JPWO2014007405A1 - 芳香族化合物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
具体的には、特許文献1に、酢酸パラジウム、トリス(2−メトキシフェニル)ホスフィン、水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液およびトルエンの存在下、9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジボロン酸とピナコール(テトラメチルエチレングリコール)とから形成されるボロン酸エステルと、ビス(4−ブロモフェニル)[4−(2−ブチル)フェニル]アミンとを重合することにより、対応する芳香族化合物を製造する方法が記載されている。
すなわち、本発明は、
[1]
式(A)
(式中、X1は、式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)または(6)で示される基
を表わし、Ar1は、炭素数6〜36の1価または2価の芳香族炭化水素基を表わし、mは、1または2を表す。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、ヘテロ原子またはカルボニル基で置き換わっていてもよく、当該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールシクロアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子−窒素原子二重結合を部分構造として有する基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、シクロアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基で置換されていてもよい。)
で示される化合物と、
式(B)
(式中、X2は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルキルスルホニルオキシ基、フッ素置換アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を表わし、Ar2は、炭素数6〜36の1価または2価の芳香族炭化水素基を表わし、nは、1または2を表す。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、ヘテロ原子またはカルボニル基で置き換わっていてもよく、当該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールシクロアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子−窒素原子二重結合を部分構造として有する基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、シクロアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基で置換されていてもよい。)
で示される化合物とを、式(C)
(式中、A1およびA2はそれぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20の飽和脂環式炭化水素基を表わす。R1およびR5はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルコキシ基または炭素数3〜20のシクロアルコキシ基を表わし、R2、R3およびR4はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基、炭素数3〜30のフルオロシクロアルコキシ基、または、炭素数6〜20のアリール基を表わす。ただし、R1〜R5のすべてが同時に水素原子を表わすことはない。また、R2とR3とが結合して、それらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、R3とR4とが結合して、それらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。)
で示されるホスフィンおよび式(D)
(式中、A1、A2、R1〜R5は前記と同じ意味を表し、Zは陰イオン表す。)
で示されるホスホニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも1種のホスフィン化合物、塩基、パラジウム化合物、並びに、非プロトン性有機溶媒の存在下に混合する工程を含むことを特徴とする芳香族化合物の製造方法。
[2]
ホスフィン化合物が、式(E)
(式中、A3およびA4はそれぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20の飽和脂環式炭化水素基を表わす。R7およびR8はそれぞれ独立して、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わし、R9は、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わす。。)
で示されるホスフィンおよび式(F)
(式中、A3、A4、R7、R8、R9およびZは前記と同じ意味を表す。)
で示されるホスホニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である[1]に記載の芳香族化合物の製造方法。
[3]
R7およびR8が、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である[2]に記載の芳香族化合物の製造方法。
[4]
R9が水素原子である[2]または[3]に記載の芳香族化合物の製造方法。
[5]
非プロトン性有機溶媒が、エーテル溶媒、芳香族炭化水素溶媒および脂肪族炭化水素溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種である[1]〜[4]のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
[6]
パラジウム化合物が、パラジウム(0)錯体またはパラジウム(II)錯体である[1]〜[5]のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
[7]
式(E)
(式中、A3およびA4はそれぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20の飽和脂環式炭化水素基を表わす。R7およびR8はそれぞれ独立して、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わし、R9は、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わす。)
で示されるホスフィン。
[8]
R7およびR8が、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である[7]に記載のホスフィン。
[9]
R9が水素原子である[7]または[8]に記載のホスフィン。
[10]
式(F)
(式中、A3およびA4はそれぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20の飽和脂環式炭化水素基を表わす。R7およびR8はそれぞれ独立して、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わし、R9は、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わす。Zは陰イオン表す。)
で示されるホスホニウム塩。
[11]
R7およびR8が、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である[10]に記載のホスホニウム塩。
[12]
[7]〜[9]のいずれかに記載のホスフィンと第10族遷移金属化合物とを接触させることにより得られる遷移金属錯体。
等を提供するものである。
本発明の製造方法に用いられる、式(A)で示される化合物は式(A−1)
Ar1−X1 (A−1)
で示される化合物(以下、化合物(A−1)と記すことがある)および式(A−2)
X1−Ar1−X1 (A−2)
で示される化合物(以下、化合物(A−2)と記すことがある)を含み、式(B)で示される化合物は、式(B−1)
Ar2−X2 (B−1)
で示される化合物(以下、化合物(B−1)と記すことがある)および式(B−2)
X2−Ar2−X2 (B−2)
で示される化合物(以下、化合物(B−2)と記すことがある)を含む。
”イミン残基”としては、式:−CR’’=N−R’’’、および、式:−N=C(R’’’)2(式中、R’’は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基またはアリールアルキニル基を表わし、R’’’はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールシクロアルキル基、アリールアルケニル基またはアリールアルキニル基を表わす。ただし、R’’’が2個存在する場合、2個のR’’’は互いに結合して2価の基、具体的には、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素数2〜18のアルキレン基を形成する。)で示される基が挙げられる。
”イミン残基”の具体例としては、以下に示す基が挙げられる。
(式中、Rは置換基を表わし、pは0〜4の整数を表わす。)
上記置換基としては、Ar1およびAr2の置換基として例示したものと同様の基が挙げられる。
(式中、Rは置換基を表わし、pは0〜4の整数を表わし、YはN、S、C=Oを表わす。)
上記置換基としては、Ar1およびAr2の置換基として例示したものと同様の基が挙げられる。
(式中、Rは置換基を表わし、pは0〜4の整数を表わす。)
上記置換基としては、Ar1およびAr2の置換基として例示したものと同様の基が挙げられる。
好ましいAr1およびAr2としては、例えば、式(a−1)、(a−2)、(b−1)、(b−2)、(c−1)、(c−2))、(d−1)、(d−2)、(e−1)、(e−2)、(m−1)、(m−2)((m−1)および(m−2)中のYはSが好ましい)、(y−1)、(y−2)、(aa−1)または(aa−2)で表される基である。
前記式(A−2)で示される化合物としては、2,2’−(9,9−ジヘキシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(9,9−ジヘキシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボリナン)、2,2’−(9,9−ジヘキシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(9,9−ジヘキシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン)、2,2’−(9,9−ジオクチル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(9,9−ジオクチル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボリナン)、2,2’−(9,9−ジオクチル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(9,9−ジオクチル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン)、2,2’−(9,9−ジドデシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(9,9−ジドデシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボリナン)、2,2’−(9,9−ジドデシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(9,9−ジドデシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン)、2,2’−(3,5−ジメトキシ−9,9−ジヘキシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(9−オクチル−9H−カルバゾール−3,6−ジイル)ビス(1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(1,4−フェニレン)ビス(5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン)、2,2’−(2,5−ジメチル−1,4−フェニレン)ビス(1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(2−メチル−5−オクチル−1,4−フェニレン)ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン)、2,2’−(2,5−ジブチル−1,4−フェニレン)ビス(5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン)、2,2’−[2,5−ビス(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン]ビス(5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン)、2,5−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)チオフェン、2,5−ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)チオフェン、2,5−ビス(1,3,2−ジオキサボリナン−2−イル)チオフェン、2,5−ビス(5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン−2−イル)チオフェン、1,1’−ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−4,4’−ビフェニル、1,1’−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−4,4’−ビフェニル、1,1’−ビス(1,3,2−ジオキサボリナン−2−イル)−4,4’−ビフェニル、1,1’−ビス(5,5−ジメチル−1,3,2−ジオキサボリナン−2−イル)−4,4’−ビフェニル、および、5,5’−ビス(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−2,2’−バイチオフェンが挙げられる。
塩基としては、無機塩基および有機塩基が挙げられる。
本発明の製造方法において、塩基として無機塩基を用いる場合、相関移動触媒を併用してもよい。相関移動触媒としては、テトラアルキルハロゲン化アンモニウム、テトラアルキル硫酸水素アンモニウムおよびテトラアルキル水酸化アンモニウムが挙げられる。好ましくは、トリカプリルメチル塩化アンモニウム(Sigma−Aldrich社からAliquat(登録商標)336として入手可能)等のテトラアルキルハロゲン化アンモニウムである。
”非プロトン性有機溶媒”は、分子内に、水酸基(−OH)、アミノ基、カルボキシル基(−COOH)等の活性水素を有する基を有さず、かつ、式(A)で示される化合物および式(B)で示される化合物を溶解し得る有機溶媒を意味する。
パラジウム化合物とは、パラジウムにパラジウム以外の原子が結合した化合物であり、好ましくはパラジウム(0)錯体およびパラジウム(II)錯体が挙げられる。
炭素数1〜20のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、2,2−ジメチルプロポキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、n−トリデシルオキシ基、n−テトラデシルオキシ基、n−ペンタデシルオキシ基、n−ヘキサデシルオキシ基、n−ヘプタデシルオキシ基、n−オクタデシルオキシ基、n−ノナデシルオキシ基およびn−イコシルオキシ基が挙げられ、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい。
炭素数3〜20のシクロアルコキシ基としては、シクロペンチルオキシ基およびシクロヘキシルオキシ基が挙げられ、炭素数3〜8のシクロアルコキシ基が好ましい。
R1およびR5がそれぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜6のアルコキシ基であることが好ましい。R1およびR5がともに、水素原子であることがより好ましい。
炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、2,2−ジメチルプロピル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−メチルペンチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基およびn−イコシル基が挙げられ、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。
炭素数3〜20のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基およびシクロヘキシル基が挙げられる。
炭素数1〜20のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、2,2−ジメチルプロポキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、n−トリデシルオキシ基、n−テトラデシルオキシ基、n−ペンタデシルオキシ基、n−ヘキサデシルオキシ基、n−ヘプタデシルオキシ基、n−オクタデシルオキシ基、n−ノナデシルオキシ基およびn−イコシルオキシ基が挙げられ、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい。
炭素数3〜20のシクロアルコキシ基としては、シクロペンチルオキシ基およびシクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基としては、モノフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、2,2,2−トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロ−n−プロポキシ基およびパーフルオロイソプロピキシ基が挙げられ、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基が好ましい。
炭素数3〜30のフルオロシクロアルコキシ基としては、4−フルオロシクロヘキシルオキシ基および4,4−ジシクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数6〜20のアリール基としては、フェニル基、4−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、3−フェナントリル基および2−アントリル基が挙げられる。
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基である式(C)で示されるホスフィン、A1とA2が、シクロヘキシル基である式(C)で示されるホスフィン、
R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R1およびR5が水素原子である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基であり、R1およびR5が水素原子である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R1およびR5が水素原子である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、シクロヘキシル基であり、R1およびR5が水素原子である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、シクロヘキシル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、シクロヘキシル基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、シクロヘキシル基であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、シクロヘキシル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基ま、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R1およびR5が水素原子であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基であり、R1およびR5が水素原子であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R1およびR5が水素原子であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、シクロヘキシル基であり、R1およびR5が水素原子であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、シクロヘキシル基であり、R1が水素原子であり、R5が炭素数1〜6のアルコキシ基であり、R2およびR4が水素原子であり、R3が水素原子であり、R2およびR4がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R1およびR5が水素原子であり、R2とR3とが結合して、それらが結合する炭素原子と共にベンゼン環を形成し、R4が水素原子である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、tert−ブチル基であり、R1およびR5が水素原子であり、R2とR3とが結合して、それらが結合する炭素原子と共にベンゼン環を形成し、R4が水素原子である式(C)で示されるホスフィン、
A1とA2が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R1およびR5が水素原子であり、R2とR3とが結合して、それらが結合する炭素原子と共にベンゼン環を形成し、R4が水素原子である式(C)で示されるホスフィン、および、
A1とA2が、シクロヘキシル基であり、R1およびR5が水素原子であり、R2とR3とが結合して、それらが結合する炭素原子と共にベンゼン環を形成し、R4が水素原子である式(C)で示されるホスフィンが挙げられる。
ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジフルオロフェニル)ホスフィン、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジエチルフェニル)ホスフィン、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジイソプロピルフェニル)ホスフィン、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジメトキシフェニル)ホスフィン、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジエトキシフェニル)ホスフィン、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(トリフルオロメトキシ)フェニル)ホスフィン、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(トリフルオロエトキシ)フェニル)ホスフィン、および、ジ−(tert−ブチル)((1,1’:3’,1’’−テルフェニル)−5’−イル)ホスフィンがより好ましい。
(式中、R6は置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。)
で示される陰イオン等が挙げられ、好ましくは式(Y)で示される陰イオンである。
R6で表される置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基としては、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基、4−tert−ブチル−2−ピリジル基、2−チオフェニル基等が挙げられ、好ましくは2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基が挙げられ、より好ましくは4−ピリジル基が挙げられる。
R6で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子が挙げられる。
R6としては、上記の中で特にフェニル基、フッ素原子が好ましく、フッ素原子が最も好ましい。
ジ−(tert−ブチル)(4−フルオロフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−フルオロフェニルホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(4−メチルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−メチルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(4−エチルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−エチルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(4−イソプロピルフェニル)ホスホニウムテトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−イソプロピルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(4−tert−ブチルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−tert−ブチルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(4−メトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−メトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(4−エトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−エトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(2−メトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(2−エトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(4−トリフルオロメトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−トリフルオロメトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(4−ペンタフルオロエトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3−ペンタフルオロエトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)([1,1’−ビフェニル]−4−イル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)([1,1’−ビフェニル]−3−イル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(2−ナフチル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジフルオロフェニル)ホスホニウムテトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジメチルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジエチルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジイソプロピルフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジメトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジエトキシフェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(トリフルオロメトキシ)フェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(トリフルオロエトキシ)フェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、ジ−(tert−ブチル)((1,1’:3’,1’’−テルフェニル)−5’−イル)ホスホニウム テトラフルオロボレート、
ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジフルオロフェニル)ホスホニウム テトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジメチルフェニル)ホスホニウム テトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジエチルフェニル)ホスホニウムテトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジイソプロピルフェニル)ホスホニウム テトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスホニウム テトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジメトキシフェニル)ホスホニウム テトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジエトキシフェニル)ホスホニウム テトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(トリフルオロメトキシ)フェニル)ホスホニウム テトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)(3,5−ジ−(トリフルオロエトキシ)フェニル)ホスホニウム テトラメシチルボレート、ジ−(tert−ブチル)((1,1’:3’,1’’−テルフェニル)−5’−イル)ホスホニウム テトラメシチルボレートがより好ましい。
炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基、炭素数3〜30のフルオロシクロアルコキシ基、および、炭素数6〜20のアリール基としては、前記と同じものが挙げられる。
A3とA4が、炭素数1〜6のアルキル基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、tert−ブチル基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、炭素数6〜8のシクロアルキル基である式(E)で示されるホスフィン、A3とA4が、シクロヘキシル基である式(E)で示されるホスフィン、
R7およびR8がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
R9が、水素原子である式(E)で示されるホスフィン、A3とA4が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R7およびR8がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、炭素数1〜6のアルキル基であり、R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基であり、R9が、水素原子である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、tert−ブチル基であり、R7およびR8がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、tert−ブチル基であり、R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、tert−ブチル基であり、R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基であり、R9が、水素原子である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R7およびR8がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、炭素数6〜8のシクロアルキル基であり、R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基であり、R9が、水素原子である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、シクロヘキシル基であり、R7およびR8がフッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、
A3とA4が、シクロヘキシル基であり、R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基である式(E)で示されるホスフィン、および、
A3とA4が、シクロヘキシル基であり、R7およびR8が、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基であり、R9が、水素原子である式(E)で示されるホスフィンが挙げられる。
式(E)で示されるホスフィンと、第10族遷移金属化合物とを接触させることにより、遷移金属錯体を製造することができる。ここで、「第10族遷移金属化合物」としては、例えば、ニッケル化合物、パラジウム化合物、白金化合物等を挙げることができる。好ましくは、パラジウム化合物等が挙げられる。ここで、「パラジウム化合物」としては、例えば、前記の<パラジウム化合物>の説明欄で述べられたパラジウム化合物等が挙げられる。
前記ホスフィン化合物または式(E)で示されるホスフィンと、パラジウム化合物とからなる遷移金属錯体は、例えば、第5版実験化学講座(日本化学会編纂、丸善(株)発行)21有機遷移金属錯体・超分子錯体p308−327(9.2有機パラジウム錯体)等の公知の方法に準じて製造することができる。
本発明の製造方法は、式(A)で示される化合物と式(B)で示される化合物とを、塩基、パラジウム化合物、式(C)で示されるホスフィンおよび式(D)で示されるホスホニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも1種のホスフィン化合物、並びに、非プロトン性有機溶媒の存在下に混合する工程を含み、式(A)で示される化合物と式(B)で示される化合物との反応によって、芳香族化合物が生成する。これらの混合順序は制限されず、例えば、パラジウム化合物、前記ホスフィン化合物、塩基、式(A)で示される化合物、式(B)で示される化合物および非プロトン性有機溶媒を同時に混合してもよい。また、塩基、式(A)で示される化合物、式(B)で示される化合物および非プロトン性有機溶媒を混合した後、得られる混合物と、非プロトン性有機溶媒と、パラジウム化合物と、前記ホスフィン化合物とを混合してもよい。また、予め、前記ホスフィン化合物とパラジウム化合物とを接触させて遷移金属錯体を得てから、塩基、式(A)で示される化合物、式(B)で示される化合物および非プロトン性有機溶媒を混合することで得られる混合物と、前記遷移金属錯体とを混合してもよい。
化合物(A−1)と化合物(B−2)を反応させると、下記式(G−2)で示される芳香族化合物が得られる。
化合物(A−2)と化合物(B−1)を反応させると、下記式(G−3)で示される芳香族化合物が得られる。
化合物(A−2)と化合物(B−2)を反応させると、下記式(G−4)で示される繰り返し構造単位を有する芳香族化合物が得られる(式中、Ar1およびAr2は、上記と同一の意味を表わす)。
得られた芳香族化合物が前記式(G−1)〜式(G−3)で示される芳香族化合物である場合には、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、収率を求めた。得られた芳香族化合物が前記式(G−4)で示される繰り返し単位を有する芳香族化合物の場合には、ゲル浸透クロマトグラフィー(以下、GPCと略記する。)により分析し(分析条件は下記のとおり)、分析結果からポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)を算出した。
<GPCの分析条件>
・GPC測定装置:CTO−20A(株式会社島津製作所製カラムオーブン)、SPD−20A(株式会社島津製作所製検出器)
・カラム:PLgel 10μm MIXED−B 300×7.5mm(ポリマーラボラトリーズ株式会社製)
・カラム温度:40℃
・移動相:テトラヒドロフラン
・流量:2mL/分
・検出:UV検出(波長:228nm)
窒素雰囲気下、室温で、冷却装置を備えたガラス製反応容器に、9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジボロン酸とピナコールとからなるボロン酸エステル体5.98mmol、ビス(4−ブロモフェニル)[4−(メチルプロピル)フェニル]アミン6.00mmol、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液20mlおよびトルエン110mlを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温100℃で加熱した。該混合物に、ビス(ジ−tert−ブチル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)3μmolとトルエン12mlとを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温度100℃で加熱し、4時間反応を行い、下記繰り返し構造単位からなる芳香族化合物を含む反応混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量をGPC分析したところ、分子量(Mw)は5.0×105であった。
実施例1において、ビス(ジ−tert−ブチル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(4−メチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例1と同様に実施し、芳香族化合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は4.5×105であった。
実施例1において、ビス(ジ−tert−ブチル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(2−ナフチル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例1と同様に実施し、芳香族化合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は4.3×105であった。
実施例1において、ビス(ジ−tert−ブチル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(4−フルオロフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例1と同様に実施し、芳香族化合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は3.0×105であった。
実施例1において、ビス(ジ−tert−ブチル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(4−トリフルオロメトキシフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例1と同様に実施し、芳香族化合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は3.1×105であった。
実施例1において、ビス(ジ−tert−ブチル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(2−メトキシフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例1と同様に実施し、芳香族化合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は7.4×104であった。
実施例1において、ビス(ジ−tert−ブチル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジシクロヘキシル(2−メトキシフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例1と同様に実施し、芳香族化合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は1.5×105であった。
窒素雰囲気下、室温で、冷却装置を備えたガラス製反応容器に、9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジボロン酸とピナコールとからなるボロン酸エステル体5.99mmol、ビス(4−ブロモフェニル)[4−(メチルプロピル)フェニル]アミン6.00mmol、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液20mlおよびトルエン110mlを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温100℃で加熱した。該混合物に、ビス(ジシクロヘキシル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)3μmolとトルエン12mlとを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温度100℃で加熱し、4時間反応を行い、下記繰り返し構造単位からなる芳香族化合物を含む反応混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量をGPC分析したところ、分子量(Mw)は2.2×105であった。
窒素雰囲気下、室温で、冷却装置を備えたガラス製反応容器に、9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジボロン酸とピナコールとからなるボロン酸エステル体5.97mmol、ビス(4−ブロモフェニル)[4−(メチルプロピル)フェニル]アミン6.00mmol、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液20mlおよびトルエン110mlを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温100℃で加熱した。該混合物に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)3μmolとトルエン12mlとを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温度100℃で3時間反応を行い、下記繰り返し構造単位からなる芳香族化合物を含む反応混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量をGPC分析したところ、分子量(Mw)は3.2×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジエチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に実施し、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は2.3×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−(tert−ブチル)((1,1’:3’,1’’−テルフェニル)−5’−イル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に実施し、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は2.3×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジメトキシフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に実施し、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は2.6×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に実施し、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は2.8×105であった。
実施例1において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(3−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に2時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は2.7×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(4−(メトキシ)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に4時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は2.6×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(4−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に4時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は2.5×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジ−tert−ブチル(2−(メトキシ)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に3時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は6.0×104であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジシクロヘキシル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に6時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は1.0×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジシクロヘキシル(4−(メトキシ)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に4時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は1.5×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、ビス(ジシクロヘキシル(3,4,5−トリ−(メトキシ)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)を用いた以外は実施例9と同様に4時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は1.1×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)1.5μmolおよび3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート6μmolを用いた以外は実施例9と同様に3時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は3.4×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)1.5μmolおよびトリ−tert−ブチルホスホニウム テトラフルオロボレート6μmolを用いた以外は実施例9と同様に6時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は2.8×104であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、酢酸パラジウム3μmolおよび3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート6μmolを用いた以外は実施例9と同様に5時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は3.2×105であった。
実施例9において、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)に代えて、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)1.5μmolおよび2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル6μmolを用いた以外は実施例9と同様に6時間反応を行い、芳香族化合物を含む混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量(Mw)は1.2×104であった。
窒素雰囲気下、室温で、冷却装置を備えたガラス製反応容器に、ベンゼン−1,4−ジボロン酸とピナコールとからなるボロン酸エステル体5.97mmol、2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−ドデシルフルオレン6.00mmol、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液20mlおよびトルエン110mlを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温100℃で加熱した。該混合物に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)3μmolとトルエン12mlとを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温度100℃で8時間反応を行い、下記繰り返し構造単位からなる芳香族化合物を含む反応混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量をGPC分析したところ、分子量(Mw)は3.5×105であった。
窒素雰囲気下、室温で、冷却装置を備えたガラス製反応容器に、ベンゼン−1,4−ジボロン酸とピナコールとからなるボロン酸エステル体6.00mmol、2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−オクチルフルオレン4.50mmol、4,7−ジブロモ−2,1,3−ベンゾチアジアゾール1.50mmol、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液20mlおよびトルエン110mlを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温100℃で加熱した。該混合物に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)3μmolとトルエン12mlとを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温度100℃で5時間反応を行い、下記繰り返し構造単位からなる芳香族化合物を含む反応混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量をGPC分析したところ、分子量(Mw)は2.3×105であった。
窒素雰囲気下、室温で、冷却装置を備えたガラス製反応容器に、9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジボロン酸と1,3−プロパンジオールとからなるボロン酸エステル体5.98mmol、2,7−ジブロモ−9,9−ジ−n−ドデシルフルオレン6.00mmol、Aliquat(登録商標)336(Sigma−Aldrich社製)1.2mmol、3mol/Lの濃度の炭酸ナトリウム水溶液12mlおよびトルエン110mlを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温100℃で加熱した。該混合物に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)3μmolとトルエン12mlとを加えた。得られた混合物を攪拌しながら、バス温度100℃で2時間反応を行い、下記繰り返し構造単位からなる芳香族化合物を含む反応混合物を得た。得られた芳香族化合物の分子量をGPC分析したところ、分子量(Mw)は2.3×105であった。
窒素雰囲気下、滴下ロートを取り付けた反応容器に、1−ブロモ−4−tert−ブチルベンゼン(ブロミド化合物)5.5mmolおよびジエチルエーテル20mlを加えた。得られた溶液を−10℃に冷却した後、n−ブチルリチウム(1.65M/ヘキサン溶液)3.4mlを滴下した。得られた混合物を同温度で2時間攪拌した後、ジ−tert−ブチルクロロホスフィン5.5mmolをジエチルエーテル13mlに溶解させることにより得られた溶液を−10℃で滴下した。得られた混合物を室温で3時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮し、ジ−tert−ブチル(tert−ブチルフェニル)ホスフィンを含む混合物を得た。
窒素雰囲気下、反応容器に、上記ジ−tert−ブチル(tert−ブチルフェニル)ホスフィンを含む混合物、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)0.5gおよびエタノール30mlを加えた。得られた混合物を室温で24時間攪拌した。得られた反応混合物中に析出した固体をろ過により取り出し、エタノール12mlで3回洗浄した。得られた固体を50℃で3時間減圧乾燥し、淡黄色固体状のビス(ジ−tert−ブチル(4−tert−ブチルフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)0.54gを得た。
1H−NMR(δ:ppm,CDCl3溶媒、TMS基準)
7.8(m,2H),7.3(m,2H),1.6(m,18H),1.3(s,9H)
31P−NMR(δ:ppm,CDCl3溶媒)
52.0
実施例2〜6および15〜17で用いたホスフィン化合物に対応するブロミド化合物を原料に使用した以外は実施例26と同様に実験を行い、目的とする塩化パラジウム錯体を合成した。得られた錯体の1Hおよび31P−NMRを表7に示す。
窒素雰囲気下、滴下ロートを取り付けた反応容器に、2−ブロモアニソール(ブロミド化合物)4.3mmolおよびジエチルエーテル15mlを加えた。得られた溶液を−10℃に冷却した後、n−ブチルリチウム(1.65M/ヘキサン溶液)2.6mlを滴下した。得られた混合物を同温度で3時間攪拌した後、クロロジシクロヘキシルホスフィン4.3mmolをジエチルエーテル13mlに溶解させることにより得られた溶液を−10℃で滴下した。得られた混合物を室温で3時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮し、ジシクロヘキシル(2−メトキシフェニル)ホスフィンを含む混合物を得た。
窒素雰囲気下、反応容器に、上記ジシクロヘキシル(2−メトキシフェニル)ホスフィンを含む混合物、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)0.4gおよびエタノール30mlを加えた。得られた混合物を室温で24時間攪拌した。得られた反応混合物中に析出した固体をろ過により取り出し、エタノール12mlで3回洗浄した。得られた固体を50℃で3時間減圧乾燥し、淡黄色固体状のビス(ジシクロヘキシル(2−メトキシフェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)0.74gを得た。
1H−NMR(δ:ppm,CDCl3溶媒、TMS基準)
7.5(m,1H),7.4(m,1H),7.0(m,1H),3.9(s,3H),2.6(m,2H),2.1(m,2H),1.1−1.9(m,18H)
31P−NMR(δ:ppm,CDCl3溶媒)
23.0
実施例8および18〜20で用いたホスフィン化合物に対応するブロミド化合物を原料に使用した以外は実施例33と同様に実験を行い、目的とする塩化パラジウム錯体を合成した。得られた錯体の1Hおよび31P−NMRを表8に示す。
窒素雰囲気下、滴下ロートを取り付けた反応容器に、1−ブロモー3,5−ジ−tert−ブチルベンゼン(ブロミド化合物)5.5mmolおよびテトラヒドロフラン20mlを加えた。得られた溶液を−70℃に冷却した後、n−ブチルリチウム(1.65M/ヘキサン溶液)3.4mlを滴下した。得られた混合物を同温度で1時間攪拌した後、ジ−tert−ブチルクロロホスフィン5.5mmolをテトラヒドロフラン13mlに溶解させることにより得られた溶液を−70℃で滴下した。得られた混合物を室温で4時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮し、ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィンを含む混合物を得た。
窒素雰囲気下、反応容器に、上記ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィンを含む混合物、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)0.6gおよびエタノール40mlを加えた。得られた混合物を室温で24時間攪拌した。得られた反応混合物中に析出した固体をろ過により取り出し、エタノール12mlで3回洗浄した。得られた固体を50℃で3時間減圧乾燥し、淡黄色固体状のビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)1.23gを得た。
1H−NMR(δ:ppm,CDCl3溶媒、TMS基準)
7.7(m,2H),7.3(s,1H),1.6(m,18H),1.3(s,18H)
31P−NMR(δ:ppm,CDCl3溶媒)
55.0
実施例10〜14で用いたホスフィン化合物に対応するブロミド化合物を原料に使用した以外は実施例38と同様に実験を行い、目的とする塩化パラジウム錯体を合成した。得られた錯体の1Hおよび31P−NMRを表9に示す。
窒素雰囲気下、滴下ロートを取り付けた反応容器に、1−ブロモー3,5−ジ−tert−ブチルベンゼン5.5mmolおよびテトラヒドロフラン20mlを加えた。得られた溶液を−70℃に冷却した後、n−ブチルリチウム(1.65M/ヘキサン溶液)3.4mlを滴下した。得られた混合物を同温度で1時間攪拌した後、ジ−tert−ブチルクロロホスフィン5.5mmolをテトラヒドロフラン13mlに溶解させることにより得られた溶液を−70℃で滴下した。得られた混合物を室温で4時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮し、ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィンを含む混合物を得た。
窒素雰囲気下、反応容器に、上記ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィンを含む混合物およびジエチルエーテル10mlを加えた。室温でテトラフルオロホウ酸ジエチルエーテル錯体6.6mmol加えて激しく30分攪拌した。析出した固体をろ過により取り出し、ジエチルエーテル10mlで3回洗浄した。得られた固体を50℃で3時間減圧乾燥し、白色固体状の3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート1.53gを得た。
1H−NMR(δ:ppm,CDCl3溶媒、TMS基準)
7.8(m,3H),7.3(d,1H),1.55(s,9H),1.50(s,9H),1.4(s,18H)
31P−NMR(δ:ppm,CDCl3溶媒)
42.5
冷却装置を取り付けたガラス製反応容器に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)0.0042mmol、4−ブロモ−m−キシレン 1.5mmol、o−トリルボロン酸 1.65mmol、リン酸カリウム3.0mmol、トルエン6mLおよび水1.5mLを加えた。得られた混合物を100℃で3時間加熱攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、水20mLを加え、ジエチルエーテル20mLで2回抽出した。得られた有機層を混合し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、溶液を得た。この溶液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、収率96%で2,4,2´−トリメチルビフェニルを得た。
冷却装置を取り付けたガラス製反応容器に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)0.0015mmol、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド0.3mmol、表10に示す化合物(1)1.5mmol、表10に示す化合物(2)1.65mmol、炭酸ナトリウム3.0mmol、トルエン6mLおよび水1.5mLを加えた。得られた混合物を100℃で3時間加熱攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、水20mLを加え、ジエチルエーテル20mLで2回抽出した。得られた有機層を混合し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、目的とする化合物(3)を含む溶液を得た。化合物(3)の収率は、得られた溶液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより求めた。結果を表10に示す。
冷却装置を取り付けたガラス製反応容器に、酢酸パラジウム0.0015mmol、3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレート0.0030mmol、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド0.3mmol、o−トリルブロミド 1.5mmol、2,6−ジメチルフェニルボロン酸 1.65mmol、炭酸ナトリウム3.0mmol、トルエン6mLおよび水1.5mLを加えた。得られた混合物を100℃で3時間加熱攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、水20mLを加え、ジエチルエーテル20mLで2回抽出した。得られた有機層を混合し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、溶液を得た。この溶液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、2,4,2´−トリメチルビフェニルを収率91%で得た。
実施例50において、3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスホニウム テトラフルオロボレートに代えて、び2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル0.3mmolを用いた以外は、実施例50と同様に実施し、2,4,2´−トリメチルビフェニルを収率47%で得た。
冷却装置を取り付けたガラス製反応容器に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)0.0075mmol、表11に示す化合物(1)1.5mmol、表11に示す化合物(2)1.65mmol、リン酸カリウム3.0mmol、トルエン6mLおよび水1.5mLを加えた。得られた混合物を100℃で3時間加熱攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、水20mLを加え、ジエチルエーテル20mLで2回抽出した。得られた有機層を混合し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、目的とする化合物(3)を含む溶液を得た。化合物(3)の収率は、得られた溶液を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより求めた。結果を表11に示す。
冷却装置を取り付けたガラス製反応容器に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)0.015mmol、3−ブロモピリジン1.5mmol、2−チオフェンボロン酸ピナコールエステル2.25mmol、リン酸カリウム3.0mmol、トルエン6mLおよび水1.5mLを加えた。得られた混合物を100℃で3時間加熱攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、水20mLを加え、ジエチルエーテル20mLで2回抽出した。得られた有機層を混合し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、溶液を得た。この溶液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、3−(2−チエニル)―ピリジンを収率96%で得た。
冷却装置を取り付けたガラス製反応容器に、ビス(ジ−tert−ブチル(3,5−ジ−(tert−ブチル)フェニル)ホスフィン)ジクロロパラジウム(II)0.015mmol、3−ブロモチオフェン1.5mmol、3−ピリジンボロン酸2.25mmol、リン酸カリウム3.0mmol、n−ブタノール4mLを加えた。得られた混合物を100℃で4時間加熱攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、水20mLを加え、ジエチルエーテル20mLで2回抽出した。得られた有機層を混合し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過し、溶液を得た。この溶液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、3−(3−チエニル)−ピリジンを収率100%で得た。
Claims (13)
- 式(A)
(式中、X1は、式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)または(6)で示される基
を表わし、Ar1は、炭素数6〜36の1価または2価の芳香族炭化水素基を表わし、mは、1または2を表す。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、ヘテロ原子またはカルボニル基で置き換わっていてもよく、当該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールシクロアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子−窒素原子二重結合を部分構造として有する基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、シクロアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基で置換されていてもよい。)
で示される化合物と、
式(B)
(式中、X2は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルキルスルホニルオキシ基、フッ素置換アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を表わし、Ar2は、炭素数6〜36の1価または2価の芳香族炭化水素基を表わし、nは、1または2を表す。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、ヘテロ原子またはカルボニル基で置き換わっていてもよく、当該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールシクロアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子−窒素原子二重結合を部分構造として有する基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、シクロアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基で置換されていてもよい。)
で示される化合物とを、式(C)
(式中、A1およびA2はそれぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20の飽和脂環式炭化水素基を表わす。R1およびR5はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルコキシ基または炭素数3〜20のシクロアルコキシ基を表わし、R2、R3およびR4はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基、炭素数3〜30のフルオロシクロアルコキシ基、または、炭素数6〜20のアリール基を表わす。ただし、R1〜R5のすべてが同時に水素原子を表わすことはない。また、R2とR3とが結合して、それらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、R3とR4とが結合して、それらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。)
で示されるホスフィンおよび式(D)
(式中、A1、A2、R1〜R5は前記と同じ意味を表し、Zは陰イオン表す。)
で示されるホスホニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも1種のホスフィン化合物、塩基、パラジウム化合物、並びに、非プロトン性有機溶媒の存在下に混合する工程を含むことを特徴とする芳香族化合物の製造方法。 - ホスフィン化合物が、式(E)
(式中、A3およびA4はそれぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20の飽和脂環式炭化水素基を表わす。R7およびR8はそれぞれ独立して、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わし、R9は、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わす。)
で示されるホスフィンおよび式(F)
(式中、A3、A4、R7、R8、R9およびZは前記と同じ意味を表す。)
で示されるホスホニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の芳香族化合物の製造方法。 - R7およびR8が、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である請求項2に記載の芳香族化合物の製造方法。
- R9が水素原子である請求項2または3に記載の芳香族化合物の製造方法。
- 非プロトン性有機溶媒が、エーテル溶媒、芳香族炭化水素溶媒および脂肪族炭化水素溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1〜4のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
- パラジウム化合物が、パラジウム(0)錯体またはパラジウム(II)錯体である請求項1〜5のいずれかに記載の芳香族化合物の製造方法。
- 式(E)
(式中、A3およびA4はそれぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20の飽和脂環式炭化水素基を表わす。R7およびR8はそれぞれ独立して、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わし、R9は、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わす。)
で示されるホスフィン。 - R7およびR8が、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である請求項7に記載のホスフィン。
- R9が水素原子である請求項7または8に記載のホスフィン。
- 式(F)
(式中、A3およびA4はそれぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数6〜20の飽和脂環式炭化水素基を表わす。R7およびR8はそれぞれ独立して、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わし、R9は、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20のシクロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素数1〜20のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基を表わす。Zは陰イオン表す。)
で示されるホスホニウム塩。 - R7およびR8が、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のフルオロアルコキシ基または炭素数6〜20のアリール基である請求項10に記載のホスホニウム塩。
- R9が水素原子である請求項10または11に記載のホスホニウム塩。
- 請求項7〜9のいずれかに記載のホスフィンと第10族遷移金属化合物とを接触させることにより得られる遷移金属錯体。
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