JPWO2014136342A1 - 積層型インダクタ素子 - Google Patents

Abstract

積層型インダクタ素子（１０）は、磁性体層（１１０，１２０，１３０，１４０）を、この順で積層した磁性積層体（１００）を備える。磁性体層（１１０，１３０）には、巻回形のコイル導体（２１１，２１２）がそれぞれ形成されている。コイル導体（２１１，２１２）はビア導体（３１１，３１２，３１３）によって接続され、第１のインダクタ（Ｌ１）を構成している。磁性体層（１２０，１４０）には、巻回形のコイル導体（２２１，２２２）がそれぞれ形成されている。コイル導体（２２１，２２２）はビア導体（３２１，３２２，３２３）によって接続され、第２のインダクタ（Ｌ２）を構成している。

Description

本発明は、複数のコイル（インダクタ）を、高い結合度で結合するように内蔵配置した積層型インダクタ素子に関する。

現在、ＣＰＵの駆動電圧の印加用として、特許文献１に示すようなマルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータが多く利用されている。マルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータでは複数のチョークコイルを用いる。これら複数のチョークコイルは、高い結合度を要求されている。

このため、従来のマルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータに利用される複数のチョークコイルは、巻線型のものが用いられており、複数のチョークコイルを共通の磁性体コアに巻き付けることにより、結合度を高くしている。

特開２００３−２８４３３３号公報

しかしながら、巻線型からなる複数のチョークコイルを共通の磁性体コアに巻き付ける構造のインダクタ素子では、低背化が容易ではなく小型化が容易ではない。

また、従来のインダクタ素子としては、それぞれに個別のインダクタとなる導体パターンを、フェライト多層基板内に独立して複数形成する構造もある。しかしながら、このような構造からなる従来の積層型インダクタ素子では、一般的に、複数のインダクタのそれぞれが、積層型インダクタ素子を平面視して別の領域に形成されており、複数のインダクタ間での結合度は低くなる。

したがって、本発明の目的は、複数のインダクタ（チョークコイル）の結合度が高い積層型インダクタ素子を提供することにある。

この発明は、複数の磁性体層が積層された磁性積層体と、複数の磁性体層の所定層に形成されたコイル導体、および異なる層に設けられたコイル導体を積層方向に沿って導通するビア導体によって形成されるインダクタと、を備え、インダクタを複数個有する積層型インダクタ素子に関するものである。この積層型インダクタ素子において、コイル導体は、巻回形に形成されている。複数のインダクタのコイル導体は、積層方向に沿った巻回形の中心軸が略一致している。複数のインダクタを構成するコイル導体の各々は、積層方向に沿って周期的に配置されている。各インダクタを構成するコイル導体は、他のインダクタを構成するコイル導体を挟むように配置されている。

この構成では、各インダクタを構成するコイル導体が積層方向に沿って磁界結合する。そして、積層型インダクタ素子を平面視して、各インダクタの巻回部が略重なり合っているので、インダクタ間の結合度が高くなる。

また、この発明の積層型インダクタ素子では、磁性積層体の積層方向に沿った片側端の層において複数のインダクタを接続する共通化導体を備えていてもよい。

この構成では、複数のインダクタ素子におけるそれぞれの片方の端部が接続され、例えば、マルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータのチョークコイルとして回路基板に装着する際に、マルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータ用の回路パターン形成が容易になる。

また、この発明の積層型インダクタ素子では、複数のインダクタは、コイル導体が積層方向に隣り合うインダクタ間で、電流が流れた際に生じる磁束の向きが逆になるように接続されていることが好ましい。

この構成では、複数のインダクタが磁束を打ち消し合うように結合するので、磁束が飽和し難い。これにより、チョークコイルとしての飽和電流を高くできる。

また、この発明の積層型インダクタ素子では、次の構成であることが好ましい。積層型インダクタ素子は、複数のインダクタにおける共通化導体に接続する端部と逆の個別端部に接続する外部接続端子と、共通化導体に接続する共通外部接続端子と、を磁性積層体の積層方向に沿った片側端の層と反対側の層に備える。共通化導体と共通外部接続端子は、巻回形の中心軸と略一致する位置に形成されたビア導体である。

この構成では、積層型インダクタ素子を大型化することなく、複数のインダクタを接続し、共通外部接続端子に接続することができる。また、巻回形の中心軸と略一致する位置に共通化導体と共通外部接続端子を接続するビア導体が引き回されており、当該ビア導体による特性劣化が生じにくい。

この発明によれば、複数のインダクタ（チョークコイル）の結合度が高い積層型インダクタ素子を実現することができる。

本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の外観斜視図および積層構造を示す側面断面の概念図である。 本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の分解斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の等価回路図である。 本発明の第２の実施形態に係る積層型インダクタ素子の等価回路図である。 本発明の第２の実施形態に係る積層型インダクタ素子の分解斜視図である。 本発明の実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータの等価回路図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型インダクタ素子の等価回路図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型インダクタ素子の分解斜視図である。 本発明の第４の実施形態に係る積層型インダクタ素子の等価回路図である。 本発明の第４の実施形態に係る積層型インダクタ素子の分解斜視図である

本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子について、図を参照して説明する。図１（Ａ）は本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の外観斜視図である。図１（Ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の積層構造を示す側面断面の概念図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の分解斜視図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の等価回路図である。

積層型インダクタ素子１０は、直方体形状からなり、磁性積層体１００と非磁性体層１０１，１０２を備える。磁性積層体１００は、磁性体層１１０，１２０，１３０，１４０を備える。磁性体層１１０，１２０，１３０，１４０は、所定厚みからなり平面視して矩形であり、平板面が平行になるように積層されている。本実施形態では、上層側から磁性体層１１０、磁性体層１２０、磁性体層１３０、磁性体層１４０の順に積層されている。

非磁性体層１０１は、磁性積層体１００の上層側の端面すなわち磁性体層１１０に当接するように配置されている。非磁性体層１０２は、磁性体層１０１の下層側の端面磁性体層１４０に当接するように配置されている。言い換えれば、非磁性体層１０１，１０２は、磁性積層体１００を積層方向に挟むように配置されている。

非磁性体層１０２の底面、すなわち積層型インダクタ素子１０の底面には、外部接続端子４１１，４１２，４２１，４２２が形成されている。外部接続端子４１１，４１２，４２１，４２２は矩形導体であり、非磁性体層１０２の四つの角部にそれぞれ形成されている。

磁性体層１１０の表面（非磁性体層１０１側の面）には、コイル導体２１１が形成されている。コイル導体２１１は、磁性体層１１０を平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２１１は、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１２０の表面（磁性体層１１０側の面）には、コイル導体２２１が形成されている。コイル導体２２１は、磁性体層１２０を平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２２１は、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１３０の表面（磁性体層１２０側の面）には、コイル導体２１２が形成されている。コイル導体２１２は、磁性体層１３０を平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２１２は、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１４０の表面（磁性体層１３０側の面）には、コイル導体２２２が形成されている。コイル導体２２２は、磁性体層１４０を平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２２２は、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

ビア導体３１１，３１２，３１３，３２１，３２２，３２３は、磁性体層１１０，１２０，１３０，１４０、および非磁性体層１０２の所定層を貫通し、積層方向に伸長する導体パターンである。

ビア導体３１１は、外部接続端子４１１とコイル導体２１１の一方端Ｅ１１とを接続する。ビア導体３１２は、コイル導体２１１の他方端Ｅ１２とコイル導体２１２の一方端Ｅ１１とを接続する。ビア導体３１３は、コイル導体２１２の他方端Ｅ１２と外部接続端子４１２とを接続する。

これにより、コイル導体２１１，２１２、ビア導体３１１，３１２，３１３によって、図３に示す第１のインダクタＬ１が構成される。第１のインダクタＬ１は、磁性積層体１００の積層方向に沿って、コイル導体２１１，２１２の巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。

ビア導体３２１は、外部接続端子４２１とコイル導体２２１の一方端Ｅ２１とを接続する。ビア導体３２２は、コイル導体２２１の他方端Ｅ２２とコイル導体２２２の一方端Ｅ２１とを接続する。ビア導体３２３は、コイル導体２２２の他方端Ｅ２２と外部接続端子４２２とを接続する。

これにより、コイル導体２２１，２２２、ビア導体３２１，３２２，３２３によって、図３に示す第２のインダクタＬ２が構成される。第２のインダクタＬ２は、磁性積層体１００の積層方向に沿って、コイル導体２２１，２２２の巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。

そして、上述の構成を用いることで、第１のインダクタＬ１を構成するコイル導体２１１と第２のインダクタＬ２を構成するコイル導体２２１とが磁性体層１１０を挟んで積層方向に隣り合う。第２のインダクタＬ２を構成するコイル導体２２１と第１のインダクタＬ１を構成するコイル導体２１２とが磁性体層１２０を挟んで積層方向に隣り合う。第１のインダクタＬ１を構成するコイル導体２１２と第２のインダクタＬ２を構成するコイル導体２２２とが磁性体層１３０を挟んで積層方向に隣り合う。

すなわち、第１のインダクタＬ１を構成するコイル導体と第２のインダクタＬ２を構成するコイル導体とが積層方向に沿って、交互に且つ周期的に配置される。

これにより、第１のインダクタＬ１を構成するコイル導体と第２のインダクタＬ２を構成するコイル導体とが磁界結合し、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２との間で、高い磁界結合度を得ることができる。

さらに、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２の巻回形が、磁性積層体１００を平面視して略重なり合い、且つ中心軸が略一致するので、より高い磁界結合度を得ることができる。

そして、上述の構成では、外部接続端子４１１，４２１側から電流が流れるようにすると、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２で発生する磁束は逆方向となる。これにより、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２で発生する磁束は弱め合うので、電流値が高くなることによる磁束の飽和が生じにくい。すなわち、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２の飽和電流を高くすることができる。これにより、複数のチョークコイルを結合させて利用する場合（マルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータ用のチョークコイルとして利用する場合）に有効である。

次に、本発明の第２の実施形態に係る積層型インダクタ素子について、図を参照して説明する。図４は本発明の第２の実施形態に係る積層型インダクタ素子の等価回路図である。図５は本発明の第２の実施形態に係る積層型インダクタ素子の分解斜視図である。本実施形態の積層型インダクタ素子１０Ａは、等価回路的には、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａとの片方の端部が共通外部接続端子４００に接続されている点で、第１の実施形態の積層型インダクタ素子１０と異なる。したがって、第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子１０と異なる箇所のみを具体的に説明する。

図４に示すように、第１のインダクタＬ１Ａは、個別の外部接続端子４１０と共通外部接続端子４００との間に接続されている。第２のインダクタＬ２Ａは、個別の外部接続端子４２０と共通外部接続端子４００との間に接続されている。

積層型インダクタ素子１０Ａは、直方体形状からなり、磁性積層体１００Ａと非磁性体層１０１，１０２を備える。磁性積層体１００Ａは、磁性体層１１０Ａ，１２０Ａ，１３０Ａ，１４０Ａ，１５０Ａ，１６０Ａを備える。

積層型インダクタ素子１０Ａの底面、すなわち非磁性体層１０２の底面には、外部接続端子４１０，４２０、および共通外部接続端子４００が形成されている。共通外部接続端子４００は、外部接続端子４１０，４２０の間に配置されている。より具体的には、磁性積層体１００Ａにおける第１辺に沿う方向（図５に示すＸ方向）に沿って、外部接続端子４２０、共通外部接続端子４００、外部接続端子４１０の順に配置されている。共通外部接続端子４００は、Ｘ軸方向の略中央位置に配置されている。

磁性体層１１０Ａの表面（非磁性体層１０１側の面）には、共通化導体５１１が形成されている。共通化導体５１１は、磁性体層１１０Ａを平面視して巻回形に形成されている。この際、共通化導体５１１は、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１２０Ａの表面（磁性体層１１０Ａ側の面）には、共通化導体５２１が形成されている。共通化導体５２１は、磁性体層１２０Ａを平面視して巻回形に形成されている。この際、共通化導体５２１は、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１３０Ａの表面（磁性体層１２０Ａ側の面）には、コイル導体２１２Ａが形成されている。コイル導体２１２Ａは、磁性体層１３０Ａを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２１２Ａは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１４０Ａの表面（磁性体層１３０Ａ側の面）には、コイル導体２２２Ａが形成されている。コイル導体２２２Ａは、磁性体層１４０Ａを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２２２Ａは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１５０Ａの表面（磁性体層１４０Ａ側の面）には、コイル導体２１１Ａが形成されている。コイル導体２１１Ａは、磁性体層１５０Ａを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２１１Ａは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１６０Ａの表面（磁性体層１５０Ａ側の面）には、コイル導体２２１Ａが形成されている。コイル導体２２１Ａは、磁性体層１６０Ａを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２２１Ａは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

ビア導体３００Ａ，３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａ，３２１Ａ，３２２Ａ，３２３Ａは、磁性体層１１０Ａ，１２０Ａ，１３０Ａ，１４０Ａ，１５０Ａ，１６０Ａ、および非磁性体層１０２の所定層を貫通し、積層方向に伸長する導体パターンである。

ビア導体３１１Ａは、外部接続端子４１０とコイル導体２１１Ａの一方端Ｅ１１とを接続する。ビア導体３１２Ａは、コイル導体２１１Ａの他方端Ｅ１２とコイル導体２１２Ａの一方端Ｅ１１とを接続する。ビア導体３１３Ａは、コイル導体２１２Ａの他方端Ｅ１２と共通化導体５１１の一方端Ｅ０１とを接続する。

これにより、コイル導体２１１Ａ，２１２Ａ、ビア導体３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａによって、図４に示す第１のインダクタＬ１Ａが構成される。第１のインダクタＬ１Ａは、磁性積層体１００Ａの積層方向に沿って、コイル導体２１１Ａ，２１２Ａの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。また、磁性積層体１００Ａを平面視して、第１のインダクタＬ１Ａは、コイル導体２１１Ａ，２１２Ａの巻回形の中心を原点としたＸ−Ｙ座標形において、外部接続端子４１０を起点として、角度が＋に変化する方向、すなわち反時計回りに、伸長する形状となっている。

ビア導体３２１Ａは、外部接続端子４２０とコイル導体２２１Ａの一方端Ｅ２１とを接続する。ビア導体３２２Ａは、コイル導体２２１Ａの他方端Ｅ２２とコイル導体２２２Ａの一方端Ｅ２１とを接続する。ビア導体３２３Ａは、コイル導体２２２Ａの他方端Ｅ２２と共通化導体５１１の一方端Ｅ０１とを接続する。

これにより、コイル導体２２１Ａ，２２２Ａ、ビア導体３２１Ａ，３２２Ａ，３２３Ａによって、図４に示す第２のインダクタＬ２Ａが構成される。第２のインダクタＬ２Ａは、磁性積層体１００Ａの積層方向に沿って、コイル導体２２１Ａ，２２２Ａの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。また、磁性積層体１００Ａを平面視して、第２のインダクタＬ２Ａは、コイル導体２２１Ａ，２２２Ａの巻回形の中心を原点としたＸ−Ｙ座標形において、外部接続端子４２０を起点として、角度が−に変化する方向、すなわち時計回りに、伸長する形状となっている。

さらに、ビア導体３００Ａは、共通化導体５１１の他方端Ｅ０２、共通化導体５２１Ｅ０２と、共通外部接続端子４００とを接続する。これにより、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａとが共通外部接続端子４００に接続される。

そして、上述の構成を用いることで、第１のインダクタＬ１Ａを構成するコイル導体２１１Ａと第２のインダクタＬ２Ａを構成するコイル導体２２１Ａとが磁性体層１５０Ａを挟んで積層方向に隣り合う。第２のインダクタＬ２を構成するコイル導体２２１Ａと第１のインダクタＬ１Ａを構成するコイル導体２１２Ａとが磁性体層１４０Ａを挟んで積層方向に隣り合う。第１のインダクタＬ１Ａを構成するコイル導体２１２Ａと第２のインダクタＬ２Ａを構成するコイル導体２２２Ａとが磁性体層１３０Ａを挟んで積層方向に隣り合う。

すなわち、第１のインダクタＬ１Ａを構成するコイル導体と第２のインダクタＬ２Ａを構成するコイル導体とが積層方向に沿って、交互に且つ周期的に配置される。

これにより、第１のインダクタＬ１Ａを構成するコイル導体と第２のインダクタＬ２Ａを構成するコイル導体とが磁界結合し、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａとの間で、高い磁界結合度を得ることができる。

さらに、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａの巻回形が、磁性積層体１００Ａを平面視して略重なり合い、且つ中心軸が略一致するので、より高い磁界結合度を得ることができる。

さらに、上述の構成では、磁性積層体１００Ａを平面視して、外部接続端子４１０を起点として共通外部接続端子４００とを終点とする第１のインダクタＬ１Ａの巻回方向と、外部接続端子４２０を起点として共通外部接続端子４００とを終点とする第２のインダクタＬ２Ａの巻回方向とが逆になっている。

これにより、外部接続端子４１０，４２０から同じ方向に電流を流すか、共通外部接続端子４００から電流を流すことにより、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａで発生する磁束は逆方向となる。これにより、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａで発生する磁束は弱め合うので、電流値が高くなることによる磁束の飽和が生じにくい。すなわち、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａの飽和電流を高くすることができる。これにより、複数のチョークコイルを結合させて利用する場合（マルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータ用のチョークコイルとして利用する場合）に有効である。

さらに、本実施形態の構成では、第１、第２のインダクタＬ１Ａ，Ｌ２Ａが接続されているので、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａを外部回路で接続する必要が無くなる。

また、さらに、本実施形態の構成では、共通外部接続端子４００に接続するビア導体３０Ａが、第１、第２のインダクタＬ１Ａ，Ｌ２Ａの巻回形の中心軸と略一致する位置に存在するので、第１、第２のインダクタＬ１Ａ，Ｌ２Ａが発生する磁束とビア導体３００Ａとの干渉を抑圧できる。

また、本実施形態の構成では、共通化導体５１１，５２１が巻回形状であるので、これらを、それぞれ第１、第２のインダクタＬ１Ａ、Ｌ２Ａの一部として利用することができる。これにより、第１、第２のインダクタＬ１Ａ、Ｌ２Ａのインダクタンスを、さらに大きくすることができる。

このような構成の積層型インダクタ素子１０Ａは、図６に示すようなＤＣ−ＤＣコンバータに利用することができる。図６は、本発明の実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータの等価回路図である。なお、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータ１は、所謂マルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータであり、詳細な回路構成および動作説明は省略する。

ＤＣ−ＤＣコンバータ１は、直流電源９０１、スイッチ素子９１１，９１２，９１３，９１４、ドライバ回路９２１，９２２、コントローラ９０４、積層型インダクタ素子１０Ａ、出力コンデンサＣ０を備える。

直流電源９０１の＋端子と−端子との間には、スイッチ素子９１１，９１２のカスコード接続回路と、スイッチ素子９１３，９１４のカスコード接続回路が並列接続されている。なお、ここで、
直流電源９０１の−端子は、低電位側出力端子Ｐｏ２に接続されている。

スイッチ素子９１１，９１２には、ドライバ回路９２１に接続されている。スイッチ素子９１３，９１４のゲートには、ドライバ回路９２２に接続されている。

スイッチ素子９１１とスイッチ素子９１２との接続点は、積層型インダクタ素子１０Ａの第１のインダクタＬ１Ａの外部接続端子４１０に接続されている。スイッチ素子９１３とスイッチ素子９１４との接続点は、積層型インダクタ素子１０Ａの第２のインダクタＬ２Ａの外部接続端子４２０に接続されている。

積層型インダクタ素子１０Ａの共通外部接続端子４００は、高電位側出力端子Ｐｏ１に接続されている。

高電位側出力端子Ｐｏ１と低電位側出力端子Ｐｏ２との間には、出力コンデンサＣ０が接続されている。そして、この高電位側出力端子Ｐｏ１と低電位側出力端子Ｐｏ２に対して、ＣＰＵ等の負荷９０３が接続される。

このようなマルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータでは、第１のインダクタＬ１Ａと第２のインダクタＬ２Ａとが高い結合度で結合することが好ましいが、本実施形態の積層型インダクタ素子１０Ａを用いることで、高い結合度を実現することができる。これにより、優れた出力特性を有するマルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータを実現することができる。

次に、第３の実施形態に係る積層型インダクタ素子について、図を参照して説明する。図７は本発明の第３の実施形態に係る積層型インダクタ素子の等価回路図である。図８は本発明の第３の実施形態に係る積層型インダクタ素子の分解斜視図である。本実施形態の積層型インダクタ素子１０Ｂは、等価回路的には、内蔵されているインダクタの個数が第１の実施形態の積層型インダクタ素子１０と異なる。したがって、第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子１０と異なる箇所のみを具体的に説明する。

回路的には、積層型インダクタ素子１０Ｂは、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｂ，Ｌ２Ｂ，Ｌ３Ｂ，Ｌ４Ｂを備える。第１のインダクタＬ１Ｂは、外部接続端子４１１，４１２間に接続されている。第２のインダクタＬ２Ｂは、外部接続端子４２１，４２２間に接続されている。第３のインダクタＬ３Ｂは、外部接続端子４３１，４３２間に接続されている。第４のインダクタＬ１Ｂは、外部接続端子４４１，４４２間に接続されている。

積層型インダクタ素子１０Ｂは、直方体形状からなり、磁性積層体１００Ｂと非磁性体層１０１，１０２を備える。磁性積層体１００Ｂは、磁性体層１１０Ｂ，１２０Ｂ，１３０Ｂ，１４０Ｂ，１５０Ｂ，１６０Ｂ，１７０Ｂ，１８０Ｂを備える。

積層型インダクタ素子１０Ｂの底面すなわち非磁性体層１０２の底面には、外部接続端子４１１，４１２，４２１，４２２，４３１，４３２，４４１，４４２が形成されている。外部接続端子４１１，４１２，４４１，４４２は、Ｘ軸方向の一方端辺にＹ軸方向に沿って配置されている。外部接続端子４２１，４２２，４３１，４３２は、Ｘ軸方向の他方端辺にＹ軸方向に沿って配置されている。

磁性体層１１０Ｂの表面（非磁性体層１０１側の面）には、コイル導体２４２Ｂが形成されている。コイル導体２４２Ｂは、磁性体層１１０Ｂを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２４２Ｂは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１２０Ｂの表面（磁性体層１１０Ｂ側の面）には、コイル導体２３２Ｂが形成されている。コイル導体２３２Ｂは、磁性体層１２０Ｂを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２３２Ｂは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１３０Ｂの表面（磁性体層１２０Ｂ側の面）には、コイル導体２２２Ｂが形成されている。コイル導体２２２Ｂは、磁性体層１３０Ｂを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２２２Ｂは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１４０Ｂの表面（磁性体層１３０Ｂ側の面）には、コイル導体２１２Ｂが形成されている。コイル導体２１２Ｂは、磁性体層１４０Ｂを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２１２Ｂは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１５０Ｂの表面（非磁性体層１４０Ｂ側の面）には、コイル導体２４１Ｂが形成されている。コイル導体２４１Ｂは、磁性体層１５０Ｂを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２４１Ｂは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１６０Ｂの表面（磁性体層１５０Ｂ側の面）には、コイル導体２３１Ｂが形成されている。コイル導体２３１Ｂは、磁性体層１６０Ｂを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２３１Ｂは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１７０Ｂの表面（磁性体層１６０Ｂ側の面）には、コイル導体２２１Ｂが形成されている。コイル導体２２１Ｂは、磁性体層１７０Ｂを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２２１Ｂは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１８０Ｂの表面（磁性体層１７０Ｂ側の面）には、コイル導体２１１Ｂが形成されている。コイル導体２１１Ｂは、磁性体層１７０Ｂを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２１１Ｂは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

ビア導体３１１Ｂ，３１２Ｂ，３１３Ｂ，３２１Ｂ，３２２Ｂ，３２３Ｂ，３３１Ｂ，３３２Ｂ，３３３Ｂ，３４１Ｂ，３４２Ｂ，３４３Ｂは、磁性体層１１０Ｂ−１８０Ｂ、および非磁性体層１０２の所定層を貫通し、積層方向に伸長する導体パターンである。

ビア導体３１１Ｂは、外部接続端子４１１とコイル導体２１１Ｂの一方端Ｅ１１とを接続する。ビア導体３１２Ｂは、コイル導体２１１Ｂの他方端Ｅ１２とコイル導体２１２Ｂの一方端Ｅ１１とを接続する。ビア導体３１３Ｂは、コイル導体２１２Ｂの他方端Ｅ１２と外部接続端子４１２とを接続する。

これにより、コイル導体２１１Ｂ，２１２Ｂ、ビア導体３１１Ｂ，３１２Ｂ，３１３Ｂによって、図７に示す第１のインダクタＬ１Ｂが構成される。第１のインダクタＬ１Ｂは、磁性積層体１００Ｂの積層方向に沿って、コイル導体２１１Ｂ，２１２Ｂの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。

ビア導体３２１Ｂは、外部接続端子４２１とコイル導体２２１Ｂの一方端Ｅ２１とを接続する。ビア導体３２２Ｂは、コイル導体２２１Ｂの他方端Ｅ２２とコイル導体２２２Ｂの一方端Ｅ２１とを接続する。ビア導体３２３Ｂは、コイル導体２２２Ｂの他方端Ｅ２２と外部接続端子４２２とを接続する。

これにより、コイル導体２２１Ｂ，２２２Ｂ、ビア導体３２１Ｂ，３２２Ｂ，３２３Ｂによって、図７に示す第２のインダクタＬ２Ｂが構成される。第２のインダクタＬ２Ｂは、磁性積層体１００Ｂの積層方向に沿って、コイル導体２２１Ｂ，２２２Ｂの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。

ビア導体３３１Ｂは、外部接続端子４３１とコイル導体２３１Ｂの一方端Ｅ３１とを接続する。ビア導体３３２Ｂは、コイル導体２３１Ｂの他方端Ｅ３２とコイル導体２３２Ｂの一方端Ｅ３１とを接続する。ビア導体３３３Ｂは、コイル導体２３２Ｂの他方端Ｅ３２と外部接続端子４３２とを接続する。

これにより、コイル導体２３１Ｂ，２３２Ｂ、ビア導体３３１Ｂ，３３２Ｂ，３３３Ｂによって、図７に示す第３のインダクタＬ３Ｂが構成される。第３のインダクタＬ３Ｂは、磁性積層体１００Ｂの積層方向に沿って、コイル導体２３１Ｂ，２３２Ｂの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。

ビア導体３４１Ｂは、外部接続端子４４１とコイル導体２４１Ｂの一方端Ｅ４１とを接続する。ビア導体３４２Ｂは、コイル導体２４１Ｂの他方端Ｅ４２とコイル導体２４２Ｂの一方端Ｅ４１とを接続する。ビア導体３４３Ｂは、コイル導体２４２Ｂの他方端Ｅ４２と外部接続端子４４２とを接続する。

これにより、コイル導体２４１Ｂ，２４２Ｂ、ビア導体３４１Ｂ，３４２Ｂ，３４３Ｂによって、図７に示す第４のインダクタＬ４Ｂが構成される。第４のインダクタＬ４Ｂは、磁性積層体１００Ｂの積層方向に沿って、コイル導体２４１Ｂ，２４２Ｂの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。

そして、上述の構成を用いることで、第１のインダクタＬ１Ｂを構成するコイル導体２１１Ｂと第２のインダクタＬ２Ｂを構成するコイル導体２２１Ｂとが磁性体層１７０Ｂを挟んで積層方向に隣り合う。第２のインダクタＬ２Ｂを構成するコイル導体２２１Ｂと第３のインダクタＬ３Ｂを構成するコイル導体２３１Ｂとが磁性体層１６０Ｂを挟んで積層方向に隣り合う。第３のインダクタＬ３Ｂを構成するコイル導体２３１Ｂと第４のインダクタＬ４Ｂを構成するコイル導体２４１Ｂとが磁性体層１５０Ｂを挟んで積層方向に隣り合う。第４のインダクタＬ４Ｂを構成するコイル導体２４１Ｂと第１のインダクタＬ１Ｂを構成するコイル導体２１２Ｂとが磁性体層１４０Ｂを挟んで積層方向に隣り合う。

第１のインダクタＬ１Ｂを構成するコイル導体２１２Ｂと第２のインダクタＬ２Ｂを構成するコイル導体２２２Ｂとが磁性体層１３０Ｂを挟んで積層方向に隣り合う。第２のインダクタＬ２Ｂを構成するコイル導体２２２Ｂと第３のインダクタＬ３Ｂを構成するコイル導体２３２Ｂとが磁性体層１２０Ｂを挟んで積層方向に隣り合う。第３のインダクタＬ３Ｂを構成するコイル導体２３２Ｂと第４のインダクタＬ４Ｂを構成するコイル導体２４２Ｂとが磁性体層１１０Ｂを挟んで積層方向に隣り合う。

すなわち、第１のインダクタＬ１Ｂを構成するコイル導体、第２のインダクタＬ２Ｂを構成するコイル導体、第３のインダクタＬ３Ｂを構成するコイル導体、第４のインダクタＬ４Ｂを構成するコイル導体が、積層方向に沿って周期的に配置される。

これにより、第１のインダクタＬ１Ｂを構成するコイル導体と第２のインダクタＬ２Ｂを構成するコイル導体とが磁界結合し、第２のインダクタＬ２Ｂを構成するコイル導体と第３のインダクタＬ３Ｂを構成するコイル導体とが磁界結合し、第３のインダクタＬ３Ｂを構成するコイル導体と第４のインダクタＬ４Ｂを構成するコイル導体とが磁界結合し、第４のインダクタＬ４Ｂを構成するコイル導体と第１のインダクタＬ１Ｂを構成するコイル導体とが磁界結合する。したがって、それぞれ積層方向に隣り合うインダクタ間で、高い磁界結合度を得ることができる。

さらに、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｂ，Ｌ２Ｂ，Ｌ３Ｂ，Ｌ４Ｂの巻回形が、磁性積層体１００Ｂを平面視して略重なり合い、且つ中心軸が略一致するので、より高い磁界結合度を得ることができる。

そして、上述の構成では、外部接続端子４１１，４２１，４３１，４４１側から電流が流れるようにすると、第１のインダクタＬ１Ｂと第２のインダクタＬ２Ｂで発生する磁束は逆方向となる。第２のインダクタＬ２Ｂと第３のインダクタＬ３Ｂで発生する磁束は逆方向となる。第３のインダクタＬ３Ｂと第４のインダクタＬ４Ｂで発生する磁束は逆方向となる。第４のインダクタＬ４Ｂと第１のインダクタＬ１Ｂで発生する磁束は逆方向となる。

これにより、互いに積層方向に隣り合うインダクタ間で発生する磁束は弱め合うので、電流値が高くなることによる磁束の飽和が生じにくい。すなわち、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｂ，Ｌ２Ｂ，Ｌ３Ｂ，Ｌ４Ｂの飽和電流を高くすることができる。これにより、複数のチョークコイルを結合させて利用する場合（マルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータ用のチョークコイルとして利用する場合）に有効である。

次に、本発明の第４の実施形態に係る積層型インダクタ素子について、図を参照して説明する。図９は本発明の第４の実施形態に係る積層型インダクタ素子の等価回路図である。図１０は本発明の第４の実施形態に係る積層型インダクタ素子の分解斜視図である。本実施形態の積層型インダクタ素子１０Ｃは、等価回路的には、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃとの片方の端部が共通外部接続端子４００Ｃに接続されている点で、第３の実施形態の積層型インダクタ素子１０Ｂと異なる。したがって、第３の実施形態に係る積層型インダクタ素子１０Ｂと異なる箇所のみを具体的に説明する。

図９に示すように、第１のインダクタＬ１Ｃは、個別の外部接続端子４１０Ｃと共通外部接続端子４００Ｃとの間に接続されている。第２のインダクタＬ２Ｃは、個別の外部接続端子４２０Ｃと共通外部接続端子４００Ｃとの間に接続されている。第３のインダクタＬ３Ｃは、個別の外部接続端子４３０Ｃと共通外部接続端子４００Ｃとの間に接続されている。第４のインダクタＬ４Ｃは、個別の外部接続端子４４０Ｃと共通外部接続端子４００Ｃとの間に接続されている。

積層型インダクタ素子１０Ｃは、直方体形状からなり、磁性積層体１００Ｃと非磁性体層１０１，１０２を備える。磁性積層体１００Ｃは、磁性体層１１０Ｃ，１２０Ｃ，１３０Ｃ，１４０Ｃ，１５０Ｃ，１６０Ｃ，１７０Ｃ，１８０Ｃ，１９０Ｃを備える。

積層型インダクタ素子１０Ｃの底面、すなわち非磁性体層１０２の底面には、外部接続端子４１０Ｃ，４２０Ｃ，４３０Ｃ，４４０Ｃ、および共通外部接続端子４００Ｃが形成されている。外部接続端子４１０Ｃ，４２０Ｃ，４３０Ｃ，４４０Ｃは、積層型インダクタ素子１０Ｃの底面の四つ角部にそれぞれ形成されている。共通外部接続端子４００Ｃは、外部接続端子４１０Ｃ，４４０Ｃと外部接続端子４２０Ｃ，４３０Ｃとの間に配置されている。より具体的には、磁性積層体１００Ｃにおける第１辺に沿う方向（図１０に示すＸ方向）に沿って、外部接続端子４１０Ｃ，４４０Ｃ、共通外部接続端子４００Ｃ、外部接続端子４２０Ｃ，４３０Ｃの順に配置されている。共通外部接続端子４００Ｃは、Ｘ軸方向の略中央位置に配置されている。

磁性体層１１０Ｃの表面（非磁性体層１０１側の面）には、共通化導体５１０Ｃが形成されている。共通化導体５１０Ｃは、二本の直線導体が所定角で交わる形状からなる。

磁性体層１２０Ｃの表面（磁性体層１１０Ｃ側の面）には、コイル導体２４２Ｃが形成されている。コイル導体２４２Ｃは、磁性体層１２０Ｃを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２４２Ｃは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１３０Ｃの表面（磁性体層１２０Ｃ側の面）には、コイル導体２３２Ｃが形成されている。コイル導体２３２Ｃは、磁性体層１３０Ｃを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２３２Ｃは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１４０Ｃの表面（磁性体層１３０Ｃ側の面）には、コイル導体２２２Ｃが形成されている。コイル導体２２２Ｃは、磁性体層１４０Ｃを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２２２Ｃは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１５０Ｃの表面（磁性体層１４０Ｃ側の面）には、コイル導体２１２Ｃが形成されている。コイル導体２１２Ｃは、磁性体層１５０Ｃを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２１２Ｃは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１６０Ｃの表面（磁性体層１５０Ｃ側の面）には、コイル導体２４１Ｃが形成されている。コイル導体２４１Ｃは、磁性体層１６０Ｃを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２４１Ｃは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１７０Ｃの表面（磁性体層１６０Ｃ側の面）には、コイル導体２３１Ｃが形成されている。コイル導体２３１Ｃは、磁性体層１７０Ｃを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２３１Ｃは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１８０Ｃの表面（磁性体層１７０Ｃ側の面）には、コイル導体２２１Ｃが形成されている。コイル導体２２１Ｃは、磁性体層１８０Ｃを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２２１Ｃは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

磁性体層１９０Ｃの表面（磁性体層１８０Ｃ側の面）には、コイル導体２１１Ｃが形成されている。コイル導体２１１Ｃは、磁性体層１９０Ｃを平面視して巻回形に形成されている。この際、コイル導体２１１Ｃは、全周に亘ってつながるループ状ではなく、その一部が切り離されている。

ビア導体３００Ｃ，３１１Ｃ，３１２Ｃ，３１３Ｃ，３２１Ｃ，３２２Ｃ，３２３Ｃ，３３１Ｃ，３３２Ｃ，３３３Ｃ，３４１Ｃ，３４２Ｃ，３４３Ｃは、磁性体層１１０Ｃ，１２０Ｃ，１３０Ｃ，１４０Ｃ，１５０Ｃ，１６０Ｃ，１７０Ｃ，１８０Ｃ，１９０Ｃ、および非磁性体層１０２の所定層を貫通し、積層方向に伸長する導体パターンである。

ビア導体３１１Ｃは、外部接続端子４１０Ｃとコイル導体２１１Ｃの一方端Ｅ１１とを接続する。ビア導体３１２Ｃは、コイル導体２１１Ｃの他方端Ｅ１２とコイル導体２１２Ｃの一方端Ｅ１１とを接続する。ビア導体３１３Ｃは、コイル導体２１２Ａの他方端Ｅ１２と共通化導体５１０Ｃの端部Ｅ０１とを接続する。

これにより、コイル導体２１１Ｃ，２１２Ｃ、ビア導体３１１Ｃ，３１２Ｃ，３１３Ｃによって、図９に示す第１のインダクタＬ１Ｃが構成される。第１のインダクタＬ１Ｃは、磁性積層体１００Ｃの積層方向に沿って、コイル導体２１１Ｃ，２１２Ｃの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。また、磁性積層体１００Ｃを平面視して、第１のインダクタＬ１Ｃは、コイル導体２１１Ｃ，２１２Ｃの巻回形の中心を原点としたＸ−Ｙ座標形において、外部接続端子４１０Ｃを起点として、角度が−に変化する方向、すなわち時計回りに、伸長する形状となっている。

ビア導体３２１Ｃは、外部接続端子４２０Ｃとコイル導体２２１Ｃの一方端Ｅ２１とを接続する。ビア導体３２２Ｃは、コイル導体２２１Ｃの他方端Ｅ２２とコイル導体２２２Ｃの一方端Ｅ２１とを接続する。ビア導体３２３Ｃは、コイル導体２２２Ｃの他方端Ｅ２２と共通化導体５１０Ｃの端部Ｅ０２とを接続する。

これにより、コイル導体２２１Ｃ，２２２Ｃ、ビア導体３２１Ｃ，３２２Ｃ，３２３Ｃによって、図９に示す第２のインダクタＬ２Ｃが構成される。第２のインダクタＬ２Ｃは、磁性積層体１００Ｃの積層方向に沿って、コイル導体２２１Ｃ，２２２Ｃの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。また、磁性積層体１００Ｃを平面視して、第２のインダクタＬ２Ｃは、コイル導体２２１Ｃ，２２２Ｃの巻回形の中心を原点としたＸ−Ｙ座標形において、外部接続端子４２０Ｃを起点として、角度が＋に変化する方向、すなわち反時計回りに、伸長する形状となっている。

ビア導体３３１Ｃは、外部接続端子４３０Ｃとコイル導体２３１Ｃの一方端Ｅ３１とを接続する。ビア導体３３２Ｃは、コイル導体２３１Ｃの他方端Ｅ３２とコイル導体２３２Ｃの一方端Ｅ３１とを接続する。ビア導体３３３Ｃは、コイル導体２３２Ｃの他方端Ｅ３２と共通化導体５１０Ｃの端部Ｅ０３とを接続する。

これにより、コイル導体２３１Ｃ，２３２Ｃ、ビア導体３３１Ｃ，３３２Ｃ，３３３Ｃによって、図９に示す第３のインダクタＬ３Ｃが構成される。第３のインダクタＬ３Ｃは、磁性積層体１００Ｃの積層方向に沿って、コイル導体２３１Ｃ，２３２Ｃの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。また、磁性積層体１００Ｃを平面視して、第３のインダクタＬ３Ｃは、コイル導体２３１Ｃ，２３２Ｃの巻回形の中心を原点としたＸ−Ｙ座標形において、外部接続端子４３０Ｃを起点として、角度が−に変化する方向、すなわち時計回りに、伸長する形状となっている。

ビア導体３４１Ｃは、外部接続端子４４０Ｃとコイル導体２４１Ｃの一方端Ｅ４１とを接続する。ビア導体３４２Ｃは、コイル導体２４１Ｃの他方端Ｅ４２とコイル導体２４２Ｃの一方端Ｅ４１とを接続する。ビア導体３４３Ｃは、コイル導体２４２Ｃの他方端Ｅ４２と共通化導体５１０Ｃの端部Ｅ０４とを接続する。

これにより、コイル導体２４１Ｃ，２４２Ｃ、ビア導体３４１Ｃ，３４２Ｃ，３４３Ｃによって、図９に示す第４のインダクタＬ４Ｃが構成される。第４のインダクタＬ４Ｃは、磁性積層体１００Ｃの積層方向に沿って、コイル導体２４１Ｃ，２４２Ｃの巻回形の中心位置を通る中心軸を有するインダクタとなる。また、磁性積層体１００Ｃを平面視して、第４のインダクタＬ４Ｃは、コイル導体２４１Ｃ，２４２Ｃの巻回形の中心を原点としたＸ−Ｙ座標形において、外部接続端子４４０Ｃを起点として、角度が＋に変化する方向、すなわち反時計回りに、伸長する形状となっている。

さらに、ビア導体３００Ｃは、共通化導体５１０Ｃの交差点Ｅ００と、共通外部接続端子４００Ｃとを接続する。これにより、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃが共通外部接続端子４００Ｃに接続される。

そして、上述の構成を用いることで、第１のインダクタＬ１Ｃを構成するコイル導体２１１Ｃと第２のインダクタＬ２Ｃを構成するコイル導体２２１Ｃとが磁性体層１８０Ｃを挟んで積層方向に隣り合う。第２のインダクタＬ２Ｃを構成するコイル導体２３１Ｃと第３のインダクタＬ３Ｃを構成するコイル導体２３１Ｃとが磁性体層１７０Ｃを挟んで積層方向に隣り合う。第３のインダクタＬ３Ｃを構成するコイル導体２３１Ｃと第４のインダクタＬ４Ｃを構成するコイル導体２４１Ｃとが磁性体層１６０Ｃを挟んで積層方向に隣り合う。第４のインダクタＬ４Ｃを構成するコイル導体２４１Ｃと第１のインダクタＬ１Ｃを構成するコイル導体２１２Ｃとが磁性体層１５０Ｃを挟んで積層方向に隣り合う。

第１のインダクタＬ１Ｃを構成するコイル導体２１２Ｃと第２のインダクタＬ２Ｃを構成するコイル導体２２２Ｃとが磁性体層１４０Ｃを挟んで積層方向に隣り合う。第２のインダクタＬ２Ｃを構成するコイル導体２２２Ｃと第３のインダクタＬ３Ｃを構成するコイル導体２３２Ｃとが磁性体層１３０Ｃを挟んで積層方向に隣り合う。第３のインダクタＬ３Ｃを構成するコイル導体２３２Ｃと第４のインダクタＬ４Ｃを構成するコイル導体２４２Ｃとが磁性体層１２０Ｃを挟んで積層方向に隣り合う。

すなわち、第１のインダクタＬ１Ｃを構成するコイル導体、第２のインダクタＬ２Ｃを構成するコイル導体、第３のインダクタＬ３Ｃを構成するコイル導体、第４のインダクタＬ４Ｃを構成するコイル導体が、積層方向に沿って周期的に配置される。

これにより、第１のインダクタＬ１Ｃを構成するコイル導体と第２のインダクタＬ２Ｃを構成するコイル導体とが磁界結合し、第２のインダクタＬ２Ｃを構成するコイル導体と第３のインダクタＬ３Ｃを構成するコイル導体とが磁界結合し、第３のインダクタＬ３Ｃを構成するコイル導体と第４のインダクタＬ４Ｃを構成するコイル導体とが磁界結合し、第４のインダクタＬ４Ｃを構成するコイル導体と第１のインダクタＬ１Ｃを構成するコイル導体とが磁界結合する。したがって、それぞれ積層方向に隣り合うインダクタ間で、高い磁界結合度を得ることができる。

さらに、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃの巻回形が、磁性積層体１００Ｂを平面視して略重なり合い、且つ中心軸が略一致するので、より高い磁界結合度を得ることができる。

さらに、上述の構成では、磁性積層体１００Ｃを平面視して、外部接続端子４１０Ｃを起点として共通外部接続端子４００Ｃとを終点とする第１のインダクタＬ１Ｃの巻回方向と、外部接続端子４２０Ｃを起点として共通外部接続端子４００Ｃとを終点とする第２のインダクタＬ２Ｃの巻回方向とが逆になっている。

外部接続端子４２０Ｃを起点として共通外部接続端子４００Ｃとを終点とする第２のインダクタＬ２Ｃの巻回方向と、外部接続端子４３０Ｃを起点として共通外部接続端子４００Ｃとを終点とする第３のインダクタＬ３Ｃの巻回方向とが逆になっている。

外部接続端子４３０Ｃを起点として共通外部接続端子４００Ｃとを終点とする第３のインダクタＬ３Ｃの巻回方向と、外部接続端子４４０Ｃを起点として共通外部接続端子４００Ｃとを終点とする第４のインダクタＬ４Ｃの巻回方向とが逆になっている。

外部接続端子４４０Ｃを起点として共通外部接続端子４００Ｃとを終点とする第４のインダクタＬ４Ｃの巻回方向と、外部接続端子４１０Ｃを起点として共通外部接続端子４００Ｃとを終点とする第１のインダクタＬ１Ｃの巻回方向とが逆になっている。

これにより、外部接続端子４１０Ｃ，４２０Ｃ，４３０Ｃ，４４０Ｃから同じ方向に電流を流すか、共通外部接続端子４００Ｃから電流を流すことにより、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃにおける隣り合うインダクタで発生する磁束は逆方向となる。これにより、隣り合うインダクタで発生する磁束は弱め合うので、電流値が高くなることによる磁束の飽和が生じにくい。すなわち、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃの飽和電流を高くすることができる。これにより、複数のチョークコイルを結合させて利用する場合（マルチフェーズ型ＤＣ−ＤＣコンバータ用のチョークコイルとして利用する場合）に有効である。

さらに、本実施形態の構成では、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃが接続されているので、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃを外部回路で接続する必要が無くなる。

また、さらに、本実施形態の構成では、共通外部接続端子４００Ｃに接続するビア導体３０Ｃが、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃの巻回形の中心軸と略一致する位置に存在するので、第１、第２、第３、第４のインダクタＬ１Ｃ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｃが発生する磁束とビア導体３００Ｃとの干渉を抑圧できる。

１：ＤＣ−ＤＣコンバータ、
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ：積層型インダクタ素子、
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ：磁性積層体、
１１０，１２０，１３０，１４０，１１０Ａ，１２０Ａ，１３０Ａ，１４０Ａ，１５０Ａ，１６０Ａ，１１０Ｂ，１２０Ｂ，１３０Ｂ，１４０Ｂ，１５０Ｂ，１６０Ｂ，１７０Ｂ，１８０Ｂ，１１０Ｃ，１２０Ｃ，１３０Ｃ，１４０Ｃ，１５０Ｃ，１６０Ｃ，１７０Ｃ，１８０Ｃ，１９０Ｃ：磁性体層、
１０１，１０２：非磁性体層、
２１１，２１２，２２１，２２２，２１１Ａ，２１２Ａ，２２１Ａ，２２２Ａ，２１１Ｂ，２１２Ｂ，２２１Ｂ，２２２Ｂ，２３１Ｂ，２３２Ｂ，２４１Ｂ，２４２Ｂ，２１１Ｃ，２１２Ｃ，２２１Ｃ，２２２Ｃ，２３１Ｃ，２３２Ｃ，２４１Ｃ，２４２Ｃ：コイル導体、
３１１，３１２，３１３：３２１，３２２，３２３，３００Ａ，３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａ，３２１Ａ，３２２Ａ，３２３Ａ，３１１Ｂ，３１２Ｂ，３１３Ｂ，３２１Ｂ，３２２Ｂ，３２３Ｂ，３３１Ｂ，３３２Ｂ，３３３Ｂ，３４１Ｂ，３４２Ｂ，３４３Ｂ，３００Ｃ，３１１Ｃ，３１２Ｃ，３１３Ｃ，３２１Ｃ，３２２Ｃ，３２３Ｃ，３３１Ｃ，３３２Ｃ，３３３Ｃ，３４１Ｃ，３４２Ｃ，３４３Ｃ：ビア導体、
４００，４００Ｃ：共通外部接続端子、
４１０，４２０，４１０Ｃ，４２０Ｃ，４３０Ｃ，４４０Ｃ，４１１，４１２，４２１，４２２，４３１，４３２，４４１，４４２：外部接続端子、
５１１，５２１：共通化導体、
９０１：直流電源、
９１１，９１２，９１３，９１４：スイッチ素子、
９２１，９２２：ドライバ回路、
９０３：負荷、
９０４：コントローラ、
Ｃ０：出力コンデンサ、
Ｌ１，Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ２，Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃ，Ｌ３Ｂ，Ｌ３Ｃ，Ｌ４Ｂ，Ｌ４Ｃ：インダクタ、
Ｐｏ１：高電位側出力端子、
Ｐｏ２：低電位側出力端子

Claims (4)

1. 複数の磁性体層が積層された磁性積層体と、
   前記複数の磁性体層の所定層に形成されたコイル導体、および異なる層に設けられたコイル導体を積層方向に沿って導通するビア導体によって形成されるインダクタと、を備え、
   前記インダクタを複数個有する積層型インダクタ素子であって、
   前記コイル導体は、巻回形に形成されており、
   前記複数のインダクタのコイル導体は、前記積層方向に沿った巻回形の中心軸が略一致しており、
   複数のインダクタを構成するコイル導体の各々は、前記積層方向に沿って周期的に配置されており、
   各インダクタを構成するコイル導体は、他のインダクタを構成するコイル導体を挟むように配置されている、積層型インダクタ素子。
2. 前記磁性積層体の積層方向に沿った片側端の層において前記複数のインダクタを接続する共通化導体を備える、請求項１に記載の積層型インダクタ素子。
3. 前記複数のインダクタは、前記コイル導体が積層方向に隣り合うインダクタ間で、電流が流れた際に生じる磁束の向きが逆になるように接続されている、請求項２に記載の積層型インダクタ素子。
4. 前記複数のインダクタにおける前記共通化導体に接続する端部と逆の個別端部に接続する外部接続端子と、
   前記共通化導体に接続する共通外部接続端子と、を磁性積層体の積層方向に沿った片側端の層と反対側の層に備え、
   前記共通化導体と前記共通外部接続端子は、前記巻回形の中心軸と略一致する位置に形成されたビア導体である、請求項２または請求項３に記載の積層型インダクタ素子。

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