JPWO2011058978A1 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

配線基板の製造方法であって、第１導体回路６と、第１導体回路６の高さと異なる高さを有する第１層間接続部７とを一面に有する第１金属回路層４を用意する工程と、第１層間接続部７の先端が露出するように第１金属回路層４の一面を覆う第１絶縁樹脂層８を形成する工程とを含む。

Description

本発明は、電子部品を実装する配線基板の製造方法に関する。

電子機器の小型化に伴い電子機器に内蔵される電子部品及びその電子部品に実装される配線板も小型化の傾向にあり、多くの信号を伝送させるために配線板に構成される配線の微細化が不可欠になっている。

従来、配線を形成するためにフォトリソグラフィ技術を利用してきたが、プリント配線レベルで用いられているフォトリソグラフィでは配線幅が１０μｍ以下の微細化が難しく、より微細な配線幅を形成する方法が求められている。

微細な配線幅を形成する方法の一つとして、配線パターンを形成するための凸型のパターンを有するスタンパー（モールド）を用いて絶縁層に凹型のパターンを転写し、その転写された凹型のパターンに導電材料を充填することにより配線パターンを形成するインプリント法が知られている。

例えば、特許文献１には、スタンパーで樹脂に凹凸パターンを転写し、その転写された凹部に導電材料を充填して導体回路を形成するようにした配線基板の製造方法が開示されている。

具体的には、図２４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、配線パターンに応じた凹凸部を有したスタンパー３０１を成型用金型に取り付けた後、この金型に熱硬化性エポキシ樹脂を注入してトランスファー成型を行うことで、凹部３０３と凸部からなる凹凸パターンを転写した樹脂基板３０２を形成する。

次に、図２４（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように、樹脂基板３０２に電解めっきを行って凹部３０３が銅めっきで充填されるように銅めっき膜３０４を形成した後、その銅めっき膜３０４を樹脂が露出するまで研磨することで配線部３０５を形成している。

また、特許文献２には、導体回路形成用の凸部とビアホール形成用の凸部を有したモールドで樹脂に凹凸パターンを転写し、その転写された凹部に導電材料を充填して導体回路を形成するようにした配線基板の製造方法が開示されている。

具体的には、図２５（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、回路３０６とスルーホール３０７を形成した絶縁基板３０８の両面に層間絶縁層３０９を形成した後、導体回路形成用の凸部３１０とビアホール形成用の凸部３１１を有したモールド３１２を層間絶縁層３０９に押し付けて凹凸パターンを転写させた後、モールド３１２を取り外して導体回路形成用溝３１３とビアホール形成用溝３１４を形成する。

次に、図２５（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように、絶縁基板３０８の両面に形成された導体回路形成用溝３１３及びビアホール形成用溝３１４を充填するように銅めっき膜３１５を形成した後、その銅めっき膜３１５を研磨して導体回路３１６とビアホール形成用溝３１４を埋める層間接続部３１７とを形成している。

特開２００１−３２０１５０号公報 特開２００５−１０８９２４号公報

しかし、特許文献１に記載の方法では、スタンパー３０１の凹凸を樹脂基板３０２に転写した後、スタンパー３０１を樹脂基板３０２から離型する際に、樹脂基板３０２の樹脂がスタンパー３０１に付着するという問題点がある。これにより、樹脂基板３０２に転写されたパターン形状が変形したり、樹脂が付着したスタンパー３０１を用いて、凹凸パターンを別な樹脂基板に転写する際に不具合が生じたりする場合がある。

一方、特許文献２に記載の方法では、モールド３１２の凹凸を層間絶縁層３０９に転写した後、モールド３１２を層間絶縁層３０９から離型する際に、層間絶縁層３０９の樹脂がモールド３１２に付着する問題点がある。これにより、層間絶縁層３０９に転写されたパターン形状が変形したり、且つ樹脂が付着したモールド３１２を用いて、凹凸パターンを別な層間絶縁層に転写する際に不具合が生じたりする場合がある。

上記問題点を鑑み、本発明は、スタンパー（モールド）の凹凸パターンを絶縁樹脂層（層間絶縁層）に転写後、スタンパー（モールド）を絶縁樹脂層から離型する際のスタンパー（モールド）への樹脂の付着に起因する不具合を防止することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、第１導体回路と、第１導体回路の高さと異なる高さを有する第１層間接続部とを一面に有する第１金属回路層を用意する工程と、第１層間接続部の先端が露出するように第１金属回路層の一面を覆う第１絶縁樹脂層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法が提供される。

本発明の他の一態様によれば、第１導体回路と、第１導体回路の高さと異なる高さを有する第１層間接続部とを一面に有する金属回路層を形成する工程と、層間接続部の頂部に半田層を形成する工程と、絶縁樹脂層を用意する工程と、第１導体回路及び半田層が頂部に形成された層間接続部を絶縁樹脂層の一面に圧入し、絶縁樹脂層の他面から半田層を露出させる工程と、絶縁樹脂層の他面に半田層と接する第２導体回路を形成する工程と、半田層を溶解させて層間接続部と第２導体回路との間に合金層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法が提供される。

図１は本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図であり、（Ａ）は金型形成工程、（Ｂ）は金属回路層形成工程、（Ｃ）は金属回路層を金型から取り出す工程、（Ｄ）は金属回路層に液状絶縁樹脂を塗布する工程、（Ｅ）は液状絶縁樹脂を硬化させて金属回路層に絶縁樹脂層を一体化させる絶縁樹脂層一体形成工程、（Ｆ）は金属回路層の研磨工程、（Ｇ）は絶縁樹脂層の他面に第２導体回路を形成する回路形成工程を示す。 図２は金属回路層を示し、（Ａ）はその断面図、（Ｂ）は層間接続部が形成される部位の要部拡大斜視図である。 図３は本発明の第２の実施の形態に係る積層配線基板の製造方法を説明するための図であり、（Ａ）は第２金属回路層の凹凸部に液状絶縁樹脂を塗布する工程、（Ｂ）は第２絶縁樹脂層一体形成工程、（Ｃ）は両面回路基板に半硬化状態の第２絶縁樹脂層一体型の金属回路層を重ね合わせる前工程、（Ｄ）は両面回路基板と第２絶縁樹脂層一体型の金属回路層を積層一体化する積層一体化工程、（Ｅ）は第２金属回路層から粘着シートを剥がす工程、（Ｆ）は第２金属回路層の研磨工程である。 図４は本発明の第３の実施の形態に係る積層配線基板の製造方法の他の例を示す図であり、（Ａ）は液状絶縁樹脂を塗布した両面回路基板に第２金属回路層を重ね合わせる工程、（Ｂ）は両面回路基板と第２金属回路層を積層一体化する積層一体化工程、（Ｃ）は第２金属回路層から粘着シートを剥がす工程、（Ｄ）は第２金属回路層の研磨工程である。 図５は本発明の第４の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図であり、（Ａ）は金型形成工程、（Ｂ）は金属回路層形成工程、（Ｃ）は金属回路層を金型から取り出す工程、（Ｄ）は金属回路層と絶縁樹脂層を一体化する前工程、（Ｅ）は金属回路層と絶縁樹脂層の絶縁樹脂層一体化工程、（Ｆ）は金属回路層の研磨工程、（Ｇ）は絶縁樹脂層の他面に第２導体回路を形成する回路形成工程を示す。 図６は本発明の第５の実施の形態に係る積層配線基板の製造方法を説明するための図であり、（Ａ）は両面回路基板に半硬化状態の第２絶縁樹脂層を重ね合わせる前工程、（Ｂ）は両面回路基板に半硬化状態の第２絶縁樹脂層を重ね合わせる工程、（Ｃ）は両面回路基板に第２金属回路層を一体化する前工程、（Ｄ）は両面回路基板に第２金属回路層を積層する積層工程、（Ｅ）は第２金属回路層から粘着シートを剥がす工程、（Ｆ）は第２金属回路層の研磨工程である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の一例を示す断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図８に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図９に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための斜視図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１０に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１２に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１３に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１４に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１５に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１６に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１７に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１８に引き続く工程断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための図１９に引き続く工程断面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る配線基板の一例を示す断面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。 図２３は微細な導体回路パターンを有した金属回路層を形成するための工程図であり、（Ａ）はシリコンウエハー準備工程、（Ｂ）はレジストによる凹凸パターン形成工程、（Ｃ）はシード層形成工程、（Ｄ）はめっき工程、（Ｅ）はめっき研磨工程、（Ｆ）は金属回路層をシリコンウエハーから取り出す工程を示す。 図２４はスタンパーで樹脂に凹凸パターンを転写し、その転写した凹部に導電材料を充填して導体回路を形成する配線基板の製造工程を示す従来工程図である。 図２５は導体回路形成用の凸部とビアホール形成用の凸部を有したモールドで樹脂に凹凸パターンを転写し、その転写された凹部に導電材料を充填して導体回路を形成するようにした配線基板の製造工程を示す従来工程図である。

次に、図面を参照して、本発明の第１〜第７の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。

また、以下に示す第１〜第７の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

（第１の実施の形態）
図１は第１の実施の形態の配線基板の製造工程を順次示す工程図であり、（Ａ）は金型形成工程、（Ｂ）は金属回路層形成工程、（Ｃ）は金属回路層を金型から取り出す工程、（Ｄ）は金属回路層に液状絶縁樹脂を塗布する工程、（Ｅ）は液状絶縁樹脂を硬化させて金属回路層に絶縁樹脂層を一体化させる絶縁樹脂層一体形成工程、（Ｆ）は金属回路層の研磨工程、（Ｇ）は絶縁樹脂層の他面に第２導体回路を形成する回路形成工程を示す。

配線基板を製造するには、先ず、図１（Ａ）及び（Ｂ）で示す金型形成工程と金属回路層形成工程を行う。初めに、導電性金属材料（めっきや導電性ペースト）と離型し易い材質若しくは表面処理を施した金型１を用意する。金型１には、例えばニッケル電鋳、シリコン、石英等を使用することができる。また、表面処理には、フッ化物等のシランカップリング剤が使用できる。

次に、図１（Ａ）に示すように、金型１の一面１ａに導体回路形成用の凹部（以下、第１の凹部という）２と、この第１の凹部２よりも深さが深い層間接続部形成用の凹部（以下、第２の凹部という）３を形成する。これら凹部２、３は、例えば数十μｍ以下といった微細加工が可能な電子線加工やフェムト秒レーザー加工によって形成することができる。これらの加工技術で凹部２、３を形成すれば、プリント配線基板で使用されるＣＯ_２レーザーやＵＶレーザー加工技術に比較して、第１の凹部２と第２の凹部３の溝加工精度及び形成位置精度を向上させることができる。第１の凹部２は、製造すべき導体回路パターンに応じた凹部とする。第２の凹部３は、最終的に絶縁樹脂層の両面に形成する第１導体回路と第２導体回路を電気的に接続するビアに応じた凹部とする。

次に、図１（Ｂ）に示すように、第１の凹部２及び第２の凹部３に導電性金属材料を充填する。具体的には、金型１の一面１ａに銅やニッケル等をスパッタした後めっきすることによって、第１の凹部２及び第２の凹部３に導電性金属材料を充填する。または、金型１の一面１ａにカーボンやパラジウム等をＤＰＰ処理（ダイレクト・プレーティング・プロセス処理）した後、金や銅やニッケル等をめっきし或いは銅や銀ナノペースト（導電性ペースト）を印刷することで、第１の凹部２及び第２の凹部３に導電性金属材料を充填する。そして、第１の凹部２及び第２の凹部３に充填した導電性金属材料を硬化させる。これにより、図２に示すように、後述する第１導体回路６とビアとなる層間接続部７とが導体連結部１１にて連結された金属回路層４が形成される。

次に、図１（Ｃ）〜（Ｅ）で示す金属回路層４と絶縁樹脂層を一体化させる絶縁樹脂層一体形成工程を行う。粘着シートや吸着シート等の回路層取出し部材５を金属回路層４の凹凸面とは反対側の他面４ａに貼り付けた後、この回路層取出し部材５を引き上げて図１（Ｃ）に示すように金属回路層４を金型１から取り出す。金型１から取り出された金属回路層４は、金型１に形成された凹凸パターンが転写された凹凸形状をなす凹凸面を有し、第１導体回路６とビアとなる層間接続部７とが一体的に形成された回路層となる。第１導体回路６は、層間接続部７よりも高さが低く、層間接続部７とは高さが異なっている。別の見方をすると、層間接続部７は、第１導体回路６よりも高さの高い凸部とされる。

次に、図１（Ｄ）で示すように、金属回路層４の凹凸部が上面となるようにして、この凹凸部を平坦化して埋めるように液状絶縁樹脂８’を塗布する。液状絶縁樹脂８’を塗布するには、金属回路層４上に供給された液状絶縁樹脂８’をスキージＳで凹凸が無くなるよう平らにして表面である一面８ａを平坦化する。液状絶縁樹脂８’には、例えばポリイミドワニスを使用することができる。次に、この液状絶縁樹脂８’を加熱若しくはＵＶ照射して硬化させる。加熱は、オーブンにて温度を３００℃とし加熱時間を１時間として大気加熱した。なお、加熱温度３００℃になるまで加熱するのに３０分かかり、常温まで冷却するのに６０分かかる。

そして、液状絶縁樹脂８’が硬化したら金属回路層４から回路層取出し部材５を取り外す。その結果、図１（Ｅ）に示すように、液状絶縁樹脂８’が硬化した絶縁樹脂層８と金属回路層４とが一体化される。第１導体回路６は、絶縁樹脂層８の他面８ｂから突出しないようになっている。層間接続部７は、絶縁樹脂層８を厚み方向に貫通し、その先端部７ａが一面８ａと同じ高さ（いわゆる面一）となるように露出している。

次に、図１（Ｆ）で示す研磨工程を行う。すなわち、金属回路層４の樹脂塗布側の一面８ａとは反対側の他面８ｂに形成される金属回路層４を樹脂が露出するまで研磨する。研磨は、研磨砥石により金属回路層４を研磨する他、エッチングにより金属回路層４を溶かして研磨するようにする。その結果、連結されていた導体連結部（回路以外の導体部位）１１が除去されて第１導体回路６、及び第１導体回路６と導通し且つ絶縁樹脂層８を貫通して一面８ａにその先端部７ａを露出させる層間接続部７が形成される。

次に、図１（Ｇ）で示す回路形成工程を行う。すなわち、絶縁樹脂層８の一面８ａに、層間接続部７を介して絶縁樹脂層８の他面８ｂに形成された第１導体回路６と導通する第２導体回路９を形成する。第２導体回路９を形成するには、層間接続部７に第２導体回路９を連結するように位置合わせしてフォトリソグラフィまたは印刷等によって配線パターンを形成する。例えば、セミアディティブ工法では、絶縁樹脂層８の下面にシード層を形成した後にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストをパターニングし、電解銅めっきを施した後、レジスト及びシード層を除去することにより、第２導体回路９を形成する。又は、印刷版を用いて絶縁樹脂層８の下面に導電性ペーストを印刷・焼結することにより第２導体回路９を形成しても良い。本発明の第１の実施の形態では、セミアディティブ工法により、配線幅を１０μｍとし且つ配線間スペースを１０μｍとし更にランド径を８０μｍとして配線パターンを形成した。このように形成することで、第１導体回路６は層間接続部７を介して第２導体回路９と接続された両面回路基板１０が得られる。そして、この両面回路基板１０の表面には、必要に応じてソルダーレジストやカバーレイが設けられる。

なお、図１（Ｆ）に示した研磨工程は、図１（Ｂ）の金型１に形成した凹部２、３への導電性金属材料の充填工程で、充填条件を最適化して導体連結部１１である余剰部位が無いようにできれば省略することができる。

第１の実施の形態では、金型１に形成した第１の凹部２と第２の凹部３に導電性金属材料を充填して硬化させることで金属回路層４を形成し、その金属回路層４の凹凸部を埋めるように液状絶縁樹脂８’を塗布し硬化させて絶縁樹脂層８を金属回路層４に一体化する。そのため、この金属回路層４自体が、第１導体回路６と、絶縁樹脂層８の両面に形成される第１導体回路６と第２導体回路９を電気的に接続するビアとしての層間接続部７となる。したがって、従来のようにスタンパー（モールド）で絶縁樹脂に凹凸パターンを転写した後にめっき等をして導体回路及び層間接続部を形成する必要が無くなり、スタンパー（モールド）製造工程を無くすことができる。この結果、スタンパー（モールド）を絶縁樹脂層から離型する際にスタンパー（モールド）に樹脂が付着することがなく、スタンパー（モールド）に樹脂が付着することに起因する不具合を防止することができる。さらに、絶縁樹脂層に転写された凹部に導電材料を充填するためのめっき工程も不要となり、製造工程の大幅な簡略化とそれに伴う低コスト化を実現することができる。

また、第１の実施の形態によれば、第１導体回路６と層間接続部７を同一工程で同時に一括して形成することができるため、第１導体回路６と層間接続部７を別々に形成する従来方法に比べて、第１導体回路６と層間接続部７の位置精度を向上させることができる。

また、第１の実施の形態によれば、金属回路層４の凹凸部を埋めるように液状絶縁樹脂８’を塗布し硬化させることで金属回路層４と一体化した絶縁樹脂層８を形成しているので、この液状絶縁樹脂８’の塗布によって金属回路層４に形成される凹凸部（第１導体回路６と層間接続部７）の破損を回避することができる。つまり、液状絶縁樹脂８’の塗布によっては、金属回路層４の凹凸部に大きな負荷が掛からず、その凹凸部の破損を防ぐことができる。

また、第１の実施の形態によれば、金型１に形成した第１の凹部２と第２の凹部３に充填する導電性金属材料として導電性ペーストを用いることで、工数を増やすことなく簡単に金属回路層４を形成することができる。

（第２の実施の形態）
図３は第２の実施の形態の積層配線基板の製造方法を説明するための図であり、（Ａ）は第２金属回路層の凹凸部に液状絶縁樹脂を塗布する工程、（Ｂ）は第２絶縁樹脂層一体形成工程、（Ｃ）は両面回路基板に半硬化状態の第２絶縁樹脂層一体型の金属回路層を重ね合わせる前工程、（Ｄ）は両面回路基板と第２絶縁樹脂層一体型の金属回路層を積層一体化する積層一体化工程、（Ｅ）は第２金属回路層から粘着シートを剥がす工程、（Ｆ）は第２金属回路層の研磨工程である。

第２の実施の形態は、第１の実施の形態で製造された両面回路基板１０に更に別の回路を積層して積層配線基板を製造する例である。両面回路基板１０を形成するまでの工程は、第１の実施の形態と同じ工程で製造する。ここでは、第１の実施の形態の金属回路層形成工程を第１金属回路層形成工程と称すると共に金属回路層４を第１金属回路層４と称する。また、第１の実施の形態の絶縁樹脂層一体形成工程を第１絶縁樹脂層一体形成工程と称すると共に絶縁樹脂層を第１絶縁樹脂層と称する。また、第１の実施の形態の研磨工程を第１研磨工程と称すると共に層間接続部７を第１層間接続部７と称する。

先ず、第１の実施の形態の各製造工程（第１金属回路層形成工程、第１絶縁樹脂層一体形成工程、第１研磨工程及び両面回路基板形成工程）を行って第１絶縁樹脂層８の各面に第１導体回路６と第２導体回路９を有し、第１絶縁樹脂層８を貫通して第１導体回路６と第２導体回路９を電気的に接続する第１層間接続部７とを有した両面回路基板１０を用意する。

次に、第２金属回路層を形成する第２金属回路層形成工程を行う。すなわち、第１の実施の形態で第１金属回路層４を形成した金属回路層形成工程と同一工程を行う。具体的には、金型の一面に導体回路形成用の凹部とこの凹部よりも深さが深い層間接続部形成用の凹部とを形成し、それら両凹部に導電性金属材料を充填して硬化させることで第２金属回路層を形成する。ここでは、第２金属回路層は、第１の実施の形態で作製した第１金属回路層４と同一形状であるので、図１（Ａ）と同じ金型１を使用する。第１金属回路層４と異なる形状の第２金属回路層を作製する場合は、図１（Ａ）とは異なる金型を用意する。

次に、第２金属回路層を粘着シート等の回路層取出し部材で貼り付けて金型から取り出す。図３（Ａ）には、回路層取出し部材１９が貼り付けられた第２金属回路層２０を示す。第２金属回路層２０には、第３導体回路２１とビアとなる第２層間接続部２２とが一体的に形成されている。第２層間接続部２２の方が第３導体回路２１よりもその高さが高くなっている。

次に、第２絶縁樹脂層一体形成工程を行う。すなわち、図３（Ａ）に示すように、第２金属回路層２０の凹凸部が上面となるようにして、この凹凸部を平坦化して埋めるように液状絶縁樹脂２３’を塗布する。液状絶縁樹脂２３’を塗布するには、第２金属回路層２０上に供給された液状絶縁樹脂２３’をスキージＳで凹凸が無くなるよう平らにして表面である一面２３ａを平坦化する。液状絶縁樹脂２３’の平坦化後の状態を図３（Ｂ）に示す。平坦化された液状絶縁樹脂２３’は、半硬化状態の第２絶縁樹脂層２３となる。ここで使用する液状絶縁樹脂２３’には、第１の実施の形態で使用したポリイミドワニスを使用することができる。なお、平坦化された液状絶縁樹脂２３’は、必要に応じて加熱して硬化度合いを進めることで半硬化状態の第２絶縁樹脂層２３としてもよい。

次に、両面回路基板１０と第２絶縁樹脂層一体型の第２金属回路層２０を積層一体化する積層一体化工程を行う。すなわち、図３（Ｃ）に示すように、両面回路基板１０の第１導体回路６が形成される面に、半硬化状態の第２絶縁樹脂層２３の一面２３ａを重ね合わせ面としてこれら両面回路基板１０と第２金属回路層２０とを位置合わせする。位置合わせには、画像認識やピンアライメント等によって行う。

そして、図３（Ｄ）に示すように、金型２４、２５に取り付けた両面回路基板１０と第２絶縁樹脂層一体型の第２金属回路層２０を加熱して加圧し、半硬化状態の第２絶縁樹脂層２３を硬化させて両者を積層一体化する。その結果、第２層間接続部２２が第１導体回路６のランドに接触し、第１層間接続部７及び第２層間接続部２２を介して第２導体回路９と第３導体回路２１とが電気的に接続される。

次に、回路層取出し部材１９を第２金属回路層２０から取り外す。回路層取出し部材１９を取り外した状態を図３（Ｅ）に示す。図３（Ｅ）では、第２金属回路層２０が上向きとなるように上下反転させた状態としている。次いで、第２金属回路層２０を研磨する第２研磨工程を行う。第２研磨工程では、第１の実施の形態の第１研磨工程と同様、研磨砥石或いはエッチングにより第２金属回路層２０を研磨して樹脂が露出するまで研磨を行う。その結果、図３（Ｆ）に示すように、連結されていた導体連結部１１（回路以外の導体部位）が除去されて第３導体回路２１と、第３導体回路２１と導通し且つ第２絶縁樹脂層２３を貫通して第１導体回路６に電気的に接続する第２層間接続部２２が形成される。

このようにして製造された積層配線基板は、第１導体回路６と第２導体回路９がビアである第１層間接続部７で電気的に接続されると共に、第１導体回路６と第３導体回路２１が同じくビアである第２層間接続部２２で電気的に接続される。

第２の実施の形態では、金型で第１導体回路６と第１層間接続部７とを同時に一括して形成する工程を使用して形成した両面回路基板１０に対して、第２金属回路層２０の凹凸部を埋めるように液状絶縁樹脂２３’を塗布して半硬化させた半硬化状態の第２絶縁樹脂層２３を重ね合わせた後、加圧し加熱して一体化することで、複雑な工程を行うことなく導体回路を多層化することができる。また、第２の実施の形態の製造方法によれば、４層以上の導体回路を積層形成することが可能となる。

また、第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様、金属回路層自体が導体回路及びビアとしての層間接続部を構成するため、従来のようにスタンパー（モールド）で絶縁樹脂に凹凸パターンを転写後めっき等して導体回路及び層間接続部を形成する必要が無くなり、スタンパー（モールド）製造工程を無くすことができる。この結果、スタンパー（モールド）を絶縁樹脂層から離型する際にスタンパー（モールド）に樹脂が付着することがなく、スタンパー（モールド）に樹脂が付着することに起因する不具合を防止することができる。さらに、スタンパー（モールド）の凹凸パターンが転写された絶縁樹脂層の凹部を充填するためのめっき工程も不要となり、製造工程の大幅な簡略化とそれに伴う低コスト化を実現することができる。

また、第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様、第１導体回路６及び第１層間接続部７、第３導体回路２１及び第２層間接続部２２を同時に一括して形成することができる。そのため、第１導体回路６と第１層間接続部７、第３導体回路２１と第２層間接続部２２を別々に形成する従来方法に比べて、第１導体回路６と第１層間接続部７及び第３導体回路２１と第２層間接続部２２の位置精度を向上させることができる。

（第３の実施の形態）
図４は第３の実施の形態の積層配線基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は液状絶縁樹脂を塗布した両面回路基板に第２金属回路層を重ね合わせる工程、（Ｂ）は両面回路基板と第２金属回路層を積層一体化する積層一体化工程、（Ｃ）は第２金属回路層から粘着シートを剥がす工程、（Ｄ）は第２金属回路層の研磨工程である。

第３の実施の形態は、第２の実施の形態の図３（Ａ）〜（Ｃ）で行った液状絶縁樹脂２３’を第２金属回路層２０に塗布した後、両面回路基板１０を積層一体化させる工程の代わりに、図４（Ａ）に示すように、両面回路基板１０のうち第１導体回路６が形成された面に、液状絶縁樹脂２３’を塗布した後、この液状絶縁樹脂２３’を塗布した両面回路基板１０に第２金属回路層２０を対向配置する。

次に、図４（Ｂ）に示すように、金型２４、２５に取り付けた両面回路基板１０と第２金属回路層２０を、液状絶縁樹脂２３’を介して重ね合わせて加熱して加圧することで、液状絶縁樹脂２３’を硬化させて両者を積層一体化する。次に、図４（Ｃ）に示すように、積層一体化させた積層配線基板から粘着シートである回路層取出し部材１９を取り外す。そして、第２金属回路層２０を樹脂が露出するまで研磨する。その結果、図４（Ｄ）に示すように、連結されていた導体接続部１１（回路以外の導体部位）が除去されて第３導体回路２１と、第３導体回路２１と導通し且つ液状絶縁樹脂２３’が硬化した第２絶縁樹脂層２３を貫通して第１導体回路６のランドと電気的に接続する第２層間接続部２２が形成される。

（第４の実施の形態）
図５は第４の実施の形態を示し、本発明を適用した配線基板の製造工程を順次示す工程図である。配線基板を製造するには、先ず図５（Ａ）及び（Ｂ）で示す金型形成工程と金属回路層形成工程を行う。初めに、導電性金属材料（めっきや導電性ペースト）と離型し易い材質若しくは表面処理を施した金型１を用意する。金型１には、例えばニッケル電鋳、シリコン、石英等を使用することができる。また、表面処理には、フッ化物等のシランカップリング剤が使用できる。

次に、図５（Ａ）に示すように、金型１の一面１ａに導体回路形成用の凹部（以下、第１の凹部という）２と、この第１の凹部２よりも深さが深い層間接続部形成用の凹部（以下、第２の凹部という）３を形成する。これら凹部２、３は、例えば電子線加工やフェムト秒レーザー加工等の微細加工によって形成することができる。これらの加工技術で凹部２、３を形成すれば、プリント配線基板で使用されるＣＯ_２レーザーやＵＶレーザー加工技術に比較して、第１の凹部２と第２の凹部３の溝加工精度及び形成位置精度を向上させることができる。第１の凹部２は、製造すべき導体回路パターンに応じた凹部とする。第２の凹部３は、最終的に絶縁樹脂層の両面に形成する第１導体回路と第２導体回路を電気的に接続するビアに応じた凹部とする。

次に、図５（Ｂ）に示すように、第１の凹部２及び第２の凹部３に導電性金属材料を充填する。具体的には、金型１の一面１ａに銅やニッケル等をスパッタした後めっきすることによって、第１の凹部２及び第２の凹部３に導電性金属材料を充填する。または、金型１の一面１ａにカーボンやパラジウム等をＤＰＰ処理（ダイレクト・プレーティング・プロセス処理）した後、金や銅やニッケル等をめっきし或いは銅や銀ナノペースト（導電性ペースト）を印刷することで、第１の凹部２及び第２の凹部３に導電性金属材料を充填する。そして、第１の凹部２及び第２の凹部３に充填した導電性金属材料を硬化させる。これにより、図２に示した第１導体回路６とビアとなる層間接続部７とが導体連結部１１にて連結された金属回路層４が形成される。

次に、図５（Ｃ）〜（Ｅ）で示す金属回路層４に絶縁樹脂層を一体化する絶縁樹脂層一体化工程を行う。粘着シートや吸着シート等の回路層取出し部材５を金属回路層４の凹凸面とは反対側の他面４ａに貼り付けた後、この回路層取出し部材５を引き上げて図５（Ｃ）に示すように金属回路層４を金型１から取り出す。金型１から取り出された金属回路層４は、金型１に形成された凹凸パターンが転写された凹凸形状をなす凹凸面を有し、第１導体回路６と層間接続部７とが同時に一体的に形成される形となる。層間接続部７は、第１導体回路６よりも高さの高い凸部とされる。

次に、図５（Ｄ）で示す絶縁樹脂層８を用意し、金属回路層４の凹凸面に絶縁樹脂層８を対向配置させる。絶縁樹脂層８には、例えば液晶ポリマーフィルム（熱可塑性樹脂）を使用することができる。熱可塑性樹脂ではなく、熱硬化性樹脂を絶縁樹脂層８として使用する場合は、半硬化性の熱硬化性樹脂を用いる。本発明の第４の実施の形態では、絶縁樹脂層８に液晶ポリマーフィルムを使用した。そして、金属回路層４の凹凸面に絶縁樹脂層８を重ね合わせて加圧すると共に加熱する。加圧及び加熱条件は、金属回路層４と絶縁樹脂層８を温度２７０℃で加圧力１０ＭＰａにて１０分間加圧すると共に加熱した。なお、加熱温度２７０℃になるまで３０分かかり、常温まで冷却するのに６０分かかる。

その結果、金属回路層４は、図５（Ｅ）に示すように絶縁樹脂層８に食い込むようにして絶縁樹脂層８と一体化される。この時、第１導体回路６は、絶縁樹脂層８の一面８ａに埋め込まれる。層間接続部７は、絶縁樹脂層８を貫通し、その先端７ａを他面８ｂと同じ高さ（いわゆる面一）となるように露出する。金属回路層４と絶縁樹脂層８を一体化させた後は、金属回路層４から回路層取出し部材５を取り外す。

次に、図５（Ｆ）で示す研磨工程を行う。すなわち、絶縁樹脂層８の重ね合わせ側の一面８ａに重ね合わされた金属回路層４を絶縁樹脂層８の樹脂が露出するまで研磨する。研磨は、研磨砥石により金属回路層４を研磨する他、エッチングにより金属回路層４を溶かして研磨するようにする。その結果、連結されていた導体連結部（回路以外の導体部位）１１が除去されて第１導体回路６、及び第１導体回路６と導通し且つ絶縁樹脂層８を貫通して他面８ｂにその先端７ａを露出させる層間接続部７が形成される。

次に、図５（Ｇ）で示す回路形成工程を行う。すなわち、研磨されて露出した絶縁樹脂層８の他面８ｂに、層間接続部７を介して絶縁樹脂層８の一面８ａに形成された第１導体回路６と導通する第２導体回路９を形成する。第２導体回路９を形成するには、層間接続部７に第２導体回路９を連結するように位置合わせしてフォトリソグラフィまたは印刷等によって配線パターンを形成する。本発明の第４の実施の形態では、セミアディティブ工法により、配線を１０μｍとし配線間スペースを１０μｍとしてランド径を８０μｍとして配線パターンを形成した。このように形成することで、第１導体回路６は層間接続部７を介して第２導体回路９と接続された両面回路基板１０が得られる。そして、この両面回路基板１０の表面には、必要に応じてソルダーレジストやカバーレイが設けられる。

なお、図５（Ｆ）で示した研磨工程は、図５（Ｂ）の導電性金属材料の充填工程で充填条件を最適化して導体連結部１１である余剰部位が無いようにできれば省略することができる。

第４の実施の形態では、金型１に形成した第１の凹部２と第２の凹部３に導電性金属材料を充填して硬化させることで金属回路層４を形成し、その金属回路層４の凹凸面に絶縁樹脂層８を重ね合わせて加圧すると共に加熱して金属回路層４に絶縁樹脂層８を一体化する。そのため、この金属回路層４自体が第１導体回路６と、絶縁樹脂層８の両面に形成される第１導体回路６と第２導体回路９を電気的に接続するビアとしての層間接続部７となる。したがって、従来のようにスタンパー（モールド）で絶縁樹脂に凹凸パターンを転写後めっき等して導体回路及び層間接続部を形成する必要が無くなり、スタンパー（モールド）製造工程を無くすことができる。この結果、スタンパー（モールド）を絶縁樹脂層から離型する際にスタンパー（モールド）に樹脂が付着することがなく、スタンパー（モールド）に樹脂が付着することに起因する不具合を防止することができる。さらに、スタンパー（モールド）の凹凸パターンが転写された絶縁樹脂層の凹部を導電材料で充填するためのめっき工程も不要となり、製造工程の大幅な簡略化とそれに伴う低コスト化を実現することができる。

また、第４の実施の形態によれば、第１導体回路６と層間接続部７を同時に一括して形成することができるため、第１導体回路６と層間接続部７を別々に形成する従来方法に比べて、第１導体回路６と層間接続部７の位置精度を向上させることができる。

また、第４の実施の形態によれば、金型１に形成した第１の凹部２と第２の凹部３に充填する導電性金属材料として導電性ペーストを用いることで、工数を増やすことなく簡単に金属回路層４を形成することができる。

第４の実施の形態の製造方法により製造された配線基板は、絶縁樹脂層８の一面８ａに第１導体回路６が形成されると共に第１導体回路６と接続されるビアとなる層間接続部７が絶縁樹脂層８を貫通してその先端を他面８ｂに露出させた構造とされる。そして、この配線基板においては、図５（Ｇ）で示すように、第１導体回路６と層間接続部７とが同一の導電性金属材料から同時に形成されるため、それら第１導体回路６と層間接続部７の間に界面が存在しない。従来の製造方法で得られた配線基板では、導体回路と層間接続部は別工程で形成されるため、これらの間には必ず界面が存在する。

第１導体回路６と層間接続部７の間に界面が存在しない場合は、これらの間の強度が高くなり、界面での電気的損失を低減させることができ電気通信状態が向上する。これに対して、第１導体回路６と層間接続部７間に界面が存在する場合は、配線基板に外力が作用した時に強度が弱く、電気通信状態が低下するおそれがある。

また、第４の実施の形態の製造方法により製造された配線基板は、絶縁樹脂層８の一面８ａに形成された第１導体回路６と一面８ａとが同じ高さ（面一）であり、且つ、絶縁樹脂層８の他面８ｂに露出させた層間接続部７の先端７ａと他面８ｂとが同じ高さ（面一）となる。このように、絶縁樹脂層８の両面８ａ、８ｂから第１導体回路６と層間接続部７が飛び出さないので、配線基板を薄型化することができる。

（第５の実施の形態）
第５の実施の形態は、第４の実施の形態で製造された両面回路基板１０に更に別の回路を積層して積層配線基板を製造する例である。両面回路基板１０を形成するまでの工程は、第４の実施の形態と同じ工程で製造する。ここでは、第４の実施の形態の金属回路層形成工程を第１金属回路層形成工程と称すると共に金属回路層４を第１金属回路層４と称する。また、第４の実施の形態の絶縁樹脂層一体化工程を第１絶縁樹脂層一体化工程と称すると共に絶縁樹脂層を第１絶縁樹脂層と称する。さらに、第４の実施の形態の研磨工程を第１研磨工程と称すると共に層間接続部７を第１層間接続部７と称する。

先ず、第４の実施の形態の各製造工程（第１金属回路層形成工程、第１絶縁樹脂層一体化工程、第１研磨工程及び両面回路基板形成工程）を行って第１絶縁樹脂層８の各面に第１導体回路６と第２導体回路９を有し、第１絶縁樹脂層８を貫通して第１導体回路６と第２導体回路９を電気的に接続する第１層間接続部７とを有した両面回路基板１０を用意する。

次に、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、両面回路基板１０の第１導体回路６が形成される面８ａに半硬化状態の第２絶縁樹脂層１９’を重ね合わせる。半硬化状態の第２絶縁樹脂層１９’には、例えばエポキシ系の半硬化樹脂フィルムを使用する。次に、第４の実施の形態の第１金属回路層形成工程と同一工程である第２金属回路層形成工程を行って第２金属回路層２０を形成する。第５の実施の形態では、第４の実施の形態で形成した金属回路層４と同一形状の第２金属回路層２０とするので、図５（Ａ）で使用した金型１を使用する。なお、金型１は、別の金型を使用してもよい。第２金属回路層２０には、図６（Ｃ）に示すように、第４の実施の形態で形成した第１導体回路６に相当する第３導体回路２１と、第１層間接続部７に相当する第２層間接続部２２とが同時に一括して形成されている。また、第２金属回路層２０には、金型から第２金属回路層２０を取り出すための粘着シートや吸着シート等からなる回路層取出し部材２３が凹凸面とは反対側の他面２０ａに貼り付けられている。

次に、図６（Ｄ）に示すように、第２金属回路層２０の凹凸面に半硬化状態の第２絶縁樹脂層１９’を重ね合わせて第２金属回路層２０と両面回路基板１０とを加圧すると共に加熱して、硬化した第２絶縁樹脂層１９とし、これら第２金属回路層２０と両面回路基板１０を一体化する。第２金属回路層２０と両面回路基板１０とを加圧する際には、第２層間接続部２２が第１導体回路６に形成されているランドと接続できるように、これら第２金属回路層２０と両面回路基板１０を、それぞれ第２金属回路層２０と両面回路基板１０に形成された指標を合致させる画像認識やピンアライメント等によって位置合わせしておく。

第２金属回路層２０と両面回路基板１０を加圧すると、第２金属回路層２０の凹凸部が半硬化状態の第２絶縁樹脂層１９’に食い込み、第３導体回路２１が第２絶縁樹脂層１９’に埋め込まれると共に第２層間接続部２２が第２絶縁樹脂層１９’を貫通してその先端が第１導体回路６のランドと接触する。その結果、第３導体回路２１は、第２層間接続部２２と第１層間接続部７を介して第２導体回路９と電気的に接続される。そして、第２金属回路層２０と両面回路基板１０は、加熱して硬化された第２絶縁樹脂層１９により一体化される。

次に、図６（Ｅ）に示すように、回路層取出し部材２３を第２金属回路層２０から取り外す。次いで、第２金属回路層２０を研磨する第２研磨工程を行う。第２研磨工程では、第４の実施の形態の第１研磨工程と同様、研磨砥石或いはエッチングにより第２金属回路層２０を研磨して樹脂が露出するまで研磨を行う。その結果、図６（Ｆ）に示すように、連結されていた導体連結部１１（回路以外の導体部位）が除去されて第３導体回路２１、及び第３導体回路２１と導通し且つ第２絶縁樹脂層１９を貫通して第１導体回路６のランドと電気的に接続する第２層間接続部２２が形成される。

このようにして製造された積層配線基板は、第１導体回路６と第２導体回路９がビアである第１層間接続部７を介して電気的に接続されると共に、第１導体回路６と第３導体回路２１が同じくビアである第２層間接続部２２を介して電気的に接続されている。

第５の実施の形態では、金型で第１導体回路６と第１層間接続部７とを同時に一括して形成する工程を使用して形成した両面回路基板１０の一面に半硬化状態の第２絶縁樹脂層１９’を重ね合わせた後に、さらに別の第３導体回路２１と第２層間接続部２２を同時に一括して形成した第２金属回路層２０を第２絶縁樹脂層１９’に加圧し加熱して一体化することで、複雑な工程を行うことなく導体回路を多層化することができる。また、第５の実施の形態の製造方法によれば、４層以上の導体回路を積層形成することが可能となる。

また、第５の実施の形態では、第４の実施の形態と同様、金属回路層自体が導体回路及びビアとしての層間接続部を構成するため、従来のようにスタンパー（モールド）で絶縁樹脂に凹凸パターンを転写後めっき等して導体回路及び層間接続部を形成する必要が無くなり、スタンパー（モールド）製造工程を無くすことができる。この結果、スタンパー（モールド）を絶縁樹脂層から離型する際にスタンパー（モールド）等に樹脂が付着することがなく、スタンパー（モールド）に樹脂が付着することに起因する不具合を防止することができる。さらに、スタンパー（モールド）の凹凸パターンが転写された絶縁樹脂層の凹部を導電材料で充填するためのめっき工程も不要となり、製造工程の大幅な簡略化とそれに伴う低コスト化を実現することができる。

また、第５の実施の形態では、第４の実施の形態と同様、第１導体回路６及び第１層間接続部７、第３導体回路２１及び第２層間接続部２２を同時に一括して形成することができる。そのため、第１導体回路６と第１層間接続部７及び第３導体回路２１と第２層間接続部２２を別々に形成する従来方法に比べて、第１導体回路６と第１層間接続部７及び第３導体回路２１と第２層間接続部２２の位置精度を向上させることができる。

（第６の実施の形態）
本発明の第６の実施の形態に係る配線基板は、図７に示すように、第１の基板１０１と、第１の基板１０１の上面に積層された第２の基板１０２を備える多層基板である。

第１の基板１０１は、第１絶縁樹脂層１０６と、第１絶縁樹脂層１０６の上部に埋設した第１導体回路１１３〜１１９と、第１絶縁樹脂層１０６の下面に配置された第２導体回路１２１，１２２と、第１導体回路１１４，１１８と第２導体回路１２１，１２２とを接続する第１層間接続部１１１，１１２とを備える。第１導体回路１１４，１１８と第１層間接続部１１１，１１２との間に界面はなく、第１導体回路１１４，１１８及び第１層間接続部１１１，１１２は一体として形成されている。

第２の基板１０２は、第１絶縁樹脂層１０６上に積層された第２絶縁樹脂層１０７と、第２絶縁樹脂層１０７の上部に埋設した第３導体回路１３３〜１３９と、第３導体回路１３４，１３８に接続した第２層間接続部１３１，１３２とを備える。第３導体回路１３４，１３８と第２層間接続部１３１，１３２との間に界面はなく、第３導体回路１３４，１３８及び第２層間接続部１３１，１３２は一体として形成されている。

第１及び第２絶縁樹脂層１０６，１０７の材料としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂が使用可能である。第１導体回路１１３〜１１９、第２導体回路１２１，１２２、第３導体回路１３３〜１３９、第１層間接続部１１１，１１２及び第２層間接続部１３１，１３２の材料としては、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等が使用可能である。

本発明の第６の実施の形態では、第２層間接続部１３１，１３２と第１導体回路１１４，１１８との間に合金層１５１，１５２が形成されている。合金層１５１，１５２は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び錫（Ｓｎ）等を含む半田層が溶解して第２層間接続部１３１，１３２の材料及び第１導体回路１１４，１１８の材料との合金で形成されており、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び錫（Ｓｎ）等を含む。

本発明の第６の実施の形態に係る配線基板によれば、第２層間接続部１３１，１３２と第１導体回路１１４，１１８との間に合金層１５１，１５２を設けたことにより、第２層間接続部１３１，１３２と第１導体回路１１４，１１８との界面にクラックが発生するのを抑制でき、信号の損失を低減することができる。したがって、第２層間接続部１３１，１３２と第１導体回路１１４，１１８との間の接続信頼性を向上することができる。

次に、本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法の一例を、図８〜図２０を用いて説明する。

（イ）まず、図７に示した第１の基板１０１を図８〜図１６に示す工程により作製する。図８に示すように、導電材料と離型し易い材質又は表面処理が施された金型１０４を用意する。金型１０４は、基体１４０と、基体１４０の上部に設けられた凹部１４３〜１４９と、凹部１４３〜１４９に連通した穴１４１，１４２とを備える。金型１０４は種々の方法で作製可能であるが、特に微細なサイズが要求される場合には、シード層が形成されたシリコン（Ｓｉ）基板上にレジストを塗布し、レジストを電子線（ＥＢ）、紫外線（ＵＶ）又はレーザーを用いて描画・現像してパターニングする。この一連の工程を繰り返し、パターニングした凹凸部にニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）等を用いためっきにより導電材料を充填した後、レジストを除去することにより金型１０４を作製可能である。金型１０４の表面には、必要に応じて市販のフッ素シランカップリング剤で離型処理をすることができる。

（ロ）図９に示すように、金型１０４の穴１４１，１４２及び凹部１４３〜１４９に、銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）等によるスパッタリングや、炭素（Ｃ）やパラジウム（Ｐｄ）等を用いたダイレクト・プレーティング・プロセス（ＤＰＰ）処理後、銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）等のめっき又は銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等のナノペーストを印刷及び焼結して導電材料を充填する。この結果、金型１０４上に形成された導電材料からなる第１の支持部１１０、凹部１４３〜１４９に充填された導電材料からなる第１導体回路１１３〜１１９、及び穴１４１，１４２に充填された導電材料からなる第１層間接続部１１１，１１２を有する第１金属回路層１０８が形成される。本発明の第６の実施の形態では、レジストをｉ線露光でパターニングして金型１０４を作製することにより、第１層間接続部１１１，１１２は直径１０μｍ程度、高さ２５μｍ程度の形状であり、第１導体回路１１３〜１１９のうちライン・アンド・スペース部分の配線幅が５μｍ程度、配線間隔が５μｍ程度、ランド径が３０μｍ程度の形状を得る。なお、導電材料充填条件を最適化することにより、第１の支持部１１０を形成せずに第１導体回路１１３〜１１９及び第１層間接続部１１１，１１２のみ形成しても良い。粘着シートや吸着ステージ等の支持具１０５を用いて第１金属回路層１０８を金型１０４から図１０に示すように取り外す。第１金属回路層１０８の一部である第１の支持部１１０、第１導体回路１１８及び第１層間接続部１１２を下面側からみた斜視図を図１１に示す。

（ハ）図１２に示すように、エポキシ樹脂等の硬化前の熱硬化性樹脂や液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂からなる第１絶縁樹脂層１０６を用意する。支持具１０５を用いて、第１絶縁樹脂層１０６の上面と、第１金属回路層１０８の第１導体回路１１３〜１１９及び第１層間接続部１１１，１１２が形成された面とを対向させる。図１３に示すように、軟化する温度まで加熱された第１絶縁樹脂層１０６に第１導体回路１１３〜１１９及び第１層間接続部１１１，１１２を圧入し、積層方向に加熱プレスする。本発明の第６の実施の形態では、第１絶縁樹脂層１０６として液晶ポリマーフィルムを使用し、２７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスする。この際、別途２７０℃まで昇温する時間として３０分間、常温まで冷却する時間として１時間かかる。その後、支持具１０５を第１金属回路層１０８から図１４に示すように取り外す。

（ニ）第１金属回路層１０８の第１の支持部１１０は余剰部分となるので、研磨又はエッチング等により第１の支持部１１０を図１５に示すように除去する。なお、図９に示した導電材料の充填時に導電材料充填条件を最適化することにより第１の支持部１１０を形成しないことで、この研磨又はエッチング工程を省略することもできる。

（ホ）図１６に示すように、フォトリソグラフィ技術及び印刷等により第１絶縁樹脂層１０６の下面に第２導体回路１２１，１２２を形成し、第１の基板１０１が完成する。本発明の第６の実施の形態では、セミアディティブ工法により、第２導体回路１２１，１２２のうちライン・アンド・スペース部分の配線幅を１０μｍ程度、配線間隔を１０μｍ程度、ランド径を８０μｍ程度で形成する。

（ヘ）図１７に示すように第２絶縁樹脂層１０７を用意し、第１の基板１０１上にエポキシ樹脂等の硬化前の熱硬化性樹脂や液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂からなるシート状の第２絶縁樹脂層１０７を重ね合わせ、図１８に示すように積層（ラミネート）する。第２絶縁樹脂層１０７としては、図７に示した合金層１５１，１５２となる半田層の融点である２２０℃より低い軟化点を有する材料を採用する。

（ト）図１９に示すように第３導体回路１３３〜１３９及び第２層間接続部１３１，１３２を有する第２金属回路層を用意する。第２金属回路層は、図８〜図１０に示した第１金属回路層１０８の形成工程と同様の工程により形成可能である。第２金属回路層は、導電材料充填条件を最適化し、第３導体回路１３３〜１３９及び第２層間接続部１３１，１３２を形成し、図９に示した金型１０４の第１の支持部１１０のような余剰部分を形成していない。なお、第２金属回路層としては、金型１０４を用いて第１金属回路層１０８と同一のパターン形状を有するものを形成しても良く、金型１０４とは異なる金型を用いて第１金属回路層１０８と同一のパターン形状又は異なるパターン形状を有していても良い。更に、図１９に示すように、めっきや印刷等により第２層間接続部１３１，１３２の頂部に半田層１６１，１６２をそれぞれ形成する。半田層１６１，１６２の材料としては、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）の合金等が使用可能である。本発明の第６の実施の形態では、半田層１６１，１６２の材料として錫（Ｓｎ）−１銀（Ａｇ）−０．５銅（Ｃｕ）とフラックスからなる半田ペーストを用い、１μｍ程度印刷し、リフロー炉にて焼結させる。

（チ）支持具１０５を用いて第３導体回路１３３〜１３９及び第２層間接続部１３１，１３２を第２絶縁樹脂層１０７の上面に対向させる。画像認識やピンアライメント等により、第３導体回路１３３〜１３９及び第２層間接続部１３１，１３２を対向する第１導体回路１１３〜１１９と位置合わせする。そして、図２０に示すように、軟化する温度まで加熱された第２絶縁樹脂層１０７に第３導体回路１３３〜１３９及び第２層間接続部１３１，１３２を圧入し、第１の基板１０１及び第２絶縁樹脂層１０７を積層方向に加熱プレスする。この結果、半田層１６１，１６２が第１導体回路１１４，１１８と接触する。この加熱により第２絶縁樹脂層１０７が熱硬化性樹脂の場合は完全硬化する。また、第２絶縁樹脂層１０７が熱可塑性の場合は後に冷却することにより硬化する。更に、この加熱により半田層１６１，１６２が溶解し、第２層間接続部１３１，１３２と第１導体回路１１４，１１８との間に合金層１５１，１５２が形成され、図７に示した多層基板が完成する。なお、支持具１０５を取り外した後、第２金属回路層の余剰部分がある場合には、研磨又はエッチング等により余剰部分を除去する。

本発明の第６の実施の形態によれば、第２絶縁樹脂層１０７に第３導体回路１３３〜１３９及び第２層間接続部１３１，１３２を埋め込むので、スタンパー（モールド）を絶縁樹脂層から離型する際にスタンパー（モールド）に樹脂が付着することがなく、スタンパー（モールド）に樹脂が付着することに起因する不具合を防止することができる。更に、従来の配線基板においては、層間接続部と導体回路との界面においてクラックが発生したり、信号の損失が生じたりする場合があり、層間接続部と導体回路との接続信頼性を維持することが困難である。本発明の第６の実施の形態に係る配線基板の製造方法によれば、第２層間接続部１３１，１３２と第１導体回路１１３〜１１９との間に合金層１５１，１５２を形成することにより、第２層間接続部１３１，１３２と第１導体回路１１３〜１１９との接続信頼性を向上させることができる配線基板を製造可能となる。

（第７の実施の形態）
本発明の第７の実施の形態として、配線基板の他の一例を説明する。本発明の第７の実施の形態に係る配線基板は、図２１に示すように、絶縁樹脂層２００と、絶縁樹脂層２００の上部に埋設した第１導体回路２１３〜２１９と、絶縁樹脂層２００の下面に配置された第２導体回路２２１，２２２と、第１導体回路２１４，２１８と第２導体回路２２１，２２２を接続する層間接続部２１１，２１２と、層間接続部２１１，２１２と第２導体回路２２１，２２２との間に形成された合金層２５１，２５２を備える両面基板である。第１導体回路２１４，２１８と層間接続部２１１，２１２との間に界面はなく、第１導体回路２１４，２１８及び層間接続部２１１，２１２は一体として形成されている。

本発明の第７の実施の形態に係る配線基板によれば、第２導体回路２２１，２２２と層間接続部２１１，２１２との間に合金層２５１，２５２を設けたことにより、第２導体回路２２１，２２２と層間接続部２１１，２１２との接続信頼性を向上することができる。

本発明の第７の実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図１９〜図２０に示した工程と同様の工程を経ることにより、図２２に示すように絶縁樹脂層２００の上部に第１導体回路２１３〜２１９を埋設し、層間接続部２１１，２１２が絶縁樹脂層２００を貫通し、半田層２６１，２６２が絶縁樹脂層２００の下面から露出する。その後、フォトリソグラフィ技術及び印刷等により、図２１に示すように絶縁樹脂層２００の下面に第２導体回路２２１，２２２を形成する。その後、加熱により半田層２６１，２６２を溶解させ、層間接続部２１１，２１２と第２導体回路２２１，２２２との間に、半田層２６１，２６２の材料、層間接続部２１１，２１２及び第２導体回路２２１，２２２の材料からなる合金層２５１，２５２が形成される。

本発明の第７の実施の形態によれば、絶縁樹脂層２００の上面から第１導体回路２１３〜２１９及び層間接続部２１１，２１２を埋め込むので、従来のようにスタンパー（モールド）を絶縁樹脂層から離型する際にスタンパー（モールド）に樹脂が付着することがなく、スタンパー（モールド）に樹脂が付着することに起因する不具合を防止することができる。更に、第２導体回路２２１，２２２と層間接続部２１１，２１２との間に合金層２５１，２５２を形成することにより、第２導体回路２２１，２２２と層間接続部２１１，２１２との間の接続信頼性の高い両面基板を製造可能となる。

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１〜第７の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

図２３はその他の実施の形態を示し、微細な導体回路パターンを有した金属回路層を形成するための工程図であり、（Ａ）はシリコンウエハー準備工程、（Ｂ）はレジストによる凹凸パターン形成工程、（Ｃ）はシード層形成工程、（Ｄ）はめっき工程、（Ｅ）はめっき研磨工程、（Ｆ）は金属回路層をシリコンウエハーから取り出す工程を示す。

第１導体回路６と層間接続部７に微細な導体回路パターンが要求される場合には、図２３に示す工程で金属回路層１７を製造する。先ず、図２３（Ａ）に示すように、シリコンウエハー１２を用意する。

次に、シリコンウエハー１２の一面１２ａにレジストを塗布した後、このレジストに対して露光現像によるフォトリソグラフィを行って一面１２ａに達する貫通孔を形成した後、レジストの上に更にレジストを塗布した後、２度目のフォトリソグラフィを行って図２３（Ｂ）に示す如く、硬化したレジスト層１３に第１の凹部１４と、第１の凹部１４よりも深さが深く且つ一面１２ａに達する第２の凹部１５を形成する。次に、図２３（Ｃ）に示すように、第１の凹部１４及び第２の凹部１５によって凹凸とされたレジスト層１３上に、銅やニッケル等をスパッタしてシード層１６を形成する。

次に、図２３（Ｄ）に示すように、第１の凹部１４及び第２の凹部１５が共に埋まるようにシード層１６上に銅等のめっきをして金属回路層１７を形成する。そして、図２３（Ｅ）に示すように、金属回路層１７の表面である一面１７ａを研磨してその表面を平滑化する。

次に、粘着シートや吸着シート等の回路層取出し部材１８を金属回路層１７の凹凸面とは反対側の一面１７ａに貼り付けた後、この回路層取出し部材１８を引き上げて図２３（Ｆ）に示すように金属回路層１７をレジスト層１３から取り出す。レジスト層１３から取り出された金属回路層１７は、レジスト層１３に形成された凹凸パターンが転写された凹凸形状をなす凹凸面を有し、第１導体回路６と層間接続部７とが一体的に形成される形となる。

また、図２１に示した本発明の第７の実施の形態に係る配線基板を、図７に示した第１の基板１０１の代わりに採用しても良い。

また、図１９で示した層間接続部１３１，１３２の頂部に半田層１６１，１６２を形成するのと同様に、図１（Ｆ）に示した層間接続部７の頂部、図３（Ｂ）に示した層間接続部２２の頂部、図４（Ａ）に示した層間接続部２２の頂部、図５（Ｃ）に示した層間接続部７の頂部、図６（Ｃ）に示した層間接続部２２の頂部に半田層を形成しても良い。

また、第２の実施の形態における図３（Ｃ）で示した両面回路基板１０及び第３の実施の形態における図４（Ａ）で示した両面回路基板１０として、第１の実施の形態で液状絶縁樹脂を塗布することにより製造された図１（Ｇ）に示した両面回路基板１０を使用する代わりに、第４の実施の形態で導体回路６及び層間接続部７を絶縁樹脂層８へ圧入することにより製造された図５（Ｇ）に示した両面回路基板１０をそれぞれ使用しても良い。

また、第５の実施の形態における図６（Ａ）に示した両面回路基板１０として、第４の実施の形態において導体回路６及び層間接続部７を絶縁樹脂層８へ圧入することにより製造された図５（Ｇ）に示した両面回路基板１０を使用する代わりに、第１の実施の形態で液状絶縁樹脂の塗布することにより製造された図１（Ｇ）に示した両面回路基板１０を使用しても良い。

また、第６の実施の形態における図１７に示した両面回路基板として、第１の実施の形態で液状絶縁樹脂を塗布することにより製造された図１（Ｇ）に示した両面回路基板１０、又は第４の実施の形態で導体回路６及び層間接続部７を絶縁樹脂層８へ圧入することにより製造された図５（Ｇ）に示した両面回路基板１０を使用しても良い。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

本発明は、少なくとも絶縁基板の片面に形成された導体回路をビアである層間接続部で接続させた配線基板に利用することができる。

Claims (10)

1. 第１導体回路と、前記第１導体回路の高さと異なる高さを有する第１層間接続部とを一面に有する第１金属回路層を用意する工程と、
   前記第１層間接続部の先端が露出するように前記第１金属回路層の前記一面を覆う第１絶縁樹脂層を形成する工程
   とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記第１絶縁樹脂層を形成する工程は、前記第１金属回路層の前記一面に液状絶縁樹脂を塗布して硬化させることで、前記第１絶縁樹脂層の一面に前記第１導体回路を埋設すると共に前記第１絶縁樹脂層の他面から前記第１層間接続部の先端を露出させることを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記第１絶縁樹脂層を形成する工程は、前記第１金属回路層の前記一面に前記第１絶縁樹脂層の一面を重ね合わせて加圧すると共に加熱して、前記第１導体回路を前記第１絶縁樹脂層の前記一面に埋設すると共に前記第１層間接続部の先端を前記第１絶縁樹脂層の他面から露出させることを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記第１絶縁樹脂層の前記他面に、前記第１層間接続部を介して前記第１導体回路と導通する第２導体回路を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記第１金属回路層を用意する工程は、
   前記第１導体回路形成用の第１の凹部と前記第１の凹部よりも深さが深い第１層間接続部形成用の第２の凹部とを有する金型を用意し、
   前記第１及び第２の凹部に導電性金属材料を充填して硬化させることで前記第１金属回路層を形成し、
   前記第１金属回路層を前記金型から取り出す
   ことを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記導電性金属材料として導電性ペーストを使用することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
7. 第３導体回路と、前記第３導体回路の高さと異なる高さを有する第２層間接続部とを一面に有する第２金属回路層を用意する工程と、
   前記第２金属回路層の前記一面に液状絶縁樹脂を塗布して半硬化させることで、第２絶縁樹脂層の一面に前記第３導体回路を埋設し、且つ前記第２絶縁樹脂層の他面から前記第２層間接続部の先端を露出させる工程と、
   前記第１絶縁樹脂層の前記第１導体回路が埋設された前記一面に、前記第２絶縁樹脂層の前記第２層間接続部の先端が露出した前記他面を重ね合わせて加熱すると共に加圧することにより前記第２絶縁樹脂層を硬化させ、前記第１導体回路と前記第２層間接続部とを接触させる工程
   とを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
8. 第３導体回路と、前記第３導体回路の高さと異なる高さを有する第２層間接続部とを一面に有する第２金属回路層を用意する工程と、
   前記第１絶縁樹脂層の前記第１導体回路が埋設された前記一面に、半硬化状態の第２絶縁樹脂層の一面を重ね合わせる工程と、
   前記第２金属回路層の前記一面に前記第２絶縁樹脂層の他面を重ね合わせ加圧すると共に加熱して、前記半硬化状態の第２絶縁樹脂層を硬化させると共に前記第３導体回路を前記第２絶縁樹脂層の前記他面に埋設し、前記第２層間接続部の先端を前記第１導体回路に接触させる工程
   とを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記第１絶縁樹脂層の前記第１導体回路が埋設された前記一面に、第２絶縁樹脂層の一面を積層する工程と、
   第３導体回路と、前記第３導体回路の高さと異なる高さを有する第２層間接続部とを一面に有する第２金属回路層を用意する工程と、
   前記第２層間接続部の頂部に半田層を形成する工程と、
   前記第２金属回路層の前記第３導体回路及び前記第２層間接続部を前記第２絶縁樹脂層の他面に圧入し、前記半田層を前記第１導体回路に接触させる工程と、
   前記半田層を溶解させて前記第２層間接続部と前記第１導体回路との間に合金層を形成する工程
   とを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
10. 第１導体回路と、前記第１導体回路の高さと異なる高さを有する層間接続部とを一面に有する金属回路層を形成する工程と、
    前記層間接続部の頂部に半田層を形成する工程と、
    絶縁樹脂層を用意する工程と、
    前記第１導体回路及び前記半田層が頂部に形成された前記層間接続部を前記絶縁樹脂層の一面に圧入し、前記絶縁樹脂層の他面から前記半田層を露出させる工程と、
    前記絶縁樹脂層の前記他面に前記半田層と接する第２導体回路を形成する工程と、
    前記半田層を溶解させて前記層間接続部と前記第２導体回路との間に合金層を形成する工程
    とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。

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