JPWO2013001979A1 - 液晶駆動装置及び液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記第2の電極対の少なくとも一方の電極は、透明導電体及び該透明導電体と電気的に接続される金属導電体から構成されることが好ましい。これにより、電極を低抵抗化することができ、波形がなまることを充分に防止できる。上述したのと同様に、このような液晶駆動装置を大型の液晶表示装置に適用することが特に好ましい。
本発明の液晶駆動装置及び液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではなく、液晶駆動装置及び液晶表示装置に通常用いられるその他の構成を適宜適用することができる。
図1は、参考例1に係る液晶駆動装置の横電界発生時における断面模式図である。図2は、参考例1に係る液晶駆動装置の縦電界発生時における断面模式図である。図1及び図2において、点線は、発生する電界の向きを示す。参考例1に係る液晶駆動装置は、ポジ型液晶である液晶分子31を用いた垂直配向型の3層電極構造(ここで、第2層目に位置する下側基板の上層電極は、一対の櫛歯電極である。)を有する。立上がりは、図1に示すように、一対の櫛歯電極16(例えば、電位0Vである櫛歯電極17と電位14Vである櫛歯電極19とからなる)間の電位差14Vで発生する横電界により、液晶分子を回転させる。このとき、基板間(電位7Vである対向電極13と電位7Vである対向電極23との間)の電位差は実質的に生じていない。
また、電極間隔Sと電極幅Lとの比(L/S)としては、例えば0.4〜3であることが好ましい。より好ましい下限値は、0.5であり、より好ましい上限値は、1.5である。
図3は、参考例1に係る液晶駆動装置の横電界発生時における断面模式図である。参考例1に係る櫛歯駆動では、一対の櫛歯電極16(例えば、電位0Vである櫛歯電極17と電位14Vである櫛歯電極19とからなる)間で横電界を発生させることにより、一対の櫛歯電極間の広範囲にわたって液晶分子を回転させることが可能となる(図3及び図4参照)。
図8は、参考例1における駆動応答波形実測値及び各電極の印加矩形波を示すグラフである。評価セルは、上述したシミュレーションと同様に、セル厚5.4μmとし、一対の櫛歯電極の電極間隔は2.6μmとした。なお、測定温度は、25℃であった。
立上がり及び立下がりにおいては、図3及び図5に示したように電極に電圧を印加し、それぞれ横電界及び縦電界を液晶分子に印加した。すなわち、立上がり期間は、一対の櫛歯電極間で櫛歯駆動(参考例1)2.4msであり、立下がり期間は、一対の櫛歯電極、下側基板の下層電極、及び、上側基板の対向電極間(図2における対向電極13、櫛歯電極17、及び櫛歯電極19と対向電極23との間)で縦電界駆動0.8ms(各電極の印加波形は図8の電極(i)〜(iv)を参照)であった。
図9は、参考例2の駆動方法に係る液晶駆動装置の横電界発生時における断面模式図である。図10は、参考例2の駆動方法に係る液晶駆動装置の縦電界発生時における断面模式図である。図11は、参考例2の駆動方法における各電極の印加矩形波(駆動波形)を示すグラフである。
参考例1において説明した駆動方法では、横電界発生時において、対向電極13及び対向電極23は、それぞれ、一対の櫛歯電極間の電圧差(14V)の中間電圧(7V)を印加していたが、実施形態2では、対向電極113を一対の櫛歯電極の片側である櫛歯電極117と同電位に設定するとともに、対向電極123を一対の櫛歯電極間の電圧差(14V)の中間電圧(7V)とした場合(参考例2)であり、その他の構成は参考例1におけるものと同様である。
図12は、参考例3に係る液晶表示パネルの横電界発生時における断面模式図である。図13は、参考例3に係る液晶表示パネルの縦電界発生時における断面模式図である。図14は、参考例3における各電極の印加矩形波(駆動波形)を示すグラフである。参考例3では、対向電極213を一対の櫛歯電極の片側である櫛歯電極217と同電位に設定するとともに、対向電極223を0Vとした場合であり、その他の構成は参考例1におけるものと同様である。
図17は、実施形態1において255階調から0階調に変化させる場合の各電極の電位変化を示すグラフである。基準電位を0Vとしたり、15Vとしたりして、両値間で振ることでフレームごとに極性反転している。図中、「縦電界」とは、縦電界としてかかる電圧を意味し、「横電界」とは、横電界としてかかる電圧を意味する。後述する図においても同様である。図18は、実施形態1に係る255階調表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。図18では、横電界と縦電界とが両立する。横電界の方が強いので、白状態になる。図19は、実施形態1に係る0階調表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。図19では、縦電界のみになるので、液晶が垂直に立ち、黒状態になる。
図23は、実施形態2において高階調から低階調(逆電位)に変化させる場合の各電極の電位変化を示すグラフである。図24は、実施形態2に係る高階調表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。図24では、横電界のみで駆動する。縦電界がかかっていない分、透過率を高くすることができる。図25は、実施形態2に係る低階調(逆電位)表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。図25では、縦電界をかけることで、液晶の戻りを速くすることができる。横電界で階調表現することができる。
図29は、実施形態3において中間調を表示する場合の各電極の電位変化を示すグラフである。図30は、実施形態3に係る中間調表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。図31は、実施形態3に係る中間調(逆電位)表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。また、実施形態3の各電極の電位変化を下記表3に示す。
実施形態3では、1フレーム内で、(iii)の電極のみ15V(又は0V)から7.5Vにかえる。前半では縦電界がかかっているため、低階調表示でも高速応答可能である。後半で縦電界が切れるので、指定の階調になる。前半と後半で縦電界有無の違いのみのため、電界分布が近いので、高階調でも応答速度が速くなる。この間、一対の櫛歯電極((i)の電極と(ii)の電極)にかかっている電圧は、このフレームで表示したい階調に常にすればよく、途中で書き換えなくてよい。初期化工程を実行する駆動方法に近いが、実施形態3の駆動は黒表示に戻していないことと、一対の櫛歯電極((i)の電極と(ii)の電極)の電位を1フレーム内で変動しないことが特徴である。また、フレーム反転等をおこなえば、下層電極を一括駆動できるので、回路やドライバの負担も比較的少ないものとすることができる。
図32は、実施形態3の変形例において表示時の各電極の電位変化を示すグラフである。
実施形態3の変形例は、1フレーム目は縦電界有りで、2フレーム目は縦電界無しの繰り返しとなる駆動である。
図33は、実施形態3のもう一つの変形例において表示時の各電極の電位変化を示すグラフである。
実施形態3のもう一つの変形例は、階調が大きく変わるタイミング(階調が大きく変わったフレーム)で縦電界をかけ、他のタイミングは縦電界をかけないような駆動である。例えば、OD(オーバードライブ)駆動をおこなう場合、1フレーム目(図33においては、2フレーム目が該当する。)は縦電界有りの駆動で、高速応答を実現し、2フレーム目以降(図33においては、3フレーム目以降が該当する。)は縦電界を印加しない駆動をおこない、階調を維持するというような駆動が考えられる。
図34は、実施形態4において高階調から低階調(逆電位)へと変化させる場合の各電極の電位変化を示すグラフである。図中、「フリンジ駆動」とは、電位差にもとづいてフリンジ駆動されることを意味する。図35は、実施形態4に係る高階調表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。図36は、実施形態4に係る低階調(逆電位)表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。
フリンジ駆動を用いるとき、高階調では透過率がでないため、高階調では櫛歯駆動をおこなう。このことにより、低電圧で高速応答と高透過率とが両立できる。
図40〜図45は、本発明の駆動装置の設計パターンの一形態を示す平面模式図である。
TFT側の3つの電極を別々に駆動する必要があるため、1絵素当たり3つのTFTが必要になってくる。しかし、TFTの数が多いと開口率が低くなるため、設計パターンを工夫する必要がある。
図40〜図45において、(i)は、上層ITO(Indium Tin Oxide;酸化インジウム錫)(基準電極)を表し、(ii)は、上層ITO(階調電極)を表し、(iii)は、下層ITO(下層電極)を表し、S(i)、S(ii)、S(iii)は、それぞれ電極(i)、(ii)、(iii)に電圧を印加するためのソース配線を表し、M及びM´は、それぞれソース配線以外のゲート配線等のメタル配線を表し、Cは、コンタクトホールを表す。なお、電極材料としては、ITOの他にIZO(Indium Zinc Oxide;酸化インジウム亜鉛)等の公知の材料を用いることができる。
図40は、1絵素当たり3つのTFT(示していない)を用いて駆動する場合を示す。(A)では、下側基板(第2基板)に配置された3つの電極(第1の電極対である基準電極(i)及び階調電極(ii)、及び、第2の電極対の一方の電極である下層電極(iii))を別個に駆動でき、異なる電位とすることができる。そのため、1絵素に対応する3本のソース配線と3つのTFTが必要である。なお、S(i)は、基準電極(i)用ソース配線を表し、S(ii)は、階調電極(ii)用ソース配線を表し、S(iii)は、下層電極(iii)用ソース配線を表す。3TFT駆動では、本明細書に示したあらゆる駆動方法をおこなうことが可能であり、また、信号の遅延が少なく、大型の液晶駆動装置、液晶表示装置に有利なものとすることができる。
図41は、1絵素当たり2つのTFTを用いて駆動し、下層電極が横ライン方向で共通する場合を示す。(B−1)では、下側基板(第2基板)に配置された下層電極(iii)(第2の電極対の一方の電極)は、画素ライン毎に電気的に接続される。
すなわち、基準電極(i)、階調電極(ii)は、個別に駆動できるようにソース配線S(i)、S(ii)からそれぞれ電圧を印加する。
下層電極(iii)は、横ライン方向(ゲート配線方向)をすべて同一の下層電極とすること、すなわち、下層電極(iii)が横ライン方向で共通接続されていることで、TFTとソース配線の数を減らして開口率を高める(縦ライン方向でもよく、同様に開口率を高める効果を発揮できる)。このとき、大型パネルでは下層電極の抵抗が大きすぎて波形がなまる可能性があるので、大型パネルにおいて下層電極等の共通接続されるITOにメタルを電気的に接続させて抵抗を低くすることが好ましい。
下層電極共通の2TFT駆動では、開口率を高めることができる。
図42は、1絵素当たり2つのTFTを用いて駆動し、基準電極(i)が横ライン方向で共通する場合を示す。(B−2)では、第2基板(下側基板)に配置された第1の電極対の、一方の電極である基準電極(i)が、画素ライン毎に電気的に接続される。
ここで、階調電極(ii)、下層電極(iii)は、個別に駆動できるようにソース配線から電圧を印加する。基準電極(i)は、図42に示すように横ライン方向で共通化するものであってもよい。また、縦ラインで共通化するものであってもよい。
階調電極(ii)は、横ライン方向(ゲート方向)をすべて同一とすることでTFTとソースの数を減らして開口率を高める(縦ライン方向で同一とするものであってもよい)。このとき、基準電極等の共通接続されるITOにメタルを電気的に接続させることが好ましい。
基準電極(階調電極)共通の2TFT駆動では、開口率を高めることができる。
図43は、1絵素当たり2つのTFTを用いて駆動し、下層電極と基準電極(i)とを共通化した場合を示す。(B−3)では、下側基板(第2基板)に配置された2つの電極(第1の電極対の一方の電極である基準電極(i)及び第2の電極対の一方の電極である下層電極(iii))は、電気的に接続される。
ここでは、階調電極(ii)は、個別に駆動できるようにソース配線S(ii)から電圧を印加する。
基準電極(i)は、ソース配線S(i)から別供給されるが、TFTの数を減らすため、基準電極(i)と下層電極(iii)とをコンタクトホールでつなぐ(電気的に接続する)ことで下層電極(iii)用のTFTとソースラインが必要なくなる。
下層電極と基準電極とを共通化した2TFT駆動では、開口率を高めることができるとともに、他の2TFT駆動方法(B−1)、(B−2)よりも共通接続される電極の抵抗を少なくすることができる。
図44は、1絵素当たり1つのTFTを用いて駆動し、下層電極(iii)と基準電極(i)とを共通化した場合を示す。(C−1)では、第2の電極対の一方の電極である下層電極(iii)は、画素ライン毎に電気的に接続され、かつ第2基板に配置された2つの電極(第1の電極対の一方の電極である基準電極(i)及び第2の電極対の一方の電極である下層電極(iii))は、電気的に接続される。すなわち、第1の電極対の少なくとも一方の電極は、上記第2の電極対の一方と電気的に接続され、液晶駆動装置は、表示のための複数の画素を備え、該第2の電極対の少なくとも一方の電極は、画素ラインに沿って電気的に接続されており、当該形態も本発明の好ましい形態の1つである。
ここでは、階調電極(ii)は、個別に駆動できるようにソース配線S(ii)から電圧を印加する。
下層電極(iii)を横方向(縦方向でもよい)で共通化し、1ラインごとに入力することでTFTとソースを削減することができる。また、基準電極(i)と下層電極(iii)とをコンタクトホールでつなぐことで1絵素当たり1TFTによる駆動装置を実現する。
下層電極(iii)と基準電極(i)とを共通化した1TFT駆動では、開口率を最大とすることができ、小型及び中型の液晶駆動装置、液晶表示装置に好適なものとすることができる。
図45は、1絵素当たり1つのTFTを用いて駆動し、下層電極(iii)を画素ラインに沿って共通化するとともに、基準電極(i)も画素ラインに沿って共通化した場合を示す。(C−2)では、第2の電極対の一方の電極である下層電極(iii)は、画素ライン毎に電気的に接続され、かつ第2基板に配置された第1の電極対の一方の電極である基準電極(i)も、画素ライン毎に電気的に接続される。
ここでは、階調電極(ii)は、個別に駆動できるようにソース配線S(ii)から電圧を印加する。
下層電極(iii)を横方向(縦方向でもよい)で共通化し、基準電極(i)も横方向(縦方向でもよい)で共通化し、1ラインごとに入力することでTFTとソースを削減することができる。基準電極(i)と下層電極(iii)とをそれぞれ画素ライン毎に電気的に接続することで1絵素当たり1TFTによる駆動装置を実現する。また、低抵抗化の観点からは、共通接続されるITO等の基準電極及び/又は共通接続されるITO等の下層電極にメタルを電気的に接続させることが好ましい。
下層電極(iii)と基準電極(i)とを共通化した1TFT駆動では、開口率を最大とすることができ、小型及び中型の液晶駆動装置、液晶表示装置に好適なものとすることができる。
上述した各実施形態に好適に適用することができる電圧印加方法について、更に以下に説明する。
図46は、実施形態1(常時縦電界駆動)に係る駆動装置の電圧印加方法の一形態を示すグラフである。常に縦電界をかけ続け、階調電極(ii)のみ駆動する。
図51及び図52では、低階調はフリンジ駆動をおこなう。図51は、上層電極を駆動する方法を示し、図52は、下層電極を駆動する方法を示している。
液晶を応答させるとき、電界の力で応答させる方が速い。ところが、低階調駆動(例:0階調→32階調)などの場合、横電界のみで駆動すると液晶にかかる電圧が弱いため、応答速度が遅くなる。これは、垂直配向である液晶と横向きに倒そうとする電界の強さが同程度の強さのため、液晶が配向しにくいためである。
ここで、縦電界を追加することで、液晶は縦電界と横電界の合成ベクトル方向を向くようになる。液晶が垂直方向に向こうとする力よりも電界による力が強くなるため、液晶の応答が速くなる。
図54は、本発明に係る縦電界駆動をおこなう低階調表示時の液晶駆動装置の断面模式図である。縦電界の駆動では縦電界と横電界の合成のため、電界が強くなるので、応答が速くなる。この時、液晶は電界が強く電界方向に液晶が倒れる。
図55は、低階調駆動の応答速度を示す棒グラフである。縦電界無しの駆動では下層電極(iii)は対向電極(iv)と同電位である。縦電界有りの駆動では下層電極(iii)に7.5Vを印加している。
点線は、実施形態1(常時縦電界駆動)の例を示す。常に縦電界がかかるので駆動は簡単であるが、白輝度が低い。実線は、実施形態2(低階調表示のみ縦電界を印加)の例を示す。255階調で縦電界がなくなるので、白輝度が高くなる。縦電界は、なるべくかかっている方が、応答速度は速い。
本発明の構成は、パネルを分解し、TFTアレイと対向側の基板とをSEM(Scanning Electron Microscope;走査型電子顕微鏡)等で解析すること、駆動電圧を検証することで確認することができる。
図57は、比較例1に係る液晶駆動装置のフリンジ電界発生時における断面模式図である。図58は、図57に示した液晶駆動装置の平面模式図である。図59は、図57に示した液晶駆動装置についてのシミュレーション結果である。
比較例1に係る液晶表示パネルは、特許文献1と同様に、FFS駆動によりフリンジ電界を発生させるものである。図59は、ダイレクタD、電界、および透過率分布のシミュレーション結果(セル厚5.4μm、スリット間隔2.6μm)を示す。
本発明の各実施形態においては、酸化物半導体TFT(IGZO等)が好適に用いられる。この酸化物半導体TFTについて、以下に詳細に説明する。
(1)画素容量が通常のVA(垂直配向)モードよりも大きい(図60は、本実施形態の液晶駆動方法に用いられる液晶表示装置の一例を示す断面模式図であるところ、図60中、矢印で示される箇所において、上層電極と下層電極との間に大きな容量が発生するため、画素容量が通常の垂直配向〔VA:Vertical Alignment〕モードの液晶表示装置より大きい。)。(2)RGBの3画素が1画素になるため、1画素の容量が3倍である。(3)更に、240Hz以上の駆動が必要のためゲートオン時間が非常に短い。
上記(1)と(2)の理由より、52型で画素容量がUV2Aの240Hz駆動の機種の約20倍ある。
故に、従来のa−Siでトランジスタを作製するとトランジスタが約20倍以上大きくなり、開口率が充分にとれない課題があった。
IGZOの移動度はa−Siの約10倍であるため、トランジスタの大きさが約1/10になる。
カラーフィルタRGBを用いる液晶表示装置にあった3つのトランジスタが1つになっているので、a−Siとほぼ同等か小さいくらいで作製可能である。
上記のようにトランジスタが小さくなると、Cgdの容量も小さくなるので、その分ソースバスラインに対する負担も小さくなる。
酸化物半導体TFTの構成図(例示)を、図61、図62に示す。図61は、本実施形態に用いられるアクティブ駆動素子周辺の平面模式図である。図62は、本実施形態に用いられるアクティブ駆動素子周辺の断面模式図である。なお、符号Tは、ゲート・ソース端子を示す。符号Csは、補助容量を示す。
酸化物半導体TFTの作製工程の一例(当該部)を、以下に説明する。
酸化物半導体膜を用いたアクティブ駆動素子(TFT)の活性層酸化物半導体層905a、905bは、以下のようにして形成できる。
まず、スパッタリング法を用いて、例えば厚さが30nm以上、300nm以下のIn−Ga−Zn−O系半導体(IGZO)膜を絶縁膜913iの上に形成する。この後、フォトリソグラフィにより、IGZO膜の所定の領域を覆うレジストマスクを形成する。次いで、IGZO膜のうちレジストマスクで覆われていない部分をウェットエッチングにより除去する。この後、レジストマスクを剥離する。このようにして、島状の酸化物半導体層905a、905bを得る。なお、IGZO膜の代わりに、他の酸化物半導体膜を用いて酸化物半導体層905a、905bを形成してもよい。
具体的には、まず、絶縁膜913i及び酸化物半導体層905a、905bの上に、絶縁膜907として例えばSiO2膜(厚さ:例えば約150nm)をCVD法によって形成する。
絶縁膜907は、SiOy等の酸化物膜を含むことが好ましい。
絶縁膜907の厚さ(積層構造を有する場合には各層の合計厚さ)は、50nm以上、200nm以下であることが好ましい。50nm以上であれば、ソース・ドレイン電極のパターニング工程等において、酸化物半導体層905a、905bの表面をより確実に保護できる。一方、200nmを超えると、ソース電極やドレイン電極により大きい段差が生じるので、断線等を引き起こすおそれがある。
11、21、111、121、211、221、311、321、411、421、511、521、611、621、711、721、811、821:ガラス基板
13、23、113、123、213、223、313、323、413、423、513、523、613、623、713、723、813、823:対向電極
15、115、215、315、415、515、615、715、815:絶縁層
16:一対の櫛歯電極
17、19、117、119、217、219、417、419、517、519、617、619、717、719:櫛歯電極
20 、120、220、320、420、520、620、720、820:対向基板
30、130、230、330、430、530、630、730、830:液晶層
31:液晶(液晶分子)
41:0.6msの時点
817:スリット電極
901a:ゲート配線
901b:補助容量配線
901c:接続部
911g:基板
913i:絶縁膜(ゲート絶縁膜)
905a、905b:酸化物半導体層(活性層)
907:絶縁層(エッチングストッパ、保護膜)
909as、909ad、909b、915b:開口部
911as:ソース配線
911ad:ドレイン配線
911c、917c:接続部
913p:保護膜
917pix:画素電極
901:画素部
902:端子配置領域
Cs:補助容量
T:ゲート・ソース端子
D:ダイレクタ
t:透過率
Claims (16)
- 第1基板及び第2基板により液晶層が挟持され、少なくとも二対の電極によって液晶が駆動される液晶駆動装置であって、
該液晶駆動装置は、一対の電極を第1の電極対、それとは異なる一対の電極を第2の電極対とすると、表示に用いる全階調数の半分以下の階調数の表示となるときに、第1の電極対の電極間に電位差を生じさせると同時に、第2の電極対の電極間にも電位差を生じさせる駆動操作を実行する
ことを特徴とする液晶駆動装置。 - 前記液晶駆動装置は、表示に用いる全階調数の半分を超える階調数の表示となるときに、第1の電極対の電極間に電位差を生じさせると同時に、第2の電極対の電極間にも電位差を生じさせる駆動操作を実行する
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶駆動装置。 - 前記液晶駆動装置は、表示に用いる全階調数の半分を超える階調数の表示となるときに、第1の電極対の電極間に電位差を生じさせると同時に、第2の電極対の電極間には電位差を生じさせない駆動操作を実行する
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶駆動装置。 - 前記液晶駆動装置は、表示をおこなう間に、第2の電極対の一方の電極の電位を変化させる
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 第1基板及び第2基板により液晶層が挟持され、少なくとも二対の電極によって液晶が駆動される液晶駆動装置であって、
該液晶駆動装置は、一対の電極を第1の電極対、それとは異なる一対の電極を第2の電極対とすると、表示に用いる全階調数の半分以下の階調数の表示となるときに、第1の電極対の電極間に電位差を生じさせず、かつ第1の電極対の電極と第2の電極対の電極の一方との間に電位差を生じさせると同時に、第2の電極対の電極間にも電位差を生じさせる駆動操作を実行する
ことを特徴とする液晶駆動装置。 - 前記第1の電極対は、第2基板に配置された一対の櫛歯電極であり、
前記第2の電極対は、第1基板及び第2基板のそれぞれに配置された対向電極である
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 前記液晶駆動装置は、フィールドシーケンシャル駆動をおこなう表示装置、車載用表示装置、又は、3D表示装置に用いられる
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 前記液晶駆動装置は、表示のための複数の画素を備え、
前記第1の電極対の少なくとも一方の電極は、画素ラインに沿って電気的に接続される
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 前記第1の電極対の少なくとも一方の電極は、透明導電体及び該透明導電体と電気的に接続される金属導電体から構成される
ことを特徴とする請求項8に記載の液晶駆動装置。 - 前記第1の電極対の少なくとも一方の電極は、前記第2の電極対の一方と電気的に接続される
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 前記液晶駆動装置は、表示のための複数の画素を備え、
前記第2の電極対の少なくとも一方の電極は、画素ラインに沿って電気的に接続される
ことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 前記第2の電極対の少なくとも一方の電極は、透明導電体及び該透明導電体と電気的に接続される金属導電体から構成される
ことを特徴とする請求項11に記載の液晶駆動装置。 - 前記画素ラインごとに電気的に接続された電極の主線は、基板主面を平面視したときに、金属配線と重畳する
ことを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 前記液晶駆動装置は、フィールドシーケンシャル駆動をおこなうものであり、かつ円偏光板を備えるものである
ことを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 前記第1基板及び第2基板の少なくとも一方は、薄膜トランジスタ素子を備え、
該薄膜トランジスタ素子は、酸化物半導体を含む
ことを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の液晶駆動装置。 - 請求項1〜15のいずれかに記載の液晶駆動装置を備える
ことを特徴とする液晶表示装置。
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