JPWO2013190741A1 - 半導体装置およびプログラミング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第一端子及び第二端子を有しており、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第一スイッチと、
第三端子及び第四端子を有しており、前記第三端子が前記第二端子に接続して中間ノードを形成し、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第二スイッチと、
前記第一端子に接続している第一配線と、
前記第四端子に接続しており、平面視で前記第一配線と交わる方向に延伸している第二配線と、
前記第一配線に接続されている第一選択スイッチ素子と、
前記第二配線に接続されている第二選択スイッチ素子と、
を備える半導体装置が提供される。
第一端子及び第二端子を有しており、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第一スイッチと、
第三端子及び第四端子を有しており、前記第三端子が前記第二端子に接続して中間ノードを形成し、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第二スイッチと、を有する半導体装置を準備し、
前記半導体装置は、
前記第一スイッチと前記第二スイッチとが前記条件を満たすように、前記第一端子と前記第四端子の間に電圧または電流を印加し、前記第一スイッチおよび前記第二スイッチの抵抗状態を変化させることにより、前記第一スイッチおよび前記第二スイッチで構成されるユニット素子のプログラムを行うプログラミング方法が提供される。
(ユニポーラ型スイッチ)
ユニポーラ型スイッチは、印加電圧値によりOFF状態(高抵抗状態)とON状態(低抵抗状態)とが切り替えられるスイッチング素子である。
上述したようなユニポーラ型スイッチに対し、バイポーラ型スイッチは、印加される電圧の極性に応じて、OFF状態とON状態とが切替えられるスイッチング素子である。ここで、第1電極に印加される電圧が第2電極に印加される電圧よりも高い場合、その極性を正極と定義する。逆に、第2電極に印加される電圧が第1電極に印加される電圧よりも高い場合、その極性を負極と定義する。
ここで、バイポーラ型スイッチに用いられる電極を定義する。図2Aに示すように、正電圧を印加した場合にOFF状態からON状態に遷移する電極を正電極と定義する。また、負電圧を印加した場合にON状態からOFF状態に遷移する電極を負電極と定義する。
本発明の第1の実施形態を説明する。図3は、第1の実施形態にかかる半導体装置の構成例を示す図である。半導体装置は、第一配線101、第二配線102、第一スイッチ素子103、第二スイッチ素子104、第一選択スイッチ素子106、第二選択スイッチ素子107、第一プログラミングドライバ108、および第二プログラミングドライバ109を有する。第一配線101と第二配線102は、例えば平面視で直角に交わる方向など、平面視で交わる方向に配置される。第一スイッチ素子103と第二スイッチ素子104は、第一配線101および第二配線102の交点に直列に接続して配置される。ここで、第一スイッチ素子103の一方の端子は第一配線101に接続される。また、第二スイッチ素子104の一方の端子は第二配線102に接続される。さらに、第一スイッチ素子103他方の端子と、第二スイッチ素子104の他方の端子とが互いに接続され、中間ノード105を形成している。第一スイッチ素子103および第二スイッチ素子104の対は1つのユニット素子110を構成する。また、第一プログラミングドライバ108は第一選択スイッチ素子106を介して第一配線101に接続されている。また、第二プログラミングドライバ109は第二選択スイッチ素子107を介して第二配線102に接続されている。
本実施形態は、図5に示すように、第1の実施形態で開示したユニット素子110がアレイ状に複数並べられている構成を開示する。第1の実施形態では明示しなかったが、本形態においては、第一デコード信号線121および第二デコード信号線122が設けられている。第一デコード信号線121および第二デコード信号線122は、任意のユニット素子110をプログラムするために、第一選択スイッチ素子106および第二選択スイッチ素子107の導通・非導通状態を制御する。第一デコード信号線121は第一配線101に対して平行に設置され、第二デコード信号線122は第二配線102に対して平行に設置される。また、第一プログラミングドライバ108は複数の第一選択スイッチ素子106に対して共通に接続される。また、第二プログラミングドライバ109は複数の第二選択スイッチ素子107に対して共通に接続される。
本実施形態では、ユニット素子110の中間ノード105をユニット素子110のプログラミングに活用することで、Vset電圧の低減および誤書き込みの可能性の低減のさらなる効果を得ることができる。
本実施形態は第3の実施形態の中間ノード選択回路140のトランジスタ数を低減せしめることが可能な形態を開示する。図9は、第4の実施形態にかかる半導体装置の構成例を示す図である。
本実施形態は第4の実施形態の中間ノード選択回路140のトランジスタ数をさらに低減可能な形態を開示する。中間ノード選択回路140を構成する2つのトランジスタのうち、中間ノードプログラミングドライバ141側に接続されるトランジスタは、デコード信号線を共有する範囲で集約して配置することが可能である。図10は、第5の実施形態にかかる半導体装置の構成例を示す図である。図10によれば、各中間ノード選択回路140を構成するトランジスタのうち、第一デコード信号線121を共有するトランジスタは集約され共有型中間ノード選択スイッチ素子160として配置される。このように、回路を縮退してもデコード信号による選択論理に影響を与えることはなく、中間ノード選択回路140のトランジスタ数を1に漸近させることができる。
図11は、従来の2端子型のスイッチ素子(本実施形態において第1スイッチ又は第2スイッチのみにより形成されたユニット素子に対応)を用いた半導体装置の動作特性と本実施例にかかる半導体装置の動作特性とを比較した図である。
(付記1)
第一端子及び第二端子を有しており、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第一スイッチと、
第三端子及び第四端子を有しており、前記第三端子が前記第二端子に接続して中間ノードを形成し、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第二スイッチと、
前記第一端子に接続している第一配線と、
前記第四端子に接続しており、平面視で前記第一配線と交わる方向に延伸している第二配線と、
前記第一配線に接続されている第一選択スイッチ素子と、
前記第二配線に接続されている第二選択スイッチ素子と、
を備える半導体装置。
(付記2)
付記1に記載の半導体装置において、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記第一配線と前記第二配線の各交点に前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子が行列状に配置されているアレイ部を有する半導体装置。
(付記3)
付記2に記載の半導体装置において、
前記第一選択スイッチ素子を介して前記第一配線に接続される第一プログラミングドライバと、前記第二選択スイッチ素子を介して前記第二配線に接続される第二プログラミングドライバと、をさらに備え、
前記第一プログラミングドライバが複数の前記第一選択スイッチ素子に接続される構成、もしくは前記第二プログラミングドライバが複数の前記第二選択スイッチ素子に接続される構成のうち、少なくともいずれか1つの構成を取る半導体装置。
(付記4)
付記1乃至3のいずれか1つに記載の半導体装置において、
前記中間ノードの電圧または電流を制御する信号を伝達する中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替える中間ノード選択回路を、前記中間ノード毎にさらに備え、
前記中間ノード選択回路は、
前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線からの信号と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線からの信号とに基づき、前記中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替える半導体装置。
(付記5)
付記4に記載の半導体装置において、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記中間ノード選択回路を介して前記中間ノードに接続される中間ノードプログラミングドライバをさらに備え、
前記中間ノードプログラミングドライバが複数の前記中間ノード選択回路に接続される構成を取る半導体装置。
(付記6)
付記4又は5に記載の半導体装置において、
前記中間ノード選択回路は、
前記第一デコード信号線と前記第二デコード信号線からの信号を入力信号に持つAND回路・OR回路・NAND回路、NOR回路のいずれか1つのデコード回路と、
前記デコード回路の出力信号により前記中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替える中間ノード選択スイッチ素子と、
を有する半導体装置。
(付記7)
付記4又は5に記載の半導体装置において、
前記第一選択スイッチ素子および前記第二選択スイッチ素子はトランジスタであり、
前記中間ノード選択回路は、前記第一選択スイッチ素子および前記第二選択スイッチ素子と同じチャネル型のトランジスタである第一中間ノード選択トランジスタおよび第二中間ノード選択トランジスタを備え、
前記第一中間ノード選択トランジスタは、第五端子と、第六端子と、第一ゲート端子とを備え、
前記第二中間ノード選択トランジスタは、第七端子と、第八端子と、第二ゲート端子とを備え、
前記第五端子は、前記中間ノード制御信号線に接続され、
前記第六端子と前記第七端子は、互いに接続され、
前記第八端子は、前記中間ノードに接続され、
前記第一ゲート端子と前記第二ゲート端子のうち、一方は前記第一デコード信号線に接続され、他方は前記第二デコード信号線に接続される半導体装置。
(付記8)
付記7に記載の半導体装置において、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記第一配線と前記第二配線の各交点に前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子が行列状に配置されているアレイ部を有し、
前記第二中間ノード選択トランジスタは、複数の前記中間ノード選択回路それぞれに設けられており、
一の前記中間ノード選択回路の前記第一中間ノード選択トランジスタは、少なくとも1つの他の前記中間ノード選択回路の前記第一中間ノード選択トランジスタを兼ねており、かつ、当該他の前記中間ノード選択回路の前記第二中間ノード選択トランジスタにも接続されている半導体装置。
(付記9)
付記1乃至8のいずれか1つに記載の半導体装置において、
前記第一スイッチと前記第二スイッチはバイポーラ型抵抗変化素子であって、
前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子は同じ極性を持つ端子同士が接続されて前記中間ノードを形成している半導体装置。
(付記10)
第一端子及び第二端子を有しており、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第一スイッチと、
第三端子及び第四端子を有しており、前記第三端子が前記第二端子に接続して中間ノードを形成し、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第二スイッチと、を有する半導体装置を準備し、
前記半導体装置は、
前記第一スイッチと前記第二スイッチとが前記条件を満たすように、前記第一端子と前記第四端子の間に電圧または電流を印加し、前記第一スイッチおよび前記第二スイッチの抵抗状態を変化させることにより、前記第一スイッチおよび前記第二スイッチで構成されるユニット素子のプログラムを行うプログラミング方法。
(付記11)
付記10に記載のプログラミング方法において、
前記半導体装置は、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記第一配線と前記第二配線の各交点に前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子が行列状に配置されているアレイ部を有し、
前記第一デコード信号線からの信号と、前記第二デコード信号線からの信号を切り替えて、プログラム対象の前記ユニット素子を一意に選択するプログラミング方法。
(付記12)
付記11に記載のプログラミング方法において、
前記半導体装置は、
前記第一選択スイッチ素子を介して前記第一配線に接続される第一プログラミングドライバと、前記第二選択スイッチ素子を介して前記第二配線に接続される第二プログラミングドライバと、をさらに備え、
前記第一プログラミングドライバが複数の前記第一選択スイッチ素子に接続される構成、もしくは前記第二プログラミングドライバが複数の前記第二選択スイッチ素子に接続される構成のうち、少なくともいずれか1つの構成を取り、
前記第一プログラミングドライバからの信号と前記第二プログラミングドライバからの信号とに基づき、前記ユニット素子の印加電圧または印加電流を制御するプログラミング方法。
(付記13)
付記10乃至12のいずれか1つに記載のプログラミング方法において、
前記半導体装置は、
前記中間ノードの電圧または電流を制御する信号を伝達する中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替える中間ノード選択回路を、前記中間ノード毎にさらに備え、
前記中間ノード選択回路は、
前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線からの信号と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線からの信号とに基づき、前記中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替え、
前記第一スイッチおよび前記第二スイッチの抵抗状態を個別に変化させるプログラミング方法。
(付記14)
付記13に記載のプログラミング方法において、
前記半導体装置は、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記中間ノード選択回路を介して前記中間ノードに接続される中間ノードプログラミングドライバをさらに備え、
前記中間ノードプログラミングドライバが複数の前記中間ノード選択回路に接続される構成を取り、
前記中間ノード選択回路は、
前記第一プログラミングドライバからの信号と前記中間ノードプログラミングドライバからの信号とに基づき、前記第一スイッチの印加電圧または印加電流を制御し、
前記第二プログラミングドライバからの信号と前記中間ノードプログラミングドライバからの信号とに基づき、前記第二スイッチの印加電圧または印加電流を制御するプログラミング方法。
(付記15)
付記13又は14に記載のプログラミング方法において、
前記中間ノード選択回路は、
前記第一デコード信号線と前記第二デコード信号線からの信号を入力信号に持つAND回路・OR回路・NAND回路、NOR回路のいずれか1つのデコード回路と、
前記デコード回路の出力信号により前記中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替える中間ノード選択スイッチ素子と、
を有するプログラミング方法。
(付記16)
付記13又は14に記載のプログラミング方法において、
前記第一選択スイッチ素子および前記第二選択スイッチ素子はトランジスタであり、
前記中間ノード選択回路は、前記第一選択スイッチ素子および前記第二選択スイッチ素子と同じチャネル型のトランジスタである第一中間ノード選択トランジスタおよび第二中間ノード選択トランジスタを備え、
前記第一中間ノード選択トランジスタは、第五端子と、第六端子と、第一ゲート端子とを備え、
前記第二中間ノード選択トランジスタは、第七端子と、第八端子と、第二ゲート端子とを備え、
前記第五端子は、前記中間ノード制御信号線に接続され、
前記第六端子と前記第七端子は、互いに接続され、
前記第八端子は、前記中間ノードに接続され、
前記第一ゲート端子と前記第二ゲート端子のうち、一方は前記第一デコード信号線に接続され、他方は前記第二デコード信号線に接続され、
前記第一中間ノード選択トランジスタおよび前記第二中間ノード選択トランジスタは、
前記第一デコード信号線からの信号と前記第二デコード信号線からの信号とに基づき、前記中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替えるプログラミング方法。
(付記17)
付記16に記載のプログラミング方法において、
前記半導体装置は、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記第一配線と前記第二配線の各交点に前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子が行列状に配置されているアレイ部を有し、
前記第二中間ノード選択トランジスタは、複数の前記中間ノード選択回路それぞれに設けられており、
一の前記中間ノード選択回路の前記第一中間ノード選択トランジスタは、少なくとも1つの他の前記中間ノード選択回路の前記第一中間ノード選択トランジスタを兼ねており、かつ、当該他の前記中間ノード選択回路の前記第二中間ノード選択トランジスタにも接続されているプログラミング方法。
(付記18)
付記10乃至17のいずれか1つに記載のプログラミング方法において、
前記第一スイッチと前記第二スイッチはバイポーラ型抵抗変化素子であって、
前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子は同じ極性を持つ端子同士が接続されて前記中間ノードを形成しているプログラミング方法。
Claims (10)
- 第一端子及び第二端子を有しており、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第一スイッチと、
第三端子及び第四端子を有しており、前記第三端子が前記第二端子に接続して中間ノードを形成し、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第二スイッチと、
前記第一端子に接続している第一配線と、
前記第四端子に接続しており、平面視で前記第一配線と交わる方向に延伸している第二配線と、
前記第一配線に接続されている第一選択スイッチ素子と、
前記第二配線に接続されている第二選択スイッチ素子と、
を備える半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記第一配線と前記第二配線の各交点に前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子が行列状に配置されているアレイ部を有する半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第一選択スイッチ素子を介して前記第一配線に接続される第一プログラミングドライバと、前記第二選択スイッチ素子を介して前記第二配線に接続される第二プログラミングドライバと、をさらに備え、
前記第一プログラミングドライバが複数の前記第一選択スイッチ素子に接続される構成、もしくは前記第二プログラミングドライバが複数の前記第二選択スイッチ素子に接続される構成のうち、少なくともいずれか1つの構成を取る半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記中間ノードの電圧または電流を制御する信号を伝達する中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替える中間ノード選択回路を、前記中間ノード毎にさらに備え、
前記中間ノード選択回路は、
前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線からの信号と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線からの信号とに基づき、前記中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替える半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一選択スイッチ素子に接続される第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二選択スイッチ素子に接続される第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記中間ノード選択回路を介して前記中間ノードに接続される中間ノードプログラミングドライバをさらに備え、
前記中間ノードプログラミングドライバが複数の前記中間ノード選択回路に接続される構成を取る半導体装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体装置において、
前記中間ノード選択回路は、
前記第一デコード信号線と前記第二デコード信号線からの信号を入力信号に持つAND回路・OR回路・NAND回路、NOR回路のいずれか1つのデコード回路と、
前記デコード回路の出力信号により前記中間ノード制御信号線と前記中間ノードとの接続状態を切り替える中間ノード選択スイッチ素子と、
を有する半導体装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体装置において、
前記第一選択スイッチ素子および前記第二選択スイッチ素子はトランジスタであり、
前記中間ノード選択回路は、前記第一選択スイッチ素子および前記第二選択スイッチ素子と同じチャネル型のトランジスタである第一中間ノード選択トランジスタおよび第二中間ノード選択トランジスタを備え、
前記第一中間ノード選択トランジスタは、第五端子と、第六端子と、第一ゲート端子とを備え、
前記第二中間ノード選択トランジスタは、第七端子と、第八端子と、第二ゲート端子とを備え、
前記第五端子は、前記中間ノード制御信号線に接続され、
前記第六端子と前記第七端子は、互いに接続され、
前記第八端子は、前記中間ノードに接続され、
前記第一ゲート端子と前記第二ゲート端子のうち、一方は前記第一デコード信号線に接続され、他方は前記第二デコード信号線に接続される半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記第一配線と、前記第一選択スイッチ素子と、前記第一デコード信号線との組、又は、前記第二配線と、前記第二選択スイッチ素子と、前記第二デコード信号線との組のうち、少なくともいずれか一方の組が複数設けられ、
前記第一配線と前記第二配線の各交点に前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子が行列状に配置されているアレイ部を有し、
前記第二中間ノード選択トランジスタは、複数の前記中間ノード選択回路それぞれに設けられており、
一の前記中間ノード選択回路の前記第一中間ノード選択トランジスタは、少なくとも1つの他の前記中間ノード選択回路の前記第一中間ノード選択トランジスタを兼ねており、かつ、当該他の前記中間ノード選択回路の前記第二中間ノード選択トランジスタにも接続されている半導体装置。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第一スイッチと前記第二スイッチはバイポーラ型抵抗変化素子であって、
前記第一スイッチと前記第二スイッチとで構成されるユニット素子は同じ極性を持つ端子同士が接続されて前記中間ノードを形成している半導体装置。 - 第一端子及び第二端子を有しており、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第一スイッチと、
第三端子及び第四端子を有しており、前記第三端子が前記第二端子に接続して中間ノードを形成し、通電後に所定の条件を満たすことによって抵抗状態が変化する抵抗変化型の第二スイッチと、を有する半導体装置を準備し、
前記半導体装置は、
前記第一スイッチと前記第二スイッチとが前記条件を満たすように、前記第一端子と前記第四端子の間に電圧または電流を印加し、前記第一スイッチおよび前記第二スイッチの抵抗状態を変化させることにより、前記第一スイッチおよび前記第二スイッチで構成されるユニット素子のプログラムを行うプログラミング方法。
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