JPWO2013118660A1 - 半導体製造装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
基板上に比誘電率の異なる第1の膜及び第2の膜が交互に積層された多層膜をエッチングし、多層膜に所定形状の穴等を形成するための半導体製造装置の製造方法は、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスにより、多層膜を第1の深さまでエッチングする第1の工程と、第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスにより、多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングする第2の工程と、第2の工程後、多層膜の下地層に穴等が到達するまでオーバエッチングする第3の工程とを含む。
Description
本発明は、半導体製造装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。
3D NANDフラッシュメモリ等の三次元積層半導体メモリの製造には、プラズマを用いて積層膜に深穴や深溝を形成するエッチング工程がある(例えば、特許文献1を参照)。このエッチング工程では、例えば16層や32層に積層された多層膜のすべての膜を貫通し、下地膜まで連通するための穴や溝を形成することが必要になる。
しかしながら、上記エッチング工程では、マスクとして機能するフォトレジスト層も同様にエッチングされる。よって、積層膜の層数が多くなり、エッチングする穴が深くなるほど、フォトレジスト層がエッチング工程の途中で、穴や溝が下地膜まで貫通する前に消失する可能性が高まる。よって、積層膜のエッチングレートに対するフォトレジスト層のエッチングレートの比である選択比(以下、フォトレジスト層選択比と称する。)を高め、深穴が下地膜まで貫通する前にフォトレジスト層が消失しないようにする必要がある。
また、エッチングする穴が深くなるほど穴の底部にイオンが入り込みにくくなって、穴の底部でCD値(クリティカルディメンジョンの値)が規定値より小さくなる。よって、穴の底部においてもCD値(ボトムCD値)を良好な値に保つエッチング方法が望まれる。
そこで、一側面によれば、フォトレジスト層選択比を向上させ、CD値を良好に保つことが可能な、半導体製造装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
一の観点によれば、基板上に比誘電率の異なる第1の膜及び第2の膜が交互に積層された多層膜をプラズマによりエッチングし、前記多層膜に所定形状の穴又は溝を形成するための半導体製造装置の製造方法であって、
上部電極に対向して配置される下部電極に、27MHz以上60MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力と、380kHz以上1MHz以下のバイアス用の高周波電力とを印加し、
臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を第1の深さまでエッチングを実行する第1の工程と、
前記第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングを実行する第2の工程と、
前記第2の工程後、前記多層膜の下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する第3の工程と、を含むことを特徴とする半導体製造装置の製造方法が提供される。
上部電極に対向して配置される下部電極に、27MHz以上60MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力と、380kHz以上1MHz以下のバイアス用の高周波電力とを印加し、
臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を第1の深さまでエッチングを実行する第1の工程と、
前記第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングを実行する第2の工程と、
前記第2の工程後、前記多層膜の下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する第3の工程と、を含むことを特徴とする半導体製造装置の製造方法が提供される。
他の観点によれば、基板上に比誘電率の異なる第1の膜及び第2の膜が交互に積層された多層膜を生成されたプラズマによりエッチングし、前記多層膜に所定形状の穴又は溝を形成するための半導体製造装置であって、
上部電極に対向して配置される下部電極と、
27MHz以上60MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力を前記下部電極に印加する第1の高周波電源と、
380kHz以上1MHz以下のバイアス用の高周波電力を前記下部電極に印加する第2の高周波電源と、
臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を第1の深さまでエッチングを実行し、
前記第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングを実行し、
前記第2の工程後、前記多層膜の下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する制御装置と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
上部電極に対向して配置される下部電極と、
27MHz以上60MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力を前記下部電極に印加する第1の高周波電源と、
380kHz以上1MHz以下のバイアス用の高周波電力を前記下部電極に印加する第2の高周波電源と、
臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を第1の深さまでエッチングを実行し、
前記第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングを実行し、
前記第2の工程後、前記多層膜の下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する制御装置と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
一の態様によれば、フォトレジスト層選択比を向上させ、ボトムCD値の寸法を良好に保つことが可能な、半導体製造装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
[三次元積層半導体メモリの構造]
まず、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の製造方法を用いて製造される三次元積層半導体メモリの一例について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、3D NANDフラッシュメモリの構造を概念的に示した斜視図である。図2Aは、図1の3D NANDフラッシュメモリの1−1断面図である。図2Bは、図1の3D NANDフラッシュメモリの2−2断面図である。3D NANDフラッシュメモリは、三次元積層半導体メモリの一例である。
まず、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の製造方法を用いて製造される三次元積層半導体メモリの一例について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、3D NANDフラッシュメモリの構造を概念的に示した斜視図である。図2Aは、図1の3D NANDフラッシュメモリの1−1断面図である。図2Bは、図1の3D NANDフラッシュメモリの2−2断面図である。3D NANDフラッシュメモリは、三次元積層半導体メモリの一例である。
図1に示したNANDフラッシュメモリ100は、例えば、各々が消去の一単位となる複数のブロックから構成される。図1には、二つのブロックBK1、BK2が例示されている。ソース拡散層102は、半導体基板内に形成され、例えば全てのブロックに共通して1つ設けられる。ソース拡散層102は、コンタクトプラグPSを介して、ソース線SLに接続される。ソース拡散層102上には、例えば、比誘電率の異なる第1の膜及び第2の膜が交互に積層された多層膜が形成される。図1では、多層膜は図示の便宜のために6層構造であるが、16層や32層であってもよく、それ以上であってもよい。
図1では、最上層を除く残りの5つの膜は、各ブロックBK1、BK2内でそれぞれプレート状に形成され、かつ、そのX方向の端部は、各々の膜にコンタクトをとるために階段形状に形成される。これにより、多層膜は略ピラミッド状に形成される。最下層は、ソース線側セレクトゲート線SGSとなり、最下層及び最上層を除く残りの4つの膜は、4つのワード線WLとなる。
最上層は、X方向に延びるライン状の複数の導電線から構成される。1つのブロックBK1内には、例えば、6本の導電線が配置される。最上層の例えば6本の導電線は、6つのビット線側セレクトゲート線SGDとなる。
そして、NANDセルユニットを構成するための複数の活性層ACは、複数の膜を突き抜けてソース拡散層102に達するように、Z方向(半導体基板の表面に対して鉛直方向)に柱状に形成される。
複数の活性層ACの上端は、Y方向に延びる複数のビット線BLに接続される。また、ソース線側セレクトゲート線SGSは、コンタクトプラグPSGを介して、X方向に延びる引き出し線SGS1に接続され、ワード線WLは、それぞれコンタクトプラグPW1〜PW4を介してX方向に延びる引き出し線W1〜W4に接続される。
さらに、ビット線側セレクトゲート線SGDは、それぞれ、コンタクトプラグPSDを介して、X方向に延びる引き出し線SGD1に接続される。複数のビット線BL及び引き出し線SGS1,引き出し線W1〜W4は、例えば金属から構成される。
図2Aは、図1の1−1線に沿って切断された断面図である。ソース線側セレクトゲート線SGS及びワード線WL1〜WL4は、コンタクトプラグPSG、コンタクトプラグPW1〜PW4を介してX方向に延びる引き出し線SGS1,引き出し線W1〜W4から図示しないドライバを構成するトランジスタTrに接続される。
図2Bは、図1の2−2線に沿って切断された断面図である。NANDセルユニットを構成するための複数の活性層ACが、複数の膜SGD、WL4、WL3、WL2,WL1,SGSを突き抜けてソース拡散層102に達するように、Z方向(半導体基板の表面に対して鉛直方向)に柱状に形成される。以下のエッチング工程では、複数の活性層ACを形成するための深穴を形成する。
[プラズマ処理装置の全体構成]
次に、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成について、図3を参照しながら説明する。プラズマ処理装置10は、下部2周波数の平行平板型(容量結合型)プラズマエッチング装置として構成されており、例えば表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなる円筒形の真空チャンバ(処理容器)11を有している。チャンバ11は、接地されている。
次に、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成について、図3を参照しながら説明する。プラズマ処理装置10は、下部2周波数の平行平板型(容量結合型)プラズマエッチング装置として構成されており、例えば表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなる円筒形の真空チャンバ(処理容器)11を有している。チャンバ11は、接地されている。
チャンバ11内には、被処理体としての半導体ウエハW(以下、ウエハWと称呼する)を載置する載置台12が設けられている。載置台12は、たとえばアルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部14を介してチャンバ11の底から鉛直上方に延びる筒状支持部16に支持されている。載置台12の上面であって静電チャック40の周縁部には、エッチングの面内均一性を高めるために、例えばシリコンから構成されたフォーカスリング18が配置されている。
チャンバ11の側壁と筒状支持部16との間には排気路20が形成されている。排気路20には環状のバッフル板22が取り付けられている。排気路20の底部には排気口24が設けられ、排気管26を介して排気装置28に接続されている。排気装置28は図示しない真空ポンプを有しており、チャンバ11内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。チャンバ11の側壁には、ウエハWの搬入出口を開閉する搬送用のゲートバルブ30が取り付けられている。
載置台12には、プラズマ中のイオン引き込み用(バイアス用)の第1高周波電源31及びプラズマ生成用の第2高周波電源32が整合器33及び整合器34を介してそれぞれ電気的に接続されている。
第1高周波電源32は、チャンバ11内にてプラズマを生成するために適した周波数、例えば27MHz〜60MHzの第1高周波電力を載置台12に印加する。第2高周波電源31は、載置台12上のウエハWにプラズマ中のイオンを引き込むのに適した低めの周波数、例えば380KHz〜1MHzの第2高周波電力を載置台12に印加する。このようにして載置台12は下部電極としても機能する。チャンバ11の天井部には、後述するシャワーヘッド38が接地電位の上部電極として設けられている。これにより、第1高周波電源32からの高周波電力は載置台12とシャワーヘッド38との間に容量的に印加される。
載置台12の上面にはウエハWを静電吸着力で保持するための静電チャック40が設けられている。静電チャック40は導電膜からなる電極40aを一対の膜の間に挟み込んだものである。電極40aには直流電圧源42がスイッチ43を介して電気的に接続されている。静電チャック40は、直流電圧源42からの電圧により、クーロン力でウエハWを静電チャック上に吸着保持する。
伝熱ガス供給源52は、Heガス等の伝熱ガスをガス供給ライン54に通して静電チャック40の上面とウエハWの裏面との間に供給する。
天井部のシャワーヘッド38は、多数のガス通気孔56aを有する電極板56と、この電極板56を着脱可能に支持する電極支持体58とを有する。ガス供給源62は、ガス供給配管64を介してガス導入口60aからシャワーヘッド38内にガスを供給し、多数のガス通気孔56aからチャンバ11内に導入される。
チャンバ11の周囲には、環状または同心円状に延在する磁石66が配置され、磁力によりチャンバ11内のプラズマ生成空間にプラズマを閉じ込めるように機能する。
載置台12の内部には冷媒管70が設けられている。この冷媒管70には、チラーユニット71から配管72,73を介して所定温度の冷媒が循環供給される。また、静電チャック40の下側にはヒータ75が設けられている。ヒータ75には交流電源44から所望の交流電圧が印加される。かかる構成によれば、チラーユニット71による冷却とヒータ75による加熱によってウエハWを所望の温度に調整することができる。また、これらの温度制御は、制御装置80からの指令に基づき行われる。
制御装置80は、プラズマ処理装置10に取り付けられた各部、たとえば排気装置28、交流電源44、直流電圧源42、静電チャック用のスイッチ43、第1高周波電源32、第2高周波電源31、整合器33,34、伝熱ガス供給源52、ガス供給源62及びチラーユニット71を制御する。なお、制御装置80は、図示しないホストコンピュータとも接続されている。
制御装置80は、図示しないCPU(Central Processing Unit),ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)を有し、CPUは、図示しない記憶部に格納された各種レシピに従ってプラズマ処理を実行する。レシピが格納される記憶部は、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光学ディスクなどを用いてRAM、ROMとして実現されうる。レシピは、記憶媒体に格納して提供され、図示しないドライバを介して記憶部に読み込まれるものであってもよく、また、図示しないネットワークからダウンロードされて記憶部に格納されるものであってもよい。また、上記各部の機能を実現するために、CPUに代えてDSP(Digital Signal Processor)が用いられてもよい。なお、制御装置80の機能は、ソフトウエアを用いて動作することにより実現されてもよく、ハードウエアを用いて動作することにより実現されてもよし、ソフトウエアとハードウエアの両方を用いて実現されてもよい。
かかる構成のプラズマ処理装置10において、エッチングを行なう際には、先ずゲートバルブ30を開口して搬送アーム上に保持されたウエハWをチャンバ11内に搬入する。ウエハWは、図示しないプッシャーピンにより保持され、プッシャーピンが降下することにより静電チャック40上に載置される。ウエハWを搬入後、ゲートバルブ30が閉じられ、ガス供給源62からエッチングガスを所定の流量および流量比でチャンバ11内に導入し、排気装置28によりチャンバ11内の圧力を設定値に減圧する。さらに、第2高周波電源31からバイアス用、第1高周波電源32からプラズマ生成用の所定のパワーの高周波電力を載置台12に供給する。また、直流電圧源42から電圧を静電チャック40の電極40aに印加して、ウエハWを静電チャック40上に固定し、伝熱ガス供給源52から静電チャック40の上面とウエハWの裏面との間に伝熱ガスとしてHeガスを供給する。シャワーヘッド38からシャワー状に導入されたエッチングガスは、第1高周波電源32からの高周波電力によりプラズマ化され、これにより、上部電極(シャワーヘッド38)と下部電極(載置台12)との間のプラズマ生成空間にてプラズマが生成され、プラズマによってウエハWの主面がエッチングされる。また、第2高周波電源31からの高周波電力によりウエハWに向かってプラズマ中のイオンを引き込むことができる。
プラズマエッチング終了後、ウエハWがプッシャーピンにより持ち上げられ保持され、ゲートバルブ30を開口して搬送アームがチャンバ11内に搬入された後に、プッシャーピンが下げられウエハWが搬送アーム上に保持される。次いで、その搬送アームがチャンバ11の外へ出て、次のウエハWが搬送アームによりチャンバ11内へ搬入される。この処理を繰り返すことで連続してウエハWが処理される。
[積層膜のエッチング工程]
次に、本実施形態に係る積層膜(多層膜)のエッチング工程について、図4を参照しながら説明する。図4には、本実施形態にてエッチングが行われる積層膜の構造及びエッチング工程を示す。
<エッチング処理前の初期状態(a−1)>
まず、エッチング処理前の積層膜の初期状態について説明する。本実施形態では、基板S上に第1の膜110と第2の膜120とが交互に積層された36層の多層膜mlが形成されている。なお、多層膜mlは、第1の膜110及び第2の膜120が交互に20層以上積層されてもよい。
次に、本実施形態に係る積層膜(多層膜)のエッチング工程について、図4を参照しながら説明する。図4には、本実施形態にてエッチングが行われる積層膜の構造及びエッチング工程を示す。
<エッチング処理前の初期状態(a−1)>
まず、エッチング処理前の積層膜の初期状態について説明する。本実施形態では、基板S上に第1の膜110と第2の膜120とが交互に積層された36層の多層膜mlが形成されている。なお、多層膜mlは、第1の膜110及び第2の膜120が交互に20層以上積層されてもよい。
第1の膜110及び第2の膜120は、比誘電率が異なる膜である。比誘電率が異なる多層膜mlとして、本実施形態では、第1の膜110にシリコン酸化膜(SiO2)、第2の膜120にポリシリコン膜(不純物ドーピング)が形成されている。
ただし、第1の膜110及び第2の膜120の組み合わせは、上記のシリコン酸化膜(SiO2)/ポリシリコン膜(不純物ドーピング)に限られない。この場合、第1の膜110にポリシリコン膜(ドーピングなし)、第2の膜120にポリシリコン(不純物ドーピング)が形成されてもよい。不純物ドーピングの有無により第1の膜110及び第2の膜120の比誘電率を異ならせることができる。不純物ドーピングとしては、例えばボロン等をドーピングしてもよい。
第1の膜110及び第2の膜120の他の組み合わせとしては、第1の膜110にシリコン酸化膜(SiO2)、第2の膜120にシリコン窒化膜(SiN)が形成されてもよいし、第1の膜110にシリコン酸化膜(SiO2)、第2の膜120にポリシリコン膜(ドーピングなし)が形成されてもよい。
多層膜mlの直上には、マスクとして機能するフォトレジスト層PRが設けられている。フォトレジスト層PRには所望のパターンが形成されている。フォトレジスト層PRの材料としては、有機膜、アモルファスカーボン膜が一例として挙げられる。i線(波長365nm)のフォトレジスト層PRであってもよい。
本実施形態に係るエッチング工程が実行される一例としては、図1に示した複数の活性層ACを形成するために、積層膜を貫通する穴を形成する製造工程が挙げられる。以下では、このエッチング工程について図4を参照しながら説明する。
<メインエッチング工程(a−2)〜オーバエッチング工程(a−5)>
本実施形態では、4つのメインエッチング工程ME1〜ME4が実行された後、オーバエッチング工程OEが実行される。メインエッチング工程は、主に鉛直方向に穴を掘り進める工程であり、オーバエッチング工程OEは、穴の底部のボトムCD値を広げる工程である。図4には、メインエッチング工程ME1(a−2)、メインエッチング工程ME2(a−3)、メインエッチング工程ME3(a−4)、オーバエッチング工程OE(a−5)が順に示されている。図4では、メインエッチング工程ME4(a−*)は省略されているが、積層膜の穴の深さが深いほどこのメインエッチング工程の回数は増加してもよい。
<メインエッチング工程(a−2)〜オーバエッチング工程(a−5)>
本実施形態では、4つのメインエッチング工程ME1〜ME4が実行された後、オーバエッチング工程OEが実行される。メインエッチング工程は、主に鉛直方向に穴を掘り進める工程であり、オーバエッチング工程OEは、穴の底部のボトムCD値を広げる工程である。図4には、メインエッチング工程ME1(a−2)、メインエッチング工程ME2(a−3)、メインエッチング工程ME3(a−4)、オーバエッチング工程OE(a−5)が順に示されている。図4では、メインエッチング工程ME4(a−*)は省略されているが、積層膜の穴の深さが深いほどこのメインエッチング工程の回数は増加してもよい。
本実施形態では、レシピには各工程でのプロセス条件が次のように記憶されている。
<メインエッチング工程ME1(a−2)>
圧力 50mTorr(6.6661Pa)
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W(283.1/636.9W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=496/30/100sccm
<メインエッチング工程ME2(a−3)>
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=496/29/100sccm
<メインエッチング工程ME3(a−4)>
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=496/28/100sccm
<メインエッチング工程ME4(a−*)>
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=496/27/100sccm
<オーバエッチング工程OE(a−5)>
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 1500/1000W(212.3/141.5W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/Ar/NF3/CH4=450/450/25/60sccm
C4F8ガスは、第1の膜110であるシリコン酸化膜(SiO2)をエッチングするために必要なエッチングガスである。HBrガスは、第2の膜120であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)をエッチングするために必要なエッチングガスである。なお、Arガスは、供給する混合ガス中に含まれていなくてもよい。
<メインエッチング工程ME1(a−2)>
圧力 50mTorr(6.6661Pa)
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W(283.1/636.9W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=496/30/100sccm
<メインエッチング工程ME2(a−3)>
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=496/29/100sccm
<メインエッチング工程ME3(a−4)>
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=496/28/100sccm
<メインエッチング工程ME4(a−*)>
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=496/27/100sccm
<オーバエッチング工程OE(a−5)>
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 1500/1000W(212.3/141.5W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/Ar/NF3/CH4=450/450/25/60sccm
C4F8ガスは、第1の膜110であるシリコン酸化膜(SiO2)をエッチングするために必要なエッチングガスである。HBrガスは、第2の膜120であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)をエッチングするために必要なエッチングガスである。なお、Arガスは、供給する混合ガス中に含まれていなくてもよい。
メインエッチングMEでは、メインエッチング工程ME1→ME2→ME3→ME4の順に段階的に積層膜をエッチングする。メインエッチングMEのエッチングガスに含まれるC4F8ガスは、カーボンを含んでいる。カーボンが多いと、積層膜に形成する穴の壁面にカーボンが堆積し、エッチング工程の段階が進むほどエッチングしにくい状態を引き起こす原因となる。この結果、穴は細くなり、特に穴の底部にて穴が狭くなり、ボトムCD値が規定値より小さくなる。そこで、上記レシピでは、メインエッチング工程の段階が進むほどC4F8ガスの流量を減らし、カーボンの堆積量を減らすことでボトムCD値の径を確保している。
第2の膜120であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)をエッチングするためのエッチングガスは、臭化水素HBrガス等の臭素含有ガスに限られず、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスであればよい。また、第1の膜110であるシリコン酸化膜(SiO2)をエッチングするためのエッチングガスは、C4F8ガスに限られず、CF系ガスであればよい。
メインエッチング工程MEとオーバエッチング工程OEとでは供給するパワーが異なる。オーバエッチング工程OEでは、穴の底部のボトムCD値を広げる工程であり、等方向エッチングを実行したいため、バイアス用高周波電力である第2高周波電力を4500Wから1000Wに下げる。また、下地膜の保護のためにも第2高周波電力を1000Wに下げる。また、オーバエッチング工程OEでは、ボトムCD値を広げる工程であり、横方向にエッチングしやすいエッチングガスとしてNF3ガス及びCH4ガスを供給する。
なお、メインエッチング工程ME1は、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスにより、前記多層膜を第1の深さまでエッチングする第1の工程に相当する。
また、メインエッチング工程ME2は、第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスにより、多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングする第2の工程に相当する。第2の工程にて供給されるCF系ガスの第2の流量は、前記第1の工程にて供給されるCF系ガスの第1の流量より少ない。
また、オーバエッチング工程OEは、前記第1及び第2の工程後、前記多層膜の下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する第3の工程に相当する。
また、メインエッチング工程ME3、ME4は、前記第1及び第2の工程後であって前記第3の工程の前に、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと第3の流量のCF系ガスとを含むガスにより、多層膜を第3の深さまでエッチングする第4の工程に相当する。第4の工程にて供給されるCF系ガスの第3の流量は、前記第2の工程にて供給されるCF系ガスの第2の流量より更に少ない。
[半導体製造装置の製造方法]
次に、本実施形態に係る半導体製造装置の製造方法について、図5を参照しながら説明する。図5は、本実施形態にて行われるエッチング処理を示したフローチャートである。
次に、本実施形態に係る半導体製造装置の製造方法について、図5を参照しながら説明する。図5は、本実施形態にて行われるエッチング処理を示したフローチャートである。
本実施形態に係るエッチング工程は、図示しない記憶部に記憶された上記レシピに基づき制御装置80によって実行される。本実施形態のエッチング工程が開始されると、まず、ステップS400にて、記憶部に記憶された上記レシピを読み込む(ステップS400)。
次に、メインエッチング工程の番号nに「1」を代入する(ステップS402)。次に、ステップS400にて読み込まれたレシピに従い、メインエッチング工程MEnを実行する(ステップS404)。ここでは、メインエッチング工程ME1が実行される。この結果、図4のメインエッチング工程ME1(a−2)に示したように、積層膜に複数の穴が形成される。
次に、メインエッチング工程の番号nを「1」加算する(ステップS406)。この時点では、メインエッチング工程の番号nは「2」となる。ついで、メインエッチング工程の番号nがメインエッチングの実行回数を超えたかを判定する(ステップS408)。本実施形態では、メインエッチングの実行回数は「4」である。よって、メインエッチング工程の番号nはメインエッチングの実行回数を超えていないと判定し、レシピに従い、前回のエッチング工程ME1よりCF系ガスの流量を減らして、メインエッチング工程MEnを実行する(ステップS410)。ここでは、メインエッチング工程ME2が実行される。この結果、図4のメインエッチング工程ME2(a−3)に示したように、積層膜に形成された複数の穴が更に深くなる。
次に、ステップS406に戻り、メインエッチング工程の番号nを「1」加算する(ステップS406)。この時点では、メインエッチング工程の番号nは「3」となる。ついで、メインエッチング工程の番号nがメインエッチングの実行回数を超えたかを判定する(ステップS408)。ここでは、メインエッチング工程の番号n(=3)はメインエッチングの実行回数4を超えていないと判定し、レシピに従い、前回のエッチング工程ME2よりCF系ガスの流量を減らして、メインエッチング工程MEnを実行する(ステップS410)。ここでは、メインエッチング工程ME3が実行される。この結果、図4のメインエッチング工程ME3(a−4)に示したように、積層膜に形成された複数の穴が更に深くなる。
更にステップS406〜ステップS410の処理を実行することにより、メインエッチング工程ME4が実行される。その後、ステップS406に戻ってnを「1」加算する。このとき、メインエッチング工程の番号n(=5)は、メインエッチングの実行回数4を超えたと判定される(ステップS408)。
よって、ステップS412に進み、バイアス用の第2高周波電力の連続波形をパルス変調しパルス状に印加を開始し(ステップS412)、読み込まれたレシピに従い、オーバエッチング工程OEを実行する(ステップS414)。この結果、図4のオーバエッチング工程OE(a−5)に示したように、積層膜(多層膜ml)に形成された複数の穴が下地膜ulまで貫通する。
[実験結果]
(パルス変調)
本実施形態では、オーバエッチング工程OEにてバイアス用の第2高周波電力の連続波形をパルス変調した。つまり、本実施形態では、オーバエッチング工程時、第2高周波電源31から出力された高周波電力をパルス状に印加した。その実験結果を連続波形の場合と比較して図6に示す。図6Aは、高周波電力の印加方法が連続波形、パルス状の場合に上記エッチング工程により形成された複数の深穴の走査型電子顕微鏡SEM(Scanning Electron Microscope)写真を図示したものである。膜構造としては、図6Aの上部から、フォトレジスト層PR,第1の膜であるSiO2,第2の膜であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)が交互に積層された多層膜ml(積層膜),下地膜ulが形成されている。積層膜の各層の厚さは、30nm程度であり、36層積層されている。ただし、積層膜の各層の厚さや層数は、これに限られない。下地膜ulとしては、例えば、High−k材料が挙げられる。フォトレジスト層PRをマスクとして複数の穴が多層膜mlに形成されている。
(パルス変調)
本実施形態では、オーバエッチング工程OEにてバイアス用の第2高周波電力の連続波形をパルス変調した。つまり、本実施形態では、オーバエッチング工程時、第2高周波電源31から出力された高周波電力をパルス状に印加した。その実験結果を連続波形の場合と比較して図6に示す。図6Aは、高周波電力の印加方法が連続波形、パルス状の場合に上記エッチング工程により形成された複数の深穴の走査型電子顕微鏡SEM(Scanning Electron Microscope)写真を図示したものである。膜構造としては、図6Aの上部から、フォトレジスト層PR,第1の膜であるSiO2,第2の膜であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)が交互に積層された多層膜ml(積層膜),下地膜ulが形成されている。積層膜の各層の厚さは、30nm程度であり、36層積層されている。ただし、積層膜の各層の厚さや層数は、これに限られない。下地膜ulとしては、例えば、High−k材料が挙げられる。フォトレジスト層PRをマスクとして複数の穴が多層膜mlに形成されている。
図6A及び図6Bに示した連続波形は、バイアス用の高周波電力の放電方法が連続波形であることを示す。図6A及び図6Bに示したデューティー比が「70%」、デューティー比が「60%」、デューティー比が「50%」の「パルス放電」は、バイアス用の高周波電力の印加方法がパルス状の印加であることを示す。デューティー比が「70%」の場合、高周波電力を印加している間が70%、印加していない間が30%となる。また、高周波電力のパルス変調は2kHzである。
(フォトレジスト層PRの残膜)
図7では、図6A及び図6Bのエッチング結果をグラフで示す。図7を参照すると、棒グラフで示したフォトレジスト層PRの残膜については、高周波電力のパルス状の印加の場合、連続波形の場合と比較して、フォトレジスト層PRがより多く残っていることが分かる。積層膜の深さが同じであるため積層膜のエッチングレートに対するフォトレジスト層PRのエッチングレートの比であるフォトレジスト層選択比が向上していることがわかる。つまり、フォトレジスト層PRの残膜の量が多いほどフォトレジスト層選択比が高いことを示す。また、フォトレジスト層PRの残膜はデューティー比で制御できることがわかる。具体的には、デューティー比を下げるとフォトレジスト層PRの残膜は上がる。デューティー比を下げるほど、高周波電力を印加する時間が短くなり、高周波電力を印加していない間、フォトレジスト層PRはイオンによりアタックされないためエッチングが抑制される。このため、デューティー比を下げるほどフォトレジスト層PRの残り量が多くなると考えられる。図7では、パルス放電のフォトレジスト層PRの残膜は、連続波形のフォトレジスト層PRの残膜と比べると、デューティー比70%の場合に約1.5倍、デューティー比60%の場合に約3倍、デューティー比50%の場合に約4倍となる。
(ボトムCD値)
前述したように、高周波電力を連続波形し、プラスのイオンを打ち込み続けると、穴の底部にはプラスの電荷がチャージされる。その状態で更にプラスのイオンを穴に打ち込むと、穴の底部にチャージされているプラスの電荷とイオンとが反発し合い、イオンを穴の底部に打ち込むことができなくなる。つまり、穴の底部がエッチングされないことになる。
(フォトレジスト層PRの残膜)
図7では、図6A及び図6Bのエッチング結果をグラフで示す。図7を参照すると、棒グラフで示したフォトレジスト層PRの残膜については、高周波電力のパルス状の印加の場合、連続波形の場合と比較して、フォトレジスト層PRがより多く残っていることが分かる。積層膜の深さが同じであるため積層膜のエッチングレートに対するフォトレジスト層PRのエッチングレートの比であるフォトレジスト層選択比が向上していることがわかる。つまり、フォトレジスト層PRの残膜の量が多いほどフォトレジスト層選択比が高いことを示す。また、フォトレジスト層PRの残膜はデューティー比で制御できることがわかる。具体的には、デューティー比を下げるとフォトレジスト層PRの残膜は上がる。デューティー比を下げるほど、高周波電力を印加する時間が短くなり、高周波電力を印加していない間、フォトレジスト層PRはイオンによりアタックされないためエッチングが抑制される。このため、デューティー比を下げるほどフォトレジスト層PRの残り量が多くなると考えられる。図7では、パルス放電のフォトレジスト層PRの残膜は、連続波形のフォトレジスト層PRの残膜と比べると、デューティー比70%の場合に約1.5倍、デューティー比60%の場合に約3倍、デューティー比50%の場合に約4倍となる。
(ボトムCD値)
前述したように、高周波電力を連続波形し、プラスのイオンを打ち込み続けると、穴の底部にはプラスの電荷がチャージされる。その状態で更にプラスのイオンを穴に打ち込むと、穴の底部にチャージされているプラスの電荷とイオンとが反発し合い、イオンを穴の底部に打ち込むことができなくなる。つまり、穴の底部がエッチングされないことになる。
そこで、本実施形態では、バイアス用の高周波電力を高速でパルス変調しパルス状に印加する。これにより、高周波電力を印加している間に穴の底部にチャージされたプラスの電荷は、高周波電力を印加していない間に穴の底部からディスチャージされる。これによれば、パルス状に高周波電力を印加することで穴の底部に溜まったプラスの電荷を減らすことができる。それにより、プラスの電荷とイオンとの反発が抑制されるため、穴の底部にプラスのイオンを打ち込み易くなる。その結果、穴底のエッチングが促進されボトムCD値の径を大きくすることができる。
図7に示したボトムCD値について参照すると、パルス放電の場合、連続波形の場合と比較して、ボトムCD値が大きく、多層膜mlに形成された穴が垂直形状になり、ボトムCD値の径を大きくすることができていることがわかる。
以上のように、パルス状に高周波電力を印加することにより、所望のフォトレジスト層選択比が確保できるようになる。これに加えて、バイアス用の高周波電力をパルス状に印加することにより連続波形の場合よりボトムCD値の径を大きくすることができる。
なお、ボトムCD値は、多層膜mlの最下層のボトムCD値を測定してもよく、最下層から数層上層のボトムCD値を測定してもよい。
また、本実施形態では、オーバエッチング工程OE時にバイアス用の高周波電力を連続波形からパルス変調によりパルス状に変更したが、これに限らず、メインエッチング工程MEからオーバエッチング工程OEまでの全工程においてバイアス用の高周波電力をパルス変調しパルス状に印加してもよい。また、メインエッチング工程MEの途中からオーバエッチング工程OEまでバイアス用の高周波電力をパルス変調によりパルス状に印加してもよい。ただし、少なくともオーバエッチング工程OE時には、ボトムCD値を効率的に広げるためにパルス変調しパルス状に印加する必要がある。
(パルス変調のデューティー比)
本実施形態では、バイアス用の高周波電力のパルス変調のデューティー比を50%〜70%の範囲に設定し、その周波数を2kHzに設定して、下部電極に印加した。この場合、バイアス用のパルス状の高周波電力を2kHzに設定して連続波形の場合より大幅な特性改善が得られた。よって、第2高周波電源31から下部電極に印加されるバイアス用のパルス状の高周波電力は、デューティー比が50%〜70%の範囲のいずれかであって、0.2KHz〜10KHzのパルス変調であることが好ましい。
(パルス変調のデューティー比)
本実施形態では、バイアス用の高周波電力のパルス変調のデューティー比を50%〜70%の範囲に設定し、その周波数を2kHzに設定して、下部電極に印加した。この場合、バイアス用のパルス状の高周波電力を2kHzに設定して連続波形の場合より大幅な特性改善が得られた。よって、第2高周波電源31から下部電極に印加されるバイアス用のパルス状の高周波電力は、デューティー比が50%〜70%の範囲のいずれかであって、0.2KHz〜10KHzのパルス変調であることが好ましい。
しかしながら、バイアス用の高周波電力は、少なくともデューティー比を20%〜80%の範囲のいずれかに設定した、0.2KHz〜10KHzのパルス変調であってもよい。言い換えれば、バイアス用の高周波電力のパルス変調のデューティー比は20%以上である必要がある。バイアス用の高周波電力のパルス変調のデューティー比が0〜20%の場合、高周波の印加時間は20%以下と短いため、エッチングが促進されず、スループットが低下するためである。また、バイアス用の高周波電力のパルス変調のデューティー比は80%以下である必要がある。バイアス用の高周波電力のパルス変調のデューティー比が80〜100%の場合、高周波電力の印加時間が80%以上と長いため、穴の底部にプラスの電荷がチャージされたままとなり、連続波形の場合と同様に穴の底部をエッチングしにくくなり、ボトムCD値を広げることが困難になるためである。
(高周波電力の周波数)
次に、バイアス用の高周波電力の周波数を400kHzに設定した場合について、図8及び図9を参照しながら説明する。本実施形態のエッチング工程では、バイアス用の第2の高周波電力の周波数を3.2MHzと400kHzとに設定し、比較した。プロセス条件を以下に示す。
・共通プロセス条件
圧力 50mTorr(6.6661Pa)
第1の高周波電力 周波数/パワー 60MHz/2000W(283.1W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=500/30〜26/100sccm
・各プロセス条件
(エッチング工程1)
第2の高周波電力 周波数/パワー 3.2MHz/4000W(566.2W/cm2)
(エッチング工程2)
第2の高周波電力 周波数/パワー 3.2MHz/5300W(707.8W/cm2)
(エッチング工程3)
第2の高周波電力 周波数/パワー 400kHz/4000W(566.2W/cm2)
(エッチング工程4)
第2の高周波電力 周波数/パワー 400kHz/4500W(637.0W/cm2)
図8A及び図8Bに上記エッチング工程1〜エッチング工程4の場合のエッチングの結果を示す。図8Aは、上記エッチング工程1〜エッチング工程4により形成された複数の穴の走査型電子顕微鏡SEM(Scanning Electron Microscope)写真を図示したものである。膜構造としては、図8Aの上部から、フォトレジスト層PR,第1の膜であるSiO2,第2の膜であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)が交互に積層された多層膜ml(積層膜),下地膜ulが形成されている。フォトレジスト層PRをマスクとして複数の深穴が多層膜mlを貫通している。
次に、バイアス用の高周波電力の周波数を400kHzに設定した場合について、図8及び図9を参照しながら説明する。本実施形態のエッチング工程では、バイアス用の第2の高周波電力の周波数を3.2MHzと400kHzとに設定し、比較した。プロセス条件を以下に示す。
・共通プロセス条件
圧力 50mTorr(6.6661Pa)
第1の高周波電力 周波数/パワー 60MHz/2000W(283.1W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/Ar=500/30〜26/100sccm
・各プロセス条件
(エッチング工程1)
第2の高周波電力 周波数/パワー 3.2MHz/4000W(566.2W/cm2)
(エッチング工程2)
第2の高周波電力 周波数/パワー 3.2MHz/5300W(707.8W/cm2)
(エッチング工程3)
第2の高周波電力 周波数/パワー 400kHz/4000W(566.2W/cm2)
(エッチング工程4)
第2の高周波電力 周波数/パワー 400kHz/4500W(637.0W/cm2)
図8A及び図8Bに上記エッチング工程1〜エッチング工程4の場合のエッチングの結果を示す。図8Aは、上記エッチング工程1〜エッチング工程4により形成された複数の穴の走査型電子顕微鏡SEM(Scanning Electron Microscope)写真を図示したものである。膜構造としては、図8Aの上部から、フォトレジスト層PR,第1の膜であるSiO2,第2の膜であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)が交互に積層された多層膜ml(積層膜),下地膜ulが形成されている。フォトレジスト層PRをマスクとして複数の深穴が多層膜mlを貫通している。
図9は、図8の結果をグラフ化した図である。図8A、図8B及び図9を参照すると、エッチング工程2の「第2の高周波電力 周波数/パワー 3.2MHz/5300W」の場合より、エッチング工程4の「第2の高周波電力 周波数/パワー 400kHz/4500W(637.0W/cm2)」の場合のほうが、穴がより深くエッチングされ、フォトレジスト層選択比も良好であった。これは、第2の高周波電力の周波数が3.2MHzであって、そのパワーが5300Wの条件よりも、第2の高周波電力の周波数が400kHzであって、そのパワーが4500Wの方が深くエッチングできることを示している。つまり、第2の高周波電力の周波数が3.2MHzの場合、高周波電力を5300Wと高パワーにしても深くエッチングできず、第2の高周波電力の周波数が400kHzの場合には、高周波電力を5300Wより低い4500Wに設定しても第2の高周波電力の周波数が3.2MHzの場合よりも深くエッチングできることがわかる。
フォトレジスト層選択比に関しても、第2の高周波電力の周波数が3.2MHzであって、その高周波電力が5300Wの条件よりも、第2の高周波の周波数が400kHzであって、その高周波電力が4500Wの方が、フォトレジスト層選択比が大きく、フォトレジスト層PRの減りが少ないことがわかる。
バイアス用の高周波電力を印加すると、下部電極に負の電圧が掛かり、プラズマ中のイオンが下部電極に向かって引き込まれる。これにより、フォトレジスト層PRにより形成されたパターン(ここでは複数の穴)にプラズマ中のイオンが叩き込まれ、穴がエッチングされて徐々に深くなっていく。
バイアス用の高周波電力が400kHzの場合、バイアス用の高周波電力が3.2MHzの場合よりシース領域にかかる電圧は大きい。よって、バイアス用の高周波電力が400kHzの場合、バイアス用の高周波電力が3.2MHzの場合よりシース領域内でプラズマ中のイオンがより加速される。この結果、バイアス用の高周波電力が400kHzの場合にはボトムCD値の径を大きくすることができるため、穴をより深くエッチングすることができ、フォトレジスト層選択比を向上させることができる。一方、バイアス用の高周波電力が3.2MHzの場合にはボトムCD値の径を大きくすることができないため、穴を深くエッチングすることができず、フォトレジスト層選択比を向上させることができない。
[変形例]
最後に上記実施形態の変形例について説明する。上記実施形態では、メインエッチング工程MEのガス種はHBr/C4F8/Arであった。一方、本変形例では、メインエッチング工程MEのガス種に、上記実施形態のガス種に加えて、硫化カルボニル又は六フッ化硫黄を含む。以下に、本変形例にけるプロセス条件を明記する。
(メインエッチング工程ME1)
圧力 50mTorr(6.6661Pa)
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W(283.1/636.9W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/SF6又はCOS/Ar=496/40/25/100sccm
(メインエッチング工程ME2)
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/SF6又はCOS/Ar=496/36/25/100sccm
(メインエッチング工程ME3)
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/SF6又はCOS/Ar=496/32/25/100sccm
(メインエッチング工程ME4)
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/SF6又はCOS/Ar=496/28/25/100sccm
(オーバエッチング工程OE)
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 1500/1000W(212.3/141.5W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/Ar/NF3/CH4=450/450/25/60sccm
本変形例では、メインエッチング工程ME1〜ME4にてSF6又はCOSが添加されることにより、硫化物の堆積物が特に第2の膜120であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)に対して保護膜になり、第1の膜110であるシリコン酸化膜(SiO2)に対してポリシリコン膜のみがエッチングされ、積層膜に形成された穴形状に凹凸が生じてしまうという課題を解決することができる。
最後に上記実施形態の変形例について説明する。上記実施形態では、メインエッチング工程MEのガス種はHBr/C4F8/Arであった。一方、本変形例では、メインエッチング工程MEのガス種に、上記実施形態のガス種に加えて、硫化カルボニル又は六フッ化硫黄を含む。以下に、本変形例にけるプロセス条件を明記する。
(メインエッチング工程ME1)
圧力 50mTorr(6.6661Pa)
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W(283.1/636.9W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/SF6又はCOS/Ar=496/40/25/100sccm
(メインエッチング工程ME2)
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/SF6又はCOS/Ar=496/36/25/100sccm
(メインエッチング工程ME3)
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/SF6又はCOS/Ar=496/32/25/100sccm
(メインエッチング工程ME4)
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 2000/4500W
ガス種及びガス流量 HBr/C4F8/SF6又はCOS/Ar=496/28/25/100sccm
(オーバエッチング工程OE)
圧力 50mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力 1500/1000W(212.3/141.5W/cm2)
ガス種及びガス流量 HBr/Ar/NF3/CH4=450/450/25/60sccm
本変形例では、メインエッチング工程ME1〜ME4にてSF6又はCOSが添加されることにより、硫化物の堆積物が特に第2の膜120であるポリシリコン膜(不純物ドーピング)に対して保護膜になり、第1の膜110であるシリコン酸化膜(SiO2)に対してポリシリコン膜のみがエッチングされ、積層膜に形成された穴形状に凹凸が生じてしまうという課題を解決することができる。
これを、図10を参照しながら説明する。図10のS10は、メインエッチング工程MEのガス種HBr/C4F8/ArにSF6又はCOSを添加しない場合の結果である。この場合、ポリシリコン膜120にサイドエッチングが発生し、積層膜に形成された穴形状に凹凸が生じている。
一方、図10のS20は、メインエッチング工程ME1〜ME4にてHBr/C4F8/ArのガスにSF6又はCOSが添加された本変形例のエッチング結果を示す。この場合、図10のS10にて生じていたポリシリコン膜のサイドエッチングがなく、穴形状に凹凸が生じていない。これは、SF6ガス又はCOSガスを添加すると、硫化物の堆積物がポリシリコン膜に対して保護膜になり、ポリシリコン膜のサイドエッチングが生じず、エッチングされた穴の側面に生じていた凹凸を改善することができるためである。なお、メインエッチング工程MEのガス種HBr/C4F8/Arに添加するガスは、SF6ガス又はCOSガスに限らず、SO2など硫黄(S)含有ガスであればよい。
なお、SF6の添加量(ガス流量)は、20〜100sccmが好ましい。COSの添加量(ガス流量)も同様に、20〜100sccmが好ましい。また、オーバエッチング工程OEにおいて第2高周波電力をパルス変調しパルス状に印加することによりボトムCD値を大きくすることができる。
[効果]
以上に説明したように、本実施形態では、次のプロセス条件(1)〜(6)をすべて満たした状態で、多層膜mlをエッチングする。
(1)上部電極と下部電極とを有する平行平板型プラズマ処理装置(CCPプラズマ処理装置)を使用してエッチングを行う。
(2)第1の高周波電源31から27MHz以上60MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力を下部電極に印加し、第2の高周波電源32から380kHz以上1MHz以下のバイアス用の高周波電力を該下部電極に印加する。
(3)プラズマにより基板上に比誘電率の異なる第1の膜及び第2の膜が交互に積層された多層膜mlをエッチングし、多層膜mlに所定形状の穴又は溝を形成する。
(4)臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスにより、多層膜mlを第1の深さまでエッチングする。
(5)第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスにより、多層膜mlを前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングする。
(6)第1及び第2の工程後、多層膜mlの下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する。
以上に説明したように、本実施形態では、次のプロセス条件(1)〜(6)をすべて満たした状態で、多層膜mlをエッチングする。
(1)上部電極と下部電極とを有する平行平板型プラズマ処理装置(CCPプラズマ処理装置)を使用してエッチングを行う。
(2)第1の高周波電源31から27MHz以上60MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力を下部電極に印加し、第2の高周波電源32から380kHz以上1MHz以下のバイアス用の高周波電力を該下部電極に印加する。
(3)プラズマにより基板上に比誘電率の異なる第1の膜及び第2の膜が交互に積層された多層膜mlをエッチングし、多層膜mlに所定形状の穴又は溝を形成する。
(4)臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスにより、多層膜mlを第1の深さまでエッチングする。
(5)第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスにより、多層膜mlを前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングする。
(6)第1及び第2の工程後、多層膜mlの下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する。
これによれば、フォトレジスト層選択比を高め、深穴が下地膜ulまで貫通する前にフォトレジスト層PRが消失しないようにすることができる。また、エッチングする穴が深くなっても、穴の底部のボトムCD値を広くとることができ、ボトムCD値の径を大きくすることができるエッチング方法を提供することができる。これにより、積層膜の層数が20層以上になっても、ボトムCD値の径を大きくすることができる良好な形状の深穴を積層膜に形成することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明に係る半導体製造装置の製造方法及び半導体製造装置はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明に係る半導体製造装置の製造方法及び半導体製造装置の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上記実施形態では、積層膜に穴を形成する実施形態について説明したが、本発明に係る半導体製造装置の製造方法は、積層膜にラインアンドスペース(L&S)を形成する場合にも適用可能である。
また、例えば、本発明に係る半導体製造装置の製造方法は、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を第1の深さまでエッチングを実行する第1の工程と、前記第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングを実行する第2の工程と、前記第2の工程後、前記多層膜の下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する第3の工程と、を含み、少なくとも前記第3の工程は、前記パルス状の高周波電力を前記下部電極に印加してもよい。
前記第2の高周波電源から前記下部電極に印加されるパルス状の高周波電力のデューティー比は20%〜80%の範囲のいずれかであり、0.2KHz〜10KHzの変調パルスであってもよい。
前記パルス状の高周波電力のデューティー比は50%〜70%の範囲のいずれかであってもよい。
前記第2の工程にて供給されるCF系ガスの第2の流量は、前記第1の工程にて供給されるCF系ガスの第1の流量より少なくてもよい。
前記第1及び第2の工程後であって前記第3の工程の前に、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかからなるガスと第3の流量のCF系ガスとを含むガスにより、前記多層膜を第3の深さまでエッチングする第4の工程を更に含み、前記第3の流量は前記第2の流量より更に少なくてもよい。
前記第3の工程は、臭素含有ガス、フッ素含有ガス、水素及びカーボン含有ガスを含むガスにより、前記オーバエッチングを実行してもよい。
前記第1、第2、及び前記第3の工程の少なくともいずれかで使用されるガスは、不活性ガスを含んでもよい。
前記第1及び第2の工程で使用されるガスは、硫黄含有ガスであってもよい。
前記第1及び第2の工程で使用されるガスは、硫化カルボニル又は六フッ化硫黄であってもよい。
前記第1の膜はシリコン酸化膜からなり、前記第2の膜はポリシリコン膜からなってもよい。
前記多層膜は、前記第1の膜及び前記第2の膜が交互に20層以上積層されてもよい。
また、本発明においてプラズマ処理を施される被処理体は、半導体ウエハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)用の大型基板、EL素子又は太陽電池用の基板であってもよい。
本国際出願は、2012年2月9日に出願された日本国特許出願2012−025830号に基づく優先権、2012年2月13日に出願された米国仮出願61/597876号に基づく優先権、2012年4月5日に出願された日本国特許出願2012−086576号に基づく優先権、及び2012年4月10日に出願された米国仮出願61/622052号に基づく優先権を主張するものであり、その全内容を本国際出願に援用する。
10 プラズマ処理装置
11 チャンバ
12 載置台(下部電極)
31 第2高周波電源(バイアス用)
32 第1高周波電源(プラズマ生成用)
38 シャワーヘッド(上部電極)
62 ガス供給源
80 制御装置
110 第1の膜
120 第2の膜
PR フォトレジスト層
ml 多層膜
ul 下地膜
11 チャンバ
12 載置台(下部電極)
31 第2高周波電源(バイアス用)
32 第1高周波電源(プラズマ生成用)
38 シャワーヘッド(上部電極)
62 ガス供給源
80 制御装置
110 第1の膜
120 第2の膜
PR フォトレジスト層
ml 多層膜
ul 下地膜
Claims (13)
- 基板上に比誘電率の異なる第1の膜及び第2の膜が交互に積層された多層膜をプラズマによりエッチングし、前記多層膜に所定形状の穴又は溝を形成するための半導体製造装置の製造方法であって、
上部電極に対向して配置される下部電極に、27MHz以上60MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力と、380kHz以上1MHz以下のバイアス用の高周波電力とを印加し、
臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を第1の深さまでエッチングを実行する第1の工程と、
前記第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングを実行する第2の工程と、
前記第2の工程後、前記多層膜の下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する第3の工程と、を含むことを特徴とする半導体製造装置の製造方法。 - 少なくとも前記第3の工程は、前記パルス状の高周波電力を前記下部電極に印加することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記第2の高周波電源から前記下部電極に印加されるパルス状の高周波電力のデューティー比は20%〜80%の範囲のいずれかであり、0.2KHz〜10KHzの変調パルスであることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記パルス状の高周波電力のデューティー比は50%〜70%の範囲のいずれかであることを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記第2の工程にて供給されるCF系ガスの第2の流量は、前記第1の工程にて供給されるCF系ガスの第1の流量より少ないことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記第1及び第2の工程後であって前記第3の工程の前に、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第3の流量のCF系ガスとを含むガスにより、前記多層膜を第3の深さまでエッチングする第4の工程を更に含み、
前記第3の流量は前記第2の流量より更に少ないことを特徴とする請求項5に記載の半導体製造装置の製造方法。 - 前記第3の工程は、臭素含有ガス、フッ素含有ガス、水素及びカーボン含有ガスを含むガスにより、前記オーバエッチングを実行することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記第1、第2、及び前記第3の工程の少なくともいずれかで使用されるガスは、不活性ガスを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記第1及び第2の工程で使用されるガスは、硫黄含有ガスであることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記第1及び第2の工程で使用されるガスは、硫化カルボニル又は六フッ化硫黄であることを特徴とする請求項9に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記第1の膜はシリコン酸化膜からなり、前記第2の膜はポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 前記多層膜は、前記第1の膜及び前記第2の膜が交互に20層以上積層されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置の製造方法。
- 基板上に比誘電率の異なる第1の膜及び第2の膜が交互に積層された多層膜を生成されたプラズマによりエッチングし、前記多層膜に所定形状の穴又は溝を形成するための半導体製造装置であって、
上部電極に対向して配置される下部電極と、
27MHz以上60MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力を前記下部電極に印加する第1の高周波電源と、
380kHz以上1MHz以下のバイアス用の高周波電力を前記下部電極に印加する第2の高周波電源と、
臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと第1の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を第1の深さまでエッチングを実行し、
前記第1の工程後、臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガスの少なくともいずれかのガスと前記第1の流量と異なる第2の流量のCF系ガスとを含むガスから生成されたプラズマにより、前記多層膜を前記第1の深さと異なる第2の深さまでエッチングを実行し、
前記第2の工程後、前記多層膜の下地層に前記穴又は溝が到達するまでオーバエッチングを実行する制御装置と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
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