JPWO2015005397A1 - 炭化ケイ素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015005397A1 JPWO2015005397A1 JP2015526381A JP2015526381A JPWO2015005397A1 JP WO2015005397 A1 JPWO2015005397 A1 JP WO2015005397A1 JP 2015526381 A JP2015526381 A JP 2015526381A JP 2015526381 A JP2015526381 A JP 2015526381A JP WO2015005397 A1 JPWO2015005397 A1 JP WO2015005397A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- insulating film
- gate insulating
- carbide semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 114
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 106
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 83
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 33
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 26
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 24
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 24
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002510 pyrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/049—Conductor-insulator-semiconductor electrodes, e.g. MIS contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
炭化ケイ素半導体の基板上に、ゲート絶縁膜として酸化膜あるいは窒化膜あるいは酸窒化膜の１層または２層以上を形成した後に熱処理を行う。ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理は、Ｏ2を含まずＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気で所定時間行う。これにより、炭化ケイ素基板とゲート絶縁膜の界面を含む限られた領域に水素あるいは水酸基を偏析できる。水素あるいは水酸基が偏析している領域の幅は０．５ｎｍから１０ｎｍであると良い。このようにすることで、界面準位密度を低減でき、高いチャネル移動度を実現できる。
Description
この発明は、炭化ケイ素基板を使用した炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法に関し、特に界面準位密度を低減できる炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法に関する。
炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板を用いた次世代半導体デバイスの研究開発が進められている。炭化ケイ素は、シリコンと同様に熱酸化で絶縁膜を形成可能であるが、結晶面や酸化方法によってＭＯＳゲート（金属−酸化膜−半導体からなる絶縁ゲート）を構成するゲート絶縁膜と炭化ケイ素基板との接合界面（以下、ＭＯＳ界面とする）付近でのチャネル移動度が異なるという特性がある。炭化ケイ素の酸化方法には酸化種として乾燥酸素（Ｏ2）を用いるドライ酸化、酸化種として水蒸気（Ｈ2Ｏ）を用いるウェット酸化等がある。
炭化ケイ素基板の（０００−１）面、（１１−２０）面は、ウェット酸化すると、（０００１）面に比べ高いチャネル移動度を示すとされている。なお、チャネル移動度を代替的に評価する指標として界面準位密度があり、一般的には、ＭＯＳ界面付近での界面準位密度が小さい方がチャネル移動後は大きくなる傾向が知られている。
このような炭化ケイ素基板を用いた半導体デバイスの製造方法に関し、炭化ケイ素基板の酸素または加湿酸素中での熱酸化に続き、水素によりアニールする工程と、不活性ガスによりアニールする工程を有し、ヒステリシスおよびフラットバンドシフトを低減する炭化ケイ素基板上のＳｉＣの熱酸化膜の改善法が開示されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
また、炭化ケイ素基板の（０００−１）面をＨ2Ｏガスと酸素ガス、Ｈ2Ｏガスと酸素ガスおよび不活性ガスからなるウェット雰囲気で酸化した後、水素（Ｈ2）ガスを含んだ雰囲気で熱処理することにより界面準位密度を低減する方法が開示されている（例えば、下記特許文献２参照。）。ウェット酸化における水蒸気（Ｈ2Ｏ）の生成法としては、純水加熱や酸素ガスによる純水バブリング等があるが、現在ではＯ2ガスとＨ2ガスの燃焼反応を用いたパイロジェニック方式が一般的である。この方式においてはＯ2ガスとＨ2ガスの流量比はＨ2ガスが過多となると爆発の危険性があるため、Ｏ2リッチの流量比での使用が一般的である。したがって、酸化雰囲気は生成したＨ2Ｏと未反応のＯ2のＨ2Ｏ＋Ｏ2の雰囲気となる。
また、白金触媒を用いて水素と酸素の反応性を高め、水素混合ガスの発火温度よりも低い温度下で反応させ、高温燃焼することなしに水分を生成する方法が開示されている（例えば、下記特許文献３参照。）。この方式においてはＨ2ガスが過多となって爆発の危険性がないため、Ｈ2リッチの流量比での使用が可能である。
炭化ケイ素基板の（０００−１）面、（１１−２０）面をＨ2ＯとＯ2を含んだガス中でウェット酸化し、水素ＰＯＡ（Ｐｏｓｔ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）としてＨ2を含んだ雰囲気で熱処理することで、界面準位密度が低減されるのは、水素あるいは水酸基が界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手（ダングリングボンド）を終端するためであるといわれている。
炭化ケイ素基板の（０００−１）面、（１１−２０）面に乾燥酸素のみの雰囲気でドライ酸化した場合の界面準位密度は非常に大きく、悪いＭＯＳ界面特性となる。また、ドライ酸化の後に水素ＰＯＡを実施すると、界面準位密度は低減されるものの、ウェット酸化と水素ＰＯＡを組み合わせた界面特性には及ばない。
このため、炭化ケイ素基板の（０００−１）面、（１１−２０）面上へのゲート絶縁膜形成のためのゲート酸化において、界面準位密度の低減にＯ2を用いることは有効ではなく、Ｈ2ＯとＨ2を用いることが有効である。
ここで、ゲート酸化およびＰＯＡで導入される水素あるいは水酸基は、界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手を効率的に終端するため、また、ゲート絶縁膜中に存在すると電子トラップの要因となるため、ＭＯＳ界面を含む狭い領域に偏析していることが望ましい。
本発明は、上記課題に鑑み、炭化ケイ素半導体の（０００−１）面あるいは（１１−２０）面の界面準位密度をより効果的に低減することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の炭化ケイ素半導体装置は、炭化ケイ素半導体の基板上に、ゲート絶縁膜として１層または２層以上の酸化膜あるいは窒化膜あるいは酸窒化膜を有する炭化ケイ素半導体装置において、前記基板と前記ゲート絶縁膜の界面を含む領域に水素（Ｈ）あるいは水酸基（ＯＨ）が偏析しており、その水素あるいは水酸基が偏析している領域の幅が０．５ｎｍから１０ｎｍであることを特徴とする。
また、前記基板と前記ゲート絶縁膜の界面を含む水素あるいは水酸基が偏析している領域に１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3から１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の水素あるいは水酸基が存在することを特徴とする。
また、本発明の炭化ケイ素半導体装置の製造方法は、炭化ケイ素半導体の基板上に、ゲート絶縁膜として酸化膜あるいは窒化膜あるいは酸窒化膜の１層または２層以上を形成した後に熱処理を行う炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理の雰囲気が、乾燥酸素（Ｏ2）を含まず水素（Ｈ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含んだガス雰囲気であることを特徴とする。
また、前記ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理の昇温、降温の両方、もしくは片方の雰囲気が、Ｈ2ガス、または希釈したＨ2ガスであることを特徴とする。
また、前記ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理の降温の前にＨ2ガス、または希釈したＨ2ガスで置換し、所定の時間保持することを特徴とする。
また、前記ゲート絶縁膜を形成した後のＯ2を含まずＨ2とＨ2Ｏを含んだガス雰囲気での熱処理の後に、所定の温度でＨ2ガス、または希釈したＨ2ガスの雰囲気の熱処理を行うことを特徴とする。
また、前記ゲート絶縁膜を形成した後のＯ2を含まずＨ2とＨ2Ｏを含んだガス雰囲気での熱処理の後に、所定の温度で窒素、ヘリウム、アルゴンのいずれかの不活性ガスの雰囲気の熱処理を行うことを特徴とする。
また、前記ゲート絶縁膜を形成する工程に、Ｈ2Ｏを含まないＯ2を含んだガスでの熱酸化が含まれることを特徴とする。
また、前記ゲート絶縁膜を形成する工程に、少なくとも亜酸化窒素または一酸化窒素を含むガス雰囲気での熱酸窒化が含まれることを特徴とする。
また、前記ゲート絶縁膜を形成する工程に、少なくともＯ2とＨ2Ｏを含むガス雰囲気での熱酸化が含まれることを特徴とする。
また、前記ゲート絶縁膜を形成する工程に、酸化膜あるいは窒化膜あるいは酸窒化膜の絶縁膜を堆積させる工程が含まれることを特徴とする。
上記構成のように、ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理の雰囲気が、Ｏ2を含まずＨ2とＨ2Ｏを含む雰囲気であることにより、炭化ケイ素基板とゲート絶縁膜の界面を含む限られた領域に水素あるいは水酸基を偏析でき、界面準位密度を低減でき、高いチャネル移動度を実現することができる。
本発明によれば、炭化ケイ素半導体の（０００−１）面あるいは（１１−２０）面の界面準位密度をより効果的に低減できるという効果を奏する。
（実施の形態）
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。また、ミラー指数の表記において、"−"はその直後の指数に付くバーを意味しており、指数の前に"−"を付けることで負の指数を表している。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。また、ミラー指数の表記において、"−"はその直後の指数に付くバーを意味しており、指数の前に"−"を付けることで負の指数を表している。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる炭化ケイ素半導体装置を示す断面図である。図１には、ＭＯＳキャパシタの構成を示している。本発明により、界面準位密度がどのように低減されるかを検証するため、ＭＯＳキャパシタを用いた実験例について説明する。図１に示すＭＯＳキャパシタ１は以下の工程を有して作製される。
（１）工程１
まず、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）基板２ａ（（０００−１）面から０〜８度オフ基板）上にドナー密度１×１０16ｃｍ-3程度のｎ型エピタキシャル膜２ｂを５〜１０μｍ成長させる。なお、４Ｈ−ＳｉＣ基板単体、あるいは４Ｈ−ＳｉＣ基板とエピタキシャル膜を併せて４Ｈ−ＳｉＣ半導体２と呼ぶ。
まず、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）基板２ａ（（０００−１）面から０〜８度オフ基板）上にドナー密度１×１０16ｃｍ-3程度のｎ型エピタキシャル膜２ｂを５〜１０μｍ成長させる。なお、４Ｈ−ＳｉＣ基板単体、あるいは４Ｈ−ＳｉＣ基板とエピタキシャル膜を併せて４Ｈ−ＳｉＣ半導体２と呼ぶ。
（２）工程２
４Ｈ−ＳｉＣ半導体２を洗浄した後に、１１００℃の乾燥酸素雰囲気でのドライ酸化を５０分行い、厚さ５０ｎｍの絶縁膜３を形成する。絶縁膜３の形成は、ウェット酸化、亜酸化窒素、一酸化窒素による熱酸窒化でもよい。あるいは絶縁膜３は堆積膜でもよい。絶縁膜３の堆積方法は、化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってシランやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いた方法があるが、特に限定されない。
４Ｈ−ＳｉＣ半導体２を洗浄した後に、１１００℃の乾燥酸素雰囲気でのドライ酸化を５０分行い、厚さ５０ｎｍの絶縁膜３を形成する。絶縁膜３の形成は、ウェット酸化、亜酸化窒素、一酸化窒素による熱酸窒化でもよい。あるいは絶縁膜３は堆積膜でもよい。絶縁膜３の堆積方法は、化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってシランやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いた方法があるが、特に限定されない。
（３）工程３
ＰＯＡとして、１０００℃でＨ2を１ｓｌｍ、Ｈ2Ｏを２ｓｌｍ流した雰囲気で３０分の熱処理を行った。熱処理の雰囲気は、３ｓｌｍのＨ2と、１ｓｌｍのＯ2を白金触媒を用いて反応させ、Ｈ2とＯ2の流量比をＨ2リッチとすることで、２Ｈ2＋Ｏ2→２Ｈ2Ｏの反応において未反応のＯ2がない状態とし、未反応の１ｓｌｍのＨ2と生成した２ｓｌｍのＨ2Ｏの雰囲気とした。
ＰＯＡとして、１０００℃でＨ2を１ｓｌｍ、Ｈ2Ｏを２ｓｌｍ流した雰囲気で３０分の熱処理を行った。熱処理の雰囲気は、３ｓｌｍのＨ2と、１ｓｌｍのＯ2を白金触媒を用いて反応させ、Ｈ2とＯ2の流量比をＨ2リッチとすることで、２Ｈ2＋Ｏ2→２Ｈ2Ｏの反応において未反応のＯ2がない状態とし、未反応の１ｓｌｍのＨ2と生成した２ｓｌｍのＨ2Ｏの雰囲気とした。
未反応のＯ2が発生しないようにＨ2とＯ2の流量比はＨ2／Ｏ2＝２以上であればよい。また、反応に寄与しない窒素、ヘリウム、アルゴンのいずれかの不活性ガスで希釈してもよい。昇温は窒素雰囲気、降温は水素雰囲気で行い、降温前に水素雰囲気で３０分保持した。昇降温ともに水素雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気でもよく、水素を不活性ガスで希釈してもよい。また、ＰＯＡと同じＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のまま、あるいは不活性ガスで希釈したＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気で降温してもよい。
また、工程２で形成する絶縁膜３の膜厚を薄くし、あるいは工程２を行わず、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気で所望の膜厚となるまで長時間の熱処理を行い、絶縁膜３を形成してもよい。また、第二のＰＯＡとして、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気の熱処理の後に８００〜１２００℃の水素や不活性ガス雰囲気の熱処理を組み合わせてもよい。
ここで、上述した特許文献１（特開平９−１９９４９７号公報）は、炭化ケイ素基板の酸素または加湿酸素中での熱酸化後に不活性ガス雰囲気、水素雰囲気での熱処理を行うものであり、本発明の工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡとは異なる。また、特許文献２（特許第４３７４４３７号公報）はＨ2Ｏガスと酸素ガスあるいは、Ｈ2Ｏガスと酸素ガスおよび不活性ガスからなる混合ガス雰囲気の熱酸化後にＨ2ガスを含んだ雰囲気の熱処理を行うものであり、本発明の工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡとは異なる。さらに、特許文献３（特開２０００−７２４０５号公報）には炭化ケイ素を酸化後に１０００℃の水素熱処理をすると温度が高すぎて水素により酸化膜が還元されてしまうとの記述があるが、本発明の工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡでは１０００℃での酸化膜の還元は確認されていない。これは、Ｈ2Ｏを含んでいるためと考えられる。
（４）工程４
絶縁膜３上に、室温でドット状のアルミゲート電極４を蒸着し、裏面全面にアルミを蒸着してアルミ裏面電極５を形成し、ＭＯＳキャパシタ１を作製する。
絶縁膜３上に、室温でドット状のアルミゲート電極４を蒸着し、裏面全面にアルミを蒸着してアルミ裏面電極５を形成し、ＭＯＳキャパシタ１を作製する。
次に、本発明にかかるＭＯＳキャパシタを比較例のＭＯＳキャパシタと比較し、界面準位密度の違いを実験した実験例１〜４について説明する。図２〜図５は、それぞれ実験例１〜４に対応し、図１に示した本発明にかかるＭＯＳキャパシタと、比較例のＭＯＳキャパシタそれぞれの測定結果から得られた界面準位密度を示す図表である。横軸は伝導帯からのエネルギー、縦軸は界面準位密度である。
（実験例１）
本発明によるＭＯＳ界面の制御効果を検証するための実験例１として、上記工程３によるＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気の熱処理を実施しないＭＯＳキャパシタと、工程３においてＰＯＡの雰囲気を水素としたＭＯＳキャパシタを作製した。完成したＭＯＳキャパシタをＣ−Ｖメーター６で測定し、界面準位密度を算出して比較した。
本発明によるＭＯＳ界面の制御効果を検証するための実験例１として、上記工程３によるＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気の熱処理を実施しないＭＯＳキャパシタと、工程３においてＰＯＡの雰囲気を水素としたＭＯＳキャパシタを作製した。完成したＭＯＳキャパシタをＣ−Ｖメーター６で測定し、界面準位密度を算出して比較した。
図２は、実験例１の比較結果であり、（ｃ）工程３のＰＯＡを実施しないドライ酸化のみ（×印のプロット）に対し、（ｂ）水素雰囲気のＰＯＡ（三角形のプロット）は若干、界面準位密度が低減されている。これらに比べて本発明の（ａ）Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡは大幅に界面準位密度が低減されている。
（実験例２）
次に、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの条件によって界面準位密度がどのように低減されるか検証したＭＯＳキャパシタを用いた実験例２について説明する。工程３においてＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの温度を８００℃、９００℃、１０００℃としたＭＯＳキャパシタを作製した。
次に、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの条件によって界面準位密度がどのように低減されるか検証したＭＯＳキャパシタを用いた実験例２について説明する。工程３においてＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの温度を８００℃、９００℃、１０００℃としたＭＯＳキャパシタを作製した。
図３は、実験例２の比較結果であり、工程３のＰＯＡを実施しない（ｄ）のドライ酸化のみ（×印のプロット）に対し、工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡを実施した（ｃ）８００℃（四角形のプロット）は若干、界面準位密度が低減されている。さらには、これら（ｄ）、（ｃ）に比べて、工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡを実施した（ａ）１０００℃、および（ｂ）９００℃は大幅に界面準位密度が低減されている。
以上により、工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの温度は、水素あるいは水酸基によって効率的に界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手を終端させるためには８００℃以上が好ましい。工程３の温度は、界面準位密度が大幅に低減される９００℃以上がさらに好ましい。また、工程３の温度は、終端した水素あるいは水酸基の脱離を防ぐため１２００℃以下が好ましい。
（実験例３）
次に、工程３においてＨ2とＯ2の流量比を調整し、Ｈ2ＯとＨ2からなる雰囲気中のＨ2Ｏ濃度を１％、７％、６７％、７３％としたＭＯＳキャパシタを作製した。
次に、工程３においてＨ2とＯ2の流量比を調整し、Ｈ2ＯとＨ2からなる雰囲気中のＨ2Ｏ濃度を１％、７％、６７％、７３％としたＭＯＳキャパシタを作製した。
図４は、実験例３の比較結果であり、工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡを実施しない（ｅ）のドライ酸化のみ（×印のプロット）に対し、工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＨ2Ｏ濃度（ｄ）１％（三角形のプロット）は若干、界面準位密度が低減され、（ｃ）７％（四角形のプロット）は、より界面準位密度が低減されている。さらに、工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＨ2Ｏ濃度（ａ）７３％、（ｂ）６７％は大幅に界面準位密度が低減されている。
以上より、Ｈ2ＯとＨ2からなる雰囲気中のＨ2Ｏ濃度は１％以上が好ましく、さらに好ましくは７％以上である。Ｈ2Ｏ濃度の上限に制約はなく１００％以下であればよい。
（実験例４）
次に、工程３においてＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの処理時間を５ｍｉｎ、３０ｍｉｎ、１８０ｍｉｎとしたＭＯＳキャパシタを作製した。
次に、工程３においてＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの処理時間を５ｍｉｎ、３０ｍｉｎ、１８０ｍｉｎとしたＭＯＳキャパシタを作製した。
図５は、実験例４の比較結果であり、工程３のＰＯＡを実施しない（ｄ）のドライ酸化のみ（×印のプロット）に対し、工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの処理時間（ｃ）５ｍｉｎ（四角形のプロット）は界面準位密度が低減されている。これらに比べ、工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの処理時間（ａ）１８０ｍｉｎ、（ｂ）３０ｍｉｎは大幅に界面準位密度が低減されている。
以上より、処理時間は界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手が水酸基や水素によって十分に終端されればよく、処理温度、Ｈ2Ｏ＋Ｈ2におけるＨ2Ｏ濃度に応じて決定すればよい。工程３の処理温度、Ｈ2Ｏ濃度では５分以上が好ましく、大幅に界面準位密度が低減される３０分以上がさらに好ましい。
以上説明した実験例１〜４のように、界面準位密度は工程３のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡの有無や条件で大きく変化し、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡによって、界面準位密度を大幅に低減できることが確認できた。
次に、本発明のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡによって、界面準位密度を大幅に低減できたＳｉＯ2／ＳｉＣ界面付近における水素濃度を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によって測定した結果を示す。このＳＩＭＳ分析において水素（Ｈ）と水酸基（ＯＨ）は区別できないため、水素濃度には水素（Ｈ）と水酸基（ＯＨ）からのＨの両方が含まれる。
図６は、本発明の半導体装置におけるＳｉＯ2／ＳｉＣ界面付近の二次イオン質量分析法による水素濃度測定結果を示す図表である。この図６は、上記の工程２、工程３に準じて（０００−１）面のＳｉＣ基板にドライ酸化とＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気のＰＯＡを実施することで形成したＳｉＯ2膜に対し、ＳＩＭＳ分析を行った結果を示す。縦軸は水素濃度、酸素、炭素の二次イオン強度であり、横軸は水素濃度のピーク位置を０とした分析深さである。ＳＩＭＳの一次イオン種としては、セシウム（Ｃｓ）を用いた。
図６の左側はＯの二次イオン強度が高くＳｉＯ2であり、右側はＣの二次イオン強度が高くＳｉＣである。Ｈの濃度はＳｉＯ2／ＳｉＣ界面で１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の濃度の急峻なピークがある。ピークの半値幅は約３ｎｍであり、ＳｉＯ2／ＳｉＣ界面を含む限られた領域に水素あるいは水酸基が存在していることが確認できた。
界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手を終端する水素あるいは水酸基は、ＳｉＯ2／ＳｉＣ界面（ＭＯＳ界面）のみに偏析することが望ましく、ＳｉＯ2／ＳｉＣ界面を含む０．５ｎｍから１０ｎｍの範囲であることが好ましい。さらに好ましくは０．５ｎｍから５ｎｍの範囲である。水素あるいは水酸基が１０ｎｍより広い範囲で存在すると界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手の終端に寄与しない水素や水酸基が増え、電子トラップの原因となってしまうからである。また、水素あるいは水酸基が偏析する領域が０．５ｎｍより狭い範囲となってしまうと十分に界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手の終端にすることができず、安定なＳｉＯ2／ＳｉＣ界面を形成できないからである。
また、ＳｉＯ2／ＳｉＣ界面を含む水素あるいは水酸基が偏析している領域には、１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3から１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の水素あるいは水酸基が存在することが好ましい。その理由は、１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3より少なくては十分に界面準位の終端にすることができなく、１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3を超えると過剰な水素により酸化膜の膜質が劣化するからである。
次に、本発明の実施例１を説明する。図７は、本発明のＭＯＳＦＥＴの製造工程を説明する断面図である。図７（ａ）〜（ｉ）には、本実施例にかかる炭化ケイ素（０００−１）面上へＭＯＳＦＥＴを製造する際の各工程１〜９を示す。
（１）工程１
まず、図７（ａ）に示すように、ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）基板７（（０００−１）面から０〜８度オフ基板、好ましくは０〜４度オフ基板）上に、アクセプター密度１×１０16ｃｍ-3のｐ型エピタキシャル膜８を成長させる。
まず、図７（ａ）に示すように、ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）基板７（（０００−１）面から０〜８度オフ基板、好ましくは０〜４度オフ基板）上に、アクセプター密度１×１０16ｃｍ-3のｐ型エピタキシャル膜８を成長させる。
（２）工程２
次に、図７（ｂ）に示すように、ｐ型エピタキシャル膜８の表面上に減圧ＣＶＤ法により厚さ１μｍのＳｉＯ2膜を堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してマスク９を形成する。その後、例えば、マスク９をマスクとして、リンイオン１０を基板温度５００℃、加速エネルギー４０ｋｅＶ〜２５０ｋｅＶの多段、注入量２×１０20ｃｍ-3でイオン注入する。
次に、図７（ｂ）に示すように、ｐ型エピタキシャル膜８の表面上に減圧ＣＶＤ法により厚さ１μｍのＳｉＯ2膜を堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してマスク９を形成する。その後、例えば、マスク９をマスクとして、リンイオン１０を基板温度５００℃、加速エネルギー４０ｋｅＶ〜２５０ｋｅＶの多段、注入量２×１０20ｃｍ-3でイオン注入する。
（３）工程３
次に、図７（ｃ）に示すように、マスク９を除去し表面上に減圧ＣＶＤ法により、厚さ１μｍのＳｉＯ2膜を堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してマスク１１を形成する。その後、例えば、マスク１１をマスクとして、アルミニウムイオン１２を基板温度５００℃、加速エネルギー４０ｋｅＶ〜２００ｋｅＶの多段、注入量２×１０20ｃｍ-3でイオン注入する。
次に、図７（ｃ）に示すように、マスク９を除去し表面上に減圧ＣＶＤ法により、厚さ１μｍのＳｉＯ2膜を堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してマスク１１を形成する。その後、例えば、マスク１１をマスクとして、アルミニウムイオン１２を基板温度５００℃、加速エネルギー４０ｋｅＶ〜２００ｋｅＶの多段、注入量２×１０20ｃｍ-3でイオン注入する。
（４）工程４
次に、図７（ｄ）に示すように、マスク１１を除去しアルゴン雰囲気中にて１６００℃で５分間にわたる活性化アニールを行ってドレイン領域１３、ソース領域１４、およびグラウンド領域１５を形成する。
次に、図７（ｄ）に示すように、マスク１１を除去しアルゴン雰囲気中にて１６００℃で５分間にわたる活性化アニールを行ってドレイン領域１３、ソース領域１４、およびグラウンド領域１５を形成する。
（５）工程５
次に、図７（ｅ）に示すように、減圧ＣＶＤ法により厚さ０．５μｍのフィールド酸化膜１６を堆積し、フォトリソグラフィとウェットエッチングによりフィールド酸化膜１６の一部を除去してアクティブ領域１７を形成する。
次に、図７（ｅ）に示すように、減圧ＣＶＤ法により厚さ０．５μｍのフィールド酸化膜１６を堆積し、フォトリソグラフィとウェットエッチングによりフィールド酸化膜１６の一部を除去してアクティブ領域１７を形成する。
（６）工程６
次に、図７（ｆ）に示すように、１１００℃の乾燥酸素雰囲気でのドライ酸化を５０分行い、厚さ５０ｎｍのゲート絶縁膜１８を形成する。ＰＯＡとして、１０００℃のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気で３０分の熱処理を行う。Ｈ2ＯとＨ2からなる雰囲気中のＨ2Ｏ濃度はＨ2とＯ2の流量比を調整し７３％とした。昇温は窒素雰囲気、降温は水素雰囲気で行い降温前に水素雰囲気で３０分保持を行った。その後、ゲート絶縁膜１８上には、減圧ＣＶＤ法によって多結晶シリコンを０．３μｍの厚さで堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してゲート電極１９を形成する。
次に、図７（ｆ）に示すように、１１００℃の乾燥酸素雰囲気でのドライ酸化を５０分行い、厚さ５０ｎｍのゲート絶縁膜１８を形成する。ＰＯＡとして、１０００℃のＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気で３０分の熱処理を行う。Ｈ2ＯとＨ2からなる雰囲気中のＨ2Ｏ濃度はＨ2とＯ2の流量比を調整し７３％とした。昇温は窒素雰囲気、降温は水素雰囲気で行い降温前に水素雰囲気で３０分保持を行った。その後、ゲート絶縁膜１８上には、減圧ＣＶＤ法によって多結晶シリコンを０．３μｍの厚さで堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してゲート電極１９を形成する。
（７）工程７
次に、図７（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィとフッ酸エッチングによりドレイン領域１３、ソース領域１４およびグラウンド領域１５上にコンタクトホールを形成し、その上から厚さ１０ｎｍのアルミニウムとさらに６０ｎｍのニッケルが蒸着されリフトオフによりパターン加工されてコンタクトメタル２０を形成する。
次に、図７（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィとフッ酸エッチングによりドレイン領域１３、ソース領域１４およびグラウンド領域１５上にコンタクトホールを形成し、その上から厚さ１０ｎｍのアルミニウムとさらに６０ｎｍのニッケルが蒸着されリフトオフによりパターン加工されてコンタクトメタル２０を形成する。
（８）工程８
次に、図７（ｈ）に示すように、オーミックコンタクトアニールとして不活性ガスまたは不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気で９５０℃、２分間保持でアニールし、コンタクトメタル２０と炭化ケイ素との反応層（電気的接触部）２１を形成する。不活性ガスは窒素、ヘリウム、アルゴンのいずれかである。
次に、図７（ｈ）に示すように、オーミックコンタクトアニールとして不活性ガスまたは不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気で９５０℃、２分間保持でアニールし、コンタクトメタル２０と炭化ケイ素との反応層（電気的接触部）２１を形成する。不活性ガスは窒素、ヘリウム、アルゴンのいずれかである。
（９）工程９
次に、図７（ｉ）に示すように、表面にアルミニウムを３００ｎｍ蒸着し、フォトリソグラフィとリン酸エッチングによりゲート電極１９および反応層２１上にパッド電極２２を形成し、裏面にアルミニウムを１００ｎｍ蒸着し裏面電極２３を形成する。
次に、図７（ｉ）に示すように、表面にアルミニウムを３００ｎｍ蒸着し、フォトリソグラフィとリン酸エッチングによりゲート電極１９および反応層２１上にパッド電極２２を形成し、裏面にアルミニウムを１００ｎｍ蒸着し裏面電極２３を形成する。
図７に示した炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴの製造方法によって作製された炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴの特性を評価したところ、チャネル移動度は約７５ｃｍ2／Ｖｓと高い値を示した。
上記の工程６において、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気でのＰＯＡを行わない以外は実施例１と同様の製造方法で炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを作製し、特性を評価したところ、チャネル移動度は約１８ｃｍ2／Ｖｓと低い値であった。
工程６において、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気でのＰＯＡの昇温、降温ともに水素雰囲気で行った以外は実施例１と同様の製造方法で炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを作製したところ実施例１と同様の特性を示した。
工程６において、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気でのＰＯＡの後に、第二ＰＯＡとして水素雰囲気で９００℃、３０分の熱処理を行った以外は実施例１と同様の製造方法で炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを作製したところチャネル移動度は約７７ｃｍ2／Ｖｓと高い値を示した。
工程６において、Ｈ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気でのＰＯＡの後に、第二ＰＯＡとして窒素雰囲気で９００℃、３０分の熱処理を行った以外は実施例１と同様の製造方法で炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを作製したところチャネル移動度は約４０ｃｍ2／Ｖｓと実施例１よりは低い値を示したが比較例よりは高い値を示した。
工程６において、ゲート絶縁膜１８の形成方法が、亜酸化窒素と窒素の流量比が１：５の雰囲気の１３００℃、１２０分の熱酸窒化であること以外は実施例１と同様の製造方法で炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを作製したところ実施例１と同様の特性を示した。
工程６において、ゲート絶縁膜１８の形成方法が、一酸化窒素の雰囲気の１２５０℃、９０分の熱酸窒化であること以外は実施例１と同様の製造方法で炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを作製したところ実施例１と同様の特性を示した。
工程６において、ゲート絶縁膜１８の形成方法が、パイロジェニックによる酸素と水分を含んだ雰囲気の１０００℃、３０分の熱酸化であること以外は実施例１と同様の製造方法で炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを作製したところ実施例１と同様の特性を示した。
工程６において、ゲート絶縁膜１８の形成方法が、シランを用いたＣＶＤ法による堆積膜であること以外は実施例１と同様の製造方法で炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴを作製したところ実施例１と同様の特性を示した。
上記の実施例では、結晶構造が４Ｈ−ＳｉＣの（０００−１）基板（０〜８度オフ基板）を使用したが、結晶構造が４Ｈ−ＳｉＣの（０００１）基板、（１１−２０）基板でも同様の効果を得ることができる。
以上のように、本発明によれば、ゲート絶縁膜の形成方法によらず、ゲート絶縁膜の形成後に、ＰＯＡをＯ2を含まずＨ2とＨ2Ｏを含んだ雰囲気で行うことにより、炭化ケイ素基板とゲート絶縁膜の界面を含む限られた領域に水素あるいは水酸基を偏析でき、界面準位密度を低減でき、高いチャネル移動度を実現することができる。
以上のように、本発明にかかる炭化ケイ素半導体装置の製造方法は、炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴとしてｐ+型半導体基板を用いた横型ＭＯＳＦＥＴの製造方法を例にして説明したが、これに限定されるものではなく、ｎ+型半導体基板を用いた縦型ＭＯＳＦＥＴなど高耐圧化構造を有する半導体装置、トレンチゲートや複雑なＭＯＳゲート構造を有する半導体装置にも適用可能であり、同様の効果を奏することができる。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱しない範囲で、種々の半導体装置の製造方法に適用可能である。また、本発明は、半導体層または半導体領域の導電型（ｎ型、ｐ型）を反転させても同様に成り立つ。
複雑なＭＯＳゲート構造とは、例えば、オン状態のときにＳｉＣエピタキシャル基板の表面近傍にチャネルを形成する素子構造である。図８は、本発明にかかる複雑なＭＯＳゲート構造を有する半導体装置の一例を示す図である。この図８の断面図に示すように、縦型のＭＯＳＦＥＴにおいて、ｎ+型炭化ケイ素基板３１のおもて面にはｎ型エピタキシャル層３２が形成される。ｎ型エピタキシャル層３２の不純物濃度は、ｎ+型炭化ケイ素基板３１の不純物濃度よりも低い。ｎ型エピタキシャル層３２の内部には、複数のｐ型領域３６が選択的に形成される。ｐ型領域３６は、ｎ型エピタキシャル層３２のｎ+型炭化ケイ素基板３１側に対して反対側の面に露出する。ｎ型エピタキシャル層３２およびｐ型領域３６の表面にわたってｐ型領域３６より低濃度のｐ型ＳｉＣ層３７が形成される。ｐ型領域３６が形成されていないｎ型エピタキシャル層３２上のｐ型ＳｉＣ層３７に、深さ方向にｐ型ＳｉＣ層３７を貫通しｎ型エピタキシャル層３２に達するｎ型領域３３が形成される。ｎ型エピタキシャル層３２およびｎ型領域３３は、ｎ型ドリフト領域である。ｎ型領域３３の不純物濃度は、ｎ型エピタキシャル層３２よりも高いのが望ましい。
ｐ型ＳｉＣ層３７の内部には、互いに接するようにｎ+型ソース領域３４およびｐ+型コンタクト領域３５が形成される。ｎ+型ソース領域３４およびｐ+型コンタクト領域３５は、ｐ型ＳｉＣ層３７のｐ型領域３６側に対して反対側の面に露出する。ｎ+型ソース領域３４は、ｎ型領域３３と離れて形成される。ｐ+型コンタクト領域３５は、ｎ+型ソース領域３４のｎ型領域３３側に対して反対側に位置する。ｐ+型コンタクト領域３５の不純物濃度は、ｐ型ＳｉＣ層３７の不純物濃度よりも高い。ｐ型ＳｉＣ層３７のｎ+型ソース領域３４、ｐ+型コンタクト領域３５およびｎ型領域３３を除く部分は、ｐ型領域３６と共にｐ型ベース領域となる。ｎ+型ソース領域３４とｐ+型コンタクト領域３５との表面には、ソース電極３８が形成される。隣り合うｎ+型ソース領域３４の間のｐ型ＳｉＣ層３７とｎ型領域３３との表面には、ゲート絶縁膜１８を介してゲート電極１９が形成される。ゲート電極１９は、図示省略する層間絶縁膜によって、ソース電極３８と電気的に絶縁される。また、ｎ+型炭化ケイ素基板３１の裏面には、ｎ+型炭化ケイ素基板３１に接するドレイン電極３９が形成される。
以上のように、本発明にかかる炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法は、例えば、パワーデバイス等の電力用炭化ケイ素半導体装置や、産業用のモーター制御やエンジン制御に使用されるパワー炭化ケイ素半導体装置に有用である。
１ 炭化ケイ素半導体装置（ＭＯＳキャパシタ）
２ａ ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）基板
２ｂ ｎ型エピタキシャル膜
３ 絶縁膜
４ アルミゲート電極
５ アルミ裏面電極
６ Ｃ−Ｖメーター
７ ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）基板
８ ｐ型エピタキシャル膜
９，１１ マスク
１０ リンイオン
１２ アルミニウムイオン
１３ ドレイン領域
１４ ソース領域
１５ グラウンド領域
１６ フィールド酸化膜
１７ アクティブ領域
１８ ゲート絶縁膜
１９ ゲート電極
２０ コンタクトメタル
２１ 反応層
２２ パッド電極
２３ 裏面電極
３１ ｎ+型炭化ケイ素基板
３２ ｎ型エピタキシャル層
３３ ｎ型領域
３４ ｎ+型ソース領域
３５ ｐ+型コンタクト領域
３６ ｐ型領域
３７ ｐ型ＳｉＣ層
３８ ソース電極
３９ ドレイン電極
２ａ ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）基板
２ｂ ｎ型エピタキシャル膜
３ 絶縁膜
４ アルミゲート電極
５ アルミ裏面電極
６ Ｃ−Ｖメーター
７ ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）基板
８ ｐ型エピタキシャル膜
９，１１ マスク
１０ リンイオン
１２ アルミニウムイオン
１３ ドレイン領域
１４ ソース領域
１５ グラウンド領域
１６ フィールド酸化膜
１７ アクティブ領域
１８ ゲート絶縁膜
１９ ゲート電極
２０ コンタクトメタル
２１ 反応層
２２ パッド電極
２３ 裏面電極
３１ ｎ+型炭化ケイ素基板
３２ ｎ型エピタキシャル層
３３ ｎ型領域
３４ ｎ+型ソース領域
３５ ｐ+型コンタクト領域
３６ ｐ型領域
３７ ｐ型ＳｉＣ層
３８ ソース電極
３９ ドレイン電極
Claims (11)
- 炭化ケイ素半導体の基板上に、ゲート絶縁膜として１層または２層以上の酸化膜あるいは窒化膜あるいは酸窒化膜を有する炭化ケイ素半導体装置において、
前記基板と前記ゲート絶縁膜の界面を含む領域に水素（Ｈ）あるいは水酸基（ＯＨ）が偏析しており、その水素あるいは水酸基が偏析している領域の幅が０．５ｎｍから１０ｎｍであることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。 - 前記基板と前記ゲート絶縁膜の界面を含む水素あるいは水酸基が偏析している領域に１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3から１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の水素あるいは水酸基が存在することを特徴とする請求項１に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 炭化ケイ素半導体の基板上に、ゲート絶縁膜として酸化膜あるいは窒化膜あるいは酸窒化膜の１層または２層以上を形成した後に熱処理を行う炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、
前記ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理の雰囲気が、乾燥酸素（Ｏ2）を含まず水素（Ｈ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含んだガス雰囲気であることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理の昇温、降温の両方、もしくは片方の雰囲気が、Ｈ2ガス、または希釈したＨ2ガスであることを特徴とする請求項３に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成した後の熱処理の降温の前にＨ2ガス、または希釈したＨ2ガスで置換し、所定の時間保持することを特徴とする請求項３に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成した後のＯ2を含まずＨ2とＨ2Ｏを含んだガス雰囲気での熱処理の後に、所定の温度でＨ2ガス、または希釈したＨ2ガスの雰囲気の熱処理を行うことを特徴とする請求項３に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成した後のＯ2を含まずＨ2とＨ2Ｏを含んだガス雰囲気での熱処理の後に、所定の温度で窒素、ヘリウム、アルゴンのいずれかの不活性ガスの雰囲気の熱処理を行うことを特徴とする請求項３に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成する工程に、Ｈ2Ｏを含まないＯ2を含んだガスでの熱酸化が含まれることを特徴とする請求項３〜７のいずれか一つに記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成する工程に、少なくとも亜酸化窒素または一酸化窒素を含むガス雰囲気での熱酸窒化が含まれることを特徴とする請求項３〜７のいずれか一つに記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成する工程に、少なくともＯ2とＨ2Ｏを含むガス雰囲気での熱酸化が含まれることを特徴とする請求項３〜７のいずれか一つに記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜を形成する工程に、酸化膜あるいは窒化膜あるいは酸窒化膜の絶縁膜を堆積させる工程が含まれることを特徴とする請求項３〜７のいずれか一つに記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013145927 | 2013-07-11 | ||
| JP2013145927 | 2013-07-11 | ||
| PCT/JP2014/068353 WO2015005397A1 (ja) | 2013-07-11 | 2014-07-09 | 炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6025007B2 JP6025007B2 (ja) | 2016-11-16 |
| JPWO2015005397A1 true JPWO2015005397A1 (ja) | 2017-03-02 |
Family
ID=52280075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015526381A Expired - Fee Related JP6025007B2 (ja) | 2013-07-11 | 2014-07-09 | 炭化ケイ素半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9922822B2 (ja) |
| EP (1) | EP3021353A4 (ja) |
| JP (1) | JP6025007B2 (ja) |
| CN (1) | CN105531802A (ja) |
| WO (1) | WO2015005397A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449392A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-02-22 | 东莞市广信知识产权服务有限公司 | 一种SiC表面钝化方法 |
| JP6887244B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2021-06-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2018138756A1 (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6692306B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2020-05-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 |
| DE102018107966B4 (de) | 2018-04-04 | 2022-02-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bilden eines Breiter-Bandabstand-Halbleiter-Bauelements |
| JP7005847B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2022-01-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 |
| CN109695014B (zh) * | 2019-03-13 | 2021-03-16 | 海盐精斌五金制品有限公司 | 牙板表面氮化处理工艺 |
| JP6648852B1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-02-14 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US11393806B2 (en) | 2019-09-23 | 2022-07-19 | Analog Devices, Inc. | Gallium nitride and silicon carbide hybrid power device |
| JP7412765B2 (ja) * | 2020-06-05 | 2024-01-15 | 国立大学法人京都大学 | ＳｉＣ半導体素子の製造方法及びＳｉＣ半導体素子 |
| CN115732538A (zh) * | 2022-09-08 | 2023-03-03 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 一种半导体器件及其制作方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3420876B2 (ja) | 1996-01-22 | 2003-06-30 | 新日本製鐵株式会社 | ＳｉＣの熱酸化膜の改善方法 |
| DE19612692C1 (de) * | 1996-03-29 | 1997-11-20 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen einer Oxidschicht auf Siliciumcarbid und Verwendung des Verfahrens |
| JP3639440B2 (ja) | 1998-09-02 | 2005-04-20 | 忠弘 大見 | 水分発生用反応炉 |
| JP2000349285A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置 |
| JP3551909B2 (ja) | 1999-11-18 | 2004-08-11 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP4525958B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2010-08-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003086792A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置の作製法 |
| US7880173B2 (en) * | 2002-06-28 | 2011-02-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US7338869B2 (en) * | 2002-06-28 | 2008-03-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2006269641A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5229845B2 (ja) | 2006-03-07 | 2013-07-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素ｍｏｓｆｅｔの製造方法および炭化ケイ素ｍｏｓｆｅｔ |
| JP2008244456A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011199132A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012186490A (ja) * | 2012-05-07 | 2012-09-27 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置及び半導体基板の重水素処理装置 |
-
2014
- 2014-07-09 CN CN201480039085.2A patent/CN105531802A/zh active Pending
- 2014-07-09 JP JP2015526381A patent/JP6025007B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-09 EP EP14822620.2A patent/EP3021353A4/en not_active Withdrawn
- 2014-07-09 WO PCT/JP2014/068353 patent/WO2015005397A1/ja active Application Filing
-
2016
- 2016-01-08 US US14/991,887 patent/US9922822B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9922822B2 (en) | 2018-03-20 |
| WO2015005397A1 (ja) | 2015-01-15 |
| CN105531802A (zh) | 2016-04-27 |
| US20160126092A1 (en) | 2016-05-05 |
| EP3021353A1 (en) | 2016-05-18 |
| EP3021353A4 (en) | 2017-02-15 |
| JP6025007B2 (ja) | 2016-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6025007B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置の製造方法 | |
| JP6305294B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5920684B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP6505466B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP6432232B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法 | |
| JP2011211212A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP2007242744A (ja) | 炭化ケイ素半導体装置の製造方法および炭化ケイ素半導体装置 | |
| JP6189261B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2013187302A (ja) | ＳｉＣ半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2013077761A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JP2022051871A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 | |
| JP4549167B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| WO2015045626A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
| JP6068042B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
| US9960040B2 (en) | Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device | |
| JP2009043880A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 | |
| JP2016201500A (ja) | 炭化ケイ素ｍｏｓ型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2012151400A (ja) | ＳｉＣ半導体装置、ＳｉＣ半導体装置の製造方法 | |
| JP2015142078A (ja) | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 | |
| US10249497B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| JP6844176B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP2017168600A (ja) | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
| US20230084127A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| JP2017168601A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP6155553B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160830 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160928 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6025007 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |