JPWO2014038677A1 - 新規芳香族複素環誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

正孔輸送能と電子輸送能を分子内に併せ持つ特定の構造を有する新規な芳香族複素環誘導体、並びに前記芳香族複素環誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

Description

本発明は、新規芳香族複素環誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

陽極と陰極との間に発光層を含む有機薄膜層を備え、発光層に注入された正孔と電子との再結合によって生じる励起子（エキシトン）エネルギーから発光を得る有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機エレクトロルミネッセンス素子」を「有機ＥＬ素子」と記載することもある）が知られている。

有機ＥＬ素子は、自発光型素子としての利点を活かし、発光効率、画質、消費電力さらには薄型のデザイン性に優れた発光素子として期待されている。発光層を形成するにあたっては、ホストに、ドーパントとして発光材料をドーピングするドーピング法が知られている。
ドーピング法で形成した発光層では、ホストに注入された電荷から効率よく励起子を生成することができる。そして、生成された励起子の励起子エネルギーをドーパントに移動させ、ドーパントから高効率の発光を得ることができる。

近年では有機ＥＬ素子の性能向上を果たすべく、ドーピング法に関してもさらなる研究が行われており、好適なホスト材料の探索が続いている。
特許文献１には、２つのカルバゾール構造が連結された構造（即ち、ビスカルバゾール構造）を有する化合物が記載されている。カルバゾール構造は、古くからポリビニルカルバゾールに代表されるように、正孔輸送能が高い構造（以後、「正孔輸送能が高い構造」を「正孔輸送性構造」とも記載する）として知られており、特許文献１に記載の化合物は正孔輸送層用の材料としては良好である。しかしながら、分子中に含窒素芳香族環構造等の電子輸送能が高い構造（以後、「電子輸送能が高い構造」を「電子輸送性構造」とも記載する）を含まないため、正孔と電子のキャリアバランスの調整が困難となり、特許文献１に記載の化合物をホスト材料として用いると良好な発光特性が得られないことを本発明者らは見出している。

特許文献２には、カルバゾリル基を含む部分構造を有する化合物が記載されている。また、カルバゾリル基を含む部分構造を含窒素芳香族環構造等の電子輸送性構造と組み合わせた化合物も記載されている。しかし、特許文献２に記載の化合物を用いた有機ＥＬ素子は、寿命等の点で十分な性能を得られないことを本発明者らは見出している。

特許文献３には、ビスカルバゾール構造等の正孔輸送性構造と含窒素芳香族環構造等の電子輸送性構造とを同一分子内に含む化合物が記載されている。正孔輸送性構造と電子輸送性構造を組み合わせることにより、電荷輸送のバランスを取るように考えられた材料である。

特許文献４には、カルバゾール構造とカルバゾール構造の間にシアノ基がフェニレン基を介して結合した構造を有する化合物が記載されている。シアノ基は電子求引性基として知られており、特許文献４の化合物のように、カルバゾール構造とカルバゾール構造の間でシアノ基が近くに位置する構造では、カルバゾール構造の正孔輸送能が阻害されることがあることを本発明者らは見出している。

また、有機ＥＬ素子の各層を形成する方法は、真空蒸着法や分子線蒸着法等の蒸着法と、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法及びロールコート法等の塗布法に大別される。塗布法は、蒸着法と異なり有機ＥＬ素子用材料を溶媒に溶かす必要があるため、可溶性が求められる。したがって、蒸着法で有用な材料が塗布法においても有用であるとは限らない。
特許文献１及び４の実施例における有機ＥＬ素子の作製では、これら文献に記載の化合物は蒸着法による層形成に使用されており、塗布法による層形成には使用されていない。したがって、これら文献に記載の化合物を溶剤に溶解させて塗布法に使用できるかは不明である。

特許３１３９３２１号公報 特開２００６−１８８４９３号公報 ＷＯ２０１２／０８６１７０号公報 特開２００９−９４４８６号公報

本願発明は、新規な芳香族複素環誘導体を提供することを目的とする。また、本願発明は、前記芳香族複素環誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、正孔輸送能と電子輸送能を分子内に併せ持つ特定の構造を有する新規な芳香族複素環誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用いることにより、可溶性を有し、塗布プロセスに適した有機ＥＬ素子用材料が得られ、かつ塗布プロセスで製造した長寿命な有機ＥＬ素子を実現可能であることを見出し、本発明に至った。

すなわち、本発明は、以下の様態を提供するものである。
１．下記式（１）で表される芳香族複素環誘導体。

［式（１）中、Ａは、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、少なくとも２つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環で構成される環集合の残基、少なくとも２つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基、又は少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環と少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基であり、
Ｌ¹は、単結合、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ｂは、下記式（２−ｂ）で表される構造の残基であり、
ｍは、２以上の整数であり、複数のＬ¹は互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＢは互いに同一であっても異なっていてもよい。
ただし、Ａ、Ｌ¹及びＢの少なくとも１つに、下記式（３）で表される基が連結する。］

［式（２−ｂ）中、Ｘｂ¹及びＹｂ¹の一方は単結合、−ＣＲ₂−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、他方は−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、
Ｘｂ²及びＹｂ²の一方は単結合、−ＣＲ₂−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、他方は−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、

Ｒは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ｚｂ¹、Ｚｂ²、Ｚｂ³及びＺｂ⁴は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素環基、置換若しくは無置換の脂肪族複素環基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。］

［式（３）中、Ｌ³は、単結合、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基であり、
Ｌ¹又はＢに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、置換若しくは無置換のトリアジニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基である。］

２．前記式（２−ｂ）で表される構造が、下記式（２−ｂ−１）で表される構造である、上記１に記載の芳香族複素環誘導体。

［式（２−ｂ−１）中、Ｘｂ¹¹及びＸｂ¹²は、それぞれ独立に、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、前記式（ｉ）で表される基又は前記式（ｉｉ）で表される基であり、
Ｒは、式（２−ｂ）のＸｂ¹、Ｘｂ²、Ｙｂ¹及びＹｂ²におけるＲと同義であり、
Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³及びＲｂ¹⁴は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数７〜２４のアラルキル基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜２４の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜２４の芳香族複素環基であり、
ｓ¹は０〜４の整数であり、ｓ¹が２以上の場合、複数のＲｂ¹¹は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｔ¹は０〜３の整数であり、ｔ¹が２以上の場合、複数のＲｂ¹²は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｕ¹は０〜３の整数であり、ｕ¹が２以上の場合、複数のＲｂ¹³は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｖ¹は０〜４の整数であり、ｖ¹が２以上の場合、複数のＲｂ¹⁴は互いに同一であっても異なっていてもよい。］

３．一般式（１）におけるＢが、下記式（２―Ａ）で表される基又は下記式（２−Ｂ）で表される基である、上記２に記載の芳香族複素環誘導体。

［式（２−Ａ）中、Ｘｂ¹²、Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³、Ｒｂ¹⁴、ｓ¹、ｔ¹、ｕ¹及びｖ¹は、式（２−ｂ−１）中のそれら記号と同義であり、
＊は、式（１）のＬ¹との結合手を表す。
式（２−Ｂ）中、ｓ¹は０〜３の整数であり、
Ｘｂ¹²、Ｒ、Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³、Ｒｂ¹⁴、ｔ¹、ｕ¹及びｖ¹は、式（２−ｂ−１）中のそれらと記号と同義であり、
＊は、式（１）のＬ¹との結合手を表す。］

４．一般式（１）におけるＡが、少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環と少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基である、上記１〜３のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体。
５．一般式（１）におけるＡが、下記式（４−ａ）で表される環集合又は下記式（４−ｂ）で表される環集合の残基である、上記４に記載の芳香族複素環誘導体。

［式（４−ａ）中、Ｈｅｔ¹は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ａｒ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基であり、
Ｚａ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
ｎ¹は０〜２の整数であり、ｎ¹が２の場合、複数のＺａ¹は互いに同一であっても異なっていてもよい。
式（４−ｂ）中、Ｈｅｔ²は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ａｒ²及びＡｒ³は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基であり、
Ｚａ²及びＺａ³は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
ｎ²は、０〜２の整数であり、ｎ²が２の場合、複数のＺａ²は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｎ³は、０〜２の整数であり、ｎ³が２の場合、複数のＺａ³は互いに同一であっても異なっていてもよい。］
６．前記式（４−ａ）におけるＨｅｔ¹及び前記式（４−ｂ）におけるＨｅｔ²が置換若しくは無置換の含窒素芳香族複素環基である、上記５に記載の芳香族複素環誘導体。

７．Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦが、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、及び置換若しくは無置換のビピリジニル基からなる群から選ばれる基である、上記１〜６のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体。
８．Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦが、シアノ基、フッ素原子、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる基である、上記７に記載の芳香族複素環誘導体。
９．Ｌ¹又はＢに式（３）で表される基が連結する場合のＦが、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、及び置換若しくは無置換のビピリジニル基からなる群から選ばれる基である、上記１〜６のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体。
１０．Ｌ¹又はＢに式（３）で表される基が連結する場合のＦが、シアノ基、フッ素原子、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる基である、上記９に記載の芳香族複素環誘導体。

１１．上記１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
１２．溶媒と、該溶媒中に溶解した上記１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液。
１３．陰極と、陽極と、該陰極と該陽極の間に発光層を含む一層以上の有機薄膜層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記一層以上の有機薄膜層のうちの少なくとも１層が上記１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。

１４．前記発光層が、上記１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体をホスト材料として含む上記１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１５．前記発光層が、燐光発光材料を含有する上記１０又は１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１６．前記燐光発光材料が、イリジウム（Ｉｒ），オスミウム（Ｏｓ）及び白金（Ｐｔ）からなる群から選択される金属原子のオルトメタル化錯体である上記１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１７．前記陰極と前記発光層の間に電子注入層を有し、該電子注入層が含窒素環誘導体を含む上記１３〜１６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１８．前記陰極と前記発光層の間に電子輸送層を有し、該電子輸送層が、上記１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体を含む上記１３〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１９．前記陽極と前記発光層の間に正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、上記１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体を含む上記１３〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
２０．前記陰極と前記有機薄膜層との界面領域に、還元性ドーパントが添加されてなる上記１３〜１９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

本願発明は、新規な芳香族複素環誘導体を提供する。本願発明は、前記芳香族複素環誘導体を用いることで、可溶性を有し、塗布プロセスに適した有機ＥＬ素子用材料を提供する。また、前記芳香族複素環誘導体を溶媒に溶解させて得られる溶液を用いて塗布プロセスにて長寿命な有機ＥＬ素子を作製することができる。

図１は、実施例１で合成した化合物Ｈ−１の¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を示すチャートである。 図２は、実施例２で合成した化合物Ｈ−２の¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を示すチャートである。 図３は、実施例３で合成した化合物Ｈ−３の¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を示すチャートである。 図４は、実施例４で合成した化合物Ｈ−４の¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を示すチャートである。 図５は、実施例５で合成した化合物Ｈ−５の¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を示すチャートである。

（芳香族複素環誘導体）
本願発明の芳香族複素環誘導体は、下記式（１）で表される。

Ａは、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、少なくとも２つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環で構成される環集合の残基、少なくとも２つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基、又は少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環と少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基である。Ａの好適な様態については、後述する。
Ｌ¹は、単結合、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。
Ｂは、式（２−ｂ）で表される構造の残基である。式（２−ｂ）については、後述する。

ｍは、２以上の整数である。ｍの上限はＡの構造に依存して決定され、特に限定されるわけではないが、ｍは２〜１０程度の範囲から選ばれるのが好ましい。
ｍは２以上であるため、Ｌ¹及びＢはそれぞれ複数存在するが、複数のＬ¹は互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＢは互いに同一であっても異なっていてもよい。

式（１）においては、Ａ、Ｌ¹及びＢの少なくとも１つに、式（３）で表される基が連結する必要がある。式（３）については、後述する。
ここで「Ａ、Ｌ¹、及びＢの少なくとも１つに、式（３）で表される基が連結する」とは、
式（３）の基が１つ存在する場合には、当該式（３）の基はＡ、Ｌ¹、及びＢのいずれか１つに連結する（例えば、Ａに式（３）の基が連結する）ことを意味し；
式（３）の基が複数存在する場合には、当該複数の式（３）の基は、Ａ、Ｌ¹、及びＢのうちの複数に連結してもよいし、いずれか１つに連結してもよい（例えば、式（３）の基が２つ存在する場合、Ａ及びＢのそれぞれに式（３）の基が１つずつ連結してもよいし、Ａに式（３）の基を２つ連結してもよい）ことを意味する。

また、上述したように、式（１）においてｍは２以上であるため、Ｌ¹及びＢはそれぞれ複数存在する。ここでＬ¹に式（３）の基が連結する場合について、複数のＬ¹の全てに対して式（３）の基が連結する必要はなく、複数のＬ¹の少なくとも１つに連結していればよいものと解釈する。例えば、ｍ＝２の場合、２つのＬ¹の両方ともに式（３）の基が連結してもよいし、２つのＬ¹の片方だけに式（３）の基が連結してもよい。
Ｂに式（３）の基が連結する場合の解釈についても同様である。

Ｌ¹に式（３）の基が連結する場合、Ｌ¹は当然に単結合ではない。Ｌ¹に式（３）の基が連結する場合、Ｌ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。

以下、Ａの好適な様態については説明する。
上述したように、Ａは、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基（以後、“（Ａ１）基”と呼称する）、置換若しくは無置換の芳香族複素環基（以後、“（Ａ２）基”とも呼称する）、少なくとも２つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環で構成される環集合の残基（以後、“（Ａ３）基”とも呼称する）、少なくとも２つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基（以後、“（Ａ４）基”とも呼称する）、又は少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環と少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基（以後、“（Ａ５）基”とも呼称する）である。

（Ａ１）基は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の残基であることが好ましい。
環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、フェナントレン、トリフェニレン、ペリレン、クリセン、フルオランテン、ベンゾフルオレン、ベンゾトリフェニレン、ベンゾクリセン、及びアントラセン、並びにそれらのベンツ体及び架橋体が挙げられ、ベンゼン、ナフタレン、フルオレン及びフェナントレンが好ましい。

（Ａ２）基は、置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環の残基であることが好ましい。
環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環の具体例としては、ピロール、ピリジン、ピラジン、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドール、イソインドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、アクリジン、ピロリジン、ジオキサン、ピペリジン、モルフォリン、ピペラジン、カルバゾール、フェナントリジン、フェナントロリン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、チオフェン、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンゾオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、ベンゾチアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピラン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アザフルオレン、及びアザカルバゾール、並びにそれらのベンツ体及び架橋体が挙げられ、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン及びトリアジンが好ましい。

（Ａ３）基を構成する置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環であることが好ましい。
環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の具体例は、（Ａ１）基の説明で列挙した具体例と同様であり、好ましい例も同様である。

（Ａ４）基を構成する置換若しくは無置換の芳香族複素環は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環であることが好ましい。
環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環は、（Ａ２）基の説明で列挙した具体例と同様であり、好ましい例も同様である。

（Ａ５）基を構成する置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環であることが好ましく、（Ａ５）基を構成する置換若しくは無置換の芳香族複素環は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環であることが好ましい。
環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の具体例は、（Ａ１）基の説明で列挙した具体例と同様であり、好ましい例も同様である。
環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環は、（Ａ２）基の説明で列挙した具体例と同様であり、好ましい例も同様である。

Ａとしては、（Ａ１）〜（Ａ５）基の中でも、（Ａ３）基及び（Ａ５）基が好ましく、（Ａ５）基がより好ましい。
（Ａ３）基としては、ビフェニル又はターフェニルの残基が特に好ましい。
（Ａ５）基としては、下記式（４−ａ）で表される環集合又は下記式（４−ｂ）で表される環集合の残基であることが特に好ましい。

式（４−ａ）について説明する。
Ｈｅｔ¹は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。
Ａｒ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基である。
Ｚａ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。
ｎ¹は０〜２の整数であり、ｎ¹が２の場合、複数のＺａ¹は互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｈｅｔ¹は、置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環の残基であることが好ましい。Ｈｅｔ¹は、置換若しくは無置換の含窒素芳香族複素環基であることが好ましく、置換若しくは無置換のピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン又はトリアジンの残基であることがより好ましい。
Ａｒ¹は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の残基であることが好ましく、置換若しくは無置換のベンゼン、ナフタレン、フルオレン又はフェナントレンの残基であることがより好ましい。
Ｚａ¹は、置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環の残基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の残基であることが好ましく、置換若しくは無置換のベンゼン、ナフタレン、フルオレン、フェナントレン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン又はトリアジンの残基であることがより好ましい。

式（４−ｂ）について説明する。
Ｈｅｔ²は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。
Ａｒ²及びＡｒ³は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基である。
Ｚａ²及びＺａ³は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。
ｎ²は、０〜２の整数であり、ｎ²が２の場合、複数のＺａ²は互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎ³は、０〜２の整数であり、ｎ³が２の場合、複数のＺａ³は互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｈｅｔ²は、置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環の残基であることが好ましい。Ｈｅｔ²は、置換若しくは無置換の含窒素芳香族複素環基であることが好ましく、置換若しくは無置換のピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン又はトリアジンの残基であることがより好ましい。
Ａｒ²及びＡｒ³は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の残基であることが好ましく、置換若しくは無置換のベンゼン、ナフタレン、フルオレン又はフェナントレンの残基であることがより好ましい。
Ｚａ²及びＺａ³は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環の残基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の残基であることが好ましく、置換若しくは無置換のベンゼン、ナフタレン、フルオレン、フェナントレン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン又はトリアジンの残基であることがより好ましい。

以下、式（２−ｂ）について説明する。

Ｘｂ¹及びＹｂ¹の一方は単結合、−ＣＲ₂−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、他方は−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基である。
Ｘｂ²及びＹｂ²の一方は単結合、−ＣＲ₂−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、他方は−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基である。

ここでＲは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。

Ｚｂ¹、Ｚｂ²、Ｚｂ³及びＺｂ⁴は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素環基、置換若しくは無置換の脂肪族複素環基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。

式（２−ｂ）で表される構造は、下記式（２−ｂ−１）で表される構造であることがより好ましい。

Ｘｂ¹¹及びＸｂ¹²は、それぞれ独立に、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、前記式（ｉ）で表される基又は前記式（ｉｉ）で表される基である。
前記Ｒは、式（２−ｂ）のＸｂ¹、Ｘｂ²、Ｙｂ¹及びＹｂ²におけるＲと同義である。

Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³及びＲｂ¹⁴は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数７〜２４のアラルキル基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜２４の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜２４の芳香族複素環基である。

ｓ¹は０〜４の整数である。ｓ¹が２以上の場合、Ｒｂ¹¹は複数存在するが、複数のＲｂ¹¹は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｔ¹は０〜３の整数であり、ｔ¹が２以上の場合、Ｒｂ¹²は複数存在するが、複数のＲｂ¹²は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｕ¹は０〜３の整数であり、ｕ¹が２以上の場合、Ｒｂ¹³は複数存在するが、複数のＲｂ¹³は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｖ¹は０〜４の整数であり、ｖ¹が２以上の場合、Ｒｂ¹⁴は複数存在するが、複数のＲｂ¹⁴は互いに同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１）におけるＢは、下記式（２―Ａ）で表される基又は下記式（２−Ｂ）で表される基であることが好ましい。

式（２−Ａ）について説明する。
Ｘｂ¹²、Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³、Ｒｂ¹⁴、ｓ¹、ｔ¹、ｕ¹及びｖ¹は、式（２−ｂ−１）中のそれら記号と同義である。
＊は、式（１）のＬ¹との結合手を表す。

式（２−Ｂ）について説明する。
ｓ¹は０〜３の整数である。
Ｘｂ¹²、Ｒ、Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³、Ｒｂ¹⁴、ｔ¹、ｕ¹及びｖ¹は、式（２−ｂ−１）中のそれらと記号と同義である。
＊は、式（１）のＬ¹との結合手を表す。
式（２−Ｂ）中のＲは、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であることが好ましい。

式（２―Ａ）で表される基は、下記式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３）で表される基のいずれかであることがより好ましい。

式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３）中のＲ、Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³、Ｒｂ¹⁴、ｓ¹、ｔ¹、ｕ¹及びｖ¹は、式（２−ｂ−１）中のそれら記号と同義である。
式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３）中の＊は、式（１）のＬ¹との結合手を表す。
式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３）中のＲは、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であることが好ましい。

以下、式（３）について説明する。

Ｌ³は、単結合、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。Ｌ³は、単結合、置換若しくは無置換のフェニレン基又は置換若しくは無置換のビフェニリレン基であることが好ましい。

Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基である。なお、前述の「それらのベンツ体及びアザ体」とは、構造上ベンツ体になり得る場合のベンツ体及び構造上アザ体になり得る場合のアザ体を意味しているのであって、構造上ベンツ体やアザ体になり得ないもの（例えば、シアノ基）は「それら」には含まれない。本明細書では、同様の表現は同様に解するものとする。

Ｌ¹又はＢに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、置換若しくは無置換のトリアジニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基である。

Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、及び置換若しくは無置換のビピリジニル基からなる群から選ばれる基であることが好ましく、シアノ基、フッ素原子、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる基であることがより好ましい。なお、前記ハロアルキル基としては、炭素数１〜３のフルオロアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。

Ｌ¹又はＢに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、及び置換若しくは無置換のビピリジニル基からなる群から選ばれる基であることが好ましく、シアノ基、フッ素原子、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる基であることがより好ましい。なお、前記ハロアルキル基としては、炭素数１〜３のフルオロアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。

Ｆで表される基は電子求引性の基であるため、電子輸送性構造と結合すると、その電子輸送能を更に向上させることができる。例えば、Ａが電子輸送性構造である場合、Ａに式（３）で表される基が連結すると、ＬＵＭＯがＡ部分に分布し、ＨＯＭＯはＢ部分に分布し、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯが分離される。その結果、本願発明の芳香族複素環誘導体を用いたＥＬ素子は、長寿命化すると考えられる。

本願発明の芳香族複素環誘導体の一実施形態として、式（１）中の各記号が以下の通りである芳香族複素環誘導体が挙げられる。

［式（１）中、Ａは、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ｌ¹は、単結合、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ｂは、下記式（２−ｂ）で表される構造の残基であり、
ｍは、２以上の整数であり、複数のＬ¹は互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＢは互いに同一であっても異なっていてもよい。
ただし、Ａ、Ｌ¹及びＢの少なくとも１つに、下記式（３）で表される基が連結する。］

［式（２−ｂ）中、Ｘｂ¹及びＹｂ¹の一方は単結合、−ＣＲ₂−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、他方は−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、
Ｘｂ²及びＹｂ²の一方は単結合、−ＣＲ₂−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、他方は−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、

Ｒは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ｚｂ¹、Ｚｂ²、Ｚｂ³及びＺｂ⁴は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素環基、置換若しくは無置換の脂肪族複素環基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。］

［式（３）中、Ｌ³は、単結合、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基であり、
Ｌ¹に式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、置換若しくは無置換のトリアジニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基であり、
Ｂに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、置換若しくは無置換のトリアジニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基である。
ただし、Ａ又はＬ¹に式（３）で表される基が連結し、かつＦがシアノ基である場合には、Ｌ³は無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。］

以下に、前記式における記号が表す各基の詳細について説明する。
式（１）中のＬ¹、式（２−ｂ）中のＲ及びＺｂ¹〜Ｚｂ⁴、式（２−ｂ−１）中のＲ、式（２−Ａ）中のＲ、式（２−Ｂ）中のＲ、式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３）中のＲ、並びに式（３）中のＬ³が表す置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の残基であることが好ましい。
環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環の具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、ターフェニル、フルオレン、フェナントレン、トリフェニレン、ペリレン、クリセン、フルオランテン、ベンゾフルオレン、ベンゾトリフェニレン、ベンゾクリセン、及びアントラセン、並びにそれらのベンツ体及び架橋体が挙げられ、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、ターフェニル、フルオレン及びフェナントレンが好ましい。

式（１）中のＬ¹、式（２−ｂ）中のＲ及びＺｂ¹〜Ｚｂ⁴、式（２−ｂ−１）中のＲ、式（２−Ａ）中のＲ、式（２−Ｂ）中のＲ、式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３）中のＲ、並びに式（３）中のＬ³が表す置換若しくは無置換の芳香族複素環基は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環の残基であることが好ましい。
環形成炭素数２〜３０の芳香族複素環の具体例としては、ピロール、ピリジン、ピラジン、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドール、イソインドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、アクリジン、ピロリジン、ジオキサン、ピペリジン、モルフォリン、ピペラジン、カルバゾール、フェナントリジン、フェナントロリン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、チオフェン、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンゾオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、ベンゾチアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピラン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アザフルオレン、及びアザカルバゾール、並びにそれらのベンツ体及び架橋体が挙げられ、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン及びトリアジンが好ましい。

式（２−ｂ）中のＲ、式（２−ｂ−１）中のＲ、式（２−Ａ）中のＲ、式（２−Ｂ）中のＲ、並びに式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３）中のＲが表す置換若しくは無置換のアルキル基は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基であることが好ましい。
炭素数１〜３０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基及びｔ−ブチル基が好ましい。

式（２−ｂ）中のＲ、式（２−ｂ−１）中のＲ、式（２−Ａ）中のＲ、式（２−Ｂ）中のＲ、並びに式（２−Ａ−１）〜式（２−Ａ−３）中のＲが表す置換若しくは無置換のシクロアルキル基は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基であることが好ましい。
環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、アダマンチル基等が挙げられ、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましい。

式（２−ｂ）中のＺｂ¹〜Ｚｂ⁴が表す置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素環基は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルカンの残基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルケンの残基であることが好ましい。
環形成炭素数３〜３０のシクロアルカンの具体例としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン、アダマンタン等が挙げられ、シクロペンタン及びシクロヘキサンが好ましい。
環形成炭素数３〜３０のシクロアルケンの具体例としては、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテン等が挙げられ、シクロペンテン及びシクロヘキセンが好ましい。

式（２−ｂ）中のＺｂ¹〜Ｚｂ⁴が表す置換若しくは無置換の脂肪族複素環基は、それぞれ独立に、前述の置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素環基の環形成炭素原子の一つ以上を、酸素、窒素、硫黄等のヘテロ原子で置き換えたものであることが好ましい。

式（２−ｂ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ｂ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−２）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、及び式（２−Ａ−３）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴が表す置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基及び１−ヘプチルオクチル基が好ましい。

式（２−ｂ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ｂ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−２）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、及び式（２−Ａ−３）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴が表す置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましい。

式（２−ｂ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ｂ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−２）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、及び式（２−Ａ−３）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴が表す置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられ、メトキシ基、エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基及びｎ−プロポキシ基が好ましい。

式（２−ｂ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ｂ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−２）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、及び式（２−Ａ−３）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴が表す置換若しくは無置換の炭素数７〜２４のアラルキル基における、その炭素数７〜２４のアラルキル基としてはベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等が挙げられ、ベンジル基が好ましい。

式（２−ｂ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ｂ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−２）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、及び式（２−Ａ−３）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴が表す環形成炭素数６〜２４の芳香族炭化水素環基としては、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、ターフェニル、フルオレン、フェナントレン、トリフェニレン、ペリレン、クリセン、フルオランテン、ベンゾフルオレン、ベンゾトリフェニレン、ベンゾクリセン、アントラセン等の芳香族炭化水素環の残基が挙げられ、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、ターフェニル、フルオレン及びフェナントレンの残基が好ましい。

式（２−ｂ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ｂ）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−１）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−２）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴、式（２−Ａ−３）中のＲｂ¹¹〜Ｒｂ¹⁴が表す環形成炭素数２〜２４の芳香族複素環基としては、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、１，３，５−トリアジン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、フェノキサジン、フェノチアジン及びジヒドロアクリジン等の芳香族複素環の残基が挙げられ、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、フェノキサジン及びジヒドロアクリジンの残基が好ましい。

上記の「置換若しくは無置換」という表現において、置換されている場合の置換基としては、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、シアノ基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜６）のアルキル基、炭素数３〜２０（好ましくは５〜１２）のシクロアルキル基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のアルコキシ基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のハロアルキル基、炭素数１〜２０（好ましくは１〜５）のハロアルコキシ基、炭素数１〜１０（好ましくは１〜５）のアルキルシリル基、環形成炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリール基、環形成炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリールオキシ基、環形成炭素数６〜３０（好ましくは６〜１８）のアリールシリル基、炭素数７〜３０（好ましくは７〜２０）のアラルキル基、及び環形成炭素数２〜３０の（好ましくは２〜１８）ヘテロアリール基が挙げられる。

本明細書において、「置換若しくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
本明細書において、芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基には、縮合芳香族炭化水素環基及び縮合芳香族複素環基が含まれる。
本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）、を包含する。

以下に、本願発明の芳香族複素環誘導体の具体例を記載する。ただし、本願発明の芳香族複素環誘導体はそれら具体例に限定されるわけではない。

（有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液及び有機エレクトロルミネッセンス素子）
本願発明の有機ＥＬ素子用材料は、前述した本願発明の芳香族複素環誘導体を含むことを特徴とする。
本願発明の有機ＥＬ素子用材料溶液は、本願発明の芳香族複素環誘導体を溶媒に溶解してなることを特徴とする。
本願発明の有機ＥＬ素子は、陰極と、陽極と、該陰極と該陽極の間に発光層を含む一層以上の有機薄膜層とを有し、前記一層以上の有機薄膜層のうちの少なくとも１層が本願発明の芳香族複素環誘導体を含むことを特徴とする。

本願発明の芳香族複素環誘導体は、本願発明の有機ＥＬ素子の有機薄膜層のうち、少なくとも一層に含有される。特に本願発明の芳香族複素環誘導体は発光層におけるホスト材料又は電子輸送層、正孔輸送層に係る材料として用いた場合、素子の高発光効率、長寿命化が期待できる。

＜第１の実施形態＞
多層型の有機ＥＬ素子の構造としては、例えば、
（１）陽極／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層（電子注入層）／陰極
（３）陽極／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／電子輸送層（電子注入層）／陰極
（４）陽極／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔障壁層／電子輸送層（電子注入層）／陰極
等の多層構成で積層したものが挙げられる。

本願発明の有機ＥＬ素子において、前記発光層が、本願発明の芳香族複素環誘導体をホスト材料として含有すると好ましい。また、前記発光層が、ホスト材料と燐光発光材料からなり、該ホスト材料が本願発明の芳香族複素環誘導体であると好ましく、最低励起３重項エネルギーが１．６〜３．２ｅＶであり、２．２〜３．２ｅＶであると好ましく、２．５〜３．２ｅＶであるとより好ましい。「３重項エネルギー」とは、最低励起３重項状態と基底状態のエネルギー差をいう。

また、本願発明の芳香族複素環誘導体は、燐光発光材料と共に用いるホスト材料又は燐光発光材料と共に用いる電子輸送材料であってもよい。

燐光発光材料としては、燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）又は白金（Ｐｔ）を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、ルテニウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、イリジウム、オスミウムＯｓ及び白金Ｐｔから選択される金属原子のオルトメタル化錯体が最も好ましい。イリジウム錯体、オスミウム錯体、ルテニウム錯体、白金錯体等の金属錯体の具体例を以下に示す。

また、本願発明の有機ＥＬ素子は、前記発光層が、ホスト材料と燐光発光材料を含有し、かつ、発光波長の極大値が４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である金属錯体を含有すると好ましい。

本願発明の有機ＥＬ素子は、前記陰極と有機薄膜層（例えば電子注入層や発光層等）との界面領域に還元性ドーパントを有することが好ましい。還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、及び希土類金属化合物等から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。

アルカリ金属としては、仕事関数が２．９ｅＶ以下である、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）、Ｃｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）等が好ましく挙げられる。これらのうち、より好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓであり、さらに好ましくはＲｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。

アルカリ土類金属としては、仕事関数が２．９ｅＶ以下である、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）等が好ましく挙げられる。

希土類金属としては、仕事関数が２．９ｅＶ以下である、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ等が好ましく挙げられる。

以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能なものである。

アルカリ金属化合物としては、Ｌｉ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ等のアルカリ酸化物、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、これらの中でも、ＬｉＦ、Ｌｉ₂Ｏ、ＮａＦが好ましい。

アルカリ土類金属化合物としては、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びこれらを混合したＢａ_mＳｒ_1-mＯ（０＜ｍ＜１）、Ｂａ_mＣａ_1-mＯ（０＜ｍ＜１）等が挙げられ、これらの中でも、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。

希土類金属化合物としては、ＹｂＦ₃、ＳｃＦ₃、ＳｃＯ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｃｅ₂Ｏ₃、ＧｄＦ₃、ＴｂＦ₃等が挙げられ、これらの中でも、ＹｂＦ₃、ＳｃＦ₃、ＴｂＦ₃が好ましい。

アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定されない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。

還元性ドーパントの添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成することが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により還元性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に還元性ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度は、モル比で、有機物：還元性ドーパント＝１００：１〜１：１００が好ましく、５：１〜１：５がより好ましい。

還元性ドーパントを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１〜１５ｎｍで形成する。

還元性ドーパントを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５〜１ｎｍで形成する。

本願発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陰極との間に電子注入層を有する場合、該電子注入層に用いる電子輸送材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく、特に含窒素環誘導体が好ましい。
この含窒素環誘導体としては、例えば、下記式（Ａ）で表される含窒素環金属キレート錯体が好ましい。

Ｒ²〜Ｒ⁷は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、炭素数１〜４０の炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、又は複素環基を表し、これらは置換されていてもよい。
Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）又はインジウム（Ｉｎ）であり、インジウムであることが好ましい。
式（Ａ）のＬ⁴は、下記式（Ａ’）又は（Ａ’’）で表される基である。

（式中、Ｒ⁸〜Ｒ¹²は、それぞれ独立して、水素原子又は置換若しくは無置換の炭素数１〜４０の炭化水素基を示し、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。また、Ｒ¹³〜Ｒ²⁷は、それぞれ独立して、水素原子又は置換若しくは無置換の炭素数１〜４０の炭化水素基を示し、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。）

含窒素環誘導体としては、金属錯体でない含窒素化合物も挙げられる。例えば、式（ａ）に示す骨格を含有する５員環若しくは６員環や、式（ｂ）に示す構造のものが挙げられる。

（式（ｂ）中、Ｘは炭素原子若しくは窒素原子を表す。Ｚ¹並びにＺ²は、それぞれ独立に含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。）

好ましくは、５員環若しくは６員環からなる含窒素芳香多環族を有する有機化合物である。さらには、このような複数窒素原子を有する含窒素芳香多環族の場合は、上記式（ａ）と式（ｂ）若しくは式（ａ）と式（ｃ）を組み合わせた骨格を有する含窒素芳香多環有機化合物である。

含窒素複素環誘導体の含窒素基は、例えば、以下の一般式で表される含窒素複素環基から選択される。

（各式中、Ｒ²⁸は、炭素数６〜４０のアリール基、炭素数３〜４０のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲ²⁸は互いに同一又は異なっていてもよい。）

さらに、好ましい具体的な化合物として、下記式で表される含窒素複素環誘導体が挙げられる。

（式中、ＨＡｒ^aは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌ⁶は単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜４０のアリーレン基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜４０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ^bは置換基を有していてもよい炭素数６〜４０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ^cは置換基を有していてもよい炭素数６〜４０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜４０のヘテロアリール基である。）
ＨＡｒ^aは、例えば、下記の群から選択される。

Ｌ⁶は、例えば、下記の群から選択される。

Ａｒ^cは、例えば、下記の群から選択される。

Ａｒ^bは、例えば、下記のアリールアントラニル基から選択される。

（式中、Ｒ²⁹〜Ｒ⁴²は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜４０のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜４０のアリール基又は炭素数３〜４０のヘテロアリール基であり、Ａｒ^dは、置換基を有していてもよい炭素数６〜４０のアリール基又は炭素数３〜４０のヘテロアリール基である。）
また、上記式で表されるＡｒ^bにおいて、Ｒ²⁹〜Ｒ³⁶は、いずれも水素原子である含窒素複素環誘導体が好ましい。

この他、下記の化合物（特開平９−３４４８号公報参照）も好適に用いられる。

（式中、Ｒ⁴³〜Ｒ⁴⁶は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族基、置換若しくは未置換の脂肪族式環基、置換若しくは未置換の炭素環式芳香族環基、置換若しくは未置換の複素環基を表し、Ｘ¹、Ｘ²は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子若しくはジシアノメチレン基を表す。）

また、下記の化合物（特開２０００−１７３７７４号公報参照）も好適に用いられる。

式中、Ｒ⁴⁷、Ｒ⁴⁸、Ｒ⁴⁹及びＲ⁵⁰は互いに同一の又は異なる基であって、下記式で表わされるアリール基である。

（式中、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴及びＲ⁵⁵は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、或いはそれらの少なくとも１つが飽和又は不飽和アルコキシル基、アルキル基、アミノ基又はアルキルアミノ基である。）
さらに、該含窒素複素環基若しくは含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。

また、電子輸送層は、含窒素複素環誘導体、特に含窒素５員環誘導体を含有することが好ましい。該含窒素５員環としては、例えばイミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、オキサトリアゾール環、チアトリアゾール環等が挙げられ、含窒素５員環誘導体としては、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ピリジノイミダゾール環、ピリミジノイミダゾール環、ピリダジノイミダゾール環が挙げられる。
具体的には、下記一般式（２０１）〜（２０３）で表される含窒素複素環誘導体の少なくともいずれか１つを含有することが好ましい。

式（２０１）〜（２０３）中、Ｒ⁵⁶は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基で、ｎは０〜４の整数であり、Ｒ⁵⁷は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、Ｒ⁵⁸及びＲ⁵⁹は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、Ｌ⁷は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ^eは、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基又は置換基を有していてもよいキノリニレン基であり、Ａｒ^fは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基である。

Ａｒ^gは、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基、又は−Ａｒ^e−Ａｒ^fで表される基（Ａｒ^e及びＡｒ^fは、それぞれ前記と同じ）である。

電子注入層及び電子輸送層を構成する化合物としては、本願発明の芳香族複素環誘導体の他、電子欠乏性含窒素５員環又は電子欠乏性含窒素６員環骨格と、置換若しくは無置換のインドール骨格、置換若しくは無置換のカルバゾール骨格、置換若しくは無置換のアザカルバゾール骨格を組み合わせた構造を有する化合物等も挙げられる。また、好適な電子欠乏性含窒素５員環又は電子欠乏性含窒素６員環骨格としては、例えばピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、トリアゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、キノキサリン、ピロール骨格及び、それらがお互いに縮合したベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等の分子骨格が挙げられる。これらの組み合わせの中でも、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン骨格と、カルバゾール、インドール、アザカルバゾール、キノキサリン骨格が好ましく挙げられる。前述の骨格は置換されていてもよいし、無置換でもよい。

電子注入層及び電子輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。これらの層の材料は、π電子欠乏性含窒素ヘテロ環基を有していることが好ましい。

また、電子注入層の構成成分として、含窒素環誘導体の他に無機化合物として、絶縁体又は半導体を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。

このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えばＬｉ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｓ、Ｎａ₂Ｓｅ及びＮａ₂Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えばＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えばＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えばＣａＦ₂、ＢａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂及びＢｅＦ₂等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。

また、半導体としては、例えばＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等が挙げられ、これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を組み合わせて使用してもよい。また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。尚、このような無機化合物としては、例えばアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
また、本願発明における電子注入層には、前述の還元性ドーパントを好ましく含有させることができる。
尚、電子注入層又は電子輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは、１〜１００ｎｍである。

正孔注入層又は正孔輸送層（正孔注入輸送層も含む）には芳香族アミン化合物、例えば、一般式（Ｉ）で表わされる芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。

一般式（Ｉ）において、Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を表す。
Ｌは連結基である。具体的には置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基、又は、２個以上のアリーレン基若しくはヘテロアリーレン基を単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基、アミノ基で結合して得られる２価の基である。

また、下記一般式（ＩＩ）の芳香族アミンも正孔注入層又は正孔輸送層の形成に好適に用いられる。

一般式（ＩＩ）において、Ａｒ₁〜Ａｒ₃の定義は前記一般式（Ｉ）のＡｒ¹〜Ａｒ⁴の定義と同様である。
本願発明の芳香族複素環誘導体は、正孔及び電子を輸送する化合物であるため、正孔注入層又は輸送層、電子注入層又は輸送層にも用いることができる。

本願発明において、有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本願発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。また陰極としては、電子注入層又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が使用できる。

本願発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本願発明の有機ＥＬ素子に用いる、本願発明の芳香族複素環誘導体を含有する有機薄膜層は、本願発明の芳香族複素環誘導体を溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の公知の塗布法で形成することができる。

本願発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
本願発明の芳香族複素環誘導体を含有する層（特に発光層）を形成する方法としては、例えば、本願発明の芳香族複素環誘導体及び必要に応じてドーパント等のその他の材料からなる溶液を成膜する方法が好ましい。

成膜方法としては、公知の塗布法を有効に利用することができ、例えばスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スリットコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、ノズルプリンティング法等が挙げられる。パターン形成をする場合には、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法が好ましい。これらの方法による成膜は、当業者に周知の条件により行うことができる。
成膜後は、真空下に加熱（上限２５０℃）乾燥して、溶媒を除去すればよく、光や２５０℃を超える高温加熱による重合反応は不要である。従って、光や２５０℃を超える高温加熱による素子の性能劣化の抑制が可能である。

成膜用溶液は、少なくとも１種類の本願発明の芳香族複素環誘導体を含有していればよく、また他の正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、アクセプター材料、溶媒、安定剤等の添加剤を含んでいてもよい。
成膜用溶液は、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、例えば、増粘剤（高分子量化合物、本願発明の高分子化合物の貧溶媒等）、粘度降下剤（低分子量化合物等）、界面活性剤等を含有していてもよい。また、保存安定性を改善するために、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等、有機ＥＬ素子の性能に影響しない酸化防止剤を含有していてもよい。
上記成膜用溶液中の芳香族複素環誘導体の含有量は、成膜用溶液全体に対して０．１〜１５質量％が好ましく、０．５〜１０質量％がより好ましい。

増粘剤として使用可能な高分子量化合物としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。

成膜用溶液の溶媒としては、例えばクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、アニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。また、これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を併用することができる。

これらの溶媒のうち、溶解性、成膜の均一性及び粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、５−ブチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、テトラリン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、アニソール、エトキシベンゼン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロヘキサノン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。

＜第２の実施形態＞
本実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層又は発光層を含むユニットを少なくとも２つ有するタンデム素子構成を有する。
このような有機ＥＬ素子では、例えば、２つのユニット間に電荷発生層（ＣＧＬとも呼ぶ）を介在させ、ユニット毎に電子輸送帯域を設けることができる。

このようなタンデム素子構成の具体的な構成の例を以下に示す。
（１１）陽極／正孔注入・輸送層／燐光発光層／電荷発生層／蛍光発光層／電子注入・輸送層／陰極
（１２）陽極／正孔注入・輸送層／蛍光発光層／電子注入・輸送層／電荷発生層／燐光発光層／陰極

これらのような有機ＥＬ素子において、燐光発光層には本願発明の芳香族複素環誘導体及び第１実施形態で説明した燐光発光材料を用いることができる。これにより、有機ＥＬ素子の発光効率、及び素子寿命をさらに向上させることができる。また、陽極、正孔注入・輸送層、電子注入・輸送層、陰極には第１実施形態で説明した材料を用いることができる。また、蛍光発光層の材料としては、公知の材料を用いることができる。そして、電荷発生層の材料としては、公知の材料を用いることができる。

＜第３の実施形態＞
本実施形態の有機ＥＬ素子は、複数の発光層を備え、複数の発光層のいずれか２つの発光層の間に電荷障壁層を有する。本実施形態にかかる好適な有機ＥＬ素子の構成として、特許第４１３４２８０号公報、米国公開特許公報ＵＳ２００７／０２７３２７０Ａ１、国際公開公報ＷＯ２００８／０２３６２３Ａ１に記載されているような構成が挙げられる。

具体的には、陽極、第１発光層、電荷障壁層、第２発光層及び陰極がこの順に積層された構成において、第２発光層と陰極の間に三重項励起子の拡散を防止するための電荷障壁層を有する電子輸送帯域を有する構成が挙げられる。ここで電荷障壁層とは隣接する発光層との間でＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位のエネルギー障壁を設けることにより、発光層へのキャリア注入を調整し、発光層に注入される電子と正孔のキャリアバランスを調整する目的を有する層である。

このような構成の具体的な例を以下に示す。
（２１）陽極／正孔注入・輸送層／第１発光層／電荷障壁層／第２発光層／電子注入・輸送層／陰極
（２２）陽極／正孔注入・輸送層／第１発光層／電荷障壁層／第２発光層／第３発光層／電子注入・輸送層／陰極

これらの第１発光層、第２発光層、及び第３発光層のうちの少なくともいずれかに本願発明の芳香族複素環誘導体及び第１実施形態で説明した燐光発光材料を用いることができる。これにより、有機ＥＬ素子の発光効率、及び素子寿命を向上させることができる。

また、例えば、第１発光層を赤色に発光させ、第２の発光層を緑色に発光させ、第３の発光層を青色に発光させることにより、素子全体として白色に発光させることができる。このような有機ＥＬ素子は、照明やバックライト等の面光源として好適に利用できる。

尚、陽極、正孔注入・輸送層、電子注入・輸送層、陰極には第１実施形態で説明した材料を用いることができる。
また、電荷障壁層の材料としては、公知の材料を用いることができる。

以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はそれら実施例に限定されるものではない。

実施例１
（１）化合物Ｈ−１の合成

４−ブロモベンズアルデヒド（７．４０ｇ、４０ｍｍｏｌ）、４’−シアノアセトフェノン（５．８０ｇ、４０ｍｍｏｌ）をエタノール(８０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．１６ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。その後、４−ブロモベンズアミジン塩酸塩（４．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（１．６０ｇ、４０ｍｍｏｌ）を加えエタノール(４０ｍＬ）を追加し、加熱還流下８時間反応させた。生成した白色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥し、ピリミジン中間体Ｂ−１（９．３３ｇ、収率９５％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−１（１．４７ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水トルエン（６０ｍＬ）を順次加えて１２時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−１（２．８２ｇ，収率８２％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ（Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）、ＦＤ−ＭＳ（Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ−Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）、及び¹Ｈ−ＮＭＲの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．２％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８３Ｈ５１Ｎ７＝１１４５．４２、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１４５（Ｍ＋，１００）、１１４６（９２）
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：図１：σ 7.3-7.7(m, 26H), 7.75-7.95(m, 10H), 8.18(s, 1H), 8.26(t, 4H), 8.45-8.55(d+s, 6H), 8.62(d, 2H), 9.02(d, 2H)

（２）有機ＥＬ素子の作製
［下地基板の調製］
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製Ｃｌｅｖｉｏｕｓ ＡＩ４０８３）をイソプロピルアルコールで二倍に希釈し、ＩＴО基板上に４０００ｒｐｍの回転速度で６０秒間スピンコートした。スピンコート後、取り出し電極部分を超純水でふき取り、さらに大気中、２００℃のホットプレートにて３０分間焼成した。

［発光層用のインク調製］
化合物Ｈ−１を２０ｍｇ、下記構造の錯体を５ｍｇ秤量し、所定量のトルエンを加え、超音波にて溶解させることで２．５ｗｔ％の発光層形成用インクを調製した。

［発光層の塗布成膜］
前記の発光層形成用インクを３０００ｒｐｍの回転速度で６０秒間スピンコートした。スピンコート後、取り出し電極部分をトルエンでふき取り、さらに１００℃のホットプレートにて３０分間加熱乾燥し、塗布積層基板を作成した。以上の成膜操作は、全て窒素雰囲気のグローブボックス中で実施した。

［蒸着および封止］
前記の塗布積層基板に対し、電子輸送材料として下記の化合物を２０ｎｍ、フッ化リチウムを１ｎｍ、アルミニウムを８０ｎｍ、蒸着成膜した。蒸着膜を形成した素子は、窒素下でザグリガラスによる封止を行い、評価用素子を形成した。

（３）ＥＬ特性の確認
前記の評価用素子の有機ＥＬ特性を評価したところ、発光ピーク波長５９０ｎｍの電界発光が確認できた。
また、有機ＥＬ素子を、直流電流駆動により発光させ、電流密度１ｍＡ／ｃｍ²における電圧（Ｖ）及び発光効率（ｃｄ／Ａ）、並びに輝度が９０％まで減少する寿命（ＬＴ９０、初期輝度５２００ｃｄ／ｍ²）を測定した。測定結果を表１に示す。

実施例２
（１）化合物Ｈ−２の合成

アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−２（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−１（１．４７ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水トルエン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−２（２．６１ｇ，収率７６％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ、ＦＤ−ＭＳ及び¹Ｈ−ＮＭＲの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９８．６％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８３Ｈ５１Ｎ７＝１１４５．４２、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１４５（Ｍ＋，１００）、１１４６（９２）
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：図２：σ 7.3-7.6(m, 24H), 7.65-7.75(m, 4H), 7.84(d, 2H), 7.85-7.95(m, 6H), 8.15-8.25(m, 5H), 8.26(d, 2H), 8.40(s, 2H), 8.48(d, 2H), 8.61(d, 2H), 9.01(d, 2H)
（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−２を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例３
（１）化合物Ｈ−３の合成

３−ブロモベンズアルデヒド（７．４０ｇ、４０ｍｍｏｌ）、３’−ブロモアセトフェノン（７．９６ｇ、４０ｍｍｏｌ）をメタノール(８０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．１６ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。析出したカルコン中間体Ｃ３を濾取し、乾燥した。テレフタロニトリル（２．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）を乾燥メタノール２００ｍＬに溶解し、１規定ナトリウムメトキシドメタノール溶液２ｍＬを加え、室温で２時間攪拌した。その後、塩化アンモニウム（１．１８ｇ、２２ｍｍｏｌ）を加え、室温でさらに４時間攪拌した。溶媒を減圧留去し、ベンズアミジン塩酸塩中間体Ｄ−３を得た。これをエタノール（１２０ｍＬ）に溶解し、先に合成したカルコン中間体Ｃ−３、水酸化ナトリウム（１．６０ｇ、４０ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下８時間反応させた。生成した白色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥し、目的とするピリミジン中間体Ｂ−３（７．３７ｇ、収率７５％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−３（１．４７ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水トルエン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−３（２．７８ｇ，収率８１％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ、ＦＤ−ＭＳ及び¹Ｈ−ＮＭＲの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９８．７％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８３Ｈ５１Ｎ７＝１１４５．４２、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１４５（Ｍ＋，１００）、１１４６（９２）
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：図３：σ 7.3-7.7(m, 26H), 7.75-7.9(m, 10H), 8.19(s, 1H), 8.24(d, 2H), 8.28(d, 2H), 8.35-8.4(m, 2H), 8.48(d, 4H), 8.58 (s, 2H), 8.80(d, 2H)

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−３を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例４
（１）化合物Ｈ−４の合成

４−アセチル−４’−シアノビフェニル（８．８５ｇ、４０ｍｍｏｌ）（４−アセチルフェニルボロン酸と４−ブロモベンゾニトリルとから鈴木カップリング法で合成）および３，５−ジブロモベンズアルデヒド（１０．５６ｇ、４０ｍｍｏｌ）をエタノール(８０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．１６ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。その後、ベンズアミジン塩酸塩（３．１３ｇ、２０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（１．６０ｇ、４０ｍｍｏｌ）を加えエタノール(４０ｍＬ）を追加し、加熱還流下８時間反応させた。生成した白色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥し、ピリミジン中間体Ｂ−４（８．６２ｇ、収率７６％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−４（１．７０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水トルエン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−４（２．６７ｇ，収率７３％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ、ＦＤ−ＭＳ及び¹Ｈ−ＮＭＲの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９８．４％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８９Ｈ５５Ｎ７＝１２２１．４５、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１２２１（Ｍ＋，１００）、１２２２（９７）
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：図４：σ 7.3-7.8(m, 37H), 7.87(d, 2H), 8.11(s, 1H), 8.14(s, 1H), 8.24(d, 2H), 8.30(d, 2H), 8.41(d, 2H), 8.46 (d, 4H), 8.70(s, 2H), 8.7-8.75(m, 2H)

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−４を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例５
（１）化合物Ｈ−５の合成

３−クロロベンズアルデヒド（５．６２ｇ、４０ｍｍｏｌ）、３’−クロロアセトフェノン（６．１８ｇ、４０ｍｍｏｌ）をエタノール(８０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．１６ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。その後、４−ブロモベンズアミジン塩酸塩（４．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（１．６０ｇ、４０ｍｍｏｌ）を加えエタノール(４０ｍＬ）を追加し、加熱還流下８時間反応させた。生成した白色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥してピリミジン中間体Ｂ−５ａ（３．６５ｇ、１３．２ｍｍｏｌ、収率６６％）を得た。これに４−シアノフェニルボロン酸（２．２０ｇ、１５ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（３４６ｍｇ、０．３ｍｍｏｌ）、トルエン（４５ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２．５ｍＬ，４５ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去したのち得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、ピリミジン中間体Ｂ−５ｂ（５．１８ｇ，収率８２％）を得た。

アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−５ｂ（１．５０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−５（２．８２ｇ，収率７７％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ、ＦＤ−ＭＳ及び¹Ｈ−ＮＭＲの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．２％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８９Ｈ５５Ｎ７＝１２２１．４５、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１２２１（Ｍ＋，１００）、１２２２（９７）
¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：図５：σ 7.3-7.65(m, 30H), 7.74(d, 2H), 7.75-7.85(m, 8H), 8.13(s, 1H), 8.23(d, 2H), 8.27(d, 2H), 8.4(m, 2H), 8.48(d, 4H), 8.61 (s, 2H), 8.76(d, 2H)

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−５を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例６
（１）化合物Ｈ−６合成

アルゴン雰囲気下、トリクロロピリミジン（２．２９ｇ、１２.５ｍｍｏｌ）、４−シアノフェニルボロン酸（１．９１ｇ、１３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７０ｍｇ、０．３２ｍｍｏｌ）、トルエン（１０ｍＬ）、ジメトキシエーテル（３０ｍｌ）２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１９ｍＬ，３７ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去したのち得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、ピリミジン中間体Ｂ−６（２.５ｇ，収率８０％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−６（０．７５ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（５５ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−６（２．２４ｇ，収率７５％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．２％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ７１Ｈ４３Ｎ７＝９９４.１５、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝９９４（Ｍ＋，１００）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−６を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例７
（１）化合物Ｈ−７合成

アルゴン雰囲気下、Ｂ−６（３．１３ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）、４−クロロフェニルボロン酸（２．０３ｇ、１３ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２８９ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、トルエン（４５ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２．５ｍＬ，４５ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去したのち得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、ピリミジン中間体Ｂ−７（３．２２ｇ，収率７９％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−７（０．９８ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（５５ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−７（２．４４ｇ，収率７６％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．３％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ７７Ｈ４７Ｎ７＝１０７０．２４、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１０７０（Ｍ＋，１００）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−７を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例８
（１）化合物Ｈ−８合成

３’−ブロモ−[１，１’−ビフェニル]−３−アルデヒド（１０．４４ｇ、４０ｍｍｏｌ）、３’−シアノアセトフェノン（５．８１ｇ、４０ｍｍｏｌ）をエタノール(８０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．１６ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。その後、４−ブロモベンズアミジン塩酸塩（４．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（１．６０ｇ、４０ｍｍｏｌ）を加えエタノール(４０ｍＬ）を追加し、加熱還流下８時間反応させた。生成した白色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥してピリミジン中間体Ｂ−８（６．８１ｇ、１２.０ｍｍｏｌ、収率６０％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−８（１．７０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（５５ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−８（２．５７ｇ，収率７０％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．３％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８９Ｈ５５Ｎ７＝１２２２．４４、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１２２２（Ｍ＋，１００）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−８を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例９
（１）化合物Ｈ−９合成

アルゴン雰囲気下、１,３,５−トリブロモベンゼン（９．４４ｇ、３０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（１．２２ｇ、１０ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（２３１ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）、ＤＭＥ（５０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ，２０ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去したのち得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体Ｂ−９（２．０３ｇ，収率６５％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−９（２．７３ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、中間体Ｂ−９（０．９４ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（５５ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−９（２．４４ｇ，収率７６％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．３％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ７４Ｈ４４Ｎ６＝１０１７．１８、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１０１７（Ｍ＋，１００）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて、化合物Ｈ−６：化合物Ｈ−９＝１：１の重量比で混合したものを使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例１０
（１）化合物Ｈ−１０合成

アルゴン雰囲気下、Ｂ−９（３．１２ｇ、１０ｍｍｏｌ）、３−クロロフェニルボロン酸（３．４４ｇ、２２ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（５０８ｍｇ、０．４４ｍｍｏｌ）、ＤＭＥ（５０ｍＬ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２ｍＬ，４４ｍｍｏｌ）を加え加熱還流下８時間反応させた。室温まで反応液を冷却した後、水層を分液除去して有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去したのち得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体Ｂ−１０（２．２５ｇ，収率６０％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−９（２．７３ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、中間体Ｂ−１０（１．１３ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（５５ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−１０（２．６０ｇ，収率７４％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．２％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８６Ｈ５２Ｎ６＝１１６９．３７、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１６９（Ｍ＋，１００）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて、化合物Ｈ−３：化合物Ｈ−１０＝１：１の重量比で混合したものを使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例１１
（１）化合物Ｈ−１１合成

アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１１（３．５２ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、中間体Ｂ−１０（１．１３ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（５５ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロほう酸塩（０．０７０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−１１（２．９８ｇ，収率７０％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．１％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１０８Ｈ６６Ｎ４＝１４１９．７１、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１４１９（Ｍ＋，１００）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて、化合物Ｈ−３：化合物Ｈ−１１＝１：１の重量比で混合したものを使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例１２
（１）化合物Ｈ−１２の合成

３−ブロモベンズアルデヒド（７．４０ｇ、４０ｍｍｏｌ）、４−アセチル−４’−ブロモビフェニル（１１．００ｇ、４０ｍｍｏｌ）をエタノール（８０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．１６ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。その後、４−シアノベンズアミジン塩酸塩（３．６３ｇ、２０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（１．６０ｇ、４０ｍｍｏｌ）を加えエタノール（４０ｍＬ）を追加し、加熱還流下８時間反応させた。生成した淡黄色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥し、ピリミジン中間体Ｂ−１２（８．８５ｇ、収率７８％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ１２（１．７０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、キサントホス（４，５’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−９，９’−ジメチルキサンテン）（０．０６９ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水トルエン（６０ｍＬ）を順次加えて１２時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−１２（２．１２ｇ，収率５８％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．１％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８９Ｈ５５Ｎ７＝１２２１．４５
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１２２１（Ｍ＋，１００）、１２２２（９８）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−１２を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例１３
（１）化合物Ｈ−１３の合成

６−ブロモ−２−ナフトアルデヒド（９．４０ｇ、４０ｍｍｏｌ）、４’−シアノアセトフェノン（５．８０ｇ、４０ｍｍｏｌ）をエタノール（８０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．１６ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。その後、４−ブロモベンズアミジン塩酸塩（４．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（１．６０ｇ、４０ｍｍｏｌ）を加えエタノール（４０ｍＬ）を追加し、加熱還流下８時間反応させた。生成した淡黄色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥し、ピリミジン中間体Ｂ−１３（７．７９ｇ、収率７２％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−１３（１．６２ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、キサントホス（０．０６９ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水トルエン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−１３（２．３７ｇ，収率６６％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９８．７％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８７Ｈ５３Ｎ７＝１１９５．４３
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１９５（Ｍ＋，１００）、１１９６（９７）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−１３を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例１４
（１）化合物Ｈ−１４の合成

３−シアノ−４−フルオロベンズアルデヒド（５．９６ｇ、４０ｍｍｏｌ）、３’−ブロモアセトフェノン（５．８０ｇ、４０ｍｍｏｌ）をエタノール（８０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．１６ｇ、４ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。その後、４−ブロモベンズアミジン塩酸塩（４．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（１．６０ｇ、４０ｍｍｏｌ）を加えエタノール（４０ｍＬ）を追加し、加熱還流下８時間反応させた。生成した白色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥し、ピリミジン中間体Ｂ−１４（７．６４ｇ、収率７５％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−１４（１．５３ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、キサントホス（０．０６９ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水トルエン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−１４（２．３７ｇ，収率６６％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．２％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ８３Ｈ５０ＦＮ７＝１１６３．４１
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１６３（Ｍ＋，１００）、１１６４（９２）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−１４を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例１５
（１）化合物Ｈ−１５の合成

窒素雰囲気下、２，４，６−トリクロロピリミジン（５．５０ｇ、３０ｍｍｏｌ）、３−クロロフェニルボロン酸（４．６９ｇ、３０ｍｍｏｌ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（０．４２１ｇ、０．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（８．２９ｇ、６０ｍｍｏｌ）、トルエン（６０ｍＬ）及び純水（３０ｍＬ）を還流下、７時間攪拌した。冷却後、水層を除去し、さらに有機層を純水で２回洗浄後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトで精製し、中間体Ｂ１５ａ（４．０１ｇ、５１．４％収率）を得た。窒素雰囲気化、中間体Ｂ−１５ａ（４．０１ｇ、１５ｍｍｏｌ）、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニルボロン酸（３．９８ｇ、１５ｍｍｏｌ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（０．２１１ｇ、０．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（４．１５ｇ、３０ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン（３０ｍＬ）及び純水（１５ｍＬ）を還流下、４．５時間攪拌した。冷却後、トルエン５０ｍＬを加えた後、水層を除去し、さらに有機層を純水で２回洗浄後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトで精製し、中間体Ｂ−１５ｂ（３．２ｇ、４８．８％収率）を得た。
窒素雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−２（１．７１６ｇ、４．２ｍｍｏｌ）、中間体Ｂ−１５ｂ（０．８７４ｇ、２ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（３７ｍｇ、０．０４ｍｍｏｌ）、キサントホス（２３ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．５７７ｇ、６ｍｍｏｌ）、無水キシレン（２５ｍＬ）を順次加えて９時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−１５（１．７５１ｇ、収率７４．１％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９８．７％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ７８Ｈ４６Ｎ６Ｆ６＝１１８０．３７
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１１８０（Ｍ＋，１００）、１１８１（８７）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−１５を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

実施例１６
（１）化合物Ｈ−１６の合成

２−ホルミルトリフェニレン（５．１２ｇ、２０ｍｍｏｌ）３’−アセトフェノン（３．９８ｇ、２０ｍｍｏｌ）をエタノール（４０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム（０．０８ｇ、２ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間攪拌した。その後、４−ブロモベンズアミジン塩酸塩（２．３６ｇ、１０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム（０．８０ｇ、２０ｍｍｏｌ）を加えエタノール（４０ｍＬ）を追加し、加熱還流下８時間反応させた。生成した白色粉末を濾取し、液の着色が無くなるまでエタノールで洗浄し、さらに水、エタノールで洗浄したのち真空乾燥し、ピリミジン中間体Ｂ−１６（５．０５ｇ、収率８２％）を得た。
アルゴン雰囲気下、ビカルバゾリル中間体Ａ−１（２．５７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ピリミジン中間体Ｂ−１６（１．８５ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０５５ｇ、０．０６ｍｍｏｌ）、キサントホス（０．０６９ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（０．８７ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、無水トルエン（６０ｍＬ）を順次加えて１６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、Ｈ−１６（２．９８ｇ，収率７８％）を得た。

得られた化合物について、ＨＰＬＣ及びＦＤ−ＭＳの分析結果を以下に示す。
ＨＰＬＣ：純度９９．３％
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ９４Ｈ５８Ｎ６＝１２７０．４７
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝１２７０（Ｍ＋，９６）、１２７１（１００）

（２）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて化合物Ｈ−１６を使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（３）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

比較例１
（１）有機ＥＬ素子の作製
実施例１において、化合物Ｈ−１に代えて、化合物ｈ−１：化合物ｈ−２＝１：３の重量比で混合したものを使用した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
化合物ｈ−１及び化合物ｈ−２の構造を以下に示す。これら化合物は特許文献２に記載された化合物である。

（２）ＥＬ特性の確認
実施例１と同様に実施した。評価結果を表１に示す。

本願発明の材料を用いた場合、従来の材料よりも、低電圧であり、高効率かつ長寿命の有機エレクトロルミネッセンス発光が得られた。

本願発明の芳香族複素環誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用である。
また、可溶性を有し、塗布プロセスに適した本願発明の芳香族複素環誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液として有用である。

Claims (20)

1. 下記式（１）で表される芳香族複素環誘導体。
   

   

   ［式（１）中、Ａは、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、少なくとも２つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環で構成される環集合の残基、少なくとも２つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基、又は少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環と少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基であり、
   Ｌ¹は、単結合、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
   Ｂは、下記式（２−ｂ）で表される構造の残基であり、
   ｍは、２以上の整数であり、複数のＬ¹は互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＢは互いに同一であっても異なっていてもよい。
   ただし、Ａ、Ｌ¹及びＢの少なくとも１つに、下記式（３）で表される基が連結する。］
   

   

   ［式（２−ｂ）中、Ｘｂ¹及びＹｂ¹の一方は単結合、−ＣＲ₂−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、他方は−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、
   Ｘｂ²及びＹｂ²の一方は単結合、−ＣＲ₂−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、他方は−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、下記式（ｉ）で表される基又は下記式（ｉｉ）で表される基であり、
   

   

   Ｒは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
   Ｚｂ¹、Ｚｂ²、Ｚｂ³及びＺｂ⁴は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素環基、置換若しくは無置換の脂肪族複素環基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基である。］
   

   

   ［式（３）中、Ｌ³は、単結合、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
   Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基であり、
   Ｌ¹又はＢに式（３）で表される基が連結する場合のＦは、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のスピロフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、置換若しくは無置換のトリアジニル基、置換若しくは無置換のビピリジニル基、置換若しくは無置換のビピリミジニル基、置換若しくは無置換のキナゾリニル基、置換若しくは無置換のイミダゾリル基、置換若しくは無置換のベンズイミダゾリル基、リン原子含有基及びケイ素原子含有基、並びにそれらのベンツ体及びアザ体からなる群から選ばれる基である。］
2. 前記式（２−ｂ）で表される構造が、下記式（２−ｂ−１）で表される構造である、請求項１に記載の芳香族複素環誘導体。
   

   

   ［式（２−ｂ−１）中、Ｘｂ¹¹及びＸｂ¹²は、それぞれ独立に、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＲ₂−、前記式（ｉ）で表される基又は前記式（ｉｉ）で表される基であり、
   Ｒは、式（２−ｂ）のＸｂ¹、Ｘｂ²、Ｙｂ¹及びＹｂ²におけるＲと同義であり、
   Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³及びＲｂ¹⁴は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数７〜２４のアラルキル基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜２４の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２〜２４の芳香族複素環基であり、
   ｓ¹は０〜４の整数であり、ｓ¹が２以上の場合、複数のＲｂ¹¹は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   ｔ¹は０〜３の整数であり、ｔ¹が２以上の場合、複数のＲｂ¹²は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   ｕ¹は０〜３の整数であり、ｕ¹が２以上の場合、複数のＲｂ¹³は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   ｖ¹は０〜４の整数であり、ｖ¹が２以上の場合、複数のＲｂ¹⁴は互いに同一であっても異なっていてもよい。］
3. 一般式（１）におけるＢが、下記式（２―Ａ）で表される基又は下記式（２−Ｂ）で表される基である、請求項２に記載の芳香族複素環誘導体。
   

   

   ［式（２−Ａ）中、Ｘｂ¹²、Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³、Ｒｂ¹⁴、ｓ¹、ｔ¹、ｕ¹及びｖ¹は、式（２−ｂ−１）中のそれら記号と同義であり、
   ＊は、式（１）のＬ¹との結合手を表す。
   式（２−Ｂ）中、ｓ¹は０〜３の整数であり、
   Ｘｂ¹²、Ｒ、Ｒｂ¹¹、Ｒｂ¹²、Ｒｂ¹³、Ｒｂ¹⁴、ｔ¹、ｕ¹及びｖ¹は、式（２−ｂ−１）中のそれらと記号と同義であり、
   ＊は、式（１）のＬ¹との結合手を表す。］
4. 一般式（１）におけるＡが、少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環と少なくとも１つの置換若しくは無置換の芳香族複素環で構成される環集合の残基である、請求項１〜３のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体。
5. 一般式（１）におけるＡが、下記式（４−ａ）で表される環集合又は下記式（４−ｂ）で表される環集合の残基である、請求項４に芳香族複素環誘導体。
   

   

   ［式（４−ａ）中、Ｈｅｔ¹は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
   Ａｒ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基であり、
   Ｚａ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
   ｎ¹は０〜２の整数であり、ｎ¹が２の場合、複数のＺａ¹は互いに同一であっても異なっていてもよい。
   式（４−ｂ）中、Ｈｅｔ²は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
   Ａｒ²及びＡｒ³は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基であり、
   Ｚａ²及びＺａ³は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の芳香族複素環基であり、
   ｎ²は、０〜２の整数であり、ｎ²が２の場合、複数のＺａ²は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   ｎ³は、０〜２の整数であり、ｎ³が２の場合、複数のＺａ³は互いに同一であっても異なっていてもよい。］
6. 前記式（４−ａ）におけるＨｅｔ¹及び前記式（４−ｂ）におけるＨｅｔ²が置換若しくは無置換の含窒素芳香族複素環基である、請求項５に記載の芳香族複素環誘導体。
7. Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦが、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、及び置換若しくは無置換のビピリジニル基からなる群から選ばれる基である、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体。
8. Ａに式（３）で表される基が連結する場合のＦが、シアノ基、フッ素原子、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる基である、請求項７に記載の芳香族複素環誘導体。
9. Ｌ¹又はＢに式（３）で表される基が連結する場合のＦが、シアノ基、フッ素原子、ハロアルキル基、置換若しくは無置換のトリフェニレニル基、置換若しくは無置換のアザフルオレニル基、置換若しくは無置換のピリミジニル基、及び置換若しくは無置換のビピリジニル基からなる群から選ばれる基である、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体。
10. Ｌ¹又はＢに式（３）で表される基が連結する場合のＦが、シアノ基、フッ素原子、及びハロアルキル基からなる群から選ばれる基である、請求項９に記載の芳香族複素環誘導体。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
12. 溶媒と、該溶媒中に溶解した請求項１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液。
13. 陰極と、陽極と、該陰極と該陽極の間に発光層を含む一層以上の有機薄膜層と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記一層以上の有機薄膜層のうちの少なくとも１層が請求項１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. 前記発光層が、請求項１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体をホスト材料として含む請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
15. 前記発光層が、燐光発光材料を含有する請求項１３又は１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16. 前記燐光発光材料が、イリジウム（Ｉｒ），オスミウム（Ｏｓ）及び白金（Ｐｔ）からなる群から選択される金属原子のオルトメタル化錯体である請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
17. 前記陰極と前記発光層の間に電子注入層を有し、該電子注入層が含窒素環誘導体を含む請求項１３〜１６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
18. 前記陰極と前記発光層の間に電子輸送層を有し、該電子輸送層が、請求項１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体を含む請求項１３〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
19. 前記陽極と前記発光層の間に正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、請求項１〜１０のいずれかに記載の芳香族複素環誘導体を含む請求項１３〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
20. 前記陰極と前記有機薄膜層との界面領域に、還元性ドーパントが添加されてなる請求項１３〜１９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

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