JPWO2013031863A1 - 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランクの品質管理方法 - Google Patents

反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランクの品質管理方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、基板、露光光を反射する反射多層膜、及び前記露光光を吸収する吸収層をこの順で有する反射型マスクブランクにおいて、前記反射多層膜の表面又は前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される一の層の表面に凹状又は凸状に形成され、前記反射多層膜の基準位置を示す基準マークをさらに有し、該基準マークは、該基準マークの周辺とは所定波長の光に対する反射率が異なるように形成され、前記基準マーク上に成膜される層に転写される、反射型マスクブランクに関する。

Description

本発明は、反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランクの品質管理方法に関する。
近年、サイズ４０ｎｍ以下の微細パターンの転写を可能とするため、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光を用いたＡｒＦ露光技術に代わり、ＥＵＶ露光技術が有望視されている。ＥＵＶ露光技術では、露光光として、ＡｒＦエキシマレーザ光よりも短波長のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光が用いられる。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線及び真空紫外光を含み、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、露光光として１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶ光が主に検討されている。
ＥＵＶ露光（ＥＵＶＬ）技術では、反射型フォトマスクが用いられる。この反射型フォトマスクは、基板上に反射多層膜及び吸収層をこの順で形成し、吸収層の一部を除去してなる。吸収層は所定のパターンに形成される。反射型フォトマスクに入射したＥＵＶ光は、吸収層のある部分では吸収され、吸収層のない部分では反射多層膜で反射され光学系によって露光材料の表面に結像される。このようにして、吸収層のパターンが露光材料の表面に転写される。
反射多層膜は、屈折率の異なる複数種類の層を所定の順序で基板上に繰り返し積層した周期構造を有する。例えば、反射多層膜は、低屈折率層としてのＭｏ層と、高屈折率層としてのＳｉ層とを交互に繰り返し積層してなる。
反射多層膜を積層する途中で異物が混入する場合や、反射多層膜を成膜する基板表面に欠陥（例えば、異物、傷やピット）が存在した場合、反射多層膜の周期構造が乱れ、反射多層膜に欠陥（所謂、位相欠陥）が生じる。この欠陥が生じると、反射型フォトマスクのパターンが忠実にウェハー上に転写されず問題となる。反射多層膜の欠陥を皆無とすることは、技術的に極めて難しい（例えば、非特許文献１参照）。
そこで、反射多層膜の欠陥の位置に応じて、吸収層のパターンの位置や方向を調整する技術が検討されている（例えば、非特許文献２参照）。
また、反射多層膜の欠陥の位置を精度良く特定するため、反射多層膜を成膜する基板表面に予め基準マークを形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。基準マークは反射多層膜に転写され、転写された基準マークの位置を基準位置として、反射多層膜の欠陥の位置が特定される。
これとは別に、反射多層膜の欠陥の位置を特定し、反射多層膜の欠陥を修正する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。なお、特許文献２では、反射多層膜上に吸収層を成膜する場合、吸収層に基準マークを形成し、基板及び反射多層膜には基準マークを形成しないとしている。
国際公開第１０／１１０２３７号 国際公開第０８／１２９９１４号
２０１０ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｓ．Ｈｕｈ ｅｔ．ａｌ．"Ｐｒｉｎｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ Ｉｎｓｐｅｃｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ ａｎｄ Ｒｅａｌ Ｄｅｆｅｃｔｓ ｏｎ ｔｈｅ Ｒｅｔｉｃｌｅ ｉｎ ＥＵＶ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ" ＥＵＶＬ ｍａｓｋ ｆｉｄｕｃｉａｌ ＳＥＭＩ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ Ｊａｎ．２００６，Ｐ．Ｓｅｉｄｅｌ ａｎｄ Ｐ．Ｙ．Ｙａｎ
反射多層膜の欠陥の位置は、基準マークの位置を基準位置として特定される。従来の基準マークは、検査光による検出位置の再現性が十分でないため、基準マークの位置を基準位置として欠陥の位置を精度良く特定するのが困難であった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、ブランクの欠陥、特に反射多層膜の欠陥の位置を精度良く特定可能な反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランクの品質管理方法の提供を目的とする。
上記目的を解決するため、本発明の一の態様による反射型マスクブランクは、
基板、露光光を反射する反射多層膜、及び前記露光光を吸収する吸収層をこの順で有する反射型マスクブランクにおいて、
前記反射多層膜の表面又は前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される一の層の表面に凹状又は凸状に形成され、前記反射多層膜の基準位置を示す基準マークをさらに有し、
該基準マークは、該基準マークの周辺とは所定波長の光に対する反射率が異なるように形成され、前記基準マーク上に成膜される層に転写される。
また、本発明の他の態様による反射型マスクブランクの製造方法は、
基板、露光光を反射する反射多層膜、及び前記露光光を吸収する吸収層をこの順で有する反射型マスクブランクの製造方法において、
前記反射多層膜の表面又は前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される一の層の表面に、前記反射多層膜の基準位置を示す凹状又は凸状の基準マークを形成する工程を有し、
該基準マークは、該基準マークの周辺とは所定波長の光に対する反射率が異なるように形成され、前記基準マーク上に成膜される層に転写される。
さらに、本発明の別の態様による反射型マスクブランクの品質管理方法は、
上記の一の態様による反射型マスクブランクの品質管理方法であって、
前記反射多層膜の成膜後、前記吸収層の成膜前に、前記基準マークの位置を基準位置として、前記反射多層膜の欠陥の位置を特定する工程を有する。
本発明によれば、反射多層膜の欠陥の位置を精度良く特定可能な反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランクの品質管理方法が提供される。
図１は、本発明の第１の実施形態による反射型マスクブランクの断面図 図２は、反射型マスクブランクの吸収層の一部を除去してなる反射型フォトマスクの一例の断面図 図３は、基板及び基板の表面に形成される仮基準マークの一例の平面図 図４は、反射多層膜と吸収層との間に形成される層の表面に形成される基準マークの一例の平面図 図５は、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜におけるＥＵＶ光反射率とＭｏ／Ｓｉペア数との関係を示す図 図６は、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜における光反射率と光波長との関係を示す図 図７は、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜における光反射率とＭｏ／Ｓｉペア数との関係を示す図 図８は、反射型マスクブランク上に転写された基準マークの断面プロファイルの実施例と従来例を示す比較図 図９は、本発明の第２の実施形態による反射型マスクブランクの断面図 図１０は、本発明の第３の実施形態による反射型マスクブランクの製造方法のフローチャート 図１１は、本発明の第４の実施形態による反射型マスクブランクの品質管理方法のフローチャート 図１２は、本発明の第５の実施形態による反射型マスクブランクの断面図 図１３は、図１２の変形例を示す断面図
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、各図面において、同一の又は対応する構成については同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。
なお、下記の実施形態では、ＥＵＶＬ用の反射型マスクブランクについて説明するが、本発明は露光光としてＥＵＶ光以外の波長の光を用いる反射型マスクブランクに適用することができる。
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態による反射型マスクブランクの断面図である。図２は、反射型マスクブランクの吸収層の一部を除去してなる反射型フォトマスクの一例の断面図である。
反射型マスクブランク１０は、基板２０上に、ＥＵＶ光を反射する反射多層膜３１、反射多層膜３１を保護する保護層３２、パターン加工のためのバッファ層３３、ＥＵＶ光を吸収する吸収層３４、及び検査光に対する反射率が吸収層３４よりも低い低反射層３５をこの順で成膜してなる。
なお、保護層３２、バッファ層３３、及び低反射層３５は、任意の構成であって、なくてもよい。また、反射型マスクブランク１０は、他の機能層を有してもよい。
反射型マスクブランク１０は、一般的なマスク作製プロセスに準拠してパターン加工され、反射型フォトマスク１００となる。例えば、反射型マスクブランク１０の表面上にレジスト膜を塗布し、加熱した後、電子線や紫外線による描画を行う。このとき、描画パターンの位置や向きを、反射多層膜３１の欠陥の位置などに応じて調整する。続いて、現像・エッチングにより吸収層３４や低反射層３５の不要な部分、及びレジストが除去されて反射型フォトマスク１００を得る。
反射型フォトマスク１００は、図１に示す低反射層３５、及び吸収層３４をパターン加工してなる低反射層１３５、及び吸収層１３４を有している。反射型フォトマスク１００に照射されたＥＵＶ光は、吸収層１３４のある部分では吸収され、吸収層１３４のない部分では反射多層膜３１で反射され光学系などによって露光材料の表面上に結像される。このようにして、吸収層１３４のパターンが露光材料の表面に転写される。
（基板）
基板２０は、反射多層膜３１などを成膜するためのものである。基板２０の表面粗さを表すＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）は例えば０．１５ｎｍ以下であり、基板２０の平坦度は例えば１００ｎｍ以下である。基板２０の熱膨張係数は、例えば０±０．０５×１０−７／℃、好ましくは０±０．０３×１０−７／℃である。
基板２０は、耐薬液性、耐熱性に優れ、熱膨張係数の小さいガラスで構成されることが好ましい。ガラスとしては、例えばＳｉＯ２を主成分とする石英ガラスが用いられる。石英ガラスは、ＴｉＯ２を含有するものであってよい。ＴｉＯ２の含有量は、例えば１〜１２質量％である。なお、基板２０は、ガラス以外のシリコンや金属などで構成されてもよい。
基板２０の裏面２１には、静電吸着用の導電層２２が成膜されている。導電層２２は、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電層２２の構成材料としては、例えば、Ｓｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＣｒＮ、ＣｒＯ、ＴａＳｉなどが用いられる。これらの中でも、導電層２２表面の表面粗さが小さいことからチャック面との密着性に優れ、且つ、導電層２２のシート抵抗が低いことからチャック力に優れるＣｒＮ膜が好ましい。
導電層２２の厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍである。
導電層２２の成膜方法としては、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法などが用いられる。
基板２０の表面２３には、反射多層膜３１などが成膜される。
（反射多層膜）
反射多層膜３１は、ＥＵＶ光を反射する。反射型フォトマスク１００において吸収層１３４のない部分に照射されたＥＵＶ光は、反射多層膜３１で反射される。その反射率（波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率）の最大値は、例えば６０％以上、好ましくは６３％以上である。
反射多層膜３１は、屈折率の異なる複数種類の層を所定の順序で繰り返し積層してなる。例えば、反射多層膜３１は、低屈折率層としてのＭｏ層と、高屈折率層としてのＳｉ層とを交互に繰り返し積層してなるＭｏ／Ｓｉ反射多層膜である。Ｍｏ層の厚さ、Ｓｉ層の厚さ、及びＭｏ層とＳｉ層のペア数は、それぞれ適宜設定されるが、例えば、Ｍｏ層の厚さが２．３±０．１ｎｍ、Ｓｉ層の厚さが４．５±０．１ｎｍ、Ｍｏ層とＳｉ層のペア数が３０〜６０である。反射多層膜３１の厚さは、例えば２００〜４００ｎｍである。
なお、反射多層膜３１は、特に限定されず、例えばＲｕ／Ｓｉ反射多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ反射多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物反射多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ反射多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ反射多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ反射多層膜などであってもよい。
反射多層膜３１の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの成膜方法が用いられる。イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ反射多層膜を成膜する場合、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を成膜する工程と、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ層を成膜する工程が交互に繰り返し行われる。
（保護層）
保護層３２は、反射多層膜３１の酸化を防止する。保護層３２の材料としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃ、ＳｉＣ、又はこれら元素・化合物の混合物、あるいはこれら元素・化合物にＮ、ＯやＢなどを添加したものなどが使用できる。
保護層３２の材料としてＲｕまたはＲｕ化合物を用いた場合、層厚は１〜５ｎｍと薄くでき、後述するバッファ層３３の機能を兼用できるため、特に好ましい。また反射多層膜３１がＭｏ／Ｓｉ反射多層膜の場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層を保護層として機能させることができる。この場合、最上層のＳｉ層の層厚は、通常の４．５ｎｍより厚い、５〜１５ｎｍであることが好ましい。また、この場合、最上層のＳｉ層上に保護層３２とバッファ層３３とを兼ねるＲｕ膜またはＲｕ化合物膜を成膜してもよい。なお、保護層３２は、必ずしも１層である必要はなく、２層以上であってもよい。
保護層３２の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの成膜方法が用いられる。
（バッファ層）
バッファ層３３は、反射型フォトマスク１００の製造工程における、吸収層３４のエッチングプロセス（通常、ドライエッチングプロセス）によって、反射多層膜３１がダメージを受けるのを防止する。
バッファ層３３の材質としては、吸収層３４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまり吸収層３４よりもエッチング速度が遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａ及びこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、ＣｒＮ及びＳｉＯ２が好ましく、ＣｒＮ、Ｒｕ及びＲｕ化合物がより好ましく、保護層３２とバッファ層３３の機能を兼ね備えるため特にＲｕ及びＲｕ化合物が好ましい。
バッファ層３３の膜厚は１〜６０ｎｍであることが好ましい。
バッファ層３３の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法が用いられる。
（吸収層）
吸収層３４は、ＥＵＶ光を吸収する層である。吸収層３４に特に要求される特性は、反射型フォトマスク１００に形成されたパターンが、ＥＵＶ露光装置の投影光学系を介してウェハー上のレジスト膜に正確に転写されるように、吸収層３４からの反射光の強度、位相を調整することである。
この具体的な方法は２種類あり、一つ目は、吸収層３４からの反射光の強度を極力小さくする方法であり、吸収層３４表面（吸収層表面に低反射層が成膜されている場合は低反射層）からのＥＵＶ光の反射率を１％以下、特に０．７％以下となるように、吸収層３４の膜厚及び材料を調整する。また２つ目は、反射多層膜３１からの反射光と吸収層３４表面（吸収層表面に低反射層が成膜されている場合は低反射層）からの反射光の干渉効果を利用する方法であり、吸収層３４（吸収層表面に低反射層が成膜されている場合は低反射層）からのＥＵＶ光の反射率を１５％以下(例えば２〜１５％)とし、かつ反射多層膜３１からの反射光と吸収層３４（吸収層表面に低反射層が成膜されている場合は低反射層）からの反射光の位相差が１７５〜１８５度となるように、吸収層３４の膜厚及び材料を調整する。吸収層３４の厚さは、前述の一つ目の方法の場合、６０ｎｍ以上であることが好ましく、特に７０ｎｍ以上であることが好ましい。また前述の２つ目の方法の場合、２０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲が好ましく、特に２５ｎｍ〜５５ｎｍの範囲が好ましい。
いずれの方法においても、吸収層３４を構成する材料としては、Ｔａを４０ａｔ％以上、好ましくは５０ａｔ％以上、より好ましくは５５ａｔ％以上含有する材料が好ましい。吸収層３４に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にＨｆ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｈ及びＮのうち少なくとも１種以上の元素を含有することが好ましい。
Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＰｄＮ、ＴａＰｔ、ＴａＰｔＮ、などが挙げられる。ただし、吸収層３４中には、酸素を含まないことが好ましい。
具体的には、吸収層３４中の酸素の含有率は２５ａｔ％未満が好ましい。反射型マスクブランク１０の吸収層３４にマスクパターンを形成してＥＵＶ用の反射型フォトマスク１００を作製する際には、通常はドライエッチングプロセスが用いられ、エッチングガスとしては、塩素ガス（混合ガスを含む）あるいはフッ素系ガス（混合ガスを含む）が通常使用される。
エッチングプロセスによる反射多層膜３１のダメージ防止目的で、反射多層膜３１上に保護層３２及びバッファ層３３を兼ねるＲｕ層又はＲｕ化合物層を成膜する場合、Ｒｕ層やＲｕ化合物層のダメージが少ないことから、吸収層３４のエッチングガスとして主に塩素ガスが使われる。しかしながら、塩素ガスを用いて吸収層３４のドライエッチングプロセスを実施する場合に、吸収層３４が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジスト膜のダメージが大きくなり好ましくない。そのため、吸収層３４中の酸素の含有率としては、１５ａｔ％以下がより好ましく、１０ａｔ％以下がさらに好ましく、５ａｔ％以下が特に好ましい。
吸収層３４の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの成膜方法が用いられる。
吸収層３４は、反射型フォトマスク１００の製造工程において、所定のパターンに加工され、吸収層１３４となる。
（低反射層）
低反射層３５は、吸収層１３４のパターンを検査する検査光に対して、吸収層３４よりも低い反射率を有する層である。検査光としては、例えば２５７ｎｍ程度または１９３ｎｍ程度の波長の光が使用される。
吸収層１３４のパターン形状の検査は、吸収層１３４がある部分と、吸収層１３４がない部分とで検査光の反射率が異なることを利用して行われる。吸収層１３４のない部分では、通常、バッファ層３３（バッファ層３３がない場合は保護層３２）が露出している。
吸収層１３４がある部分に、低反射層１３５が積層されていると、吸収層１３４のある部分と、吸収層１３４のない部分とで、検査光の反射率の差が大きくなるので、検査精度が向上する。
低反射層３５は、検査光の波長での屈折率が吸収層３４よりも低い材料で構成される。具体的には、Ｔａを主成分とする材料が挙げられる。また、Ｔａ以外にＨｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｈ、及びＯのうち少なくとも１種以上の元素を含有する。具体例としては、例えば、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＮＨ、ＴａＢＯ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＢＳｉＯ、ＴａＢＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等が挙げられる。
吸収層３４上に低反射層３５を成膜する場合、吸収層３４及び低反射層３５の厚さの合計が１０〜６５ｎｍであると好ましく、３０〜６５ｎｍであるとより好ましく、３５〜６０ｎｍであるとさらに好ましい。また、低反射層３５の層厚が吸収層３４の層厚よりも厚いと、吸収層３４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層３５の層厚は吸収層３４の層厚よりも薄いことが好ましい。このため、低反射層３５の厚さは１〜２０ｎｍであることが好ましく、３〜１５ｎｍであることがより好ましく、５〜１０ｎｍであることがさらに好ましい。
低反射層３５の成膜方法としては、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの成膜方法が用いられる。なお、検査光として、ＥＵＶ光を用いることも検討されており、ＥＵＶ光で検査する場合、低反射層を形成しなくてもよい。
（他の機能層）
他の機能層としては、例えばハードマスクなどがある。ハードマスクは、吸収層３４（吸収層３４上に低反射層３５が成膜されており、かつ低反射層３５がハードマスクの機能を有していない場合は、低反射層３５）の面上に成膜するものであり、前述のドライエッチング速度が、吸収層３４及び／又は低反射層３５と比べて遅いために、レジスト膜の膜厚を薄くでき、より微細なパターンを作製できる。このようなハードマスクの材料としては、ＣｒＮ，ＣｒＯ，ＣｒＯＮ、Ｒｕなどが使用でき、その膜厚は２〜１０ｎｍが好ましい。
（仮基準マーク）
図３は、基板及び基板の表面に形成される仮基準マークの一例の平面図である。
仮基準マーク４０は、基板２０の基準位置を示すマークである。仮基準マーク４０は、基板２０の表面２３に形成されている。反射多層膜３１の成膜前に、仮基準マーク４０の位置を基準位置として基板２０の欠陥の位置を特定し、記録媒体に記録することができる。記録媒体としては、磁気記録媒体、光記録媒体、電子記録媒体、紙などが用いられる。
仮基準マーク４０は、基板２０の表面２３に３つ以上（図３では４つ）形成されている。これらの仮基準マーク４０は、同一直線上に配置されていない。各仮基準マーク４０が示す基準点（例えば中心点）のうち、１つの基準点が原点となり、原点と他の１つの基準点とを結ぶ直線がＸ軸となり、原点と残りの１つの基準点とを結ぶ直線がＹ軸となる。Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交していてよい。このＸＹ座標系を用いて欠陥の位置が特定される。
仮基準マーク４０は、後工程で使用されない領域（例えば、反射型フォトマスクの製造工程において、パターン加工しない領域）に形成され、具体的には、基板２０の外周部に形成されることが好ましい。
仮基準マーク４０は、基板２０の表面２３に凹状又は凸状（本実施形態では凹状）に形成される。なお、凸状の仮基準マークについては、第２の実施形態で説明する。
凹状の仮基準マーク４０は、基板２０の表面２３の一部を除去して形成される。除去方法としては、レーザアブレーション法、ＦＩＢ法、ナノインデンテーション法、マイクロマシーニング法（例えば、Ｒａｖｅ社製ｎｍ４５０を用いた機械的な微細加工法）、レジストのパターニングとエッチングを用いたリソグラフィ法などが用いられる。特に、ＦＩＢ法、マイクロマシーニング法、レーザアブレーション法が好適に用いられる。
凹状の仮基準マーク４０として、基板２０の表面２３に存在する実欠陥、例えば研磨や洗浄により生じたピットなどの凹欠陥を用いることも可能である。
凹状の仮基準マーク４０の形状は、平面視にて（基板２０の表面２３と直交する方向から見て）、例えば図３に示すように四角形、三角形、円形、楕円形、菱型などであり、側面視にて、例えば図１に示すように三角形、四角形、半円形、などである。
凹状の仮基準マーク４０のサイズは、例えば、平面視にて、最大長さが２００ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下であり、最小長さは１０ｎｍ以上、好ましくは３０ｎｍ以上である。凹状の仮基準マーク４０の最大深さは、２０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以下であり、凹状の仮基準マーク４０の最小深さは、１ｎｍ以上、好ましくは２ｎｍ以上である。この範囲のサイズを有する仮基準マーク４０であれば、紫外光や可視光を光源に用いた市販の反射型マスクブランクやガラス基板の自動欠陥検査装置（たとえばレーザテック社製Ｍ７３６０など）による検出感度を保つことができ、かつ検出スポットが大きくなりすぎることによる検出位置再現性の劣化が無いため、検出位置の再現性が良い。そのため、基板２０の表面２３に存在する欠陥位置を十分な精度で特定することができる。
凹状の仮基準マーク４０は、仮基準マーク４０上に成膜される層に転写される。例えば、仮基準マーク４０は、図１に示すように、反射多層膜３１、保護層３２、バッファ層３３、吸収層３４、及び低反射層３５にそれぞれ転写される。
なお、基板２０表面の仮基準マーク４０はなくてもよい。現状の光学式欠陥検査装置を用いた場合、基板２０上に比べ反射多層膜３１上の方が、検査感度が高いため、基板２０の欠陥も、反射多層膜３１上に転写されて、反射多層膜３１上での検出が可能となるためである。反射多層膜３１を成膜する基板表面に欠陥（例えば、異物、傷やピット）が存在すると、反射多層膜３１の周期構造が乱れ、反射多層膜に欠陥（所謂、位相欠陥）が生じる。
（基準マーク）
基準マーク５０は、反射多層膜３１の基準位置を示すマークである。基準マーク５０は、反射多層膜３１の表面又は反射多層膜３１と吸収層３４との間に形成される一の層３２、３３の表面（本実施形態ではバッファ層３３の表面）に凹状又は凸状（本実施形態では凹状）に形成される。吸収層３４の成膜前に、基準マーク５０の位置を基準位置として、反射多層膜３１の欠陥の位置を特定し、記録媒体に記録することができる。
なお、詳しくは後述するが、基準マーク５０の形成面がバッファ層３３の表面（又は保護層３２の表面）の場合、反射多層膜３１の欠陥の位置は、バッファ層３３の欠陥の位置（又は、保護層３２の欠陥の位置）などとまとめて特定される。
基準マーク５０は、基準マーク５０上に成膜される層（例えば吸収層３４、低反射層３５）に転写され、反射型マスクブランク１０の基準位置を示すマーク（Ｆｉｄｕｃｉａｌ Ｍａｒｋ）となる。転写された基準マークは、最初に形成される基準マーク５０と略同じ寸法形状を有する。転写された基準マークの位置を検出し、記録媒体に記録された情報を参照することで、反射多層膜３１の欠陥の位置を知ることができる。
図４は、反射多層膜３１と吸収層３４との間に形成されるバッファ層３３の表面に形成される基準マークの一例の平面図である。図４及び図１に示す基準マーク５０は、バッファ層３３の表面に形成されているが、保護層３２の表面又は反射多層膜３１の表面に形成されてもよい。
基準マーク５０は、用途に応じた形状に形成される。例えば、基準マーク５０は、図４に示すように、平面視にて（基準マーク５０の形成面と直交する方向から見て）十字状に形成されている。１つの直線状部分の中心線と、残りの直線状部分の中心線との交点が基準点となる。
基準マーク５０は、低倍率の観察で検出可能なサイズであることが好ましく、そのサイズは、反射型マスクブランク１０の寸法公差等に応じて設定される。標準的な正方形状の反射型マスクブランクの一辺（１５２．０ｍｍ）の寸法公差は±０．１ｍｍである。この反射型マスクブランクを所定装置（例えば電子線描画装置）にセットする際、例えば反射型マスクブランクの二辺をピンに押し当てて位置決めを行う。このとき、反射型マスクブランク毎に基準マーク５０の位置が±０．１ｍｍずれうる。そのため、位置を短時間で検出できるように、基準マーク５０は低倍率の観察で検出可能なサイズであることが好ましい。寸法公差が±０．１ｍｍの場合、基準マーク５０の平面視での面積は１μｍ２〜１ｍｍ２であることが好ましい。十字状の基準マーク５０の各直線状部分は、例えば０．２〜１０μｍの幅Ｗ、及び１０〜５００μｍの長さＬを有してよく、この場合、基準マーク５０の平面視での面積は、３．９６μｍ２〜９９００μｍ２である。
基準マーク５０は、基準マーク５０の形成面（本実施形態ではバッファ層３３の表面）上に３つ以上形成されている。３つ以上の基準マーク５０は、同一直線上に配置されていない。３つ以上の基準点のうち、１つの基準点が原点となり、原点と他の１つの基準点とを結ぶ直線がＸ軸となり、原点と残りの１つの基準点とを結ぶ直線がＹ軸となる。Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交していてよい。このＸＹ座標系を用いて欠陥の位置が特定される。
基準マーク５０は、反射多層膜３１のうち、後工程で使用されない領域（例えば、反射型フォトマスクの製造工程において、パターン加工しない領域）に形成され、具体的には、基準マーク５０の形成面上の外周部に形成される。
平面視において、基準マーク５０は、仮基準マーク４０から離れた位置に形成されてよい。なお、平面視において、基準マーク５０は、仮基準マーク４０と重なる位置に形成されてもよく、これについては第５の実施形態で説明する。
基準マーク５０は、例えば反射多層膜３１、保護層３２、又はバッファ層３３の表面（基板２０側と反対側の面）に凹状に形成される。なお、凸状の基準マーク５０については、第２の実施形態で説明する。
凹状の基準マーク５０は、反射多層膜３１の一部を除去して形成される。凹状の基準マーク５０は、例えば図１に示すように、バッファ層３３の成膜後に、バッファ層３３及び保護層３２を貫通するようにバッファ層３３の一部及び保護層３２の一部を除去して形成してもよい。
除去方法としては、レーザアブレーション法、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）法、レジストのパターニングとエッチングを用いたリソグラフィ法、ナノインデンテーション法、マイクロマシーニング法（例えば、Ｒａｖｅ社製ｎｍ４５０を用いた機械的な微細加工法）などが用いられる。これらの中でもレーザアブレーション法、及びＦＩＢ法は、加工に用いるレーザ光や金属イオンよって基準マーク５０の底部の材質を変質させることができる。例えば、基準マーク５０の底部を酸化又は窒化させることができる。また、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜の場合、基準マーク５０の底部をＭｏＳｉ化合物に変質させることができる。このように基準マーク５０の底部の材質が変質するので、基準マーク５０の底部と基準マーク５０の周辺とのコントラストが向上する。特に、ＦＩＢ法は、微細な加工が可能であるので好ましい。
凹状の基準マーク５０は、エッジが鋭くなるよう、図１に示すように、基準マーク５０の形成面と略垂直な段差面５０ａと、基準マーク５０の形成面と略平行なオフセット面（内底面）５０ｂを有していることが好ましい。
凹状の基準マーク５０は、反射多層膜３１の成膜後に形成されるので、基準マーク５０の形成面に転写された仮基準マーク４３に比べて、エッジが鋭く側壁角度も急峻になる。
これに加えて、凹状の基準マーク５０は、基準マーク５０の周辺とは所定波長の光（反射多層膜３１の検査光）に対する反射率が異なる。検査光としては、ＥＵＶ光、遠紫外光、可視光などが用いられる。これらの中でも、ＥＵＶ光は、反射多層膜３１の内部まで到達でき、内部まで検査できる。
本実施形態の凹状の基準マーク５０は、反射多層膜３１の一部を除去して形成されるので、基準マーク５０周辺の反射多層膜３１に比べて、検査光であるＥＵＶ光に対する反射率が低くなる。その結果、基準マーク５０とその周辺とのコントラストが高くなり、基準マーク５０の検出位置の再現性が良くなる。よって、基準マーク５０の位置を基準位置として、反射多層膜３１の欠陥の位置を精度良く特定することができる。基準マーク５０の検査光に対する反射率と、基準マーク５０の周辺の検査光に対する反射率の差（絶対値）は、０．２％以上が好ましく、０．５％以上がより好ましく、１．０％以上がさらに好ましい。
図５は、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜におけるＥＵＶ光反射率とＭｏ／Ｓｉペア数との関係を示す図である。図５において、Ｍｏ層の厚さは２．３±０．１ｎｍ、Ｓｉ層の厚さは４．５±０．１ｎｍ、ＥＵＶ光の波長は１３．５ｎｍである。図５に示すように、Ｍｏ層及びＳｉ層のペア数が少なくなるほど、ＥＵＶ光の反射率が低くなる。
露光時にＥＵＶ光の反射率を高めるため、ペア数は３０以上であることが好ましく、特に３５以上であることが好ましい。一方、ペア数が多くなるほど膜応力が大きくなり反射型フォトマスクの平坦度が悪化するため、ペア数は６０以下であることが好ましく、５５以下であることがより好ましく、５０以下であることがさらに好ましい。
次に、図５に基づいて、ＥＵＶ光によってＭｏ／Ｓｉ反射多層膜を検査する場合の基準マーク５０の形成方法について説明する。
基準マーク５０の形成面がＭｏ／Ｓｉ反射多層膜の表面の場合、周辺とのコントラストを高めるため、基準マーク５０は、Ｍｏ層／Ｓｉ層のペアを２個以上除去して形成することが好ましく、特に５個以上除去して形成することが好ましい。Ｍｏ層／Ｓｉ層のペアは約７ｎｍであるため、基準マーク５０の深さは、前者の場合約１４ｎｍ以上、後者の場合約３５ｎｍ以上となる。この場合、基準マーク５０はその周辺に比べてＥＵＶ光反射率が低くなる。
基準マーク５０の形成面が保護層３２（又はバッファ層３３）の表面の場合、周辺とのコントラストを高めるため、基準マーク５０は、保護層３２（又は保護層３２及びバッファ層３３）を貫通し、さらにＭｏ層／Ｓｉ層のペアを２個以上除去して形成することが好ましく、特に５個以上除去して形成することが好ましい。この場合、基準マーク５０はその周辺に比べてＥＵＶ光反射率が低くなる。
基準マーク５０の形成面の種類に関係なく、基準マーク５０の底部の材料は、基準マーク５０を加工する際にＭｏ層とＳｉ層の両者が反応して形成されるＭｏＳｉ化合物であっても良い。ＥＵＶ光の反射はＭｏ層とＳｉ層との間の屈折率の差によって生じる。Ｍｏ層とＳｉ層の両者を反応してＭｏＳｉ化合物を形成すると、屈折率の差がなくなるので、基準マーク５０のＥＵＶ光反射率をさらに低くすることができる。
次に、図７及び図６に基づいて、遠紫外光や可視光によってＭｏ／Ｓｉ反射多層膜を検査する場合の基準マーク５０の形成方法について説明する。
図７は、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜における光反射率とＭｏ／Ｓｉペア数との関係を示す図である。図７において、Ｍｏ層の厚さは２．３±０．１ｎｍ、Ｓｉ層の厚さは４．５±０．１ｎｍである。図７において、線Ｌ２１は光の波長が１９０ｎｍのときの関係、線Ｌ２２は光の波長が２５７ｎｍのときの関係、線Ｌ２３は光の波長が３００ｎｍのときの関係、線Ｌ２４は光の波長が４００ｎｍのときの関係、線Ｌ２５は光の波長が５００ｎｍのときの関係、線Ｌ２６は光の波長が６００ｎｍのときの関係を示す。図７は、図５及び図６と異なり、ペア毎の光反射率に加えて、一層（０．５ペア）毎の光反射率を示す。
図７に示すように、ペア数が１０以上の場合、遠紫外光や可視光の反射率は、主にＭｏ／Ｓｉ反射多層膜の光入射側の表面材料によって変わる。そのため、基準マーク５０の形成面がＭｏ／Ｓｉ反射多層膜の表面の場合、周辺とのコントラストを高めるため、基準マーク５０の底部の材料はＭｏ／Ｓｉ反射多層膜の最上層（基板側とは反対側の層）の材料と異なることが好ましい。例えば、反射多層膜の最上層がＳｉの場合、基準マーク５０の底部の材料は、基準マーク５０を加工する際にＭｏ層とＳｉ層の両者が反応して形成されるＭｏＳｉ化合物であっても良い。この場合、基準マーク５０はその周辺に比べて遠紫外光反射率や可視光反射率が低くなる。また基準マーク５０の底部の材料は、基準マーク５０を加工する際にＭｏ層あるいはＳｉ層が酸化、窒化、酸窒化して形成される、Ｍｏ、ＳｉあるいはＭｏＳｉ化合物の酸化物、窒化物、酸窒化物であってもよい。この場合、基準マーク５０はその周辺に比べて遠紫外光反射率や可視光反射率が低くなる。
また、図７に示すように、ペア数が５以下の場合、可視光（Ｌ２４〜Ｌ２６）に対する反射率が高くなるので、ペア数が５以下の基準マーク５０を形成してもよい。この場合、基準マーク５０はその周辺に比べて可視光反射率が高くなる。
図６は、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜における光反射率と光波長との関係を示す図である。図６において、Ｍｏ層の厚さは２．３±０．１ｎｍ、Ｓｉ層の厚さは４．５±０．１ｎｍである。図６において、線Ｌ１１はペア数が５のときの関係、線Ｌ１２はペア数が１０のときの関係、線Ｌ１３はペア数が１５のときの関係、線Ｌ１４はペア数が４０のときの関係、線Ｌ１５はペア数が４０のＭｏ／Ｓｉ反射多層膜上にさらにＲｕ層を成膜したときの関係を示す。Ｒｕ層は保護層及びバッファ層を兼ね、Ｒｕ層の厚さは２．５ｎｍである。
図６に示すように、遠紫外光や可視光の反射率は、Ｒｕ層の有無によっても変わる。そのため、Ｒｕ層の表面に基準マーク５０を形成する場合、基準マーク５０とその周辺とコントラストを高めるため、Ｒｕ層を貫通する凹状の基準マーク５０を形成することが好ましい。基準マーク５０の底部の材料はＲｕ層の材料と異なる。この場合、基準マーク５０はその周辺に比べて光反射率が高くなったり、低くなったりする。
ところで、基準マーク５０は、反射多層膜３１の成膜後に形成され、反射多層膜３１よりも薄い（約１／４程度）吸収層３４などに転写される。そのため、転写された基準マーク５５は、元の基準マーク５０と略同じ形状となるので、検査光（電子線や遠紫外光、可視光、ＥＵＶ光）による検出位置の再現性が良く、下記（１）〜（２）の効果が得られる。（１）反射型フォトマスク１００の製造工程において、電子線描画装置（たとえばＮｕｆｌａｒｅ社ＥＢＭ８０００など）やレーザ描画装置、マスクパターン座標測定装置（たとえばＫＬＡテンコール社ＩＰＲＯ５など）、マスクパターン検査装置（たとえばＫＬＡテンコール社Ｔｅｒｏｎ６１０など）は、電子線や遠紫外光によって基準マーク５５の位置を再現性良く検出できる。よって、これらの装置は、反射型マスクブランク１０の供給元から提供される情報に基づいて反射多層膜３１などの欠陥の位置を精度よく検知できる。（２）吸収層３４及び低反射層３５の検査時に、遠紫外光や可視光よって基準マーク５５の位置を再現性良く検出できる。
図８は、反射型マスクブランク上に転写された基準マークの断面プロファイルの実施例と従来例を示す比較図である。図８において、実線は実施例の断面プロファイルを、破線は従来例の断面プロファイルを示す。用いた反射型マスクブランクは、ＴｉＯ２をドープした石英ガラス基板上に、反射多層膜としてのＭｏ／Ｓｉ反射多層膜、保護層及びバッファ層としてのＲｕ層、吸収層としてのＴａＮ層、及び低反射層としてのＴａＯＮ層をこの順で成膜してなる。この反射型マスクブランクにおいて、実施例の基準マークは、Ｒｕ層（厚さ２．５ｎｍ）の一部及びＭｏ／Ｓｉ反射多層膜（厚さ２８０ｎｍ）の一部を除去して、Ｒｕ層上に凹状（深さ８０ｎｍ）に形成され、ＴａＮ層（厚さ５１ｎｍ）、及びＴａＯＮ層（厚さ７ｎｍ）に転写される。一方、従来例の基準マークは、基板上に凹状（深さ８０ｎｍ）に形成され、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜（厚さ２８０ｎｍ）、Ｒｕ層（厚さ２．５ｎｍ）、ＴａＮ層（厚さ５１ｎｍ）、及びＴａＯＮ層（厚さ７ｎｍ）に転写される。
図８に示すように、従来例の基準マークに比べて、実施例の基準マークは、反射型マスクブランク上に転写された場合に、より急峻な断面プロファイルを示す。
［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、仮基準マーク及び基準マークがそれぞれ凹状に形成されている。これに対し、本実施形態では、仮基準マーク及び基準マークがそれぞれ凸状に形成されている。本実施形態は、仮基準マークの形状及び基準マークの形状に相違点がある以外、第１の実施形態と同様であるので、相違点を中心に説明する。
図９は、本発明の第２の実施形態による反射型マスクブランク１０Ａの断面図である。この反射型マスクブランク１０Ａは、凸状の仮基準マーク４０Ａと、凸状の基準マーク５０Ａとを有する。
（仮基準マーク）
仮基準マーク４０Ａは、基板２０の表面２３に凸状に形成されている。反射多層膜３１の成膜前に、仮基準マーク４０Ａの位置を基準位置として基板２０の欠陥位置を特定し、記録媒体に記録することができる。
凸状の仮基準マーク４０Ａの形状は、平面視にて（基板２０の表面２３と直交する方向から見て）、例えば四角形、三角形、円形、楕円形、菱型などであり、側面視にて、例えば図９に示すように三角形、四角形、半円形などである。
凸状の仮基準マーク４０Ａのサイズは、例えば、平面視にて、最大長さが２００ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下であり、最小長さは１０ｎｍ以上、好ましくは３０ｎｍ以上である。仮基準マーク４０Ａの最大高さは、２０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以下であり、また仮基準マーク４０Ａの最小高さは、１ｎｍ以上、好ましくは２ｎｍ以上である。この範囲のサイズを有する仮基準マーク４０Ａであれば、遠紫外光や可視光を光源とする市販の反射型マスクブランクやガラス基板の自動欠陥検査装置（たとえばレーザテック社製Ｍ７３６０など）による検出感度を保つことができ、かつ検出スポットが大きくなりすぎることによる検出位置再現性の劣化が無いため、マークの検出位置の再現性が良い。そのため、基板２０の表面２３に存在する欠陥位置を十分な精度で特定することができる。
凸状の仮基準マーク４０Ａは、基板２０の表面２３に所定の材料、例えばクロムやタンタルなどを積層して形成される。仮基準マーク４０Ａの材料は、基板２０の表面２３に成膜された後、リソグラフィ法で除去されてもよいし、基板２０の表面２３に局所的に堆積されてもよい。後者の場合、堆積したい材料によって適当なガスを選び、白金やタングステンなどの金属化合物（例えばヘキサカルボニルタングステン）や炭化水素化合物（ナフタレンやフェナントレンなど）を含有する雰囲気でイオンビームや電子線を照射することで、金属化合物の分解反応を促進し、局所的に白金やタングステンなどの金属膜を堆積する方法がある。
なお、凸状の仮基準マーク４０Ａとして、基板２０の表面２３に存在する実欠陥、例えば洗浄や環境由来の表面に付着したパーティクルなどの凸欠陥を用いることもできる。
凸状の仮基準マーク４０Ａは、図９に示すように、基板２０上に順次成膜される反射多層膜３１、保護層３２、バッファ層３３、吸収層３４、及び低反射層３５に転写される。
なお、基板２０表面の仮基準マーク４０Ａはなくてもよい。現状の光学式欠陥検査装置を用いた場合、基板２０上に比べ反射多層膜３１上の方が、検査感度が高いため、基板２０の欠陥も、反射多層膜３１に転写されて、反射多層膜３１上での検出が可能となるためである。反射多層膜３１を成膜する基板表面に欠陥（例えば、異物、傷やピット）が存在すると、反射多層膜３１の周期構造が乱れ、反射多層膜に欠陥（所謂、位相欠陥）が生じる。
（基準マーク）
基準マーク５０Ａは、反射多層膜３１の表面又は反射多層膜３１と吸収層３４との間に形成される一の層３２、３３の表面（本実施形態ではバッファ層３３の表面）に所定の材料を積層して凸状に形成される。
基準マーク５０Ａの材料は、基準マーク５０Ａとその周辺とが異なる光反射率を示すように選定される。基準マーク５０Ａの材料としては、特に限定されないが、例えば、既存の装置を流用して成膜可能な材料として、反射多層膜に用いられるＳｉ、Ｍｏ、吸収層に用いられるＴａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｃ、又はこれらの酸化物、窒化物などが用いられる。これらの材料を積層して凸状に形成した基準マーク５０Ａは、その周辺に比べて低いＥＵＶ光反射率を示す。基準マーク５０の検査光に対する反射率と、基準マーク５０の周辺の検査光に対する反射率の差（絶対値）は、０．２％以上が好ましく、０．５％以上がより好ましく、１．０％以上がさらに好ましい。
基準マーク５０Ａの材料は、基準マーク５０Ａの形成面上に成膜された後、リソグラフィ法で除去されてもよいし、基準マーク５０Ａの形成面上に局所的に堆積されてもよい。後者の場合、堆積したい材料に応じて適当なガスを選び、白金やタングステンなどの金属化合物（例えばヘキサカルボニルタングステン）や炭化水素化合物（ナフタレンやフェナントレンなど）を含有する雰囲気でイオンビームや電子線を照射することで、金属化合物の分解反応を促進し、局所的に白金やタングステンなどの金属膜を堆積する方法がある。
凸状の基準マーク５０Ａは、用途に応じた形状に形成される。例えば、凸状の基準マーク５０Ａは、第１の実施形態と同様に、平面視にて十字状に形成されている。１つの直線状部分の中心線と、残りの直線状部分の中心線との交点が基準点となる。
凸状の基準マーク５０Ａは、基準マーク５０Ａの形成面（本実施形態ではバッファ層３３の表面）上に３つ以上形成されている。３つ以上の基準マーク５０Ａは、同一直線上に配置されていない。３つ以上の基準点のうち、１つの基準点が原点となり、原点と他の１つの基準点とを結ぶ直線がＸ軸となり、原点と残りの１つの基準点とを結ぶ直線がＹ軸となる。Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交していてよい。
凸状の基準マーク５０Ａは、エッジが鋭く側壁角度が急峻となるよう、基準マーク５０Ａの形成面と略垂直な段差面５０Ａａと、基準マーク５０Ａの形成面と略平行なオフセット面５０Ａｂを有していることが好ましい。
凸状の基準マーク５０Ａの高さは、基準マーク５０Ａ上に成膜される層の種類や厚さに応じて適宜設定される。凸状の基準マーク５０Ａの高さは、例えば２〜３００ｎｍ、好ましくは７〜１５０ｎｍ、より好ましくは４０〜１２０ｎｍである。
基準マーク５０Ａは、低倍率の観察で検出可能なサイズであることが好ましく、そのサイズは、反射型マスクブランク１０Ａの寸法公差等に応じて設定される。標準的な正方形状の反射型マスクブランクの一辺（１５２．０ｍｍ）の寸法公差は±０．１ｍｍである。この反射型マスクブランクを所定装置（例えば電子線描画装置）にセットする際、例えば反射型マスクブランクの二辺をピンに押し当てて位置決めを行う。このとき、反射型マスクブランク毎に基準マーク５０Ａの位置が±０．１ｍｍずれうる。そのため、位置を短時間で検出できるように、基準マーク５０Ａは低倍率の観察で検出可能なサイズであることが好ましい。寸法公差が±０．１ｍｍの場合、基準マーク５０Ａの平面視での面積は１μｍ２〜１ｍｍ２であることが好ましい。十字状の基準マーク５０Ａの各直線状部分は、例えば０．２〜１０μｍの幅Ｗ、及び１０〜５００μｍの長さＬを有してよく、この場合、基準マーク５０の平面視での面積は、３．９６μｍ２〜９９００μｍ２である。
凸状の基準マーク５０Ａは、後工程で使用されない領域（例えば反射型フォトマスクの製造工程においてパターン加工しない領域）に形成され、例えば基準マーク５０Ａの形成面上の外周部に形成される。
凸状の基準マーク５０Ａは、第１の実施形態と同様に、反射多層膜３１の成膜後に形成されるので、基準マーク５０Ａの形成面に転写した仮基準マーク４３Ａ（図９参照）に比べて、エッジが鋭く側壁角度も急峻になる。これに加えて、凸状の基準マーク５０Ａは、基準マーク５０Ａの周辺の反射多層膜３１に比べて、検査光であるＥＵＶ光に対する反射率が低い。これらの結果、ＥＵＶ光を用いて反射多層膜３１の欠陥を検査するとき、基準マーク５０Ａとその周辺とのコントラストが高くなり、基準マーク５０Ａの検出位置の再現性が良くなる。よって、基準マーク５０Ａの位置を基準位置として、反射多層膜３１の欠陥の位置を精度良く特定することができる。また、遠紫外光〜可視光に対する反射率が異なるような材料を選ぶことにより、遠紫外光〜可視光の検査に対しても検出位置の再現性が良い基準マークを作製できる。
また、凸状の基準マーク５０Ａは、第１の実施形態と同様に、反射多層膜３１の成膜後に形成され、反射多層膜３１よりも薄い（約１／４程度）吸収層３４などに転写される。そのため、転写された基準マーク５５Ａは、元の基準マーク５０Ａと略同じ形状であり、検査光（例えば電子線、ＥＵＶ光、遠紫外光又は可視光）による検出位置の再現性が良く、下記（１）〜（２）の効果が得られる。（１）反射型フォトマスク１００の製造工程において、電子線描画装置、座標測定装置、マスク外観検査装置は、電子線や遠紫外光によって基準マーク５５Ａの位置を再現性良く検出できる。よって、これらの装置は、反射型マスクブランク１０Ａの供給元から提供される情報に基づいて反射多層膜３１などの欠陥の位置を精度よく検知できる。（２）吸収層３４及び低反射層３５の検査時に、遠紫外光や可視光によって基準マーク５５Ａの位置を再現性良く検出できる。
［第３の実施形態］
本実施形態は、上記の反射型マスクブランク１０の製造方法に関する。なお、上記の反射型マスクブランク１０Ａの製造方法も同様である。
図１０は、本発明の第３の実施形態による反射型マスクブランクの製造方法のフローチャートである。
反射型マスクブランク１０の製造方法は、基板２０を用意する工程Ｓ１０１、基板２０の表面２３に仮基準マーク４０を形成する工程Ｓ１０２、基板２０の裏面２１に導電層２２を成膜する工程Ｓ１０３を有する。また、反射型マスクブランク１０の製造方法は、反射多層膜３１を成膜する工程Ｓ１０４、保護層３２を成膜する工程Ｓ１０５、バッファ層３３を成膜する工程Ｓ１０６、基準マーク５０を形成する工程Ｓ１０７、吸収層３４を成膜する工程Ｓ１０８、低反射層３５を成膜する工程Ｓ１０９をさらに有する。各工程Ｓ１０１〜Ｓ１０９の間には、洗浄工程や乾燥工程などがあってよい。
基準マーク５０を形成する工程Ｓ１０７は、反射多層膜３１を成膜する工程Ｓ１０４の後、吸収層３４を成膜する工程Ｓ１０８の前に実施されればよく、例えば、保護層３２を成膜する工程Ｓ１０５とバッファ層３３を成膜する工程Ｓ１０６との間に実施されてもよい。
本実施形態の反射型マスクブランク１０の製造方法は、基準マーク５０を形成する工程を有するので、第１の実施形態で述べた効果を享受できる。例えば、基準マーク５０とその周辺とは反射多層膜の検査光に対する反射率が異なり（コントラストがあり）、検査光（例えばＥＵＶ光、遠紫外光、又は可視光）による検出位置の再現性が良いので、反射多層膜３１の欠陥の位置を精度良く特定できる。また、基準マーク５０は反射型マスクブランク１０上に略同じ形状で転写されるので、転写された基準マーク５５は検査光（例えば電子線、ＥＵＶ光、遠紫外光又は可視光）による検出位置の再現性が良く、下記（１）〜（２）の効果が得られる。（１）反射型フォトマスク１００の製造工程において、電子線描画装置、座標測定装置、マスク外観検査装置は、電子線、遠紫外光、可視光によって基準マーク５５の位置を再現性良く検出できる。よって、これらの装置は、反射型マスクブランク１０の供給元から提供される情報に基づいて反射多層膜３１などの欠陥の位置を精度よく検知できる。（２）吸収層３４及び低反射層３５の検査時に、遠紫外光や可視光よって基準マーク５５の位置を再現性良く検出できる。
なお、仮基準マーク４０を形成する工程Ｓ１０２はなくてもよい。この場合、仮基準マークとして、基板２０の表面２３に存在する凹状又は凸状の欠陥が代用される。
なお、保護層３２を成膜する工程Ｓ１０５、バッファ層３３を成膜する工程Ｓ１０６、及び低反射層３５を成膜する工程Ｓ１０９は、任意の工程であって、省かれてもよい。また、反射型マスクブランク１０の製造方法は、他の機能層を成膜する工程を有していてもよい。
また、導電層２２を成膜する工程Ｓ１０３は、工程Ｓ１０４〜Ｓ１０９の後に行われてもよく、その順序に制限はない。
［第４の実施形態］
本実施形態は、上記の反射型マスクブランク１０の品質管理方法に関する。なお、上記の反射型マスクブランク１０Ａの品質管理方法も同様である。
図１１は、本発明の第４の実施形態による反射型マスクブランクの品質管理方法のフローチャートである。
反射型マスクブランク１０の品質管理方法は、仮基準マーク４０の位置を基準位置として、基板２０の表面２３の欠陥位置を特定する第１の特定工程Ｓ２０１を有する。第１の特定工程Ｓ２０１は、仮基準マーク４０を形成する工程Ｓ１０２（図１０参照）の後、反射多層膜３１を成膜する工程Ｓ１０４（図１０参照）の前に行われる。
欠陥の位置を特定する方法としては、例えば基板２０の表面２３で可視線、紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線などのスポット光、もしくは電子線を照射あるいは走査し、試験体からの散乱光を受光して、仮基準マーク４０の位置及び欠陥の位置を検出する方法などがある。散乱光の代わりに、反射光又は透過光が用いられてもよい。
第１の特定工程Ｓ２０１では、基板２０の欠陥の位置に加えて、欠陥の種類（例えば、凹状、凸状の別）を特定してもよい。欠陥に関する情報は、記録媒体に記録される。なお、欠陥が無い場合、欠陥が無いという内容の情報が、記録媒体に記録される。
また、反射型マスクブランク１０の品質管理方法は、仮基準マーク４０の位置と基準マーク５０の位置との位置関係を検出する検出工程Ｓ２０２と、検出工程Ｓ２０２で検出された位置関係に基づいて、仮基準マーク４０の位置を基準位置として特定した欠陥の位置を、基準マーク５０の位置を基準位置とする位置に換算する換算工程Ｓ２０３とを有する。換算の結果は、記録媒体に記録される。
検出工程Ｓ２０２は、仮基準マーク４０の位置、より詳細には仮基準マーク４０上に成膜される層（例えばバッファ層３３）に転写された仮基準マーク４３の位置と、基準マーク５０の位置との位置関係を検出する。仮基準マーク４０の位置及び基準マーク５０の位置を検出する方法は、上記の欠陥の位置を特定する方法と同様であるので、説明を省略する。検出工程Ｓ２０２は、下記の第２の特定工程Ｓ２０４と同時に行われてもよい。
なお、検出工程Ｓ２０２を行うタイミングは、特に限定されない。例えば、検出工程Ｓ２０２は、低反射層３５の成膜後に、低反射層３５に転写される基準マーク５５と、同じく低反射層３５に転写される仮基準マークとの位置関係を検出してもよい。
換算工程Ｓ２０３は、検出工程Ｓ２０２で検出された位置関係に基づいて、例えば第１の特定工程Ｓ２０１で特定された欠陥の位置を基準マーク５０の位置を基準位置とする位置に換算する。換算の結果は、記録媒体に記録される。換算工程Ｓ２０３は、検出工程Ｓ２０２の後に行われればよく、そのタイミングは特に限定されない。
さらに、反射型マスクブランク１０の品質管理方法は、基準マーク５０の位置を基準位置として、反射多層膜３１の欠陥の位置を特定する第２の特定工程Ｓ２０４を有する。第２の特定工程Ｓ２０４は、基準マーク５０を形成する工程Ｓ１０７（図１０参照）の後、吸収層３４を成膜する工程Ｓ１０８（図１０参照）の前に行われる。
例えば、第２の特定工程２０２は、バッファ層３３を成膜する工程Ｓ１０６の後に行われ、反射多層膜３１の欠陥の位置、保護層３２の欠陥の位置、及びバッファ層３３の欠陥の位置をまとめて特定する。反射多層膜３１、保護層３２及びバッファ層３３は、連続的に成膜されることが多いからである。
なお、本実施形態の第２の特定工程Ｓ２０４は、バッファ層３３を成膜する工程Ｓ１０６の後に行われるが、本発明はこれに限定されない。例えば、保護層３２を成膜する工程Ｓ１０５の前に行われてもよく、反射多層膜３１の欠陥の位置は、保護層３２の欠陥の位置やバッファ層３３の欠陥の位置とは別に特定されてもよい。
欠陥の位置を特定する方法としては、例えば試験体の表面（本実施形態ではバッファ層３３の表面）でＥＵＶ光などのスポット光を走査し、試験体からの反射光を受光して、基準マーク５０の位置及び欠陥の位置を検出する方法などがある。
第２の特定工程Ｓ２０４では、反射多層膜３１の欠陥の位置に加えて、欠陥の種類（例えば、凹状、凸状の別）を特定してもよい。欠陥に関する情報は、記録媒体に記録される。なお、欠陥が無い場合、欠陥が無いという内容の情報が、記録媒体に記録される。
反射型マスクブランク１０の品質管理方法は、基準マーク５０の位置を基準位置として、吸収層３４の欠陥の位置を特定する第３の特定工程Ｓ２０５を有する。第３の特定工程Ｓ２０５は、吸収層３４を成膜する工程Ｓ１０８（図１０参照）の後に行われる。
例えば、第３の特定工程Ｓ２０５は、低反射層３５を成膜する工程Ｓ１０９の後に行われ、低反射層３５に転写された基準マーク５５の位置を基準位置として、吸収層３４の欠陥の位置、及び低反射層３５の欠陥の位置をまとめて特定する。吸収層３４及び低反射層３５は、連続的に成膜されることが多いからである。
なお、本実施形態の第３の特定工程Ｓ２０５は、低反射層３５を成膜する工程Ｓ１０９の後に行われるが、本発明はこれに限定されない。例えば、低反射層３５を成膜する工程Ｓ１０９の前に行われてもよく、吸収層３４の欠陥の位置は、低反射層３５の欠陥の位置とは別に特定されてもよい。
欠陥の位置を特定する方法としては、例えば試験体の表面（本実施形態では低反射層３５の表面）で可視光、紫外光、ＥＵＶ光などのスポット光、もしくは電子線を照射あるいは走査し、試験体からの反射光を受光して、基準マーク５０の位置及び欠陥の位置を検出する方法などがある。
第３の特定工程Ｓ２０５では、吸収層３４の欠陥の位置に加えて、欠陥の種類（例えば、凹状、凸状の別）を特定してもよい。欠陥に関する情報は、記録媒体に記録される。なお、欠陥が無い場合、欠陥が無いという内容の情報が、記録媒体に記録される。
第１〜第３の特定工程Ｓ２０１、Ｓ２０４、Ｓ２０５で記録媒体に記録された欠陥に関する情報は、反射型フォトマスク１００の製造工程で使用される。反射型フォトマスク１００の製造工程で用いられる電子線描画装置、座標測定装置やマスク外観検査装置は、反射電子線や反射紫外線を検出して、基準マーク５０（詳細には低反射層３５に転写された基準マーク５５）の位置を再現性良く検出することができ、反射型マスクブランク１０の供給元から提供された情報に基づいて、欠陥位置を精度よく知ることができる。
本実施形態の品質管理方法は、基準マーク５０を利用するので、第１の実施形態で述べた効果を享受できる。例えば、基準マーク５０とその周辺とは反射多層膜の検査光に対する反射率が異なり（コントラストがあり）、検査光（例えばＥＵＶ光、遠紫外光、又は可視光）による検出位置の再現性が良いので、反射多層膜３１の欠陥の位置を精度良く特定できる。また、基準マーク５０は反射型マスクブランク１０上に略同じ形状で転写されるので、転写された基準マーク５５は検査光（例えば電子線、ＥＵＶ光、遠紫外光又は可視光）による検出位置の再現性が良く、下記（１）〜（２）の効果が得られる。（１）反射型フォトマスク１００の製造工程において、電子線描画装置、座標測定装置、マスク外観検査装置は、電子線、遠紫外光、可視光によって基準マーク５５の位置を再現性良く検出できる。よって、これらの装置は、反射型マスクブランク１０の供給元から提供される情報に基づいて反射多層膜３１などの欠陥の位置を精度よく検知できる。（２）吸収層３４及び低反射層３５の検査時に、紫外光や可視光によって基準マーク５５の位置を再現性良く検出できる。
なお、本実施形態の品質管理方法は、第１〜第３の特定工程Ｓ２０１、Ｓ２０４、Ｓ２０５を有するが、第２の特定工程Ｓ２０４を有していればよい。反射多層膜３１の欠陥の位置が、反射型フォトマスク１００の品質に最も影響を与えるからである。
［第５の実施形態］
上記第１の実施形態では、平面視において、基準マーク５０が、仮基準マーク４０から離れた位置に形成されている。これに対し、本実施形態では、基準マークが、仮基準マークと重なるように形成されている。本実施形態は、仮基準マーク及び基準マークの配置に相違点がある以外、第１の実施形態と同様であるので、相違点を中心に説明する。
図１２は、本発明の第５の実施形態による反射型マスクブランクの断面図である。この反射型マスクブランク１０Ｂは、仮基準マーク４０と、基準マーク５０Ｂとを有する。
仮基準マーク４０は、基板２０の表面２３に凹状又は凸状（本実施形態では、凹状）に形成されている。凹状の仮基準マーク４０として、基板２０の表面２３に存在する実欠陥、例えば研磨や洗浄により生じたピットなどの凹欠陥を用いることも可能である。
基準マーク５０Ｂは、反射多層膜３１の成膜後、吸収層３４の成膜前に、基準マーク５０Ｂの形成面上に凹状又は凸状（本実施形態では凹状）に形成されている。凹状の基準マーク５０Ｂは、少なくとも反射多層膜３１の一部を除去して形成される。よって、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
平面視にて、基準マーク５０Ｂは、仮基準マーク４０と重なるように形成されている。即ち、平面視にて、基準マーク５０Ｂの基準点と、仮基準マーク４０の基準点とが重なっている。そのため、本実施形態では、反射型マスクブランクの品質管理工程において、仮基準マークと基準マークの位置関係を検出する検出工程Ｓ２０２（図１１参照）、及び検出工程Ｓ２０２に続いて行われる換算工程Ｓ２０３（図１１参照）が不要となる。
なお、基準マーク５０Ｂは反射多層膜３１の一部を除去して形成するので、基板上面から見たときの大きさが仮基準マーク４０の大きさよりも大きいこと、基準マーク５０Ｂの深さが仮基準マーク４０の深さよりも深いことの少なくとも片方を満たすことが好ましい。
以上、本発明の第１〜第５の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に制限されない。本発明の範囲を逸脱することなく、上記の実施形態に種々の変形や置換を加えることができる。
例えば、上記実施形態において、仮基準マークの形状（凹状又は凸状）と、基準マークの形状（凹状又は凸状）との組合せに制限はない。図１３は、図１２の変形例を示す断面図である。この反射型マスクブランク１０Ｃは、凸状の仮基準マーク４０Ｃと、凹状の基準マーク５０Ｃとを有する。凸状の仮基準マーク４０Ｃは、基板２０の表面２３と略垂直な段差面４０Ｃａと、基板２０の表面２３と略平行なオフセット面４０Ｃｂを有している。同様に、凹状の基準マーク５０Ｃは、基準マーク５０Ｃの形成面（バッファ層３３の表面）と略垂直な段差面５０Ｃａと、基準マーク５０Ｃの形成面と略平行なオフセット面５０Ｃｂを有している。平面視において、オフセット面４０Ｃｂの輪郭と、オフセット面５０Ｃｂの輪郭とが重なっている。この場合、基準マーク５０Ｃの位置で反射多層膜３１の厚さがより薄くなるので、反射多層膜３１の欠陥検査時に、基準マーク５０Ｃとその周辺とのコントラストがより高くなる。よって、基準マーク５０Ｃの検出位置の再現性がより良くなる。
本実施例の反射型マスクブランクを構成する各要素の製造方法について説明する。まず、成膜用の基板として、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系で、１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ平面で厚さ６．３ｍｍのガラス基板を使用した。このガラス基板は、熱膨張率が０．２×１０−７／℃、ヤング率が６７ＧＰａ、ポアソン比が０．１７、比剛性が３．０７×１０７ｍ２／ｓ２であって、主表面の表面粗さが０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下、平坦度が１００ｎｍ以下となるように研磨した。
次に、ガラス基板の一方の面（裏側の面）には、マグネトロンスパッタリング法により、Ｃｒを主成分とする膜を約１００ｎｍの膜厚になるように成膜し、シート抵抗が１００Ω／□の導電膜を形成した。そして、形成した導電膜によって、平板形状の静電チャックに基板を固定し、導電膜と反対側の表面に、イオンビームスパッタリング法を用いて、Ｍｏ膜２．３ｎｍとＳｉ膜４．５ｎｍを交互に成膜することを、５０周期切り返して、合計膜厚３４０ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０）となる、反射多層膜（Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜）を形成した。なお、Ｍｏ／Ｓｉ反射多層膜の最上層はＳｉ膜である。
Ｍｏ膜は、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒのスパッタリングガス雰囲気中において（ガス圧：０．０２Ｐａ）、７００Ｖの印加電圧により成膜速度が３．８４ｎｍ／ｍｉｎの条件で、２．３ｎｍの膜厚とした。Ｓｉ膜は、硼素をドープしたＳｉターゲットを用いて、Ａｒのスパッタリングガス雰囲気中において（ガス圧：０．０２Ｐａ）、７００Ｖの印加電圧により成膜速度が４．６２ｎｍ／ｍｉｎの条件で、４．５ｎｍの膜厚とした。
次に、Ｒｕからなる保護層をイオンビームスパッタリング法により形成した。Ｒｕ層は、Ｒｕターゲットを用いて、Ａｒのスパッタリングガス雰囲気中において（ガス圧：０．０２Ｐａ）、７００Ｖの印加電圧により成膜速度が３．１２ｎｍ／ｍｉｎの条件で、２．５ｎｍの膜厚とした。なお、本実施例の反射型マスクブランクでは、保護層としてＲｕ層を用いていることから、とくにバッファ層を形成しない。
次に、保護層上に、ＴａＮからなる吸収層をマグネトロンスパッタリング法により形成した。ＴａＮ層は、Ｔａターゲットを用いて、ＡｒとＮ２との混合ガス（Ａｒ：８６ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）で、１５０Ｗの投入電力により成膜速度が７．２ｎｍ／ｍｉｎの条件で、６０ｎｍの膜厚とした。
最後に、吸収層上に、ＴａＯＮからなる低反射層をマグネトロンスパッタリング法により形成した。ＴａＯＮ層は、Ｔａターゲットを用いて、ＡｒとＯ２およびＮ２の混合ガス（Ａｒ：４９ｖｏｌ％、Ｏ２：３７ｖｏｌ％、Ｎ２：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）で、２５０Ｗの投入電力により成膜速度が２．０ｎｍ／ｍｉｎの条件で、８ｎｍの膜厚とした。
上記の製造方法に基づく反射型マスクブランクについて、基板若しくは膜形成後の表面上に、下表に示す条件に基づき、各表面に十字の基準マークを形成した。なお、図４に参照される基準マークの長さＬは、下記いずれの例（例１〜例１３）においても、５００μｍとした。
Figure 2013031863
（例１〜例４）
例１〜例４は、ガラス表面に、フォーカスドイオンビーム法を用いて、幅Ｗが５０００ｎｍ、長さ５００μｍの十字型で凹状の基準マークを、その深さ２０〜１２０ｎｍの範囲で変えて形成した。その後、上記製造方法に基づき、反射多層膜、保護層、吸収層および低反射層を形成した反射型マスクブランクを得た。そして、得られた反射型マスクブランクに対して、可視光レーザ光の欠点検査装置（レーザーテック社製、Ｍ１３５０）を用いると、形成した基準マークが検出できたが、電子線描画装置（加速電圧：５０ｋＶ）を用いた際には、基準マーク由来のシグナルが弱く検出が困難であった。
（例５〜例８）
例５〜例８は、保護層であるＲｕ層表面に、フォーカスドイオンビーム法を用いて幅Ｗ、が５０００ｎｍ、長さ５００μｍの十字型で凹状の基準マークを、その深さ５〜８０ｎｍの範囲で変えて形成した。なお、Ｒｕ保護層は、その膜厚が２．５ｎｍであるので、例５〜例８はいずれも、Ｍｏ／Ｓｉの反射多層膜も一定の深さエッチングした。
その後、上記製造方法に基づき、吸収層および低反射層を形成した反射型マスクブランクを得た。そして、得られた反射型マスクブランクに対して、欠点検査装置（レーザーテック社製、Ｍ１３５０）を用いると、形成した基準マークが検出でき、電子線描画装置（加速電圧：５０ｋＶ）を用いても、基準マークが検出でき、かつマークの検出位置再現性も良好であった。
（例９〜例１２）
例９〜例１２は、ガラス基板表面に仮基準マークを形成し、その後、反射多層膜、保護層、吸収層及び低反射層を形成した。低反射層であるＴａＯＮ層表面に、表１に示す幅Ｗにおいて、十字型で凹状の基準マークを、その深さ２０〜８０ｎｍの範囲で変えフォーカスドイオンビーム法を用いて形成し反射型マスクブランクを得た。
そして、得られた反射型マスクブランクに対して、欠点検査装置（レーザーテック社製、Ｍ１３５０）を用いると、形成した基準マークが検出でき、電子線描画装置（加速電圧：５０ｋＶ）を用いても、基準マークが検出でき、マークの検出位置再現性は保護層表面のマークと同等の値を示した。ただし、低反射層上の基準マークを用いる場合、仮基準マークと紐付けされている反射多層膜上の欠点を、低反射層上の基準マークによる座標へ照合する必要があり、この工程により位置精度が悪化する恐れがある。そのため、反射多層膜上に基準マークを形成する場合と比較して位置精度が悪化する。
（例１３）
例１３は、保護層であるＲｕ層表面に、表１に示す幅Ｗにおいて、十字型で凸状の基準マークを、その高さ８０ｎｍで形成する。具体的に、Ｒｕ層表面に、マグネトロンスパッタリング法により、Ｃｒ膜を８０ｎｍの膜厚になるように成膜し、電子線用ネガレジストを塗布して乾燥後、電子線で十字型のマークパターンを形成する。そして、現像工程によって電子線パターンを残してレジストを除去する。その後、ドライエッチングによってＣｒ膜を除去してから、電子線パターン部分のレジストを剥離する。そして、上記製造方法に基づき、吸収層および低反射層を形成した反射型マスクブランクが得られる。
そして、得られる反射型マスクブランクに対して、欠点検査装置（レーザーテック社製、Ｍ１３５０）を用いると、形成した基準マークが検出でき、電子線描画装置（加速電圧：５０ｋＶ）を用いても、基準マークが検出でき、基準マークとして有用であることが確認できる。
本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、２０１１年９月１日出願の日本特許出願２０１１−１９１０５７に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
１０ 反射型マスクブランク
２０ 基板
３１ 反射多層膜
３２ 保護層
３３ バッファ層
３４ 吸収層
３５ 低反射層
４０ 仮基準マーク
５０ 基準マーク
１００ 反射型フォトマスク

Claims (15)

  1. 基板、露光光を反射する反射多層膜、及び前記露光光を吸収する吸収層をこの順で有する反射型マスクブランクにおいて、
    前記反射多層膜の表面又は前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される一の層の表面に凹状又は凸状に形成され、前記反射多層膜の基準位置を示す基準マークをさらに有し、
    該基準マークは、該基準マークの周辺とは所定波長の光に対する反射率が異なるように形成され、前記基準マーク上に成膜される層に転写される、反射型マスクブランク。
  2. 前記基準マークは、前記反射多層膜の一部を除去して凹状に形成される、請求項１に記載の反射型マスクブランク。
  3. 前記凹状の基準マークは、前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される層を貫通するように該層の一部を除去して形成される請求項２に記載の反射型マスクブランク。
  4. 前記凹状の基準マークの底部の材料と、前記反射多層膜の最上層の材料とが異なる、請求項２又は３に記載の反射型マスクブランク。
  5. 前記基準マークは、前記反射多層膜の表面又は前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される層の表面に所定材料を積層して凸状に形成される、請求項１に記載の反射型マスクブランク。
  6. 前記反射型マスクブランクは、ＥＵＶＬ用である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。
  7. 基板、露光光を反射する反射多層膜、及び前記露光光を吸収する吸収層をこの順で有する反射型マスクブランクの製造方法において、
    前記反射多層膜の表面又は前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される一の層の表面に、前記反射多層膜の基準位置を示す凹状又は凸状の基準マークを形成する工程を有し、
    該基準マークは、該基準マークの周辺とは所定波長の光に対する反射率が異なるように形成され、前記基準マーク上に成膜される層に転写される、反射型マスクブランクの製造方法。
  8. 前記基準マークは、前記反射多層膜の一部を除去して凹状に形成される、請求項７に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  9. 前記凹状の基準マークは、前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される層を貫通するように該層の一部を除去して形成される、請求項８に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  10. 前記凹状の基準マークの底部の材料と、前記反射多層膜の最上層の材料とが異なる、請求項８又は９に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  11. 前記基準マークは、前記反射多層膜の表面又は前記反射多層膜と前記吸収層との間に形成される層の表面に所定材料を積層して凸状に形成される、請求項１０に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  12. 前記反射型マスクブランクは、ＥＵＶＬ用である、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
  13. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の反射型マスクブランクの品質管理方法であって、
    前記反射多層膜の成膜後、前記吸収層の成膜前に、前記基準マークの位置を基準位置として、前記反射多層膜の欠陥の位置を特定する工程を有する、反射型マスクブランクの品質管理方法。
  14. 前記基板上にある凹状又は凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記基板上の欠陥の位置を特定する工程と、
    前記仮基準マークと前記基準マークの位置関係を検出する工程と、
    前記位置関係に基づいて、前記仮基準マークの位置を基準位置として特定した欠陥の位置を、前記基準マークの位置を基準位置とする位置に換算する工程とをさらに有する、請求項１３に記載の反射型マスクブランクの品質管理方法。
  15. 前記基板上にある凹状又は凸状の仮基準マークの位置を基準位置として、前記基板上の欠陥の位置を特定する工程をさらに有し、
    平面視において、前記基準マークは、前記仮基準マークと重なる位置に形成されている請求項１３に記載の反射型マスクブランクの品質管理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9274411B2 (en) * 2012-06-05 2016-03-01 SK Hynix Inc. Reflection type blank masks, methods of fabricating the same, and methods of fabricating reflection type photo masks using the same
WO2014050891A1 (ja) 2012-09-28 2014-04-03 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法
WO2014140046A2 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Micronic Mydata AB Mechanically produced alignment fiducial method and device
US9494854B2 (en) * 2013-03-14 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Technique for repairing an EUV photo-mask
JP6287099B2 (ja) * 2013-05-31 2018-03-07 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
US9341941B2 (en) * 2013-08-01 2016-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflective photomask blank, reflective photomask, and integrated circuit device manufactured by using reflective photomask
KR102171266B1 (ko) * 2013-08-01 2020-10-28 삼성전자 주식회사 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크와 포토마스크를 이용하여 제조된 집적회로 소자
JP6713251B2 (ja) * 2015-03-30 2020-06-24 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法
WO2017005070A1 (zh) * 2015-07-09 2017-01-12 重庆邮电大学 显示控制方法及装置
JP6586934B2 (ja) 2015-09-17 2019-10-09 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2017075997A (ja) * 2015-10-13 2017-04-20 旭硝子株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
TWI763686B (zh) * 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
US10553428B2 (en) * 2017-08-22 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflection mode photomask and fabrication method therefore
WO2019078205A1 (ja) * 2017-10-17 2019-04-25 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP7286544B2 (ja) 2017-10-17 2023-06-05 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP7298752B2 (ja) * 2017-12-28 2023-06-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
TWI710850B (zh) * 2018-03-23 2020-11-21 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩、光罩基底、光罩之製造方法、及電子元件之製造方法
JP6814174B2 (ja) * 2018-04-03 2021-01-13 キヤノン株式会社 露光装置、物品の製造方法、マーク形成装置及びマーク形成方法
JP7263908B2 (ja) * 2018-06-13 2023-04-25 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び反射型マスクブランクの製造方法
US11733605B2 (en) 2019-06-20 2023-08-22 Kla Corporation EUV in-situ linearity calibration for TDI image sensors using test photomasks
US11531262B2 (en) * 2019-12-30 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mask blanks and methods for depositing layers on mask blank
JP2022152177A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003248299A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Toshiba Corp マスク基板およびその製造方法
JP2004289110A (ja) * 2003-03-03 2004-10-14 Hoya Corp 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
US20080106738A1 (en) * 2006-11-03 2008-05-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Alignment mark
WO2008129914A1 (ja) * 2007-04-17 2008-10-30 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖマスクブランク
WO2010061725A1 (ja) * 2008-11-27 2010-06-03 Hoya株式会社 多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びに反射型マスクの製造方法
WO2010110237A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 Hoya株式会社 反射型マスク用多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びにそれらの製造方法
JP2010219445A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3412898B2 (ja) 1994-03-02 2003-06-03 キヤノン株式会社 反射型マスクの作製方法と作製装置、これによる反射型マスクを用いた露光装置とデバイス製造方法
JPH11176728A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp フォトマスク製造方法
DE112005000548B4 (de) 2004-03-09 2015-11-19 Hoya Corp. Verfahren zur Unterstützung der Maskenherstellung, Verfahren zur Bereitstellung von Maskenrohlingen und Verfahren zur Handhabung von Maskenrohlingen
JP2010079112A (ja) 2008-09-28 2010-04-08 Hoya Corp フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
WO2012121159A1 (ja) 2011-03-07 2012-09-13 旭硝子株式会社 多層基板、多層基板の製造方法、多層基板の品質管理方法
KR101993322B1 (ko) * 2011-09-28 2019-06-26 호야 가부시키가이샤 마스크블랭크용 유리기판, 다층 반사막 부착 기판, 마스크블랭크 및 마스크, 그리고 그것들의 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003248299A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Toshiba Corp マスク基板およびその製造方法
JP2004289110A (ja) * 2003-03-03 2004-10-14 Hoya Corp 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
US20080106738A1 (en) * 2006-11-03 2008-05-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Alignment mark
WO2008129914A1 (ja) * 2007-04-17 2008-10-30 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖマスクブランク
WO2010061725A1 (ja) * 2008-11-27 2010-06-03 Hoya株式会社 多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びに反射型マスクの製造方法
JP2010219445A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置
WO2010110237A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 Hoya株式会社 反射型マスク用多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びにそれらの製造方法

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