JPWO2013122227A1 - 赤外線反射基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

反射層と保護層とを積層した赤外線反射基板の製造方法であって、前記反射層と、電子線が照射されることによって架橋される高分子を含有する前記保護層とを積層するステップと、前記保護層に電子線を照射するステップと、を備えた赤外線反射基板の製造方法が提供される。

Description

本発明は、可視光領域において高い透過性を有し且つ赤外光領域において高い反射性を有する赤外線反射基板の製造方法に関する。

赤外線反射基板は、主に、放射される太陽光の熱影響を抑制するために用いられる。例えば、建物や自動車等の窓ガラスに赤外線反射基板を貼ることで、窓ガラスを通って室内に入射される赤外線（特に近赤外線）を遮蔽し、室内の温度上昇を抑制し、これにより、冷房の消費電力を抑制して省エネルギー化を図ることができる。

赤外線の反射には、金属や金属酸化物の積層構造による赤外線反射層が用いられる。しかしながら、金属や金属酸化物は耐擦傷性が低い。そのため、赤外線反射基板では、赤外線反射層の上に保護層を設けるのが一般的である。例えば、特許文献１には、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）を保護層の材料として用いることが開示されている。ポリアクリロニトリルのような高分子は、赤外線の吸収率が低く、室内から透光性部材を通って外に出射される遠赤外線を遮蔽できることから、冬期や室外の温度が低下する様な夜間での断熱効果による省エネルギー化も図ることができる。

ポリアクリロニトリルのような高分子を保護層の材料として用いる場合、保護層は、まず、高分子を溶剤に溶解させて溶液を調製し、この溶液を赤外線反射層の上に塗布し、次いで、溶液を乾燥させる（溶剤を揮発させる）、という手順で形成される。

日本国特公昭６１−５１７６２号公報

ところで、この種の赤外線反射基板は、保護層が表側となるように建物や自動車等の窓ガラスに貼られる。従って、保護層の表面には、時間が経過するほどに汚れ等が付着していく。汚れ等を除去するためには、保護層の表面を例えば洗浄液を用いた拭き取り等によって清掃すればよい。しかしながら、洗浄液には各種の有機溶剤が含まれていることが多い。そして、洗浄液に含まれる少なくとも一部の有機溶剤が保護層に含まれる高分子を可溶な溶剤である場合、清掃時に保護層が溶出し、拭き取り等の擦れによって除去され、耐擦傷性の低い赤外線反射層が露出してしまう、という問題が生じる。
また、保護層に含まれる高分子が洗浄液に可溶でない場合であっても、保護層が物理的な擦れに弱いと、拭き取り等によって保護層が除去され、上記同様、耐擦傷性の低い赤外線反射層が露出してしまう、という問題が生じる。
このように、耐溶剤性や物理的な擦れに対する耐性といった保護層の耐擦傷性が十分でない場合には、赤外線反射層を十分に保護することが困難である。

そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、断熱性及び耐擦傷性に優れた赤外線反射基板の製造方法を提供することを課題とする。

本発明に係る赤外線反射基板の製造方法は、
反射層と保護層とを積層した赤外線反射基板の製造方法であって、
前記反射層と、電子線が照射されることによって架橋される高分子を含有する前記保護層とを積層するステップと、
前記保護層に電子線を照射するステップと、を備える。

本発明に係る赤外線反射基板の製造方法の一態様として、
前記赤外線反射板は、前記反射層と、前記保護層と、さらに基材とを有しており、
前記反射層と前記保護層とを積層するステップが、
前記基材の一方の面に前記反射層を形成するステップと、
前記高分子を溶剤に溶解させた高分子組成物溶液を前記反射層上に塗布し、次いで溶液を乾燥させ前記保護層を形成するステップと、を備えるようにすることができる。

本発明に係る赤外線反射基板の製造方法の他の一態様として、
前記赤外線反射板は、前記反射層と、前記保護層と、さらに基材とを有しており、
前記反射層と前記保護層とを積層するステップが、
前記基材の一方の面に前記反射層を形成するステップと、
前記保護層として前記高分子を有するフィルムを用い、該保護層と前記反射層とを貼合するステップと、を備えるようにすることができる。

この場合、前記保護層の厚さ１５μｍあたりの遠赤外線の透過率が６５％以上であることが好ましい。
ここで、「遠赤外線の透過率」は、保護層のみに遠赤外線を照射したときの、該保護層における波長２．５μｍ〜２５μｍ領域での赤外光の透過率の平均値を意味する。

この場合、前記高分子は、前記電子線が照射されることにより架橋型の反応挙動を示すものであることが好ましい。
ここで、従来一般的に、電子線が照射されることにより誘起される反応として、架橋反応が優先的に起こる架橋型高分子と、主鎖切断が優先的に起こる崩壊型（切断型）高分子とに分類されている。前記「架橋型の反応挙動」とは、この２種類の反応挙動のうち、架橋が優先的に起こる反応挙動を意味する。

この場合、前記高分子は、オレフィン系高分子またはシクロオレフィン系高分子であることが好ましい。

この場合、前記高分子は、下記化学式Ｉの繰り返し単位Ａ、Ｂ及びＣのうち、少なくともいずれか二つ以上の繰り返し単位を含むようにすることができる。

ここで、本発明に係る赤外線反射基板の製造方法の一態様として、前記電子線を照射される前の保護層が、前記高分子１００重量部に対して１重量部〜２０重量部のラジカル重合性モノマーをさらに含むのが好ましい。

この場合、前記電子線を照射された後の前記保護層のゲル分率が７０％以上である、ようにすることができる。

この場合、前記保護層側表面の垂直放射率が０．４０以下である、ようにすることができる。

本発明によれば、断熱性及び耐擦傷性に優れた赤外線反射基板の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る赤外線反射基板の積層構造を説明するための概要図を示す。 本発明の他の実施形態に係る赤外線反射基板の積層構造を説明するための概要図を示す。 本発明の他の実施形態に係る赤外線反射基板の積層構造を説明するための概要図を示す。 本発明の他の実施形態に係る赤外線反射基板の積層構造を説明するための概要図を示す。

（第一の実施形態）
以下、本発明に係る赤外線反射基板の製造方法の第一の実施形態について、説明する。
本実施形態に係る赤外線反射基板の製造方法は、反射層と保護層とを積層するステップと、該保護層に電子線を照射するステップと、を備え、前記赤外線基板が前記保護層と、前記反射層と、さらに基材とを有しており、前記反射層と前記保護層とを積層するステップが、前記基材の一方の面に前記反射層を形成するステップと、高分子を溶剤に溶解させた高分子組成物溶液を該反射層上に塗布し、次いで溶液を乾燥させ保護層を形成するステップとを有している。

まず、本実施形態に係る赤外線反射基板の積層構造について、図１を参酌しつつ説明する。なお、本実施形態に係る赤外線反射基板は、従来の赤外線反射基板が持つ遮熱特性（近赤外線の反射特性）に加え、断熱特性（遠赤外線の反射特性）を併せ持つ赤外線反射基板である。

本実施形態に係る赤外線反射基板は、図１に示す如く、基材１の一方の面１ａに、反射層２及び保護層３をその順に積層し、他方の面１ｂに粘着層４を設けた層構造となっている。

基材１は、ポリエステル系基板が用いられ、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリシクロヘキシレンメチレンテレフタレート、あるいはこれらを２種以上組み合わせた混合樹脂からなる基板が用いられる。尚、これらの中で、性能面から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板が好ましく、特に２軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板が好適である。

反射層２は、基材１の表面（一方の面）１ａに蒸着により形成される蒸着層である。該蒸着層の形成方法としては、例えば、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング等の物理蒸着（ＰＶＤ）がある。ここで、真空蒸着においては、真空中で抵抗加熱、電子ビーム加熱、レーザ光加熱、アーク放電等の方法で蒸着物質を加熱蒸発させることで、基材１上に反射層２が形成される。また、スパッタリングにおいては、アルゴン等の不活性ガスが存在する真空中で、グロー放電等により加速されたＡｒ+等の陽イオンをターゲット（蒸着物質）に撃突させて蒸着物質をスパッタ蒸発させることで、基材１上に反射層２が形成される。イオンプレーティングは、真空蒸着とスパッタリングとを組み合わせた形態の蒸着法である。この方法では、真空中において、加熱により放出された蒸発原子を、電界中でイオン化と加速を行い、高エネルギー状態で基材１上に付着させることで、反射層２が形成される。

反射層２は、半透明金属層２ａを一対の金属酸化物層２ｂ，２ｃで挟み込んだ複層構造となっており、上記蒸着層の形成方法を用い、まず、基材１の表面（一方の面）１ａに金属酸化物層２ｂを蒸着し、次に、金属酸化物層２ｂ上に半透明金属層２ａを蒸着し、最後に、半透明金属層２ａ上に金属酸化物層２ｃを蒸着して形成される。半透明金属層２ａは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銀合金（ＭｇＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金（ＡＰＣ）、ＡｇＣｕ、ＡｇＡｕＣｕ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、あるいはこれらを２種又は２層以上組み合わせた金属材料が用いられる。金属酸化物層２ｂ，２ｃは、反射層２に透明性を付与し、半透明金属層２ａの劣化を防止するためのものであり、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムチタン（ＩＴ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、酸化ガリウムインジウム（ＩＧＯ）等の酸化物が用いられる。

保護層３は、高分子を含有する層である。保護層３が高分子を含有していることにより、電子線の照射によって該高分子がラジカル化されたりイオン化されたりして後述する架橋が生じ得る。また、該高分子としては、電子線が照射されることにより架橋が優先的に起こる架橋型高分子が好ましい。かかる架橋型高分子としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのオレフィン系高分子、ポリノルボルネン等のシクロオレフィン系高分子、ポリスチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリメチルアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリビニルアルコール、ポリアミド、アクリロニトリル、これら高分子のモノマー成分を構成単位として含む共重合体、または、該共重合体の水素化物などが好ましい。

これらのうち、前記高分子は、オレフィン系高分子またはシクロオレフィン系高分子であることが好ましい。また、前記共重合体の水素化物であることも好ましい。

前記水素化物としては、例えば、前記共重合体が二重結合を有する場合、該二重結合の一部が水素化されたものが挙げられる。このような水素化物としては、下記化学式Ｉの繰り返し単位Ａ、Ｂ及びＣのうち、少なくともいずれか二つ以上の繰り返し単位を含む高分子が挙げられる。化学式Ｉ中のＲ１としては、Ｈやメチル基を用いることができる。また、化学式Ｉ中のＲ２〜Ｒ５として、Ｈ、炭素数が１〜４のアルキル基又はアルケニル基を用いることができる。ちなみに、繰り返し単位Ａ、Ｂ及びＣで構成され、Ｒ１〜Ｒ５としてＨを用いたものは、水素化ニトリルゴム（ＨＮＢＲ）である。

これらの高分子を得るためのモノマー成分としては、例えば、化学式IIで示すようなアクリロニトリル（繰り返し単位Ｄ）及びその誘導体、炭素数が４のアルキル（繰り返し単位Ｅ）及びその誘導体、並びに、ブタジエン（繰り返し単位Ｆ１又はＦ２）及びそれらの誘導体の共重合体等が挙げられる。ここで、Ｒ６は、Ｈ又はメチル基、Ｒ７〜Ｒ１８は、Ｈ又は炭素数が１〜４のアルキル基を示す。なお、Ｆ１，Ｆ２のそれぞれは、ブタジエンが重合する繰り返し単位を示しており、Ｆ１がメインの繰り返し単位となっている。また、これらの高分子は、化学式IIのアクリロニトリル（繰り返し単位Ｄ）及びその誘導体、１，３−ブタジエン（繰り返し単位Ｆ１）及びその誘導体の共重合体であるニトリルゴムや、ニトリルゴム中に含まれる二重結合の一部又は全部が水素化された水素化ニトリルゴムであってもよい。

上記共重合体を部分的に切り出した化学式IIIを用いて、アクリロニトリル、ブタジエン及びアルキルが重合された共重合体と、それぞれの繰り返し単位Ａ、Ｂ及びＣとの関係を説明する。化学式IIIは、保護層３に用いられる高分子鎖の一部を切り出しており、１，３−ブタジエン（繰り返し単位Ｆ１）、アクリロニトリル（繰り返し単位Ｄ）、及び１，３−ブタジエン（繰り返し単位Ｆ１）が順に結合されている。なお、化学式IIIはＲ７，Ｒ１１〜Ｒ１４がＨの結合例を示している。化学式IIIは、左側のブタジエンにはアクリロニトリルのシアノ基（−ＣＮ）が結合された側が結合しており、アクリロニトリルのシアノ基（−ＣＮ）が結合していない側に右側のブタジエンが形成されている。この様な結合例においては、１個の繰り返し単位Ａ、１個の繰り返し単位Ｂ、及び２個の繰り返し単位Ｃが含まれている。この中で、繰り返し単位Ａは左側のブタジエンの右側の炭素原子とアクリロニトリルのシアノ基（−ＣＮ）とが結合した炭素原子を含んでおり、繰り返し単位Ｂはアクリロニトリルのシアノ基（−ＣＮ）が結合していない炭素原子と右側のブタジエンの左側の炭素原子とを含んだ組合せである。そして、左側のブタジエンの一番左側の炭素原子と、右側のブタジエンの一番右側の炭素原子は、結合する分子の種類により繰り返し単位Ａまたは繰り返し単位Ｂの一部の炭素原子となる。

高分子中に含まれる化学式Ｉの繰り返し単位Ａが高分子全体に占める割合は、下限値としては、５重量％以上である。好ましくは、１５重量％以上である。より好ましくは、２５重量％以上である。また、上限値としては、１００重量％以下である。好ましくは、６０重量％以下である。より好ましくは、４０重量％以下である。上記範囲であれば、赤外線反射フィルムに良好な断熱特性を付与することができる。

保護層３の厚さは、下限値としては、１μｍ以上である。好ましくは、２μｍ以上である。また、上限値としては、２０μｍ以下である。好ましくは、１５μｍ以下である。より好ましくは、１０μｍ以下である。保護層３の厚さが小さいと、赤外線の反射特性は高くなるものの、耐擦傷性が損なわれ、保護層３としての機能を十分に発揮することができない。保護層３の厚さが大きいと、赤外線反射基板の断熱特性が悪くなる。保護層３の厚さが上記範囲内であれば、赤外線の吸収が小さく且つ反射層２を適切に保護することができる保護層３が得られる。

尚、垂直放射率とは、ＪＩＳ Ｒ３１０６で規定される通り、垂直放射率（εｎ）＝１−分光反射率（ρｎ）で表わされる。分光反射率ρｎは、常温の熱放射の波長域５〜５０μｍで測定される。５〜５０μｍの波長域は遠赤外線領域であり、遠赤外線の波長域の反射率が高くなるほど、垂直放射率は小さくなる。

化学式Ｉ中のｋとｌとｍの比率は、ｋとｌとｍの合計を１００としたとき、ｋ：ｌ：ｍ＝３〜３０：２０〜９５：０〜６０であることが好ましく、ｋ：ｌ：ｍ＝５〜２５：６０〜９０：０〜２０であることがより好ましく、ｋ：ｌ：ｍ＝１５〜２５：６５〜８５：０〜１０であることがさらに好ましい。
また、化学式Ｉの繰り返し単位ＡとＢとＣの比率は、Ａ：Ｂ：Ｃ＝５〜５０重量％：２５〜８５重量％：０〜６０重量％（但し、ＡとＢとＣの合計は１００重量％）となるのが好ましい。より好ましくは、Ａ：Ｂ：Ｃ＝１５〜４０重量％：５５〜８５重量％：０〜２０重量％（但し、ＡとＢとＣの合計は１００重量％）である。さらに好ましくは、Ａ：Ｂ：Ｃ＝２５〜４０重量％：５５〜７５重量％：０〜１０重量％（但し、ＡとＢとＣの合計は１００重量％）である。

前記保護層３は、上述した高分子を（必要に応じて架橋剤とともに）溶剤に溶解させて高分子組成物溶液を調製し、この溶液を反射層２の上に塗布し、次いで、溶液を乾燥させる（溶剤を揮発させる）、という手順で形成される。溶剤は、上述した高分子を可溶な溶剤であり、例えば、メチルエチルケトン等の溶剤が用いられる。

ところで、これら保護層３に良好な耐溶剤性を付与する観点から、保護層３は、高分子同士の架橋構造を有することが好ましい。高分子同士を架橋させることにより、保護層３の耐溶剤性が向上するため、高分子を可溶な溶剤が保護層３に接触した場合であっても、保護層３が溶出するのを防止することができる。

高分子同士に架橋構造を付与する手段としては、溶液を乾燥させた後に、電子線を照射することが挙げられる。保護層３に含まれる高分子が上記化学式Ｉで示される化合物である場合には、電子線の照射線量は、下限値としては、３０ｋＧｙ以上である。また、上限値としては、６００ｋＧｙ以下である。好ましくは、４００ｋＧｙ以下である。より好ましくは、２００ｋＧｙ以下である。電子線の照射線量が上記範囲内であれば、高分子同士の十分な架橋を得ることができる。また、電子線の照射線量が上記範囲内であれば、電子線の照射によって発生する高分子や基材１の黄変を最小限に抑えることができ、着色の少ない赤外線反射基板を得ることができる。なお、これら電子線の照射条件は、加速電圧が１００ｋＶ〜１５０ｋＶでの照射条件である。
また、保護層３に含まれる高分子が、上記化学式Ｉ以外の化合物、すなわち、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのオレフィン系高分子、ポリノルボルネン等のシクロオレフィン系高分子、ポリスチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリメチルアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリアミド、アクリロニトリル、これら高分子のモノマー成分を構成単位として含む共重合体、または、該共重合体の水素化物などである場合には、電子線の照射線量は、下限値としては６０ｋＧｙ以上である。より好ましくは、７５ｋＧｙである。また、上限値としては、１５０ｋＧｙ以下である。好ましくは、１２５ｋＧｙ以下である。電子線の照射線量が上記範囲内であれば、耐傷擦性が良好な赤外線反射板を得ることができる。なお、これら電子線の照射条件は、加速電圧が１００ｋＶ〜１５０ｋＶでの照射条件である。

また、高分子を溶剤に溶解させる際に、あるいは、高分子を溶剤に溶解させた後に、高分子組成物溶液にラジカル重合型モノマー等の多官能モノマーといった架橋剤を添加することが好ましい。特に、（メタ）アクリレート系モノマーのラジカル重合型モノマーが好ましい。多官能モノマーを添加すると、多官能モノマーに含まれる官能基がそれぞれの高分子鎖と反応（結合）することにより、高分子同士が（多官能モノマーを介して）架橋されやすくなる。従って、電子線の照射線量を（７０ｋＧｙ以下に、例えば５０ｋＧｙ程度に）引き下げても高分子同士の十分な架橋を得ることができる。そのため、電子線の照射線量を低照射線量で済ませることができる。また、電子線の照射線量が低下することで、高分子や基材１の黄変をさらに抑制することができ、しかも、生産性を向上させることができる。

しかしながら、架橋剤の添加量が多くなれば、赤外線反射基板の（反射層２を基準とした）保護層３側表面の垂直放射率が悪化する。垂直放射率が悪化すると、赤外線反射基板における赤外線の反射特性が低下し、赤外線反射基板の断熱特性が悪くなる。そのため、高分子組成物溶液は、高分子１００重量％に対して５〜３５重量％（すなわち、高分子１００重量部に対して５〜３５重量部）の架橋剤を含むのが好ましい。より好ましくは、高分子１００重量％に対して１〜２０重量％（すなわち、高分子１００重量部に対して１〜２０重量部）である。

また、保護層３は、厚さ１５μｍあたりの２．５μｍ〜２５μｍの波長領域での遠赤外線の透過率の平均値が６５％以上であるように構成されていることが好ましい。また、該遠赤外線透過率は、好ましくは６８％以上、さらに好ましくは７０％以上である。該遠赤外線の透過率が６５％以上であることによって、保護層３に外側から入射した遠赤外線が、反射層２へとより透過し易くなる。これにより、赤外線反射基板の（反射層２を基準とした）保護層３側表面の垂直放射率の悪化を、より抑制することができる。
かかる遠赤外線の透過率は、フーリエ変換型赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）光度計（日本分光株式会社製）を用い、保護層３のみに遠赤外線を照射したときの、波長２．５〜２５μｍの領域での赤外光の透過率を測定し、平均値を算出し、得られた数値を、厚み１５μｍあたりの数値となるように換算する。

本実施形態に係る赤外線反射基板の積層構造についての説明は以上の通りであり、次に、本実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法について説明する。

本実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法は、基材１の一方の面１ａに反射層２を形成するステップと、上述したような高分子を溶剤に溶解させた高分子組成物溶液を該反射層２上に塗布し、次いで溶液を乾燥させ保護層３を形成するステップと、該保護層３に電子線を照射するステップとを備える。

また、本実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法では、上述のように調製された高分子組成物溶液が、高分子１００重量％に対して１重量％〜２０重量％（すなわち、高分子１００重量部に対して１重量部〜２０重量部）のラジカル重合性モノマーをさらに含むようにしている。本実施形態においては、ラジカル重合型モノマーとして、（メタ）アクリレート系モノマーが採用されている。

基材１の一方の面１ａに反射層２を形成するステップでは、後述のＤＣマグネトロンスパッタ法が採用されている。より具体的には、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、基材１の一方の面１ａに酸化インジウム錫からなる金属酸化物層２ｂを形成し、その上にＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金からなる半透明金属層２ａを形成し、その上に酸化インジウム錫からなる金属酸化物層２ｃを形成する。金属酸化物層２ｂ，２ｃの厚みは、作製された層の屈折率にも依存するが、実用上、透明性（可視光線透過率）の高い赤外線反射基板を得るには、５〜５０ｎｍの範囲が好ましく、更に好ましい厚みは、１５〜４０ｎｍである。

また、反射層２上に保護層３を形成するステップでは、基材１の一方の面１ａに形成された反射層２上に、上述の高分子を溶剤に溶解させた高分子組成物溶液を、アプリケータ等を用いて塗布し、溶液を乾燥させる（溶剤を揮発させる）ことで、保護層３を形成する。そして、保護層３に電子線を照射するステップでは、後述する電子線照射装置により保護層３の表面側から電子線を照射する。このようにして、本実施形態に係る赤外線反射基板が完成する。

以上の製造方法によって作製された本実施形態に係る赤外線反射基板によれば、反射層２上の層構造の厚み、即ち、保護層３の厚みを少なくすることで、（反射層２を基準とした）保護層３側表面の垂直放射率が小さくなっている。また、特に、遠赤外線を吸収しにくく、透過しやすいニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、完全水素化ニトリルゴム、ポリプロピレンなどを保護層３に用いれば、それによっても垂直放射率は小さくなる。これにより、遠赤外線は、保護層３に入射されても保護層３に吸収されにくく、反射層２に到達し、その結果、反射層２で反射されやすくなる。従って、本実施形態に係る赤外線反射基板を窓ガラス等の透光性部材に室内側から貼っておくことで、室内から透光性部材を通って外に出射される遠赤外線を遮蔽することができ、これにより、冬季や室内の温度が低下する夜間での断熱効果が期待できる。本実施形態に係る赤外線反射基板では、その目的のために、保護層３側表面の垂直放射率が０．４０以下に設定される。但し、該垂直放射率は、好ましくは０．３０以下、より好ましくは０．２５以下、さらに好ましくは０．１５以下である。

また、以上の製造方法によって作製された本実施形態に係る赤外線反射基板によれば、可視光線透過率（ＪＩＳ Ａ５７５９参照）を高くすることで、透光性部材の透光性が阻害されることはない。本実施形態に係る赤外線反射基板では、その目的のために、可視光線透過率が５０％以上に設定される。

また、近赤外線は、（粘着層４及び）基材１に入射されても（粘着層４及び）基材１に吸収されにくく、反射層２に到達し、その結果、反射層２で反射されやすくなる。従って、本実施形態に係る赤外線反射基板を窓ガラス等の透光性部材に室内側から貼っておくことで、窓ガラス等の透光性部材を通って室内に入射される近赤外線を遮蔽することができ、これにより、従来の赤外線反射基板と同様、夏季での遮熱効果が期待できる。

そして、以上の製造方法によって作製された本実施形態に係る赤外線反射基板によれば、上述の如く、保護層３に良好な耐擦傷性が付与されている。即ち、保護層３における高分子同士を架橋することで、保護層３の耐溶剤性が向上している。これにより、高分子を可溶な溶剤が保護層３に接触した場合であっても、保護層３が溶出するのを防止することができ、そのため、赤外線反射層２が露出することによって耐擦傷性が低下するのを防止することができる。本実施形態に係る赤外線反射基板では、その目的のために、メチルエチルケトンに対する溶解性試験後のゲル分率が７０％以上に設定される。但し、好ましくは、７５％以上である。より好ましくは、８０％以上である。
また、保護層３が耐溶剤性に優れた高分子を含有している場合には、保護層３における高分子を架橋することで、物理的な擦れに起因する剥がれを防止することができ、そのため、赤外線反射層２が露出することによって耐擦傷性が低下するのを防止することができる。

また、本実施形態に係る赤外線反射基板の製造方法によれば、上述のように調製された高分子組成物溶液が、高分子１００重量部に対して１重量部〜２０重量部のラジカル重合性モノマーをさらに含むようにしているため、保護層３における高分子同士がラジカル重合型モノマーを介して架橋されるやすくなり、電子線の照射線量を（７０ｋＧｙ以下に、例えば５０ｋＧｙ程度に）引き下げても高分子同士の十分な架橋を得ることができる。そのため、電子線の照射線量を低照射線量で済ませることができる。

また、保護層３における高分子同士がラジカル重合型モノマーを介して架橋されることで、保護層３は、耐溶剤性が向上している。これにより、高分子を可溶な溶剤が保護層３に接触した場合であっても、保護層３が溶出するのを防止することができる。そのため、反射層２が露出することによって耐擦傷性が低下するのを防止することができる。

（第二の実施形態）
以下、本発明に係る赤外線反射基板の製造方法の第二の実施形態について、説明する。まず、本実施形態に係る赤外線反射基板の積層構造について、図２を参酌しつつ説明する。なお、本実施形態に係る赤外線反射基板は、従来の赤外線反射基板が持つ遮熱特性（近赤外線の反射特性）に加え、断熱特性（遠赤外線の反射特性）を併せ持つ赤外線反射基板である。

本実施形態に係る赤外線反射基板は、図２に示す如く、反射層２上（反射層２と保護層３との間）に易接着層５が形成されている点以外は、第一の実施形態に係る赤外線反射基板と同一の構成であるため、同一の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を繰り返さない。

本実施形態においては、易接着層５として、シランカップリング剤を用いてもよいが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、有機物とケイ素から構成される有機ケイ素化合物であり、一つの分子中に異なる反応基を有する。より具体的には、シランカップリング剤は、一つの分子中に有機物との反応や相互作用を生じることができる有機官能基(例えば、ビニル基、（メタ）アクリル基、イソシアネート基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、スチリル基、スルフィド基等）と、加水分解性基とを有する。シランカップリング剤は、この反応基の構造を利用して、有機官能基を介して有機物と化学結合を形成するとともに、加水分解性基を加水分解、反応させることにより無機物表面等と化学結合を形成することで、化学的性質の異なる化合物を強固に結合させることができる。以下に示す実施例においては、ビニル系のシランカップリング剤が用いられる。実施例においては、ビニル系のシランカップリング剤が用いられるが、シランカップリング剤は、これに限定されるものではない。

易接着層５は、上述した化合物を溶剤に溶解させて溶液を調製し、この溶液を反射層２の上に塗布し、次いで、溶液を乾燥させ（溶剤を揮発させ）、活性エネルギー線としての電子線を保護層３の表面側から照射する、という手順で形成される。なお、活性エネルギー線とは、化学反応又は物理的変化を促進するエネルギー線であり、本実施形態においては、活性エネルギー線は、保護層３と易接着層５との間の化学結合の形成を促進するように作用する。より具体的には、溶液を反射層２の上に塗布し、溶液を乾燥させた（溶剤を揮発させた）状態で、その上に保護層３を形成し、電子線等の活性エネルギー線を保護層３の表面側から照射することで、保護層３と易接着層５との間に架橋構造等の化学結合が形成され、保護層３と易接着層５とが結合される。そうすることで、反射層２と保護層３との間に易接着層５を形成することにより、保護層３と反射層２との間の密着性が高められるため、保護層３が反射層２から剥離して耐擦傷性の低い反射層２が露出しにくくなる。

本実施形態に係る赤外線反射基板の構成についての説明は以上の通りであり、次に、本実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法について説明する。なお、本実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法は、反射層２上（反射層２と保護層３との間）に易接着層５を形成するステップを備えること以外は、第一の実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法と同様のため、詳しい説明を省略する。

反射層２上に易接着層５を形成するステップでは、第一の実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法と同様に、基材１の一方の面１ａに反射層２を形成した後、該反射層２上に、上述のシランカップリング剤を溶剤に溶解させた溶液を、ワイヤーバー等を用いて塗布し、溶液を乾燥させることで、易接着層５が形成される。その後、該易接着層５上に保護層３を形成し、前述した電子線照射装置により保護層３の表面側から電子線を照射する。このようにして、本実施形態に係る赤外線反射基板が完成する。

以上の製造方法によって作製された本実施形態に係る赤外線反射基板によれば、上記第一の実施形態に係る赤外線反射基板と同様の効果に加えて、反射層２上（反射層２と保護層３との間）に易接着層５を形成するステップをさらに備えるため、上述の如く、易接着層５が保護層３と化学的に結合され、反射層２と保護層３とが易接着層５を介して接着されることで、反射層２と保護層３との間の接着性が高まる。そのため、保護層３が外部からストレスを受けた場合でも、保護層３が反射層２から剥離しにくい。従って、保護層３の剥離により耐擦傷性の低い反射層２が露出し、反射層２がダメージを受ける、といった事態が生じるのを防止することができる。

（第三の実施形態）
以下、本発明に係る赤外線反射基板の製造方法の第三の実施形態について、説明する。まず、本実施形態に係る赤外線反射基板の積層構造について、図３を参酌しつつ説明する。

本実施形態に係る赤外線反射基板は、図３に示す如く、反射層２上にフィルムたる保護層３が接着層６を介して積層されている点以外は、第一、第二及び第三の実施形態に係る赤外線反射基板と同一の構成であるため、同一の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を繰り返さない。

本実施形態においては、保護層３は、例えば、上述した高分子を（必要に応じて上述した架橋剤とともに）溶剤に溶解させて上述した高分子組成物溶液を調製し、この溶液を、上述した基材１に代えて支持板（不図示）上に塗布し、乾燥した後、該支持板から剥離するという手順で、フィルムとして形成される。
また、保護層３としては、上述した高分子を含むフィルムを、公知の方法により延伸させて二軸延伸フィルムを作製し、該二軸延伸フィルムを用いてもよい。また、市販品の二軸延伸フィルムを用いてもよく、かかる二軸延伸フィルムとしては、東レ（株）社製「トレファン（登録商標）」などがある。この場合においても、前述と同様に、保護層３の厚みは、下限値としては、５μｍ以上であり、また、上限値としては、３０μｍ以下である。

本実施形態においては、接着層６として、ポリエステル系接着剤が用いられる。本実施形態においては、接着層６として、ポリエステル系接着剤が用いられるが、これらに限定されるものではない。なお、接着層６の厚みは、０．１〜１．５μｍであるのが好ましい。

本実施形態に係る赤外線反射基板の構成についての説明は以上の通りであり、次に、本実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法について説明する。なお、本実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法は、保護層３として上述した高分子を含有するフィルムを用い、反射層２と保護層３を積層するステップが、反射層２上に接着層６を介して保護層３を積層するステップを備えること以外は、第一の実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法と同様のため、詳しい説明を繰り返さない。

反射層２と保護層３を積層するステップでは、保護層３の一方の面３ａ上に、上述したような接着剤を塗布し、これを反射層２上に積層し、乾燥させる。その後、前述した電子線照射装置により保護層３の表面側から電子線を照射する。このようにして、本実施形態に係る赤外線反射基板が完成する。

なお、本実施形態の製造方法は、このように反射層２上にフィルム状の保護層３を積層した後、電子線を照射する工程を備えている他、フィルム状の保護層３に電子線を照射した後、該電子線を照射された保護層３を反射層２上に積層する工程を備えていてもよい。これらいずれの方法も、本発明の製造方法に含まれる。
また、保護層３に電子線を照射した後、該照射された保護層３を反射層２に積層する工程を備えた赤外線反射板の製造方法によれば、上記第一の実施形態に係る赤外線反射基板の製造方法と同様の効果に加えて、基材１や反射層２に電子線を照射することなく、電子線が照射された保護層３を得ることができる。これにより、電子線の照射による基材１へのダメージ（黄変・機械強度の低下など）などの発生が抑制された赤外線反射板を得ることができる。

（第四の実施形態）
以下、本発明に係る赤外線反射基板の製造方法の第四の実施形態について、説明する。

本実施形態に係る赤外線反射基板は、図４に示す如く、基材１を備えておらず、保護層３と反射層２とが直接積層されて形成されている（具体的には、保護層３の一方の面３ａ上に反射層が直接形成されている）点、及び、保護層３が第三実施形態と同一のフィルムである点以外は、第一の実施形態に係る赤外線反射基板と同一の構成であるため、同一の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を繰り返さない。

また、本実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法は、保護層３として、第三の実施形態と同一のフィルムを用い、反射層２と保護層３を積層するステップとして、保護層３の一方の面３ａに反射層２を形成するステップを備えること以外は、第一の実施形態に係る赤外線反射基板の作製方法と同様のため、詳しい説明を繰り返さない。

保護層３の一方の面３ａに反射層２を形成するステップでは、第三の実施形態と同一の保護層３の一方の面３ａ上に、第一の実施形態と同様にして、反射層２を形成する。すなわち、第一の実施形態における基材１の一方の面１ａの代わりに、フィルムたる保護層３の一方の面３ａ上に、第一の実施形態と同様にして、反射層２を形成する。その後、前述した電子線照射装置により保護層３の表面側から電子線を照射する。このようにして、本実施形態に係る赤外線反射基板が完成する。なお、本実施形態においても、上記第三の実施形態と同様、保護層３に電子線を照射した後、該電子線が照射された保護層３の一方の面３ａに、反射層を形成してもよい。

ここで、本発明者らは、本実施形態に係る赤外線反射基板を作製し（実施例）、併せて、比較用の赤外線反射基板を作製した（比較例）。

実施例、比較例ともに、作製方法は次のとおりである。厚みが５０μｍのポリエチレンテレフタレート基板（三菱樹脂株式会社製 商品名「ダイアホイル Ｔ６０２Ｅ５０」）を基材１として用いた。この基材１の一方の面１ａにＤＣマグネトロンスパッタ法により反射層２を形成した。詳しくは、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、基材１の一方の面１ａに酸化インジウム錫からなる金属酸化物層２ｂを３５ｎｍの厚みで形成し、その上にＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金からなる半透明金属層２ａを１８ｎｍの厚みで形成し、その上に酸化インジウム錫からなる金属酸化物層２ｃを３５ｎｍの厚みで形成し、これを反射層２とした。そして、この反射層２の上に保護層３を形成した。尚、保護層３の詳細な形成条件は、それぞれ実施例、比較例の説明において詳述する。

＜実施例１＞
上記作製方法により作製した反射層２の上に、塗工法により保護層３を形成した。具体的には、反射層２の上に、水素化ニトリルゴム（ランクセス社製 商品名「テルバン５０６５」〔ｋ：３３．３、ｌ：６３、ｍ：３．７、Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ〕の１０％メチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液をアプリケータを用いて塗布し、空気循環式の乾燥オーブンに入れ、１２０℃で２分間乾燥を行った。これにより、厚さが５μｍの保護層３を形成した。その後、電子線照射装置（岩崎電気株式会社製 製品名「ＥＣ２５０／３０／２０ｍＡ」）を用いて保護層３の表面側から電子線を照射し、実施例１に係る赤外線反射基板を得た。電子線の照射条件は、ライン速度を３ｍ／ｍｉｎ、加速電圧を１５０ｋＶ、照射線量を１００ｋＧｙとした。

＜実施例２＞
電子線の照射線量を２００ｋＧｙとした点以外は、実施例１と同じである。

＜実施例３＞
水素化ニトリルゴム（ランクセス社製 商品名「テルバン５０６５」）〔ｋ：３３．３、ｌ：６３、ｍ：３．７、Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ〕の１０％メチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液に、（メタ）アクリレート系モノマー（大阪有機化学社製 商品名「ビスコート＃２９５」）を水素化ニトリルゴムの固形分に対して５重量％（５重量部）添加した点、及び電子線の照射線量を５０ｋＧｙとした点以外は、実施例１と同じである。

＜実施例４＞
水素化ニトリルゴム（ランクセス社製 商品名「テルバン５０６５」）〔ｋ：３３．３、ｌ：６３、ｍ：３．７、Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ〕の１０％メチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液に、（メタ）アクリレート系モノマー（大阪有機化学社製 商品名「ビスコート＃２９５」）を水素化ニトリルゴムの固形分に対して１０重量％（１０重量部）添加した点以外は、実施例３と同じである。

＜実施例５＞
（メタ）アクリレート系モノマー（大阪有機化学社製 商品名「ビスコート＃２９５」）を水素化ニトリルゴムの固形分に対して１５重量％（１５重量部）添加した点以外は、実施例３と同じである。

＜実施例６＞
（メタ）アクリレート系モノマー（大阪有機化学社製 商品名「ビスコート＃２９５」）を水素化ニトリルゴムの固形分に対して２０重量％（２０重量部）添加した点以外は、実施例３と同じである。
＜実施例７＞
水素化ニトリルゴムとして、上記商品名「テルバン５０６５」に代えて、商品名「テルバン５００５」（ランクセス社製）〔ｋ：３３．３、ｌ：６６．７、ｍ：０、Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ〕５００５を用いた点以外は、実施例１と同様である。

＜比較例１＞
電子線を照射しない点以外は、実施例１と同じである。

＜実施例８＞
反射層２の上に塗工法により保護層３形成することに代えて、厚みが１５μｍの２軸延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルム（東レ（株）製「トレファン」）からなる保護層３を、厚みが０．８μｍのポリエステル系接着剤（接着層６）を介して反射層２の上に積層した点、及び電子線の加速電圧を１００ｋＶ、照射線量を１００ｋＧｙとした点以外は、実施例１と同じである。

＜実施例９＞
電子線の加速電圧を１５０ｋＶ、照射線量を１００ｋＧｙとした点以外は、実施例８と同じである。

＜比較例２＞
電子線を照射しない点以外は、実施例８と同じである。

＜比較例３＞
保護層３として、「テルバン５０６５」を用いる代わりに、厚み２３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル社製 商品名「ダイアホイル Ｔ６０９Ｅ２５」を用い、このフィルムを反射層２の表面に、厚み８０ｎｍのポリエステル系接着剤（接着層６）を介して貼着し、このフィルムに電子線を照射しなかった点以外は、実施例１と同様の方法で、赤外線反射フィルムを作製した。

＜比較例４＞
保護層３として、「テルバン５０６５」を用いる代わりに、厚み４．９μｍのハードコート層（ＤＩＣ社製 商品名「アクリル−ウレタン系ハードコートＰＣ１０９７」を塗布し、紫外線硬化させたもの）を用いた。このハードコート層形成用材料を反射層２の表面に、厚み８０ｎｍのポリエステル系接着剤（接着層６）を介して塗布して、反射層２上にハードコート層を形成した。また、このハードコート層に電子線を照射しなかった。これらの点以外は、実施例１と同様の方法で、赤外線反射フィルムを作製した。

＜評価＞
そして、実施例１〜７比較例１のそれぞれについて、上記実施形態に係る赤外線反射基板のゲル分率、及び赤外線反射基板の垂直放射率を以下の方法によって測定した。併せて、保護層における、厚さ１５μｍあたりの波長２．５μｍ〜２５μｍの領域での遠赤外線の透過率を、以下の方法によって測定した。
また、実施例８、９、比較例２〜４のそれぞれについて、上記実施形態に係る赤外線反射基板の垂直放射率を以下の方法によって測定した。また、これら赤外線反射基板については、保護層３がメチルエチルケトンに溶解しないため、耐溶剤性試験に代えて、以下の方法によって擦傷性試験を行った。併せて、保護層における、厚さ１５μｍあたりの波長２．５μｍ〜２５μｍの領域での遠赤外線の透過率の平均値を、以下の方法によって測定した。
これらの結果を表１、表２に示す。

実施例１〜７及び比較例１における保護層３の耐溶剤性試験は、次のとおりである。まず、保護層１００ｍｇをテフロン（登録商標）膜で包んだものを用意した。それをメチルエチルケトンの溶剤に浸漬させた。浸漬期間は１週間とした。その後、１１０℃で２時間乾燥させた。そして、乾燥後、それぞれの重量を測定し、溶剤浸漬前後の重量変化からゲル分率を算出した。算出式は次のとおりである。
ゲル分率（％） ＝ （溶剤浸漬後の重量（ｇ）／溶剤浸漬前の重量（ｇ））× 100

垂直放射率の測定方法は、次のとおりである。角度可変反射アクセサリを装着したフーリエ変換型赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）装置（Ｖａｒｉａｎ社製 製品名「ＦＴＳ７０００Ｓ」）を用いて、波長５μｍ〜２５μｍの赤外光の正反射率を測定し、ＪＩＳＲ ３１０６−２００８（板ガラス類の透過率・反射率・放射率・日射熱取得率の試験方法）に準じて求めた。

実施例１〜９及び比較例１〜４の赤外線反射板における遠赤外線の透過率の測定方法は、次の通りである。フーリエ変換型赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）光度計 ＪＡＳＣＯ ＦＴ／ＩＲ−２３０（日本分光株式会社製）を用い、保護層３のみに遠赤外線を照射したときの、該保護層３における波長２．５μｍ〜２５μｍ領域の赤外光の透過率を測定し、平均値を算出し、得られた透過率（平均値）を、１５μｍあたりの透過率となるように換算した。なお、塗布により保護層３を形成する例の場合には、離型処理がなされたポリエチレンテレフタレートフィルム上に、各例と同様にして保護層３に用いる樹脂層を形成した後、ポリエチレンテレフタレートフィルムから剥離して得られた樹脂層に対して、遠赤外線の透過率の測定を行った。一方、フィルム状の樹脂層を貼り合せて保護層３を形成する例の場合には、樹脂層のみについて、遠赤外線の透過率の測定を行った。

耐傷性試験は、次の通りである。学振摩耗試験機を用い、擦動手段として、布（かなきん３号）を用い、試験体（実施例８、９及び比較例２〜４）に摺動手段を当接させ、５００ｇの荷重を掛けつつ１００回往復運動させる試験を行う。該試験において、目視により保護層３の全面に傷が観察される場合を、良好な耐擦傷性を示さない場合として×と表し、それ以外の場合を、良好な耐擦傷性を示す場合として○と表す。

表１に示すように、実施例１〜７の結果において、赤外線反射基板におけるゲル分率が７０％以上であるとともに、垂直放射率が０．２０以下であり、ゲル分率、垂直放射率共に良好な結果を得た。また、表２に示すように、実施例８、９の結果において、垂直放射率が０．２０以下であるとともに、物理的な擦れに対する耐性としての耐擦傷性が良好であった。従って、本実施例に係る赤外線反射性基板では、耐擦傷性の低い反射層２が露出し、反射層２がダメージを受ける、といった事態が生じるのを防止することができる。

また、本実施例に係る赤外線反射基板では、垂直放射率が０．２０以下であることから、遠赤外線は、保護層３側から反射層２に到達し、その結果、反射層２で反射されやすくなる。従って、赤外線反射基板を窓ガラス等の透光性部材に貼っておくことで、室内から窓ガラス等を通って室外に出射される遠赤外線を効率よく遮蔽することができ、断熱効果を期待できる。そして、近赤外線は、基材１に入射されても該基材１に吸収されにくく、反射層２に到達し、その結果、反射層２で反射されやすくなる。従って、本実施形態に係る赤外線反射基板を窓ガラス等の透光性部材に貼っておくことで、窓ガラス等の透光性部材を通って室内に入射される近赤外線を遮蔽することができ、夏季での遮熱効果が期待できる。なお、接着層６の厚みが０．８μｍ程度であれば、反射層２と保護層３との間に接着層６を形成した場合でも、垂直放射率に対して与える影響を低減することができる。

そして、本実施例に係る赤外線反射基板では、実施例１〜７において、保護層３に添加するラジカル重合型モノマーとしての（メタ）アクリレート系モノマー（以下、ラジカル重合型モノマーという）の添加量が増加するのに伴って垂直放射率が微増（０．１１〜０．１８）しているが、添加量が水素化ニトリルゴムの固形分に対して５〜２０重量％（５〜２０重量部）の範囲であれば、保護層３にラジカル重合型モノマーを添加した場合でも、垂直放射率に影響しないことが分かった。

また、比較例１の結果において、保護層３にラジカル重合型モノマーを添加せず、電子線を照射しない場合、垂直放射率は良好な値（０．１１）を示すものの、ゲル分率が３％となり、良好な結果が得られなかった。また、比較例２の結果において、保護層３としてのフィルムを反射層２に貼付し、電子線を照射しない場合、物理的な耐擦傷性が不十分となり、良好な結果が得られなかった。さらに、比較例３、４の結果においては、保護層３としてＰＥＴフィルムやアクリル−ウレタン系ハードコート層を用いた場合、垂直放射率に悪影響を及ぼすことが分かった。

以上より、電子線を照射された後の保護層３のゲル分率が７０％以上であり、保護層３に添加するラジカル重合型モノマーの添加量が５〜２０重量部の範囲であれば、ゲル分率及び垂直放射率（赤外線反射性能）が共に良好な赤外線反射性基板を得ることができる。

なお、本発明に係る赤外線反射基板は、上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

例えば、上記各実施形態においては、高分子の一例として、繰り返し単位Ａ、Ｂ及びＣのうち、少なくともいずれか二つ以上の繰り返し単位からなる高分子について説明した。しかしながら、前記繰り返し単位からなる高分子は、これに限定されるものではない。これら繰り返し単位以外の他の繰り返し単位についても、保護層に必要な特性を損なわない範囲で含ませることができる。他の繰り返し単位としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、酢酸ビニル、（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。これらは、高分子全体に対する割合が１０重量％以下であるのが好ましい。

また、上記各実施形態においては、反射層２を蒸着により形成した。しかしながら、これに限定されるものではない。

また、上記各実施形態においては、保護層３に添加するラジカル重合型モノマーとして、（メタ）アクリレート系モノマーを用いたが、これに限定されるものではない。

また、上記各実施形態に係る赤外線反射基板は、遮熱特性と断熱特性とを併せ持つ赤外線反射基板である。しかしながら、これに限定されるものではない。本発明に係る赤外線反射基板は、従来の遮熱特性のみを持つ赤外線反射基板にも適用できることは言うまでもない。

また、上記第三及び第四の実施形態においては、フィルムたる保護層３の形成方法の一例について説明した。しかしながら、かかるフィルムたる保護層３の形成方法は、これに限定されるものではない。

また、本発明に係る他の実施形態の赤外線反射基板及びその作製方法として、上記各実施形態の他、例えば、上記第四の実施形態で形成された反射層と保護層との積層体における反射層上に、さらに、第一の実施形態で示されたような基材をさらに積層することもできる。この場合、例えば、第三の実施形態で示されたような接着層を介して反射層上に基材を積層することができる。また、上記第四の実施形態で形成された反射層と保護層との積層体における反射層上に、第一の実施形態で示されたような粘着層をさらに積層することもできる。

１…基材、１ａ…一方の面、１ｂ…他方の面、２…反射層、２ａ…半透明金属層、２ｂ，２ｃ…金属酸化物層、３…保護層、３ａ・・・一方の面、４…粘着層、５…易接着層、６・・・接着層

Claims (10)

1. 反射層と保護層とを積層した赤外線反射基板の製造方法であって、
   前記反射層と、高分子を含有する前記保護層とを積層するステップと、
   前記保護層に電子線を照射するステップと、を備える赤外線反射基板の製造方法。
2. 前記赤外線反射板は、前記反射層と、前記保護層と、さらに基材とを有しており、
   前記反射層と前記保護層とを積層するステップが、
   前記基材の一方の面に前記反射層を形成するステップと、
   前記高分子を溶剤に溶解させた高分子組成物溶液を前記反射層上に塗布し、次いで溶液を乾燥させ前記保護層を形成するステップと、を備える、請求項１に記載の赤外線反射基板の製造方法。
3. 前記赤外線反射板は、前記反射層と、前記保護層と、さらに基材とを有しており、
   前記反射層と前記保護層とを積層するステップが、
   前記基材の一方の面に前記反射層を形成するステップと、
   前記保護層として前記高分子を有するフィルムを用い、該保護層と前記反射層とを貼合するステップと、を備える、請求項１に記載の赤外線反射基板の製造方法。
4. 前記保護層の厚さ１５μｍあたりの遠赤外線の透過率が６５％以上である、請求項１に記載の赤外線反射基板の製造方法。
5. 前記高分子は、前記電子線が照射されることにより架橋型の反応挙動を示すものである、請求項１に記載の赤外線反射基板の製造方法。
6. 前記高分子は、オレフィン系高分子またはシクロオレフィン系高分子である、請求項１に記載の赤外線反射基板の製造方法。
7. 前記高分子は、下記化学式Ｉの繰り返し単位Ａ、Ｂ及びＣのうち、少なくともいずれか二つ以上の繰り返し単位を含む、請求項１に記載の赤外線反射基板の製造方法。
   

   
8. 前記電子線を照射される前の保護層が、前記高分子１００重量部に対して１重量部〜２０重量部のラジカル重合性モノマーをさらに含む、請求項７に記載の赤外線反射基板の製造方法。
9. 前記電子線を照射された後の前記保護層のゲル分率が７０％以上である、請求項１に記載の赤外線反射基板の製造方法。
10. 前記保護層側表面の垂直放射率が０．４０以下である請求項１に記載の赤外線反射基板の製造方法。
    

Images