JPWO2012020559A1 - 半導体発光デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
|Imax−Imin|/|Imax+Imin| 式(1)
図3および図4を参照しながら、本発明による窒化物半導体発光デバイスの第1の実施形態を説明する。
入射角度333が臨界角よりも小さい光は、そのほとんどが界面321を透過する。図11は透光性封止部320の屈折率を1.5、透光性封止部320の外部の屈折率を1とした場合における、界面321への入射角度333とS偏光成分(入射面に対して垂直な成分)とP偏光成分(入射面に対して平行な成分)の透過強度の計算結果を示すグラフである。透過強度が1の場合に、入射したすべての光が透過することを意味している。入射角度が0の場合に透過強度が1にならないのは、反射光が存在しているためである。入射角度333が大きくなる(臨界角に近づく)と、S偏光成分は透過し難くなり、P偏光成分が強く透過する。結果として、入射面322に対して平行な方向に偏光方向が回転するという現象が発生する。
入射角度333が臨界角以上の範囲の光は、そのほとんどが界面321で反射する。これは、透光性封止部320の屈折率が、その外部の屈折率(大気の場合には1)よりも大きいためである。光が反射する際、光は波長程度の大きさ分だけしみ出すため、表面反射点がずれる(グース・ヘンヒェンシフト)現象が起き、S偏光成分とP偏光成分に位相差を発生する。
図16に、透光性封止部320の外部の屈折率を1とし、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324と透光性封止部320の対称面がなす角度を45度にした場合の、透光性封止部320の屈折率に対する規格化偏光度を計算した結果を示すグラフである。透過光と1回反射光の両方を考慮した場合の、透光性封止部320の屈折率と規格化偏光度の計算結果を示す。ここで規格化偏光度とは、窒化物半導体発光素子300の偏光度で規格化した値である。計算では窒化物半導体発光素子300の偏光度は1として計算している。透光性封止部320の屈折率が増加するほど、偏光度をより低下させることが可能である。
以下、図5を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第2の実施形態を説明する。
次に、図6を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第3の実施形態を説明する。
次に、図7を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第4の実施形態を説明する。
次に、図8を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第5の実施形態を説明する。
次に、図9を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第6の実施形態を説明する。
次に、図10を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第7の実施形態を説明する。
次に、図18を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第8の実施形態を説明する。
次に、図19を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第9の実施形態を説明する。
次に、図20を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第10の実施形態を説明する。
次に、図21、図22を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第11の実施形態を説明する。
次に、図23を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第12の実施形態を説明する。
m面n型GaN基板上に、厚さ2μmのn型GaN層からなるn型窒化物半導体層、厚さ15nmのInGaN量子井戸層と厚さ30nmのGaN障壁層からなる3周期の量子井戸構造を有する窒化物半導体活性層、厚さ0.5μmのp型GaN層からなるp型窒化物半導体層からなる窒化物系半導体発光素子を形成した。n型電極にはTi/Pt層、p型電極にはPd/Pt層を形成した。m面n型GaN基板の厚さは、150μmまで薄膜化した。窒化物系半導体発光素子は、c軸方向[0001]とa軸方向[11−20]にダイシングし、800μm角の小片に分割した。小片化された窒化物系半導体発光素子(LED)を、アルミナ製の実装基板上に、Auバンプを用いて実装した。10mA動作時において、LEDのピーク発光波長は、437nmであった。また、直径2.2mmのサファイア性半球形状の透光性封止部、底面が2.2mmの正方形、高さTが1.1mm、半径Rが1.1mmのサファイア製シリンドリカル形状の透光性封止部を別に作製した。LEDには、これらの透光性封止部を直接乗せた。図26に、透光性封止部の形状とLEDの向きの関係、上面から観察した光学顕微鏡写真を示す。
m面n型GaN基板上に、厚さ2μmのn型GaN層からなるn型窒化物半導体層、厚さ15nmのInGaN量子井戸層と厚さ30nmのGaN障壁層からなる3周期の量子井戸構造を有する窒化物半導体活性層、厚さ0.5μmのp型GaN層からなるp型窒化物半導体層からなる窒化物系半導体発光素子を形成した。n型電極にはTi/Pt層、p型電極にはPd/Pt層を形成した。窒化物系半導体発光素子は、c軸方向[0001]とa軸方向[11−20]にダイシングし、300μm角の小片に分割した。小片化された窒化物系半導体発光素子(LED)を、表面に凹部を有するアルミナ製の実装基板上に、Auバンプを用いて実装した。10mA動作時において、LEDのピーク発光波長は、457nmであった。LEDは実装基板の凹部に収まる構造になっている。凹部には、屈折率が1.42のシリコーン樹脂を流し込んだ。その上に直径2.2mmのサファイア性半球形状の透光性封止部、底面が2.2mmの正方形、高さTが1.1mm、半径Rが1.1mmのサファイア製シリンドリカル形状の透光性封止部を配置し、図19の形態を作製した。シリコーン樹脂には、粘度が小さい材料を用い、シリンドリカル形状の透光性封止部が回転できるようにした。
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2 偏光板
3 実体顕微鏡
4 シリコンフォトディテクタ
5 CCDカメラ
6 電源
300 窒化物系半導体発光素子
301 実装基板
301a ベース
301b 反射板
302 配線
303 バンプ
304 基板
305 n型窒化物半導体層
306 窒化物半導体活性層
307 p型窒化物半導体層
308 p型電極
309 n型電極
315 ワイヤ
316 凹部
320 透光性封止部
321 界面
322 入射面
324 偏光方向
325 対称面
330 入射光
331 透過光
332 反射光
333 入射角度
Claims (34)
- 活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する窒化物半導体発光素子と、
前記窒化物半導体発光素子を覆い、前記活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部と、
を備え、
前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている、窒化物半導体発光デバイス。 - 前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている、請求項1に記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている、請求項1に記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、半円柱の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、円錐の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、多角柱の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、多角錐の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、楕円球の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、直方体の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える請求項1から8のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 第1の活性層を有し、前記第1の活性層に平行な面内に含まれる第1の偏光方向に偏光した偏光光を前記第1の活性層から放射する第1の窒化物半導体発光素子と、
第2の活性層を有し、前記第2の活性層に平行な面内に含まれる第2偏光方向に偏光した偏光光を前記第2の活性層から放射する第2の窒化物半導体発光素子と、
前記第1の窒化物半導体発光素子および前記第2の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第1および第2の活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部と、
を備え、
前記第1の窒化物半導体発光素子の前記第1の偏光方向および前記第2の窒化物半導体発光素子の前記第2偏光方向は、いずれも、前記透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている、窒化物半導体発光デバイス。 - 前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行である請求項11に記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行ではない請求項11に記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の偏光方向および前記第2の偏光方向の少なくとも一方は、前記透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている、請求項11から13のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている、請求項11から14に記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、半円柱の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、円錐の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、多角柱の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、多角錐の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、楕円球の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記透光性封止部は、直方体の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1および第2の窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 第1の活性層を有し、前記第1の活性層に平行な面内に含まれる第1の偏光方向に偏光した偏光光を前記第1の活性層から放射する第1の窒化物半導体発光素子と、
第2の活性層を有し、前記第2の活性層に平行な面内に含まれる第2偏光方向に偏光した偏光光を前記第2の活性層から放射する第2の窒化物半導体発光素子と、
前記第1の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第1の活性層に垂直な対称面を有する第1の透光性封止部と、
前記第2の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第2の活性層に垂直な対称面を有する第2の透光性封止部と、
を備え、
前記第1の窒化物半導体発光素子の前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いており、
前記第2の窒化物半導体発光素子の前記第2偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている、窒化物半導体発光デバイス。 - 前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行である請求項23に記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行ではない請求項23に記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いており、
前記第2の偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている、請求項23から25のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。 - 前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いており、
前記第2の偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている、請求項23から25のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。 - 前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、半円柱の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、円錐の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、多角柱の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、多角錐の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、楕円球の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、直方体の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
- 前記第1および第2の窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える請求項23から33のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。
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