JPWO2012042962A1 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置および発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012042962A1 JPWO2012042962A1 JP2012536244A JP2012536244A JPWO2012042962A1 JP WO2012042962 A1 JPWO2012042962 A1 JP WO2012042962A1 JP 2012536244 A JP2012536244 A JP 2012536244A JP 2012536244 A JP2012536244 A JP 2012536244A JP WO2012042962 A1 JPWO2012042962 A1 JP WO2012042962A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting elements
- emitting element
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/10—Controlling the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
Description
第1実施形態に係る発光装置100について、図1〜図7を参照しながら詳細に説明する。以下の説明では、まず発光装置100の全体構成について説明した後に、各構成について説明する。なお、説明の便宜上、図2における光反射樹脂6は、輪郭線のみを示している。また、説明の便宜上、図2における発光素子2のp電極2aおよびn電極2bは、各発光素子2の向きを示すために実装領域1a上の4箇所だけ図示し、実装領域1a上のその他の箇所では図示を省略している。また、説明の便宜上、図5〜図7において、第1発光素子21および第2発光素子22を行方向に直列接続するワイヤWは図示を省略している。
発光装置100は、例えば、LED電球、スポットライト等の照明器具等に利用できる装置である。発光装置100は、図1および図2に示すように、基板1と、基板1の実装領域1aに複数配置された発光素子2と、基板1上に形成された正極3および負極4と、正極3に配置された保護素子5と、発光素子2や保護素子5等の電子部品と、正極3や負極4等を接続するワイヤWと、基板1上に形成された光反射樹脂6と、光反射樹脂6内に充填された封止部材7と、を主な構成として備えている。
基板1は、発光素子2や保護素子5等の電子部品を配置するためのものである。基板1は、図1および図2に示すように、矩形平板状に形成されている。また、基板1上には、図2に示すように複数の発光素子2を配置するための実装領域1aが区画されている。なお、基板1のサイズや形状は特に限定されず、発光素子2の数や配列間隔等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
実装領域1aは、複数の発光素子2を配置するための領域である。実装領域1aは、図2に示すように、基板1の中央の領域に区画されている。実装領域1aの周囲には、図2を平面視した場合において、実装領域1aの左側の辺に沿って配線部3bの一部および配線部4bの一部が形成され、実装領域1aの下側の辺に沿って配線部4bの一部が形成され、実装領域1aの右側の辺に沿って中継配線部8が形成されている。なお、ここでの実装領域1aの周囲とは、図2に示すように、実装領域1aの周縁と所定の間隔を置いた周囲のことを意味している。
発光素子2は、電圧を印加することで自発光する半導体素子である。発光素子2は、図2に示すように、基板1の実装領域1aに複数配置され、当該複数の発光素子2が一体となって発光装置100の発光部20を構成している。なお、図示された発光部20は単に発光素子2を載置させる領域を示すものである。
発光素子2は、図2に示すように、実装領域1a上において、行方向(横方向)および列方向(縦方向)にそれぞれ等間隔で配列されており、ここでは、8行×6列(縦8個×横6個)の合計48個配置されているものを例にとって説明する。また、発光素子2は、図2に示すように、実装領域1aに対して行方向に隣り合う発光素子2同士が導電性のワイヤWによって電気的に接続され、直列接続されている。なお、ここでの直列接続とは、図2に示すように、隣り合う発光素子2におけるp電極2aとn電極2bとがワイヤWによって電気的に接続された状態を意味している。
正極3および負極4は、基板1上の複数の発光素子2や保護素子5等の電子部品と、図示しない外部電源とを電気的に接続し、これらの電子部品に対して外部電源からの電圧を印加するためのものである。すなわち、正極3および負極4は、外部から通電させるための電極、またはその一部としての役割を担うものである。
光反射樹脂6は、発光素子2から出射された光を反射させるためのものである。光反射樹脂6は、図2に示すように、配線部3b,4bの一部、中継配線部8、保護素子5およびこれらに接続されるワイヤWを覆うように形成される。これにより、配線部3b,4b、中継配線部8およびワイヤWを、前記あるいは後記したように光を吸収しやすいAuで形成した場合であっても、発光素子2から出射された光が配線部3b,4b、中継配線部8およびワイヤWには到達せずに光反射樹脂6によって反射される。なお、光反射樹脂6は省略してもよい。例えば、基板1として凹部が形成された基板を使用し、凹部の底面に発光素子2を配置し、凹部の内壁面を光反射面として利用することができる。
封止部材7は、基板1に配置された発光素子2、保護素子5およびワイヤW等を、塵芥、水分、外力等から保護するための部材である。封止部材7は、図1および図2に示すように、基板1上において、光反射樹脂6で囲った実装領域1a内に樹脂を充填することで形成される。封止部材7の材料としては、発光素子2からの光を透過可能な透光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等を挙げることができる。
中継配線部8は、正極3と負極4の間における配線を中継するためのものである。中継配線部8は、図2に示すように、基板1上の金属部材で構成されている。中継配線部8は、図2に示すように、実装領域1aの周囲において、当該実装領域1aの一辺、すなわち右側の辺に沿って直線状に形成されている。
次に、本発明の第1の実施形態に係る発光装置100の製造方法について、簡単に説明する。発光装置100の製造方法は、基板作製工程と、めっき工程と、発光素子配置工程と、保護素子接合工程と、ワイヤボンディング工程と、光反射樹脂形成工程と、封止部材充填工程と、を含む。
基板作製工程は、めっき用配線が形成された基板1を作製する工程である。基板作製工程では、基板1上の実装領域1aや、正極3および負極4となる部位を所定の形状にパターニングすることで形成する。また、基板作製工程では、めっきによって基板1上の実装領域1aに金属膜を形成するためのめっき用配線を形成する。
めっき工程は、前記めっき配線が形成された基板1上に、少なくとも正極3および負極4を構成する金属部材を形成する工程であり、好ましくは無電解めっきにより正極3および負極4を構成する金属部材を形成するとともに、基板1上の実装領域1a上に、電解めっきにより金属膜を形成する工程である。また、中継配線部8を設ける場合、正極3および負極4と同様の工程で金属部材が形成される。
発光素子分類工程は、同一系統の色を発光する複数の発光素子2を、各発光素子2の明るさによって複数のランクに分類する工程である。第1実施形態では、第1群と、前記第1群よりも小さい出力を有する第2群と、に分類する。この場合、各発光素子2に一定の電流を流して出力を測定し、その平均値付近を境界として高出力の第1群と低出力の第2群に分類することができる。例えば、発光波長が450nm〜452.4nmの範囲であり、出力が、その平均値を1としたときに約0.8〜1.2の範囲に分布している複数の発光素子2を、出力の平均値である1を境界として高出力の第1群と低出力の第2群に分類する。なお、各群は発光素子2に一定の電流を流した際の明るさを基準に分類されればよく、出力のほか、光度や放射強度を測定し、これによって分類することもできる。また、発光素子2の光度等の光の明るさに波長等を考慮した変換式を掛け合わせた数値によって分類することもできる。
発光素子配置工程は、基板1(金属膜)上に発光素子2を配置する工程である。発光素子配置工程は、実装領域1a上の金属膜に、接合部材を介して、発光素子2を載置し、発光素子2を実装領域1a上の金属膜上に接合することで、基板1上に発光素子2を配置する。発光素子配置工程では、具体的には、基板1上に、第1群から選択された第1発光素子21と第2群から選択された第2発光素子22とを行方向および列方向に、かつ、第1発光素子21と第2発光素子22とが各行方向に交互に位置するように配置する。
保護素子接合工程は、前記正極3の配線部3b上に保護素子5を載置して接合する工程である。保護素子5を載置、接合する方法は、前記発光素子配置工程と同様であるので、ここでは説明を省略する。
ワイヤボンディング工程は、前記発光素子配置工程の後に、発光素子2同士をワイヤWによって接続するとともに、発光素子2と正極3、あるいは、発光素子2と負極4をワイヤWによって電気的に接続する工程である。ワイヤボンディング工程では、より具体的には、まず、行方向に配置された第1発光素子21のp電極2aまたはn電極2bと、第2発光素子22のn電極2bまたはp電極2aと、をワイヤWで電気的に接続することで、行方向に配置された発光素子2同士を直列接続する。そして、行方向に直列接続された各行の一方の端部となる第1発光素子21または第2発光素子22のp電極2aと、金属部材の正極3の配線部3bと、をワイヤWで電気的に接続するとともに、各行の他方の端部となる第1発光素子21または第2発光素子22のn電極2bと、金属部材の負極4の配線部4bと、をワイヤWで電気的に接続することで、各行を並列接続する。
光反射樹脂形成工程は、前記ワイヤボンディング工程の後に、前記実装領域1aの周縁に沿って、少なくとも配線部3b,4bの一部および中継配線部8を覆うように光反射樹脂6を形成する工程である。光反射樹脂6の形成は、例えば、固定された基板1の上側において、基板1に対して上下方向あるいは水平方向などに移動(可動)させることができる樹脂吐出装置を用いて行うことができる(特開2009−182307号公報参照)。
封止部材充填工程は、前記光反射樹脂6の内側に、前記発光素子2および前記金属膜を被覆する透光性の封止部材7を充填する工程である。すなわち、発光素子2、保護素子5、実装領域1a上の金属膜およびワイヤW等を被覆する封止部材7を、基板1上に形成された光反射樹脂6からなる壁部の内部に樹脂を注入し、その後加熱や光照射等によって硬化する工程である。
第2実施形態に係る発光装置について、図9を参照しながら詳細に説明する。第2実施形態に係る発光装置は、図9に示すように、発光素子2(第1発光素子21、第2発光素子22)の配置以外は、前記した第1実施形態に係る発光装置100と同様の構成を備えている。従って、前記した発光装置100と重複する構成については、説明を省略する。
第3実施形態に係る発光装置について、図10を参照しながら詳細に説明する。第3実施形態に係る発光装置は、図10に示すように、発光素子2A(第1発光素子23、第2発光素子24、第3発光素子25)の構成及び配置以外は、前記した第1実施形態に係る発光装置100と同様の構成を備えている。従って、前記した発光装置100と重複する構成については、説明を省略する。
第4実施形態に係る発光装置について、図11を参照しながら詳細に説明する。第4実施形態に係る発光装置は、図11に示すように、発光素子2A(第1発光素子23、第2発光素子24、第3発光素子25)の配置以外は、前記した第3実施形態に係る発光装置と同様の構成を備えている。従って、前記した第3実施形態に係る発光装置と重複する構成については、説明を省略する。
第5実施形態に係る発光装置について、図12を参照しながら詳細に説明する。第5実施形態に係る発光装置は、図12に示すように、発光素子2(第1発光素子21、第2発光素子22)の配置以外は、前記した第1実施形態に係る発光装置100と同様の構成を備えている。従って、前記した発光装置100と重複する構成については、説明を省略する。
1a 実装領域
2,2A,2’ 発光素子
2a p電極
2b n電極
3 正極
3a パッド部
3b 配線部
4 負極
4a パッド部
4b 配線部
5 保護素子
6 光反射樹脂
7 封止部材
8 中継配線部
20 発光部
21,23 第1発光素子
22,24 第2発光素子
25 第3発光素子
100 発光装置
CM カソードマーク
W ワイヤ
Claims (17)
- 同一系統の色を発光する複数の発光素子が複数の行方向および列方向に配置され、かつ、前記行方向に配置された前記複数の発光素子が当該行方向に直列接続され、前記複数の発光素子が直列接続された各行が並列接続された発光装置であって、
前記複数の発光素子は、第1発光素子と、前記第1発光素子よりも小さい出力を有する第2発光素子と、からなり、
前記第1発光素子および前記第2発光素子は、前記各行方向に交互に配置されていることを特徴とする発光装置。 - 少なくとも1つの前記行は、前記発光素子の順方向電圧の平均値が他の行と異なることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子および前記第2発光素子は、前記列方向に連続して配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子および前記第2発光素子は、前記列方向に交互に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記各行方向に交互に配置される前記第1発光素子の数と前記第2発光素子の数は、同数であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 同一系統の色を発光する複数の発光素子が複数の行方向および列方向に配置され、かつ、前記行方向に配置された前記複数の発光素子が当該行方向に直列接続され、前記複数の発光素子が直列接続された各行が並列接続された発光装置であって、
前記複数の発光素子は、第1発光素子と、前記第1発光素子よりも小さい出力を有する第2発光素子と、前記第2発光素子よりも小さい出力を有する第3発光素子と、からなり、
前記第1発光素子、前記第2発光素子および前記第3発光素子は、前記各行方向に所定の順序で配置されていることを特徴とする発光装置。 - 少なくとも1つの前記行は、前記発光素子の順方向電圧の平均値が他の行と異なることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子、前記第2発光素子および前記第3発光素子は、前記列方向に連続して配置されていることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子、前記第2発光素子および前記第3発光素子は、前記列方向に所定の順序で配置されていることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の発光装置。
- 前記各行方向に所定の順序で配置される前記第1発光素子の数と前記第2発光素子の数と前記第3発光素子の数は、同数であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の発光装置。
- 前記複数の発光素子が配置された基板と、
前記基板上に形成され、前記複数の発光素子に電圧を印加する正極および負極と、
前記複数の発光素子の周囲を囲うように前記基板上に形成された光反射樹脂と、
を備えることを特徴とする請求項1または請求項6に記載の発光装置。 - 同一系統の色を発光し、複数の行方向および列方向に配置される複数の発光素子と、
前記複数の発光素子が配置された基板と、
前記基板上に形成され、前記複数の発光素子と電気的に接続された正極の配線部および負極の配線部と、
前記正極の配線部および前記負極の配線部を介して前記複数の発光素子に電圧を印加する正極および負極と、
を備え、
前記複数の発光素子は、同数個ずつ直列接続されるとともに、各直列接続の端部となる発光素子が列方向に配置されて前記正極の配線部および前記負極の配線部とそれぞれ電気的に接続されることで並列接続されており、
前記複数の発光素子は、第1発光素子と、前記第1発光素子よりも小さい出力を有する第2発光素子と、からなり、
前記第1発光素子および前記第2発光素子は、前記各行方向に交互に配置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記第1発光素子および前記第2発光素子は、前記列方向に連続して配置されていることを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子および前記第2発光素子は、前記列方向に交互に配置されていることを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
- 前記各行方向に交互に配置される前記第1発光素子の数と前記第2発光素子の数は、同数であることを特徴とする請求項12から請求項14のいずれか一項に記載の発光装置。
- 同一系統の色を発光する複数の発光素子が複数の行方向および列方向に配置され、かつ、前記行方向に配置された前記複数の発光素子が当該行方向に直列接続され、前記複数の発光素子が直列接続された各行が並列接続された発光装置の製造方法であって、
同一系統の色を発光する複数の発光素子を、第1群と、前記第1群よりも小さい出力を有する第2群と、に分類する発光素子分類工程と、
正極および負極が形成された基板上に、前記第1群から選択された第1発光素子と、前記第2群から選択された第2発光素子と、を複数の前記行方向および前記列方向に、かつ、前記第1発光素子と前記第2発光素子とが前記各行方向に交互に位置するように配置し、前記行方向に配置された発光素子を直列接続し、前記各行を並列接続し、前記発光素子と前記正極および前記負極とを電気的に接続する発光素子配置工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記発光素子配置工程は、
前記第1発光素子を前記列方向に複数配置する第1段階と、
前記第1段階によって配置された前記複数の第1発光素子と隣り合う位置に、前記第2発光素子を前記列方向に複数配置する第2段階と、
を含むことを特徴とする請求項16に記載の発光装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010221750 | 2010-09-30 | ||
JP2010221750 | 2010-09-30 | ||
PCT/JP2011/060823 WO2012042962A1 (ja) | 2010-09-30 | 2011-05-11 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012042962A1 true JPWO2012042962A1 (ja) | 2014-02-06 |
Family
ID=45892443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012536244A Pending JPWO2012042962A1 (ja) | 2010-09-30 | 2011-05-11 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9497827B2 (ja) |
JP (1) | JPWO2012042962A1 (ja) |
CN (1) | CN103026514B (ja) |
WO (1) | WO2012042962A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5902301B2 (ja) * | 2012-07-09 | 2016-04-13 | シャープ株式会社 | 発光装置、および照明装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101881065B1 (ko) * | 2011-12-21 | 2018-07-24 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 및 백라이트 유닛 |
US9859484B2 (en) * | 2012-10-24 | 2018-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting apparatus |
JP6291800B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2018-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN103256574B (zh) * | 2013-04-18 | 2015-02-04 | 李宪坤 | 一种led灯具智能布线方法及系统 |
JP2016021477A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
BR102015027316B1 (pt) | 2014-10-31 | 2021-07-27 | Nichia Corporation | Dispositivo emissor de luz e sistema de lâmpada frontal de farol de acionamento adaptativo |
JP2017050344A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP6944104B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2021-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018121038A (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 実装基板、発光装置、及び、照明装置 |
CN112365814B (zh) * | 2020-11-20 | 2023-06-27 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 显示装置、显示控制方法及计算机可读存储介质 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0278102A (ja) * | 1987-12-24 | 1990-03-19 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオード照明具 |
JP2001222242A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオードを用いたディスプレイ |
JP2003124528A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led照明装置およびカード型led照明光源 |
JP2008180842A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Ricoh Co Ltd | 照明装置、画像読取装置、及び、画像形成装置 |
JP2008227412A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
JP2009164157A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nichia Corp | 発光装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4935665A (en) | 1987-12-24 | 1990-06-19 | Mitsubishi Cable Industries Ltd. | Light emitting diode lamp |
JP4207252B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2009-01-14 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP4932078B2 (ja) | 2000-12-04 | 2012-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US8018427B2 (en) | 2006-04-28 | 2011-09-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Illumination device and liquid crystal display device provided therewith |
JP4607837B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2011-01-05 | パナソニック株式会社 | Ledチップの実装方法及び実装装置、並びにledチップ実装済み基板 |
TWI369777B (en) * | 2007-10-04 | 2012-08-01 | Young Lighting Technology Corp | Surface light source of backlight module in a flat panel display |
US8049237B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR100986359B1 (ko) * | 2008-03-14 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치 |
JP5196262B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-05-15 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP5317064B2 (ja) | 2009-11-30 | 2013-10-16 | シャープ株式会社 | 面光源、液晶表示装置および照明装置 |
-
2011
- 2011-05-11 CN CN201180036407.4A patent/CN103026514B/zh active Active
- 2011-05-11 JP JP2012536244A patent/JPWO2012042962A1/ja active Pending
- 2011-05-11 US US13/877,013 patent/US9497827B2/en active Active
- 2011-05-11 WO PCT/JP2011/060823 patent/WO2012042962A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0278102A (ja) * | 1987-12-24 | 1990-03-19 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオード照明具 |
JP2001222242A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオードを用いたディスプレイ |
JP2003124528A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led照明装置およびカード型led照明光源 |
JP2008180842A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Ricoh Co Ltd | 照明装置、画像読取装置、及び、画像形成装置 |
JP2008227412A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
JP2009164157A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nichia Corp | 発光装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5902301B2 (ja) * | 2012-07-09 | 2016-04-13 | シャープ株式会社 | 発光装置、および照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130193862A1 (en) | 2013-08-01 |
CN103026514A (zh) | 2013-04-03 |
CN103026514B (zh) | 2016-08-03 |
WO2012042962A1 (ja) | 2012-04-05 |
US9497827B2 (en) | 2016-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2012042962A1 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
TWI467737B (zh) | 發光二極體封裝結構、照明裝置及發光二極體封裝用基板 | |
JP5768435B2 (ja) | 発光装置 | |
US8198644B2 (en) | Multichip on-board LED illumination device | |
US9711489B2 (en) | Multiple pixel surface mount device package | |
KR101662038B1 (ko) | 칩 패키지 | |
JP6440060B2 (ja) | 発光装置、及びそれを用いた照明装置 | |
US20110309381A1 (en) | Light-emitting device and lighting apparatus | |
WO2011129203A1 (ja) | 発光装置 | |
JP6616088B2 (ja) | Ledアセンブリー及びこのledアセンブリーを用いたled電球 | |
US8766536B2 (en) | Light-emitting module having light-emitting elements sealed with sealing member and luminaire having same | |
EP3128565A1 (en) | Light-emission module | |
JP2011192703A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
TWI388069B (zh) | 頂視型與側視型的發光二極體 | |
JP6913460B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP2013021042A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
KR101775428B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP5810793B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2014192407A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR20130046175A (ko) | 멀티칩형 엘이디 패키지 | |
KR20070099350A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치 | |
KR101823930B1 (ko) | 발광소자 패키지 어레이 및 발광소자 패키지 제조 방법 | |
JP5769129B2 (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
JP6565672B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017050343A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150304 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150925 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20151016 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20151225 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160516 |