JPWO2011083671A1 - 蛍光体、発光装置およびそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

一般式（Ａ）：ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮe（一般式（Ａ）中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６を満足する数である。）で実質的に表され、平均粒度（ｄ１）（空気透過法）が９〜１６μｍであり、粒度分布でのメディアン径（５０％Ｄ）が１２．５〜３５μｍであり、５０％Ｄ／ｄ１＝１．４〜２．２であり、かつ６００ｎｍにおける吸収率が８．０％以下であるβ型ＳｉＡｌＯＮである、２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体である蛍光体、およびそれを用いた発光装置、ＢＬ光源装置、ならびに液晶表示装置によって、分散性を制御し、透明性を高めたβ型ＳｉＡｌＯＮを用いることにより、高効率で特性の安定した発光装置およびそれを用いた液晶表示装置を提供する。

Description

本発明は、発光装置用として好適な蛍光体およびそれを波長変換部に用いた発光装置、特に特性の安定した発光装置、ならびにそれを用いた液晶表示装置に関する。
半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置は、低消費電力、小型、高輝度、広範囲な色再現性、さらには高演色性が期待される次世代の発光装置として注目され、活発に研究・開発が行われている。発光素子から発せられる一次光は、通常、長波長の紫外線から青色の範囲、すなわち３８０〜４８０ｎｍのものが用いられる。また、この用途に適合した様々な蛍光体を用いた波長変換部も提案されている。
現在、この種の白色の発光装置としては、青色発光の発光素子（ピーク波長：４６０ｎｍ前後）とその青色により励起され黄色発光を示す３価のセリウムで付活された（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12蛍光体あるいは２価のユーロピウムで付活された２（Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ・ＳｉＯ2蛍光体との組み合わせが主として用いられている。しかしながら、これらの発光装置では、色再現性（ＮＴＳＣ比）は７０％前後であり、近年中、小型ＬＣＤにおいてもより色再現性の良好なものが求められている。
さらには、最近この種の発光装置に対して変換効率（明るさ）のみならず、入力のエネルギーをより高くし、さらに明るくしようとする試みがなされている。入力エネルギーを高くした場合、波長変換部を含めた発光装置全体の効率的な放熱が必要となってくる。このために、発光装置全体の構造、材質などの開発も進められているが、動作時における発光素子および波長変換部の温度上昇は避けられないのが現状である。
しかしながら、特に３価のセリウムで付活された（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12蛍光体においては、２５℃での輝度（明るさ）を１００％とした場合に、１００℃での輝度は８５％前後に低下するために、入力エネルギーを高く設定できないという技術課題を有している。したがって、この種の発光装置に対して、用いられる蛍光体の温度特性の改善も急務となっている。
これらの技術課題に対して、ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮeで表されるβ型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体を用いることにより、色再現性（ＮＴＳＣ比）および温度特性の良好な発光装置が得られることが知られている。
しかしながら、β型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体は、基本的には柱状結晶体であり、かつ単純な組成上その結晶構造を維持しようとすると、焼結体（凝集体）が生成しやすい。極端に大きい柱状結晶体（針状結晶体）は結晶成長が不十分であり、良好な特性（明るさ）が得られない。さらには、焼結体（凝集体）は均一な１個の粒子ではないために、粒界での光の吸収などにより、大きさの割には良好な特性（明るさ）が得られない。特に多くの柱状結晶体（針状結晶体）や焼結体（凝集体）が存在すると、発光装置において十分な明るさが得られず、かつ連続点灯時においても明るさの低下および色度の変動が大きくなるという技術課題を有している。
したがって、形状を制御したＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮeで表されるβ型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体、およびそれを用いた特性の安定した発光装置の開発が急務となっている。たとえば特開２００５−２５５８９５号公報（特許文献１）には、β型ＳｉＡｌＯＮに関し、結晶相が、平均粒径５０ｎｍ以上２０μｍ以下の単結晶であるとか、合成した蛍光体粉末の平均粒径を５０ｎｍ以上２０μｍ以下に粒度調整するとかが記載されている。また、平均粒径が２０μｍより大きくなると、照明器具や画像表示装置に適用する際に分散性が悪くなり、色むらが発生するため好ましくない。５０ｎｍより小さくなると粉末が凝集するため操作性が悪くなるとも記載されている。しかしながら、特許文献１においては、分散性（凝集（焼結）の程度）に関する記載はなく、またそれと６００ｎｍにおける吸収率との関係、さらには発光装置の初期特性およびライフ特性に関する記載はない。
特開２００５−２５５８９５号公報
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、分散性を制御し、透明性を高めたβ型ＳｉＡｌＯＮを用いることにより、高効率で特性の安定した発光装置を提供することである。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意調査、検討および開発を行った結果、β型ＳｉＡｌＯＮの化学組成の最適化のみによらず、さらにその粒子の分散性を向上させることによって結晶の透明性が向上し、そのβ型ＳｉＡｌＯＮを用いることにより、初期特性（明るさ）が著しく良好で、かつ良好なライフ特性を有する発光装置が得られることを見出した。すなわち、本発明は以下のとおりである。
本発明の蛍光体は、一般式（Ａ）：ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮe（一般式（Ａ）中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６を満足する数である。）で実質的に表され、平均粒度（ｄ１）（空気透過法）が９〜１６μｍであり、粒度分布でのメディアン径（５０％Ｄ）が１２．５〜３５μｍであり、５０％Ｄ／ｄ１＝１．４〜２．２であり、かつ６００ｎｍにおける吸収率が８．０％以下である、粒界における自己吸収による効率低下を抑えたβ型ＳｉＡｌＯＮである、２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体であることを特徴とする。
本発明の緑色系発光蛍光体は、１０μｍ≦ｄ１≦１３μｍ、５０％Ｄ／ｄ１＝１．６〜２．０かつ６００ｎｍにおける吸収率が７．０％以下であることが、好ましい。
本発明の緑色系発光蛍光体は、一般式（Ａ）中、ｃ≧０．３であることが好ましい。
本発明の緑色系発光蛍光体は、一般式（Ａ）中、０．０１≦ａ≦０．２であることが好ましい。
本発明はまた、ピーク波長が４３０〜４８０ｎｍの一次光を発する窒化ガリウム系半導体である発光素子と、上記一次光の一部を吸収して、一次光の波長よりも長い波長を有する二次光を発する波長変換部とを備えた発光装置であって、波長変換部は、一般式（Ａ）：ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮe（一般式（Ａ）中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６を満足する数である。）で実質的に表され、平均粒度（ｄ１）（空気透過法）が９〜１６μｍであり、粒度分布でのメディアン径（５０％Ｄ）が１２．５〜３５μｍであり、５０％Ｄ／ｄ１＝１．４〜２．２であり、かつ６００ｎｍにおける吸収率が８．０％以下であるβ型ＳｉＡｌＯＮである、２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体を含む発光装置についても提供する。
本発明の発光装置における緑色系発光蛍光体は、１０μｍ≦ｄ１≦１３μｍ、５０％Ｄ／ｄ１＝１．６〜２．０かつ６００ｎｍにおける吸収率が７．０％以下であることが、好ましい。
本発明の発光装置における緑色系発光蛍光体は、一般式（Ａ）中、ｃ≧０．３であることが好ましい。
本発明の発光装置における緑色系発光蛍光体は、一般式（Ａ）中、０．０１≦ａ≦０．２であることが好ましい。
本発明の発光装置の発光色を調整する目的で、波長変換部に赤色系発光蛍光体を併せて用い、その赤色系発光蛍光体としては、一般式（Ｂ）：（ＭＩ1-xＥｕx）ＭＩＩＳｉＮ3（一般式（Ｂ）中、ＭＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素を示し、ＭＩＩはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の３価の金属元素を示し、０．００１≦ｘ≦０．１０を満足する数である。）で実質的に表される２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体を用いることが好ましい。
本発明の発光装置における赤色発光系蛍光体は、一般式（Ｂ）中、ＭＩＩはＡｌ、ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素であることが好ましい。
本発明は、上述した本発明の発光装置を点光源として複数含むバックライト光源装置についても提供する。
本発明はまた、液晶パネルと、液晶パネルの背面に配置された上述した本発明のバックライト光源装置とを備える液晶表示装置についても提供する。
本発明によれば、発光素子からの一次光を効率よく吸収し、高効率かつ優れた色再現性（ＮＴＳＣ比）、さらには良好なライフ特性を有する白色光を得ることができる発光装置、ならびにそれに好適に用いられる蛍光体を提供することができる。
本発明の好ましい一例の発光装置１１を模式的に示す断面図である。 本発明の他の好ましい一例の発光装置２１を模式的に示す断面図である。
本発明の蛍光体は、下記一般式（Ａ）で表されるβ型ＳｉＡｌＯＮ（サイアロン）である２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体である。
一般式（Ａ）：ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮe
上記一般式（Ａ）中、ａの値は、０．００５≦ａ≦０．４であり、ｂ＋ｃ＝１２であり、ｄ＋ｅ＝１６である。上記一般式（Ａ）中、ａの値が０．００５未満であると、十分な明るさが得られないという不具合があり、またａの値が０．４を超えると、濃度消光などにより、明るさが大きく低下するという不具合がある。なお、特性の安定性、母体の均質性から、上記一般式（Ａ）中のａの値は、０．０１≦ａ≦０．２であるのが好ましい。
また、本発明の蛍光体の平均粒度（ｄ１）（空気透過法）は９〜１６μｍである。ｄ１が９μｍ未満では、結晶成長の不十分な柱状結晶体（針状結晶体）や焼結体（凝集体）が多く存在し、十分な明るさが得られない。一方、ｄ１が１６μｍを超えると、粗大な焼結体（凝集体）の存在が多くなり、その大きさの割には、十分な明るさが得られない。特性の安定性、母体の均質性から、１０μｍ≦ｄ１≦１３μｍであるのが好ましい。
さらには、結晶の分散性を表す式５０％Ｄ／ｄ１（すなわち、単一粒子の存在割合を示す指標）では、１．４〜２．２の範囲に限定される。５０％Ｄ／ｄ１は、１．０が理想であるが、５０％Ｄ／ｄ１が１．４未満である場合、粉砕が過度になる傾向にあり、明るさの低下が無視できない。一方、５０％Ｄ／ｄ１が２．２を超えると、焼結体（凝集体）の存在が多くなり、明るさが著しく低下する。特性の安定性、母体の均質性から、１．６≦５０％Ｄ／ｄ１≦２．０であるのが好ましい。
したがって、平均粒度（ｄ１）（空気透過法）および５０％Ｄ／ｄ１の範囲が決まれば、粒度分布でのメディアン径（５０％Ｄ）はそれに伴って決まってくる。すなわち、１２．５〜３５μｍの範囲を有することになる。
上述した、平均粒度（ｄ１）（空気透過法）および５０％Ｄ／ｄ１の範囲を有するβ型ＳｉＡｌＯＮ（サイアロン）である２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体においては、体色が優れ、６００ｎｍでの吸収率は８．０％以下の値を有する。８．０％を超えると、長波長成分（特に、赤色系領域）の吸収が無視できず、白色の明るさが著しく低下する。特性の安定性、母体の均質性の観点から、６００ｎｍでの吸収率は７．０％以下であることが好ましい。
上記式で表されるβ型ＳｉＡｌＯＮ（サイアロン）である２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体としては、具体的には、Ｅｕ0.05Ｓｉ11.50Ａｌ0.50Ｏ0.30Ｎ15.70、Ｅｕ0.10Ｓｉ11.00Ａｌ1.00Ｏ0.40Ｎ15.60、Ｅｕ0.30Ｓｉ9.80Ａｌ2.20Ｏ1.00Ｎ15.00、Ｅｕ0.15Ｓｉ10.00Ａｌ2.00Ｏ0.50Ｎ15.50、Ｅｕ0.01Ｓｉ11.60Ａｌ0.40Ｏ0.20Ｎ15.80、Ｅｕ0.005Ｓｉ11.70Ａｌ0.30Ｏ0.15Ｎ15.85、Ｅｕ0.25Ｓｉ11.65Ａｌ0.35Ｏ0.30Ｎ15.70、Ｅｕ0.40Ｓｉ11.35Ａｌ0.65Ｏ0.35Ｎ15.65、Ｅｕ0.05Ｓｉ11.55Ａｌ0.45Ｏ0.35Ｎ15.65などを挙げることができるが、勿論これらに限定されるものではない。
なお、平均粒度（ｄ１）（空気透過法）は、リーナース法、ブレイン法などにより測定された値を指し、たとえば空気透過式粉体比表面積測定装置（筒井理化学器械（株）製）などを用いて測定することができる。
また、上記メディアン径（５０％Ｄ）は、粒度分布測定装置（ＬＡ−９２０、堀場製作所製）を用いて測定された値を指す。なお、粒度分布測定時には、電解質（ヘキサメタ燐酸ソーダ）を用いたが、超音波による予備分散は行わなかった。
さらには、６００ｎｍの吸収率は、たとえば分光スペクトル測定装置ＭＣＰＤ７０００（大塚電子（株）製）を用いて測定することができる。
本発明の蛍光体は、従来公知の適宜の方法にて作製することができる。ただし、均一に結晶成長させるには、たとえばＡｌ濃度（ｃ）を０．３以上にしたり、酸素濃度を精度よく制御したり、焼成容器中の原材料の密度および嵩を精度よく制御したり、合成時の温度プロファイルを最適化するというような方法が挙げられるが、これに限定されるものではない。
図１は、本発明の好ましい一例の発光装置１１を模式的に示す断面図である。図１に示す例の本発明の発光装置１１に用いられる発光素子１２には、効率の観点から、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体が用いられる。また本発明の発光装置１１における発光素子１２としては、ピーク波長が４３０〜４８０ｎｍの範囲の一次光を発するものが用いられる。
本発明の発光装置１１において、波長変換部１３は、上述した本発明の蛍光体を含有し、発光素子１２から発せられる一次光の一部を吸収して、一次光の波長以上の長さの波長を有する二次光を発し得るものであれば、その媒質１５は特に制限されるものではない。媒質１５としては、たとえばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂などの透明樹脂を用いることができるが、これらに限定されるものではない。具体的には、熱硬化型シリコーン樹脂封止材などが媒質１５として好適に用いられる。また、波長変換部１３は、本発明の効果を阻害しない範囲で、適宜のＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3などの添加剤を含有していても勿論よい。
図２は、本発明の他の好ましい一例の発光装置２１を模式的に示す断面図である。図２に示す例のように、本発明の発光装置２１の波長変換部１３には、上述した本発明の蛍光体１以外の蛍光体１４が含まれていても勿論よい。本発明の蛍光体１以外に波長変換部１３に含まれ得る他の蛍光体１４としては、特に制限されるものではないが、本発明の蛍光体１は、緑色系発光蛍光体により構成されているため、混色により白色光を呈する発光装置を実現し得る観点からは、下記一般式（Ｂ）で表される２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体が好適である。
一般式（Ｂ）：（ＭＩ1-xＥｕx）ＭＩＩＳｉＮ3
上記一般式（Ｂ）中、ＭＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素を示す。また上記一般式（Ｂ）中、ＭＩＩはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の３価の金属元素を示す。中でも、より一層高効率に赤色光を発光することができることから、ＭＩＩはＡｌ、ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素であることが好ましい。また上記一般式（Ｂ）中、ｘの値は、０．００１≦ｘ≦０．１０であり、０．００５≦ｘ≦０．０５であるのが好ましい。ｘの値が０．００１未満であると、十分な明るさが得られない傾向にあり、ｘの値が０．１０を超えると、濃度消光などにより、明るさが大きく低下するという傾向にあるためである。
このような２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体としては、具体的には、（Ｃａ0.99Ｅｕ0.01）ＡｌＳｉＮ3、（Ｃａ0.97Ｍｇ0.02Ｅｕ0.01）（Ａｌ0.99Ｇａ0.01）ＳｉＮ3、（Ｃａ0.98Ｅｕ0.02）ＡｌＳｉＮ3、（Ｃａ0.58Ｓｒ0.40Ｅｕ0.02）（Ａｌ0.98Ｉｎ0.02）ＳｉＮ3、（Ｃａ0.999Ｅｕ0.001）ＡｌＳｉＮ3、（Ｃａ0.895Ｓｒ0.100Ｅｕ0.005）ＡｌＳｉＮ3、（Ｃａ0.79Ｓｒ0.20Ｅｕ0.01）ＡｌＳｉＮ3、（Ｃａ0.98Ｅｕ0.02）（Ａｌ0.95Ｇａ0.05）ＳｉＮ3、（Ｃａ0.20Ｓｒ0.79Ｅｕ0.01）ＡｌＳｉＮ3、（Ｃａ0.58Ｓｒ0.40Ｅｕ0.02）ＡｌＳｉＮ3などを挙げることができるが、勿論これらに限定されるものではない。
なお、上述した２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体を用いる場合、波長変換部１３における本発明の蛍光体との混合比率としては、特に制限されるものではないが、本発明の蛍光体に対し、重量比で１〜３５％の範囲内とすることが好ましく、５〜２５％の範囲内とすることがより好ましい。
本発明の発光装置１１における波長変換部１３は、本発明の効果を阻害しない範囲で、上述した２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体以外の、本発明の蛍光体以外の蛍光体を含んでいても勿論よい。また、このような本発明の蛍光体、上述した２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体以外の蛍光体は、本発明の蛍光体および上述した２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体に加え、さらに波長変換部１３に含まれていてもよい。
本発明の発光装置２１に用いられる発光素子１２には、効率の観点から、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体が用いられる。また本発明の発光装置２１における発光素子１２としては、ピーク波長が４３０〜４８０ｎｍの範囲の一次光を発するものが用いられる。ピーク波長が４３０ｎｍ未満の発光素子を用いた場合には、青色成分の寄与が小さくなり、演色性が悪くなり、実用的でないためであり、また、ピーク波長が４８０ｎｍを超える発光素子を用いた場合には、白色での明るさが低下し、実用的でないためである。効率性の観点からは、本発明の発光装置２１における発光素子１２は、４４０〜４７０ｎｍの範囲の一次光を発するものであることが好ましい。
本発明の発光装置１１，２１は、従来公知の適宜の手法にて製造することができ、その製造方法は特に制限されるものではない。たとえば、媒質１５として熱硬化型のシリコーン樹脂製の封止材を用い、これに本発明の蛍光体１（および必要に応じ本発明の蛍光体以外の蛍光体１４）を混練し、発光素子１２を封止して成形して、製造する場合が例示される。
本発明はまた、上述した本発明の発光装置を点光源として複数含むバックライト光源装置を提供する。本発明はさらに、液晶パネルと、液晶パネルの背面に配置された上述した本発明のバックライト光源装置とを備える液晶表示装置を提供する。本発明の液晶表示装置は、たとえば、発光装置を複数用意し、筐体上にマトリクス状に搭載した直下型バックライト光源装置を配置し、バックライト光源装置上に光学シート、液晶パネルを配置して構成される。また、直下型バックライト光源装置の代わりに、上述した本発明の発光装置を複数用意し、導光板側面に配置し、導光板裏面には反射板が設置され、導光板表面から光を取り出す構成のエッジライト方式のバックライト光源装置に置き換えるようにしてもよい。
以下、実施例および比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜実施例１、比較例１＞
発光素子として、４５０ｎｍにピーク波長を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を用いた。波長変換部には、Ｅｕ0.05Ｓｉ11.55Ａｌ0.45Ｏ0.35Ｎ15.65（β型ＳｉＡｌＯＮ）なる組成を有する緑色系発光蛍光体であり、平均粒度（ｄ１）が１１．３μｍ、メディアン径（５０％Ｄ）が１８．６μｍ、５０％Ｄ／ｄ１＝１．６５、６００ｎｍにおける吸収率が５．９％である特性値を有するものを用いた。なお、この蛍光体は主として、Ａｌ濃度（ｃ）を０．５０に制御することによって、調製されたものである。この蛍光体を、所定の割合にて媒質としての熱硬化型のシリコーン樹脂製の封止材中に分散させて分散し、発光素子を封止して、波長変換部を作製し、実施例１の発光装置を作製した。このようにして作製した実施例１の発光装置について、初期および５０００時間後の明るさを測定した。なお、明るさは順電流（ＩＦ）３０ｍＡにて点灯し、発光装置からの光出力（光電流）を測定した。
一方、Ｅｕ0.05Ｓｉ11.93Ａｌ0.07Ｏ0.10Ｎ15.90（β型ＳｉＡｌＯＮ）なる組成を有する緑色系発光蛍光体であり、平均粒度（ｄ１）が６．５μｍ、メディアン径（５０％Ｄ）が１９．５μｍ、５０％Ｄ／ｄ１＝３．００、６００ｎｍにおける吸収率が１２．０％である特性値を有するものを用いたこと以外は上述と同様にして、比較例１の発光装置を作製し、同様に特性を評価した。
実施例１、比較例１の結果を表１に示す。表１から、実施例１の発光装置は、比較例１の発光装置と比較して、著しく明るくかつ明るさの変動が小さいことが分かる。
Figure 2011083671
＜実施例２、３、比較例２、３＞
表２に示すような種々の平均粒度（ｄ１）、メディアン径（５０％Ｄ）、５０％Ｄ／ｄ１値、６００ｎｍにおける吸収率を有する蛍光体を用いたこと以外は実施例１と同様にして、それぞれ実施例２、３、比較例２、３の発光装置を作製した。実施例１と同様にして測定した特性（明るさ）の結果を表３に示す。表３から、実施例２、３の発光装置は、比較例２、３の発光装置に比し、著しく明るくかつ明るさの変動が小さいことが分かる。
Figure 2011083671
Figure 2011083671
＜実施例４、比較例４＞
発光素子として、４６０ｎｍにピーク波長を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を用いた。波長変換部には、Ｅｕ0.05Ｓｉ11.55Ａｌ0.45Ｏ0.35Ｎ15.65（β型ＳｉＡｌＯＮ）なる組成を有する緑色系発光蛍光体であり、平均粒度（ｄ１）が１１．３μｍ、メディアン径（５０％Ｄ）が１８．６μｍ、５０％Ｄ／ｄ１＝１．６５、６００ｎｍにおける吸収率が５．９％である特性値を有するものと、（Ｃａ0.99Ｅｕ0.01）ＡｌＳｉＮ3（Ｄ５０値：１２．８μｍ）なる組成を有する２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体とを用いた。この蛍光体および赤色系発光蛍光体を、所定の割合にて媒質としての熱硬化型のシリコーン樹脂製の封止材中に分散させて分散し、発光素子を封止して、波長変換部を作製し、実施例４の発光装置を作製した。このようにして作製した実施例４の発光装置について、初期および５０００時間後の明るさおよび色度を測定した。なお、明るさは順電流（ＩＦ）３０ｍＡにて点灯し、発光装置からの光出力（光電流）を測定し、色度はＭＣＰＤ−２０００（大塚電子製）を用い、測定した。
一方、Ｅｕ0.05Ｓｉ11.93Ａｌ0.07Ｏ0.10Ｎ15.90（β型ＳｉＡｌＯＮ）なる組成を有する緑色系発光蛍光体であり、平均粒度（ｄ１）が６．５μｍ、メディアン径（５０％Ｄ）が１９．５μｍ、５０％Ｄ／ｄ１＝３．００、６００ｎｍにおける吸収率が１２．０％である特性値を有するものを用いたことは実施例４と同様にして、比較例４の発光装置を作製した。
これら実施例４、比較例４の発光装置について、実施例１と同様にして特性（明るさおよび色度）の評価を行った。結果を表４に示す。表４から、実施例４の発光装置は、比較例４の発光装置と比較して、著しく明るくかつ明るさおよび色度の変動が小さいことが分かる。
Figure 2011083671
＜実施例５〜９、比較例５〜９＞
表５に示すような種々の平均粒度（ｄ１）、メディアン径（５０％Ｄ）、５０％Ｄ／ｄ１値、６００ｎｍにおける吸収率を有するβ型ＳｉＡｌＯＮ蛍光体を用いたこと以外は実施例４と同様にして、それぞれ実施例５〜９、比較例５〜９の発光装置を作製した。実施例４と同様にして測定した特性（明るさおよび色度）の評価結果を表６に示す。表６から、実施例５〜９の発光装置は、比較例５〜９の発光装置に比し、著しく明るく、かつ明るさおよび色度の変動が小さいことが分かる。
Figure 2011083671
Figure 2011083671
本発明の発光装置は、本発明の蛍光体を含む波長変換部を備えるものである。このような本発明の発光装置は、発光素子からの一次光を効率よく吸収し、高効率かつ優れた色再現性（ＮＴＳＣ比）、さらには良好な温度およびライフ特性の白色光を得ることができる。
以上の実施例１〜９に挙げたいずれかの発光装置を複数用意し、筐体上にマトリックス状に搭載した直下型バックライト発光装置を構成し、バックライト光源装置上に光学シート、液晶パネルを配置して構成された液晶表示装置（ＴＶ）を構成すると色再現性に優れた液晶表示装置が得られた。また、直下型バックライト光源装置の代わりに、実施例１〜９に挙げたいずれかの発光装置を複数用意し、導光板側面に配置し、導光板裏面には反射板を設置され、導光板表面から光を取り出す構成のエッジライト方式のバックライト光源装置に置き換えても構わない。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１ 蛍光体、１１，２１ 発光装置、１２ 発光素子、１３ 波長変換部、１４ 本発明の蛍光体以外の蛍光体、１５ 媒質。

Claims (12)

  1. 一般式（Ａ）：ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮe
    （一般式（Ａ）中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６を満足する数である。）
    で実質的に表され、平均粒度（ｄ１）（空気透過法）が９〜１６μｍであり、粒度分布でのメディアン径（５０％Ｄ）が１２．５〜３５μｍであり、５０％Ｄ／ｄ１＝１．４〜２．２であり、かつ６００ｎｍにおける吸収率が８．０％以下であるβ型ＳｉＡｌＯＮである、２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体。
  2. １０μｍ≦ｄ１≦１３μｍ、５０％Ｄ／ｄ１＝１．６〜２．０かつ６００ｎｍにおける吸収率が７．０％以下である、請求項１に記載の蛍光体。
  3. 一般式（Ａ）中、ｃ≧０．３である、請求項１に記載の蛍光体。
  4. 一般式（Ａ）中、０．０１≦ａ≦０．２である、請求項１に記載の蛍光体。
  5. ピーク波長が４３０〜４８０ｎｍの一次光を発する窒化ガリウム系半導体である発光素子と、前記一次光の一部を吸収して、一次光の波長よりも長い波長を有する二次光を発する波長変換部とを備えた発光装置であって、前記波長変換部は、
    一般式（Ａ）：ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮe
    （一般式（Ａ）中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６を満足する数である。）
    で実質的に表され、平均粒度（ｄ１）（空気透過法）が９〜１６μｍであり、粒度分布でのメディアン径（５０％Ｄ）が１２．５〜３５μｍであり、５０％Ｄ／ｄ１＝１．４〜２．２であり、かつ６００ｎｍにおける吸収率が８．０％以下であるβ型ＳｉＡｌＯＮである、２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体を含む、発光装置。
  6. 蛍光体が、１０μｍ≦ｄ１≦１３μｍ、５０％Ｄ／ｄ１＝１．６〜２．０かつ６００ｎｍにおける吸収率が７．０％以下である、請求項５に記載の発光装置。
  7. 一般式（Ａ）中、ｃ≧０．３である、請求項５に記載の発光装置。
  8. 一般式（Ａ）中、０．０１≦ａ≦０．２である、請求項５に記載の発光装置。
  9. 一般式（Ｂ）：（ＭＩ1-xＥｕx）ＭＩＩＳｉＮ3
    （一般式（Ｂ）中、ＭＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素を示し、ＭＩＩはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の３価の金属元素を示し、０．００１≦ｘ≦０．１０を満足する数である。）
    で実質的に表される２価のユーロピウム付活窒化物赤色系発光蛍光体を波長変換部に含む、請求項５に記載の発光装置。
  10. 一般式（Ｂ）中、ＭＩＩはＡｌ、ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素である、請求項５に記載の発光装置。
  11. 請求項５に記載の発光装置を点光源として複数含むバックライト光源装置。
  12. 液晶パネルと、
    液晶パネルの背面に配置された請求項１１に記載のバックライト光源装置とを備える、液晶表示装置。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
US8237348B2 (en) 2008-03-03 2012-08-07 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP5589002B2 (ja) * 2010-01-08 2014-09-10 シャープ株式会社 蛍光体、発光装置およびそれを用いた液晶表示装置
JP5916413B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-11 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP5916409B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-11 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP5916408B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-11 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
CN103998571B (zh) * 2012-12-14 2016-03-23 电化株式会社 荧光体、其制备方法及发光装置
KR102353443B1 (ko) 2014-12-22 2022-01-21 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
WO2017122800A1 (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 デンカ株式会社 蛍光体および発光装置
CA3072755C (en) 2017-08-18 2024-04-30 Thorlabs, Inc. Broadband light source based on crystalline phosphor
US11781064B2 (en) 2019-04-23 2023-10-10 Denka Company Limited Phosphor powder and light-emitting device

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
JP3609709B2 (ja) 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
JP2005530349A (ja) 2002-06-13 2005-10-06 クリー　インコーポレイテッド 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ
KR100609830B1 (ko) 2003-04-25 2006-08-09 럭스피아 주식회사 녹색 및 적색형광체를 이용하는 백색 반도체 발광장치
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP4517783B2 (ja) 2004-08-31 2010-08-04 日亜化学工業株式会社 希土類硼アルミン酸塩蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP5086641B2 (ja) 2004-09-22 2012-11-28 株式会社東芝 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
JP4934792B2 (ja) * 2005-08-04 2012-05-16 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
WO2007066733A1 (ja) * 2005-12-08 2007-06-14 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP4238269B2 (ja) 2006-02-02 2009-03-18 三菱化学株式会社 複合酸窒化物蛍光体、それを用いた発光装置、画像表示装置、照明装置及び蛍光体含有組成物、並びに、複合酸窒化物
KR20090018085A (ko) 2006-05-10 2009-02-19 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 사이알론 형광체 및 그 제조 방법 및 그것을 이용한 조명기구 및 발광소자
JP2007308593A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Denki Kagaku Kogyo Kk サイアロン蛍光体の製造方法、サイアロン蛍光体、照明器具
JP5151980B2 (ja) 2006-07-05 2013-02-27 宇部興産株式会社 サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法
JP2008120938A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Sharp Corp 蛍光体およびその製造方法、ならびに半導体発光装置および画像表示装置
TWI357927B (en) 2006-11-20 2012-02-11 Denki Kagaku Kogyo Kk Fluorescent substance and manufacturing method the
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
EP2175006B1 (en) 2007-07-09 2013-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Group of phosphor particles, and light-emitting device using the same
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置
JP2009092253A (ja) 2007-10-04 2009-04-30 Masaji Furukawa 二重煙突燃焼器具
CN101821356B (zh) * 2007-10-10 2013-11-06 宇部兴产株式会社 β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末及其制造方法
JP2009167338A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Sharp Corp 波長変換部材およびこれを備える発光装置、ならびに蛍光体
JP5589002B2 (ja) * 2010-01-08 2014-09-10 シャープ株式会社 蛍光体、発光装置およびそれを用いた液晶表示装置
JP4740379B1 (ja) 2010-02-25 2011-08-03 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体、その用途及びβ型サイアロン蛍光体の製造方法

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