JPWO2012005326A1 - 摺動部材 - Google Patents

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Abstract

摺動部材は、硬質粒子を含むCuを主体とするCu基軸受合金層と、前記Cu基軸受合金層に積層されているDLC層と、を備えている。前記Cu基軸受合金層に含まれる前記硬質粒子の少なくとも一部は、前記DLC層側の面に露出している。

Description

本発明は、軸受合金層上にダイヤモンドライクカーボン層を備えた摺動部材に関する。
Al合金またはCu合金からなる軸受合金層を有するすべり軸受などの摺動部材は、初期なじみ性が比較的良好であり、優れた耐疲労性及び耐摩耗性を有している。これらの摺動部材は、例えば自動車や一般産業機械の高出力エンジンの軸受に用いられている。ところが近年、更なるエンジンの高性能化によって、軸受特性がより優れる摺動部材が要望されてきている。
軸受特性として、なじみ性および耐摩耗性の向上を図った摺動部材は、特開2001−165167号公報に開示されている。この摺動部材は、Al合金またはCu合金からなる軸受合金層に環状突起が形成されている。そして、この摺動部材は、環状突起の表面にダイヤモンドライクカーボン層を有している。このような従来の摺動部材は、環状突起が摺動相手の相手部材の荷重を受けて容易に塑性変形することによって摺動部材のなじみ性が良好になること、および軸受合金層の表面にダイヤモンドライクカーボン層が設けられていることによって耐摩耗性が良好であることを開示している。
近年では、軸受特性として、なじみ性および耐摩耗性の向上とともに摩擦係数の低減も要望されている。
そこで、本発明の目的は、摩擦係数が低減された摺動部材を提供することにある。
本発明の一実施形態の摺動部材では、硬質粒子を含むCuを主体とするCu基軸受合金層と、前記Cu基軸受合金層に積層されているDLC層と、を備え、前記Cu基軸受合金層に含まれる前記硬質粒子の少なくとも一部は、前記DLC層側の面に露出している。
Cu基軸受合金層は、Cuを主として硬質粒子を含んでおり、必要に応じてその他の成分を含んでいる。そして、Cu基軸受合金層に含まれる硬質粒子の一部は、DLC(ダイヤモンドライクカーボン:Diamond Like Carbon)層側の面に露出している。ここで、DLC層側の面に露出している硬質粒子とは、Cu基軸受合金層を構成するCuマトリクスに覆われていないことを意味する。そのため、このDLC側の面に露出している硬質粒子は、Cu基軸受合金層のDLC層側の面からDLC層側に突出しているものも含む。このDLC層側に露出する硬質粒子は、Cu基軸受合金層に含まれる硬質粒子の量の割合(質量%)および硬質粒子の粒子径を調整することにより得られる。
Cu基軸受合金層は、鉄などから形成される裏金層に設けてもよい。また、裏金層とCu基軸受合金層との間には接着層を設け、裏金層とCu基軸受合金層との接着性を高めてもよい。この場合、接着層は、Cuめっき層であることが好ましい。
本実施形態では、前記硬質粒子は、硼化物、珪化物、酸化物、窒化物、炭化物および金属間化合物からなる群より選択される少なくとも一種類の化合物であり、前記硬質粒子の粒子径は、平均0.5〜20(μm)である。
硼化物は、NiB、NiB、CrB、CrB、ZrB、CoB、TiB、VB、TaB、WB、MoB、Fe−B系などであることが好ましい。珪化物は、TiSi、WSi、MoSi、TaSi、CrSi、Fe−Si系、Mn−Si系などであることが好ましい。酸化物は、SiO、Al、TiO、ZrO、WO、MoO、Mn−O系、Fe−O系、V−O系などであることが好ましい。窒化物は、Si、TiN、ZrN、TaN、VN、AlN、C−BN、CrNなどであることが好ましい。炭化物は、WC、WC、SiC、B4C、TiC、TaC、VC、ZrC、MoCなどであることが好ましい。金属間化合物としては、Ni−Sn系、Fe−W系、Fe−Mo系、Fe−Mn系、Fe−Cr系、Fe−Al系、Cr−Al系、V−Al系、Ti−Al系、W−Al系などであることが好ましい。
また、他の硬質粒子の材料として、Ni基自溶性合金(Ni−B−Si系)、Co基自溶性合金(Co−Mo−Si−B系)、C、WまたはMoを用いてもよい。
さらに、前記硬質粒子は、金属の珪化物または金属の炭化物であることが特に好ましい。
上記の硬質粒子は、粒子径の平均が0.5(μm)以上であるとき、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出しやすくなる。また、硬質粒子は、粒子径の平均が20(μm)以下であるとき、Cu基軸受合金層中に硬質粒子が分散して存在しやすくなる。そのため、硬質粒子は、粒子径の平均を0.5〜20(μm)に設定している。これより、Cu基軸受合金層に含まれる硬質粒子の量の割合が少ない場合でも、硬質粒子は、Cu基軸受合金層のDLC層側の面において、より多く露出する。前記粒子径の平均は、1〜10(μm)がより好ましい。
本実施形態では、硬質粒子の粒子径の平均は、例えばフィッシャー法により測定している。
なお、硬質粒子は、予め粒子径が調整されている市販品を用いてもよい。
DLC層は、炭化水素、あるいは炭素の同素体からなる非晶質を主成分とする層である。DLC層は、プラズマ化学気相成長法(CVD法)、物理気相成長法(PVD法)などによって、Cu基軸受合金層上に形成される。
本実施形態では、DLC層は、Cu基軸受合金層とは反対側の面において摺動相手の相手部材と摺動する。以下、DLC層の相手部材と摺動する、Cu基軸受合金層とは反対側の面は「DLC層の摺動面」と称する。
発明者は、DLC層の摺動面の形状を、DLC層の形成速度を調整、またはCu基軸受合金層のDLC層側の面に存在する硬質粒子の分布を調整することにより、調整している。
DLC層は、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出する硬質粒子からDLC層の厚さ方向へ成長する。そのため、DLC層側の面に露出する硬質粒子から成長したDLC層は、この露出する硬質粒子の平面形状を反映する。すなわち、DLC層の摺動面は、Cu基軸受合金層から露出する硬質粒子に対応する部分が他の部分に比較して突出した突部となる。このとき、DLC層を構成する炭素は、Cu基軸受合金層の主たる成分であるCuに比較して、元素の族が近似する硼化物、珪化物、酸化物、窒化物、炭化物および金属間化合物からなる硬質粒子との結合力が高い。特にDLC層を構成する炭素は、同族の炭素やケイ素を含む炭化物や珪化物からなる硬質粒子との結合力が高い。そのため、DLC層は、Cu基軸受合金層から露出する硬質粒子を媒体としてCu基軸受合金層との結合力が高められる。また、DLC層の摺動面におけるDLC層の突出量は、この場合、Cu基軸受合金層からDLC層側に突出する硬質粒子の突出量に応じて大きくなる。
このように硬質粒子の平面形状に対応してDLC層の摺動表面に形成された突部は、相手部材から荷重を受けやすい。そのため、相手部材との摺動時に、DLC層の摺動面に形成された突部と相手部材とが接することにより、摺動による摩擦熱はこの突部に生じやすい。その結果、DLC層の摺動面に形成された突部は、摩擦熱によってグラファイト化が進行して軟化し、剪断力への耐性が低下する。したがって、相手部材との摺動時に剪断力が加わると、DLC層の滑りが生じやすくなり、DLC層の摩擦係数が低下する。
以下、DLC層の摺動面に硬質粒子の平面形状を反映した突部を形成するときのDLC層の形成速度は、第1の形成速度と称する。
一方、DLC層の摺動面は、DLC層の形成速度、またはCu基軸受合金層から露出する硬質粒子の分布を調整することにより、比較的平坦な形状にすることができる。
このようにDLC層の摺動面を比較的平坦に形成すると、相手部材の荷重はDLC層の摺動面の全体に加わりやすくなる。ここで、DLC層および硬質粒子は、Cu基軸受合金層のマトリクスであるCuと比較して硬質である。そのため、Cu基軸受合金層から露出する硬質粒子上に形成されたDLC層は、摺動面に荷重が加わっても変形しにくい。
これに対し、Cu基軸受合金層のうち硬質粒子が露出していない部分、すなわちCu基軸受合金層のマトリクスを構成するCu上に形成されたDLC層は、摺動面側から荷重が加わると、Cuの変形に追随してCu基軸受合金層側に変形しやすい。
そのため、平坦なDLC層の摺動面の全体に相手部材から荷重が均一に加わるとき、相手部材の荷重は、DLC層のうち露出する硬質粒子上の部分に集中する。その結果、相手部材との摺動時に、Cu基軸受合金層から露出した硬質粒子上に形成されたDLC層の部分と相手部材とが接しやすく、この部分に摩擦熱が発生しやすくなる。これにより、硬質粒子上に形成されたDLC層は、摩擦熱によってグラファイト化が進行して軟化し、剪断力への耐性が低下する。したがって、相手部材との摺動時に剪断力が加わると、DLC層の滑りが生じやすくなり、DLC層の摩擦係数が低下する。
以下、DLC層の摺動面を比較的平坦に形成するときのDLC層の形成速度は、第2の形成速度と称する。
さらに、DLC層の形成速度、またはCu基軸受合金層から露出する硬質粒子の分布を調整することにより、Cu基軸受合金層から露出する硬質粒子上には、図5に示すように第2の形成速度で形成したDLC層よりも薄いDLC層を形成することもできる。すなわち、Cu基軸受合金層から露出する硬質粒子上には、他の部分よりも薄いDLC層を形成することができる。これにより、DLC層の摺動面は、露出する硬質粒子に対応する位置に凹部を形成する。このように、このDLC層に凹部を形成するとことにより、摺動部分を潤滑する潤滑油はこの凹部に貯えられる。その結果、摺動部材と相手部材との潤滑が促進され、摺動部材の低摩擦化の向上が図られる。したがって、耐焼付性の向上の要望にも応えることができる。
以下、DLC層の摺動面に凹部を形成するときのDLC層の形成速度は、第3の形成速度と称する。
本発明の一実施形態では、前記DLC層側の面に露出する硬質粒子は、相互の間の平均距離が3〜50(μm)である。
露出する硬質粒子の相互間における平均距離を50(μm)以下とすると、Cu基軸受合金層のDLC層側の面において露出する硬質粒子の分布が疎らになりにくい。そのため、Cu基軸受合金層とDLC層との高い結合力を発揮させやすい。その結果、耐焼付性が向上する。一方、露出する硬質粒子の相互間における平均距離を3(μm)以上とすると、油膜の形成の観点から、DLC層の摺動面に形成される突部の数やDLC層の摺動面に形成される凹部の大きさがより適切になる。そのため、油膜切れを生じにくく、優れた耐焼付性を発揮する。そこで、硬質粒子の相互間の平均距離を規定することにより、Cu基軸受合金層とDLC層との結合力の確保と、耐焼付性の確保とを両立することができる。前記平均距離は、5〜45(μm)がより好ましい。
本発明の一実施形態では、前記DLC層側の面の総面積に対する前記DLC層側の面に露出している硬質粒子の面積率は、0.1〜14(%)である。
ここで、硬質粒子の総面積は、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出している硬質粒子の投影面積、つまり硬質粒子の平面形状が占める面積の総和に相当する。すなわち、面積率とは、Cu基軸受合金層のDLC層側の総面積に対する露出した硬質粒子の総面積の割合である。また、本明細書中における硬質粒子の面積率とは、Cu基軸受合金層のDLC層側の面の単位面積当たりの、これに含まれる全硬質粒子の投影面積の合計を意味する。
面積率が0.1(%)以上であるとき、硬質粒子はDLC層の形成に寄与しやすくなる。そのため、DLC層の形成速度を調整して、DLC層の摺動面に突部や凹部を形成させやすい。その結果、耐焼付性の向上を図りやすくなる。また、面積率が0.1(%)以上では、DLC層と硬質粒子とが接する面積が確実に確保され、Cu基軸受合金層とDLC層との高い結合力を発揮する。その結果、前記面積率を持たせることによりDLC層の剥離を抑制しやすくなり、耐焼付性が向上する。これに対し、面積率が14(%)以下であると、DLC層の形成速度に関わらず、DLC層の摺動面における突部および凹部が過大となることを防止しやすい。そのため、面積率を14(%)以下とすると、油膜形成の面で有利である。また、耐摩耗性の観点から、この面積率を14(%)以下とすることが好ましい。以上のような理由により、面積率を規定することにより、耐摩耗性と耐焼付性の向上を図ることができる。前記面積率は、2〜10%がより好ましい。
ここで、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出する硬質粒子の総面積すなわち面積率は、硬質粒子の粒子径を変更することによって調整することができる。
硬質粒子の面積率は、Cu基軸受合金層のDLC層側の面を顕微鏡で撮影し、撮影した写真を画像解析装置により解析する。このとき、例えば観察視野0.0125mmに存在する硬質粒子のすべてを抽出し、その抽出結果から各硬質粒子の面積が求められる。そして、観察視野の面積と硬質粒子の面積の総和との比から面積率が算出される。なお、観察視野に存在する硬質粒子の総面積と観察視野との面積率は、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出する硬質粒子の総面積とCu基軸受合金層のDLC層側の面積との面積率と同一である。しかし、用途に応じて意図的に部位により面積率を変えてもよい。
Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出する硬質粒子の粒子径を導出するにあたって、上記0.0125mmに存在する硬質粒子についてそれぞれ面積を測定する。そして、測定した硬質粒子の面積と同一の面積の仮想的な円を設定し、設定した仮想的な円の径から粒子径が換算される。
本発明の一実施形態の摺動部材では、前記DLC層側の面に露出する硬質粒子の面積率をA(%)、前記DLC層の厚さをT(μm)とすると、A≧0.5×Tである。
硬質粒子の面積率A(%)とDLC層の厚さT(μm)とは、摺動時の摩擦に影響を与える。すなわち、ある硬質粒子の面積率に対しDLC層の厚さが薄いとき、またはあるDLC層の厚さに対して硬質粒子の面積率が大きいとき、DLC層のうち剪断力によって滑りを生じる部分を生じやすくでき、摩擦係数の低減が実現しやすくなる。このように、DLC層側の面に露出する硬質粒子の面積率A(%)とDLC層の厚さT(μm)とが関連づけられている。
本発明の一実施形態の摺動部材では、前記DLC層の硬さをH(HV)、前記DLC層の厚さをT(μm)とすると、H≦10000/Tである。
DLC層の硬さをH(HV)とし、その厚さをT(μm)とすると、H≦10000/Tのとき、硬質粒子が上述のようなDLC層の硬さの差の発現へ与える影響は大きくなる。すなわち、DLC層の硬さに対する厚さを上記範囲に制御すると、耐摩耗性に優れたDLC層の摺動面において硬質粒子の有無によるグラファイト化を効果的に促進しやすい。したがって、DLC層の硬さと厚さとを相関させることにより、摩擦係数の低減と耐摩耗性の向上とを両立することができる。
本発明の一実施形態の摺動部材では、前記DLC層は、H≦6000、かつT≦15である。すなわち、DLC層の硬さHはH≦6000(HV)であり、DLC層の厚さTはT≦15(μm)である。
DLC層の厚さが15(μm)以下であると、DLC層の摺動面にはCu基軸受合金層から露出する硬質粒子を反映した凹凸が形成されやすくなる。このDLC層の厚さは、プラズマCVD法、PVD法などによるDLC層の形成時間を調整することにより得られる。
また、DLC層の硬さHが6000(HV)以下であると、十分な耐摩耗性を有しながら、DLC層による相手部材への攻撃性を容易に抑制できる。このDLC層の硬さは、DLC層に含まれる水素やSi、Ti、Wなどの添加元素の含有量、およびDLC層の混成軌道の比(sp/sp)を調整することにより変更可能である。
本発明の一実施形態の摺動部材では、前記DLC層の硬さは、前記Al基軸受合金層の硬さの1.1倍以上であり、摺動対象となる相手方の相手部材の硬さの0.9倍以下である。
DLC層の硬さがCu基軸受合金層の1.1倍以上とすると、耐摩耗性を効果的に発揮させやすい。一方、DLC層の硬さが摺動相手の相手部材の硬さの0.9倍以下とすると、相手部材の摩耗を確実に抑制しやすい。そこで、DLC層の硬さを設定することにより、DLC層および相手部材の摩耗をいずれも低減することができる。
なお、Cu基軸受合金層とDLC層との間には、相互間の結合力を高めるために中間層を設けてもよい。中間層は、例えばSi、Ti、Cr、Wなどの金属や炭化物、窒化物からなる層が好ましい。中間層は、厚さ方向に組成を変化させてもよい。例えばSi−C系やTi−C系などを用いる場合、Cu基軸受合金層側のSiやTiの濃度を高め、DLC層側のCの濃度を高めた組成としてもよい。
本発明の一実施形態の摺動部材を概略的に示す断面図 一実施形態の摺動部材においてCu基軸受合金層の摺動面を概略的に示す横断平面図 第1の形成速度でDLC層を形成した場合の摺動部材を概略的に示す断面図 第2の形成速度でDLC層を形成した場合の摺動部材を概略的に示す断面図 第3の形成速度でDLC層を形成した場合の摺動部材を概略的に示す断面図 一実施形態の摺動部材の複数の実施例品および比較例品を示す概略図 DLC層の硬さと厚さとの関係を示す概略図
本実施形態の摺動部材を図1に示す。図1に示す摺動部材1は、Cu基軸受合金層2およびDLC層3を備えている。Cu基軸受合金層2は、図示しない裏金層上に設けられている。DLC層3は、Cu基軸受合金層3上に設けられている。Cu基軸受合金層2は、図2に示すようにCuマトリクス2aと、硬質粒子2bとから構成されている。すなわち、Cu基軸受合金層2は、Cuを主成分とするCuマトリクス2a中に硬質粒子2bを含んでいる。このCu基軸受合金層2に含まれる硬質粒子2bは、少なくとも一部がCu基軸受合金層2のDLC層3側の面に露出している。ここで露出とは、硬質粒子2bがCu基軸受合金層2のDLC層3側の面と同一の平面上に位置する状態、または硬質粒子2bがその面からDLC層3側へ突出した状態の双方を含む。
第1の形成速度でDLC層3を形成したとき、DLC層3は図3に示す形状となる。すなわち、DLC層3の摺動面は、Cu基軸受合金層2のDLC層3側の面に露出する硬質粒子2bの形状を反映した突部4を形成する。
また、第2の形成速度でDLC層3を形成したとき、DLC層3は図4に示す形状となる。すなわち、DLC層3の摺動面は、Cu基軸受合金層2のから露出する硬質粒子2bの形状に関わらず平坦面3aを形成する。
さらに、第3の形成速度でDLC層3を形成したとき、DLC層3は図5に示す形状となる。すなわち、DLC層3の摺動面は、Cu基軸受合金層2のDLC層3側の面に露出する硬質粒子2bの形状を反映した凹部5を形成する。
次に、本実施形態の摺動部材の製造方法について説明する。
まず、Cu粉末は、粒子径が予め所定の大きさに調整されている硬質粒子、およびその他の成分の粉末とを所定の質量の比率で混合される。本実施形態の場合、硬質粒子はMoCである。Cu粉末は、これに代えて、Cu−Sn−Ni合金、またはCu−Sn−Ni−Zn合金などからなるCu合金粉末を用いてもよい。また、硬質粒子は、2種類以上を混合して用いてもよい。
次に、Cu粉末と硬質粒子とが混合された混合粉末は、厚さ1.3mmの帯状の鋼板に散布される。この帯状の鋼板は、裏金層に相当し、予めCuめっき層が被着されている。次に、粉末が散布された鋼板は、還元性の雰囲気において800〜950℃で約15分間加熱される。これにより、粉末が散布された鋼板は、初回の焼結が施される。その結果、Cu粉末と硬質粒子とは、Cu基軸受合金層を形成する。その後、Cu基軸受合金層が形成された鋼板は、緻密化のためにロール圧延および焼結が繰り返される。これにより、Cu基軸受合金層が形成された鋼板は、Cu基軸受合金層の厚さが約0.4mmであり、全体の厚さが約1.6mmのいわゆるバイメタルに形成される。形成されたバイメタルは、半円筒状に形成される。
半円筒状に形成されたバイメタルは、その内周面に、一般的なプラズマCVD法またはPVD法などによってDLC層を形成する。これにより、半円筒状の摺動部材が得られる。
上記の手順で形成した摺動部材の試料を用いて摩擦係数について検証した。
実施例品は、上述した本実施形態の摺動部材に基づく製造方法で得た。また、実施例品は、DLC層の形成速度を調整することにより、第1の形成速度でDLC層の摺動面に突部を形成、第2の形成速度でDLC層の摺動面を比較的平坦に形成、または第3の形成速度でDLC層の摺動面に凹部を形成することができる。図6に示す各実施例品のうち実施例品1は、図3に示すように第1の形成速度でDLC層を形成している。また、実施例品2は、図4に示すように第2の形成速度でDLC層を形成している。実施例品3は、図5に示すように第3の形成速度でDLC層を形成している。さらに、実施例品4〜実施例品24、および比較例品1は、いずれも第2の形成速度でDLC層を形成している。ここで検証の比較として採用した比較例品1は、Cu基軸受合金層に硬質粒子を含有していない。また、比較例品2は、DLC層を備えていない。図6に基づいて、実施例品および比較例品について説明する。
(Cu基軸受合金について)
実施例品1〜実施例品24、比較例品1、および比較例品2のCu基軸受合金層は、いずれもSnを6(質量%)、Niを3(質量%)、Biを5(質量%)含むCuを主とする銅合金で形成されている。
(硬質粒子の成分について)
実施例品1〜実施例品3、および比較例品2を構成する硬質粒子は、Alである。また、実施例品4、実施例品6、実施例品7、および実施例品10〜実施例品24を構成する硬質粒子は、いずれもMoCである。実施例品5、実施例品8、および実施例品9を構成する硬質粒子は、TiSiである。すなわち、実施例品1〜実施例品3、および比較例品2を除く他の実施例品の硬質粒子は、いずれも金属の珪化物または金属の炭化物である。
(硬質粒子の平均粒径について)
実施例品1〜実施例品8、実施例品10〜実施例品24、および比較例品2の場合、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出する硬質粒子の平均粒径は、0.5〜20(μm)である。これに対し、実施例品9の場合、硬質粒子の平均粒径は25(μm)である。
(硬質粒子の相互間の平均距離について)
実施例品1〜実施例品6、実施例品8、実施例品10〜実施例品12、および実施例品14〜実施例品24の場合、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出する硬質粒子の相互間の平均距離は、いずれも3〜50(μm)である。これに対し、実施例品7は硬質粒子相互間の平均距離が80(μm)、実施例品9は硬質粒子相互間の平均距離が90(μm)、実施例品13は硬質粒子相互間の平均距離が55(μm)にそれぞれ設定されている。
(硬質粒子の面積率について)
実施例品1〜実施例品6、実施例品8、実施例品10、実施例品12、実施例品14、実施例品15、および実施例品17〜実施例品24の場合、硬質粒子の面積率は、いずれも0.1〜14(%)を占めている。これに対し、実施例品7は硬質粒子の面積率が0.08(%)、実施例品9は硬質粒子の面積率が0.07(%)、実施例品11および実施例品13は硬質粒子の面積率が0.09(%)、実施例品16は硬質粒子の面積率が0.05(%)であり、いずれも硬質粒子の面積率が0.1(%)よりも小さい。
(DLC層の硬さと厚さとの関係について)
実施例品1〜実施例品24は、いずれもDLC層の硬さH(HV)と厚さT(μm)との関係がH≦10000/Tを満たしている。ここで、DLC層の硬さHと厚さTとの間には、図7に示すような関係がある。このとき、実施例品1〜実施例品24は、図7に示すH≦10000/Tで導かれる曲線よりも原点に近い網掛けした領域に存在する。
(硬質粒子の面積率とDLC層の厚さとの関係について)
実施例品1〜実施例品6、実施例品8、実施例品10、実施例品12、実施例品15、および実施例品17〜実施例品24は、いずれもCu基軸受合金層のDLC側の面に露出する硬質粒子の面積率A(%)とDLC層の厚さTとの関係がA≧0.5×Tを満たしている。これに対し、実施例品7、実施例品9、実施例品11、実施例品13、実施例品14、および実施例品16は、いずれもA<0.5×Tである。
(密着性試験について)
図6に示す実施例品1〜実施例品24、および比較例品1は、いずれもCu基軸受合金層とDLC層との密着性を試験した。ここでは、DLC層の密着性は、DLC層に剥離荷重を加えてDLC層を引き剥がすことにより試験した。具体的には、DLC層は、0(N)〜300(N)の剥離荷重が連続的に加えられる。このとき、DLC層に剥離荷重を加えながら移動する距離は、10(mm)に設定している。また、剥離荷重を加える相手となる球状部材は、材質がクロム鋼(SUJ−2)であり、直径が3(mm)である。さらに、剥離荷重を加えるとき、摺動部材と球状部材との間には、潤滑油を10(μリットル)供給した。
試料毎にDLC層の剥離が生じたときの剥離荷重は、図6に示す通りである。これによると、実施例品1〜実施例品24は、いずれも剥離荷重が110(N)以上であることがわかる。これに対し、比較例品1は、剥離荷重が100(N)である。このことから、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に硬質粒子が露出した本実施形態の実施例品1〜実施例品24は、硬質粒子を含まない比較例1と比較して、DLC層の密着性が向上していることを示している。すなわち、Cu基軸受合金層のDLC層側の面に露出した硬質粒子は、DLC層とCu基軸受合金層との間の結合力を高めるために寄与していることが明らかである。
硬質粒子の成分が剥離荷重に与える影響は、実施例品2、実施例品4および実施例品5で検証する。図6によると、硬質粒子の成分が金属の炭化物であるMoCからなる実施例品4、および硬質粒子の成分が金属の珪化物であるTiSiからなる実施例品5は、硬質粒子の成分が金属の酸化物であるAlからなる実施例品1に比較して剥離荷重が向上している。このことから、硬質粒子は、金属の炭化物または金属の珪化物で形成することにより、Cu基軸受合金層とDLC層との結合への寄与が高まることがわかる。
硬質粒子の平均粒径は、20(μm)以下になると、剥離荷重すなわちCu基軸受合金層とDLC層との間の結合力への寄与が大きくなることがわかる。すなわち、硬質粒子の平均粒径が20(μm)を超える実施例品9よりも、他の近似の条件の実施例品の方が剥離荷重が向上している。このことから、Cu基軸受合金層のDLC層側に露出する硬質粒子は、平均粒径が20(μm)以下であることがより好ましい。
また、硬質粒子の相互の間の平均距離は、50(μm)以下になると、Cu基軸受合金層とDLC層との間の結合力への寄与が大きくなることがわかる。すなわち、硬質粒子の相互の間の平均距離が50(μm)を超える実施例品7、実施例品9、および実施例品13よりも、他の近似の条件の実施例品の方が剥離荷重が向上している。このことから、Cu基軸受合金層のDLC層側に露出する硬質粒子は、相互の間の平均距離が50(μm)以下であることがより好ましい。
さらに、硬質粒子の面積率Aは、0.1(%)以上になると、Cu基軸受合金層とDLC層との間の結合力への寄与が大きくなることがわかる。すなわち、硬質粒子の面積率が0.1(%)未満になる実施例品7、実施例品9、実施例品11、実施例品13、および実施例品16よりも、他の近似の条件の実施例品の方が剥離荷重が向上している。このことから、Cu基軸受合金層のDLC層側に露出する硬質粒子は、面積率が0.1(%)以上であることがより好ましい。
(焼付試験について)
図6に示す実施例品1〜実施例品24、および比較例品1〜比較例品2は、低摩擦化により耐焼付性が向上するという観点から、摩擦係数の低数値化を確認するために、いずれも耐焼付性について試験した。ここで、耐焼付性は、次の条件で試験した。試験の対象となる試料は、相手方となる軸部材との間で2(m/sec)の速度で回転させながら、試験荷重を1(MPa/5min)で加えた。このとき、試料に供給される潤滑油は、SAE♯30であり、温度を60(℃)、給油量を20(ml/min)に設定した。相手方の軸部材は、材質が炭素鋼(S55C)であり、硬さが600(HV)である。また、実施例品23では炭素鋼(S55C)を焼入れした軸部材を用い、実施例品21、24では炭素鋼(S55C)にDLCをコーティングした軸部材を用いた。
試料に焼付が生じたときの面圧(MPa)は、図6に示す通りである。試料は、摺動面とは反対の背面側における温度が250(℃)を超えたとき、または相手となる軸部材との間の摩擦力が50(N)を超えたとき、焼付が生じたと判定している。図6によると、実施例品1〜実施例品24は、いずれも焼付時の面圧が19(MPa)以上である。これに対し、比較例品1および比較例品2は、焼付時の面圧が11(MPa)以下である。このことから、DLC層側の面に硬質粒子が露出するCu基軸受合金層上にDLC層を形成した実施例品1〜実施例品24は、焼付面圧が向上、すなわち耐焼付性が高い、ひいては摩擦係数が小さいことを示している。特に、実施例品1〜実施例品6、実施例品8、実施例品10、実施例品12、実施例品15、および実施例品17〜実施例品24は、DLC層の厚さTと硬質粒子の面積率Aとを所定の関係に規定している。これにより、実施例品1〜実施例品6、実施例品8、実施例品10、実施例品12、実施例品15、および実施例品17〜実施例品24は、いずれも近似の条件で形成した実施例品と比較して耐焼付性が向上している。
図6に示す実施例品1〜実施例品20、実施例品22、および比較例品1〜比較例品2の場合、いずれも試料の摺動相手となる相手方の軸部材は、材質が炭素鋼(S55C)であり、摺動部における硬さが600(HV)である。一方、実施例品21および実施例品24の場合、相手方の軸部材は、炭素鋼(S55C)の摺動面にDLC層をコーティングしている。すなわち、実施例品21の場合、相手方の軸部材の摺動部における硬さは、5000(HV)である。実施例品24の場合、相手方の軸部材の摺動部における硬さは、2000(HV)である。また、実施例品23の場合、相手方の軸部材は、炭素鋼(S55C)に焼入れしたものであり、摺動部における硬さが700(HV)である。さらに、実施例品20の場合、相手方の軸部材の摺動部における硬さが600(HV)であるのに対し、DLC層の硬さは500(HV)に設定している。実施例品22の場合、相手方の軸部材の摺動部における硬さが600(HV)であるのに対し、DLC層の硬さは110(HV)に設定している。これらのように、DLC層の硬さを相手方の軸部材の摺動部における硬さの0.9倍以下に設定した実施例品20〜実施例品24は、焼付面圧の向上が図られている。すなわち、DLC層の硬さを相手方の軸部材の摺動部における硬さの0.9倍以下に設定した実施例品20〜実施例品24は、この硬さの条件を満たさない場合と比較して摩耗粉の発生が減少し、焼付面圧が向上する。
(DLC層の形成速度の影響について)
図6に示す実施例品1、実施例品2および実施例品3は、それぞれDLC層を形成する形成速度が異なっている。具体的には、実施例品1は第1の形成速度で図3に示すDLC層を形成し、実施例品2は第2の形成速度で図4に示すDLC層を形成し、実施例品3は第3の形成速度で図5に示すDLC層を形成している。また、実施例品1〜実施例品3は、いずれもCu合金の成分、硬質粒子の成分、硬質粒子の平均粒径、および硬質粒子の粒子間の平均距離などの特性が同一に設定されている。一方、実施例品1〜実施例品3は、いずれも剥離荷重および焼付面圧に大差がない。これにより、DLC層の形成速度は、剥離荷重および焼付面圧に与える影響が小さいことがわかる。このように、DLC層の形成速度が摺動部材の特性に与える影響は小さいことから、実施例品4〜実施例品24、および比較例品1では第2の形成速度でDLC層を形成している。
以上説明した実施例品1〜実施例品24は、Cu基軸受合金層上にDLC層を形成することにより、相手方の軸部材との間の摩擦を低減することができる。そして、実施例品1〜実施例品24は、比較例品1および比較例品2と比較して、Cu基軸受合金層とDLC層との間で高い結合力が得られて耐焼付性が高められ、低摩擦化が実現されている。
本実施形態は、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得る。
不可避的不純物については説明を省略し、各成分には不可避的不純物が含まれ得る。

Claims (9)

  1. 硬質粒子を含むCuを主体とするCu基軸受合金層と、
    前記Cu基軸受合金層に積層されているDLC層と、を備え、
    前記Cu基軸受合金層に含まれる前記硬質粒子の少なくとも一部は、前記DLC層側の面に露出している摺動部材。
  2. 前記硬質粒子は、硼化物、珪化物、酸化物、窒化物、炭化物および金属間化合物からなる群より選択される少なくとも一種類の化合物であり、
    前記硬質粒子の粒子径は、平均0.5〜20(μm)であることを特徴とする請求項1記載の摺動部材。
  3. 前記硬質粒子は、金属の珪化物または金属の炭化物である請求項2記載の摺動部材。
  4. 前記DLC層側の面に露出する硬質粒子は、相互の間の平均距離が3〜50(μm)である請求項1、2または3記載の摺動部材。
  5. 前記DLC層側の面の総面積に対する前記DLC層側の面に露出している硬質粒子の面積率は、0.1〜14(%)である請求項1から4のいずれか一項記載の摺動部材。
  6. 前記DLC層側の面に露出する硬質粒子の面積率をA(%)、前記DLC層の厚さをT(μm)とすると、
    A≧0.5×T
    である請求項1から5のいずれか一項記載の摺動部材。
  7. 前記DLC層の硬さをH(HV)、前記DLC層の厚さをT(μm)とすると、
    H≦10000/T
    である請求項1から6のいずれか一項記載の摺動部材。
  8. 前記DLC層は、H≦6000、かつT≦15である請求項7記載の摺動部材。
  9. 前記DLC層の硬さは、前記Cu基軸受合金層の硬さの1.1倍以上であり、摺動対象となる相手方の相手部材の硬さの0.9倍以下である請求項1から8のいずれか一項記載の摺動部材。
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