JPWO2010126108A1 - ケイ素系液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 - Google Patents

ケイ素系液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 Download PDF

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Abstract

液晶中の重合性化合物が添加される場合も、無添加の場合も、応答速度を向上し良好な配向状態が得られる液晶表示素子用の液晶配向膜を得るための液晶配向剤を提供する。式(1)及び式(2)で表されるアルコキシシランを含むアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンを含有する液晶配向剤R1Si(OR2)3(1)(R1はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素原子数8〜30の炭化水素基であり、R2は炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)R3Si(OR4)3(2)(R3はアクリル基又はメタクリル基で置換されたアルキル基、R4は炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)

Description

本発明は、アルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンを含有する液晶配向剤、及び前記液晶配向剤から得られる液晶配向膜、並びにその液晶配向膜を有する液晶表示素子に関する。
近年、液晶表示素子の表示方式の中でも、垂直(VA)方式の液晶表示素子は、大画面の液晶テレビや高精細なモバイル用途(デジタルカメラや携帯電話の表示部)など、広く利用されている。VA方式には、液晶の倒れる方向を制御するための突起をTFT基板やカラーフィルタ基板に形成するMVA方式(Multi Vertical Alignment)や、基板のITO電極にスリットを形成し電界によって液晶の倒れる方向を制御するPVA(Paterned Vertical Alignment)方式が知られている。
別のVA配向方式として、PSA(Polymer susutained Alignment)方式がある。VA方式の中でも、PSA方式は近年注目されている技術である。この方式は、液晶中に光重合性化合物を添加し、液晶パネル作製後に、電界を印加し液晶が倒れた状態でUVを液晶パネルに照射する。これにより、重合性化合物が光重合することで液晶の配向方向が固定化され、プレチルトが生じ、応答速度が向上する。VA方式には、液晶パネルを構成する片側の電極にスリットを作製し、対向側の電極パターンにはMVAのような突起やPVAのようなスリットを設けていない構造でも動作可能であり、製造の簡略化や優れたパネル透過率が得られることを特長としている。(特許文献1参照。)
一方、従来から用いられているポリイミド等の有機系の液晶配向膜材料と共に、無機系の液晶配向膜材料も知られている。例えば、塗布型の無機系配向膜の材料として、テトラアルコキシシランと、トリアルコキシシランと、アルコール及び蓚酸との反応生成物を含有する液晶配向剤組成物を使用し、液晶表示素子の電極基板上で垂直配向性、耐熱性及び均一性に優れる液晶配向膜を形成することが報告されている。(特許文献2参照。)
また、テトラアルコキシシラン、特定のトリアルコキシシラン及び水との反応生成物と特定のグリコールエーテル系溶媒を含有する液晶配向剤組成物を使用することにより、表示不良を防止し、長時間駆動後も残像特性の良好な、液晶を配向させる能力を低下させることなく、且つ光及び熱に対する電圧保持率の低下が少ない液晶配向膜を形成することが報告されている。(特許文献3参照。)
特開2004−302061号公報 特開平09−281502号公報 特開2005−250244号公報
従来、PSA方式の液晶表示素子においては、液晶に添加する重合性化合物の溶解性が低く、添加量を増やすと低温時に析出するといった問題がある。他方で、重合性化合物の添加量を減らすと良好な配向状態が得られなくなる。また、液晶中に残留する未反応の重合性化合物は液晶中の不純物(コンタミ)となるため液晶表示素子の信頼性を低下させるといった問題がある。
本発明の課題は、PSA方式の液晶表示素子において、重合性化合物の量が少ない場合においても、更には重合性化合物を添加しない液晶を使用した場合においても、応答速度を向上し良好な配向状態を得ることが可能である、液晶表示素子用の液晶配向剤、該液晶配向剤から得られる液晶配向膜、及び該液晶配向膜を有する液晶表示素子を提供することである。
本発明は、以下を要旨とする。
〔1〕式(1)で表されるアルコキシシラン及び式(2)で表されるアルコキシシランを含むアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンを含有する液晶配向剤。
Si(OR (1)
(Rはフッ素原子で置換されていてもよい、炭素原子数8〜30の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)
Si(OR (2)
(Rはアクリル基又はメタクリル基で置換されたアルキル基、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)
〔2〕ポリシロキサンが、さらに、下記式(3)で表されるアルコキシシランを含有するアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンである、上記〔1〕に記載の液晶配向剤。
(RSi(OR4−n (3)
(Rは、水素原子、又はヘテロ原子、ハロゲン原子、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、イソシアネート基若しくはウレイド基で置換されていてもよい、炭素原子数1〜16の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基であり、nは0〜3の整数を表す。)
〔3〕前記式(1)で表されるアルコキシシランが、式(1)におけるRが炭素原子数が8〜22の炭化水素基であり、Rがメチル又はエチルである、上記〔1〕又は〔2〕に記載の液晶配向剤。
〔4〕前記式(2)で表されるアルコキシシランが、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランからなる群から選ばれる少なくとも1種である、上記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の液晶配向剤。
〔5〕前記式(3)で表されるアルコキシシランのRが、炭素原子数1〜6の炭化水素基である、上記〔2〕〜〔4〕のいずれかに記載の液晶配向剤。
〔6〕前記式(3)で表されるアルコキシシランが、式(3)におけるnが0である、テトラアルコキシシランである、上記〔2〕〜〔5〕のいずれかに記載の液晶配向剤。
〔7〕前記式(1)で表されるアルコキシシランが、全アルコキシシラン中、0.1〜30モル%含まれ、かつ前記式(2)で表されるアルコキシシランが全アルコキシシラン中、3〜60モル%含まれる、上記〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の液晶配向剤。
〔8〕前記式(3)で表されるアルコキシシランが、全アルコキシシラン中、10〜96.9モル%含まれる、上記〔2〕〜〔7〕のいずれかに記載の液晶配向剤。
〔9〕ポリシロキサンの含有量が、SiO換算濃度で、0.5〜15質量%含有される、上記〔1〕〜〔8〕のいずれかに記載の液晶配向剤。
〔10〕上記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載の液晶配向剤を基板に塗布し、焼成して得られる液晶配向膜。
〔11〕上記〔10〕に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
〔12〕上記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布し、焼成された2枚の基板で液晶が挟持された液晶セルに、電圧を印加した状態でUVを照射した液晶表示素子。
〔13〕上記〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布し、焼成した2枚の基板で液晶を挟持し、電圧を印加した状態でUVを照射する液晶表示素子の製造方法。
本発明の液晶配向剤によれば、PSA方式の液晶表示素子において、液晶に添加される重合性化合物の量が少ない場合においても、また、重合性化合物を添加しない液晶を使用した場合においても、応答速度を向上し良好な配向状態を得ることが可能である、液晶表示素子用の液晶配向膜、及び該液晶配向膜を有する液晶表示素子が得られる。
以下に、本発明について詳細に説明する。
本発明は、式(1)で表されるアルコキシシラン及び式(2)で表されるアルコキシシランを含むアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンを含有する液晶配向剤である。
Si(OR (1)
(Rはフッ素原子で置換されていてもよい炭素原子数8〜30の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)なお、本明細書において「置換されていてもよい」とは、「置換された又は置換されていない」を意味する。
Si(OR (2)
(Rはアクリル基又はメタクリル基で置換されたアルキル基、Rは炭素数1〜5のアルキル基を表す。)
[ポリシロキサン]
式(1)で表されるアルコキシシランのR(以下、特定有機基ともいう)は、フッ素で置換されていてもよい炭素原子数が8〜30、好ましくは8〜22、特に好ましくは10〜22の炭化水素基であって、液晶を垂直に配向させる効果を有するものであれば特に限定されない。それらの例としては、アルキル基、フルオロアルキル基、アルケニル基、フェネチル基、スチリルアルキル基、ナフチル基、フルオロフェニルアルキル基等が挙げられる。これらの中でも、Rがアルキル基、又はフルオロアルキル基であるアルコキシシランは比較的安価で市販品として入手が容易であるため好ましい。特に、Rがアルキル基であるアルコキシシランが好ましい。本発明に用いるポリシロキサンは、これらの特定有機基を複数種有していてもよい。
式(1)で表されるアルコキシシランのRは、炭素原子数1〜5、好ましくは1〜3のアルキル基である。より好ましくは、Rがメチル基又はエチル基である。
このような式(1)で表されるアルコキシシランの具体例を挙げるが、これに限定されるものではない。
例えば、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘプタデシルトリメトキシシラン、ヘプタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、ノナデシルトリメトキシシラン、ノナデシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、21−ドコセニルトリエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリエトキシシラン、イソオクチルトリエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、(1−ナフチル)トリエトキシシラン、(1−ナフチル)トリメトキシシラン等が挙げられる。なかでも、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘプタデシルトリメトキシシラン、ヘプタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、ノナデシルトリメトキシシラン、ノナデシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、又はウンデシルトリメトキシシランが好ましい。
上述した特定有機基を有する式(1)で表されるアルコキシシランは、ポリシロキサンを得るために用いる全アルコキシシラン中において、良好な液晶配向性を得るため、0.1モル%以上が好ましい。より好ましくは0.5モル%以上である。更に好ましくは1モル%以上である。また、形成される液晶配向膜の充分な硬化特性を得るためには、30モル%以下が好ましい。より好ましくは22モル%以下である。
一方、式(2)で表されるアルコキシシランのR(以下、第二の特定有機基ともいう)はRはアクリル基又はメタクリル基で置換されたアルキル基である。置換されている水素原子は1つ以上であり、好ましくは1つである。アルキル基の炭素原子数は1〜30が好ましく、より好ましくは1〜10である。更に好ましくは1〜5である。式(2)で表されるアルコキシシランのRは、上記した式(1)におけるRの定義と同じであり、また、Rの好ましい基もRの場合と同じである。
式(2)で表されるアルコキシシランの具体例を挙げるが、これらに限定されるものではでない。例えば、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、アクリロキシエチルトリメトキシシラン、アクリロキシエチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
PSA方式の重合性化合物が少ない場合でもPSA方式の液晶表示素子の応答速度を向上するためには、第二の特定有機基を有する式(2)で表されるアルコキシシランは、ポリシロキサンを得るために用いる全アルコキシシラン中において、3モル%以上が好ましい。より好ましくは5モル%以上である。更に好ましくは10モル%以上である。また、形成される液晶配向膜を充分に硬化させるためには、60モル%以下が好ましい。
本発明では、式(1)で表されるアルコキシシランが、使用される全アルコキシシラン中、好ましくは0.1〜30モル%、特に好ましくは2〜20モル%含まれ、かつ式(2)で表されるアルコキシシランが使用される全アルコキシシラン中、3〜60モル%、特に好ましくは5〜30モル%含まれるのが好ましい。
本発明では、式(1)及び式(2)で表されるアルコキシシラン以外に、下記式(3)で表されるアルコキシシランを使用することができる。式(3)で表されるアルコキシシランは、ポリシロキサンに種々の特性を付与させることが可能であるため、必要特性に応じて一種又は複数種を選択して用いることができる。
(RSi(OR4−n (3)
式中、Rは、水素原子、又はヘテロ原子、ハロゲン原子、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、イソシアネート基若しくはウレイド基で置換されていてもよい、炭素原子数1〜6の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5、好ましくは1〜3のアルキル基であり、nは0〜3、好ましくは0〜2の整数を表す。
式(3)で表されるアルコキシシランのRは水素原子、又は炭素原子数が1〜6の有機基(以下、第三の有機基ともいう)である。第三の有機基の例としては、脂肪族炭化水素;脂肪族環、芳香族環及びヘテロ環のような環構造;不飽和結合;及び酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子等を含んでいてもよく、分岐構造を有していてもよい、炭素原子数が1〜16、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜6の炭化水素である。この炭化水素はハロゲン原子、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、イソシアネート基、ウレイド基などで置換されていてもよい。
このような式(3)で表されるアルコキシシランの具体例を挙げるが、これに限定されるものではない。
式(3)のアルコキシシランにおいて、Rが水素原子である場合のアルコキシシランの具体例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン等が挙げられる。
また、式(3)のアルコキシシランにおいて、Rが第三の有機基である場合のアルコキシシランの具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)トリエトキシシラン、2−アミノエチルアミノメチルトリメトキシシラン、2−(2−アミノエチルチオエチル)トリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、メルカプトメチルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、クロロプロピルトリエトキシシラン、ブロモプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3―アミノプロピルジメチルエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリメトキシシラン及びγ-ウレイドプロピルトリプロポキシシラン等が挙げられる。
本発明に用いるポリシロキサンは、基板との密着性、液晶分子との親和性改善等を目的として、本発明の効果を損なわない限りにおいて、上記した式(3)で表されるアルコキシシランを一種又は複数種有していてもよい。
式(3)で表されるアルコキシシランにおいて、nが0であるアルコキシシランは、テトラアルコキシシランである。テトラアルコキシシランは、式(1)及び式(2)で表されるアルコキシシランと縮合し易いので、本発明のポリシロキサンを得るために好ましい。
このような式(3)においてnが0であるアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン又はテトラブトキシシランがより好ましく、特に、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシランが好ましい。
式(3)で表されるアルコキシシランを併用する場合、式(3)で表されるアルコキシシランの使用量は、ポリシロキサンを得るために用いる全アルコキシシラン中において、10〜96.9モル%であることが好ましい。より好ましくは、35〜99.8モル%である。
[ポリシロキサンの製造方法]
本発明に用いるポリシロキサンを得る方法は特に限定されない。本発明においては、上記した式(1)及び式(2)を必須成分とするアルコキシシランを有機溶媒中で縮合させて得られる。通常、ポリシロキサンは、このようなアルコキシシランを重縮合して、有機溶媒に均一に溶解した溶液として得られる。
上記アルコキシシランを重縮合する方法として、例えば、アルコキシシランをアルコール又はグリコールなどの溶媒中で加水分解・縮合する方法が挙げられる。その際、加水分解・縮合反応は、部分加水分解及び完全加水分解のいずれであってもよい。完全加水分解の場合は、理論上、アルコキシシラン中の全アルコキシ基の0.5倍モルの水を加えればよいが、通常は0.5倍モルより過剰量の水を加えるのが好ましい。
上記反応に用いる水の量は、所望により適宜選択することができるが、通常、アルコキシシラン中の全アルコキシ基の0.5〜2.5倍モルであるのが好ましい。
また、本発明においては、通常、加水分解・縮合反応を促進する目的で、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、蟻酸、蓚酸、マレイン酸、フマル酸などの酸;アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、エタノールアミン、トリエチルアミンなどのアルカリ;塩酸、硫酸、硝酸などの金属塩;などの触媒を用いるのが好ましい。また、アルコキシシランが溶解した溶液を加熱することで、更に、加水分解・縮合反応を促進させることもできる。その際、加熱温度及び加熱時間は所望により適宜選択できる。例えば、50℃で24時間加熱・撹拌したり、還流下で1時間加熱・撹拌するなどの方法が挙げられる。
また、別法として、例えば、アルコキシシラン、溶媒及び蓚酸の混合物を加熱して重縮合する方法が挙げられる。具体的には、あらかじめアルコールに蓚酸を加えて蓚酸のアルコール溶液とした後、該溶液を加熱した状態で、アルコキシシランを混合する方法である。その際、用いる蓚酸の量は、アルコキシシランが有する全アルコキシ基の1モルに対して0.2〜2モルとすることが好ましい。この方法における加熱は、液温50〜180℃で行うことができる。好ましくは、液の蒸発、揮散などが起こらないように、還流下で数十分から十数時間加熱する方法である。
ポリシロキサンを得る際に、アルコキシシランを複数種用いる場合は、アルコキシシランをあらかじめ混合してもよいし、複数種のアルコキシシランを順次混合してもよい。
アルコキシシランを重縮合する際に用いられる溶媒(以下、重合溶媒ともいう)は、アルコキシシランを溶解するものであれば特に限定されない。また、アルコキシシランが溶解しない場合でも、アルコキシシランの重縮合反応の進行とともに溶解するものであればよい。一般的には、アルコキシシランの重縮合反応によりアルコールが生成するため、アルコール類、グリコール類、グリコールエーテル類、又はアルコール類と相溶性の良好な有機溶媒が用いられる。
このような重合溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール,ジアセトンアルコール等のアルコール類:エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、へキシレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,2−ペンタンジオール、1,3−ペンタンジオール、1,4−ペンタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2,4−ペンタンジオール、2,3−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール等のグリコール類:エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のグリコールエーテル類、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホトリアミド、m−クレゾール等が挙げられる。
本発明においては、上記の重合溶媒を複数種混合して用いてもよい。
上記の方法で得られたポリシロキサンの重合溶液(以下、重合溶液ともいう。)は、原料として仕込んだ全アルコキシシランのケイ素原子をSiOに換算した濃度(以下、SiO換算濃度と称す。)を好ましくは20質量%以下、さらには5〜15質量%とすることがより好ましい。この濃度範囲において任意の濃度を選択することにより、ゲルの生成を抑え、均質な溶液を得ることができる。
[ポリシロキサンの溶液]
本発明においては、上記の方法で得られた重合溶液をそのままポリシロキサンの溶液としてもよいし、必要に応じて、上記の方法で得られた溶液を、濃縮したり、溶媒を加えて希釈したり又は他の溶媒に置換して、ポリシロキサンの溶液としてもよい。
その際、用いる溶媒(以下、添加溶媒ともいう)は、重合溶媒と同じでもよいし、別の溶媒でもよい。この添加溶媒は、ポリシロキサンが均一に溶解している限りにおいて特に限定されず、一種でも複数種でも任意に選択して用いることができる。
このような添加溶媒の具体例としては、上記した重合溶媒の例として挙げた溶媒のほかに、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸エチル等のエステル類が挙げられる。
これらの溶媒は、液晶配向剤の粘度の調整、又はスピンコート、フレキソ印刷、インクジェット等で液晶配向剤を基板上に塗布する際の塗布性を向上できる。
[その他の成分]
本発明の液晶配向剤においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、ポリシロキサン以外のその他の成分、例えば、無機微粒子、メタロキサンオリゴマー、メタロキサンポリマー、レベリング剤、更に界面活性剤等の成分が含まれていてもよい。
無機微粒子としては、シリカ微粒子、アルミナ微粒子、チタニア微粒子、又はフッ化マグネシウム微粒子等の微粒子が好ましく、特にコロイド溶液の状態であるものが好ましい。このコロイド溶液は、無機微粒子を分散媒に分散したものでもよいし、市販品のコロイド溶液であってもよい。本発明においては、無機微粒子を含有させることにより、形成される硬化被膜の表面形状及びその他の機能を付与することが可能となる。無機微粒子としては、その平均粒子径が0.001〜0.2μmであることが好ましく、更に好ましくは0.001〜0.1μmである。無機微粒子の平均粒子径が0.2μmを超える場合には、調製される塗布液を用いて形成される硬化被膜の透明性が低下する場合がある。
無機微粒子の分散媒としては、水及び有機溶剤を挙げることができる。コロイド溶液としては、被膜形成用塗布液の安定性の観点から、pH又はpKaが1〜10に調整されていることが好ましい。より好ましくは2〜7である。
コロイド溶液の分散媒に用いる有機溶剤としては、メタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキシレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル等のアルコール類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類;酢酸エチル、酢酸ブチル、γ−ブチロラクトン等のエステル類;テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等のエ−テル類を挙げることができる。これらの中で、アルコール類又はケトン類が好ましい。これら有機溶剤は、単独で又は2種以上を混合して分散媒として使用することができる。
メタロキサンオリゴマー、メタロキサンポリマーとしては、ケイ素、チタン、アルミニウム、タンタル、アンチモン、ビスマス、錫、インジウム、亜鉛等の単独又は複合酸化物前駆体が用いられる。メタロキサンオリゴマー、メタロキサンポリマーとしては、市販品であっても、金属アルコキシド、硝酸塩、塩酸塩、カルボン酸塩等のモノマーから、加水分解等の常法により得られたものであってもよい。
市販品のメタロキサンオリゴマー、メタロキサンポリマーの具体例としては、コルコート社製の、メチルシリケート51、メチルシリケート53A、エチルシリケート40、エチルシリケート48、EMS−485、SS−101等のシロキサンオリゴマー又はシロキサンポリマー、関東化学社製のチタニウム−n−ブトキシドテトラマー等のチタノキサンオリゴマーが挙げられる。これらは単独又は2種以上混合して使用してもよい。
また、レベリング剤及び界面活性剤等は、公知のものを用いることができ、特に市販品は入手が容易なので好ましい。
また、ポリシロキサンに、上記したその他の成分を混合する方法は、ポリシロキサンと同時でも、後であってもよく、特に限定されない。
[液晶配向剤]
本発明の液晶配向剤は、溶媒中に、上述したポリシロキサンを溶解し、必要に応じてその他の成分を溶解又は分散して含有する。溶媒としては、上述したポリシロキサンの重合溶媒および添加溶媒からなる群から選ばれる溶媒が用いられる。液晶配向剤におけるポリシロキサンの含有量は、SiO換算濃度が好ましくは0.5〜15質量%、より好ましくは1〜6質量%である。このようなSiO換算濃度の範囲であれば、一回の塗布で所望の膜厚を得やすく、充分な溶液のポットライフが得られ易い。
本発明の液晶配向剤を調製する方法は特に限定されない。本発明に用いるポリシロキサン、必要に応じて加えられるその他の成分が均一に混合した状態であればよい。通常、ポリシロキサンは、溶媒中で重縮合されるので、ポリシロキサンの溶液をそのまま用いるか、ポリシロキサンの溶液に必要に応じてその他の成分を添加することが簡便である。更に、ポリシロキサンの重合溶液をそのまま用いる方法が最も簡便である。
また、液晶配向剤中におけるポリシロキサンの含有量を調整する際には、上述したポリシロキサンの重合溶媒及び添加溶媒からなる群から選ばれる溶媒を用いることができる。
[液晶配向膜]
本発明の液晶配向膜は、上記液晶配向剤を用いて得られる。例えば、本発明の液晶配向剤を、基板に塗布した後、乾燥・焼成を行うことで得られる硬化膜を、そのまま液晶配向膜として用いることもできる。また、この硬化膜をラビングしたり、偏光又は特定の波長の光等を照射したり、イオンビーム等の処理をしたり、PSA用配向膜として液晶充填後の液晶表示素子に電圧を印加した状態でUVを照射することも可能である。特に、PSA用配向膜として使用することが有用である。
液晶配向剤を塗布する基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されないが、基板上に液晶を駆動するための透明電極が形成された基板が好ましい。
具体例を挙げると、ガラス板、ポリカーボネート、ポリ(メタ)アクリレート、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリウレタン、ポリサルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、トリメチルペンテン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、(メタ)アクリロニトリル、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセテートブチレートセルロースなどのプラスチック板などに透明電極が形成された基板を挙げることができる。
液晶配向剤の塗布方法としては、スピンコート法、印刷法、インクジェット法、スプレー法、ロールコート法などが挙げられるが、生産性の面から工業的には転写印刷法が広く用いられており、本発明でも好適に用いられる。
液晶配向剤を塗布した後の乾燥の工程は、必ずしも必要とされないが、塗布後から焼成までの時間が基板ごとに一定していない場合、又は塗布後ただちに焼成されない場合には、乾燥工程を含める方が好ましい。この乾燥は、基板の搬送等により塗膜形状が変形しない程度に溶媒が除去されていればよく、その乾燥手段については特に限定されない。例えば、温度40℃〜150℃、好ましくは60℃〜100℃のホットプレート上で、0.5〜30分、好ましくは1〜5分乾燥させる方法が挙げられる。
上記の方法で液晶配向剤を塗布して形成される塗膜は、焼成して硬化膜とすることができる。その際、焼成温度は、100℃〜350℃の任意の温度で行うことができるが、好ましくは140℃〜300℃であり、より好ましくは150℃〜230℃、更に好ましくは160℃〜220℃である。焼成時間は5分〜240分の任意の時間で焼成を行うことができる。好ましくは10〜90分であり、より好ましくは20〜90分である。加熱は、通常公知の方法、例えば、ホットプレート、熱風循環オーブン、IRオーブン、ベルト炉などを用いることができる。
液晶配向膜中のポリシロキサンは、焼成工程において、重縮合が進行する。しかし、本発明においては、本発明の効果を損なわない限り、完全に重縮合させる必要はない。但し、液晶セル製造行程で必要とされる、シール剤硬化などの熱処理温度より、10℃以上高い温度で焼成することが好ましい。
この硬化膜の厚みは必要に応じて選択することができるが、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上の場合、液晶表示素子の信頼性が得られ易いので好適である。また、硬化膜の厚みが好ましくは300nm以下、より好ましくは150nm以下の場合は、液晶表示素子の消費電力が極端に大きくならないので好適である。
<液晶表示素子>
本発明の液晶表示素子は、上記の方法により、基板に液晶配向膜を形成した後、公知の方法で液晶セルを作製して得ることができる。液晶セル作製の一例を挙げると、液晶配向膜が形成された1対の基板を、スペーサーを挟んで、シール剤で固定し、液晶を注入して封止する方法が一般的である。その際、用いるスペーサーの大きさは1〜30μmであるが、好ましくは2〜10μmである。
液晶を注入する方法は特に制限されず、作製した液晶セル内を減圧にした後、液晶を注入する真空法、液晶を滴下した後に封止を行う滴下法などを挙げることができる。
PSA方式の液晶表示素子では、使用される液晶として、光重合性化合物を少量(典型的には0.2〜1重量%)添加した液晶を用いる。この液晶が導入された液晶セルの、両側基板の電極間に電圧を印加した状態でUV照射することにより、重合性化合物がその場で重合し架橋されることで、液晶ディスプレイの応答速度が速くなる。ここで、印加する電圧は5〜30Vp−pであるが、好ましくは、5〜20Vp−pである。照射するUV照射量は、1〜60Jであるが、好ましくは、40J以下であり、UV照射量が少ないほうが、液晶ディスプレイを構成する部材の破壊からなる信頼性低下を抑制でき、かつUV照射時間を減らせることで製造上のタクトが上がるので好適である。
液晶表示素子に用いる基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されないが、通常は、基板上に液晶を駆動するための透明電極が形成された基板である。具体例は[液晶配向膜]で記載した基板と同様である。PSA方式の液晶セルに使用できる基板には、標準的なPVAやMVAといった電極パターンや突起パターンでも使用できる。しかし、PSA方式の液晶ディスプレイには、片側基板に1〜10μmのライン/スリット電極パターンを形成し、対向基板にはスリットパターンや突起パターンを形成していない構造においても動作可能であり、この構造の液晶ディスプレイによって、製造時のプロセスを簡略化でき、高い透過率を得ることができる。
また、TFT型の素子のような高機能素子においては、液晶駆動のための電極と基板の間にトランジスタの如き素子が形成されたものが用いられる。
透過型の液晶表示素子の場合は、上記の如き基板を用いることが一般的であるが、反射型の液晶表示素子では、片側の基板のみにならばシリコンウエハー等の不透明な基板も用いることが可能である。その際、基板に形成された電極には、光を反射するアルミニウムの如き材料を用いることもできる。
以下本発明の実施例によりさらに具体的に説明するが、これらに限定して解釈されるものではない。
本実施例で用いた化合物における略語は以下のとおりである。
TEOS:テトラエトキシシラン
C18:オクタデシルトリエトキシシラン
ACPS:3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
HG:2−メチル−2,4−ペンタンジオール(別名:ヘキシレングリコール)
BCS:2−ブトキシエタノール
UPS:3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン
MPMS:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
<実施合成例1>
温度計、還流管を備え付けた200mL(リットル)の四つ口反応フラスコ中で、HGを22.5g、BCSを7.5g、TEOSを28.3g、C18を1.7g、及びACPSを14.1g混合して、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、予めHGを11.2g、BCSを3.7g、水を10.8g及び触媒として蓚酸0.2gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下した。この溶液を30分間撹拌してから1時間還流させた後に放冷してSiO換算濃度が12重量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液10.0gに、BCS20.0gを混合し、SiO換算濃度が4重量%の液晶配向剤(K1)を得た。
<実施合成例2>
温度計、還流管を備え付けた200mLの四つ口反応フラスコ中で、HGを21.1g、BCSを7.0g、TEOSを19.2g、C18を1.7g、及びACPSを23.4g混合して、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、予めHGを10.5g、BCSを3.5g、水を10.8g及び触媒として蓚酸0.9gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下た。
この溶液を30分間撹拌してから1時間還流させた後、予めUPS含有量92質量%のメタノール溶液を1.2g、HGを0.5g及びBCSを0.2gの混合液を加えた。更に30分間還流させてから放冷してSiO換算濃度が12重量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液10.0gに、BCS20.0gを混合し、SiO換算濃度が4重量%の液晶配向剤(K2)を得た。
<実施合成例3>
温度計、還流管を備え付けた200mLの四つ口反応フラスコ中で、HGを20.2g、BCSを6.7g、TEOSを27.9g、C18を1.7g、及びMPMSを17.4g混合して、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、予めHGを10.0g、BCSを3.4g、水を10.8g及び触媒として蓚酸0.9gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下た。
この溶液を30分間撹拌してから1時間還流させた後、予めUPS含有量92質量%のメタノール溶液0.6g、HG0.3g及びBCS0.1gの混合液を加えた。更に30分間還流させてから放冷してSiO換算濃度が12重量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液10.0gに、BCS20.0gを混合し、SiO換算濃度が4重量%の液晶配向剤(K3)を得た。
<比較合成例1>
温度計、還流管を備え付けた200mLの四つ口反応フラスコ中で、HGを23.3g、BCSを7.7g、TEOSを40.8g、C18を1.7g混合して、アルコキシシランモノマーの溶液を調製した。この溶液に、予めHGを11.6g、BCSを3.9g、水を10.8g及び触媒として蓚酸0.2gを混合した溶液を、室温下で30分かけて滴下した。
この溶液を30分間撹拌してから1時間還流させた後に放冷してSiO換算固形分濃度が12重量%のポリシロキサン溶液を得た。
得られたポリシロキサン溶液10.0gに、BCS20.0gを混合し、SiO換算濃度が4重量%の液晶配向剤(L1)を得た。
<実施例1>
合成例1で得られた液晶配向処理剤[K1]を、画素サイズが100μm×300μmで、ライン/スペースがそれぞれ5μmのITO電極パターンが形成されているITO電極基板のITO面にスピンコートした。80℃のホットプレートで5分間乾燥した後、180℃の熱風循環式オーブンで30分間焼成を行い、膜厚100nmの液晶配向膜を形成した。
合成例1で得られた液晶配向処理剤[K1]を、電極パターンが形成されていないITO面にスピンコートし、80℃のホットプレートで5分間乾燥した後、180℃の熱風循環式オーブンで30分間焼成を行い、膜厚100nmの液晶配向膜を形成した。これらの2枚の基板を用意し、一方の基板の液晶配向膜面上に6μmのビーズスペーサーを散布した後、その上からシール剤を印刷した。他方の基板を液晶配向膜面を内側にし、張り合わせた後、シール剤を硬化させて空セルを作製した。液晶MLC−6608(メルク社製商品名)に対して式(S−1)で表される重合性化合物を0.2重量%添加した液晶を作製し、空セルに減圧注入法によって、前記液晶を注入した液晶セルを作製した。
Figure 2010126108
これら液晶セルの応答速度特性を、後述する方法により測定した。その後、この液晶セルに20Vp−pの電圧を印加した状態で、この液晶セルの外側からUVを20J照射した。その後、再び応答速度特性を測定し、UV照射前後での応答速度(単位ms:ミリセコンド)を比較した。その結果を表1に示した。
<実施例2>
液晶MLC−6608に添加する重合性化合物を0.05重量%に変更した以外は実施例1と同様にして応答速度を測定した。結果を表1に示した。
<実施例3>
液晶MLC−6608に添加する重合性化合物を0.02重量%に変更した以外は実施例1と同様にして応答速度を測定した。結果を表1に示した。
<実施例4>
液晶MLC−6608に重合性化合物を添加しなかった以外は実施例1と同様にして応答速度を測定した。結果を表1に示した。
<実施例5>
液晶配向処理剤[K1]を実施合成例2で得られた液晶配向処理剤[K2]に変更した以外は、実施例4と同様にして液晶セルを作製し、応答速度を測定した。その結果を表1に示した。
<実施例6>
液晶配向処理剤[K1]を実施合成例3で得られた液晶配向処理剤[K3]に変更した以外は、実施例4と同様にして液晶セルを作製し、応答速度を測定した。その結果を表1に示した。
<比較例1〜比較例4>
液晶配向処理剤[K1]を比較合成例1で得られた液晶配向処理剤[L1]に変更した以外は、実施例1〜実施例4と同様にして液晶セルを作製し、応答速度を測定した。その結果を表1に示した。
[応答速度特性]
電圧を印加していない液晶セルに、電圧 ±4V、周波数1kHzの矩形波を印加した際の、液晶パネルの輝度の時間変化をオシロスコープにて取り込んだ。電圧を印加していない時の輝度を0%、±4Vの電圧を印加し、飽和した輝度の値を100%として、輝度が10%から90%まで変化する時間を立ち上がりの応答速度とした。
Figure 2010126108
表1からわかるように、実施例の液晶セルでは、重合性化合物を0.05重量%と減らした場合でも、UV照射後の応答速度が重合性化合物0.2重量%の時と同程度まで向上した。更に重合性化合物を0.02重量%とした場合でも、応答速度は向上した。更に、重合性化合物を添加していない液晶を使用した場合でも、応答速度が向上した。実施例5,6では、重合性化合物を添加していない液晶で、応答速度が大きく向上した。一方、比較例では、重合性化合物を減らした場合や添加していない液晶の場合には、応答速度は向上しなかった。
本発明の液晶配向剤を用いて作製した液晶表示素子は、PSA方式の配向方式において、重合性化合物を減らした場合においても、応答速度を向上し良好な配向状態を得ることが可能で、更には重合性化合物を添加しない液晶を使用した場合においても、PSA方式と同等な特性を得ることが可能な液晶表示素子を提供することができる。この結果、PSA方式のTFT液晶表示素子、TN液晶表示素子、VA液晶表示素子などに有用である。
なお、2009年5月1日に出願された日本特許出願2009−112197号及び2009年10月29日に出願された日本特許出願2009−249301号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (13)

  1. 式(1)で表されるアルコキシシラン及び式(2)で表されるアルコキシシランを含むアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンを含有する液晶配向剤。
    Si(OR (1)
    (Rはフッ素原子で置換されていてもよい、炭素原子数8〜30の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)
    Si(OR (2)
    (Rはアクリル基又はメタクリル基で置換されたアルキル基、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)
  2. ポリシロキサンが、さらに、下記式(3)で表されるアルコキシシランを含有するアルコキシシランを重縮合して得られるポリシロキサンである、請求項1に記載の液晶配向剤。
    (RSi(OR4−n (3)
    (Rは、水素原子、又はヘテロ原子、ハロゲン原子、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基、イソシアネート基若しくはウレイド基で置換されていてもよい、炭素原子数1〜16の炭化水素基であり、Rは炭素原子数1〜5のアルキル基であり、nは0〜3の整数を表す。)
  3. 前記式(1)で表されるアルコキシシランが、式(1)におけるRが炭素原子数が8〜22の炭化水素基であり、Rがメチル又はエチルである請求項1又は2に記載の液晶配向剤。
  4. 前記式(2)で表されるアルコキシシランが、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1〜3のいずれかに記載の液晶配向剤。
  5. 前記式(3)で表されるアルコキシシランのRが、炭素原子数1〜6の炭化水素基である、請求項2〜4のいずれかに記載の液晶配向剤。
  6. 前記式(3)で表されるアルコキシシランが、式(3)におけるnが0である、テトラアルコキシシランである請求項2〜5のいずれかに記載の液晶配向剤。
  7. 前記式(1)で表されるアルコキシシランが、全アルコキシシラン中、0.1〜30モル%含まれ、かつ前記式(2)で表されるアルコキシシランが全アルコキシシラン中、3〜60モル%含まれる請求項1〜4のいずれかに記載の液晶配向剤。
  8. 前記式(3)で表されるアルコキシシランが、全アルコキシシラン中、10〜96.9モル%含まれる請求項2〜7のいずれかに記載の液晶配向剤。
  9. ポリシロキサンの含有量が、SiO換算濃度で、0.5〜15質量%含有される請求項1〜8のいずれかに記載の液晶配向剤。
  10. 請求項1〜9のいずれかに記載の液晶配向剤を基板に塗布し、焼成して得られる液晶配向膜。
  11. 請求項10に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
  12. 請求項1〜9のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布し、焼成された2枚の基板で液晶が挟持された液晶セルに、電圧を印加した状態でUVを照射した液晶表示素子。
  13. 請求項1〜9のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布し、焼成した2枚の基板で液晶を挟持し、電圧を印加した状態でUVを照射する液晶表示素子の製造方法。
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