JPWO2011040332A1 - 弾性波フィルタ装置及びそれを備える分波器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態の弾性境界波フィルタ装置の略図的構成図である。
直列腕共振子S1:
波長(λ):2013nm
交叉幅:28.65λ
対数:118
デューティー:0.5
並列腕共振子P1:
波長(λ):2129nm
交叉幅:48.90λ
対数:130
デューティー:0.5
直列腕共振子S21,S22:
波長(λ):2022nm
交叉幅:92.45λ
対数:121
デューティー:0.5
直列腕共振子S23:
波長(λ):2008nm
交叉幅:34.74λ
対数:81
デューティー:0.5
並列腕共振子P2:
波長(λ):2129nm
交叉幅:49.03λ
対数:137
デューティー:0.5
直列腕共振子S3:
波長(λ):2014nm
交叉幅:33.22λ
対数:97
デューティー:0.5
並列腕共振子P3:
波長(λ):2115nm
交叉幅:34.45λ
対数:87
デューティー:0.5
密着膜30d:10nm、第1の主たる導電膜30a:36nm、密着膜30e:10nm、第2の主たる導電膜30b:225nm(H/λ(S2−1)=11%)、300nm(H/λ(S2−1)=15%)、400nm(H/λ(S2−1)=20%)または600nm(H/λ(S2−1)=30%)、密着膜30f:10nm、第3の主たる導電膜30c:22nm、保護膜30g:10nm
第1の誘電体層21の膜厚:1213nm(H/λ(S2−1)=60%)
第2の誘電体層22:SiN層
第2の誘電体層22の膜厚:2200nm(H/λ(S2−1)=109%)
圧電基板20:25° Y−X LiNbO3基板
圧電基板20の厚さ:500μm
上記第1の実施形態では、弾性波フィルタ装置がラダー型のフィルタ装置である場合について、説明した。但し、本発明の弾性波フィルタ装置は、ラダー型のフィルタ装置に限定されない。本発明の弾性波フィルタ装置は、入力端子と出力端子との間に通過帯域の形成に寄与する第1の共振子が設けられており、かつ、入力端子と出力端子との間の信号伝達経路とグラウンド電位との間に第2の共振子が設けられている弾性波フィルタ装置である限りにおいて特に限定されない。入力端子と出力端子との間の信号伝達経路とグラウンド電位との間に第2の共振子が設けられている弾性波フィルタ装置では、第2の共振子の反共振周波数が通過帯域内に位置するように設計されており、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量は、第2の共振子の減衰帯域におけるインピーダンスの低さに依存するからである。すなわち、第2の共振子の減衰帯域におけるインピーダンスが低いほど、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量が大きくなるため、入力端子と出力端子との間の信号伝達経路とグラウンド電位との間に第2の共振子が設けられている弾性波フィルタ装置全般に対して、第2の共振子の減衰帯域におけるインピーダンスを低くできる本発明は、好適である。
2…受信フィルタ
3…デュプレクサ
L1〜L3…インダクタ
S1…第1の直列腕共振子
P1…第1の並列腕共振子
S2…第2の直列腕共振子
P2…第2の並列腕共振子
S3…第3の直列腕共振子
P3…第3の並列腕共振子
5…弾性境界波フィルタ装置
11…入力端子
12…出力端子
12a…第1の出力端子
12b…第2の出力端子
13…直列腕
13a〜13c…接続点
14a…第1の並列腕
14b…第2の並列腕
14c…第3の並列腕
15a、15b…グラウンド電極
20…圧電基板
21…第1の誘電体層
22…第2の誘電体層
29…共振子
30…IDT電極
30a…第1の主たる導電膜
30b…第2の主たる導電膜
30c…第3の主たる導電膜
30d〜30f…密着膜
30g…保護膜
31,32…くし歯電極
31a、32a…バスバー
31b、32b…電極指
31c、32c…ダミー電極
33,34…第2のグレーティング反射器
41…不平衡信号端子
42a…第1の平衡信号端子
42b…第2の平衡信号端子
43…弾性境界波共振子
44a…第1の弾性境界波フィルタ部
44b…第2の弾性境界波フィルタ部
45a、45b…弾性境界波共振子
50a…縦結合共振子型弾性波フィルタ部
50b…縦結合共振子型弾性波フィルタ部
51a、51b…第1のIDT電極
52a、52b…第2のIDT電極
53a、53b…第3のIDT電極
54a、54b…第1のグレーティング反射器
55a、55b…第2のグレーティング反射器
56…弾性境界波共振子
60a、60b…並列トラップ
Claims (10)
- 入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に設けられている第1の共振子と、
前記入力端子または前記出力端子と前記第1の共振子との間の接続点と、グラウンド電位との間に接続されている第2の共振子とを備え、
前記第1及び第2の共振子により、通過帯域と、前記通過帯域の高域側に減衰帯域とが形成されている弾性波フィルタ装置であって、
前記第2の共振子は、前記通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答を有し、
前記第2の共振子の前記通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答の共振周波数(fFrh)から前記通過帯域の中心周波数(fc)を減算した値(fFrh−fc)を前記通過帯域の中心周波数で規格化した値((fFrh−fc)/fc)が、0.073〜0.250の範囲内にある、弾性波フィルタ装置。 - 前記入力端子と前記出力端子とを接続する直列腕において、直列腕共振子を構成するように、前記第1の共振子が設けられており、
前記第2の共振子は、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられている、請求項1に記載の弾性波フィルタ装置。 - 前記第1の共振子は、前記入力端子と前記出力端子との間に接続されている縦結合共振子型弾性波フィルタ部を構成しており、
前記第2の共振子は、前記入力端子または前記出力端子と前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部との間の接続点と、グラウンド電位との間に接続されている、請求項1に記載の弾性波フィルタ装置。 - 前記第1及び第2の共振子のそれぞれは、圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されている第1の誘電体層と、前記圧電基板と前記第1の誘電体層との間の境界に形成されているIDT電極とを有する弾性境界波共振子である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
- 前記第1及び第2の共振子のそれぞれは、前記第1の誘電体層の上に形成されており、前記第1の誘電体層よりも速い音速を有する第2の誘電体層をさらに有する3媒質型の弾性境界波共振子である、請求項4に記載の弾性波フィルタ装置。
- 前記入力端子と前記出力端子とを接続する直列腕において、互いに直列に接続されている直列腕共振子を構成するように、前記第1の共振子が設けられており、
前記第2の共振子は、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられており、
前記IDT電極は、AlまたはAlを主成分とする合金からなる導電膜を主たる導電膜として有しており、前記第1の共振子のIDT電極の電極指ピッチで決まる波長で規格化された前記主たる導電膜の膜厚が10%〜30%の範囲内にある、請求項4または5に記載の弾性波フィルタ装置。 - 前記入力端子と前記出力端子とを接続する直列腕において、互いに直列に接続されている直列腕共振子を構成するように、前記第1の共振子が設けられており、
前記第2の共振子は、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられており、
前記第1の誘電体層は、酸化珪素からなり、前記第1の共振子のIDT電極の電極指ピッチで決まる波長で規格化された前記第1の誘電体層の厚みが40%〜70%の範囲内にある、請求項4〜6のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。 - 前記第2の共振子の前記通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答は、前記通過帯域の形成に寄与している応答の高次モードの応答である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
- 前記第2の共振子の前記通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答は、前記通過帯域の形成に寄与している応答とは種類が異なる応答である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置を備える、分波器。
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