JPWO2012023537A1 - ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- フッ素を含有するエッチングガスを真空槽内に導入し、プラズマ生成手段により該エッチングガスをプラズマ化して基板に凹部を形成する第1のエッチング工程と、
前記真空槽内に存在する前記エッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを前記真空槽内に供給し、プラズマ化した前記エッチングガスにより前記凹部のエッチングを進行させつつ、プラズマ化した前記デポジションガスにより少なくとも前記凹部の内側面に保護膜を形成する第2のエッチング工程とを備えることを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記デポジションガスはフッ化炭素化合物を含有し、
前記第2のエッチング工程は、前記デポジションガスを間欠的に前記真空槽内に供給することを備える請求項1に記載のドライエッチング方法。 - 前記プラズマ生成手段に高周波電力を供給する高周波電源のインピーダンスと前記真空槽内のプラズマ生成領域を含めたインピーダンスとの整合をとるとともに、
前記第1のエッチング工程及び前記第2のエッチング工程において、希釈ガスを定常的に前記真空槽内に供給することを特徴とする請求項1又は2に記載のドライエッチング方法。 - 前記第2のエッチング工程は、前記エッチングガスを充填したエッチングガス供給源からの供給を該エッチングガス供給源と前記真空槽との間に設けられた供給制御部により停止して、前記供給制御部よりも下流の流路に残留した前記エッチングガスを、前記真空槽内の負圧により前記真空槽内に導くことで残留した前記エッチングガスを前記真空槽に供給することを備える請求項1〜3のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。
- 前記第2のエッチング工程は、前記下流の流路に残留しているエッチングガスを、前記供給制御部が前記エッチングガス供給源を遮断している期間に、前記真空槽内を介して前記真空槽の外部に排気すること、及び、前記デポジションガスの供給源から間欠的に供給された前記デポジションガスを、前記供給制御部が前記エッチングガス供給源を遮断している期間に、前記真空槽内を介して前記真空槽の外部に排気することを備える、請求項4に記載のドライエッチング方法。
- シリコン層と該シリコン層上に形成されたマスクとを有する半導体基板に前記シリコン層を貫通する貫通孔を形成する半導体装置の製造方法において、
前記貫通孔を形成する工程は、
フッ素を含有するエッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板に凹部を形成する第1のエッチング工程と、
真空槽内に存在する前記エッチングガスを連続的に減少させながら、デポジションガスを供給し、前記プラズマ化した前記エッチングガスにより前記凹部のエッチングを進行させつつ、プラズマ化した前記デポジションガスにより少なくとも前記凹部の内側面に保護膜を形成する第2のエッチング工程と、
前記凹部が前記シリコン層を貫通した際に、前記保護膜を除去して前記貫通孔を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2のエッチング工程は、前記第1のエッチング工程の後に、前記真空槽内に前記デポジションガスを間欠的に繰り返し供給することを備え、
前記凹部が前記シリコン層を貫通するまで、前記第1のエッチング工程と前記第2のエッチング工程が交互に複数回繰り返されることを特徴とする請求項6に記載の製造方法。
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