WO2017043651A1 - ガラス基板の製造方法 - Google Patents

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WO2017043651A1
WO2017043651A1 PCT/JP2016/076695 JP2016076695W WO2017043651A1 WO 2017043651 A1 WO2017043651 A1 WO 2017043651A1 JP 2016076695 W JP2016076695 W JP 2016076695W WO 2017043651 A1 WO2017043651 A1 WO 2017043651A1
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glass substrate
chamber
carry
opening width
port
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祐之 高橋
大野 和宏
弘樹 中塚
隼人 奥
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日本電気硝子株式会社
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    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Definitions

  • the present invention relates to a glass substrate manufacturing method in which a glass substrate is etched using a processing gas such as hydrogen fluoride.
  • glass substrates such as flat panel displays (FPD) represented by liquid crystal displays, plasma displays, organic EL displays, field emission displays, and mobile devices such as smart phones and tablet PCs.
  • FPD flat panel displays
  • LCD liquid crystal displays
  • organic EL displays organic EL displays
  • field emission displays and mobile devices
  • smart phones and tablet PCs Embedded in a variety of electronic devices.
  • the glass substrate in the manufacturing process of the glass substrate, there may be a problem due to electrostatic charging.
  • the glass substrate when a glass substrate is placed on a mounting table to perform a predetermined process on the glass substrate, the glass substrate may stick to the mounting table due to electrostatic charging, and the glass substrate has been processed. When it is going to peel off from a mounting base, the said glass substrate may be damaged.
  • Patent Document 1 A technique for avoiding the occurrence of this is known.
  • Patent Document 1 One specific example of this technique is disclosed in Patent Document 1.
  • etching processing is performed on a glass substrate being transported by spraying a processing gas from a blow nozzle on the upstream side of the transport path, and the processing gas is sucked by a suction nozzle on the downstream side of the transport path.
  • a method for exhausting the air is disclosed.
  • an etching process is often performed in the chamber in order to prevent the processing gas from leaking.
  • the chamber is formed with a carry-in port for carrying the glass substrate into the chamber and a carry-out port for carrying out the glass substrate.
  • the glass substrate carry-in port and carry-out port are formed in the chamber, due to the pressure difference between the inside and outside of the chamber, the airflow flowing into the chamber through the carry-in port and the carry-out port and the outflow to the outside of the chamber When a flowing air flow is generated, there is a problem that the flow of the processing gas is disturbed by the air flow and the surface of the glass substrate is unevenly roughened.
  • This invention made
  • formed in view of said situation enables the reliable execution, when performing an etching process to a glass substrate using process gas in the chamber in which the carrying-in port and carrying-out port of the glass substrate were formed. This is a technical issue.
  • the present invention created in order to solve the above problems is a processing region provided on the glass substrate transport path in the chamber while transporting the glass substrate transported into the chamber from the transport entrance in the horizontal direction.
  • “transporting the glass substrate in the horizontal direction” means not only when the glass substrate is transported in the non-inclined horizontal direction, but also tilting the glass substrate up and down within a range of 30 ° or less with respect to the horizontal plane. It also includes the case of transporting in the specified direction. Moreover, the attitude
  • the processing gas is sprayed onto the lower surface of the glass substrate, and the opening width adjustment is arranged on the upper edge side with respect to the glass substrate passing through these openings for each of the carry-out port and the carry-in port. It is preferable to adjust the opening width so that the member is separated from the opening width adjusting member disposed on the lower edge side.
  • a part of these openings is divided into upper and lower parts with the glass substrate as a boundary. That is, a part of the opening is divided into the upper surface side and the lower surface side of the glass substrate.
  • a processing gas the airflow that flows into the chamber from the lower surface side of the glass substrate is sprayed on the lower surface of the glass substrate. It is easy to cause disturbance in the flow of the lower surface processing gas.
  • the opening width is adjusted so that the opening width adjusting member arranged on the upper edge side is separated from the opening width adjusting member arranged on the lower edge side with respect to the glass substrate passing through the opening.
  • the length of the glass substrate along the transport direction is such that the distance between the carry-in entrance and the processing area along the transport path, and the distance between the process area and the carry-out exit along the transport path. May be longer.
  • the front part of the glass substrate has already reached the processing area before the last part of the glass substrate being transported has passed through the carry-in entrance. Moreover, before the last part of a glass substrate finishes passing a process area
  • the region from the carry-in entrance to the processing region is divided vertically within the chamber, and the region from the treatment region to the carry-out port is divided vertically within the chamber, with the glass substrate being transferred as a boundary. Therefore, the airflow that has flowed into the chamber from the lower surface side of the glass substrate more easily disturbs the flow of the lower surface processing gas.
  • the opening width adjusting member arranged on the upper edge side with respect to the glass substrate passing through the opening is If the opening width is adjusted to be in a state of being separated from the opening width adjusting member arranged on the lower edge side, and the air flow is less likely to flow into the chamber than the upper surface side on the lower surface side of the glass substrate, The effect can be utilized more effectively.
  • a processing device that performs an etching process by spraying a processing gas onto the glass substrate may be installed at the bottom of the chamber so that a gap is formed between the chamber and the ceiling.
  • the opening width is adjusted so that the opening width adjusting member arranged on the upper edge side is separated from the opening width adjusting member arranged on the lower edge side with respect to the glass substrate passing through the opening of the carry-in port and the carry-out port. Is adjusted, airflow is more likely to flow into the chamber on the upper surface side of the glass substrate than on the lower surface side.
  • a processing unit that performs an etching process by spraying a processing gas on the glass substrate is installed at the bottom of the chamber so that a gap is formed between the chamber and the ceiling, It becomes easy to guide the airflow flowing into the chamber from the upper surface side so as to flow into a gap formed between the processing device and the ceiling of the chamber. As a result, the airflow is less likely to stay in the vicinity of the processor, which is more suitable for avoiding disturbance in the flow of the lower surface processing gas.
  • the opening width adjusting member can be moved by an operation outside the chamber via the moving mechanism, it is not necessary to open and close the chamber in order to move the opening width adjusting member. Thereby, it becomes easy to prevent the occurrence of problems such as the processing gas leaking out of the chamber as the chamber is opened and closed.
  • the opening width along the vertical direction at each of the carry-in port and the carry-out port can be adjusted only by moving the plate-like member at the upper edge side and the lower edge side of each of the carry-in port and the carry-out port. It becomes possible to do. Therefore, it is possible to reduce the cost and labor required to control the airflow flowing into the chamber and the flow velocity (flow rate) of the airflow flowing out of the chamber.
  • the present invention when an etching process is performed on a glass substrate using a processing gas in a chamber in which a glass substrate carry-in port and a carry-out port are formed, it is possible to reliably perform the process.
  • the glass substrate manufacturing apparatus 1 transports the glass substrate 3 carried into the chamber 2 from the carry-in port 2 a in the horizontal direction on the conveyance path of the glass substrate 3 in the chamber 2. After the etching treatment is performed with hydrogen fluoride as the treatment gas 5 in the treatment region 4 provided, the treated glass substrate 3 is carried out of the chamber 2 from the carry-out port 2b.
  • the glass substrate manufacturing apparatus 1 can transport the glass substrate 3 in a flat position along a transport path extending in a straight line by a plurality of rollers 6 disposed inside and outside the chamber 2. .
  • the outer shape of the chamber 2 is formed in a rectangular parallelepiped shape, and the processing gas 5 is prevented from flowing out of the chamber 2 from the space 7 formed therein.
  • the chamber 2 includes a carry-in port 2 a for carrying in the glass substrate 3 and a carry-out port 2 b for carrying out the glass substrate 3.
  • the carry-in port 2a and the carry-out port 2b are formed in the side wall portion 2c of the chamber 2, and along the main surface (upper surface and lower surface) of the glass substrate 3, the width direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 3 (FIG. 1). Is a direction that is perpendicular to the paper surface, and is hereinafter referred to simply as the width direction).
  • the material of the chamber 2 is polyvinyl chloride having excellent corrosion resistance to the processing gas 5 (hydrogen fluoride).
  • a barometer (not shown) is installed in the chamber 2 (in the space 7) and outside the chamber 2, and the barometric pressure difference inside and outside the chamber 2 can be measured by both barometers. .
  • the opening width along the up-down direction is the upper edge 2aa (2ba) side of the opening and the lower edge 2ab ( 2 bb) side can be adjusted by a pair of opening width adjusting members 8 and 9 which can be moved in the vertical direction along the side wall 2c of the chamber 2, respectively.
  • the operator adjusts the opening widths of the carry-in port 2a and the carry-out port 2b based on the pressure difference between the inside and outside of the chamber 2 measured by the above two barometers.
  • each of the pair of opening width adjusting members 8 and 9 is polyvinyl chloride.
  • the opening width adjusting member 8 (9) is formed in an L shape in a side view and is formed of a member elongated in the width direction, and extends along the carry-in port 2a and the carry-out port 2b.
  • the opening width adjusting member 8 (9) may be formed of a rectangular plate member that is long in the width direction. Further, the opening width adjusting member 8 (9) can be moved along the guide rail 11 installed on the side wall 2c of the chamber 2 so as to extend in the vertical direction. Further, the opening width adjusting member 8 (9) is connected to a ball screw mechanism 12 as a moving mechanism for moving the opening width adjusting member 8 (9).
  • the ball screw mechanism 12 includes a plate member 12a directly connected to the opening width adjusting member 8 (9), and a ball screw for feeding the opening width adjusting member 8 (9) in the vertical direction via the plate member 12a as the device rotates. 12b, a rotation shaft 12c that penetrates the chamber 2 and rotates in synchronization with the ball screw 12b, and a handle 12d that allows an operator to rotate the ball screw 12b via the rotation shaft 12c. With this ball screw mechanism 12, an operator can operate the handle 12d outside the chamber 2 to move the opening width adjusting member 8 (9).
  • each of the carry-in port 2a and the carry-out port 2b (the carry-in port 2a is illustrated in FIG. 2) is formed on the glass substrate 3 passing through these openings.
  • the opening width is adjusted so that the opening width adjusting member 8 disposed on the upper edge 2aa side is separated from the opening width adjusting member 9 disposed on the lower edge 2ab side. That is, the mutual distance A1 between the opening width adjusting member 8 disposed on the upper edge 2aa side and the upper surface of the glass substrate 3 is equal to the opening width adjusting member 9 disposed on the lower edge 2ab side and the lower surface of the glass substrate 3.
  • the opening width is adjusted to be longer than the mutual distance A2.
  • the length of the mutual distance A1 is twice or more than the length of the mutual distance A2.
  • each of the pair of opening width adjusting members 8 and 9 moves in the vertical direction along the side wall portion 2c of the chamber 2 so that the vertical direction of the carry-in port 2a and the carry-out port 2b.
  • this is not a limitation.
  • each of the pair of opening width adjusting members 8 and 9 moves along the side wall portion 2c of the chamber 2 in a direction inclined with respect to the vertical direction, so that the vertical direction of the carry-in entrance 2a and the carry-out port 2b is met. It is good also as a structure which adjusts opening width.
  • each of the pair of opening width adjusting members 8 and 9 is configured to move along the side wall 2c of the chamber 2, but is not limited thereto.
  • each of the pair of opening width adjusting members 8 and 9 is configured to move so as to advance and retreat from the upper edge 2aa (2ba) and the lower edge 2ab (2bb) of the carry-in port 2a (carry-out port 2b). Also good.
  • the operator operates the handle 12d to rotate the ball screw 12b, thereby moving the opening width adjusting member 8 (9). It is good also as a structure which moves the opening width adjustment member 8 (9) by rotating the ball screw 12b using power sources, such as.
  • the opening width adjusting member 8 (9) is moved by the ball screw mechanism 12, but the present invention is not limited to this.
  • the opening width adjusting member 8 (9) may be moved by a rack and pinion mechanism or the like.
  • a processing device for performing an etching process by spraying a processing gas 5 onto a glass substrate 3 transported by a plurality of rollers 6 installed in the chamber 2. 13 is arranged.
  • the processor 13 is installed at the bottom 2e of the chamber 2 so that a gap 14 is formed between the ceiling 2d of the chamber 2 and the lower surface of the glass substrate 3 carried into the processing region 4.
  • a main body part 13 a arranged to face each other and a top plate part 13 b arranged to face the upper surface of the glass substrate 3 are provided.
  • a processing space 15 for performing an etching process on the glass substrate 3 is formed between the main body portion 13a and the top plate portion 13b.
  • the material of the main-body part 13a and the top-plate part 13b is polyvinyl chloride.
  • the main body 13 a supplies the processing gas 5 sprayed to the lower surface of the glass substrate 3 to the processing space 15, and relatively supplies the processing path 15 with a supply path 13 aa provided on the upstream side of the transport path of the glass substrate 3. And a recovery path 13ab provided relatively downstream of the transport path of the glass substrate 3.
  • the processing gas 5 supplied to the processing space 15 from the supply path 13aa is sprayed to the lower surface of the glass substrate 3, and then flows toward the downstream side of the transport path of the glass substrate 3, and the recovery path 13ab. Is recovered from the processing space 15.
  • the main body 13a has a built-in heating member 13ac (for example, a heater or the like) that can heat the main body 13a in order to prevent the formation of condensation due to the processing gas 5.
  • the supply path 13aa is formed by stacking five layers of the first structure 13ad to the fifth structure 13ah built in the main body 13a.
  • a supply port 13ada for supplying the processing gas 5 to the first structure 13ad is formed in the first structure 13ad located in the lowermost layer.
  • stacked on the 1st structure 13ae are piled up, and the branched flow path of the process gas 5 supplied from the supply port 13ada is formed.
  • the second structural body 13ae and the third structural body 13af stacked above the second structural body 13ae are overlapped to form a branched flow path that further branches the branched flow path.
  • a space 16 for joining the branched branch flow paths is formed, and a number of holes 17a for allowing the processing gas 5 to pass therethrough are formed.
  • a perforated plate 17 in which is formed is attached.
  • the fifth structure 13ah located in the uppermost layer is formed with an outlet (an outlet for the processing gas 5 in the supply path 13aa) for allowing the processing gas 5 to flow into the processing space 15.
  • Both the outlet of the processing gas 5 in the supply path 13aa and the inlet of the processing gas 5 in the recovery path 13ab are formed in a slit shape that is long in the width direction.
  • the width dimension of the outlet and the inlet is longer than the width dimension of the glass substrate 3.
  • the outlet width of the processing gas 5 in the supply path 13aa has an opening width along the transport direction of the glass substrate 3 that is constant by the spacer 18 installed in the supply path 13aa. It is adjusted to become.
  • a plurality of spacers 18 are installed along the width direction in a state of being separated from each other.
  • a plurality of spacers 18 installed along the width direction may be set as a set of spacer groups, and the spacer groups may be installed over a plurality of upper and lower stages.
  • the depth dimension B from the outlet of the processing gas 5 in the supply passage 13aa to the position where the spacer 18 is installed is in the range of 10 mm to 40 mm.
  • the depth dimension from the outlet of the processing gas 5 to the position where the spacer group located at the uppermost stage is installed is within the range of 10 mm to 40 mm. It is preferable to do. If the depth dimension B is too small, the spacer 18 may disturb the flow of the processing gas 5 in the supply path 13aa, and may cause unevenness in the roughening of the lower surface of the glass substrate 3 due to the etching process.
  • the depth dimension B is too large, it is difficult to adjust the opening width along the conveyance direction of the glass substrate 3 to a desired width at the outlet of the processing gas 5 in the supply path 13aa. Therefore, the supply amount of the processing gas 5 from the outlet to the processing space 15 may be excessive or excessive, and the lower surface of the glass substrate 3 may not be roughened to a desired surface roughness.
  • the top plate portion 13 b is made of a single plate-like member and has a flat surface facing the upper surface of the glass substrate 3 carried into the processing region 4. Further, the top plate portion 13b has a built-in heating member 13ba (for example, a heater or the like) capable of heating the top plate portion 13b in order to prevent the formation of condensation due to the processing gas 5 in the same manner as the main body portion 13a. Has been.
  • a built-in heating member 13ba for example, a heater or the like
  • the processing gas 5 is prevented from leaking out of the chamber 2 upstream of the transport path of the glass substrate 3 with respect to the carry-in port 2a formed in the side wall 2c of the chamber 2.
  • a shutter 19 is installed for this purpose.
  • the shutter 19 same as said shutter 19 is installed also in the downstream of the conveyance path
  • the shutter 19 includes a first member 19a disposed on the upper side across the conveyance path of the glass substrate 3, and a second member 19b disposed on the lower side. Both members 19a and 19b can move up and down between a standby position indicated by a solid line in FIG. 2 and an operating position indicated by a two-dot chain line.
  • both the first member 19a and the second member 19b are in the standby position, the shutter 19 is in an open state, and the glass substrate 3 can be transported by passing between the members 19a and 19b. is there.
  • both the first member 19a and the second member 19b are moved to the operating position, the distal end portion 19aa of the first member 19a and the distal end portion 19ba of the second member 19b are between each other 19aa and 19ba. They are in contact with each other without forming a gap, and the shutter 19 is closed.
  • the gas is passed only through the carry-in port 2a (the carry-out port 2b) formed in the side wall 2c. Inflow to the space 20 and outflow from the space 20 are possible. As a result, even when the processing gas 5 is likely to leak out of the chamber 2 through the carry-in port 2a (the carry-out port 2b), the process gas 5 can be retained in the space 20.
  • the glass substrate manufacturing apparatus 1 is operated, the conveyance of the glass substrate 3 by a plurality of rollers 6 is started, and the glass substrate 3 is carried into the chamber 2 from the carry-in port 2a. Thereafter, the glass substrate 3 is carried into the processing region 4.
  • the processing gas 5 supplied to the processing space 15 from the supply path 13aa is transferred to the glass while the glass substrate 3 is transported in the processing space 15 formed in the processing unit 13. While spraying on the substrate 3 to perform the etching process, the processing gas 5 in the processing space 15 is recovered from the recovery path 13ab.
  • the glass substrate 3 is unloaded from the processing region 4. Thereafter, the glass substrate 3 is carried out of the chamber 2 from the carry-out port 2b. Through the above steps, the glass substrate 3 subjected to the etching process is obtained.
  • the pressure difference inside and outside the chamber 2 is measured by both barometers installed in the chamber 2 (in the space 7) and outside the chamber 2, respectively. Then, the operator operates the handle 12d on the basis of the measured pressure difference and moves the opening width adjusting member 8 (9) in the vertical direction, so that the upper and lower sides of the carry-in port 2a and the carry-out port 2b of the glass substrate 3 are moved up and down. Adjust the opening width along the direction.
  • the size of the glass substrate 3 to be subjected to the etching process in this glass substrate manufacturing method is not limited to the size shown in FIG.
  • the length of the glass substrate 3 along the transport direction is longer than the distance between the carry-in port 2a and the processing region 4 along the transport path and the distance between the process region 4 and the carry-out port 2b. It is good also considering the glass substrate 3 which has such a size as the object of an etching process.
  • the glass substrate manufacturing apparatus 1 used for the manufacturing method of the glass substrate which concerns on 2nd embodiment of this invention uses the glass used for the manufacturing method of the glass substrate which concerns on said 1st embodiment.
  • the difference from the substrate manufacturing apparatus 1 is that the configurations of the chamber 2 and the pair of opening width adjusting members 8 and 9 are different.
  • the chamber 2 is provided with three ceiling holes 2f and a plate-like lid 2g for closing each of the ceiling holes 2f.
  • the material of the lid 2g is polyvinyl chloride.
  • the lid 2g can block the entire opening of the ceiling hole 2f, and can be attached to the chamber 2 and removed from the chamber 2.
  • each of the pair of opening width adjusting members 8 and 9 is configured by a plate-shaped member, and a pair of long holes 8b (in the vertical direction for penetrating the bolts 8a (9a)) ( 9b) is formed.
  • the material of the pair of opening width adjusting members 8 and 9 and the bolt 8a (9a) is polyvinyl chloride.
  • bolt 8a (9a) is made into the side wall part 2c of the chamber 2.
  • Opening widths along the vertical direction of the carry-in entrance 2a and the carry-out port 2b by fixing in the formed screw holes (not shown) and positioning the positions of the pair of opening width adjusting members 8, 9 in the vertical direction. It is possible to adjust.
  • the adjustment of the opening width of the carry-in port 2a and the carry-out port 2b by the pair of opening width adjusting members 8 and 9 can be performed by an operator through the ceiling hole 2f by removing the lid 2g from the chamber 2. It has become.
  • the opening width adjusting member 8 is made of glass even when the bolt 8a is loosened and the opening width adjusting member 8 falls downward due to its own weight. Adjustments are made so as not to obstruct the passage of the substrate 3 through the carry-in port 2a and the carry-out port 2b. More specifically, when the opening width adjusting member 8 is located at the lowest position, that is, when the bolt 8a is positioned at the upper end of the long hole 8b as shown in FIG. 6, the lower end portion of the opening width adjusting member 8 is the glass substrate.
  • the fixing position of the bolt 8a (the formation position of the screw hole formed in the side wall 2c of the chamber 2) and the length along the vertical direction of the long hole 8b are adjusted so as to be positioned above the transfer path 3 Has been.
  • the opening width adjusting member 8 cannot close the carry-in port 2a and the carry-out port 2b.
  • the processing gas 5 leaks out of the chamber 2 in an emergency. Can be prevented.
  • the glass substrate manufacturing method according to the second embodiment is different from the glass substrate manufacturing method according to the first embodiment in the vertical direction of the carry-in port 2a and the carry-out port 2b of the glass substrate 3.
  • the aspect which adjusts the opening width along is different.
  • the inside and outside of the chamber 2 are measured by both barometers installed in the chamber 2 (in the space 7) and outside the chamber 2, respectively. Measure the pressure difference. And when adjusting the opening width along the up-down direction of the carrying-in port 2a of the glass substrate 3 and the carrying-out port 2b based on the measured atmospheric

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Abstract

搬入口2aからチャンバー2内へと搬入したガラス基板3を水平方向に搬送しつつ、チャンバー2内でのガラス基板3の搬送経路上に設けた処理領域4で処理ガス5によりエッチング処理を施した後、処理後のガラス基板3を搬出口2bからチャンバー2外へと搬出するガラス基板の製造方法について、搬入口2a及び搬出口2bの各々における開口の上縁2aa(2ba)側と下縁2ab(2bb)側とでそれぞれ開口幅調節部材8,9を移動させることで、搬入口2a及び搬出口2bの各々における上下方向に沿った開口幅をチャンバー2内外の気圧差に基づいて調節した。

Description

ガラス基板の製造方法
 本発明は、フッ化水素等の処理ガスを用いてガラス基板にエッチング処理を施すガラス基板の製造方法に関する。
 周知のように、ガラス基板は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等に代表されるフラットパネルディスプレイ(FPD)や、スマートホン、タブレット型PC等のモバイル機器をはじめとして、多種多様な電子デバイスに組み込まれている。
 ところで、ガラス基板の製造工程においては、静電気の帯電に起因した問題が生じることがある。例えば、ガラス基板に所定の処理を施すべく載置台上にガラス基板を置いた際に、静電気の帯電に起因してガラス基板が載置台に貼り付いてしまう場合があり、処理を終えたガラス基板を載置台から剥離させようとした際に、当該ガラス基板が破損してしまうことがある。
 そこで、上記のような問題への対策として、フッ化水素等の処理ガスをガラス基板に噴き付けてエッチング処理を施し、当該ガラス基板の表面を粗化させることにより、静電気の帯電に起因した問題の発生を回避する手法が知られている。そして、この手法の一つの具体例が特許文献1に開示されている。
 同文献には、搬送中のガラス基板に対し、その搬送経路の上流側で吹出ノズルから処理ガスを噴き付けることでエッチング処理を施すと共に、搬送経路の下流側で吸引ノズルにより処理ガスを吸引して排気する方法が開示されている。なお、同文献において明示されてはいないが、このような方法を採用する場合には、処理ガスが漏れ出すことを防止するため、エッチング処理をチャンバー内で施す場合が多い。このチャンバーには、ガラス基板をチャンバー内へと搬入するための搬入口と、チャンバー外へと搬出するための搬出口とが形成されている。
国際公開第2011/105331号
 しかしながら、特許文献1に開示された方法を採用してガラス基板にエッチング処理を施す場合には、未だ下記のような解決すべき問題が生じている。
 すなわち、チャンバーにはガラス基板の搬入口、及び搬出口が形成されているため、チャンバー内外の気圧差に起因して、搬入口、搬出口を通じてチャンバー内へと流入する気流やチャンバー外へと流出する気流が発生すると、この気流によって処理ガスの流れに乱れが生じ、ガラス基板の表面の粗化にむらが生じてしまう問題があった。
 上記の事情に鑑みなされた本発明は、ガラス基板の搬入口及び搬出口が形成されたチャンバー内で、処理ガスを用いてガラス基板にエッチング処理を施す場合に、その確実な実行を可能とすることを技術的な課題とする。
 上記の課題を解決するために創案された本発明は、搬入口からチャンバー内へと搬入したガラス基板を水平方向に搬送しつつ、チャンバー内でのガラス基板の搬送経路上に設けた処理領域で処理ガスによりエッチング処理を施した後、処理後のガラス基板を搬出口からチャンバー外へと搬出するガラス基板の製造方法であって、搬入口及び搬出口の各々における開口の上縁側と下縁側とでそれぞれ開口幅調節部材を移動させることで、搬入口及び搬出口の各々における上下方向に沿った開口幅をチャンバー内外の気圧差に基づいて調節することに特徴付けられる。ここで、「ガラス基板を水平方向に搬送」とは、ガラス基板を非傾斜方向である水平方向に搬送する場合のみならず、ガラス基板を水平面に対して上下に30°以下の範囲内で傾斜した方向に搬送する場合をも含む。また、これらの場合におけるガラス基板の姿勢は、ガラス基板が搬送方向の両側方に対して非傾斜状態となる姿勢のみならず、ガラス基板が搬送方向の一側方から他側方に対して30°以下の範囲内で傾斜状態となる姿勢をも含む(以下、同じ)。
 このような方法によれば、チャンバー内外の気圧差に起因して、搬入口、搬出口を通じてチャンバー内へと流入する気流や、チャンバー外へと流出する気流が発生した場合でも、これらの気流によって処理ガスの流れに乱れが生じることを可及的に回避することが可能となる。すなわち、搬入口及び搬出口の各々における上下方向に沿った開口幅をチャンバー内外の気圧差に基づいて調節することにより、チャンバー内へと流入する気流、チャンバー外へと流出する気流の流速(流量)を処理ガスの流れに影響を与えない大きさに制御することができる。その結果、処理ガスによるガラス基板へのエッチング処理を確実に実行することが可能となる。
 上記の方法において、ガラス基板の下面に対して処理ガスを噴き付けると共に、搬出口及び搬入口の各々について、これらの開口を通過中のガラス基板に対して、上縁側に配置される開口幅調節部材が、下縁側に配置される開口幅調節部材よりも離間した状態となるように開口幅を調節することが好ましい。
 ガラス基板が搬入口及び搬出口を通過する際には、これらの開口の一部がガラス基板を境界として上下に分割された状態となる。つまり、開口の一部がガラス基板の上面側と下面側とに分割される。ここで、搬入口、搬出口を通じてチャンバー内へと流入する気流が発生した場合、ガラス基板の下面側からチャンバー内へと流入した気流は、ガラス基板の下面に対して噴き付けられる処理ガス(以下、下面処理ガスと表記する)の流れに乱れを生じさせやすい。このことから、ガラス基板の下面側では上面側よりもチャンバー内へと気流が流入しにくい状態としておくことが、下面処理ガスにおける流れの乱れの発生を回避するのに有利である。そして、開口を通過中のガラス基板に対して、上縁側に配置される開口幅調節部材が、下縁側に配置される開口幅調節部材よりも離間した状態となるように開口幅を調節すれば、ガラス基板の上面側よりも下面側で開口における気流の流路断面積を小さくすることが可能となる。これにより、ガラス基板の下面側では上面側よりもチャンバー内へと気流が流入しにくくなり、下面処理ガスの流れに乱れが生じることを回避する上で好適となる。
 上記の方法において、搬送方向に沿ったガラス基板の長さが、搬送経路に沿った搬入口と処理領域との相互間距離、及び、搬送経路に沿った処理領域と搬出口との相互間距離よりも長くてもよい。
 この場合、搬送中のガラス基板の最後部が搬入口を通過し終える前に、ガラス基板の先頭部が既に処理領域へと到達していることになる。また、ガラス基板の最後部が処理領域を通過し終える前に、ガラス基板の先頭部が既に搬出口へと到達していることになる。これにより、搬送中のガラス基板を境界として、搬入口から処理領域までの領域がチャンバー内で上下に分割されたり、処理領域から搬出口までの領域がチャンバー内で上下に分割されたりする。そのため、ガラス基板の下面側からチャンバー内へと流入した気流が、下面処理ガスの流れに乱れをより生じさせやすくなる。以上のことから、搬送方向に沿ったガラス基板の長さが、上記のような長さを有する場合に、開口を通過中のガラス基板に対して、上縁側に配置される開口幅調節部材が、下縁側に配置される開口幅調節部材よりも離間した状態となるように開口幅を調節し、ガラス基板の下面側で上面側よりもチャンバー内へと気流が流入しにくいようにすれば、その効果をより有効に活用することが可能となる。
 上記の方法において、ガラス基板に対して処理ガスを噴き付けることでエッチング処理を施す処理器を、チャンバーの天井部との間に隙間が形成されるようにチャンバーの底部に設置してもよい。
 搬入口、搬出口の開口を通過中のガラス基板に対して、上縁側に配置される開口幅調節部材が、下縁側に配置される開口幅調節部材よりも離間した状態となるように開口幅を調節した場合、ガラス基板の上面側では下面側よりもチャンバー内へと気流が流入しやすくなる。しかしながら、ガラス基板に対して処理ガスを噴き付けることでエッチング処理を施す処理器を、チャンバーの天井部との間に隙間が形成されるようにチャンバーの底部に設置しておけば、ガラス基板の上面側からチャンバー内へと流入した気流が、処理器とチャンバーの天井部との間に形成された隙間へと流入するように誘導しやすくなる。その結果、気流が処理器の付近に滞留しにくくなり、下面処理ガスの流れに乱れが生じることを回避する上でより好適となる。
 上記の方法において、チャンバー内外を貫通すると共に、開口幅調節部材を移動させるための移動機構を設け、移動機構を介してチャンバー外での操作により開口幅調節部材を移動させることが好ましい。
 このようにすれば、移動機構を介してチャンバー外での操作により開口幅調節部材を移動させることができるため、開口幅調節部材を移動させるためにチャンバーを開閉する等の作業が不要となる。これにより、チャンバーの開閉に伴って処理ガスがチャンバー外へと漏れ出す等の不具合の発生を防止しやすくなる。
 上記の方法において、開口幅調節部材として板状部材を用いることが好ましい。
 このようにすれば、搬入口及び搬出口の各々における開口の上縁側と下縁側とでそれぞれ板状部材を移動させるだけで、搬入口及び搬出口の各々における上下方向に沿った開口幅を調節することが可能となる。そのため、チャンバー内へと流入する気流、チャンバー外へと流出する気流の流速(流量)を制御するのに要するコストや手間を少なくすることができる。
 本発明によれば、ガラス基板の搬入口及び搬出口が形成されたチャンバー内で、処理ガスを用いてガラス基板にエッチング処理を施す場合に、その確実な実行が可能となる。
本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置を示す概略縦断側面図である。 本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置において、搬入口の近傍を示す縦断側面図である。 本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置において、供給路を示す縦断正面図である。 本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置において、供給路の近傍を示す縦断側面図である。 本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置を示す概略縦断側面図である。 本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置において、開口幅調節部材を示す正面図である。
 以下、本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法について添付の図面を参照して説明する。
<第一実施形態>
 はじめに、本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置について説明する。
 図1に示すように、ガラス基板の製造装置1は、搬入口2aからチャンバー2内へと搬入したガラス基板3を水平方向に搬送しつつ、チャンバー2内でのガラス基板3の搬送経路上に設けた処理領域4で、処理ガス5としてのフッ化水素によりエッチング処理を施した後、処理後のガラス基板3を搬出口2bからチャンバー2外へと搬出する構成とされている。このガラス基板の製造装置1は、チャンバー2内外に配置された複数のローラー6により、水平に一直線に延びた搬送経路に沿ってガラス基板3を平置き姿勢で搬送することが可能となっている。
 チャンバー2は、その外形が直方体状に形成されており、その内部に形成される空間7から処理ガス5がチャンバー2外へと流出することを防止している。このチャンバー2は、ガラス基板3を搬入するための搬入口2aと、ガラス基板3を搬出するための搬出口2bとを備えている。搬入口2a及び搬出口2bは、チャンバー2の側壁部2cに形成されると共に、ガラス基板3の主面(上面及び下面)に沿って当該ガラス基板3の搬送方向に直交する幅方向(図1において紙面に鉛直な方向であり、以下、単に幅方向と表記する)に長尺な矩形に形成されている。
 なお、チャンバー2の材質は、処理ガス5(フッ化水素)への耐食性に優れたポリ塩化ビニルとなっている。また、チャンバー2内(空間7内)及びチャンバー2外には、それぞれ気圧計(図示省略)が設置されており、両気圧計によりチャンバー2内外の気圧差を測定することが可能となっている。
 搬入口2a及び搬出口2bの各々の開口について、上下方向(ガラス基板3の主面に直交する高さ方向)に沿った開口幅は、開口の上縁2aa(2ba)側と下縁2ab(2bb)側とでそれぞれチャンバー2の側壁部2cに沿って上下方向に移動が可能な一対の開口幅調節部材8,9で調節できるようになっている。搬入口2a及び搬出口2bの開口幅の調節は、上記の両気圧計によって測定されたチャンバー2内外の気圧差に基づいて作業者が行う。これにより、チャンバー2内外の気圧差に起因して発生し、搬入口2a、搬出口2bを通じてチャンバー2内へと流入する気流10(チャンバー2外へと流出する気流10)の流速(流量)を制御することが可能となっている。なお、一対の開口幅調節部材8,9の各々の材質は、ポリ塩化ビニルとなっている。
 開口幅調節部材8(9)は、側面視でL字状に形成されると共に、幅方向に長尺な部材で構成されており、搬入口2a及び搬出口2bに沿って延びている。なお、開口幅調節部材8(9)は、幅方向に長尺な矩形の板状部材で構成されていても良い。また、開口幅調節部材8(9)は、上下方向に延びるようにチャンバー2の側壁部2cに設置されたガイドレール11に沿って移動することが可能となっている。さらに、開口幅調節部材8(9)は、当該開口幅調節部材8(9)を移動させるための移動機構としてのボールネジ機構12と連結されている。
 ボールネジ機構12は、開口幅調節部材8(9)と直接に連結された板材12aと、自身の回転に伴って板材12aを介して開口幅調節部材8(9)を上下方向に送るためのボールネジ12bと、チャンバー2内外を貫通し、且つ、ボールネジ12bと同期して回転する回転軸12cと、回転軸12cを介して作業者がボールネジ12bを回転させるためのハンドル12dとを備えている。このボールネジ機構12により、チャンバー2外で作業者がハンドル12dを操作して、開口幅調節部材8(9)を移動させることが可能となっている。
 なお、図2に示すように、本実施形態においては、搬入口2a及び搬出口2bの各々について(図2では搬入口2aを図示している)、これらの開口を通過中のガラス基板3に対して、上縁2aa側に配置される開口幅調節部材8が、下縁2ab側に配置される開口幅調節部材9よりも離間した状態となるように開口幅を調節している。つまり、上縁2aa側に配置される開口幅調節部材8とガラス基板3の上面との相互間距離A1が、下縁2ab側に配置される開口幅調節部材9とガラス基板3の下面との相互間距離A2よりも長くなるように開口幅を調節している。相互間距離A1の長さと相互間距離A2の長さとの比率としては、相互間距離A1の長さを相互間距離A2の長さに対して2倍以上とすることが好ましい。
 ここで、本実施形態においては、一対の開口幅調節部材8,9の各々がチャンバー2の側壁部2cに沿って上下方向に移動することで、搬入口2a及び搬出口2bの上下方向に沿った開口幅を調節する構成となっているが、この限りではない。例えば、一対の開口幅調節部材8,9の各々がチャンバー2の側壁部2cに沿って上下方向に対して傾斜した方向に移動することで、搬入口2a及び搬出口2bの上下方向に沿った開口幅を調節する構成としてもよい。また、本実施形態では、一対の開口幅調節部材8,9の各々が、チャンバー2の側壁部2cに沿って移動する構成となっているが、これに限定されるものではない。例えば、一対の開口幅調節部材8,9の各々が、搬入口2a(搬出口2b)の上縁部2aa(2ba)及び下縁部2ab(2bb)から進出及び後退するように移動する構成としてもよい。
 さらに、本実施形態では、作業者がハンドル12dを操作して、ボールネジ12bを回転させることにより、開口幅調節部材8(9)を移動させる構成となっているが、作業者によらず、モーター等の動力源を用いてボールネジ12bを回転させることにより、開口幅調節部材8(9)を移動させる構成としてもよい。加えて、本実施形態では、ボールネジ機構12によって開口幅調節部材8(9)を移動させる構成となっているが、これに限定されるものではない。例えば、ラック・アンド・ピニオン機構等によって開口幅調節部材8(9)を移動させる構成としてもよい。
 図1に示すように、処理領域4には、チャンバー2内に設置された複数のローラー6によって搬送されるガラス基板3に対し、処理ガス5を噴き付けることでエッチング処理を施すための処理器13が配置されている。この処理器13は、チャンバー2の天井部2dとの間に隙間14が形成されるように、チャンバー2の底部2eに設置されると共に、処理領域4へと搬入されたガラス基板3の下面と対向するように配置された本体部13aと、ガラス基板3の上面と対向するように配置された天板部13bとを備えている。これら本体部13aと天板部13bとの相互間には、ガラス基板3にエッチング処理を施すための処理空間15が形成される。なお、本体部13a及び天板部13bの材質は、ポリ塩化ビニルとなっている。
 本体部13aは、ガラス基板3の下面に噴き付ける処理ガス5を処理空間15に供給し、且つ、相対的にガラス基板3の搬送経路の上流側に設けられた供給路13aaと、処理空間15から処理ガス5を回収し、且つ、相対的にガラス基板3の搬送経路の下流側に設けられた回収路13abとを有している。これにより、供給路13aaから処理空間15に供給された処理ガス5は、ガラス基板3の下面へと噴き付けられた後、ガラス基板3の搬送経路の下流側へと向かって流れ、回収路13abによって処理空間15から回収されるようになっている。また、本体部13aには、処理ガス5による結露の発生を防止するために、本体部13aの加熱が可能な加熱部材13ac(例えば、ヒーター等)が内蔵されている。
 図3に示すように、供給路13aaは、本体部13aに内蔵された第一構造体13ad~第五構造体13ahの五層を積層することで形成されている。最下層に位置する第一構造体13adには、この第一構造体13adに処理ガス5を供給するための供給口13adaが形成されている。そして、この第一構造体13adと、その上方に積層される第二構造体13aeとが重ね合わされることで、供給口13adaから供給された処理ガス5の分岐流路が形成される。さらに、第二構造体13aeと、その上方に積層される第三構造体13afとが重ね合わされることで、上記の分岐流路をさらに枝分かれさせる分岐流路が形成される。第三構造体13afの上方に積層される第四構造体13agには、枝分かれした分岐流路を合流させるための空間16が形成されていると共に、処理ガス5を通過させるための多数の孔17aが形成された多孔板17が取り付けられている。最上層に位置する第五構造体13ahには、処理空間15に処理ガス5を流出させるための流出口(供給路13aaにおける処理ガス5の流出口)が形成されている。
 供給路13aaにおける処理ガス5の流出口、及び、回収路13abにおける処理ガス5の流入口は、いずれも幅方向に長尺なスリット状に形成されている。これら流出口及び流入口の幅寸法は、ガラス基板3の幅寸法よりも長くなっている。さらに、図4に示すように、供給路13aaにおける処理ガス5の流出口は、そのガラス基板3の搬送方向に沿った開口幅が、当該供給路13aa内に設置されたスペーサー18によって一定の幅となるように調節されている。スペーサー18は、相互に離間した状態で幅方向に沿って複数が設置されている。なお、変形例として、幅方向に沿って設置された複数のスペーサー18を一組のスペーサー群として、スペーサー群を上下複数段に亘って設置してもよい。
 ここで、供給路13aaにおける処理ガス5の流出口からスペーサー18が設置された位置までの深さ寸法Bは、10mm~40mmの範囲内とすることが好ましい。なお、スペーサー群を上下複数段に亘って設置する場合には、処理ガス5の流出口から最上段に位置するスペーサー群が設置された位置までの深さ寸法を、10mm~40mmの範囲内とすることが好ましい。この深さ寸法Bが小さすぎると、スペーサー18によって供給路13aa内の処理ガス5の流れに乱れが生じ、エッチング処理によるガラス基板3の下面の粗化にむらが生じるおそれがある。一方、深さ寸法Bが大きすぎると、供給路13aaにおける処理ガス5の流出口について、そのガラス基板3の搬送方向に沿った開口幅を所望の幅に調節することが困難となる。そのため、流出口から処理空間15への処理ガス5の供給量が過大、或いは、過少となってガラス基板3の下面を所望の表面粗さに粗化できないおそれがある。
 図1に示すように、天板部13bは、単一の板状部材からなると共に、処理領域4へと搬入されたガラス基板3の上面と対向する平坦面を有している。また、天板部13bには、本体部13aと同様にして、処理ガス5による結露の発生を防止するために、天板部13bの加熱が可能な加熱部材13ba(例えば、ヒーター等)が内蔵されている。
 図2に示すように、チャンバー2の側壁部2cに形成された搬入口2aに対し、ガラス基板3の搬送経路の上流側には、処理ガス5がチャンバー2内から外に漏れ出すことを防止するためのシャッター19が設置されている。なお、図示は省略しているが、側壁部2cに形成された搬出口2bに対し、ガラス基板3の搬送経路の下流側についても、上記のシャッター19と同一のシャッター19が設置されている。
 シャッター19は、ガラス基板3の搬送経路を挟んで上方側に配置された第一部材19aと、下方側に配置された第二部材19bとを備えている。両部材19a,19bは、それぞれが図2に実線で示す待機位置と、二点鎖線で示す作動位置との相互間を上下に移動することが可能となっている。
 第一部材19aおよび第二部材19bの双方が待機位置にある場合には、シャッター19が開いた状態となり、両部材19a,19bの相互間を通過させてガラス基板3を搬送することが可能である。一方、第一部材19aおよび第二部材19bの双方が作動位置に移動した場合には、第一部材19aの先端部19aaと第二部材19bの先端部19baとが、両者19aa,19baの相互間に隙間を形成することなく相互に当接し、シャッター19が閉じた状態となる。
 シャッター19が閉じた状態となると、当該シャッター19とチャンバー2の側壁部2cとの間に形成される空間20において、側壁部2cに形成された搬入口2a(搬出口2b)を通じてのみ、ガスが空間20への流入、及び、空間20からの流出が可能な状態となる。これにより、処理ガス5が搬入口2a(搬出口2b)を通じてチャンバー2内から外に漏れ出そうになった場合でも、処理ガス5を空間20内に留めることが可能となっている。
 以下、上記のガラス基板の製造装置1を用いた本発明の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法について説明する。
 まず、ガラス基板の製造装置1を稼働させ、複数のローラー6によるガラス基板3の搬送を開始し、搬入口2aからチャンバー2内へとガラス基板3を搬入する。その後、ガラス基板3を処理領域4へと搬入する。
 ガラス基板3の処理領域4への搬入が完了すると、処理器13に形成された処理空間15内でガラス基板3を搬送しつつ、供給路13aaから処理空間15に供給された処理ガス5をガラス基板3に噴き付けてエッチング処理を施すと共に、回収路13abから処理空間15内の処理ガス5を回収する。
 ガラス基板3へのエッチング処理が完了すると、処理領域4からガラス基板3を搬出する。その後、搬出口2bからチャンバー2外へとガラス基板3を搬出する。以上の工程により、エッチング処理が施されたガラス基板3が得られる。
 ガラス基板の製造装置1の稼働中には、チャンバー2内(空間7内)及びチャンバー2外にそれぞれ設置された両気圧計によってチャンバー2内外の気圧差を測定する。そして、測定された気圧差に基づいて作業者がハンドル12dを操作し、開口幅調節部材8(9)を上下方向に移動させることで、ガラス基板3の搬入口2a、及び搬出口2bの上下方向に沿った開口幅を調節する。
 ここで、例えば、回収路13abによる処理空間15からの処理ガス5の回収が不可避的に停止してしまったような場合には、供給路13aaによる処理空間15への処理ガス5の供給のみが続行される状態となり、チャンバー2内に処理ガス5が充満した後、チャンバー2外に漏れ出してしまう虞が生じる。このような場合には、シャッター19を閉じた状態とすることで、処理ガス5の漏れ出しを防止する。
 なお、このガラス基板の製造方法においてエッチング処理の対象となるガラス基板3のサイズは、図1に示すようなサイズに限定されるものではない。例えば、搬送方向に沿ったガラス基板3の長さが、搬送経路に沿った搬入口2aと処理領域4との相互間距離、及び、処理領域4と搬出口2bとの相互間距離よりも長くなるようなサイズを有するガラス基板3をエッチング処理の対象としてもよい。
 以下、上記のガラス基板の製造方法による主たる作用・効果について説明する。
 上記のガラス基板の製造方法によれば、チャンバー2内外の気圧差に起因して、搬入口2a、搬出口2bを通じてチャンバー2内へと流入する気流10(チャンバー2外へと流出する気流10)が発生した場合でも、気流10によって処理ガス5の流れに乱れが生じることを可及的に回避することが可能となる。すなわち、搬入口2a及び搬出口2bの各々における上下方向に沿った開口幅をチャンバー2内外の気圧差に基づいて調節することにより、チャンバー2内へと流入する気流10(チャンバー2外へと流出する気流10)の流速(流量)を処理ガス5の流れに影響を与えない大きさに制御することができる。その結果、処理ガス5によるガラス基板3へのエッチング処理を確実に実行することが可能となる。
<第二実施形態>
 以下、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法について説明する。なお、この第二実施形態の説明において、上記の第一実施形態で既に説明した要素については、第二実施形態の説明で参照する図面に同一の符号を付すことで重複する説明を省略し、第一実施形態との相違点についてのみ説明する。
 まず、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置について説明する。
 図5及び図6に示すように、本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置1が、上記の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法に用いるガラス基板の製造装置1と相違している点は、チャンバー2及び一対の開口幅調節部材8,9の構成が異なっている点である。
 図5に示すように、チャンバー2には、三つの天井孔2fが形成されると共に、この天井孔2fの各々を塞ぐための板状の蓋体2gが備えられている。なお、蓋体2gの材質は、ポリ塩化ビニルとなっている。蓋体2gは、天井孔2fの開口全体を塞ぐことが可能であると共に、チャンバー2への取り付け、及び、チャンバー2からの取り外しが可能となっている。
 図6に示すように、一対の開口幅調節部材8,9の各々は板状部材で構成されると共に、ボルト8a(9a)を貫通させるための上下方向に長尺な一対の長孔8b(9b)が形成されている。なお、一対の開口幅調節部材8,9及びボルト8a(9a)の材質は、ポリ塩化ビニルとなっている。そして、長孔8b(9b)と当該長孔8b(9b)を貫通したボルト8a(9a)との相対的な位置関係を調節すると共に、当該ボルト8a(9a)をチャンバー2の側壁部2cに形成されたネジ穴(図示省略)に固定し、一対の開口幅調節部材8,9の各々の上下方向における位置を位置決めすることで、搬入口2a及び搬出口2bの上下方向に沿った開口幅を調節することが可能となっている。この一対の開口幅調節部材8,9による搬入口2a及び搬出口2bの開口幅の調節は、チャンバー2から蓋体2gを取り外すことにより、天井孔2fを介して作業者が行うことが可能となっている。
 一対の開口幅調節部材8,9のうち、開口幅調節部材8については、ボルト8aが緩んで開口幅調節部材8が自重により下方へと落下した際においても、当該開口幅調節部材8がガラス基板3の搬入口2a、搬出口2bの通過を阻害しないように調節がなされている。詳述すると、開口幅調節部材8が最も下方に位置した場合、すなわち、図6に示すようにボルト8aが長孔8bの上端に位置した場合でも、開口幅調節部材8の下端部がガラス基板3の搬送経路よりも上方に位置するように、ボルト8aの固定位置(チャンバー2の側壁部2cに形成されたネジ穴の形成位置)と、長孔8bの上下方向に沿った長さとが調節されている。この場合、開口幅調節部材8で搬入口2aや搬出口2bを閉鎖することが出来ないが、前述のシャッター19を更に設けることで、緊急時に処理ガス5がチャンバー2外部へと漏出することを防止することが出来る。
 以下、上記のガラス基板の製造装置1を用いた本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法について説明する。
 第二実施形態に係るガラス基板の製造方法が、上記の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法と相違している点は、ガラス基板3の搬入口2a、及び搬出口2bの上下方向に沿った開口幅を調節する態様が異なっている点である。
 この第二実施形態に係るガラス基板の製造方法では、ガラス基板の製造装置1の稼働中に、チャンバー2内(空間7内)及びチャンバー2外にそれぞれ設置された両気圧計によってチャンバー2内外の気圧差を測定する。そして、測定された気圧差に基づいてガラス基板3の搬入口2a、及び搬出口2bの上下方向に沿った開口幅を調節する場合には、ガラス基板の製造装置1の稼働を一旦停止させた上で、開口幅の調節を行う。すなわち、チャンバー2から蓋体2gを取り外した後、測定された気圧差に基づいて、作業者が天井孔2fを介して一対の開口幅調節部材8,9の各々の上下方向における位置を位置決めする。これにより、ガラス基板3の搬入口2a、及び搬出口2bの上下方向に沿った開口幅が調節される。
 このガラス基板の製造装置1を用いた本発明の第二実施形態に係るガラス基板の製造方法によっても、上記の第一実施形態に係るガラス基板の製造方法と同様の作用・効果を得ることが可能である。
 2     チャンバー
 2a    搬入口
 2aa   上縁
 2ab   下縁
 2b    搬出口
 2ba   上縁
 2bb   下縁
 2d    天井部
 2e    底部
 3     ガラス基板
 5     処理ガス
 8     開口幅調節部材
 9     開口幅調節部材
 12    ボールネジ機構
 12a   板材
 12b   ボールネジ
 12c   回転軸
 12d   ハンドル
 13    処理器

Claims (6)

  1.  搬入口からチャンバー内へと搬入したガラス基板を水平方向に搬送しつつ、前記チャンバー内での前記ガラス基板の搬送経路上に設けた処理領域で処理ガスによりエッチング処理を施した後、処理後の前記ガラス基板を搬出口から前記チャンバー外へと搬出するガラス基板の製造方法であって、
     前記搬入口及び前記搬出口の各々における開口の上縁側と下縁側とでそれぞれ開口幅調節部材を移動させることで、前記搬入口及び前記搬出口の各々における上下方向に沿った開口幅を前記チャンバー内外の気圧差に基づいて調節することを特徴とするガラス基板の製造方法。
  2.  前記ガラス基板の下面に対して前記処理ガスを噴き付けると共に、
     前記搬出口及び前記搬入口の各々について、これらの開口を通過中の前記ガラス基板に対して、前記上縁側に配置される前記開口幅調節部材が、前記下縁側に配置される前記開口幅調節部材よりも離間した状態となるように前記開口幅を調節することを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の製造方法。
  3.  搬送方向に沿った前記ガラス基板の長さが、前記搬送経路に沿った前記搬入口と前記処理領域との相互間距離、及び、前記搬送経路に沿った前記処理領域と前記搬出口との相互間距離よりも長いことを特徴とする請求項2に記載のガラス基板の製造方法。
  4.  前記ガラス基板に対して前記処理ガスを噴き付けることでエッチング処理を施す処理器を、前記チャンバーの天井部との間に隙間が形成されるように前記チャンバーの底部に設置したことを特徴とする請求項2又は3に記載のガラス基板の製造方法。
  5.  前記チャンバー内外を貫通すると共に、前記開口幅調節部材を移動させるための移動機構を設け、
     前記移動機構を介して前記チャンバー外での操作により前記開口幅調節部材を移動させることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
  6.  前記開口幅調節部材として板状部材を用いることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
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