JPWO2012023445A1 - 紫外線センサ、及び紫外線センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ZnO粉末、各種ドープ剤、必要に応じて拡散剤等の添加物を用意し、所定量秤量する。そして、これら秤量物に純水等の溶媒を加え、PSZ(部分安定化ジルコニア)等の玉石を粉砕媒体とし、ボールミルを使用して十分に湿式で混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥した後、所定粒径に造粒し、その後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。
NiO粉末及びZnO粉末を、Znの配合モル比xが0.2〜0.4となるように秤量し、この秤量物に純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、この混合物を脱水乾燥し、所定粒径に造粒した後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、有機溶剤、分散剤、バインダ及び可塑剤等を加えて成形用スラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等の成形加工法を使用して成形用スラリーを成形加工し、これにより所定膜厚の(Ni,Zn)Oグリーンシートを得る。
NiO粉末及びR2O3粉末(R:希土類元素)を、モル比で2:1となるように秤量し、この秤量物に純水等の溶媒を添加し、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で湿式で十分に混合粉砕し、スラリー状混合物を得る。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、所定粒径に造粒した後、所定温度で約2時間仮焼し、仮焼粉末を得る。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水等の溶媒を加え、玉石を粉砕媒体としてボールミル内で十分に湿式で粉砕し、スラリー状粉砕物を得る。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥し、一般式RNiO3や一般式R2NiO4で表される酸化物を含有した複合酸化物粉末を得る。そして、得られた複合酸化物粉末を有機ビヒクルと混合し、三本ロールミルで混練し、これにより内部電極形成用ペーストを作製する。
成形体の作製方法を図2を参照しながら説明する。
次に、成形体を被研磨物として表面粗さRaが1.0μm以下となるように、例えば回転バレル研磨等により表面の研磨を行う。
表面研磨された成形体を十分に脱脂した後、1200℃前後の温度で約5時間焼成し、導電膜6と(Ni,Zn)Oグリーンシート5a〜5nとを同時焼成し、これにより内部電極4が埋設されたp型半導体層1を得る。
p型半導体層1の両端部に外部電極形成用ペーストを塗布して焼付け処理を行い、これにより外部電極を形成する。ここで、外部電極形成用ペーストの導電性材料としては、良好な導電率を有するものであれば、特に限定されるものではなく、Ag、Ag−Pd等を使用することができる。
ZnO焼結体をターゲットとし、所定の開口部を有する金属マスクを介してスパッタリングを行い、p型半導体層1の一部が表面露出し、かつ第2の端子電極3bと電気的に接続されるように、ZnO系薄膜からなるn型半導体層2をp型半導体層1の表面に形成し、これにより紫外線センサを得る。
(試料番号2〜6)
〔ZnO焼結体の作製〕
主成分となるZnOとドープ剤としてのGa2O3とを、配合比がモル%でそれぞれ99.9mol%、0.1mol%となるように秤量した。そして、これら秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、平均粒径0.5μm以下のスラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200℃の温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。
NiO粉末及びZnO粉末を、モル比で7:3となるように秤量し、これに純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミルで混合粉砕し、スラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200℃の温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。次に、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥した後、有機溶剤及び分散剤を加えて混合し、さらにバインダ及び可塑剤を加えて成形用スラリーを作製した。そして、ドクターブレード法を使用し、この成形用スラリーに成形加工を施し、膜厚10μmの(Ni,Zn)Oグリーンシートを得た。
NiO粉末及び希土類酸化物としてのLa2O3粉末を、モル比で2:1となるようにそれぞれ秤量し、この秤量物に純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で混合粉砕し、スラリー状混合物を得た。次いで、このスラリー状混合物を脱水乾燥し、50μmの程度の粒径となるように造粒した後、1200℃の温度で2時間仮焼し、仮焼粉末を得た。次に、このようにして得られた仮焼粉末に、再び、純水を加え、PSZビーズを粉砕媒体としてボールミル内で粉砕し、平均粒径0.5μmのスラリー状粉砕物を得た。そして、このスラリー状粉砕物を脱水乾燥し、LaNiO3粉末を得た。その後、得られたLaNiO3粉末を、有機ビヒクルと混合させ、三本ロールミルで混練し、これにより内部電極形成用ペーストを作製した。
(Ni,Zn)Oグリーンシートのうちの1枚について、内部電極形成用ペーストを表面にスクリーン印刷して塗付し、60℃の温度で1時間乾燥させ、所定パターンの導電膜を形成した。
上述のようして作製された100個の成形体を、容積が5.0×10-4m3のバレル容器に直径1mmのアルミナビーズ0.5kgと共に投入し、バレル容器を2s-1の回転速度で回転させ、表1に示すような時間でバレル研磨を行った。
バレル研磨を行った成形体を300℃の温度でゆっくりとかつ十分に脱脂した後、1200℃の温度で1時間大気中で焼成し、これによりp型半導体層を得た。
p型半導体層の両端部にAgペーストを塗付して800℃の温度で10分間焼付け処理を行い、第1及び第2の外部電極を作製した。そして、この第1及び第2の外部電極の表面に電解めっきを施してNi皮膜及びSn皮膜を順次形成し、これにより第1及び第2の端子電極を作製した。
ZnO焼結体をターゲットとし、p型半導体層の一方の主面の一部を覆い、かつ第2の端子電極の一部と重なり合うように金属マスクを使用してスパッタリングを行い、厚みが約0.5μmの所定パターンを有するn型半導体層を作製し、これにより試料番号2〜6の試料を得た。
試料番号2〜6と同様の方法・手順で、〔ZnO焼結体の作製〕〜〔成形体の作製〕を行った。
試料番号2〜6と同様の方法・手順で、〔ZnO焼結体の作製〕〜〔成形体の研磨(焼成前研磨;第1の研磨工程)〕を行った。
焼成前後のいずれでもバレル研磨を行わなかった以外は、上述と同様にして試料番号1の試料を作製した。
試料番号1〜12の各試料は、図3に示すように、いずれもp型半導体層31に内部電極32が埋設されると共に、前記p型半導体層31の両端には第1及び第2の端子電極33a、33bが形成され、かつp型半導体層31の表面にはn型半導体層34が接合されている。そして、第1及び第2の端子電極33a、33b間に電流計35を介装させ、これらの各試料について、分光器を備えた紫外線光源から300nm及び370nmの波長の紫外光を、暗室で矢印Bに示すように、n型半導体層34側の外表面に照射し、第1及び第2の端子電極33a,33b間に流れる光電流を計測した。
2 n型半導体層
3a 第1の端子電極
3b 第2の端子電極
4 内部電極
5a〜5n (Ni,Zn)Oグリーンシート
6 導電膜
Claims (9)
- NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層と、ZnOを主成分としかつ前記p型半導体層の一部が表面に露出した形態で前記p型半導体層に接合されたn型半導体層と、前記p型半導体層に埋設された内部電極と、前記p型半導体層の両端部に形成された端子電極とを有する紫外線センサにおいて、
前記p型半導体層は、表面粗さが、1.5μm以下であることを特徴とする紫外線センサ。 - 前記p型半導体層は、前記表面粗さが、1.0μm以下であることを特徴とする請求項1記載の紫外線センサ。
- 前記p型半導体層は、前記表面粗さが、0.3μm以上であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の紫外線センサ。
- NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を作製する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、
前記焼成工程を実施する前に前記成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程を含み、
前記第1の研磨工程は、前記成形体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴とする紫外線センサの製造方法。 - NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を作製する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、
前記p型半導体層を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程を含み、
前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴とする紫外線センサの製造方法。 - NiOとZnOとの固溶体を主成分とするグリーンシートを複数作製するグリーンシート作製工程と、前記複数のグリーンシートのうち、一のグリーンシートの表面に導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成されたグリーンシートを挟持するような形態で前記複数のグリーンシートを積層し、成形体を作製する成形体作製工程と、前記成形体を焼成してp型半導体層を形成する焼成工程とを含む紫外線センサの製造方法において、
前記焼成工程を実施する前に前記成形体を被研磨物として表面研磨する第1の研磨工程と、
前記p型半導体層を被研磨物として表面研磨する第2の研磨工程とを含み、
前記第1の研磨工程は、前記成形体の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨し、前記第2の研磨工程は、前記p型半導体層の表面粗さが1.0μm以下となるように表面研磨することを特徴とする紫外線センサの製造方法。 - 前記表面研磨は、前記被研磨物を媒体と共に容器に投入し、前記容器を回転、振動、傾斜、又は揺動させてバレル研磨することを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれかに記載の紫外線センサの製造方法。
- ZnOを主成分とするn型半導体層を前記p型半導体層の一部が表面露出した形態で前記p型半導体層の表面に形成するn型半導体層形成工程を含み、
前記n型半導体層形成工程は、ZnOを主成分とするZnO焼結体を作製するZnO焼結体作製工程と、前記ZnO焼結体をターゲットにしてスパッタリングし、前記n型半導体層を形成するスパッタリング工程とを有していることを特徴とする請求項4乃至請求項7のいずれかに記載の紫外線センサの製造方法。 - 前記p型半導体層の両端に端子電極を形成する端子電極形成工程を含むことを特徴とする請求項4乃至請求項8のいずれかに記載の紫外線センサの製造方法。
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