JPWO2013002112A1 - 信頼性が向上したはんだ接合部の製造方法 - Google Patents

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Abstract

Sn−Cu系はんだ合金に関して、溶融状態から凝固までのプロセスにおいて冷却温度を制御することによって、凝固した接合部に生成するCu6Sn5金属間化合物を積極的に安定した状態の斜方晶に変態させ、作動時に相変態に伴う体積変化、及び体積変化に起因した歪や亀裂の発生などを抑制した信頼性の高い接合部を実現する。186℃以上の温度で溶融しているSn−Cu合金を冷却するに際して、合金の温度管理を行い、図6bに示した時間−温度−変態曲線(TTT曲線)に対して、冷却温度曲線が100%安定斜方晶の領域を通過するような温度管理を行う。【選択図】図6

Description

本発明は、錫銅系のはんだ合金をはんだ接合部として用いる場合において、不可避的に晶出するCuSn金属間化合物の結晶構造を安定した状態にするための製造方法に関するものである。
環境上から、ミクロ電子部品の組み立てに用いる大半のはんだ合金は鉛の含有を減少した組成に変わっている。そして、現在では多くのはんだ合金は、Sn−Ag−Cuや、Sn−Cu−Ni合金を主成分としている。はんだ界面の接合部では、作業中、及び冷却中にCuSnが形成され、マイクロ電子回路のはんだ信頼性に大きく影響を及ぼす、はんだと界面の間の連続相を形成することになる。したがって、CuSnの結晶構造を安定した状態に維持することは、電子部品の信頼できる製造とサービスに適用するうえで重要である。電子製品のライフサイクルの間で変化する可能性がある様々な結晶構造中に存在するCuSn金属間化合物を考えた場合、特にこの金属間化合物の安定化は重要な課題である。
国際公開第2010/055863号パンフレット 国際公開第99/48639号パンフレット
現時点において広く認識されている図1に示したSn−Cu二元相図によると、CuSnは、186℃より高い温度における六方晶η−CuSnから、それよりも低い温度における斜方晶η’− CuSnに固相変態するというように、少なくとも2つの結晶構造が存在する。図2は、図1の相図のうち四角で囲んだ部分を拡大したもので、2つの結晶構造が出現しているところを示したものである。鉛フリーはんだ付けは、η相が安定している230℃より高い温度で行われ、電子部品は大概はη’相が安定している186℃より低い温度で作動する。そして、はんだ付け後の標準的な冷却速度では、比較的短時間で冷却を実行するので、η→η’変態のための十分な時間はなく、高温η−CuSnがはんだ接合部に準安定相として残留すると考えられている。そして、室温では準安定ηのη’への変態は遅いが、もし継手が比較的高温であれば、変態は比較的短時間において開始される。したがって、はんだ接合部は高出力部品(パワーデバイス)の強い局部的な加熱に起因して高温に達するので、準安定ηのη’への変態は電子部品中において起こり得る。しかしながら、これらの変態の反応速度は具体的に定量化することはできない。
特許文献1では、発明者はCuSn金属間化合物が186℃以下で六方晶から斜方晶の結晶構造に固相変態することを開示している。しかしながら、ここで開示している内容は当該現象であって、これを積極的に利用するための温度条件などについては開示されていない。
一方、発明者は、特許文献2において、Sn−CuにNiを添加することによって、溶融状態のはんだ合金に含まれるCuSn金属間化合物の一部が(Cu,Ni)Snに置換し、流動性が向上することを知見している。即ち、はんだ合金の組成要素として、Niが極めて有用な添加元素であることを示している。
本発明の目的とするところは、SnにCuを含有するSn−Cu系はんだ合金に関して、溶融状態から凝固までのプロセスにおいて冷却温度を制御することによって、凝固した接合部に生成するCuSn金属間化合物を積極的に安定した状態の斜方晶に変態させ、作動時に相変態に伴う体積変化、及び体積変化に起因した歪や亀裂の発生などを抑制した信頼性の高い接合部を実現するものである。
本発明では、上記目的を達成するために、186℃以上の温度で溶融しているSn−Cu合金を冷却するに際して、合金の温度管理を行い、図6bに示した時間−温度−変態曲線(TTT曲線)に対して、冷却温度曲線が100%安定斜方晶の領域を通過するような温度管理を行うこととした。
図1、及び図2の二元相図は温度とSn−Cuの配分比を二次元で示したものであるが、冷却時間については議論されていない。しかしながら、発明者らは、186℃以上で溶融するSn−Cu二元合金、あるいはこれに対して他の元素を含むがCuSn金属間化合物を生成する合金では、冷却温度履歴によっては安定η−CuSn金属間化合物(六方晶結晶構造)が安定η’−CuSn金属間化合物(斜方晶結晶構造)に全て置換する場合と、一部だけが置換し、残部はη−CuSnのままという準安定状態になる場合があることを知見した。そして、実験によって図6bに示すように、X軸に時間(秒)、Y軸に温度(℃)で示した二次元図において、冷却温度と冷却時間の関係から100%安定斜方晶CuSn(η’−CuSn)に変態する領域(単斜晶領域)と、η’−CuSnに変態しない状態の六方晶CuSn(η−CuSn)が混在する領域(単斜晶と六方晶の混合領域)と、比較的短時間で冷却した場合の不安定η−CuSn領域(六方晶領域)が存在することを確認した。
そこで、発明者らは、接合物CuSnの温度を186℃以上に保持し、その後に冷却を開始して接合物が単斜晶領域を通過することにより、安定η−CuSnが安定η’−CuSnに変態させるという方法を採用した。単斜晶領域を通過させていったんη’−CuSnに変態した接合物は、再度加熱してこの領域を外れる方向に温度管理するのではなく、いったん単斜晶領域に入れば逆進的な加熱を行わず、温度降下させることによって、再変態することなく、接合物の作動温度領域では安定したη’−CuSnを維持することになる。これによって、接合物の信頼度を飛躍的に向上させることが可能となる。具体的な時間−温度条件は、はんだ付け工程の最後の冷却時において、140〜160℃程度で4000秒程度保持することによって、単斜晶領域を通過させることができる。
温度制御に関する重要なことは、単斜晶領域が出現するまで厳密に定温を維持することではなく、単斜晶領域が出現するまでは適度な温度を保持し、単斜晶領域が出現した後は冷却を開始し、接合物が単斜晶領域を通過するように温度制御することである。したがって、単斜晶領域が出現するまでは熱コスト削減のために比較的低温を維持し、単斜晶領域が出現する直前に接合物の温度を上げ、単斜晶領域を通過するように冷却を開始することも可能である。
ところで、上記第一の手段では、η−CuSnの全量を100%斜方晶のη’−CuSnに変態させるための温度条件を規定したが、例えば部分的に斜方晶で安定化させた場合であっても、全量が不安定な六方晶のはんだ接合物よりは良好である。したがって、本発明では一部を斜方晶に変態させるための温度管理も規定することとした。即ち、溶融状態から冷却を開始した後に、温度履歴が図6bに示した混在領域(単斜晶と六方晶の混合領域)を通過させるという手段も採用した。具体的な時間−温度条件は、120〜175℃程度で200秒程度保持することによって、混合領域を通過させる手段である。
Snに対するCuの含有量については、0.3〜7.6重量%の範囲であれば本発明の作用効果を達成することが可能である。下限値の0.3重量%は、はんだ接合物としてCuがこの程度含有されていることが好ましいという理由による。上限値の7.6重量%は、Sn−Cu二元相図において、CuSnが形成されるための上限であり、これ以上添加した場合には別組成のCuSn金属間化合物も生成することになる。本発明ではCuSn金属間化合物を接合界面において積極的に活用するものであり、その意味においてCuSnの生成は目的から外れることになる。
本発明に利用する接合物の素材は、基本的にCuSn金属間化合物を生成することが条件なので、SnとCuは不可欠であるが、CuSnの生成を大きく阻害しない元素であれば、例えばNi、Ag、Sb、Zn、Ge、Mnなどを含むことを否定するものではない。
本発明の温度処理を行ったはんだ接合物は、この接合物を利用したデバイスの動作温度ではCuSn金属間化合物は斜方晶で安定するので、当該温度領域における不安定六方晶から斜方晶に突然変態することを防止することができる。したがって、この現象に伴う体積変化やそれに起因した歪や亀裂(マイクロクラック)の発生などの接合物にとって好ましくない事故を未然に防止することができるので、信頼性の高いはんだ接合物を提供することができる。
Sn−Cu二元相図。 図1の二元相図の四角で囲んだ部分の拡大図。 XRD計測のための温度条件を示すグラフ。 図4aは、XRD分析の結果を示すグラフ。50℃において斜方晶η’−CuSnを、200℃において六方晶η−CuSnを示す。図4bは、XRDピーク分析の結果を示すグラフ。200℃から50℃まで、それぞれ100℃、50℃、20℃、及び10℃/分の試料と、比較例として冷却実験前の50℃と200℃を示す。 5分間隔でのデータ取得に続く、200℃から(a)180℃、(b)160℃、(c)150℃、(d)140℃、及び(e)100℃まで冷却したXRDピーク分析の結果を示すグラフ。 図6aは、実験的な条件のための結晶学的分析を示すグラフ。図6bは、本発明にて確立したCuSnのTTT曲線。
以下、本発明の好ましい実施の形態を添付した図面に従って説明する。
本発明では、Sn−Cu合金が186℃より高い温度で溶融した安定六方晶の状態から、特定の温度降下条件を与えれば斜方晶に結晶構造が変態するであろうとの想定のもと、この結晶構造が変態する領域を確定し、溶融合金の温度降下条件を確立することとした。そして、その領域を確認するために、本発明では次に示す(i)および(ii)の実験条件において、CuSn中におけるη−η’変態の反応速度を調べた。
(i) 準安定ηが安定を残しているであろう状態が分かるために、η領域平衡からの冷却。
(ii) 準安定ηがη’に変態するであろう状態が分かるために、η’領域中において一定温度で保持されるとき。
実験のためのCuSnサンプルを得るため、予めSn−4wt%Cuに調整されたインゴットを坩堝に投入し、電気抵抗炉中で290℃に加熱した。溶融状態は最低2時間同温度で維持した。ステンレス製容器を用い、それぞれの合金を溶融状態で約80g取得し、0.5℃/秒の速度で大気中で冷却し、凝固させた。凝固サンプル約30gを1リットルの水に対して35gのオルトニトロフェノールと、50gの水酸化ナトリウムの割合の溶液に、全てのSn相が溶解するまで、80℃で24時間放置した。
サンプルはXRD実験のための粉末を得るために、瑪瑙乳鉢中で破砕された。サンプルは粉体にされ、石英キャピラリ(直径0.3mm)内に充填され、オーストラリアシンクロトロンにおいて粉末X線回析ビームラインで0〜200℃の温度に暴露させるための準備を行った。XRD計測は、ピーク総数を得るために、2θ幅で10から60度の範囲で、15kVで実行された。そして、上記(i)(ii)の条件に従って、2種類の実験を行った。(i)一定冷却速度実験;200℃で5分間計測し、200℃から50℃まで、100℃/分、50℃/分、20℃/分、および10℃/分の書く条件で冷却し、50℃で5分間計測。(ii)等温線計測;200℃で5分間計測に続き、冷却速度100℃/分でそれぞれ180℃、160℃、150℃、140℃、及び100℃において等温線条件で12計測まで5分間のデータ収集。全ての温度は、参照熱電対を用いて測定した。実験条件を図3に示す。図中、点線は定常冷却度数による実験、実践は200℃から1分あたり100℃冷却後の等温線実験である。また、Si標準試料(NIST640C)を室温において5分間計測した。Si標準によって室温にて測定された波長は、0.0793nmである。斜方晶、及び六方晶CuSnの相の同定は、EVA X線回析分析ソフト(Bruker−Axs、ドイツ製)を用い、それぞれの温度においてCuSn試料から取得したX線回析ピークデータを用いて概算した。参照結晶構造として、ICDD番号045−1488(斜方晶η’−CuSn用)と、047−1575(六方晶η−CuSn用、P63/mmc)が、EVAと関連して利用された。
図4aは、冷却実験前に取得した50℃と200℃における回析ピークを示す。図に示した回析ピークは50℃ではICDD番号045−1488、200℃では047−1575により指数付けした。ηとη’間の主X線回析ピークの高さ比を除けば、2θ範囲において15〜23度の間で長周期構造に起因した微弱な回析ピークの有無でしかηとη’の違いが判断できない。そのため、2つの相の間を識別するためには、強力なシンクロトロンのX線源が要求される。50℃におけるサンプルは、斜方晶η’−CuSn(C2/c)として同定され、200℃のそれは六方晶η−CuSn(P6/mmc)として同定された。
図4bは(i)の一定冷却速度実験の結果を示す。15〜23度の間で2θ範囲におけるCuSn回析ピークは、斜方晶相からの微弱な回析ピークに着目して表示した。また、比較のために冷却実験前の50℃および200℃における回析ピークも併せて示した。100℃/分、及び50℃/分の速度で50℃に冷却されたサンプルには、斜方晶の小さなピークは存在しない。20℃/分、及び10℃/分の速度で50℃に冷却されたサンプルには、比較的弱い斜方晶のピークが存在する。これらの弱いピークは、冷却速度実験が開始される前に50℃において得られた最初の斜方晶ピークと比較すると、回析強度は弱い。一方、冷却では、ηからη’の開始温度は1℃/分で186℃から、10℃/分で180℃まで冷却速度が速くなるに従い相変態温度が低下することを見出した。さらに相変態に伴うエンタルピー変化から、ηからη’への相変態は高い冷却速度では完了に至らないと考察した。従って、相変態反応速度はこれらの高い冷却速度では比較的遅いと結論した。これと一致して、図4bは20及び10℃/分の冷却速度は完全な斜方晶構造ではないが、部分に相変態が生じることを示している。
図5は、サンプルを100℃/分の冷却速度で、それぞれ(a)180℃、(b)160℃、(c)150℃、(d)140℃、(e)100℃まで冷却した後に、5分間隔(最大60分まで)で等温測定した実験の結果を示す。(a)180℃および(e)100℃試料では、全ての測定回において六方晶構造を有する(すなわち、相変態しない)。(b)160℃、(c)150℃、および(d)140℃試料では、最初の5分の測定において六方晶構造を示す。しかし、それから5分後には弱い斜方晶ピークが出現し、測定時間経過に従ってピーク強度が増大する。しかしながら、これらの試料の斜方晶への完全な相変態は認められず、斜方晶相と六方晶相が混合した状態で残留している。
一定冷却速度実験、及び等温線実験の結果から、発明者らは、TTT曲線は図6に示すように確立した。図6aにおいて、白抜き菱形点は準安定六方晶η−CuSnを示し、黒の菱形点は準安定六方晶η及び斜方晶η’−CuSnを示す。現在の測定条件を用いれば、η及びη’の混合と、純η’間を識別することは困難である。図6bは相領域が示されたTTT曲線を示している。実線は、準安定六方晶と、六方晶と斜方晶の混合の境界を示しており、点線は100%斜方晶の結線図の境界を示している。この境界の確実な位置は、変態を示す比較的強いピークがこの実験によって生じた時間フレームを超えて完成してはいないので、現在の結果が示すTTT曲線は幾分かシフトする可能性がある。
本発明では、実験に基づいて、迅速な加熱/冷却システムを用いたシンクロトロン粉末X線回析を用い、CuSn金属間化合物のTTT曲線を提案した。このCuSnのTTT曲線は、将来的なさらなる研究の方向に対して画期的な産業上の提案と指摘を持つことができる。たとえば、凝固冷却時の同素変態は、相変態時の体積変化に伴い、はんだ接合部の性能に影響を与える内部応力を引き起こすことを未然に防止する。

Claims (4)

  1. 186℃以上の温度で溶融しているSn−Cu合金を冷却するに際して、合金の温度管理を行い、図6bに示した時間−温度−変態曲線(TTT曲線)に対して、冷却温度曲線が100%安定斜方晶の領域を通過するような温度管理を行うことを特徴とする信頼性が向上したはんだ接合部の製造方法。
  2. 186℃以上の温度で溶融しているSn−Cu合金を冷却するに際して、合金の温度管理を行い、図6bに示した時間−温度−変態曲線(TTT曲線)に対して、冷却温度曲線が安定斜方晶と六方晶の混在領域を通過するような温度管理を行うことを特徴とする信頼性が向上したはんだ接合部の製造方法。
  3. 請求項1又は2において、Cuの含有量は0.3〜7.6重量%である信頼性が向上したはんだ接合部の製造方法。
  4. Sn−Cu合金に対して、さらにAg、Ni、Sb、Zn、Ge、Mnから選ばれた1又は複数の元素を含む請求項1〜3の何れか1の信頼性が向上したはんだ接合部の製造方法。
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