JPWO2011105331A1 - エッチング方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
CF4+2H2O→4HF+CO2 (式1)
SiO2+4HF+H2O→SiF4+3H2O (式2)
フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有する処理雰囲気中に前記被処理基板を配置し、
前記第1面の温度を前記処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度を前記凝縮点以下になるよう調節することを特徴とする。
第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。よって、第1面のエッチングを確実に防止又は抑制しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。
凝縮点と第2面の温度との差を小さくすることにより、第1面を少し加温すれば、第1面の温度が前記凝縮点を上回るようにすることができる。第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、上記第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。よって、第1面のエッチングを確実に防止又は抑制しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。
これによって、外気が搬入口又は搬出口を通って処理空間に達する前に、搬入口又は搬出口の近傍で吸引して排気でき、外気が処理空間に流入するのを防止できる。上記の流入外気の流量や流速は、被処理基板の搬入及び搬出に伴って変動する。このような変動があっても、上記の吸引によって処理雰囲気への外気混入を防止できるから、処理雰囲気のガス組成ひいてはフッ化水素蒸気分圧及び水蒸気分圧を、それぞれ処理ガス自体のものと略同じに維持することができる。この結果、第2面のエッチング処理が不均一になるのを防止することができる。また、処理雰囲気の湿度に対して外気の湿度が高くても第1面側の処理雰囲気の湿度が上昇するのを防止でき、第1面に凝縮層が形成されるのを防止できる。したがって、第1面までもがエッチングされてしまうのを回避できる。
フッ化水素及び水のうち少なくともフッ化水素を含有する処理ガスを前記処理空間内に供給して前記被処理基板の少なくとも前記第2面に接触させる吹出ノズルと、
前記第1面の温度が前記処理空間におけるフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度が前記凝縮点以下になるよう調節する調節手段と、
を備えたことを特徴とする。
前記処理空間の湿度は、0%を超えていればよく、100%RH以下であればよい。
前記調節手段が、前記処理空間における前記被処理基板が配置される位置を挟んで前記吹出ノズルとは反対側において前記位置に近接して配置されたヒータを含み、前記ヒータの設定温度が前記凝縮点より0℃超〜60℃高温であることが好ましい。
これにより、被処理基板の第1面の温度を処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点より確実に高温にすることができる。第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、上記第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。これにより、第1面のエッチングを確実に抑制又は防止しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。
例えば、前記移動速度が比較的大きいときは、前記設定温度を前記第1面の所望温度より比較的大きくする。これによって、前記第1面が前記所望温度に達する迄の所要時間を短縮できる。一方、移動速度が比較的大きいから、第2面までもが前記凝縮点より高温にならないうちに処理を終了できる。
前記移動速度が比較的小さいときは、前記設定温度を前記所望温度とほぼ同じにしてもよい。これによって、被処理基板の温度が前記所望温度を大きく超えるのを回避できる。一方、移動速度が小さいと加熱時間が長くなるが、前記設定温度及び前記所望温度を前記凝縮点より少しだけ高温に設定することによって、第2面の温度を前記凝縮点以下に維持することができる。
処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点と第2面の温度との差を小さくすることにより、第1面を少し加温すれば、第1面の温度が前記凝縮点を上回るようにすることができる。第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、上記第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。よって、第1面のエッチングを確実に抑制又は防止しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。
図1及び図2は、本発明の第1実施形態を示したものである。被処理基板9は、例えばフラットパネルディスプレイ等の半導体装置になるべきガラス基板である。ガラス基板9は、SiO2等のシリコン含有物を主成分として含んでいる。ガラス基板9の厚さは、例えば0.5mm〜0.7mm程度である。ガラス基板9は、四角形の平板状をなし、おもて側の第1面9a(主面)と、その裏側の第2面9b(裏面)とを有している。第1面9aは、絶縁層、導電層、半導体層等の各種電子素子層が設けられるべき主面である。第2面9bは、大気圧エッチング装置1による粗化(エッチング)処理の対象となる裏面である。第2面9bを粗化処理したうえで、第1面9aに対し、上記各種電子素子層を形成するための表面処理を行なう。
水添加後の原料ガス中の水分量は、水添加前の原料ガスの露点と、水添加部12における水の気化量とから算出することができる。フーリエ変換型赤外分光器(FTIR)を用いて水添加後の原料ガス中の水分量を測定してもよい。
COF2+H2O→2HF+CO2 (式3)
フッ素系原料供給部11からの原料ガス(CF4+Ar)に水添加部12にて所定量の水蒸気(H2O)を添加し、加湿原料ガスを得る。この加湿原料ガス(CF4+Ar+H2O)を整流部42にて幅方向yに均一化したうえで、プラズマ生成部60にてプラズマ化する。これにより、フッ化水素及び水のうち少なくともフッ化水素を含む処理ガスを生成する。水添加部12における水蒸気添加量等を調節することによって、処理ガスのフッ化水素分圧及び水蒸気分圧を調節できる。ここでは、原料ガス中の水分の殆ど全量がフッ化水素の生成に消費され、処理ガスの水蒸気分圧は実質0である。処理ガスの温度は室温付近である。
図3及び図4に示すように、第2実施形態の大気圧エッチング装置1Aは、被処理基板9の搬送手段30として、搬入用ローラコンベア33と、処理用ローラコンベア34と、搬出用ローラコンベア35を備えている。各ローラコンベア33,34,35が、x方向(図3の左右方向)に並べられた複数のローラシャフト31と、各ローラシャフト31に設けられた搬送ローラ32を有している。搬入用ローラコンベア33は、処理部20よりx方向の一端側(図3において右)に配置され、被処理基板9を処理空間23に搬入する。処理用ローラコンベア34は、底板22の下部に設けられ、処理空間23内の被処理基板9を搬送する。搬出用ローラコンベア35は、処理部20よりx方向の他端側(図3において左)に配置され、被処理基板9を処理空間23から搬出する。
カバー70の内部は、ローラ穴25を介して処理空間23とのみ連通している。
なお、後述するように、図7(c)の状態において、第1処理空間部23aへの外気g2aの巻き込みが有る場合でも、この巻き込み量等を制御することで第2面9bのみを粗化可能である。
例えば、上記実施形態では、第1面9aが電子素子を設けるべき主面であり、粗化(エッチング)すべき第2面9bが裏面であったが、第1面9aが裏面であり、粗化(エッチング)すべき第2面9aが電子素子を設けるべき主面であってもよい。第1面と第2面の両方が、電子素子が設けられる面であってもよい。被処理基板は、ガラスに限られず、半導体ウェハ等でもよい。更に、被処理基板は、電子素子が形成される基板ないしは半導体装置用の基板に限られない。
被処理基板9にシリコン含有物からなる膜が形成されていてもよく、本発明装置1が上記膜をエッチングするものであってもよい。
装置1の周辺の湿度を調節し、ひいては処理雰囲気中の水蒸気分圧を調節することにしてもよい。この場合、装置1の周辺の湿度調節手段は、特許請求の範囲の「調節手段」の要素になる。
処理ガスがある程度の水分を含有するようにしてもよい。処理雰囲気中の水蒸気分圧が、水添加部12による水添加量に大きく依存するようにしてもよい。この場合、水添加部12は、特許請求の範囲の「調節手段」の要素になる。
処理ガスは、プラズマ化により形成するものに限られない。例えば、処理ガス源としてフッ化水素水溶液を蓄えたタンクを用意し、上記フッ化水素水溶液を気化させて吹出ノズル40へ輸送することにしてもよい。
処理ガスが、オゾン等の酸化成分を含んでいてもよい。オゾンはオゾナイザーや酸素プラズマ生成装置にて生成できる。
被処理基板9の第2面を上に向け、第1面を下に向けてもよい。温度調節手段(ヒータ)を被処理基板9の下側に配置し、吹出ノズル40を被処理基板9の上側に配置して、処理ガスを被処理基板9の上方から被処理基板9に吹き付けることにしてもよい。
被処理基板9を支持する支持手段を搬送手段30とは別途に設けてもよい。支持手段にて被処理基板9の位置を固定し、搬送手段にて処理部20を移動させることにしてもよい。被処理基板9及び処理部20を互いに相対移動させながらエッチング処理を行なうのに限られず、被処理基板9及び処理部20の相対位置を固定した状態でエッチング処理を行なうことにしてもよい。
実施例1では、図1及び図2と実質的に同じ大気圧エッチング装置1を用いた。
被処理基板9としてガラス基板を用い、第1面9a及び第2面9bにそれぞれSiN(シリコン含有物)を被膜した。
被処理基板9の寸法は、以下の通りであった。
x方向に沿う長さ:670mm
y方向の幅:550mm
厚さ:0.7mm
底板22のx方向に沿う長さ: 0.3m
処理空間23の上下方向の厚さ: d0=8mm
処理空間23のy方向の幅: 600mm
ワーキングディスタンス: WD=4mm
天板すなわちプレートヒータ21の下面と被処理基板9の上面との距離: d1=4mm
Ar: 8.7slm
CF4: 0.3slm
H2O: 0.19sccm
上記原料ガスを整流部42にてプラズマ化して処理ガスを生成した。したがって、処理ガスの流量は、9sccm強であった。
プラズマ生成条件は以下の通りとした。
電極間間隔: 1mm
電極間電圧: Vpp=12.8kV
電極間電圧の周波数: 25kHz(パルス波)
供給電力: パルス変換前の直流電圧=370V、電流=9.4A
処理ガスひいては処理空間23内の処理雰囲気のフッ化水素分圧は6.2Torrであった。
装置周辺は大気圧であり、装置周辺の温度(室温)は、25℃であり、相対湿度は、約30%であった。図11に示すように、この相対湿度に対応する水蒸気分圧は、7.1Torrである。また、この処理雰囲気中のフッ化水素及び水の凝縮点は約27℃である。
被処理基板9をx方向の矢印aの向きに搬送して処理空間23に通した。被処理基板9を処理空間23に通した回数(スキャン回数)は、1回であった。
被処理基板9の搬送速度は、4m/minとした。
吹出ノズル40からの処理ガスの吹き出しは、被処理基板9を処理空間23に搬入する前から開始し、被処理基板9が処理空間23から搬出されるまで継続して行った。
25℃では天板21の下面に結露が形成された。30℃、35℃、45℃では、天板21の下面に結露が形成されなかった。なお、天板21を25℃から加温していくと、27℃〜28℃で結露が消失した。
ヒータ設定温度が30℃のときは、第2面9bのSiN膜については十分なエッチング量を得られたのに対し、第1面9aのSiN膜のエッチング量が極めて小さくなり、SiN膜が殆どエッチングされないことが確認された。
ヒータ設定温度が35℃及び45℃のときについても、30℃のときと同様に、第2面9bのSiN膜については十分なエッチング量を得られたのに対し、第1面9aのSiN膜は殆どエッチングされなかった。
以上の結果から、第1面9aの温度を処理雰囲気中のフッ化水素及び水の凝縮点より高温にし、かつ第2面9bの温度を上記凝縮点より低温にすることにより、第1面9aがエッチングされるのを抑制又は防止しながら、第2面9bをエッチングできることが確認された。
図10(a)及び図10(b)に示すように、ヒータ設定温度が35℃及び45℃のときについても、30℃のときと同様に、第1面9a、第2面9b共に、エッチングレートがほぼ均一になった。
以上の結果から、第1面9aを処理雰囲気中のフッ化水素及び水の凝縮点より高温にすることで、第1面9aのエッチングが抑制されるだけでなく、第1面9a及び第2面9bのエッチングの均一性が高まることが判明した。
図5に示す第3実施形態において、ヒータ21の下面と被処理基板9の第1面9aとの距離を広げる。処理空間23の雰囲気は点Bで示される条件であるが、被処理基板9が搬入口26から処理空間23に入ることで、外気を巻き込んでくる。ところが、吹き出てくる処理ガスおよび搬入側の吸引路83からの処理空間手前での排気によって、第2面9bと吹出ノズル40の上面との間の第2処理空間部23bには、外気が入ってこない。一方、第1面9aとヒータ21との間の第1処理空間部23aには、外気が入ってくる。すると、第1処理空間部23aのHF分圧が下がり、点Bから25℃の気液平衡曲線を跨いだ気相側に処理雰囲気の分圧組成が変わる。したがって、第1面9aに凝縮層は形成されず、第1面9aはエッチングされない。
9 被処理基板
9a 第1面
9b 第2面
10 原料ガス供給手段
11 フッ素系原料供給部
12 水添加部
20 処理部
21 天板、プレートヒータ(調節手段)
22 底板
23 処理空間
24 側壁
25 ローラ穴
26 搬入口
27 搬出口
29 処理部内空間
30 搬送手段
31 ローラシャフト
32 搬送ローラ
33 搬入用ローラコンベア
34 処理用ローラコンベア
35 搬出用ローラコンベア
40 吹出ノズル
41 吹出し口
42 整流部
50 吸引ノズル
51 吸い込み口
60 プラズマ生成部
61 電極
62 放電空間
70 カバー
74 端壁
75 気密軸受
80 ガス吸引系
81 吸引ポンプ
82 搬入側の添え板
83 搬入側の吸引路
84 搬出側の添え板
85 搬出側の吸引路
86 端壁
フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有する処理雰囲気中に前記被処理基板を配置し、
前記第1面の温度を前記処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度を前記凝縮点以下になるよう調節することを特徴とする。
これによって、外気が搬入口又は搬出口を通って処理空間に達する前に、該外気を吸引して排気でき、外気が処理空間に流入するのを防止できる。上記の流入外気の流量や流速は、被処理基板の搬入及び搬出に伴って変動する。このような変動があっても、上記の吸引によって処理雰囲気への外気混入を防止できるから、処理雰囲気のガス組成ひいてはフッ化水素蒸気分圧及び水蒸気分圧を、それぞれ処理ガス自体のものと略同じに維持することができる。この結果、第2面のエッチング処理が不均一になるのを防止することができる。また、処理雰囲気の湿度に対して外気の湿度が高くても第1面側の処理雰囲気の湿度が上昇するのを防止でき、第1面に凝縮層が形成されるのを防止できる。したがって、第1面までもがエッチングされてしまうのを回避できる。
フッ化水素及び水のうち少なくともフッ化水素を含有する処理ガスを前記処理空間内に供給して前記被処理基板の少なくとも前記第2面に接触させる吹出ノズルと、
前記第1面の温度が前記処理空間におけるフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度が前記凝縮点以下になるよう調節する調節手段と、
を備えたことを特徴とする。
前記調節手段が、前記処理空間における前記被処理基板が配置される位置を挟んで前記吹出ノズルとは反対側に配置されたヒータを含み、前記ヒータの設定温度が前記凝縮点より0℃超〜60℃高温であることが好ましい。
これにより、被処理基板の第1面の温度を処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点より確実に高温にすることができる。第1面の加温度ひいては第1面に付与すべき熱量を小さくすることにより、熱が第2面まで伝達するのを回避又は抑制でき、第2面の温度上昇を防止又は抑制できる。したがって、上記第2面の温度を確実に前記凝縮点以下にすることができる。これにより、第1面のエッチングを確実に抑制又は防止しながら、第2面を確実にエッチングすることができる。
Claims (7)
- シリコン含有物を含み、かつ第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板を大気圧近傍下にてエッチングする方法であって、
フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有する処理雰囲気中に前記被処理基板を配置し、
前記第1面の温度を前記処理雰囲気のフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度を前記凝縮点以下になるよう調節することを特徴とするエッチング方法。 - 前記第1面の温度を前記凝縮点より0℃超〜40℃高温にすることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記第2面の温度を前記凝縮点より0℃〜10℃低温にすることを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- 前記処理雰囲気が存する処理空間に連なる搬入口から前記被処理基板を前記処理空間に搬入し、前記処理空間に連なる搬出口から前記被処理基板を搬出し、前記搬入口の近傍及び前記搬出口の近傍でガスを吸引することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のエッチング方法。
- シリコン含有物を含み、かつ第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板を大気圧近傍かつ湿度0%超の処理空間内にてエッチングする装置であって、
フッ化水素及び水のうち少なくともフッ化水素を含有する処理ガスを前記処理空間内に供給して前記被処理基板の少なくとも前記第2面に接触させる吹出ノズルと、
前記第1面の温度が前記処理空間におけるフッ化水素及び水の凝縮点より高温になるよう、かつ前記第2面の温度が前記凝縮点以下になるよう調節する調節手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング装置。 - 前記調節手段が、前記処理空間における前記被処理基板が配置される位置を挟んで前記吹出ノズルとは反対側において前記位置に近接して配置されたヒータを含み、前記ヒータの設定温度が前記凝縮点より0℃超〜60℃高温であることを特徴とする請求項5に記載のエッチング装置。
- 前記調節手段が、前記第2面の温度を前記凝縮点より0℃〜10℃低温にすることを特徴とする請求項5又は6に記載のエッチング装置。
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