JPWO2010090088A1 - 基材作製方法、ナノインプリントリソグラフィ方法及び型複製方法 - Google Patents
基材作製方法、ナノインプリントリソグラフィ方法及び型複製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010090088A1 JPWO2010090088A1 JP2010549432A JP2010549432A JPWO2010090088A1 JP WO2010090088 A1 JPWO2010090088 A1 JP WO2010090088A1 JP 2010549432 A JP2010549432 A JP 2010549432A JP 2010549432 A JP2010549432 A JP 2010549432A JP WO2010090088 A1 JPWO2010090088 A1 JP WO2010090088A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- mold
- substrate
- base material
- transferred
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
Description
図1は第1の実施形態による基材作製方法の各工程(a)〜(f)を説明するための図である。図2は図1の基材作製方法の各工程(c)(d)(f)をより詳しく説明するために示す型と基材の側面図(a)〜(c)である。図1,図2を参照しながら、本実施形態による基材作製方法を説明する。なお、図1,図2及び後述の各図では、型の微細凹凸構造や型・基材の厚さや平面度等が誇張して描かれている。
第2の実施形態は、図1,図2において樹脂層12と基材13との間の吸着力を大きくするために前処理を行うか(図6,図7)または各材料を選択し組み合わせるもの(図8)である。
第3の実施形態は、第1または第2の実施形態による基材作製方法を用いて行うナノインプリントリソグラフィ方法である。図9は第3の実施形態によるナノインプリントリソグラフィ方法の各工程(a)〜(i)を説明するための図である。
第4の実施形態は、第1または第2の実施形態による基材作製方法を用いて転写型の複製を得る方法である。本実施形態による第1例〜第5例について説明する。
転写型材料はシリコンウエハ(4インチ、厚さ0.525mm、平面度PV=5μm(有効径50mm))を用いた。転写型に電子ビーム描画によってレジストマスクを作製し、ドライエッチングによって、周期的に微細な凹凸のある微細形状を掘り込んだ。この微細形状は構造周期620nm、ホール径310nm、構造深さ200nmのホールアレイ構造である。
実施例1の変形例として、転写型材料として石英ガラスやパイレックス(登録商標)ガラスなどその他のガラス、SOG(スピンオングラス)、また、その複合材料(ガラスの上にSOGが塗布されたもの)を用いた場合でも、実施例1と同様に転写できた。
転写型材料はシリコンウエハ(4インチ、厚さ0.525mm、平面度PV=5μm(有効径50mm))を用いた。転写型に電子ビーム描画によってレジストマスクを作製し、ドライエッチングによって微細形状を掘り込んだ。この微細形状は構造周期620nm、ホール径310nm、構造深さ200nmのホールアレイ構造である。
実施例2の変形例として、転写型材料として石英ガラスやパイレックス(登録商標)ガラスなどその他のガラス、SOG(スピンオングラス)、またその複合材料(ガラスの上にSOGが塗布されたもの)を用いた場合でも実施例2と同様に転写できた。
転写型材料は樹脂(石英上のアクリル系紫外線硬化性樹脂に微細形状を形成したもの)を用いた。この転写型に被転写材としてアクリル系紫外線硬化性樹脂(東洋合成工業製PAK02)をスピンコート法で塗布した(3000rpm、60秒)。その後、窒素雰囲気下で、ピーク波長365nmの紫外線を1分間照射することで紫外線硬化性樹脂を硬化させた。この被転写材表面にUVオゾン処理(UV光源:低圧水銀ランプ、処理時間:2分)を行うことで被転写材表面を活性化(−OH配向)した。これに石英ガラス(3インチ、厚さ0.6mm、平面度PV2μm(有効径50mm))を貼り合わせ、自己吸着力(分子間力)によって全面を密着させた。その後、基材への密着性向上のために加熱処理(120℃、20秒)を行った。その後、室温まで冷却し離型を行うことで基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写できた。
実施例3の変形例として転写型材料はEBレジスト、フォトレジスト、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いた場合でも、実施例3と同様に転写できた。
転写型材料は樹脂(石英上のアクリル系紫外線硬化性樹脂に微細形状を形成したもの)を用いた。この転写型に被転写材としてアクリル系紫外線硬化性樹脂(東洋合成工業製PAK02)をスピンコート法で塗布した(3000rpm、60秒)。その後、窒素雰囲気下で、ピーク波長365nmの紫外線を1分間照射することで紫外線硬化性樹脂を硬化させた。基材としてポリイミド樹脂(3インチ、厚さ0.6mm、平面度PV5μm(有効径50mm))を用いた。この基材と被転写材表面にUVオゾン処理(UV光源:低圧水銀ランプ、処理時間:2分)を行うことで基材と被転写材表面を活性化(−OH配向)した。基材と被転写材を自己吸着力(分子間力)によって全面を密着させた。その後、基材への密着性向上のために加熱処理(120℃、20秒)を行った。その後、室温まで冷却し離型を行うことで基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写できた。
実施例4の変形例として転写型材料はEBレジスト、フォトレジスト、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いた場合でも同様に転写できた。
転写型材料は樹脂(石英上のアクリル系紫外線硬化性樹脂に微細形状を形成したもの)を用いた。この転写型に被転写材としてSOG(東京応化工業製OCD T−12)をスピンコート法で塗布した(6000rpm、30秒)。この被転写材表面にUVオゾン処理(UV光源:低圧水銀ランプ、処理時間:2分)を行うことで被転写材表面を活性化(−OH配向)した。これに石英ガラス(3インチ、厚さ0.6mm、平面度PV2μm(有効径50mm))を貼り合わせ、自己吸着力(分子間力)によって全面を密着させた。その後、基材への密着性向上のために加熱処理(120℃、20秒)を行った。その後、室温まで冷却し離型を行うことで基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写できた。なお、本実施例で使用したSOGはスピンコート処理後ただちに溶媒が揮発し硬化が完了する。溶媒が揮発し難いSOGを用いた場合はベイク処理を行うことで溶媒揮発を行って硬化させてもよい。
実施例5の変形例として転写型材料はEBレジスト、フォトレジスト、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いた場合でも同様に転写できた。
転写型材料は樹脂(石英上のアクリル系紫外線硬化性樹脂に微細形状を形成したもの)を用いた。この転写型に被転写材としてSOG(東京応化工業製OCD T−12)をスピンコート法で塗布した(6000rpm、30秒)。基材材料としてポリイミド樹脂基材(3インチ、厚さ0.6mm、平面度PV5μm(有効径50mm))を用いた。被転写材表面と基材表面にUVオゾン処理(UV光源:低圧水銀ランプ、処理時間:2分)を行うことで被転写材表面と基材表面を活性化(−OH配向)した。基材と被転写材を自己吸着力(分子間力)によって全面を密着させた。その後、基材への密着性向上のために加熱処理(120℃、20秒)を行った。その後、室温まで冷却し離型を行うことで基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写できた。
実施例6の変形例として転写型材料はEBレジスト、フォトレジスト、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いた場合でも同様に転写できた。
転写型材料は樹脂(石英上のアクリル系紫外線硬化性樹脂に微細形状を形成したもの)を用いた。この転写型に被転写材としてSOG(東京応化工業製OCD T−12)をスピンコート法で塗布した(6000rpm、30秒)。基材材料として石英ガラス(3インチ、厚さ0.6mm、平面度PV=2μm(有効径50mm))を用いた。この基材材料表面と被転写材料表面にプライマー処理(信越化学KBM503、3000rpm、30秒スピンコート→100℃、1分間熱処理)を施した。基材と被転写材を自己吸着力(分子間力)によって全面を密着させた。その後、基材への密着性向上のために加熱処理(120℃、20秒)を行った。その後、室温まで冷却し離型を行うことで基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写できた。
実施例7の変形例として転写型材料はEBレジスト、フォトレジスト、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いた場合でも同様に転写できた。
実施例8は、プロセスを2回繰り返すことで転写型を複製したものである。転写型材料はシリコンウエハ(4インチ、厚さ0.525mm、平面度PV=5μm(有効径50mm))を用いた。転写型に電子ビーム描画によってレジストマスクを作製し、ドライエッチングによって微細形状を掘り込んだ。この微細形状は構造周期620nm、ホール径310nm、構造深さ200nmのホールアレイ構造である。この転写型に被転写材としてアクリル系紫外線硬化性樹脂(東洋合成工業製PAK02)をスピンコート法で塗布した(3000rpm、60秒)。その後、窒素雰囲気下で、ピーク波長365nmの紫外線を1分間照射することで紫外線硬化性樹脂を硬化させた。この被転写材表面にUVオゾン処理(UV光源:低圧水銀ランプ、処理時間:2分)を行うことで被転写材表面を活性化(−OH配向)した。これに石英ガラス(3インチ、厚さ0.6mm、平面度PV=2μm(有効径50mm))を貼り合わせ、自己吸着力(分子間力)によって全面を密着させた。その後、基材への密着性向上のために加熱処理(120℃、20秒)を行った。その後、室温まで冷却し離型を行うことで基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写した。
実施例9はナノインプリントリソグラフィへの応用である。転写型材料はシリコンウエハ(4インチ、厚さ0.525mm、平面度PV=5μm(有効径50mm))を用いた。転写型に電子ビーム描画によってレジストマスクを作製し、ドライエッチングによって微細形状を掘り込んだ。微細形状は構造周期620nm、ホール径310nm、構造深さ200nmのホールアレイ構造である。この転写型に被転写材としてアクリル系紫外線硬化性樹脂(東洋合成工業製PAK02)をスピンコート法で塗布した(3000rpm、60秒)。その後、窒素雰囲気下で、ピーク波長365nmの紫外線を1分間照射することで紫外線硬化性樹脂を硬化させた。この手法で転写型上に被転写材が約1μm成膜された。この被転写材表面に酸素アッシング処理を4分間行うことで、樹脂の厚みを50nmと薄膜化するとともに表面を活性化させた。これに石英ガラス(3インチ、厚さ0.6mm、平面度PV=2μm(有効径50mm))を貼り合わせ、自己吸着力(分子間力)によって全面を密着させた。その後、基材への密着性向上のために加熱処理(120℃、20秒)を行った。その後、室温まで冷却し離型を行うことで基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写した。
上記実施例1〜9及び変形例1〜7では接着性を増強する為に自己吸着後に加熱処理を行っているが、所定時間放置(12時間)することでも同様に転写できた。
上記実施例1〜9及び変形例1〜7では接着性を増強する為に自己吸着後に加熱処理を行っているが、加圧処理(4MPa、1分)することでも同様に転写できた。
上記実施例1〜9及び変形例1〜7では接着性を増強する為に自己吸着後に加熱処理を行っているが、静電処理(基板間に1000V印加、30秒)することでも同様に転写できた。
上記実施例1〜9及び変形例1〜10では自己吸着させる基材と被転写材層の互いの面は分子間力によって変形できる程度の剛性であることが好ましいが、互いの面がテンパックスガラス基板の場合、外形と厚さを変えて実験した結果、表1のような結果となった。基材と被転写材層の外径と厚さの組み合わせは、表1の吸着できる範囲(○で示す)であることが好ましい。
上記実施例及び変形例では常温常圧の状態で基材と被転写材との貼り合わせを行ったが、本実施例では基本的な条件を実施例1と同様にし、貼り合わせ工程において気泡をはらむ可能性をなくし、歩留まりを向上させるために10Paの真空チャンバ内において常温で貼り合わせ、自己吸着力(分子間力)によって全面を密着させた。その後、大気圧下で基材への密着性向上のために加熱処理(120℃、20秒)を行った。その後、室温まで冷却し離型を行うことで基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写することができた。
本実施例では基本的な条件を実施例1と同様にし、転写材の形成方法を蒸着とした。転写型に被転写材層としてPMMA(ポリメタクリレート)を真空蒸着によって200nm成膜した。これ以外の工程は、実施例1と同様にして基材表面に微細形状を持つ被転写材を転写することができた。
11 転写型
12 樹脂層、被転写材層
13 基材
14 残膜
15 基材
17、19、23、26、28 微細凹凸構造
20 基材
21 SOG層、被転写材層
22、25 基材
Claims (20)
- 転写型に被転写材からなる硬化した層を形成し、
前記硬化した被転写材層表面に、前記被転写材層の表面と物理的相互作用によって密着可能な表面を有する基材を重ね合わせ、
密着により一体化させた被転写材層及び基材と、前記転写型と、を分離することで、前記被転写材層が転写された基材を作製することを特徴とする基材作製方法。 - 前記重ね合わせを常温常圧の状態で行うことを特徴とする請求項1に記載の基材作製方法。
- 前記重ね合わせを常温減圧の状態で行うことを特徴とする請求項1に記載の基材作製方法。
- 前記転写型は微細構造を有し、該微細構造を前記被転写材層の前記基材と密着する表面とは反対側の、もう一方の表面に転写することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 前記被転写材は、紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、フォトレジスト、電子ビームレジスト及びスピンオンガラス(SOG)から選ばれる少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 前記転写型に前記被転写材を塗布した後に硬化させることで前記被転写材層を形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 前記被転写材の塗布を、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法及びバーコート法のうちのいずれかにより行うことを特徴とする請求項6に記載の基材作製方法。
- 前記塗布した被転写材について、紫外線硬化、熱硬化及び溶剤揮発のうちの少なくともいずれか1つにより硬化処理を行うことを特徴とする請求項6または7に記載の基材作製方法。
- 前記転写型に前記被転写材層を蒸着、蒸着重合、CVD及びスパッタリングのうちのいずれかにより形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 前記転写型は、シリコン、石英、SOG、樹脂及び金属のうちの少なくとも1つから構成されることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 前記基材は、石英、ガラス、シリコン、樹脂及び金属のうちの少なくとも1つから構成されることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 前記基材と前記被転写材層との間の密着力が前記被転写材層と前記転写型との間の密着力よりも大きくなるように前記基材、前記被転写材及び前記転写型の各材料を組み合わせることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 前記基材と前記被転写材層との間の密着力が前記被転写材層と前記転写型との間の密着力よりも大きくなるように前記基材及び前記被転写材層の密着する各表面の少なくとも一方に対し前記重ね合わせの前に前処理を行うことを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 前記前処理は、UVオゾン処理、プライマー処理、酸素アッシング処理、帯電処理、窒素プラズマ処理及び洗浄処理の内のいずれかであることを特徴とする請求項13に記載の基材作製方法。
- 前記基材と前記被転写材層との密着後に、所定時間放置、加熱処理、静電気吸着処理及び加圧処理のうちのいずれかを実行してから、前記分離を行うことを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の基材作製方法。
- 請求項1から15のいずれか1項に記載の基材作製方法により作製した基材について被転写材層をマスクとしてリソグラフィ加工を行うことを特徴とするナノインプリントリソグラフィ方法。
- 請求項1から15のいずれか1項に記載の基材作製方法により作製した基材の被転写材層を用いて別の基材に別の被転写剤層を転写し、前記別の基材について別の被転写材層をマスクとしてリソグラフィ加工を行うことを特徴とするナノインプリントリソグラフィ方法。
- 請求項1から15のいずれか1項に記載の基材作製方法により被転写剤層が転写された基材を用いて転写型を複製することを特徴とする型複製方法。
- 前記被転写材層が転写された基材を2代目型とすることを特徴とする請求項18に記載の型複製方法。
- 前記被転写材層が転写された基材を第2の転写型として用いて第2の基材に第2の被転写剤層を転写し、前記第2の基材を用いて3代目型を作製することを特徴とする請求項18に記載の型複製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010549432A JP5633744B2 (ja) | 2009-02-03 | 2010-01-25 | 基材作製方法、ナノインプリントリソグラフィ方法及び型複製方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009022387 | 2009-02-03 | ||
JP2009022387 | 2009-02-03 | ||
PCT/JP2010/050887 WO2010090088A1 (ja) | 2009-02-03 | 2010-01-25 | 基材作製方法、ナノインプリントリソグラフィ方法及び型複製方法 |
JP2010549432A JP5633744B2 (ja) | 2009-02-03 | 2010-01-25 | 基材作製方法、ナノインプリントリソグラフィ方法及び型複製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010090088A1 true JPWO2010090088A1 (ja) | 2012-08-09 |
JP5633744B2 JP5633744B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=42541992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010549432A Expired - Fee Related JP5633744B2 (ja) | 2009-02-03 | 2010-01-25 | 基材作製方法、ナノインプリントリソグラフィ方法及び型複製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110277922A1 (ja) |
JP (1) | JP5633744B2 (ja) |
WO (1) | WO2010090088A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015535941A (ja) * | 2012-08-22 | 2015-12-17 | ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション | ソフトリソグラフィを用いてミニチュア内視鏡を製作するためのシステム、方法、およびコンピュータ・アクセス可能媒体 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101120034B1 (ko) * | 2008-10-08 | 2012-03-23 | 태양연마 주식회사 | 요철을 갖는 이형성 기재를 이용한 연마포지의 제조방법 |
JP2011066273A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Konica Minolta Holdings Inc | 微細マスクパターンの形成方法、ナノインプリントリソグラフィ方法および微細構造体の製造方法 |
JP5567960B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2014-08-06 | Dmg森精機株式会社 | 光学スケールの製造方法 |
EP2862707A4 (en) * | 2012-06-13 | 2015-07-15 | Asahi Kasei E Materials Corp | FUNCTION TRANSFER OBJECT, METHOD FOR TRANSFERRING THE FUNCTIONAL LAYER, PACKAGING AND FUNCTION TRANSFER FILM ROLL |
JP5687679B2 (ja) | 2012-11-20 | 2015-03-18 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
JP6276014B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2018-02-07 | 旭化成株式会社 | 微細パタン形成用積層体及び微細パタン形成用フィルムロール並びに微細パタン形成用積層体の搬送方法 |
KR101345750B1 (ko) | 2013-02-27 | 2013-12-27 | (주)에이피앤 | 나노 전자소자 제조방법 |
WO2017099492A1 (ko) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 주식회사 기가레인 | 임프린트 장치 및 방법 |
JP7053587B2 (ja) | 2016-09-27 | 2022-04-12 | イラミーナ インコーポレーテッド | インプリント基板 |
TWI637834B (zh) * | 2017-07-11 | 2018-10-11 | 台灣奈米碳素股份有限公司 | 微流道裝置的製造方法及其結構 |
CN110596805B (zh) * | 2019-09-19 | 2022-02-22 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种双面微结构聚酰亚胺薄膜光学器件的制备方法 |
JP7432887B2 (ja) * | 2019-11-05 | 2024-02-19 | ニチコン株式会社 | アルミニウム箔の表面加工方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3161362B2 (ja) * | 1997-05-01 | 2001-04-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 微小構造体、その製造方法、その製造装置、基板および成形型 |
JP2007152724A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Nikon Corp | 樹脂の成型方法、及び光学素子の製造方法 |
JP2007245702A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Asahi Glass Co Ltd | テンプレートおよび転写微細パターンを有する処理基材の製造方法 |
JP2007245684A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Sekisui Chem Co Ltd | レプリカモールドの製造方法 |
JP5211538B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2013-06-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 凹凸形状を有するフィルムの製造方法、凹凸形状を有するフィルム、及び凹凸形状を有する支持体の製造方法、凹凸形状を有する支持体 |
-
2010
- 2010-01-25 JP JP2010549432A patent/JP5633744B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-25 WO PCT/JP2010/050887 patent/WO2010090088A1/ja active Application Filing
- 2010-01-25 US US13/146,536 patent/US20110277922A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015535941A (ja) * | 2012-08-22 | 2015-12-17 | ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション | ソフトリソグラフィを用いてミニチュア内視鏡を製作するためのシステム、方法、およびコンピュータ・アクセス可能媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110277922A1 (en) | 2011-11-17 |
JP5633744B2 (ja) | 2014-12-03 |
WO2010090088A1 (ja) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5633744B2 (ja) | 基材作製方法、ナノインプリントリソグラフィ方法及び型複製方法 | |
JP5411557B2 (ja) | 微細構造転写装置 | |
TWI358608B (en) | Method to reduce adhesion between a conformable re | |
KR101020634B1 (ko) | 기능성 나노패턴을 갖는 렌즈의 제조방법 | |
JP2005515617A (ja) | 非粘着性のモールドを使用する、パターン化された構造の複製 | |
TWI576229B (zh) | 奈米壓印之安全分離技術 | |
JP2008221552A (ja) | 微細構造転写装置、スタンパおよび微細構造の製造方法 | |
JP5480530B2 (ja) | 微細構造転写方法及び微細構造転写装置 | |
US20090243152A1 (en) | Imprinting method and stamper | |
JP2009006620A (ja) | インプリント用スタンパとその製造方法 | |
JP5694889B2 (ja) | ナノインプリント方法およびそれに用いられるナノインプリント装置並びにパターン化基板の製造方法 | |
TWI665078B (zh) | 製造圖案化印模以圖案化輪廓表面之方法、供在壓印微影製程中使用之圖案化印模、壓印微影方法、包括圖案化輪廓表面之物件及圖案化印模用於壓印微影之用法 | |
JP2011066273A (ja) | 微細マスクパターンの形成方法、ナノインプリントリソグラフィ方法および微細構造体の製造方法 | |
JP2009190300A (ja) | インプリント法 | |
JP5416420B2 (ja) | 微細構造転写装置 | |
JP2009158729A (ja) | インプリント用基板 | |
KR20150053303A (ko) | 복제 몰드 제조 방법 및 이를 이용한 미세 구조 및 그 활용. | |
US10493747B2 (en) | Method and device for embossing of a nanostructure | |
US9180608B2 (en) | Stamp, method of manufacturing the same, and imprinting method using the stamp | |
KR101208661B1 (ko) | 나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법 | |
KR102279239B1 (ko) | 임프린트 공정을 이용한 역상 패턴 전사방법 | |
KR20140110397A (ko) | 역 임프린트 방식을 이용한 패터닝 방법 | |
JP2007102156A (ja) | 3次元構造物の製造方法、3次元構造物、光学素子及びステンシルマスク。 | |
JP2006164365A (ja) | 樹脂マスク層形成方法、情報記録媒体製造方法および樹脂マスク層形成装置 | |
US20120007276A1 (en) | Imprint template, method for manufacturing imprint template, and pattern formation method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120919 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140918 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141001 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5633744 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |