPFS装置100と同様の効果を有する。
なお、上記各実施の形態では、入射角を走査する時に分析チップ10に対して励起光学系ユニット110を回転させる例について説明したが、励起光学系ユニット110に対して分析チップ10を回転させてもよい。この場合、分析チップ10の回転に伴い金属膜30上の蛍光像も傾くが、その角度は数度であること、蛍光物質からは全方位に等しく蛍光γが放出されることから、受光する光量の変化は無視することができる。
本出願は、2013年7月18日出願の特願2013−149311に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
本発明に係る表面プラズモン共鳴蛍光分析装置および表面プラズモン共鳴蛍光分析方法は、被検出物質を高い信頼性で測定することができるため、例えば臨床検査などに有用である。
10 分析チップ
20 プリズム
21 入射面
22 成膜面
23 出射面
30 金属膜
40 流路蓋
41 流路
100,200 表面プラズモン共鳴蛍光分析装置
110 励起光学系ユニット
111 光源ユニット
112 角度調整部
120,220 受光光学系ユニット
121 第1レンズ
122 励起光反射フィルター
123 第2レンズ
124 第1光センサー
125 第2光センサー
130 制御部
131 光源制御部
132 第1光センサー制御部
133 第2光センサー制御部
134 制御処理部
226 第3レンズ

Claims (6)

  1. 金属膜を一面に有するプリズムを含む分析チップが装着され、前記プリズムを介して前記金属膜に励起光を照射することで、前記金属膜上の被検出物質を標識する蛍光物質を励起させ、前記蛍光物質から放出された蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出する表面プラズモン共鳴蛍光分析装置であって、
    前記分析チップを着脱可能に保持するチップホルダーと、
    励起光を出射する光源と、
    前記プリズムを介して前記金属膜に所定の入射角で励起光を照射するために、前記金属膜に対する励起光の入射角を調整する角度調整部と、
    前記蛍光物質から放出された蛍光を検出する第1光センサーと、
    前記金属膜上から出射された光を前記第1光センサーに導く受光光学系と、
    前記受光光学系内に配置され、前記金属膜上から出射された光のうち、前記光源から出射された励起光と同じ波長の光を反射させる励起光反射フィルターと、
    前記励起光反射フィルターで反射された光を検出する第2光センサーと、
    前記角度調整部を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、前記第2光センサーによる光の検出結果に基づいて、前記角度調整部による前記金属膜に対する励起光の入射角を制御する、
    表面プラズモン共鳴蛍光分析装置。
  2. 前記励起光反射フィルターは、前記受光光学系の光軸に対して傾斜して配置されている、請求項1に記載の表面プラズモン共鳴蛍光分析装置。
  3. 前記受光光学系の光軸に対する前記励起光反射フィルターの垂線の傾斜角度θ(°)は、下記式(1)を満たす、請求項1または請求項2に記載の表面プラズモン共鳴蛍光分析装置。
    1/2tan−1(b/a)<θ≦45 …(1)
    [ただし、aは、前記光軸および前記励起光反射フィルターの交点Aと、前記光軸および前記プリズムの前記金属膜を有する面の交点Bとの距離である。bは、前記交点Bからの、前記光軸に直交する方向における前記分析チップの端部までの最短距離である。]
  4. 前記受光光学系は、第1レンズおよび第2レンズを有し、
    前記第1レンズ、前記励起光反射フィルターおよび前記第2レンズは、前記金属膜側からこの順番で配置され、
    前記第2光センサーは、前記励起光反射フィルターで反射され、かつ前記第1レンズにより集光された光を検出する、
    請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面プラズモン共鳴蛍光分析装置。
  5. 前記制御部は、さらに、前記金属膜に対する励起光の入射角を決定するために前記第2光センサーが光を検出している時と、前記蛍光物質から放出された蛍光を検出するために前記第1光センサーが光を検出している時とで、励起光の光量が異なるように前記光源を制御する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の表面プラズモン共鳴蛍光分析装置。
  6. 被検出物質を標識する蛍光物質が、表面プラズモン共鳴に基づく局在場光により励起されて発した蛍光を検出して、前記被検出物質の存在またはその量を検出する表面プラズモン共鳴蛍光分析方法であって、
    プリズムの一面上に配置された金属膜に対する入射角を変化させながら、前記プリズムを介して前記金属膜に励起光を照射するとともに、前記金属膜上から出射され、かつ励起光反射フィルターで反射されたプラズモン散乱光の強度を検出して、前記プラズモン散乱光の強度が最大となるときの入射角である増強角を決定する工程と、
    蛍光物質で標識された被検出物質を前記金属膜上に配置する工程と、
    前記金属膜に対する入射角が前記増強角となるように、前記プリズムを介して前記金属膜に励起光を照射するとともに、前記被検出物質を標識する前記蛍光物質から放出され、かつ前記励起光反射フィルターを透過した蛍光の強度を検出する工程と、
    を含む、表面プラズモン共鳴蛍光分析方法。
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