JPWO2014097859A1 - Substrate processing apparatus, device manufacturing system, and device manufacturing method - Google Patents
Substrate processing apparatus, device manufacturing system, and device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014097859A1 JPWO2014097859A1 JP2014553056A JP2014553056A JPWO2014097859A1 JP WO2014097859 A1 JPWO2014097859 A1 JP WO2014097859A1 JP 2014553056 A JP2014553056 A JP 2014553056A JP 2014553056 A JP2014553056 A JP 2014553056A JP WO2014097859 A1 JPWO2014097859 A1 JP WO2014097859A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projection
- substrate
- light
- optical system
- projection light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 330
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 394
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 227
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 160
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 42
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 21
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 101100139907 Arabidopsis thaliana RAR1 gene Proteins 0.000 description 53
- 101100028790 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PBS2 gene Proteins 0.000 description 53
- 101100028789 Arabidopsis thaliana PBS1 gene Proteins 0.000 description 47
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 47
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 37
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 101100438010 Arabidopsis thaliana BZIP11 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100424621 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) tub1 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 102100031948 Enhancer of polycomb homolog 1 Human genes 0.000 description 4
- 101000920634 Homo sapiens Enhancer of polycomb homolog 1 Proteins 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 102100031941 Enhancer of polycomb homolog 2 Human genes 0.000 description 2
- 101000920664 Homo sapiens Enhancer of polycomb homolog 2 Proteins 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/24—Curved surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
マスクMからの第1投影光束EL2aを結像して中間像を形成し、中間像が形成される中間像面P7からの第2投影光束EL2bを基板P上に再結像して投影像を形成する投影光学系PLと、第1投影光EL2aから生じる基板P上に投射される漏れ光の光量を低減する光量低減部と、を備え、投影光学系PLは、マスクMからの第1投影光EL2aを結像して、中間像面P7に投射する部分光学系61と、部分光学系61から投射された第1投影光EL2aを中間像面P7に導くと共に、中間像面P7からの第2投影光EL2bを部分光学系61に導く反射光学系62と、を有し、部分光学系61は、中間像面P2からの第2投影光EL2bを再結像して基板P上に投影像を形成する。The first projection light beam EL2a from the mask M is imaged to form an intermediate image, and the second projection light beam EL2b from the intermediate image plane P7 on which the intermediate image is formed is re-imaged on the substrate P to form a projection image. A projection optical system PL to be formed; and a light quantity reduction unit that reduces the quantity of leakage light projected onto the substrate P generated from the first projection light EL2a. The projection optical system PL performs the first projection from the mask M. The partial optical system 61 that forms an image of the light EL2a and projects it onto the intermediate image plane P7, and the first projection light EL2a projected from the partial optical system 61 is guided to the intermediate image plane P7, and the first projection light EL2a from the intermediate image plane P7 A reflection optical system 62 that guides the second projection light EL2b to the partial optical system 61. The partial optical system 61 re-images the second projection light EL2b from the intermediate image plane P2 and projects it onto the substrate P. Form.
Description
本発明は、基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a device manufacturing system, and a device manufacturing method.
従来、基板処理装置として、マスクとプレート(基板)との間に投影光学系を配置した露光装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この投影光学系は、レンズ群、平面反射鏡、2つの偏光ビームスプリッタ、2つの反射鏡、λ/4波長板及び視野絞りを含んで構成されている。この露光装置において、マスクを介して投影光学系に照明されたS偏光の投影光は、一方の偏光ビームスプリッタによって反射される。反射されたS偏光の投影光は、λ/4波長板を通過することで円偏光に変換される。円偏光の投影光は、レンズ群を通って平面反射鏡に反射される。反射された円偏光の投影光は、λ/4波長板を通過することでP偏光に変換される。P偏光の投影光は、他方の偏光ビームスプリッタを透過し、一方の反射鏡に反射される。一方の反射鏡に反射されたP偏光の投影光は、視野絞りにおいて中間像を形成する。視野絞りを通過したP偏光の投影光は、他方の反射鏡に反射されて、再び、一方の偏光ビームスプリッタに入射する。P偏光の投影光は、一方の偏光ビームスプリッタを透過する。透過したP偏光の投影光は、λ/4波長板を通過することで円偏光に変換される。円偏光の投影光は、レンズ群を通って平面反射鏡に反射される。反射された円偏光の投影光は、λ/4波長板を通過することでS偏光に変換される。S偏光の投影光は、他方の偏光ビームスプリッタに反射され、プレート上に達する。 Conventionally, an exposure apparatus in which a projection optical system is disposed between a mask and a plate (substrate) is known as a substrate processing apparatus (see, for example, Patent Document 1). This projection optical system includes a lens group, a plane reflecting mirror, two polarizing beam splitters, two reflecting mirrors, a λ / 4 wavelength plate, and a field stop. In this exposure apparatus, the S-polarized projection light illuminated on the projection optical system via the mask is reflected by one polarization beam splitter. The reflected S-polarized projection light is converted into circularly polarized light by passing through the λ / 4 wavelength plate. The circularly polarized projection light is reflected by the plane reflecting mirror through the lens group. The reflected circularly polarized projection light is converted into P-polarized light by passing through the λ / 4 wavelength plate. The P-polarized projection light passes through the other polarizing beam splitter and is reflected by one reflecting mirror. The P-polarized projection light reflected by one of the reflecting mirrors forms an intermediate image at the field stop. The P-polarized projection light that has passed through the field stop is reflected by the other reflecting mirror and again enters one polarizing beam splitter. The P-polarized projection light passes through one polarization beam splitter. The transmitted P-polarized projection light is converted into circularly polarized light by passing through the λ / 4 wavelength plate. The circularly polarized projection light is reflected by the plane reflecting mirror through the lens group. The reflected circularly polarized projection light is converted to S-polarized light by passing through the λ / 4 wavelength plate. The S-polarized projection light is reflected by the other polarization beam splitter and reaches the plate.
ここで、偏光ビームスプリッタにおいて反射及び透過した投影光は、その一部が漏れ光となる。つまり、偏光ビームスプリッタにおいて反射される投影光の一部が分離し、分離した投影光の一部が漏れ光となって偏光ビームスプリッタを透過したり、または、偏光ビームスプリッタにおいて透過される投影光の一部が分離し、分離した投影光の一部が漏れ光となって偏光ビームスプリッタで反射されたりする。この場合、漏れ光が基板上において結像することにより、基板上に不良像が形成される可能性がある。この場合、基板上において、投影光により投影像が形成され、漏れ光により不良像が形成されることから、2重露光となってしまう可能性がある。 Here, a part of the projection light reflected and transmitted by the polarization beam splitter becomes leakage light. In other words, a part of the projection light reflected by the polarization beam splitter is separated, and a part of the separated projection light is leaked and transmitted through the polarization beam splitter, or the projection light transmitted by the polarization beam splitter. Is separated, and a part of the separated projection light becomes reflected light and is reflected by the polarization beam splitter. In this case, there is a possibility that a defective image is formed on the substrate due to leakage light forming an image on the substrate. In this case, a projection image is formed by projection light on the substrate, and a defective image is formed by leakage light, which may result in double exposure.
本発明の態様は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、基板上に形成される投影像に対する漏れ光の影響を低減し、基板上に投影像を好適に投影することができる基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法を提供することにある。 An aspect of the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to reduce the influence of leakage light on a projected image formed on a substrate and to appropriately project the projected image on the substrate. The present invention provides a substrate processing apparatus, a device manufacturing system, and a device manufacturing method.
本発明の第1の態様に従えば、マスク部材のパターンからの第1投影光によって、所定の中間像面に前記パターンの中間像を形成する投影光学系であって、前記中間像面から所定の基板に進む第2投影光が再び前記投影光学系を通るように折り返すことによって、前記基板上に前記中間像が再結像した投影像を形成する投影光学系と、前記第1投影光の一部が漏れ光として前記基板上に投射される光量を低減する光量低減部と、を備え、前記投影光学系は、前記パターンからの前記第1投影光を入射して、前記中間像を形成する部分光学系と、前記部分光学系から射出された前記第1投影光を前記中間像面に導くと共に、前記中間像面からの前記第2投影光を再び前記部分光学系に導く導光光学系と、を有し、前記部分光学系は、前記中間像面からの前記第2投影光を再結像して前記基板上に前記投影像を形成する基板処理装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a projection optical system that forms an intermediate image of the pattern on a predetermined intermediate image plane by using the first projection light from the pattern of the mask member, and the predetermined optical image is generated from the intermediate image plane. The second projection light traveling to the substrate is folded back so as to pass through the projection optical system, thereby forming a projection optical system that forms a projection image in which the intermediate image is re-imaged on the substrate; and the first projection light A light amount reduction unit that reduces the amount of light that is partially projected as leakage light onto the substrate, and the projection optical system forms the intermediate image by entering the first projection light from the pattern A partial optical system that guides the first projection light emitted from the partial optical system to the intermediate image plane, and guides the second projection light from the intermediate image plane to the partial optical system again. And the partial optical system includes the intermediate image. A substrate processing apparatus for forming the projected image and the second by re-imaging the projected light onto the substrate from is provided.
本発明の第2の態様に従えば、本発明の第1の態様に係る基板処理装置と、前記基板処理装置に前記基板を供給する基板供給装置と、を備えるデバイス製造システムが提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing system comprising a substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, and a substrate supply apparatus that supplies the substrate to the substrate processing apparatus.
本発明の第3の態様に従えば、本発明の第1の態様に係る基板処理装置を用いて前記基板に投影露光をすることと、投影露光された前記基板を処理することにより、前記マスク部材のパターンを形成することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to the third aspect of the present invention, the mask is obtained by performing projection exposure on the substrate using the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, and processing the projection-exposed substrate. Forming a pattern of members.
本発明の態様によれば、基板上に投射される漏れ光の光量を低減し、基板上に投影像を好適に投影することができる基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法を提供することができる。 According to the aspects of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus, a device manufacturing system, and a device manufacturing method capable of reducing the amount of leakage light projected on a substrate and suitably projecting a projection image on the substrate. Can do.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the constituent elements described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions, or changes of the components can be made without departing from the gist of the present invention.
[第1実施形態]
第1実施形態の基板処理装置は、基板に露光処理を施す露光装置であり、露光装置は、露光後の基板に各種処理を施してデバイスを製造するデバイス製造システムに組み込まれている。先ず、デバイス製造システムについて説明する。[First Embodiment]
The substrate processing apparatus of the first embodiment is an exposure apparatus that performs an exposure process on a substrate, and the exposure apparatus is incorporated in a device manufacturing system that manufactures a device by performing various processes on a substrate after exposure. First, a device manufacturing system will be described.
<デバイス製造システム>
図1は、第1実施形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。図1に示すデバイス製造システム1は、デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレーを製造するライン(フレキシブル・ディスプレー製造ライン)である。フレキシブル・ディスプレーとしては、例えば有機ELディスプレー等がある。このデバイス製造システム1は、可撓性の基板Pをロール状に巻回した供給用ロールFR1から、該基板Pが送り出され、送り出された基板Pに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Pを可撓性のデバイスとして回収用ロールFR2に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll)方式となっている。第1実施形態のデバイス製造システム1では、フィルム状のシートである基板Pが供給用ロールFR1から送り出され、供給用ロールFR1から送り出された基板Pが、順次、n台の処理装置U1,U2,U3,U4,U5,…Unを経て、回収用ロールFR2に巻き取られるまでの例を示している。先ず、デバイス製造システム1の処理対象となる基板Pについて説明する。<Device manufacturing system>
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a device manufacturing system according to the first embodiment. A device manufacturing system 1 shown in FIG. 1 is a line (flexible display manufacturing line) for manufacturing a flexible display as a device. Examples of the flexible display include an organic EL display. The device manufacturing system 1 is configured such that the substrate P is sent out from a supply roll FR1 obtained by winding the flexible substrate P in a roll shape, and various processes are continuously performed on the sent out substrate P. In addition, a so-called roll-to-roll method is adopted in which the substrate P after processing is wound as a flexible device on a collecting roll FR2. In the device manufacturing system 1 according to the first embodiment, a substrate P that is a film-like sheet is sent out from the supply roll FR1, and the substrates P sent out from the supply roll FR1 are sequentially supplied to n processing apparatuses U1, U2. , U3, U4, U5,..., Un, and the winding roll FR2 is shown as an example. First, the board | substrate P used as the process target of the device manufacturing system 1 is demonstrated.
基板Pは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属または合金からなる箔(フォイル)等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち1または2以上を含んでいる。 For the substrate P, for example, a foil (foil) made of a metal or an alloy such as a resin film or stainless steel is used. Examples of the material of the resin film include polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, and vinyl acetate resin. Includes one or more.
基板Pは、例えば、基板Pに施される各種処理において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定することが望ましい。熱膨張係数は、例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって、プロセス温度等に応じた閾値よりも小さく設定されていてもよい。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等でもよい。また、基板Pは、フロート法等で製造された厚さ100μm程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、箔等を貼り合わせた積層体であってもよい。 As the substrate P, for example, it is desirable to select a substrate whose thermal expansion coefficient is not remarkably large so that deformation amounts due to heat received in various processes applied to the substrate P can be substantially ignored. The thermal expansion coefficient may be set smaller than a threshold corresponding to the process temperature or the like, for example, by mixing an inorganic filler with a resin film. The inorganic filler may be, for example, titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide or the like. The substrate P may be a single layer of ultrathin glass having a thickness of about 100 μm manufactured by a float process or the like, or a laminate in which the above resin film, foil, or the like is bonded to the ultrathin glass. It may be.
このように構成された基板Pは、ロール状に巻回されることで供給用ロールFR1となり、この供給用ロールFR1が、デバイス製造システム1に装着される。供給用ロールFR1が装着されたデバイス製造システム1は、デバイスを製造するための各種の処理を、供給用ロールFR1から送り出される基板Pに対して繰り返し実行する。このため、処理後の基板Pは、複数のデバイスが連なった状態となる。つまり、供給用ロールFR1から送り出される基板Pは、多面取り用の基板となっている。なお、基板Pは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングの為の微細な隔壁構造(凹凸構造)を形成したものでもよい。 The substrate P thus configured becomes a supply roll FR1 by being wound in a roll shape, and this supply roll FR1 is mounted on the device manufacturing system 1. The device manufacturing system 1 on which the supply roll FR1 is mounted repeatedly executes various processes for manufacturing devices on the substrate P sent out from the supply roll FR1. For this reason, the processed substrate P is in a state where a plurality of devices are connected. That is, the substrate P sent out from the supply roll FR1 is a multi-sided substrate. The substrate P may be activated by modifying the surface in advance by a predetermined pretreatment, or may be formed with a fine partition structure (uneven structure) for precise patterning on the surface.
処理後の基板Pは、ロール状に巻回されることで回収用ロールFR2として回収される。回収用ロールFR2は、図示しないダイシング装置に装着される。回収用ロールFR2が装着されたダイシング装置は、処理後の基板Pを、デバイスごとに分割(ダイシング)することで、複数個のデバイスにする。基板Pの寸法は、例えば、幅方向(短尺となる方向)の寸法が10cm〜2m程度であり、長さ方向(長尺となる方向)の寸法が10m以上である。なお、基板Pの寸法は、上記した寸法に限定されない。 The processed substrate P is recovered as a recovery roll FR2 by being wound into a roll. The collection roll FR2 is attached to a dicing device (not shown). The dicing apparatus to which the collection roll FR2 is mounted divides the processed substrate P for each device (dicing) to form a plurality of devices. Regarding the dimensions of the substrate P, for example, the dimension in the width direction (short direction) is about 10 cm to 2 m, and the dimension in the length direction (long direction) is 10 m or more. In addition, the dimension of the board | substrate P is not limited to an above-described dimension.
引き続き、図1を参照し、デバイス製造システムについて説明する。図1では、X方向、Y方向及びZ方向が直交する直交座標系となっている。X方向は、水平面内において供給用ロールFR1及び回収用ロールFR2を結ぶ方向である。Y方向は、水平面内においてX方向に直交する方向である。Y方向は、供給用ロールFR1及び回収用ロールFR2の軸方向となっている。Z方向は、X方向とY方向とに直交する方向(鉛直方向)である。 The device manufacturing system will be described with reference to FIG. In FIG. 1, an orthogonal coordinate system in which the X direction, the Y direction, and the Z direction are orthogonal to each other is shown. The X direction is a direction in which the supply roll FR1 and the recovery roll FR2 are connected in a horizontal plane. The Y direction is a direction orthogonal to the X direction in the horizontal plane. The Y direction is the axial direction of the supply roll FR1 and the recovery roll FR2. The Z direction is a direction (vertical direction) orthogonal to the X direction and the Y direction.
デバイス製造システム1は、基板Pを供給する基板供給装置2と、基板供給装置2によって供給された基板Pに対して各種処理を施す処理装置U1〜Unと、処理装置U1〜Unによって処理が施された基板Pを回収する基板回収装置4と、デバイス製造システム1の各装置を制御する上位制御装置5とを備える。
The device manufacturing system 1 includes a
基板供給装置2には、供給用ロールFR1が回転可能に装着される。基板供給装置2は、装着された供給用ロールFR1から基板Pを送り出す駆動ローラR1と、基板Pの幅方向(Y方向)における位置を調整するエッジポジションコントローラEPC1とを有する。駆動ローラR1は、基板Pの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Pを供給用ロールFR1から回収用ロールFR2へ向かう搬送方向に送り出すことで、基板Pを処理装置U1〜Unに供給する。このとき、エッジポジションコントローラEPC1は、基板Pの幅方向の端部(エッジ)における位置が、目標位置に対して±十数μm〜数十μm程度の範囲に収まるように、基板Pを幅方向に移動させて、基板Pの幅方向における位置を修正する。
A supply roll FR1 is rotatably mounted on the
基板回収装置4には、回収用ロールFR2が回転可能に装着される。基板回収装置4は、処理後の基板Pを回収用ロールFR2側に引き寄せる駆動ローラR2と、基板Pの幅方向(Y方向)における位置を調整するエッジポジションコントローラEPC2とを有する。基板回収装置4は、駆動ローラR2により基板Pの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Pを搬送方向に引き寄せると共に、回収用ロールFR2を回転させることで、基板Pを巻き上げる。このとき、エッジポジションコントローラEPC2は、エッジポジションコントローラEPC1と同様に構成され、基板Pの幅方向の端部(エッジ)が幅方向においてばらつかないように、基板Pの幅方向における位置を修正する。 A recovery roll FR2 is rotatably mounted on the substrate recovery apparatus 4. The substrate recovery apparatus 4 includes a drive roller R2 that draws the processed substrate P toward the recovery roll FR2, and an edge position controller EPC2 that adjusts the position of the substrate P in the width direction (Y direction). The substrate collection device 4 rotates while sandwiching the front and back surfaces of the substrate P by the driving roller R2, pulls the substrate P in the transport direction, and rotates the collection roll FR2, thereby winding the substrate P. At this time, the edge position controller EPC2 is configured in the same manner as the edge position controller EPC1, and corrects the position in the width direction of the substrate P so that the end portion (edge) in the width direction of the substrate P does not vary in the width direction. .
処理装置U1は、基板供給装置2から供給された基板Pの表面に感光性機能液を塗布する塗布装置である。感光性機能液としては、例えば、フォトレジスト、感光性シランカップリング材、UV硬化樹脂液、その他の感光性メッキ触媒用の溶液等が用いられる。処理装置U1は、基板Pの搬送方向の上流側から順に、塗布機構Gp1と乾燥機構Gp2とが設けられている。塗布機構Gp1は、基板Pが巻き付けられる圧胴ローラDR1と、圧胴ローラDR1に対向する塗布ローラDR2とを有する。塗布機構Gp1は、供給された基板Pを圧胴ローラDR1に巻き付けた状態で、圧胴ローラDR1及び塗布ローラDR2により基板Pを挟持する。そして、塗布機構Gp1は、圧胴ローラDR1及び塗布ローラDR2を回転させることで、基板Pを搬送方向に移動させながら、塗布ローラDR2により感光性機能液を塗布する。乾燥機構Gp2は、熱風またはドライエアー等の乾燥用エアーを吹き付け、感光性機能液に含まれる溶質(溶剤または水)を除去し、感光性機能液が塗布された基板Pを乾燥させることで、基板P上に感光性機能層を形成する。
The processing device U1 is a coating device that applies a photosensitive functional liquid to the surface of the substrate P supplied from the
処理装置U2は、基板Pの表面に形成された感光性機能層を安定にすべく、処理装置U1から搬送された基板Pを所定温度(例えば、数10〜120℃程度)まで加熱する加熱装置である。処理装置U2は、基板Pの搬送方向の上流側から順に、加熱チャンバHA1と冷却チャンバHA2とが設けられている。加熱チャンバHA1は、その内部に複数のローラ及び複数のエア・ターンバーが設けられており、複数のローラ及び複数のエア・ターンバーは、基板Pの搬送経路を構成している。複数のローラは、基板Pの裏面に転接して設けられ、複数のエア・ターンバーは、基板Pの表面側に非接触状態で設けられる。複数のローラ及び複数のエア・ターンバーは、基板Pの搬送経路を長くすべく、蛇行状の搬送経路となる配置になっている。加熱チャンバHA1内を通る基板Pは、蛇行状の搬送経路に沿って搬送されながら所定温度まで加熱される。冷却チャンバHA2は、加熱チャンバHA1で加熱された基板Pの温度が、後工程(処理装置U3)の環境温度と揃うようにすべく、基板Pを環境温度まで冷却する。冷却チャンバHA2は、その内部に複数のローラが設けられ、複数のローラは、加熱チャンバHA1と同様に、基板Pの搬送経路を長くすべく、蛇行状の搬送経路となる配置になっている。冷却チャンバHA2内を通る基板Pは、蛇行状の搬送経路に沿って搬送されながら冷却される。冷却チャンバHA2の搬送方向における下流側には、駆動ローラR3が設けられ、駆動ローラR3は、冷却チャンバHA2を通過した基板Pを挟持しながら回転することで、基板Pを処理装置U3へ向けて供給する。 The processing device U2 heats the substrate P transported from the processing device U1 to a predetermined temperature (for example, about several tens to 120 ° C.) in order to stabilize the photosensitive functional layer formed on the surface of the substrate P. It is. The processing apparatus U2 is provided with a heating chamber HA1 and a cooling chamber HA2 in order from the upstream side in the transport direction of the substrate P. The heating chamber HA1 is provided with a plurality of rollers and a plurality of air turn bars therein, and the plurality of rollers and the plurality of air turn bars constitute a transport path for the substrate P. The plurality of rollers are provided in rolling contact with the back surface of the substrate P, and the plurality of air turn bars are provided in a non-contact state on the surface side of the substrate P. The plurality of rollers and the plurality of air turn bars are arranged to form a meandering transport path so as to lengthen the transport path of the substrate P. The substrate P passing through the heating chamber HA1 is heated to a predetermined temperature while being transported along a meandering transport path. The cooling chamber HA2 cools the substrate P to the environmental temperature so that the temperature of the substrate P heated in the heating chamber HA1 matches the environmental temperature of the subsequent process (processing apparatus U3). The cooling chamber HA2 is provided with a plurality of rollers, and the plurality of rollers are arranged in a meandering manner in order to lengthen the conveyance path of the substrate P, similarly to the heating chamber HA1. The substrate P passing through the cooling chamber HA2 is cooled while being transferred along a meandering transfer path. A driving roller R3 is provided on the downstream side in the transport direction of the cooling chamber HA2, and the driving roller R3 rotates while sandwiching the substrate P that has passed through the cooling chamber HA2, thereby moving the substrate P toward the processing apparatus U3. Supply.
処理装置(基板処理装置)U3は、処理装置U2から供給された、表面に感光性機能層が形成された基板(感光基板)Pに対して、ディスプレー用の回路または配線等のパターンを投影露光する露光装置である。詳細は後述するが、処理装置U3は、反射型のマスクMに照明光束を照明し、照明光束がマスクMにより反射されることで得られる投影光束を基板Pに投影露光する。処理装置U3は、処理装置U2から供給された基板Pを搬送方向の下流側に送る駆動ローラR4と、基板Pの幅方向(Y方向)における位置を調整するエッジポジションコントローラEPC3とを有する。駆動ローラR4は、基板Pの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Pを搬送方向の下流側に送り出すことで、基板Pを露光位置へ向けて供給する。エッジポジションコントローラEPC3は、エッジポジションコントローラEPC1と同様に構成され、露光位置における基板Pの幅方向が目標位置となるように、基板Pの幅方向における位置を修正する。また、処理装置U3は、露光後の基板Pにたるみを与えた状態で、基板Pを搬送方向の下流側へ送る2組の駆動ローラR5、R6を有する。2組の駆動ローラR5、R6は、基板Pの搬送方向に所定の間隔を空けて配置されている。駆動ローラR5は、搬送される基板Pの上流側を挟持して回転し、駆動ローラR6は、搬送される基板Pの下流側を挟持して回転することで、基板Pを処理装置U4へ向けて供給する。このとき、基板Pは、たるみが与えられているため、駆動ローラR6よりも搬送方向の下流側において生ずる搬送速度の変動を吸収でき、搬送速度の変動による基板Pへの露光処理の影響を縁切りすることができる。また、処理装置U3内には、マスクMのマスクパターンの一部分の像と基板Pとを相対的に位置合せ(アライメント)する為に、基板Pに予め形成されたアライメントマーク等を検出するアライメント顕微鏡AM1、AM2が設けられている。 The processing apparatus (substrate processing apparatus) U3 projects and exposes a pattern such as a circuit for display or wiring on the substrate (photosensitive substrate) P having a photosensitive functional layer formed on the surface supplied from the processing apparatus U2. Exposure apparatus. Although details will be described later, the processing device U3 illuminates the reflective mask M with the illumination light beam, and projects and exposes the projection light beam obtained by the illumination light beam being reflected by the mask M onto the substrate P. The processing apparatus U3 includes a driving roller R4 that sends the substrate P supplied from the processing apparatus U2 to the downstream side in the transport direction, and an edge position controller EPC3 that adjusts the position of the substrate P in the width direction (Y direction). The drive roller R4 rotates while pinching both front and back surfaces of the substrate P, and feeds the substrate P toward the exposure position by sending the substrate P downstream in the transport direction. The edge position controller EPC3 is configured in the same manner as the edge position controller EPC1, and corrects the position in the width direction of the substrate P so that the width direction of the substrate P at the exposure position becomes the target position. Further, the processing apparatus U3 includes two sets of drive rollers R5 and R6 that send the substrate P to the downstream side in the transport direction in a state in which the substrate P after exposure is slackened. The two sets of drive rollers R5 and R6 are arranged at a predetermined interval in the transport direction of the substrate P. The driving roller R5 rotates while sandwiching the upstream side of the substrate P to be transported, and the driving roller R6 rotates while sandwiching the downstream side of the substrate P to be transported, thereby directing the substrate P toward the processing apparatus U4. Supply. At this time, since the substrate P is slack, it is possible to absorb fluctuations in the conveyance speed that occur downstream in the conveyance direction with respect to the driving roller R6, and to eliminate the influence of the exposure process on the substrate P due to fluctuations in the conveyance speed. can do. In addition, in the processing apparatus U3, an alignment microscope that detects an alignment mark or the like formed in advance on the substrate P in order to relatively align (align) a partial image of the mask pattern of the mask M with the substrate P. AM1 and AM2 are provided.
処理装置U4は、処理装置U3から搬送された露光後の基板Pに対して、湿式による現像処理、無電解メッキ処理等を行なう湿式処理装置である。処理装置U4は、その内部に、鉛直方向(Z方向)に階層化された3つの処理槽BT1、BT2、BT3と、基板Pを搬送する複数のローラとを有する。複数のローラは、3つの処理槽BT1、BT2、BT3の内部を、基板Pが順に通過する搬送経路となるように配置される。処理槽BT3の搬送方向における下流側には、駆動ローラR7が設けられ、駆動ローラR7は、処理槽BT3を通過した基板Pを挟持しながら回転することで、基板Pを処理装置U5へ向けて供給する。 The processing apparatus U4 is a wet processing apparatus that performs wet development processing, electroless plating processing, and the like on the exposed substrate P conveyed from the processing apparatus U3. The processing apparatus U4 has three processing tanks BT1, BT2, and BT3 that are hierarchized in the vertical direction (Z direction) and a plurality of rollers that transport the substrate P therein. The plurality of rollers are arranged so as to serve as a conveyance path through which the substrate P sequentially passes through the three processing tanks BT1, BT2, and BT3. A driving roller R7 is provided on the downstream side in the transport direction of the processing tank BT3. The driving roller R7 rotates while sandwiching the substrate P that has passed through the processing tank BT3, so that the substrate P is directed toward the processing apparatus U5. Supply.
図示は省略するが、処理装置U5は、処理装置U4から搬送された基板Pを乾燥させる乾燥装置である。処理装置U5は、処理装置U4において湿式処理された基板Pに付着する水分含有量を、所定の水分含有量に調整する。処理装置U5により乾燥された基板Pは、幾つかの処理装置を経て、処理装置Unに搬送される。そして、処理装置Unで処理された後、基板Pは、基板回収装置4の回収用ロールFR2に巻き上げられる。 Although illustration is omitted, the processing apparatus U5 is a drying apparatus that dries the substrate P transported from the processing apparatus U4. The processing apparatus U5 adjusts the moisture content adhering to the substrate P wet-processed in the processing apparatus U4 to a predetermined moisture content. The substrate P dried by the processing apparatus U5 is transferred to the processing apparatus Un through several processing apparatuses. Then, after being processed by the processing device Un, the substrate P is wound up on the recovery roll FR2 of the substrate recovery device 4.
上位制御装置5は、基板供給装置2、基板回収装置4及び複数の処理装置U1〜Unを統括制御する。上位制御装置5は、基板供給装置2及び基板回収装置4を制御して、基板Pを基板供給装置2から基板回収装置4へ向けて搬送させる。また、上位制御装置5は、基板Pの搬送に同期させながら、複数の処理装置U1〜Unを制御して、基板Pに対する各種処理を実行させる。
The
<露光装置(基板処理装置)>
次に、第1実施形態の処理装置U3としての露光装置(基板処理装置)の構成について、図2から図4を参照して説明する。図2は、第1実施形態の露光装置(基板処理装置)の全体構成を示す図である。図3は、図2に示す露光装置の照明領域及び投影領域の配置を示す図である。図4は、図2に示す露光装置の照明光学系及び投影光学系の構成を示す図である。<Exposure device (substrate processing device)>
Next, the configuration of an exposure apparatus (substrate processing apparatus) as the processing apparatus U3 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a view showing the overall configuration of the exposure apparatus (substrate processing apparatus) of the first embodiment. FIG. 3 is a view showing the arrangement of illumination areas and projection areas of the exposure apparatus shown in FIG. FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the illumination optical system and the projection optical system of the exposure apparatus shown in FIG.
図2に示す露光装置U3は、いわゆる走査露光装置であり、基板Pを搬送方向(走査方向)に搬送しながら、円筒状のマスクMの外周面に形成されたマスクパターンの像を、基板Pの表面に投影露光する。なお、図2及び図3では、X方向、Y方向及びZ方向が直交する直交座標系となっており、図1と同様の直交座標系となっている。 An exposure apparatus U3 shown in FIG. 2 is a so-called scanning exposure apparatus, and transfers an image of a mask pattern formed on the outer peripheral surface of a cylindrical mask M while transporting the substrate P in the transport direction (scanning direction). Projection exposure is performed on the surface. 2 and 3, an orthogonal coordinate system in which the X direction, the Y direction, and the Z direction are orthogonal to each other is the same as that in FIG. 1.
先ず、露光装置U3に用いられるマスク(マスク部材)Mについて説明する。マスクMは、例えば金属製の円筒体を用いた反射型のマスクとなっている。マスクMは、Y方向に延びる第1軸AX1を中心とする曲率半径Rmとなる外周面(円周面)を有する円筒体に形成され、径方向に一定の肉厚を有している。マスクMの円周面は、所定のマスクパターン(パターン)が形成されたマスク面(パターン面)P1となっている。マスク面P1は、所定方向に光束を高い効率で反射する高反射部と、所定方向に光束を反射しないまたは低い効率で反射する反射抑制部とを含み、マスクパターンは、高反射部及び反射抑制部により形成されている。このようなマスクMは、金属製の円筒体であることから、安価に作成することができ、高精度なレーザビーム描画装置を用いることで、マスクパターン(パネル用の各種パターンの他に、位置合せ用の基準マーク、エンコーダ計測用のスケール等を含むこともある)を円筒状の外周面に精密に形成することができる。 First, the mask (mask member) M used in the exposure apparatus U3 will be described. The mask M is a reflective mask using, for example, a metal cylinder. The mask M is formed in a cylindrical body having an outer peripheral surface (circumferential surface) having a curvature radius Rm with the first axis AX1 extending in the Y direction as the center, and has a constant thickness in the radial direction. The circumferential surface of the mask M is a mask surface (pattern surface) P1 on which a predetermined mask pattern (pattern) is formed. The mask surface P1 includes a high reflection portion that reflects the light beam in a predetermined direction with high efficiency and a reflection suppression portion that does not reflect the light beam in the predetermined direction or reflects with low efficiency, and the mask pattern includes the high reflection portion and the reflection suppression. It is formed by the part. Since such a mask M is a cylindrical body made of metal, it can be manufactured at low cost. By using a high-precision laser beam drawing apparatus, a mask pattern (in addition to various patterns for a panel, position (Including a reference mark for alignment, a scale for encoder measurement, etc.) can be precisely formed on the cylindrical outer peripheral surface.
なお、マスクMは、1個の表示デバイスに対応するパネル用パターンの全体または一部が形成されていてもよいし、複数個の表示デバイスに対応するパネル用パターンが形成されていてもよい。また、マスクMには、パネル用パターンが第1軸AX1の周りの周方向に繰り返し複数個形成されていてもよいし、小型のパネル用パターンが第1軸AX1に平行な方向に繰り返し複数形成されていてもよい。さらに、マスクMは、第1の表示デバイスのパネル用パターンと、第1の表示デバイスとサイズ等が異なる第2の表示デバイスのパネル用パターンとが形成されていてもよい。また、マスクMは、第1軸AX1を中心とする曲率半径Rmとなる円周面を有していればよく、円筒体の形状に限定されない。例えば、マスクMは、円周面を有する円弧状の板材であってもよい。また、マスクMは薄板状であってもよく、薄板状のマスクMを湾曲させて、円周面を有するようにしてもよい。 Note that the mask M may be formed with all or part of the panel pattern corresponding to one display device, or may be formed with panel patterns corresponding to a plurality of display devices. Further, a plurality of panel patterns may be repeatedly formed in the circumferential direction around the first axis AX1, or a plurality of small panel patterns may be repeatedly formed in a direction parallel to the first axis AX1. May be. Further, the mask M may be formed with a panel pattern for the first display device and a panel pattern for the second display device having a size different from that of the first display device. Moreover, the mask M should just have the circumferential surface used as the curvature radius Rm centering on 1st axis | shaft AX1, and is not limited to the shape of a cylindrical body. For example, the mask M may be a circular arc plate having a circumferential surface. Further, the mask M may be a thin plate, or the thin plate mask M may be curved to have a circumferential surface.
次に、図2に示す露光装置U3について説明する。露光装置U3は、上記した駆動ローラR4〜R6、エッジポジションコントローラEPC3及びアライメント顕微鏡AM1、AM2の他に、マスク保持機構11と、基板支持機構12と、照明光学系ILと、投影光学系PLと、下位制御装置16とを有する。露光装置U3は、光源装置13から射出された照明光束EL1を、照明光学系IL及び投影光学系PLで案内することで、マスク保持機構11で保持したマスクMのマスクパターンの像を、基板支持機構12で支持した基板Pに投射する。
Next, the exposure apparatus U3 shown in FIG. 2 will be described. In addition to the driving rollers R4 to R6, the edge position controller EPC3, and the alignment microscopes AM1 and AM2, the exposure apparatus U3 includes a
下位制御装置16は、露光装置U3の各部を制御し、各部に処理を実行させる。下位制御装置16は、デバイス製造システム1の上位制御装置5の一部または全部であってもよい。また、下位制御装置16は、上位制御装置5に制御され、上位制御装置5とは別の装置であってもよい。下位制御装置16は、例えば、コンピュータを含む。
The
マスク保持機構11は、マスクMを保持するマスク保持ドラム(マスク保持部材)21と、マスク保持ドラム21を回転させる第1駆動部22とを有している。マスク保持ドラム21は、マスクMの第1軸AX1が回転中心となるようにマスクMを保持する。第1駆動部22は、下位制御装置16に接続され、第1軸AX1を回転中心にマスク保持ドラム21を回転させる。
The
なお、マスク保持機構11は、円筒体のマスクMをマスク保持ドラム21で保持したが、この構成に限らない。マスク保持機構11は、マスク保持ドラム21の外周面に倣って薄板状のマスクMを巻き付けて保持してもよい。また、マスク保持機構11は、円弧状に湾曲した板材の表面にパターンを形成したマスクMをマスク保持ドラム21の外周面において保持してもよい。
The
基板支持機構12は、基板Pを支持する基板支持ドラム25と、基板支持ドラム25を回転させる第2駆動部26と、一対のエア・ターンバーATB1、ATB2と、一対のガイドローラ27、28とを有している。基板支持ドラム25は、Y方向に延びる第2軸AX2を中心とする曲率半径Rfaとなる外周面(円周面)を有する円筒形状に形成されている。ここで、第1軸AX1と第2軸AX2とは互いに平行になっており、第1軸AX1及び第2軸AX2を通る面を中心面CLとしている。基板支持ドラム25の円周面の一部は、基板Pを支持する支持面P2となっている。つまり、基板支持ドラム25は、その支持面P2に基板Pが巻き付けられることで、基板Pを支持する。第2駆動部26は、下位制御装置16に接続され、第2軸AX2を回転中心に基板支持ドラム25を回転させる。一対のエア・ターンバーATB1,ATB2は、基板支持ドラム25を挟んで、基板Pの搬送方向の上流側及び下流側にそれぞれ設けられている。一対のエア・ターンバーATB1,ATB2は、基板Pの表面側に設けられ、鉛直方向(Z方向)において基板支持ドラム25の支持面P2よりも下方側に配置されている。一対のガイドローラ27、28は、一対のエア・ターンバーATB1,ATB2を挟んで、基板Pの搬送方向の上流側及び下流側にそれぞれ設けられている。一対のガイドローラ27、28は、その一方のガイドローラ27が駆動ローラR4から搬送された基板Pをエア・ターンバーATB1に案内し、その他方のガイドローラ28がエア・ターンバーATB2から搬送された基板Pを駆動ローラR5に案内する。
The
従って、基板支持機構12は、駆動ローラR4から搬送された基板Pを、ガイドローラ27によりエア・ターンバーATB1に案内し、エア・ターンバーATB1を通過した基板Pを、基板支持ドラム25に導入する。基板支持機構12は、第2駆動部26により基板支持ドラム25を回転させることで、基板支持ドラム25に導入した基板Pを、基板支持ドラム25の支持面P2で支持しながら、エア・ターンバーATB2へ向けて搬送する。基板支持機構12は、エア・ターンバーATB2に搬送された基板Pを、エア・ターンバーATB2によりガイドローラ28に案内し、ガイドローラ28を通過した基板Pを、駆動ローラR5に案内する。
Accordingly, the
このとき、第1駆動部22及び第2駆動部26に接続された下位制御装置16は、マスク保持ドラム21と基板支持ドラム25とを所定の回転速度比で同期回転させることによって、マスクMのマスク面P1に形成されたマスクパターンの像が、基板支持ドラム25の支持面P2に巻き付けられた基板Pの表面(円周面に倣って湾曲した面)に連続的に繰り返し投影露光される。
At this time, the low-
光源装置13は、マスクMに照明される照明光束EL1を出射する。光源装置13は、光源部31と導光部材32とを有する。光源部31は、基板P上の感光性機能層の露光に適した所定の波長域の光であって、光活性作用の強い紫外域の光を射出する光源である。光源部31としては、例えば紫外域の輝線(g線、h線、i線等)を有する水銀ランプ等のランプ光源、波長450nm以下の紫外域に発振ピークを有するレーザーダイオード、発光ダイオード(LED)等の固体光源、又は遠紫外光(DUV光)を発振するKrFエキシマレーザ光(波長248nm)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、XeClエキシマレーザ(波長308nm)等の気体レーザ光源が利用できる。
The
ここで、光源装置13から出射された照明光束EL1は、後述の偏光ビームスプリッタPBSに入射する。照明光束EL1は、偏光ビームスプリッタPBSによる照明光束EL1の分離によってエネルギーロスが生じることを抑制すべく、入射される照明光束EL1が偏光ビームスプリッタPBSにおいてほぼ全て反射するような光束にすることが好ましい。偏光ビームスプリッタPBSは、S偏光の直線偏光となる光束を反射し、P偏光の直線偏光となる光束を透過する。このため、光源装置13の光源部31は、偏光ビームスプリッタPBSに入射する照明光束EL1が直線偏光(S偏光)の光束となるレーザ光を出射することが好ましい。また、レーザ光は、エネルギー密度が高いため、基板Pに投射される光束の照度を適切に確保することができる。
Here, the illumination light beam EL1 emitted from the
導光部材32は、光源部31から出射された照明光束EL1を照明光学系ILに導く。導光部材32は、光ファイバ、またはミラーを用いたリレーモジュール等で構成される。なお、導光部材32は、照明光学系ILが複数設けられている場合、光源部31からの照明光束EL1を複数に分離し、複数の照明光束EL1を複数の照明光学系ILに導く。また、導光部材32は、例えば光源部31から射出される光束がレーザ光である場合、光ファイバとして偏波保持ファイバ(偏波面保存ファイバ)を用い、偏波保持ファイバによりレーザ光の偏光状態を維持したまま導光してもよい。
The
ここで、図3に示すように、第1実施形態の露光装置U3は、いわゆるマルチレンズ方式を想定した露光装置である。なお、図3には、マスク保持ドラム21に保持されたマスクM上の照明領域IRを−Z側から見た平面図(図3の左図)と、基板支持ドラム25に支持された基板P上の投影領域PAを+Z側から見た平面図(図3の右図)とが図示されている。図3の符号Xsは、マスク保持ドラム21及び基板支持ドラム25の移動方向(回転方向)を示す。マルチレンズ方式の露光装置U3は、マスクM上の複数(第1実施形態では例えば6つ)の照明領域IR1〜IR6に照明光束EL1をそれぞれ照明し、各照明光束EL1が各照明領域IR1〜IR6に反射されることで得られる複数の投影光束EL2を、基板P上の複数(第1実施形態では例えば6つ)の投影領域PA1〜PA6に投影露光する。
Here, as shown in FIG. 3, the exposure apparatus U3 of the first embodiment is an exposure apparatus assuming a so-called multi-lens system. 3 shows a plan view (left view of FIG. 3) of the illumination area IR on the mask M held by the
先ず、照明光学系ILにより照明される複数の照明領域IR1〜IR6について説明する。図3の左図に示すように、複数の照明領域IR1〜IR6は、中心面CLを挟んで回転方向に2列に配置され、回転方向の上流側のマスクM上には奇数番の第1照明領域IR1、第3照明領域IR3及び第5照明領域IR5が配置され、回転方向の下流側のマスクM上には偶数番の第2照明領域IR2、第4照明領域IR4及び第6照明領域IR6が配置される。 First, the plurality of illumination areas IR1 to IR6 illuminated by the illumination optical system IL will be described. As shown in the left diagram of FIG. 3, the plurality of illumination regions IR1 to IR6 are arranged in two rows in the rotation direction across the center plane CL, and the odd-numbered first masks are arranged on the upstream mask M in the rotation direction. The illumination area IR1, the third illumination area IR3, and the fifth illumination area IR5 are arranged, and the even-numbered second illumination area IR2, the fourth illumination area IR4, and the sixth illumination area IR6 on the mask M on the downstream side in the rotation direction. Is placed.
各照明領域IR1〜IR6は、マスクMの軸方向(Y方向)に延びる平行な短辺及び長辺を有する細長い台形状(矩形状)の領域となっている。このとき、台形状の各照明領域IR1〜IR6は、その短辺が中心面CL側に位置し、その長辺が外側に位置する領域となっている。奇数番の第1照明領域IR1、第3照明領域IR3及び第5照明領域IR5は、軸方向に所定の間隔を空けて配置されている。また、偶数番の第2照明領域IR2、第4照明領域IR4及び第6照明領域IR6は、軸方向に所定の間隔を空けて配置されている。このとき、第2照明領域IR2は、軸方向において、第1照明領域IR1と第3照明領域IR3との間に配置される。同様に、第3照明領域IR3は、軸方向において、第2照明領域IR2と第4照明領域IR4との間に配置される。第4照明領域IR4は、軸方向において、第3照明領域IR3と第5照明領域IR5との間に配置される。第5照明領域IR5は、軸方向において、第4照明領域IR4と第6照明領域IR6との間に配置される。各照明領域IR1〜IR6は、マスクMの周方向からみて、隣り合う台形状の照明領域の斜辺部の三角部が重なるように(オーバーラップするように)配置されている。なお、第1実施形態において、各照明領域IR1〜IR6は、台形状の領域としたが、長方形状の領域であってもよい。 Each illumination region IR1 to IR6 is an elongated trapezoidal (rectangular) region having parallel short sides and long sides extending in the axial direction (Y direction) of the mask M. At this time, each of the trapezoidal illumination areas IR1 to IR6 is an area where the short side is located on the center plane CL side and the long side is located outside. The odd-numbered first illumination region IR1, third illumination region IR3, and fifth illumination region IR5 are arranged at predetermined intervals in the axial direction. The even-numbered second illumination region IR2, fourth illumination region IR4, and sixth illumination region IR6 are arranged at predetermined intervals in the axial direction. At this time, the second illumination region IR2 is disposed between the first illumination region IR1 and the third illumination region IR3 in the axial direction. Similarly, the third illumination region IR3 is disposed between the second illumination region IR2 and the fourth illumination region IR4 in the axial direction. The fourth illumination region IR4 is disposed between the third illumination region IR3 and the fifth illumination region IR5 in the axial direction. The fifth illumination region IR5 is disposed between the fourth illumination region IR4 and the sixth illumination region IR6 in the axial direction. Each illumination region IR1 to IR6 is arranged so that the triangular portions of the oblique sides of adjacent trapezoidal illumination regions overlap (overlapping) when viewed from the circumferential direction of the mask M. In the first embodiment, the illumination areas IR1 to IR6 are trapezoidal areas, but may be rectangular areas.
また、マスクMは、マスクパターンが形成されるパターン形成領域A3と、マスクパターンが形成されないパターン非形成領域A4とを有する。パターン非形成領域A4は、照明光束EL1を吸収する反射し難い領域であり、パターン形成領域A3を枠状に囲んで配置されている。第1〜第6照明領域IR1〜IR6は、パターン形成領域A3のY方向の全幅をカバーするように、配置されている。 Further, the mask M has a pattern formation region A3 where a mask pattern is formed and a pattern non-formation region A4 where a mask pattern is not formed. The pattern non-formation region A4 is a region that hardly absorbs the illumination light beam EL1, and is arranged so as to surround the pattern formation region A3 in a frame shape. The first to sixth illumination regions IR1 to IR6 are arranged so as to cover the entire width of the pattern formation region A3 in the Y direction.
照明光学系ILは、複数の照明領域IR1〜IR6に応じて複数(第1実施形態では例えば6つ)設けられている。複数の照明光学系IL1〜IL6には、光源装置13からの照明光束EL1がそれぞれ入射する。各照明光学系IL1〜IL6は、光源装置13から入射された各照明光束EL1を、各照明領域IR1〜IR6にそれぞれ導く。つまり、第1照明光学系IL1は、照明光束EL1を第1照明領域IR1に導き、同様に、第2〜第6照明光学系IL2〜IL6は、照明光束EL1を第2〜第6照明領域IR2〜IR6に導く。複数の照明光学系IL1〜IL6は、中心面CLを挟んでマスクMの周方向に2列に配置される。複数の照明光学系IL1〜IL6は、中心面CLを挟んで、第1、第3、第5照明領域IR1、IR3、IR5が配置される側(図2の左側)に、第1照明光学系IL1、第3照明光学系IL3及び第5照明光学系IL5が配置される。第1照明光学系IL1、第3照明光学系IL3及び第5照明光学系IL5は、Y方向に所定の間隔を空けて配置される。また、複数の照明光学系IL1〜IL6は、中心面CLを挟んで、第2、第4、第6照明領域IR2、IR4、IR6が配置される側(図2の右側)に、第2照明光学系IL2、第4照明光学系IL4及び第6照明光学系IL6が配置される。第2照明光学系IL2、第4照明光学系IL4及び第6照明光学系IL6は、Y方向に所定の間隔を空けて配置される。このとき、第2照明光学系IL2は、軸方向において、第1照明光学系IL1と第3照明光学系IL3との間に配置される。同様に、第3照明光学系IL3は、軸方向において、第2照明光学系IL2と第4照明光学系IL4との間に配置される。第4照明光学系IL4は、軸方向において、第3照明光学系IL3と第5照明光学系IL5との間に配置される。第5照明光学系IL5は、軸方向において、第4照明光学系IL4と第6照明光学系IL6との間に配置される。また、第1照明光学系IL1、第3照明光学系IL3及び第5照明光学系IL5と、第2照明光学系IL2、第4照明光学系IL4及び第6照明光学系IL6とは、Y方向からみて中心面CLを中心に対称に配置されている。
A plurality of (for example, six in the first embodiment) illumination optical systems IL are provided according to the plurality of illumination regions IR1 to IR6. The illumination light beam EL1 from the
次に、図4を参照して、各照明光学系IL1〜IL6について説明する。なお、各照明光学系IL1〜IL6は、同様の構成となっているため、第1照明光学系IL1(以下、単に照明光学系ILという)を例に説明する。 Next, the illumination optical systems IL1 to IL6 will be described with reference to FIG. Since each of the illumination optical systems IL1 to IL6 has the same configuration, the first illumination optical system IL1 (hereinafter simply referred to as the illumination optical system IL) will be described as an example.
照明光学系ILは、照明領域IR(第1照明領域IR1)を均一な照度で照明すべく、光源装置13による光源像(実像又は虚像)を、照明光学系ILの瞳位置(フーリエ変換面相当)に形成するケーラー照明法を適用している。また、照明光学系ILは、偏光ビームスプリッタPBSを用いた落斜照明系となっている。照明光学系ILは、光源装置13からの照明光束EL1の入射側から順に、照明光学モジュールILMと、偏光ビームスプリッタPBSと、1/4波長板41とを有する。
In order to illuminate the illumination region IR (first illumination region IR1) with uniform illuminance, the illumination optical system IL converts a light source image (real image or virtual image) by the
図4に示すように、照明光学モジュールILMは、照明光束EL1の入射側から順に、コリメータレンズ51と、フライアイレンズ52と、複数のコンデンサーレンズ53と、シリンドリカルレンズ54と、照明視野絞り55と、複数のリレーレンズ56とを含んでおり、第1光軸BX1上に設けられている。コリメータレンズ51は、光源装置13の導光部材32の出射側に設けられている。コリメータレンズ51の光軸は、第1光軸BX上に配置される。コリメータレンズ51は、フライアイレンズ52の入射側の面全体を照射する。フライアイレンズ52は、コリメータレンズ51の出射側に設けられている。フライアイレンズ52の出射側の面の中心は、第1光軸BX1上に配置される。多数のロッドレンズ等で構成されるフライアイレンズ52は、コリメータレンズ51からの照明光束EL1を、個々のロッドレンズ毎に細分化して多数の点光源像(集光スポット)をフライアイレンズ52の出射側の面に生成すると共に、ロッドレンズによって細分化された照明光束EL1となってコンデンサーレンズ53に入射する。このとき、点光源像が生成されるフライアイレンズ52の出射側の面は、フライアイレンズ52から照明視野絞り55を介して後述する投影光学系PLの第1凹面鏡72に至る各種レンズによって、第1凹面鏡72の反射面が位置する投影光学系PL(PLM)の瞳面と光学的に共役となるように配置される。コンデンサーレンズ53は、フライアイレンズ52の出射側に設けられている。コンデンサーレンズ53の光軸は、第1光軸BX1上に配置される。コンデンサーレンズ53は、フライアイレンズ52からの照明光束EL1をシリンドリカルレンズ54に集光する。シリンドリカルレンズ54は、入射側が平面となり出射側が凸となる平凸シリンドリカルレンズである。シリンドリカルレンズ54は、コンデンサーレンズ53の出射側に設けられている。シリンドリカルレンズ54の光軸は、第1光軸BX1上に配置される。シリンドリカルレンズ54は、XZ面内において第1光軸BX1に直交する方向に、照明光束EL1を発散させる。照明視野絞り55は、シリンドリカルレンズ54の出射側に隣接して設けられている。照明視野絞り55の開口部は、照明領域IRと同様の形状となる台形状又は長方形状に形成されており、照明視野絞り55の開口部の中心は、第1光軸BX1上に配置される。このとき、照明視野絞り55は、照明視野絞り55からマスクMに至る各種レンズによって、マスクM上の照明領域IRと光学的に共役な面に配置される。リレーレンズ56は、照明視野絞り55の出射側に設けられている。リレーレンズ56の光軸は、第1光軸BX1上に配置される。リレーレンズ56は、照明視野絞り55からの照明光束EL1を偏光ビームスプリッタPBSに入射させる。
As shown in FIG. 4, the illumination optical module ILM includes a
照明光学モジュールILMに照明光束EL1が入射すると、照明光束EL1は、コリメータレンズ51によりフライアイレンズ52の入射側の面全体を照射する光束となる。フライアイレンズ52に入射した照明光束EL1は、多数の点光源像の各々からの照明光束EL1となって、コンデンサーレンズ53を介してシリンドリカルレンズ54に入射する。シリンドリカルレンズ54に入射した照明光束EL1は、XZ面内において第1光軸BX1に直交する方向に発散する。シリンドリカルレンズ54により発散した照明光束EL1は、照明視野絞り55に入射する。照明視野絞り55に入射した照明光束EL1は、照明視野絞り55の開口部を通過することで、照明領域IRと同様の形状の強度分布を有する光束となる。照明視野絞り55を通過した照明光束EL1は、リレーレンズ56を介して偏光ビームスプリッタPBSに入射する。
When the illumination light beam EL1 enters the illumination optical module ILM, the illumination light beam EL1 becomes a light beam that irradiates the entire incident-side surface of the fly-
偏光ビームスプリッタPBSは、X軸方向に関して、照明光学モジュールILMと中心面CLとの間に配置されている。偏光ビームスプリッタPBSは、1/4波長板41と協働して、照明光学モジュールILMからの照明光束EL1を反射する一方で、マスクMで反射された投影光束EL2を透過している。換言すれば、照明光学モジュールILMからの照明光束EL1は、偏光ビームスプリッタPBSに反射光束として入射し、マスクMからの投影光束(反射光)EL2は、偏光ビームスプリッタPBSに透過光束として入射する。つまり、偏光ビームスプリッタPBSに入射する照明光束EL1は、S偏光の直線偏光となる反射光束であり、偏光ビームスプリッタPBSに入射する投影光束EL2は、P偏光の直線偏光となる透過光束である。
The polarization beam splitter PBS is disposed between the illumination optical module ILM and the center plane CL in the X-axis direction. The polarizing beam splitter PBS cooperates with the
図4に示すように、偏光ビームスプリッタPBSは、第1プリズム91と、第2プリズム92と、第1プリズム91及び第2プリズム92の間に設けられた偏光分離面93とを有している。第1プリズム91及び第2プリズム92は、石英ガラスで構成され、XZ面内において三角形状の三角プリズムとなっている。そして、偏光ビームスプリッタPBSは、三角形状の第1プリズム91と第2プリズム92とが偏光分離面93を挟んで接合されることで、XZ面内において四角形状となる。
As shown in FIG. 4, the polarization beam splitter PBS includes a
第1プリズム91は、照明光束EL1及び投影光束EL2が入射する側のプリズムである。第2プリズム92は、偏光分離面93を透過する投影光束EL2が出射する側のプリズムである。偏光分離面93には、第1プリズム91から第2プリズム92へ向かう照明光束EL1及び投影光束EL2が入射する。偏光分離面93は、S偏光(直線偏光)の照明光束EL1を反射し、P偏光(直線偏光)の投影光束EL2を透過する。
The
1/4波長板41は、偏光ビームスプリッタPBSとマスクMとの間に配置されている。1/4波長板41は、偏光ビームスプリッタPBSで反射された照明光束EL1を直線偏光(S偏光)から円偏光に変換する。円偏光された照明光束EL1は、マスクMに照射される。1/4波長板41は、マスクMで反射された円偏光の投影光束EL2を直線偏光(P偏光)に変換する。
The
次に、投影光学系PLにより投影露光される複数の投影領域PA1〜PA6について説明する。図3の右図に示すように、基板P上の複数の投影領域PA1〜PA6は、マスクM上の複数の照明領域IR1〜IR6と対応させて配置されている。つまり、基板P上の複数の投影領域PA1〜PA6は、中心面CLを挟んで搬送方向に2列に配置され、搬送方向の上流側の基板P上には奇数番の第1投影領域PA1、第3投影領域PA3及び第5投影領域PA5が配置され、搬送方向の下流側の基板P上には偶数番の第2投影領域PA2、第4投影領域PA4及び第6投影領域PA6が配置される。 Next, a plurality of projection areas PA1 to PA6 that are projected and exposed by the projection optical system PL will be described. As shown in the right diagram of FIG. 3, the plurality of projection areas PA1 to PA6 on the substrate P are arranged in correspondence with the plurality of illumination areas IR1 to IR6 on the mask M. That is, the plurality of projection areas PA1 to PA6 on the substrate P are arranged in two rows in the transport direction across the center plane CL, and the odd-numbered first projection areas PA1, A third projection area PA3 and a fifth projection area PA5 are arranged, and an even-numbered second projection area PA2, a fourth projection area PA4, and a sixth projection area PA6 are arranged on the substrate P on the downstream side in the transport direction. .
各投影領域PA1〜PA6は、基板Pの幅方向(Y方向)に延びる短辺及び長辺を有する細長い台形状の領域となっている。このとき、台形状の各投影領域PA1〜PA6は、その短辺が中心面CL側に位置し、その長辺が外側に位置する領域となっている。奇数番の第1投影領域PA1、第3投影領域PA3及び第5投影領域PA5は、幅方向に所定の間隔を空けて配置されている。また、偶数番の第2投影領域PA2、第4投影領域PA4及び第6投影領域PA6は、幅方向に所定の間隔を空けて配置されている。このとき、第2投影領域PA2は、軸方向において、第1投影領域PA1と第3投影領域PA3との間に配置される。同様に、第3投影領域PA3は、軸方向において、第2投影領域PA2と第4投影領域PA4との間に配置される。第4投影領域PA4は、第3投影領域PA3と第5投影領域PA5との間に配置される。第5投影領域PA5は、第4投影領域PA4と第6投影領域PA6との間に配置される。各投影領域PA1〜PA6は、各照明領域IR1〜IR6と同様に、基板Pの搬送方向からみて、隣り合う台形状の投影領域PAの斜辺部の三角部が重なるように(オーバーラップするように)配置されている。このとき、投影領域PAは、隣り合う投影領域PAの重複する領域での露光量が、重複しない領域での露光量と実質的に同じになるような形状になっている。そして、第1〜第6投影領域PA1〜PA6は、基板P上に露光される露光領域A7のY方向の全幅をカバーするように、配置されている。 Each of the projection areas PA1 to PA6 is an elongated trapezoidal area having a short side and a long side extending in the width direction (Y direction) of the substrate P. At this time, each of the trapezoidal projection areas PA1 to PA6 is an area where the short side is located on the center plane CL side and the long side is located outside. The odd-numbered first projection area PA1, third projection area PA3, and fifth projection area PA5 are arranged at predetermined intervals in the width direction. Further, the even-numbered second projection area PA2, fourth projection area PA4, and sixth projection area PA6 are arranged at predetermined intervals in the width direction. At this time, the second projection area PA2 is arranged between the first projection area PA1 and the third projection area PA3 in the axial direction. Similarly, the third projection area PA3 is arranged between the second projection area PA2 and the fourth projection area PA4 in the axial direction. The fourth projection area PA4 is disposed between the third projection area PA3 and the fifth projection area PA5. The fifth projection area PA5 is disposed between the fourth projection area PA4 and the sixth projection area PA6. As in the illumination areas IR1 to IR6, the projection areas PA1 to PA6 are overlapped so that the triangular portions of the hypotenuses of adjacent trapezoidal projection areas PA overlap each other when viewed from the transport direction of the substrate P. ) Is arranged. At this time, the projection area PA has such a shape that the exposure amount in the area where the adjacent projection areas PA overlap is substantially the same as the exposure amount in the non-overlapping area. The first to sixth projection areas PA1 to PA6 are arranged so as to cover the entire width in the Y direction of the exposure area A7 exposed on the substrate P.
ここで、図2において、XZ面内で見たとき、マスクM上の照明領域IR1(及びIR3,IR5)の中心点から照明領域IR2(及びIR4,IR6)の中心点までの周長は、支持面P2に倣った基板P上の投影領域PA1(及びPA3,PA5)の中心点から第2投影領域PA2(及びPA4,PA6)の中心点までの周長と、実質的に等しく設定されている。 Here, in FIG. 2, when viewed in the XZ plane, the circumference from the center point of the illumination region IR1 (and IR3, IR5) on the mask M to the center point of the illumination region IR2 (and IR4, IR6) is The circumference from the center point of the projection area PA1 (and PA3, PA5) on the substrate P following the support surface P2 to the center point of the second projection area PA2 (and PA4, PA6) is set to be substantially equal. Yes.
以上の第1実施形態における投影光学系PLは、6つの投影領域PA1〜PA6に応じて6つ設けられている。投影光学系PL1〜PL6には、対応する照明領域IR1〜IR6の各々に位置するマスクパターンで反射された複数の投影光束EL2がそれぞれ入射する。各投影光学系PL1〜PL6は、マスクMで反射された各投影光束EL2を、各投影領域PA1〜PA6にそれぞれ導く。つまり、第1投影光学系PL1は、第1照明領域IR1からの投影光束EL2を第1投影領域PA1に導き、同様に、第2〜第6投影光学系PL2〜PL6は、第2〜第6照明領域IR2〜IR6からの各投影光束EL2を第2〜第6投影領域PA2〜PA6に導く。 Six projection optical systems PL in the first embodiment described above are provided according to the six projection areas PA1 to PA6. A plurality of projection light beams EL2 reflected by the mask patterns located in the corresponding illumination regions IR1 to IR6 respectively enter the projection optical systems PL1 to PL6. Each projection optical system PL1 to PL6 guides each projection light beam EL2 reflected by the mask M to each projection area PA1 to PA6. That is, the first projection optical system PL1 guides the projection light beam EL2 from the first illumination area IR1 to the first projection area PA1, and similarly, the second to sixth projection optical systems PL2 to PL6 are second to sixth. Each projection light beam EL2 from the illumination regions IR2 to IR6 is guided to the second to sixth projection regions PA2 to PA6.
複数の投影光学系PL1〜PL6は、中心面CLを挟んでマスクMの周方向に2列に配置される。複数の投影光学系PL1〜PL6は、中心面CLを挟んで、第1、第3、第5投影領域PA1、PA3、PA5が配置される側(図2の左側)に、第1投影光学系PL1、第3投影光学系PL3及び第5投影光学系PL5が配置される。第1投影光学系PL1、第3投影光学系PL3及び第5投影光学系PL5は、Y方向に所定の間隔を空けて配置される。また、複数の照明光学系IL1〜IL6は、中心面CLを挟んで、第2、第4、第6投影領域PA2、PA4、PA6が配置される側(図2の右側)に、第2投影光学系PL2、第4投影光学系PL4及び第6投影光学系PL6が配置される。第2投影光学系PL2、第4投影光学系PL4及び第6投影光学系PL6は、Y方向に所定の間隔を空けて配置される。このとき、第2投影光学系PL2は、軸方向において、第1投影光学系PL1と第3投影光学系PL3との間に配置される。同様に、第3投影光学系PL3は、軸方向において、第2投影光学系PL2と第4投影光学系PL4との間に配置される。第4投影光学系PL4は、第3投影光学系PL3と第5投影光学系PL5との間に配置される。第5投影光学系PL5は、第4投影光学系PL4と第6投影光学系PL6との間に配置される。また、第1投影光学系PL1、第3投影光学系PL3及び第5投影光学系PL5と、第2投影光学系PL2、第4投影光学系PL4及び第6投影光学系PL6とは、Y方向からみて中心面CLを中心に対称に配置されている。 The plurality of projection optical systems PL1 to PL6 are arranged in two rows in the circumferential direction of the mask M with the center plane CL interposed therebetween. The plurality of projection optical systems PL1 to PL6 are arranged on the side (left side in FIG. 2) where the first, third, and fifth projection areas PA1, PA3, and PA5 are arranged with the center plane CL interposed therebetween. PL1, a third projection optical system PL3, and a fifth projection optical system PL5 are arranged. The first projection optical system PL1, the third projection optical system PL3, and the fifth projection optical system PL5 are arranged at a predetermined interval in the Y direction. In addition, the plurality of illumination optical systems IL1 to IL6 have the second projection on the side where the second, fourth, and sixth projection areas PA2, PA4, and PA6 are disposed (right side in FIG. 2) with the center plane CL interposed therebetween. An optical system PL2, a fourth projection optical system PL4, and a sixth projection optical system PL6 are arranged. The second projection optical system PL2, the fourth projection optical system PL4, and the sixth projection optical system PL6 are arranged at a predetermined interval in the Y direction. At this time, the second projection optical system PL2 is disposed between the first projection optical system PL1 and the third projection optical system PL3 in the axial direction. Similarly, the third projection optical system PL3 is disposed between the second projection optical system PL2 and the fourth projection optical system PL4 in the axial direction. The fourth projection optical system PL4 is disposed between the third projection optical system PL3 and the fifth projection optical system PL5. The fifth projection optical system PL5 is disposed between the fourth projection optical system PL4 and the sixth projection optical system PL6. The first projection optical system PL1, the third projection optical system PL3, and the fifth projection optical system PL5, and the second projection optical system PL2, the fourth projection optical system PL4, and the sixth projection optical system PL6 are from the Y direction. As a result, they are arranged symmetrically about the center plane CL.
さらに、図4を参照して、各投影光学系PL1〜PL6について説明する。なお、各投影光学系PL1〜PL6は、同様の構成となっているため、第1投影光学系PL1(以下、単に投影光学系PLという)を例に説明する。 Further, the projection optical systems PL1 to PL6 will be described with reference to FIG. Each of the projection optical systems PL1 to PL6 has the same configuration, and therefore the first projection optical system PL1 (hereinafter simply referred to as the projection optical system PL) will be described as an example.
投影光学系PLは、マスクMのマスク面P1の照明領域IR(第1照明領域IR1)から反射される投影光束EL2を入射して、中間像面P7にマスク面P1に現れるパターンの中間像を形成する。なお、マスク面P1から中間像面P7に至る投影光束EL2を、第1投影光束EL2aとする。中間像面P7に形成された中間像は、照明領域IRのマスクパターンの像に対し、180°点対称となる倒立像となる。 The projection optical system PL receives the projection light beam EL2 reflected from the illumination region IR (first illumination region IR1) of the mask surface P1 of the mask M, and displays an intermediate image of the pattern appearing on the mask surface P1 on the intermediate image surface P7. Form. The projected light beam EL2 from the mask surface P1 to the intermediate image surface P7 is referred to as a first projected light beam EL2a. The intermediate image formed on the intermediate image plane P7 is an inverted image that is symmetric with respect to the mask pattern in the illumination area IR by 180 °.
また、投影光学系PLは、中間像面P7から出射される投影光束EL2を基板Pの投影像面の投影領域PAにおいて再結像して投影像を形成する。なお、中間像面P7から基板Pの投影像面に至る投影光束EL2を、第2投影光束EL2bとする。投影像は、中間像面P7の中間像に対し、180°点対称となる倒立像、換言すれば、照明領域IRのマスクパターンの像に対し、同じ像となる正立像となる。この投影光学系PLは、マスクMからの投影光束EL2の入射側から順に、上記の1/4波長板41と、上記の偏光ビームスプリッタPBSと、投影光学モジュールPLMとを有する。
Further, the projection optical system PL re-images the projection light beam EL2 emitted from the intermediate image plane P7 in the projection area PA of the projection image plane of the substrate P to form a projection image. Note that the projection light beam EL2 from the intermediate image surface P7 to the projection image surface of the substrate P is defined as a second projection light beam EL2b. The projected image is an inverted image that is 180 ° symmetric with respect to the intermediate image on the intermediate image plane P7, in other words, an upright image that is the same as the mask pattern image in the illumination region IR. The projection optical system PL includes the quarter-
1/4波長板41及び偏光ビームスプリッタPBSは、照明光学系ILと兼用となっている。換言すれば、照明光学系IL及び投影光学系PLは、1/4波長板41及び偏光ビームスプリッタPBSを共有している。
The quarter-
照明領域IRで反射された第1投影光束EL2aは、マスク保持ドラム21の第1軸AX1の径方向の外側へ向かうテレセントリックな光束となって、投影光学系PLに入射する。照明領域IRで反射された円偏光の第1投影光束EL2aは、投影光学系PLに入射すると、1/4波長板41により円偏光から直線偏光(P偏光)に変換された後、偏光ビームスプリッタPBSに入射する。偏光ビームスプリッタPBSに入射した第1投影光束EL2aは、偏光ビームスプリッタPBSを透過した後、投影光学モジュールPLMに入射する。
The first projection light beam EL2a reflected by the illumination region IR becomes a telecentric light beam traveling outward in the radial direction of the first axis AX1 of the
図4に示すように、投影光学モジュールPLMは、中間像面P7に中間像を結像すると共に基板P上に投影像を結像する部分光学系61と、部分光学系61に第1投影光束EL2a及び第2投影光束EL2bを入射させる反射光学系(導光光学系)62と、中間像が形成される中間像面P7に配置された投影視野絞り63とを備える。また、投影光学モジュールPLMは、フォーカス補正光学部材64と、像シフト用光学部材65と、倍率補正用光学部材66と、ローテーション補正機構67と、偏光調整機構68とを備える。
As shown in FIG. 4, the projection optical module PLM forms an intermediate image on the intermediate image plane P <b> 7 and forms a projection image on the substrate P, and a first projection light beam on the partial
部分光学系61及び反射光学系62は、例えばダイソン系を変形したテレセントリックな反射屈折光学系である。部分光学系61は、その光軸(以下、第2光軸BX2という)が中心面CLに対して実質的に直交する。部分光学系61は、第1レンズ群71と、第1凹面鏡(反射光学部材)72とを備える。第1レンズ群71は、中心面CL側に設けられた屈折レンズ(レンズ部材)71aを含む複数のレンズ部材を有し、複数のレンズ部材の光軸は、第2光軸BX2上に配置されている。第1凹面鏡72は、フライアイレンズ52により生成された多数の点光源が、フライアイレンズ52から照明視野絞り55を介して第1凹面鏡72に至る各種レンズによって結像する瞳面に配置されている。
The partial
反射光学系62は、第1偏向部材(第1光学部材及び第1反射部材)76と、第2偏向部材(第2光学部材及び第3反射部)77と、第3偏向部材(第3光学部材及び第4反射部)78と、第4偏向部材(第4光学部材及び第2反射部材)79とを備える。第1偏向部材76は、第1反射面P3を有する反射ミラーである。第1反射面P3は、偏光ビームスプリッタPBSからの第1投影光束EL2aを反射させ、反射させた第1投影光束EL2aを第1レンズ群71の屈折レンズ71aに入射させる。第2偏向部材77は、第2反射面P4を有する反射ミラーである。第2反射面P4は、屈折レンズ71aから出射された第1投影光束EL2aを反射させ、反射させた第1投影光束EL2aを中間像面P7に設けられた投影視野絞り63に入射させる。第3偏向部材78は、第3反射面P5を有する反射ミラーである。第3反射面P5は、投影視野絞り63からの第2投影光束EL2bを反射させ、反射させた第2投影光束EL2bを第1レンズ群71の屈折レンズ71aに入射させる。第4偏向部材79は、第4反射面P6を有する反射ミラーである。第4反射面P6は、屈折レンズ71aから出射された第2投影光束EL2bを反射させ、反射させた第2投影光束EL2bを基板P上に入射させる。このように、第2偏向部材77と第3偏向部材78とは、部分光学系61からの第1投影光束EL2aを、再び部分光学系61に向けて折り返すように反射させる折返し反射鏡として機能している。第1〜第4偏向部材76、77、78、79の各反射面P3〜P6は、いずれも図4におけるY軸と平行な平面であり、XZ面内で所定角度に傾いて配置される。
The reflection
投影視野絞り63は、投影領域PAの形状を規定する開口を有する。すなわち、投影視野絞り63の開口の形状が投影領域PAの形状を規定することになる。
The
偏光ビームスプリッタPBSからの第1投影光束EL2aは、像シフト用光学部材65を通過し、第1偏向部材76の第1反射面P3で反射される。第1反射面P3で反射された第1投影光束EL2aは、第1レンズ群71に入射して、屈折レンズ71aを含む複数のレンズ部材を通過した後、第1凹面鏡72に入射する。このとき、第1投影光束EL2aは、第1レンズ群71において、屈折レンズ71aの第2光軸BX2から+Z方向の上方側の視野領域を通る。第1凹面鏡72に入射した第1投影光束EL2aは、第1凹面鏡72で反射される。第1凹面鏡72で反射された第1投影光束EL2aは、第1レンズ群71に入射して、屈折レンズ71aを含む複数のレンズ部材を通過した後、第1レンズ群71から出射する。このとき、第1投影光束EL2aは、第1レンズ群71において、屈折レンズ71aの第2光軸BX2から−Z方向の下方側の視野領域を通る。第1レンズ群71から出射した第1投影光束EL2aは、第2偏向部材77の第2反射面P4で反射される。第2反射面P4で反射された第1投影光束EL2aは、投影視野絞り63に入射する。投影視野絞り63に入射した第1投影光束EL2aは、照明領域IRにおけるマスクパターンの倒立像となる中間像を形成する。
The first projection light beam EL2a from the polarization beam splitter PBS passes through the image shift
投影視野絞り63からの第2投影光束EL2bは、第3偏向部材78の第3反射面P5で反射される。第3反射面P5で反射された第2投影光束EL2bは、第1レンズ群71に再び入射して、屈折レンズ71aを含む複数のレンズ部材を通過した後、第1凹面鏡72に入射する。このとき、第2投影光束EL2bは、第1レンズ群71において、屈折レンズ71aの第2光軸BX2から+Z方向の上方側で、且つ、第1投影光束EL2aの入射側と出射側との間の視野領域を通る。第1凹面鏡72に入射した第2投影光束EL2bは、第1凹面鏡72で反射される。第1凹面鏡72で反射された第2投影光束EL2bは、第1レンズ群71に入射して、屈折レンズ71aを含む複数のレンズ部材を通過した後、第1レンズ群71から出射する。このとき、第2投影光束EL2bは、第1レンズ群71において、屈折レンズ71aの第2光軸BX2から−Z方向の下方側で、且つ、第1投影光束EL2aの入射側と出射側との間の視野領域を通る。第1レンズ群71から出射した第2投影光束EL2bは、第4偏向部材79の第4反射面P6で反射される。第4反射面P6で反射された第2投影光束EL2bは、フォーカス補正光学部材64及び倍率補正用光学部材66を通過し、基板P上の投影領域PAに投射される。投影領域PAに投射された第2投影光束EL2bは、照明領域IRにおけるマスクパターンの正立像となる投影像を形成する。このとき、照明領域IRにおけるマスクパターンの像は、投影領域PAに等倍(×1)で投影される。
The second projection light beam EL <b> 2 b from the
ここで、屈折レンズ71aを含む第1レンズ群71と第1凹面鏡72によって構成される投影光学モジュールPLMの視野領域について、図5を参照して簡単に説明する。図5は、投影光学モジュールPLMによる円形の全結像視野(基準面)CIFを図5中のYZ面に展開した状態を示し、マスクM上の矩形状の照明領域IR、中間像面P7の投影視野絞り63上に結像する中間像Img1、中間像面P7の投影視野絞り63によって台形状に整形された中間像Img2、及び基板P上の台形状の投影領域PAの各々は、Y軸方向に細長く設定され、Z軸方向に分離して並ぶ。
Here, the visual field region of the projection optical module PLM constituted by the
まず、マスクM上の矩形状の照明領域IRの中心は、全結像視野CIFの中心点(光軸BX2が通る)から+Z方向に、像高値k1の偏心した位置(第1位置)に設定される。その為、投影光学モジュールPLM内を通る最初の結像光路(第1投影光束EL2a)によって、投影視野絞り63(中間像面P7)上に形成される中間像Img1は、YZ面内で見ると、照明領域IRを上下(Z方向)と左右(Y方向)とで反転させた状態で、全結像視野CIFの中心点から−Z方向に偏心した像高値k1の位置(第2位置)に結像する。 First, the center of the rectangular illumination region IR on the mask M is set to an eccentric position (first position) of the image height value k1 in the + Z direction from the center point of the entire imaging field CIF (passing through the optical axis BX2). Is done. Therefore, when the intermediate image Img1 formed on the projection field stop 63 (intermediate image plane P7) by the first imaging optical path (first projection light beam EL2a) passing through the projection optical module PLM is viewed in the YZ plane. In a state where the illumination area IR is inverted vertically (Z direction) and left and right (Y direction), the center of the entire imaging field CIF is shifted to the position (second position) of the image height value k1 decentered in the −Z direction. Form an image.
中間像Img2は、中間像Img1を投影視野絞り63の台形状の開口で制限したものである。そして中間像Img2は、投影視野絞り63の前後に配置される2つの偏向部材77、78によって光路を折り曲げられることから、YZ面内で見ると、全結像視野CIFの中心点から+Z方向の像高値k2(k2<k1)の位置(第3位置)に結像する。さらに、投影視野絞り63で制限された中間像Img2は、投影光学モジュールPLM内を通る2回目の結像光路(第2投影光束EL2b)によって、基板P上に形成される投影領域PA内に再結像される。
The intermediate image Img2 is obtained by limiting the intermediate image Img1 with a trapezoidal opening of the
投影領域PA内に再結像される像の中心点は、YZ面内で見ると、全結像視野CIFの中心点から−Z方向の像高値k2(k2<k1)に位置する。そして、投影領域PA内に再結像される像は、照明領域IR内のマスクパターンに対して、左右方向(Y方向)が反転することがなく、等倍(×1)で形成される。 When viewed in the YZ plane, the center point of the image re-imaged in the projection area PA is located at the image height value k2 (k2 <k1) in the −Z direction from the center point of the entire imaging field CIF. The image re-imaged in the projection area PA is formed at the same magnification (× 1) without reversing the left-right direction (Y direction) with respect to the mask pattern in the illumination area IR.
このように、本実施形態では、マスクパターンからの結像光束を円形の結像視野CIF内で空間的に分離し易いように、照明領域IRを細長い矩形状又は台形状の領域に制限しつつ、通常の全反射鏡による4つの偏向部材76、77、78、79によって、ダブルパスの結像光路を投影光学モジュールPLM内に形成した。そのため、マスクM上のパターンを、基板P上では少なくともY軸方向(投影光学モジュールPL1〜PL6による各投影像の継ぎ方向)に関しては、等倍の正立像として投影することができる。
As described above, in the present embodiment, the illumination region IR is limited to an elongated rectangular or trapezoidal region so that the imaging light flux from the mask pattern can be easily spatially separated in the circular imaging field CIF. A double-pass imaging optical path was formed in the projection optical module PLM by four deflecting
このように、第1偏向部材76、第2偏向部材77、第3偏向部材78及び第4偏向部材79は、第1投影光束EL2aの入射側の視野(第1入射視野)と、第1投影光束EL2aの出射側の視野(第1出射視野)と、第2投影光束EL2bの入射側の視野(第2入射視野)と、第2投影光束EL2bの出射側の視野(第2出射視野)とを、反射光学系62において分離する。このため、反射光学系62は、第1投影光束EL2aの導光時に漏れ光が生じ難い構成になるため、反射光学系62が、基板P上に投射される漏れ光の光量を低減する光量低減部として機能する。なお、漏れ光は、例えば、第1投影光束EL2aが散乱することによって生じる散乱光であったり、第1投影光束EL2aが分離することによって生じる分離光であったり、第1投影光束EL2aの一部が反射することによって生じる反射光であったりする。
Thus, the first deflecting
ここで、反射光学系62は、Z方向において、上方側から第1偏向部材76、第3偏向部材78、第4偏向部材79、第2偏向部材77の順に設けられている。このため、第1レンズ群71の屈折レンズ71aに入射する第1投影光束EL2aは、照明領域IRに近い側(屈折レンズ71aの上方側)に入射する。また、第1レンズ群71の屈折レンズ71aから出射する第2投影光束EL2bは、投影領域PAに近い側(屈折レンズ71aの下方側)から出射する。よって、照明領域IRと第1偏向部材76との間の距離を短くすることができ、また、投影領域PAと第4偏向部材79との間の距離を短くすることができることから、投影光学系PLのコンパクト化を図ることができる。また、図4に示すとおり、第3偏向部材78は、全結像視野CIFに沿った方向(Z方向)に関して、第1偏向部材76と第4偏向部材79との間に配置される。また、第1偏向部材76及び第4偏向部材79の位置と、第2偏向部材77及び第3偏向部材78の位置とは、第2光軸BX2の方向に関して、異なる位置となる。
Here, the reflection
また、反射光学系62は、第1入射視野と、第1出射視野と、第2入射視野と、第2出射視野との4つの視野(図5中に示したIR,Img1,Img2,PAに相当)を有することから、投影光束EL2を4つの視野において重複させないために、投影領域PAの大きさを所定の大きさにすることが好ましい。つまり、投影領域PAは、基板Pの走査方向における長さと、走査方向に直交する基板Pの幅方向の長さとが、走査方向の長さ/幅方向の長さ≦1/4となっている。このため、反射光学系62は、4つの視野において、投影光束EL2を重複させることなく、投影光束EL2を分離して部分光学系61に案内できる。
The reflective
さらに、第1偏向部材76、第2偏向部材77、第3偏向部材78、及び第4偏向部材79は、スリット状の第1入射視野、第1出射視野、第2入射視野、及び第2出射視野の4つの視野(図5中に示したIR,Img1,Img2,PAに相当)のいずれにも対応するような長方形に形成されると共に、全結像視野CIFに沿ったスリットの幅方向(Z方向)に関して互いに分離して配置される。
Further, the
フォーカス補正光学部材64は、第4偏向部材79と基板Pとの間に配置されている。フォーカス補正光学部材64は、基板P上に投影されるマスクパターンの像のフォーカス状態を調整する。フォーカス補正光学部材64は、例えば、2枚のクサビ状のプリズムを逆向き(図4ではX方向について逆向き)にして、全体として透明な平行平板になるように重ね合わせたものである。この1対のプリズムを互いに対向する面間の間隔を変えずに斜面方向にスライドさせることにより、平行平板としての厚みを可変にする。これによって部分光学系61の実効的な光路長を微調整し、中間像面P7及び投影領域PAに形成されるマスクパターンの像のピント状態が微調整される。
The focus correction
像シフト用光学部材65は、偏光ビームスプリッタPBSと第1偏向部材76との間に配置されている。像シフト用光学部材65は、基板P上に投影されるマスクパターンの像を像面内において移動可能に調整する。像シフト用光学部材65は、図4のXZ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスと、図4のYZ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスとで構成される。その2枚の平行平板ガラスの各傾斜量を調整することで、中間像面P7及び投影領域PAに形成されるマスクパターンの像をX方向やY方向に微少シフトさせることができる。
The image shift
倍率補正用光学部材66は、第4偏向部材79と基板Pとの間に配置されている。倍率補正用光学部材66は、例えば、凹レンズ、凸レンズ、凹レンズの3枚を所定間隔で同軸に配置し、前後の凹レンズは固定して、間の凸レンズを光軸(主光線)方向に移動させるように構成したものである。これによって、投影領域PAに形成されるマスクパターンの像は、テレセントリックな結像状態を維持しつつ、等方的に微少量だけ拡大または縮小される。なお、倍率補正用光学部材66を構成する3枚のレンズ群の光軸は、投影光束EL2(第2投影光束EL2b)の主光線と平行になるようにXZ面内では傾けられている。
The magnification correcting
ローテーション補正機構67は、例えば、アクチュエータ(図示略)によって、第2偏向部材77を第2光軸BX2に平行(或いは垂直)な軸周りに微少回転させるものである。このローテーション補正機構67は、第2偏向部材77を回転させることによって、中間像面P7に形成されるマスクパターンの像を、その面P7内で微少回転させることができる。
The
偏光調整機構68は、例えば、アクチュエータ(図示略)によって、1/4波長板41を、板面に直交する軸周りに回転させて、偏光方向を調整するものである。偏光調整機構68は、1/4波長板41を回転させることによって、投影領域PAに投射される投影光束EL2(第2投影光束EL2b)の照度を調整することができる。
The
このように構成された投影光学系PLにおいて、マスクMからの第1投影光束EL2aは、照明領域IRからマスク面P1の法線方向(第1軸AX1を中心とする径方向)に出射し、1/4波長板41、偏光ビームスプリッタPBS及び像シフト用光学部材65を通って反射光学系62に入射する。反射光学系62に入射した第1投影光束EL2aは、反射光学系62の第1偏向部材76の第1反射面P3で反射され、部分光学系61に入射する。部分光学系61に入射した第1投影光束EL2aは、部分光学系61の第1レンズ群71を通って第1凹面鏡72で反射される。第1凹面鏡72で反射された第1投影光束EL2aは、再び第1レンズ群71を通って部分光学系61から出射する。部分光学系61から出射した第1投影光束EL2aは、反射光学系62の第2偏向部材77の第2反射面P4で反射されて、投影視野絞り63に入射する。投影視野絞り63を通った第2投影光束EL2bは、反射光学系62の第3偏向部材78の第3反射面P5で反射され、部分光学系61に再び入射する。部分光学系61に入射した第2投影光束EL2bは、部分光学系61の第1レンズ群71を通って第1凹面鏡72で反射される。第1凹面鏡72で反射された第2投影光束EL2bは、再び第1レンズ群71を通って部分光学系61から出射する。部分光学系61から出射した第2投影光束EL2bは、反射光学系62の第4偏向部材79の第4反射面P6で反射されて、フォーカス補正光学部材64及び倍率補正用光学部材66に入射する。倍率補正用光学部材66から出射した第2投影光束EL2bは、基板P上の投影領域PAに入射し、照明領域IR内に現れるマスクパターンの像が投影領域PAに等倍(×1)で投影される。
In the projection optical system PL configured in this way, the first projection light beam EL2a from the mask M is emitted from the illumination region IR in the normal direction of the mask surface P1 (radial direction centered on the first axis AX1), The light enters the reflection
<デバイス製造方法>
次に、図6を参照して、デバイス製造方法について説明する。図6は、第1実施形態のデバイス製造方法を示すフローチャートである。<Device manufacturing method>
Next, a device manufacturing method will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a flowchart illustrating the device manufacturing method according to the first embodiment.
図6に示すデバイス製造方法では、まず、例えば有機EL等の自発光素子による表示パネルの機能・性能設計を行い、必要な回路パターンや配線パターンをCAD等で設計する(ステップS201)。次いで、CAD等で設計された各種レイヤー毎のパターンに基づいて、必要なレイヤー分のマスクMを製作する(ステップS202)。また、表示パネルの基材となる可撓性の基板P(樹脂フィルム、金属箔膜、プラスチック等)が巻かれた供給用ロールFR1を準備しておく(ステップS203)。なお、このステップS203にて用意しておくロール状の基板Pは、必要に応じてその表面を改質したもの、下地層(例えばインプリント方式による微小凹凸)を事前形成したもの、光感応性の機能膜や透明膜(絶縁材料)を予めラミネートしたもの、でも良い。 In the device manufacturing method shown in FIG. 6, first, the function / performance design of a display panel using a self-luminous element such as an organic EL is performed, and necessary circuit patterns and wiring patterns are designed by CAD or the like (step S201). Next, a mask M for a necessary layer is manufactured based on the pattern for each layer designed by CAD or the like (step S202). In addition, a supply roll FR1 around which a flexible substrate P (resin film, metal foil film, plastic, or the like) serving as a display panel base material is wound is prepared (step S203). The roll-shaped substrate P prepared in step S203 has a surface modified as necessary, a pre-formed base layer (for example, micro unevenness by an imprint method), and light sensitivity. The functional film or transparent film (insulating material) previously laminated may be used.
次いで、基板P上に表示パネルデバイスを構成する電極や配線、絶縁膜、TFT(薄膜半導体)等によって構成されるバックプレーン層を形成すると共に、そのバックプレーンに積層されるように、有機EL等の自発光素子による発光層(表示画素部)が形成される(ステップS204)。このステップS204には、先の各実施形態で説明した露光装置U3を用いて、フォトレジスト層を露光する従来のフォトリソグラフィ工程も含まれるが、フォトレジストの代わりに感光性シランカップリング材を塗布した基板Pをパターン露光して表面に親撥水性によるパターンを形成する露光工程、光感応性の触媒層をパターン露光し無電解メッキ法によって金属膜のパターン(配線、電極等)を形成する湿式工程、或いは、銀ナノ粒子を含有した導電性インク等によってパターンを描画する印刷工程、等による処理も含まれる。 Next, a backplane layer composed of electrodes, wiring, insulating film, TFT (thin film semiconductor), etc. constituting the display panel device is formed on the substrate P, and an organic EL or the like is laminated on the backplane. A light emitting layer (display pixel portion) is formed by the self light emitting element (step S204). This step S204 includes a conventional photolithography process in which the photoresist layer is exposed using the exposure apparatus U3 described in the previous embodiments, but a photosensitive silane coupling material is applied instead of the photoresist. Patterning the exposed substrate P to form a pattern based on hydrophilicity and water repellency on the surface, and wet processing for patterning the photosensitive catalyst layer and patterning the metal film (wiring, electrode, etc.) by electroless plating The process includes a process or a printing process in which a pattern is drawn with a conductive ink containing silver nanoparticles, or the like.
次いで、ロール方式で長尺の基板P上に連続的に製造される表示パネルデバイス毎に、基板Pをダイシングしたり、各表示パネルデバイスの表面に、保護フィルム(耐環境バリア層)やカラーフィルターシート等を貼り合せたりして、デバイスを組み立てる(ステップS205)。次いで、表示パネルデバイスが正常に機能するか、所望の性能や特性を満たしているかの検査工程が行なわれる(ステップS206)。以上のようにして、表示パネル(フレキシブル・ディスプレー)を製造することができる。 Next, the substrate P is diced for each display panel device continuously manufactured on the long substrate P by a roll method, or a protective film (environmental barrier layer) or a color filter is formed on the surface of each display panel device. A device is assembled by pasting sheets or the like (step S205). Next, an inspection process is performed to determine whether the display panel device functions normally or satisfies desired performance and characteristics (step S206). As described above, a display panel (flexible display) can be manufactured.
以上、第1実施形態は、投影光学系PL(投影光学モジュールPLM)と協働する反射光学系62によって、第1入射視野、第1出射視野、第2入射視野及び第2出射視野を相互に分離することができるため、第1投影光束EL2aからの漏れ光の発生を抑制できる。このため、反射光学系62は、基板P上に漏れ光が投射され難い構成にできるため、基板P上に投影露光される像の品質劣化を防止することができる。
As described above, in the first embodiment, the first incident visual field, the first outgoing visual field, the second incident visual field, and the second outgoing visual field are mutually changed by the reflection
また、第1実施形態は、投影領域PAを、走査方向の長さ/幅方向の長さ≦1/4にすることができるため、反射光学系62における第1投影光束EL2a及び第2投影束EL2bの視野、つまり、第1入射視野、第1出射視野、第2入射視野及び第2出射視野を重複せずに分離することが可能となる。
Further, in the first embodiment, since the projection area PA can be set to the length in the scanning direction / the length in the width direction ≦ 1/4, the first projection light beam EL2a and the second projection bundle in the reflective
また、第1実施形態は、照明光束EL1を、レーザ光にすることができるため、投影領域PAに投射される第2投影光束EL2bの照度を好適に確保することができる。 In the first embodiment, since the illumination light beam EL1 can be converted into laser light, the illuminance of the second projection light beam EL2b projected on the projection area PA can be suitably ensured.
なお、第1実施形態では、屈折レンズ71aに入射する第1投影光束EL2a及び第2投影光束EL2bを、屈折レンズ71aの上方側とし、屈折レンズ71aから出射する第1投影光束EL2a及び第2投影光束EL2bを、屈折レンズ71aの下方側とした。しかしながら、第1入射視野、第1出射視野、第2入射視野及び第2出射視野を相互に分離できれば、屈折レンズ71aに対する第1投影光束EL2a及び第2投影光束EL2bの入射位置及び出射位置は特に限定されない。
In the first embodiment, the first projection light beam EL2a and the second projection light beam EL2b incident on the
[第2実施形態]
次に、図7を参照して、第2実施形態の露光装置U3について説明する。なお、第2実施形態では、第1実施形態と重複する記載を避けるべく、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成要素については、第1実施形態と同じ符号を付して説明する。図7は、第2実施形態の露光装置の照明光学系及び投影光学系の構成を示す図である。第1実施形態の露光装置U3は、投影光学系PLの反射光学系62において視野分離を行うことで、漏れ光を生じ難くした。第2実施形態の露光装置U3は、投影光学系PLの反射光学系100において、投影光束EL2により形成される投影像の結像位置と、漏れ光により形成される不良像の結像位置とを、基板Pの走査方向において異ならせている。[Second Embodiment]
Next, an exposure apparatus U3 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. In the second embodiment, only parts that are different from the first embodiment will be described in order to avoid the description overlapping with the first embodiment, and the same components as those in the first embodiment are the same as those in the first embodiment. A description will be given with reference numerals. FIG. 7 is a view showing a configuration of an illumination optical system and a projection optical system of the exposure apparatus of the second embodiment. The exposure apparatus U3 of the first embodiment makes it difficult for leakage light to occur by performing field separation in the reflection
第2実施形態の露光装置U3において、投影光学系PLは、マスクMからの投影光束EL2の入射側から順に、1/4波長板41と、偏光ビームスプリッタPBSと、投影光学モジュールPLMとを有し、投影光学モジュールPLMは、部分光学系61と、反射光学系(導光光学系)100と、投影視野絞り63とを含む。また、投影光学モジュールPLMは、第1実施形態と同様に、フォーカス補正光学部材64、像シフト用光学部材65、倍率補正用光学部材66、ローテーション補正機構67及び偏光調整機構68を含む。なお、1/4波長板41、偏光ビームスプリッタPBS、部分光学系61、投影視野絞り63、フォーカス補正光学部材64、像シフト用光学部材65、倍率補正用光学部材66、ローテーション補正機構67及び偏光調整機構68は、同様の構成であるため、説明を省略する。
In the exposure apparatus U3 of the second embodiment, the projection optical system PL includes a
反射光学系100は、第1偏光ビームスプリッタ(第1反射部材)PBS1と、第2偏光ビームスプリッタ(第2反射部材)PBS2と、1/2波長板104と、第1偏向部材(第1光学部材及び第3反射部)105と、第2偏向部材(第2光学部材及び第4反射部)106と、第1遮光板111と、第2遮光板112とを備える。第1偏光ビームスプリッタPBS1は、第1偏光分離面P10を有している。第1偏光分離面P10は、偏光ビームスプリッタPBS1からの第1投影光束EL2aを反射させ、反射させた第1投影光束EL2aを第1レンズ群71の屈折レンズ71aに入射させる。また、第1偏光分離面P10は、中間像面P7からの第2投影光束EL2bを透過させ、透過させた第2投影光束EL2bを第1レンズ群71の屈折レンズ71aに入射させる。第2偏光ビームスプリッタPBS2は、第2偏光分離面P11を有している。第2偏光分離面P11は、第1レンズ群71の屈折レンズ71aからの第1投影光束EL2aを透過させ、透過させた第1投影光束EL2aを第1偏向部材105に入射させる。また、第2偏光分離面P11は、第1レンズ群71の屈折レンズ71aからの第2投影光束EL2bを反射させ、反射させた第2投影光束EL2bを基板P上に入射させる。1/2波長板104は、第1偏光ビームスプリッタPBS1で反射されたS偏光の第1投影光束EL2aを、P偏光の第1投影光束EL2aに変換する。また、1/2波長板104は、第1偏光ビームスプリッタPBS1を透過したP偏光の第2投影光束EL2bを、S偏光の第2投影光束EL2bに変換する。第1偏向部材105は、第1反射面P12を有する反射ミラーである。第1反射面P12は、第2偏光ビームスプリッタPBS2を透過した第1投影光束EL2aを反射させ、反射させた第1投影光束EL2aを中間像面P7に設けられた投影視野絞り63に入射させる。第2偏向部材106は、第2反射面P13を有する反射ミラーである。第2反射面P13は、投影視野絞り63からの第2投影光束EL2bを反射させ、反射させた第2投影光束EL2bを第1偏光ビームスプリッタPBS1に入射させる。このように、第1偏向部材105と第2偏向部材106とは、部分光学系61からの第1投影光束EL2aを、再び部分光学系61に向けて折り返すように反射させる折返し反射鏡として機能している。
The reflective
なお、反射光学系100に第1偏光ビームスプリッタPBS1を設けたことから、偏光ビームスプリッタPBSを透過したP偏光の投影光束を、第1偏光ビームスプリッタPBS1で反射させるべく、偏光ビームスプリッタPBSと第1偏光ビームスプリッタPBS1との間に、1/2波長板107が設けられている。
Since the first polarizing beam splitter PBS1 is provided in the reflective
第1遮光板111は、第2偏光ビームスプリッタPBS2と基板Pとの間に設けられている。第1遮光板111は、第2偏光ビームスプリッタPBS2に入射した第1投影光束EL2aの一部が、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11を透過せずに反射した反射光(漏れ光)を遮光可能な位置に設けられている。
The first
第2遮光板112は、第1偏光ビームスプリッタPBS1と第2偏光ビームスプリッタPBS2との間に設けられている。第2遮光板112は、第1偏光ビームスプリッタPBS1から第2偏光ビームスプリッタPBS2に漏洩する漏れ光を遮光している。
The second
偏光ビームスプリッタPBSからのP偏光の第1投影光束EL2aは、像シフト用光学部材65を通過し、1/2波長板107を透過する。1/2波長板107を透過した第1投影光束EL2aは、S偏光に変換された後、第1偏光ビームスプリッタPBS1に入射する。第1偏光ビームスプリッタPBS1に入射したS偏光の第1投影光束EL2aは、第1偏光ビームスプリッタPBS1の第1偏光分離面P10で反射される。第1偏光分離面P10で反射されたS偏光の第1投影光束EL2aは、1/2波長板104を透過する。1/2波長板104を透過した第1投影光束EL2aは、P偏光に変換された後、第1レンズ群71に入射する。第1レンズ群71に入射した第1投影光束EL2aは、屈折レンズ71aを含む複数のレンズ部材を通過した後、第1凹面鏡72に入射する。このとき、第1投影光束EL2aは、第1レンズ群71において、屈折レンズ71aの上方側の視野領域(第1入射視野)を通る。第1凹面鏡72に入射した第1投影光束EL2aは、第1凹面鏡72で反射される。第1凹面鏡72で反射された第1投影光束EL2aは、第1レンズ群71に入射して、屈折レンズ71aを含む複数のレンズ部材を通過した後、第1レンズ群71から出射する。このとき、第1投影光束EL2aは、第1レンズ群71において、屈折レンズ71aの下方側の視野領域(第1出射視野)を通る。第1レンズ群71から出射した第1投影光束EL2aは、第2偏光ビームスプリッタPBS2に入射する。第2偏光ビームスプリッタPBS2に入射したP偏光の第1投影光束EL2aは、第2偏光分離面P11を透過する。第2偏光分離面P11を透過した第1投影光束EL2aは、第1偏向部材105に入射し、第1偏向部材105の第1反射面P12で反射される。第1反射面P12で反射された第1投影光束EL2aは、投影視野絞り63に入射する。投影視野絞り63に入射した第1投影光束EL2aは、照明領域IRにおけるマスクパターンの倒立像となる中間像を形成する。
The P-polarized first projection light beam EL <b> 2 a from the polarization beam splitter PBS passes through the image shift
投影視野絞り63からの第2投影光束EL2bは、第2偏向部材106の第2反射面P13で反射される。第2反射面P13で反射された第2投影光束EL2bは、第1偏光ビームスプリッタPBS1に入射する。第1偏光ビームスプリッタPBS1に入射したP偏光の第2投影光束EL2bは、第1偏光分離面P10を透過する。第1偏光分離面P10を透過したP偏光の第2投影光束EL2bは、1/2波長板104を透過する。1/2波長板104を透過した第2投影光束EL2bは、S偏光に変換された後、第1レンズ群71に入射する。第1レンズ群71に入射した第2投影光束EL2bは、屈折レンズ71aを含む複数のレンズ部材を通過した後、第1凹面鏡72に入射する。このとき、第2投影光束EL2bは、第1レンズ群71において、屈折レンズ71aの上方側の視野領域(第2入射視野)を通る。第1凹面鏡72に入射した第2投影光束EL2bは、第1凹面鏡72で反射される。第1凹面鏡72で反射された第2投影光束EL2bは、第1レンズ群71に入射して、屈折レンズ71aを含む複数のレンズ部材を通過した後、第1レンズ群71から出射する。このとき、第2投影光束EL2bは、第1レンズ群71において、屈折レンズ71aの下方側の視野領域(第2出射視野)を通る。第1レンズ群71から出射した第2投影光束EL2bは、第2偏光ビームスプリッタPBS2に入射する。第2偏光ビームスプリッタPBS2に入射したS偏光の第2投影光束EL2bは、第2偏光分離面P11で反射される。第2偏光分離面P11で反射された第2投影光束EL2bは、フォーカス補正光学部材64及び倍率補正用光学部材66を通過し、基板P上の投影領域PAに投射される。投影領域PAに投射された第2投影光束EL2bは、照明領域IRにおけるマスクパターンの正立像となる投影像を形成する。このとき、照明領域IRにおけるマスクパターンの像は、投影領域PAに等倍(×1)で投影される。
The second projection light beam EL2b from the
ここで、第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、第1偏向部材105及び第2偏向部材106は、第2偏光ビームスプリッタPBS2で反射された第2投影光束EL2bによって形成される投影像の結像位置と、第2偏光ビームスプリッタPBS2で反射された第1投影光束EL2aの一部である漏れ光によって形成される不良像の結像位置とが、基板Pの走査方向において異ならせる配置となっている。具体的には、第1偏光ビームスプリッタPBS1の第1偏光分離面P10に対して、第1投影光束EL2aの入射位置と、第2投影光束EL2bの入射位置とが異なるように、第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、第1偏向部材105及び第2偏向部材106を配置している。このような配置とすることで、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11に対して、第2投影光束EL2bの入射位置と、第1投影光束EL2aの入射位置とを異ならせることができる。よって、第2偏光分離面P11で反射した第2投影光束EL2bの投影像の結像位置と、第2偏光分離面P11で反射した第1投影光束EL2aの一部となる漏れ光の不良像の結像位置とを、基板Pの走査方向において異ならせることができる。
Here, the first polarization beam splitter PBS1, the second polarization beam splitter PBS2, the
この場合、第1遮光板111は、第2偏光ビームスプリッタPBS2から基板Pへ向かう漏れ光を遮光する位置に設けられる。このため、第1遮光板111は、第2偏光ビームスプリッタPBS2から基板Pへ向かう第2投影光束EL2bの基板Pに対する投影を許容しつつ、第2偏光ビームスプリッタPBS2から基板Pへ向かう漏れ光を遮光する。
In this case, the first
このように、第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、第1偏向部材105、第2偏向部材106及び第1遮光板111は、基板Pの走査方向において、投影像の結像位置と不良像の結像位置とを異ならせ、第1遮光板111により漏れ光を遮光する。そのため、反射光学系100は、基板P上に投射される漏れ光の光量を低減する光量低減部として機能する。
As described above, the first polarizing beam splitter PBS1, the second polarizing beam splitter PBS2, the first deflecting
また、第1偏光ビームスプリッタPBS1の第1偏光分離面P10における第1投影光束EL2aの入射位置と、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11における第1投影光束EL2aの入射位置とは、第2光軸BX2を挟んで対称な位置となる。また、第1偏光ビームスプリッタPBS1の第1偏光分離面P10における第2投影光束EL2bの入射位置と、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11における第2投影光束EL2bの入射位置とは、第2光軸BX2を挟んで対称な位置となる。換言すれば、第1偏光ビームスプリッタPBS1の第1偏光分離面P10における第1投影光束EL2aの入射位置と、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11における第2投影光束EL2bの入射位置とは、第2光軸BX2を挟んで非対称な位置となる。 Further, the incident position of the first projection light beam EL2a on the first polarization separation surface P10 of the first polarization beam splitter PBS1 and the incidence position of the first projection light beam EL2a on the second polarization separation surface P11 of the second polarization beam splitter PBS2 The positions are symmetrical with respect to the second optical axis BX2. Further, the incident position of the second projection light beam EL2b on the first polarization separation surface P10 of the first polarization beam splitter PBS1 and the incidence position of the second projection light beam EL2b on the second polarization separation surface P11 of the second polarization beam splitter PBS2 The positions are symmetrical with respect to the second optical axis BX2. In other words, the incident position of the first projection light beam EL2a on the first polarization separation surface P10 of the first polarization beam splitter PBS1 and the incidence position of the second projection light beam EL2b on the second polarization separation surface P11 of the second polarization beam splitter PBS2. Is an asymmetric position across the second optical axis BX2.
第1偏光分離面P10における第1投影光束EL2aの入射位置と、第2偏光分離面P11における第2投影光束EL2bの入射位置とが、第2光軸BX2を挟んで非対称な位置となる場合、投影領域PAは、照明領域IRに対してX方向(第2光軸方向)にシフトした位置となる。この場合、マスクM上の照明領域IR1(及びIR3,IR5)の中心点から照明領域IR2(及びIR4,IR6)の中心点までの周長と、基板P上の投影領域PA1(及びPA3,PA5)の中心点から第2投影領域PA2(及びPA4,PA6)の中心点までの周長とを同じ長さにするために、第1投影光学系PL1(及びPL3,PL5)と第2投影光学系PL2(及びPL4,PL6)とを一部異なる構成としている。 When the incident position of the first projection light beam EL2a on the first polarization separation surface P10 and the incidence position of the second projection light beam EL2b on the second polarization separation surface P11 are asymmetric positions across the second optical axis BX2, The projection area PA is a position shifted in the X direction (second optical axis direction) with respect to the illumination area IR. In this case, the peripheral length from the center point of the illumination area IR1 (and IR3, IR5) on the mask M to the center point of the illumination area IR2 (and IR4, IR6), and the projection area PA1 (and PA3, PA5 on the substrate P). ) To the same length as the circumference from the center point of the second projection area PA2 (and PA4, PA6) to the center point of the second projection area PA2 (and PA4, PA6). The system PL2 (and PL4, PL6) is partially different.
奇数番(図7の左側)の第1投影光学系PL1(及びPL3,PL5)は、第1偏光ビームスプリッタPBS1の第1偏光分離面P10において、第1投影光束EL2aの入射位置が、第2投影光束EL2bの入射位置に比して、Z方向の上方側で、且つ、X方向の中心側に位置するように、第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、第1偏向部材105及び第2偏向部材106を配置している。このため、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11において、第2投影光束EL2bの入射位置は、第1投影光束EL2aの入射位置に比して、Z方向の上方側で、且つ、X方向の外側に位置することになる。
The odd-numbered first projection optical system PL1 (and PL3, PL5) on the left side in FIG. 7 has an incident position of the first projection light beam EL2a on the first polarization separation plane P10 of the first polarization beam splitter PBS1 as the second projection optical system PL1. The first polarizing beam splitter PBS1, the second polarizing beam splitter PBS2, and the first deflecting
つまり、第1投影光学系PL1は、Z方向において、第1偏光ビームスプリッタPBS1の反射部分、第2偏向部材106の反射部分、第2偏光ビームスプリッタPBS2の反射部分、第1偏向部材105の反射部分の順となっている。このため、図7に示すとおり、第2偏向部材106は、全結像視野CIFに沿った方向(Z方向)に関して、第1偏光ビームスプリッタPBS1の反射部分と第2偏光ビームスプリッタPBS2の反射部分との間に配置される。また、第1投影光学系PL1では、第1偏光ビームスプリッタPBS1及び第2偏光ビームスプリッタPBS2の反射部分の位置と、第1偏向部材105及び第2偏向部材106の位置とが、第2光軸BX2の方向に関して、異なる位置となる。
That is, in the Z direction, the first projection optical system PL1 has a reflection portion of the first polarization beam splitter PBS1, a reflection portion of the
偶数番(図7の右側)の第2投影光学系PL2(及びPL4,PL6)は、第1偏光ビームスプリッタPBS1の第1偏光分離面P10において、第1投影光束EL2aの入射位置が、第2投影光束EL2bの入射位置に比して、Z方向の下方側で、且つ、X方向の外側に位置するように、第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、第1偏向部材105及び第2偏向部材106を配置している。このため、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11において、第2投影光束EL2bの入射位置は、第1投影光束EL2aの入射位置に比して、Z方向の下方側で、且つ、X方向の中心側に位置することになる。
The even-numbered second projection optical system PL2 (and PL4, PL6) on the right side of FIG. 7 has an incident position of the first projection light beam EL2a on the first polarization separation plane P10 of the first polarization beam splitter PBS1 as the second projection optical system PL2. The first polarizing beam splitter PBS1, the second polarizing beam splitter PBS2, the first deflecting
つまり、第2投影光学系PL2は、Z方向において、第2偏向部材106の反射部分、第1偏光ビームスプリッタPBS1の反射部分、第1偏向部材105の反射部分、第2偏光ビームスプリッタPBS2の反射部分の順となっている。このため、図7に示すとおり、第1偏向部材105は、全結像視野CIFに沿った方向(Z方向)に関して、第1偏光ビームスプリッタPBS1の反射部分と第2偏光ビームスプリッタPBS2の反射部分との間に配置される。また、第2投影光学系PL2では、第1投影光学系PL1と同様に、第1偏光ビームスプリッタPBS1及び第2偏光ビームスプリッタPBS2の反射部分の位置と、第1偏向部材105及び第2偏向部材106の位置とが、第2光軸BX2の方向に関して、異なる位置となる。
That is, in the Z direction, the second projection optical system PL2 reflects the reflection part of the
さらに、第1偏光ビームスプリッタPBS1の反射部分、第2偏光ビームスプリッタPBS2の反射部分、第1偏向部材105、及び第2偏向部材106は、スリット状の第1入射視野、第1出射視野、第2入射視野、及び第2出射視野の4つの視野(図5中に示したIR,Img1,Img2,PAに相当)のいずれにも対応するような長方形に形成されると共に、全結像視野CIFに沿ったスリットの幅方向(Z方向)に関して互いに分離して配置される。なお、図5において、奇数番の第1投影光学系PL1(及びPL3,PL5)の場合は、Z方向の上方から順に、照明領域IR、中間像Img2、投影領域PA、中間像Img1となる。一方で、偶数番の第2投影光学系PL2(及びPL4,PL6)の場合は、Z方向の上方から順に、中間像Img2、照明領域IR、中間像Img1、投影領域PAとなる。
Further, the reflecting portion of the first polarizing beam splitter PBS1, the reflecting portion of the second polarizing beam splitter PBS2, the first deflecting
上記のように、第1投影光学系PL1(及びPL3,PL5)と第2投影光学系PL2(及びPL4,PL6)とを一部異なる構成とすることで、マスクM上の照明領域IR1(及びIR3,IR5)の中心点から照明領域IR2(及びIR4,IR6)の中心点までの周長ΔDmと、基板P上の投影領域PA1(及びPA3,PA5)の中心点から第2投影領域PA2(及びPA4,PA6)の中心点までの周長ΔDsとを同じ長さにすることができる。このとき、投影領域PAは、照明領域IRに対してX方向(第2光軸BX2方向)にシフトした位置となることから、マスク保持ドラム21の第1軸AX1と基板支持ドラム25の第2軸AX2とは、照明領域IRに対する投影領域PAの周方向におけるシフト量に応じて、第2光軸BX2方向にシフトされる。
As described above, the first projection optical system PL1 (and PL3, PL5) and the second projection optical system PL2 (and PL4, PL6) are partially different from each other, so that the illumination region IR1 (and IR3 from the center point of IR3, IR5) to the center point of illumination area IR2 (and IR4, IR6), and second projection area PA2 (from the center point of projection area PA1 (and PA3, PA5) on substrate P) And the peripheral length ΔDs to the center point of PA4 and PA6) can be made the same length. At this time, the projection area PA is at a position shifted in the X direction (the second optical axis BX2 direction) with respect to the illumination area IR, and therefore the first axis AX1 of the
以上、第2実施形態は、反射光学系100において、第2投影光束EL2bにより形成される投影像の結像位置と、第1投影光束EL2aからの漏れ光により形成される不良像の結像位置とを、基板Pの走査方向において異ならせ、第1遮光板111により漏れ光を遮光することができる。このため、反射光学系100は、基板P上に投射される漏れ光を遮光することができるため、基板P上に投影像を好適に投影することができる。
As described above, in the second embodiment, in the reflective
なお、第2実施形態は、反射光学系100において、第1投影光束EL2a及び第2投影束EL2bの視野、つまり、第1入射視野、第1出射視野、第2入射視野及び第2出射視野を分割してもよいし、一部が重複してもよい。つまり、第2実施形態は、第1投影光束EL2a及び第2投影束EL2bの視野を、第1実施形態のように分離する必要がないため、反射光学系100の各種光学部材の配置に関する自由度を高めることができる。
In the second embodiment, in the reflective
また、第2実施形態では、第1偏光ビームスプリッタPBS1と屈折レンズ71aとの間に1/2波長板104を設けたが、この構成に限定されない。例えば、第1偏光ビームスプリッタPBS1と屈折レンズ71aとの間に第1の1/4波長板を設け、且つ第2偏光ビームスプリッタPBS2と屈折レンズ71aとの間に第2の1/4波長板を設けてもよい。この場合、第1の1/4波長板と第2の1/4波長板とを一体にしてもよい。
In the second embodiment, the half-
[第3実施形態]
次に、図8を参照して、第3実施形態の露光装置U3について説明する。なお、第3実施形態でも、第2実施形態と重複する記載を避けるべく、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第2実施形態と同様の構成要素については、第2実施形態と同じ符号を付して説明する。図8は、第3実施形態の露光装置の投影光学系の構成を示す図である。第2実施形態の露光装置U3は、投影光学系PLの反射光学系100において、第2投影光束EL2bにより形成される投影像の結像位置と、漏れ光により形成される不良像の結像位置とを、基板Pの走査方向に異ならせた。第3実施形態の露光装置U3は、投影光学系PLの反射光学系130において、投影光束EL2により形成される投影像の結像位置と、漏れ光により形成される不良像の結像位置とを、深度方向(フォーカス方向)において異ならせている。なお、図8では、第3実施形態における説明を簡単にするために、部分光学系131及び反射光学系130のみを図示する。また、図8では、マスク面P1と基板PとをXY面に平行に配置し、マスク面P1からの第1投影光束EL2aの主光線をXY面に垂直にし、基板Pへの第2投影光束EL2bの主光線をXY面に垂直にしている。[Third Embodiment]
Next, an exposure apparatus U3 according to the third embodiment will be described with reference to FIG. In the third embodiment, only parts different from the second embodiment will be described in order to avoid description overlapping with the second embodiment, and the same components as those in the second embodiment are the same as those in the second embodiment. A description will be given with reference numerals. FIG. 8 is a view showing the arrangement of the projection optical system of the exposure apparatus of the third embodiment. The exposure apparatus U3 according to the second embodiment includes an imaging position of a projection image formed by the second projection light beam EL2b and an imaging position of a defective image formed by leakage light in the reflection
第3実施形態の投影光学系PLにおいて、部分光学系131は、屈折レンズ71aと、第1凹面鏡72とを備える。なお、屈折レンズ71a及び第1凹面鏡72は、第1実施形態と第2実施形態と同様の構成であるため説明を省略する。また、部分光学系131において、第2実施形態と同様に、屈折レンズ71aと第1凹面鏡72との間に、複数のレンズ部材を配置してもよい。
In the projection optical system PL of the third embodiment, the partial
反射光学系130は、第1偏光ビームスプリッタ(第1反射部材)PBS1と、第2偏光ビームスプリッタ(第2反射部材)PBS2と、1/2波長板104と、第1偏向部材(第1光学部材及び第3反射部)105と、第2偏向部材(第2光学部材及び第4反射部)106とを備える。なお、第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、1/2波長板104、第1偏向部材105及び第2偏向部材106は、第2実施形態と一部角度等が異なるものの、ほぼ同様の構成であるため説明を省略する。
The reflective
ここで、図8には、マスク面P1から第1偏光ビームスプリッタPBS1に入射する第1投影光束EL2aを、第1偏光ビームスプリッタPBS1の第1偏光分離面P10を中心に面対称とした仮想上の第1投影光束EL3を図示している。このとき、仮想上の第1投影光束EL3を結像した面が仮想的なマスク面P15となる。また、図8には、第2偏光ビームスプリッタPBS2から第1偏向部材105に入射する第1投影光束EL2aを、第1偏向部材105の第1反射面P12を中心に面対称とした仮想上の第1投影光束EL4を図示している。このとき、仮想上の第1投影光束EL4を結像した面が仮想的な中間像面P16となる。
Here, FIG. 8 is a hypothetical view in which the first projection light beam EL2a incident on the first polarization beam splitter PBS1 from the mask surface P1 is symmetric with respect to the first polarization separation surface P10 of the first polarization beam splitter PBS1. The first projection light beam EL3 is shown. At this time, the surface on which the virtual first projection light beam EL3 is imaged becomes a virtual mask surface P15. Further, FIG. 8 shows a hypothetical case in which the first projection light beam EL2a incident on the
第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、第1偏向部材105及び第2偏向部材106は、第2偏光ビームスプリッタPBS2で反射された第2投影光束EL2bによって形成される投影像の結像位置と、第2偏光ビームスプリッタPBS2で反射された第1投影光束EL2aの一部である漏れ光によって形成される不良像の結像位置とが、フォーカスの深度方向(即ち、結像光束の主光線に沿った方向)において異なるような配置となっている。具体的には、仮想上の第1投影光束EL3の仮想的なマスク面P15における投影像の結像位置を深度方向に深くし、仮想上の第1投影光束EL4の仮想的な中間像面P16における不良像の結像位置を深度方向に浅くするように、第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、第1偏向部材105及び第2偏向部材106を配置している。
The first polarizing beam splitter PBS1, the second polarizing beam splitter PBS2, the first deflecting
このような配置とすることで、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11で反射される第2投影光束EL2bによって、基板P上において良好な投影像が形成される。また、第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11で反射される第1投影光束EL2aの一部である漏れ光は、基板Pの手前側でマスクパターンの不良像を形成する。つまり、第2投影光束EL2bによって形成される投影像の結像位置は基板P上の投影領域PAとなり、漏れ光によって形成される不良像の結像位置は第2偏光ビームスプリッタPBS2と基板Pとの間の位置となる。よって、不良像の結像位置が第2偏光ビームスプリッタPBS2と基板Pとの間にあるため、基板P上に投射される漏れ光によって生成される不良像は、極めてぼやけた状態となる。 With such an arrangement, a good projection image is formed on the substrate P by the second projection light beam EL2b reflected by the second polarization separation surface P11 of the second polarization beam splitter PBS2. Further, leakage light that is part of the first projection light beam EL2a reflected by the second polarization separation surface P11 of the second polarization beam splitter PBS2 forms a defective image of the mask pattern on the front side of the substrate P. In other words, the image formation position of the projection image formed by the second projection light beam EL2b is the projection area PA on the substrate P, and the image formation position of the defective image formed by the leaked light is the second polarization beam splitter PBS2 and the substrate P. Between the positions. Therefore, since the image position of the defective image is between the second polarization beam splitter PBS2 and the substrate P, the defective image generated by the leaked light projected on the substrate P is extremely blurred.
このように、第1偏光ビームスプリッタPBS1、第2偏光ビームスプリッタPBS2、第1偏向部材105、第2偏向部材106は、深度方向において、投影像の結像位置と不良像の結像位置とを異ならせるため、反射光学系130が、基板P上に投射される漏れ光の光量を低減する光量低減部として機能する。
As described above, the first polarizing beam splitter PBS1, the second polarizing beam splitter PBS2, the first deflecting
また、仮想上の第1投影光束EL3の仮想的なマスク面P15における投影像の結像位置を深度方向に深くし、仮想上の第1投影光束EL4の仮想的な中間像面P16における不良像の結像位置を深度方向に浅くすることで、マスク面P1から第1偏光ビームスプリッタPBS1に至る光路を長くし、第2偏光ビームスプリッタPBS2から中間像面P7に至る光路を短くしている。このため、第2偏光ビームスプリッタPBS2から中間像面P7を介して第1偏光ビームスプリッタPBS1に折り返す光路を短くできる。 Further, the imaging position of the projected image of the virtual first projection light beam EL3 on the virtual mask surface P15 is deepened in the depth direction, and the defective image of the virtual first projection light beam EL4 on the virtual intermediate image surface P16. The optical path from the mask plane P1 to the first polarizing beam splitter PBS1 is lengthened, and the optical path from the second polarizing beam splitter PBS2 to the intermediate image plane P7 is shortened by making the imaging position in the depth direction shallow. For this reason, it is possible to shorten the optical path that is folded back from the second polarization beam splitter PBS2 to the first polarization beam splitter PBS1 via the intermediate image plane P7.
以上、第3実施形態は、反射光学系130において、第2投影光束EL2bにより形成される投影像の結像位置と、第1投影光束EL2aからの漏れ光により形成される不良像の結像位置とを、焦点深度の方向(結像光束の主光線に沿った方向)において異ならせることができる。このため、反射光学系130は、基板P上に投射される漏れ光を極めてぼやけた状態とすることができるため、基板P上に投射される漏れ光の光量を低減でき、基板P上に投射される投影像に与える影響を低減することができる。
As described above, according to the third embodiment, in the reflective
また、第3実施形態は、第1実施形態のように視野を分離したり、第2実施形態のように第2偏光分離面P11に対する入射位置を異ならせたりする必要がないため、反射光学系130における設計の自由度をより高めることができる。 In the third embodiment, since there is no need to separate the field of view as in the first embodiment or to change the incident position with respect to the second polarization separation surface P11 as in the second embodiment, the reflective optical system is not required. The degree of freedom in design at 130 can be further increased.
[第4実施形態]
次に、図9を参照して、第4実施形態の露光装置U3について説明する。なお、第4実施形態でも、重複する記載を避けるべく、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成要素については、第1実施形態と同じ符号を付して説明する。図9は、第4実施形態の露光装置(基板処理装置)の全体構成を示す図である。第1実施形態の露光装置U3は、基板Pを、円周面となる支持面P2を有する基板支持ドラム25により支持する構成であったが、第4実施形態の露光装置U3は、基板Pを平面状に支持する構成となっている。[Fourth Embodiment]
Next, an exposure apparatus U3 according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. In the fourth embodiment, only parts different from the first embodiment will be described in order to avoid overlapping descriptions, and the same components as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment. explain. FIG. 9 is a view showing the overall arrangement of an exposure apparatus (substrate processing apparatus) according to the fourth embodiment. Although the exposure apparatus U3 of the first embodiment is configured to support the substrate P by the
第4実施形態の露光装置U3において、基板支持機構150は、基板Pが掛け渡された一対の駆動ローラ151を有している。一対の駆動ローラ151は、第2駆動部26により回転し、基板Pを走査方向に移動させる。
In the exposure apparatus U3 of the fourth embodiment, the
従って、基板支持機構150は、駆動ローラR4から搬送された基板Pを、一方の駆動ローラ151から他方の駆動ローラ151に案内することで、一対の駆動ローラ151に基板Pが掛け渡される。基板支持機構150は、第2駆動部26により一対の駆動ローラ151を回転させることで、一対の駆動ローラ151に掛け渡された基板Pを、駆動ローラR5に案内する。
Accordingly, the
このとき、図9の基板Pは、実質的にXY面と平行な平面となるので、基板Pに投射される第2投影光束EL2bの主光線は、XY面と垂直になる。基板Pに投射される第2投影光束EL2bの主光線がXY面と垂直になる場合、第2投影光束EL2bの主光線に応じて、投影光学系PLの第2偏光ビームスプリッタPBS2の第2偏光分離面P11における角度も適宜変更される。 At this time, since the substrate P of FIG. 9 is a plane substantially parallel to the XY plane, the principal ray of the second projection light beam EL2b projected onto the substrate P is perpendicular to the XY plane. When the principal ray of the second projection light beam EL2b projected on the substrate P is perpendicular to the XY plane, the second polarization of the second polarization beam splitter PBS2 of the projection optical system PL according to the principal ray of the second projection light beam EL2b. The angle at the separation surface P11 is also changed as appropriate.
また、第4実施形態においても、先の図2と同様に、XZ面内で見たとき、マスクM上の照明領域IR1(及びIR3,IR5)の中心点から照明領域IR2(及びIR4,IR6)の中心点までの周長は、支持面P2に倣った基板P上の投影領域PA1(及びPA3,PA5)の中心点から第2投影領域PA2(及びPA4,PA6)の中心点までの周長と、実質的に等しく設定されている。 Also in the fourth embodiment, similarly to FIG. 2, the illumination region IR2 (and IR4, IR6) from the center point of the illumination region IR1 (and IR3, IR5) on the mask M when viewed in the XZ plane. ) To the center point of the projection area PA1 (and PA3, PA5) on the substrate P following the support surface P2 to the center point of the second projection area PA2 (and PA4, PA6). The length is set substantially equal.
図9の露光装置U3においても、下位制御装置16が、マスク保持ドラム21と一対の駆動ローラ151とを所定の回転速度比で同期回転させることによって、マスクMのマスク面P1に形成されたマスクパターンの像が、一対の駆動ローラ151に掛け渡された基板Pの表面に連続的に繰り返し投影露光される。
In the exposure apparatus U3 of FIG. 9 as well, the lower
以上、第4実施形態は、基板Pが平面状に支持される場合であっても、基板P上に形成される投影像に対する漏れ光の影響を低減できるため、基板P上に投影像を好適に投影することができる。 As described above, the fourth embodiment can reduce the influence of leakage light on the projection image formed on the substrate P even when the substrate P is supported in a planar shape. Can be projected.
また、以上の各実施形態では、円筒状のマスクMとして反射型を用いたが、透過型の円筒マスクであっても良い。その場合は、一定の肉厚の透過円筒体(石英管等)の外周面に遮光膜によるパターンを形成し、透過円筒体の内部から外周面に向けて、図3の左側に示すような複数の照明領域IR1〜IR6の各々に照明光を投射する照明光学系や光源部を、透過円筒体の内部に設ければ良い。そのような透過照明を行なう場合は、図2、図4、図7に示した偏向ビームスプリッタPBSや1/4波長板41等を省くことができる。
In each of the embodiments described above, the reflection type is used as the cylindrical mask M, but a transmission type cylindrical mask may be used. In that case, a pattern with a light-shielding film is formed on the outer peripheral surface of a transparent cylindrical body (quartz tube or the like) having a constant thickness, and a plurality of such as shown on the left side of FIG. What is necessary is just to provide the illumination optical system and light source part which project illumination light in each of these illumination area | regions IR1-IR6 in the inside of a transmission cylindrical body. When such transmitted illumination is performed, the deflecting beam splitter PBS, the
さらに、各実施形態では円筒状のマスクMを用いたが、典型的な平面マスクであっても良い。その場合は、図2で説明した円筒状マスクMの半径Rmを無限大と考えて、マスクパターンからの結像光束の主光線がマスク面と垂直になるように、例えば、図2中の第1偏向部材76の反射面P3の角度を設定すれば良い。
Furthermore, although the cylindrical mask M is used in each embodiment, a typical planar mask may be used. In that case, assuming that the radius Rm of the cylindrical mask M described in FIG. 2 is infinite, the principal ray of the imaging light beam from the mask pattern is perpendicular to the mask surface, for example, as shown in FIG. The angle of the reflection surface P3 of the one
また、以上の各実施形態では、基板P上に投影すべきパターンに対応した静的なパターンが形成されたマスク(ハードマスク)を用いたが、複数の投影光学モジュールPL1〜PL6の各照明領IR1〜IR6の位置(各投影光学モジュールの物面位置)に、多数の可動微少ミラーで構成されるDMD(マイクロ・ミラー・デバイス)やSLM(空間光変調素子)等を配置し、基板Pの搬送移動と同期してDMDやSLMによって動的なパターン光を生成しながら、基板Pにパターンを転写するマスクレス露光方式であっても良い。この場合、動的なパターンを生成するDMDやSLMが、マスク部材に相当する。 In each of the above embodiments, a mask (hard mask) on which a static pattern corresponding to the pattern to be projected on the substrate P is used. However, each illumination area of the plurality of projection optical modules PL1 to PL6 is used. DMD (micro mirror device) and SLM (spatial light modulation element) composed of a large number of movable micromirrors are arranged at positions IR1 to IR6 (object surface position of each projection optical module). A maskless exposure method may be used in which a pattern is transferred to the substrate P while dynamic pattern light is generated by a DMD or SLM in synchronization with the transport movement. In this case, the DMD or SLM that generates a dynamic pattern corresponds to the mask member.
1 デバイス製造システム
2 基板供給装置
4 基板回収装置
5 上位制御装置
11 マスク保持機構
12 基板支持機構
13 光源装置
16 下位制御装置
21 マスク保持ドラム
25 基板支持ドラム
31 光源部
32 導光部材
41 1/4波長板
51 コリメータレンズ
52 フライアイレンズ
53 コンデンサーレンズ
54 シリンドリカルレンズ
55 照明視野絞り
56 リレーレンズ
61 部分光学系
62 反射光学系
63 投影視野絞り
64 フォーカス補正光学部材
65 像シフト用光学部材
66 倍率補正用光学部材
67 ローテーション補正機構
68 偏光調整機構
71 第1レンズ群
72 第1凹面鏡
76 第1偏向部材
77 第2偏向部材
78 第3偏向部材
79 第4偏向部材
91 第1プリズム
92 第2プリズム
93 偏光分離面
100 反射光学系(第2実施形態)
104 1/2波長板(第2実施形態)
105 第1偏向部材(第2実施形態)
106 第2偏向部材(第2実施形態)
107 1/2波長板(第2実施形態)
111 第1遮光板(第2実施形態)
112 第2遮光板(第2実施形態)
130 反射光学系(第3実施形態)
131 部分光学系(第3実施形態)
150 基板支持機構(第4実施形態)
151 駆動ローラ(第4実施形態)
P 基板
FR1 供給用ロール
FR2 回収用ロール
U1〜Un 処理装置
U3 露光装置(基板処理装置)
M マスク
AX1 第1軸
AX2 第2軸
P1 マスク面
P2 支持面
P3 第1反射面
P4 第2反射面
P5 第3反射面
P6 第4反射面
P7 中間像面
P10 第1偏光分離面(第2実施形態)
P11 第2偏光分離面(第2実施形態)
P12 第1反射面(第2実施形態)
P13 第2反射面(第2実施形態)
P15 仮想上のマスク面(第3実施形態)
P16 仮想上の中間像面(第3実施形態)
EL1 照明光束
EL2a 第1投影光束
EL2b 第2投影光束
EL3 仮想上の第1投影光束(第3実施形態)
EL4 仮想上の第1投影光束(第3実施形態)
Rm 曲率半径
Rfa 曲率半径
CL 中心面
PBS 偏光ビームスプリッタ
PBS1 第1偏光ビームスプリッタ(第2実施形態)
PBS2 第2偏光ビームスプリッタ(第2実施形態)
IR1〜IR6 照明領域
IL1〜IL6 照明光学系
ILM 照明光学モジュール
PA1〜PA6 投影領域
PL1〜PL6 投影光学系
PLM 投影光学モジュール
BX1 第1光軸
BX2 第2光軸DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
104 1/2 wavelength plate (second embodiment)
105 First deflection member (second embodiment)
106 Second deflection member (second embodiment)
107 1/2 wavelength plate (second embodiment)
111 1st light-shielding plate (2nd Embodiment)
112 2nd light-shielding plate (2nd Embodiment)
130 Reflective Optical System (Third Embodiment)
131 Partial optical system (third embodiment)
150 Substrate support mechanism (fourth embodiment)
151 Driving roller (fourth embodiment)
P substrate FR1 supply roll FR2 collection roll U1 to Un processing apparatus U3 exposure apparatus (substrate processing apparatus)
M Mask AX1 First axis AX2 Second axis P1 Mask surface P2 Support surface P3 First reflection surface P4 Second reflection surface P5 Third reflection surface P6 Fourth reflection surface P7 Intermediate image surface P10 First polarization separation surface (second embodiment) Form)
P11 Second polarization separation surface (second embodiment)
P12 1st reflective surface (2nd Embodiment)
P13 Second reflecting surface (second embodiment)
P15 Virtual mask surface (third embodiment)
P16 Virtual intermediate image plane (third embodiment)
EL1 Illumination beam EL2a First projection beam EL2b Second projection beam EL3 Virtual first projection beam (third embodiment)
EL4 Virtual first projection light beam (third embodiment)
Rm Curvature radius Rfa Curvature radius CL Center plane PBS Polarization beam splitter PBS1 First polarization beam splitter (second embodiment)
PBS2 Second polarization beam splitter (second embodiment)
IR1 to IR6 Illumination area IL1 to IL6 Illumination optical system ILM Illumination optical module PA1 to PA6 Projection area PL1 to PL6 Projection optical system PLM Projection optical module BX1 First optical axis BX2 Second optical axis
Claims (18)
前記第1投影光の一部が漏れ光として前記基板上に投射される光量を低減する光量低減部と、を備え、
前記投影光学系は、
前記パターンからの前記第1投影光を入射して、前記中間像を形成する部分光学系と、
前記部分光学系から射出された前記第1投影光を前記中間像面に導くと共に、前記中間像面からの前記第2投影光を再び前記部分光学系に導く導光光学系と、を有し、
前記部分光学系は、前記中間像面からの前記第2投影光を再結像して前記基板上に前記投影像を形成する
基板処理装置。A projection optical system that forms an intermediate image of the pattern on a predetermined intermediate image plane by the first projection light from the pattern of the mask member, and the second projection light that travels from the intermediate image plane to the predetermined substrate again A projection optical system that forms a projection image in which the intermediate image is re-imaged on the substrate by folding back so as to pass through the projection optical system;
A light amount reduction unit that reduces the amount of light projected onto the substrate as a part of the first projection light as leakage light,
The projection optical system is
A partial optical system that receives the first projection light from the pattern and forms the intermediate image;
A light guide optical system that guides the first projection light emitted from the partial optical system to the intermediate image plane and guides the second projection light from the intermediate image plane to the partial optical system again. ,
The partial optical system is a substrate processing apparatus that re-images the second projection light from the intermediate image plane to form the projection image on the substrate.
前記第1投影光及び前記第2投影光が入射するレンズ部材と、前記レンズ部材を通過した前記第1投影光及び前記第2投影光を反射する反射光学部材と、を含み、
前記パターンからの前記第1投影光は、前記レンズ部材に入射し、前記反射光学部材で反射された後、前記レンズ部材から出射して、前記中間像面に達し、
前記中間像面からの前記第2投影光は、前記レンズ部材に入射し、前記反射光学部材で反射された後、前記レンズ部材から出射して、前記基板上に達しており、
前記光量低減部は、前記導光光学系であり、
前記パターンからの前記第1投影光を前記レンズ部材に入射させる第1光学部材と、前記レンズ部材から出射する前記第1投影光を前記中間像面に入射させる第2光学部材と、前記中間像面からの前記第2投影光を前記レンズ部材に入射させる第3光学部材と、前記レンズ部材から出射する前記第2投影光を前記基板上に入射させる第4光学部材と、を含み、
前記レンズ部材に入射する前記第1投影光の第1入射視野と、前記レンズ部材から出射する前記第1投影光の第1出射視野と、前記レンズ部材に入射する前記第2投影光の第2入射視野と、前記レンズ部材から出射する前記第2投影光の第2出射視野とを相互に分離している
請求項1に記載の基板処理装置。The partial optical system is
A lens member on which the first projection light and the second projection light are incident, and a reflective optical member that reflects the first projection light and the second projection light that have passed through the lens member,
The first projection light from the pattern is incident on the lens member, reflected by the reflective optical member, and then emitted from the lens member to reach the intermediate image plane,
The second projection light from the intermediate image plane enters the lens member, is reflected by the reflective optical member, then exits the lens member, and reaches the substrate.
The light quantity reduction unit is the light guide optical system,
A first optical member that causes the first projection light from the pattern to enter the lens member; a second optical member that causes the first projection light emitted from the lens member to enter the intermediate image plane; and the intermediate image. A third optical member that makes the second projection light from a surface incident on the lens member, and a fourth optical member that makes the second projection light emitted from the lens member incident on the substrate,
A first incident field of the first projection light incident on the lens member; a first emission field of the first projection light emitted from the lens member; and a second of the second projection light incident on the lens member. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an incident field and a second emission field of the second projection light emitted from the lens member are separated from each other.
請求項1に記載の基板処理装置。The light quantity reduction unit makes an imaging position of the projection image formed by the second projection light different from an imaging position of a defective image formed by leakage light of a part of the first projection light. Item 2. The substrate processing apparatus according to Item 1.
前記第1投影光及び前記第2投影光が入射するレンズ部材と、前記レンズ部材を通過した前記第1投影光及び前記第2投影光を反射する反射光学部材と、を含み、
前記パターンからの前記第1投影光は、前記レンズ部材に入射し、前記反射光学部材で反射された後、前記レンズ部材から出射して、前記中間像面に達し、
前記中間像面からの前記第2投影光は、前記レンズ部材に入射し、前記反射光学部材で反射された後、前記レンズ部材から出射して、前記基板上に達しており、
前記光量低減部は、前記導光光学系であり、
前記パターンからの前記第1投影光を反射して前記レンズ部材に入射させ、且つ、前記中間像面からの前記第2投影光を透過して前記レンズ部材に入射させる第1偏光ビームスプリッタと、前記第1偏光ビームスプリッタから出射する前記第1投影光及び前記第2投影光を偏光する波長板と、前記レンズ部材から出射して前記波長板を通過した前記第1投影光を透過させて前記中間像面に入射させ、且つ、前記レンズ部材から出射して前記波長板を通過した前記第2投影光を反射させて前記基板上に向かわせる第2偏光ビームスプリッタと、前記第2偏光ビームスプリッタを透過した前記第1投影光を前記中間像面に入射させる第1光学部材と、前記中間像面からの前記第2投影光を前記第1偏光ビームスプリッタに入射させる第2光学部材と、前記第2偏光ビームスプリッタと前記基板との間に設けられる第1遮光板と、を含み、
前記第2偏光ビームスプリッタで反射された前記第2投影光により前記基板上に形成される前記投影像の結像位置と、前記第2偏光ビームスプリッタで透過されずに反射されて前記第1投影光の一部の漏れ光により前記基板上に形成される前記不良像の結像位置とを、前記基板を走査させる走査方向において異ならせ、
前記第1遮光板は、前記第2偏光ビームスプリッタから前記基板に向かう前記漏れ光を遮光する位置に設けられる
請求項3に記載の基板処理装置。The partial optical system is
A lens member on which the first projection light and the second projection light are incident, and a reflective optical member that reflects the first projection light and the second projection light that have passed through the lens member,
The first projection light from the pattern is incident on the lens member, reflected by the reflective optical member, and then emitted from the lens member to reach the intermediate image plane,
The second projection light from the intermediate image plane enters the lens member, is reflected by the reflective optical member, then exits the lens member, and reaches the substrate.
The light quantity reduction unit is the light guide optical system,
A first polarizing beam splitter that reflects the first projection light from the pattern and enters the lens member, and transmits the second projection light from the intermediate image plane and enters the lens member; A wavelength plate for polarizing the first projection light and the second projection light emitted from the first polarizing beam splitter; and the first projection light emitted from the lens member and passed through the wavelength plate to transmit the first projection light. A second polarization beam splitter that is incident on the intermediate image plane and that reflects the second projection light that has exited from the lens member and passed through the wave plate and directed toward the substrate; and the second polarization beam splitter A first optical member that causes the first projection light transmitted through the intermediate image plane to enter the intermediate image plane, and a second optical member that causes the second projection light from the intermediate image plane to enter the first polarization beam splitter. Includes a first shielding plate provided between the substrate and the second polarizing beam splitter,
The imaging position of the projection image formed on the substrate by the second projection light reflected by the second polarization beam splitter, and the first projection reflected by the second polarization beam splitter without being transmitted. The imaging position of the defective image formed on the substrate due to a part of the light leaked is changed in a scanning direction for scanning the substrate,
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the first light shielding plate is provided at a position for shielding the leakage light from the second polarizing beam splitter toward the substrate.
前記第1偏光ビームスプリッタから前記第2偏光ビームスプリッタへ向かう前記漏れ光を遮光する第2遮光板をさらに含む
請求項4に記載の基板処理装置。The light quantity reduction unit is
5. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a second light shielding plate that shields the leaked light from the first polarizing beam splitter toward the second polarizing beam splitter.
前記第1投影光及び前記第2投影光が入射するレンズ部材と、前記レンズ部材を通過した前記第1投影光及び前記第2投影光を反射する反射光学部材と、を含み、
前記パターンからの前記第1投影光は、前記レンズ部材に入射し、前記反射光学部材で反射された後、前記レンズ部材から出射して、前記中間像面に達し、
前記中間像面からの前記第2投影光は、前記レンズ部材に入射し、前記反射光学部材で反射された後、前記レンズ部材から出射して、前記基板上に達しており、
前記光量低減部は、前記導光光学系であり、
前記パターンからの前記第1投影光を反射して前記レンズ部材に入射させ、且つ、前記中間像面からの前記第2投影光を透過して前記レンズ部材に入射させる第1偏光ビームスプリッタと、前記第1偏光ビームスプリッタから出射する前記第1投影光及び前記第2投影光を偏光する波長板と、前記レンズ部材から出射して前記波長板を通過した前記第1投影光を透過させて前記中間像面に入射させ、且つ、前記レンズ部材から出射して前記波長板を通過した前記第2投影光を反射させて前記基板上に向かわせる第2偏光ビームスプリッタと、前記第2偏光ビームスプリッタを透過した前記第1投影光を前記中間像面に入射させる第1光学部材と、前記中間像面からの前記第2投影光を前記第1偏光ビームスプリッタに入射させる第2光学部材と、を含み、
前記第2偏光ビームスプリッタで反射された前記第2投影光により前記基板上に形成される前記投影像の結像位置と、前記第2偏光ビームスプリッタで透過されずに反射されて前記第1投影光の一部の漏れ光により形成される前記不良像の結像位置とを、焦点深度の方向において異ならせる
請求項3に記載の基板処理装置。The partial optical system is
A lens member on which the first projection light and the second projection light are incident, and a reflective optical member that reflects the first projection light and the second projection light that have passed through the lens member,
The first projection light from the pattern is incident on the lens member, reflected by the reflective optical member, and then emitted from the lens member to reach the intermediate image plane,
The second projection light from the intermediate image plane enters the lens member, is reflected by the reflective optical member, then exits the lens member, and reaches the substrate.
The light quantity reduction unit is the light guide optical system,
A first polarizing beam splitter that reflects the first projection light from the pattern and enters the lens member, and transmits the second projection light from the intermediate image plane and enters the lens member; A wavelength plate for polarizing the first projection light and the second projection light emitted from the first polarizing beam splitter; and the first projection light emitted from the lens member and passed through the wavelength plate to transmit the first projection light. A second polarization beam splitter that is incident on the intermediate image plane and that reflects the second projection light that has exited from the lens member and passed through the wave plate and directed toward the substrate; and the second polarization beam splitter A first optical member that causes the first projection light transmitted through the intermediate image plane to enter the intermediate image plane, and a second optical member that causes the second projection light from the intermediate image plane to enter the first polarization beam splitter. It includes,
The imaging position of the projection image formed on the substrate by the second projection light reflected by the second polarization beam splitter, and the first projection reflected by the second polarization beam splitter without being transmitted. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein an image formation position of the defective image formed by a part of light leakage is different in a depth of focus direction.
請求項6に記載の基板処理装置。The optical path of the first projection light from the pattern to the first polarization beam splitter is longer than an optical path of the first projection light from the second polarization beam splitter to the intermediate image plane. Substrate processing equipment.
前記投影像は、前記基板を走査させる走査方向の長さと前記走査方向に直交する幅方向の長さとの比である、走査方向の長さ/幅方向の長さが、1/4以下となるような細長い領域に制限されている
請求項1から7のいずれか1項に記載の基板処理装置。The substrate is scanned relative to the projected image;
In the projected image, the length in the scanning direction / the length in the width direction, which is the ratio of the length in the scanning direction for scanning the substrate and the length in the width direction orthogonal to the scanning direction, is ¼ or less. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is limited to such an elongated region.
前記照明光は、レーザー光である
請求項1から8のいずれか1項に記載の基板処理装置。An illumination optical system for guiding illumination light to the mask member;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the illumination light is laser light.
前記基板を支持面で支持する基板支持部材と、をさらに備え、
前記マスク部材のパターン面は、第1軸を中心とした第1の曲率半径となる第1円周面を有し、
前記基板支持部材の前記支持面は、第2軸を中心とした第2の曲率半径となる第2円周面を有し、
前記第1軸と前記第2軸とは平行になっており、
前記投影光学系は、前記パターン面に配置される複数の照明領域に対応させて複数設けられ、複数の前記投影光学系は、前記パターン面の複数の前記照明領域からの複数の前記第1投影光を、複数の前記中間像面へ導き、複数の前記中間像面からの複数の前記第2投影光を、前記基板上に配置される複数の投影領域へ導いており、
前記マスク保持部材及び前記基板支持部材は、複数の前記投影光学系が前記マスク部材の周方向に2列に並んで配置され、前記各投影光学系において前記パターン面の前記照明領域に対する前記基板の前記投影領域が周方向においてシフトする場合、前記第1軸に対する前記第2軸の位置が、前記照明領域に対する前記投影領域の周方向におけるシフト量に応じて異なる位置となっており、
1列目の前記投影光学系に対応する前記照明領域の中心と、2列目の前記投影光学系に対応する前記照明領域の中心とを前記マスク部材の周方向に沿って結んだ周長は、1列目の前記投影光学系に対応する前記投影領域の中心と、2列目の前記投影光学系に対応する前記投影領域の中心とを前記基板の周方向に沿って結んだ周長と同じ長さである
請求項1から9のいずれか1項に記載の基板処理装置。A mask holding member for holding the mask member;
A substrate support member that supports the substrate with a support surface;
The pattern surface of the mask member has a first circumferential surface having a first radius of curvature with the first axis as the center,
The support surface of the substrate support member has a second circumferential surface having a second radius of curvature around the second axis;
The first axis and the second axis are parallel,
A plurality of the projection optical systems are provided corresponding to a plurality of illumination areas arranged on the pattern surface, and a plurality of the projection optical systems are a plurality of the first projections from the plurality of illumination areas on the pattern surface. Directing light to a plurality of intermediate image planes, guiding a plurality of second projection lights from the plurality of intermediate image planes to a plurality of projection regions disposed on the substrate,
The mask holding member and the substrate support member are arranged such that a plurality of the projection optical systems are arranged in two rows in the circumferential direction of the mask member, and the projection optical system includes When the projection region shifts in the circumferential direction, the position of the second axis with respect to the first axis is a position that differs according to the shift amount in the circumferential direction of the projection region with respect to the illumination region,
The circumference obtained by connecting the center of the illumination area corresponding to the projection optical system in the first row and the center of the illumination area corresponding to the projection optical system in the second row along the circumferential direction of the mask member is: A circumference connecting the center of the projection area corresponding to the projection optical system in the first row and the center of the projection area corresponding to the projection optical system in the second row along the circumferential direction of the substrate; The substrate processing apparatus according to claim 1, which has the same length.
前記基板処理装置に前記基板を供給する基板供給装置と、を備える
デバイス製造システム。A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10,
A device manufacturing system comprising: a substrate supply device that supplies the substrate to the substrate processing apparatus.
投影露光された前記基板を処理することにより、前記マスク部材のパターンを形成することと、を含む
デバイス製造方法。Performing projection exposure on the substrate using the substrate processing apparatus according to claim 1;
Forming a pattern of the mask member by processing the projection-exposed substrate.
前記視野領域内のパターンからの光束を入射する結像用レンズ群と、該結像用レンズ群の瞳面又はその近傍の位置に配置される反射鏡とを含み、前記視野領域からの光束を前記反射鏡によって前記結像用レンズ群に向けて反射させ、前記物面の側に前記視野領域と共役な像面を形成する投影光学系と、
前記物面又は前記像面を含んで前記投影光学系の光軸と交差する基準面に沿った第1位置に前記視野領域を配置し、前記投影光学系によって最初に結像される前記視野領域のスリット状の中間像を、前記基準面に沿って前記スリットの長手方向と交差する幅方向に関して前記第1位置と異なる第2位置に配置し、前記中間像を生成する光束を、前記基準面に沿った前記スリットの幅方向に関して前記第1位置及び前記第2位置の何れに対しても異なる第3位置を通って前記投影光学系に向けて折り返すように反射させる折返し反射鏡と、を備え、
前記中間像と光学的に共役な投影像を前記投影光学系によって形成する基板処理装置。A substrate processing apparatus for projecting and exposing a light beam from a pattern in a slit-like field area on an object surface onto an object to be exposed,
An imaging lens group that receives a light beam from a pattern in the field region; and a reflecting mirror disposed at a position near or in the pupil plane of the imaging lens group; A projection optical system that reflects the image to the imaging lens group by the reflecting mirror and forms an image plane conjugate with the field of view on the object surface side;
The field region is arranged at a first position along a reference plane that includes the object plane or the image plane and intersects the optical axis of the projection optical system, and is first imaged by the projection optical system. The slit-shaped intermediate image is arranged at a second position different from the first position with respect to the width direction intersecting the longitudinal direction of the slit along the reference plane, and the light flux that generates the intermediate image is A folding reflector that reflects the projection optical system so as to be folded back through a third position that is different from either the first position or the second position with respect to the width direction of the slit. ,
A substrate processing apparatus for forming a projection image optically conjugate with the intermediate image by the projection optical system.
前記投影像を生成する為に前記投影光学系から射出する第2光束を前記被露光体上に向けて反射させる第2反射部材と、を含み、
前記第1反射部材の前記第1光束の反射部分と、前記第2反射部材の前記第2光束の反射部分とが、前記基準面に沿った前記スリットの幅方向に離間して配置される
請求項13に記載の基板処理装置。The projection optical system includes a first reflecting member that reflects a first light beam from a slit-shaped pattern in the field of view on the object surface and makes the incident light incident on the imaging lens group;
A second reflecting member that reflects a second light beam emitted from the projection optical system toward the object to be exposed to generate the projection image;
The reflection part of the first light beam of the first reflection member and the reflection part of the second light beam of the second reflection member are arranged apart from each other in the width direction of the slit along the reference surface. Item 14. The substrate processing apparatus according to Item 13.
前記第3反射部と前記第4反射部のいずれか一方が、前記基準面に沿った方向に関して、前記第1反射部材の反射部分と前記第2反射部材の反射部分との間に配置される
請求項14に記載の基板処理装置。The folding reflector reflects a light beam emitted from the projection optical system in a direction along the reference plane to generate the intermediate image, and the light beam reflected by the third reflection unit. A fourth reflecting portion for reflecting toward the projection optical system,
Either one of the third reflecting portion and the fourth reflecting portion is disposed between the reflecting portion of the first reflecting member and the reflecting portion of the second reflecting member with respect to the direction along the reference plane. The substrate processing apparatus according to claim 14.
請求項15に記載の基板処理装置。The position of each reflecting portion of the first reflecting member and the second reflecting member, and the positions of the third reflecting portion and the fourth reflecting portion of the folded reflecting mirror are determined in the direction of the optical axis of the projection optical system. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein the substrate processing apparatus is different from each other.
請求項15又は16に記載の基板処理装置。The reflecting portion of the first reflecting member, the reflecting portion of the second reflecting member, and the third reflecting portion and the fourth reflecting portion of the folded reflecting mirror all correspond to the slit-shaped visual field region. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein the substrate processing apparatus is formed in a rectangular shape and is separated from each other in the width direction of the slit along the reference plane.
請求項14から17のいずれか1項に記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein the first reflecting member and the second reflecting member are configured by a polarization beam splitter.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012276139 | 2012-12-18 | ||
JP2012276139 | 2012-12-18 | ||
PCT/JP2013/082185 WO2014097859A1 (en) | 2012-12-18 | 2013-11-29 | Substrate processing device, device manufacturing system and method for manufacturing device |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017178348A Division JP6414303B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-09-15 | Substrate processing apparatus, device manufacturing system, and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014097859A1 true JPWO2014097859A1 (en) | 2017-01-12 |
JP6217651B2 JP6217651B2 (en) | 2017-10-25 |
Family
ID=50978197
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014553056A Active JP6217651B2 (en) | 2012-12-18 | 2013-11-29 | Substrate processing apparatus, device manufacturing system, and device manufacturing method |
JP2017178348A Active JP6414303B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-09-15 | Substrate processing apparatus, device manufacturing system, and device manufacturing method |
JP2018186122A Active JP6635167B2 (en) | 2012-12-18 | 2018-09-28 | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2019222657A Pending JP2020052420A (en) | 2012-12-18 | 2019-12-10 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017178348A Active JP6414303B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-09-15 | Substrate processing apparatus, device manufacturing system, and device manufacturing method |
JP2018186122A Active JP6635167B2 (en) | 2012-12-18 | 2018-09-28 | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2019222657A Pending JP2020052420A (en) | 2012-12-18 | 2019-12-10 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP6217651B2 (en) |
KR (6) | KR101903941B1 (en) |
CN (2) | CN107247388B (en) |
HK (1) | HK1208915A1 (en) |
TW (3) | TWI639896B (en) |
WO (1) | WO2014097859A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101849508B1 (en) * | 2011-12-20 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | Substrate processing device, device manufacturing system and device manufacturing method |
EP4130239A4 (en) | 2020-03-24 | 2024-05-15 | Kaneka Corporation | Method for inducing differentiation into pancreatic alpha cells |
CN114070971A (en) * | 2020-07-27 | 2022-02-18 | 奥林巴斯株式会社 | Observation device, light deflection unit, and image forming method |
CN117031720B (en) * | 2023-09-28 | 2023-12-29 | 微纳动力(北京)科技有限责任公司 | Automatic integrated optical device and system |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231311A (en) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Nikon Corp | Illuminating device, exposure device, exposure method and device manufacturing method |
JP2012185503A (en) * | 2009-08-13 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective system |
JP2012186508A (en) * | 2005-06-02 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography projection objective |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0864501A (en) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Nikon Corp | Projection optical system and aligner equipped therewith |
JP2002258489A (en) * | 2000-04-20 | 2002-09-11 | Nikon Corp | Device and method for aligner |
US7638780B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-12-29 | Eastman Kodak Company | UV cure equipment with combined light path |
DE102005030839A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure system with a plurality of projection lenses |
JP5071382B2 (en) * | 2006-03-20 | 2012-11-14 | 株式会社ニコン | Scanning exposure apparatus and microdevice manufacturing method |
JP4984631B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, EXPOSURE MASK, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP4880511B2 (en) * | 2007-03-28 | 2012-02-22 | 株式会社オーク製作所 | Exposure drawing device |
US8379187B2 (en) * | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5724564B2 (en) * | 2010-04-13 | 2015-05-27 | 株式会社ニコン | Mask case, mask unit, exposure apparatus, substrate processing apparatus, and device manufacturing method |
JP2012004564A (en) * | 2010-06-11 | 2012-01-05 | Nikon Corp | Exposure method, exposure apparatus and method of manufacturing device |
WO2013035661A1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-14 | 株式会社ニコン | Substrate processing device |
KR101849508B1 (en) | 2011-12-20 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | Substrate processing device, device manufacturing system and device manufacturing method |
-
2013
- 2013-11-29 CN CN201710421666.8A patent/CN107247388B/en active Active
- 2013-11-29 KR KR1020187010045A patent/KR101903941B1/en active IP Right Grant
- 2013-11-29 JP JP2014553056A patent/JP6217651B2/en active Active
- 2013-11-29 CN CN201380066736.2A patent/CN104871091B/en active Active
- 2013-11-29 KR KR1020177032390A patent/KR101934228B1/en active IP Right Grant
- 2013-11-29 KR KR1020187037259A patent/KR101988820B1/en active IP Right Grant
- 2013-11-29 KR KR1020197016087A patent/KR102009138B1/en active IP Right Grant
- 2013-11-29 WO PCT/JP2013/082185 patent/WO2014097859A1/en active Application Filing
- 2013-11-29 KR KR1020197022704A patent/KR102075325B1/en active IP Right Grant
- 2013-11-29 KR KR1020157016021A patent/KR101861905B1/en active IP Right Grant
- 2013-12-06 TW TW106123484A patent/TWI639896B/en active
- 2013-12-06 TW TW107133825A patent/TWI687779B/en active
- 2013-12-06 TW TW102144736A patent/TWI596438B/en active
-
2015
- 2015-09-30 HK HK15109649.9A patent/HK1208915A1/en not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-09-15 JP JP2017178348A patent/JP6414303B2/en active Active
-
2018
- 2018-09-28 JP JP2018186122A patent/JP6635167B2/en active Active
-
2019
- 2019-12-10 JP JP2019222657A patent/JP2020052420A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012186508A (en) * | 2005-06-02 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography projection objective |
JP2009231311A (en) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Nikon Corp | Illuminating device, exposure device, exposure method and device manufacturing method |
JP2012185503A (en) * | 2009-08-13 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101934228B1 (en) | 2018-12-31 |
HK1208915A1 (en) | 2016-03-18 |
KR101861905B1 (en) | 2018-05-28 |
KR20190067258A (en) | 2019-06-14 |
JP6635167B2 (en) | 2020-01-22 |
JP2017227916A (en) | 2017-12-28 |
CN104871091A (en) | 2015-08-26 |
KR102075325B1 (en) | 2020-02-07 |
CN107247388A (en) | 2017-10-13 |
KR101903941B1 (en) | 2018-10-02 |
KR20170127053A (en) | 2017-11-20 |
WO2014097859A1 (en) | 2014-06-26 |
CN104871091B (en) | 2017-06-30 |
KR102009138B1 (en) | 2019-08-08 |
TWI639896B (en) | 2018-11-01 |
JP6217651B2 (en) | 2017-10-25 |
JP2020052420A (en) | 2020-04-02 |
TWI687779B (en) | 2020-03-11 |
KR20150097514A (en) | 2015-08-26 |
CN107247388B (en) | 2018-09-18 |
TWI596438B (en) | 2017-08-21 |
JP2019049723A (en) | 2019-03-28 |
KR20190093699A (en) | 2019-08-09 |
KR20180040730A (en) | 2018-04-20 |
KR101988820B1 (en) | 2019-06-12 |
KR20190000398A (en) | 2019-01-02 |
TW201426202A (en) | 2014-07-01 |
TW201740218A (en) | 2017-11-16 |
JP6414303B2 (en) | 2018-10-31 |
TW201905603A (en) | 2019-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI691805B (en) | Component manufacturing method | |
JP6635167B2 (en) | Projection exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP6816814B2 (en) | Scanning exposure method | |
JP6512253B2 (en) | Polarization beam splitter, exposure apparatus, device manufacturing system and device manufacturing method | |
JP2020170162A (en) | Scanning exposure method and device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161101 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6217651 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |