JPWO2010084924A1 - 電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス用基板、および電子デバイス - Google Patents

Abstract

光取り出し効率を向上することができ、製造が容易で信頼性の高い散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法を提供する。ガラス原料またはガラスを加熱溶解して溶融ガラスを製造する工程と、溶融金属を収容した溶融金属浴槽の浴面に溶融ガラスを連続的に供給して連続したガラスリボン６を形成する成形工程と、前記連続したガラスリボン６上に、所望の組成のガラス粉末Ｍを供給し、ガラス粉末Ｍの溶融または焼結により散乱層を形成する工程と、前記散乱層付きの連続したガラスリボンを徐冷する工程と、徐冷された前記散乱層付きの連続したガラスリボンを切断して散乱層付きガラス基板とする工程とを含む。

Description

本発明は、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス用基板、および電子デバイスに係り、特に、有機ＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの光デバイスの光取り出し構造向上技術に関する。

有機ＬＥＤ素子は、有機層を電極間に挟み、電極間に電圧を印加して、ホール、電子を注入し、有機層内で再結合させて、発光分子が励起状態から基底状態に至る過程で発生する光を取り出すもので、ディスプレイやバックライト、照明用途に用いられている。

有機層の屈折率は、波長４３０ｎｍで１．８〜２．１程度である。一方、例えば透光性電極層としてＩＴＯ（酸化インジウム錫：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を用いる場合の屈折率は、ＩＴＯ成膜条件や組成（Ｓｎ-Ｉｎ比率）で異なるが、１．９〜２．１程度が一般的である。このように有機層と透光性電極層の屈折率は近く、発光光は有機層と透光性電極層間で全反射することなく、透光性電極層と透光性基板の界面に到達する。透光性基板には通常ガラスや樹脂基板が用いられるが、これらの屈折率は１．５〜１．６程度であり、有機層或いは透光性電極層の屈折率よりも低い。スネルの法則から考えると、ガラス基板に浅い角度で進入しようとした光は全反射で有機層方向に反射され、反射性電極で再度反射され再び、ガラス基板の界面に到達する。この時、ガラス基板への入射角度は変わらないため、反射を有機層、透光性電極層内で繰り返し、ガラス基板から外に取り出すことができない。概算では、発光光の６０％程度がこのモード（有機層・透光性電極層伝播モード）で取り出せない。同様なことが基板、大気界面でも起き、これにより発光光の２０％程度がガラス内部を伝播して、光が取り出せない（基板伝播モード）。従って、有機ＬＥＤ素子の外部に取り出せる光の量は、発光光の２０％足らずになっているのが現状である。

ここで、基板上に散乱層を設け、取り出し効率を向上させることを開示した文献がある（特許文献１）。なお、特許文献１は、透光性の基板上に、スプレー等により、付加層（散乱層）を形成することを開示している。

日本国特開２００５−６３７０４号公報

しかしながら、特許文献１は、効率よく散乱層を作成することについてなんら記載及び示唆をしていない。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、光取り出し効率を向上することができ、製造が容易で信頼性の高い電子デバイス用基板の製造方法を提供することを目的とする。

そこで本発明では、ガラス基板を用意する工程と、所望の組成のガラス粉末を形成する工程と、前記ガラス粉末を前記ガラス基板上に供給して、熱により、散乱層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
この構成によれば、所望の組成のガラス粉末を形成しておき、これをガラス基板上で熱により散乱層を形成するようにしているため、所望の屈折率を有するガラス層を制御性よく、容易に形成することが可能となる。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法であって、前記散乱層を形成する工程は、さらに、前記ガラス基板上に供給された前記ガラス粉末を焼成する工程を含む。
この構成によれば、ガラス粉末を溶融してガラス層を形成するための熱をガラス粉末をガラス基板に供給した後に供給することで、所望の特性のガラス層からなる散乱層を形成することができる。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法において、ガラス原料またはガラスを加熱溶解して溶融ガラスを製造する工程と、溶融金属を収容した溶融金属浴槽の浴面に溶融ガラスを連続的に供給して連続したガラスリボンを形成する成形工程と、前記連続したガラスリボン上に、所望の組成のガラス粉末を供給し、ガラス粉末の溶融または焼結により散乱層を形成する工程と、前記散乱層付きの連続したガラスリボンを徐冷する工程と、徐冷された前記散乱層付きの連続したガラスリボンを切断して散乱層付きガラス基板とする工程とを含む。
この構成によれば、ガラスリボンの形成工程における徐冷工程における熱を利用してガラス粉末をガラスリボン上で溶融または焼結し、散乱層を形成するようにしている。すなわち、新たに昇温工程を付加するのではなく、ガラスリボンの搬送および徐冷途上で、その位置におけるガラスリボンの温度をそのままガラスリボン上でガラス粉末を溶融させ散乱層を形成するための熱として用いている。このため、製造に要する時間を大幅に短縮できる。また、新たな昇温工程、降温工程が不要であるため、ガラス基板としての熱履歴（熱変化）を少なくすることができ、熱変化による劣化を防ぐことができる。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法において、前記散乱層を形成する工程が、第１の屈折率を有するベース材と、前記ベース材中に分散された、前記ベース材と異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質とを具備し、前記散乱層内部から最表面にむかって、散乱層中の散乱物質の層内分布が、小さくなっている散乱層を形成する工程であるものを含む。
この構成によれば、表面が平坦で、上層に電極を形成し、デバイスを形成する場合に、均一な膜を形成できる。したがって有機ＬＥＤ素子など、２つの電極で有機層を挟んだ光デバイスを形成する場合には電極間距離を均一にでき、電界集中による劣化を防止できる。特に自己発光型の光デバイスの場合に有効である。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法において、前記供給する工程は、前記ガラス粉末を静電粉体塗装により直接前記基板上に吹き付ける工程であるものを含む。
この構成によれば、均一かつ容易にガラス粉末を供給することができる。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法において、前記供給する工程は、前記ガラス粉末を、液体中に分散させてスプレー法により吹き付ける工程であるものを含む。
この構成によれば、均一かつ容易にガラス粉末を供給することができる。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法において、前記供給する工程は、前記ガラス粉末を、溶融しながら溶射法により前記ガラス基板上に供給する工程であるものを含む。
この構成によれば、複数種のガラス粉末を混合する場合にも溶融して均一にし、供給することができる。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法において、前記ガラス粉末を形成する工程は、第１の屈折率を有するベース材の原料を調合溶解し、原料ガラスを形成する工程と、前記原料ガラスを所望の粒径となるように粉砕するとともに、前記ベース材と異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質とを混合する工程とを含む。
この構成によれば、所望のベース材原料でガラスを形成した後、粉砕し散乱物質とを混合することで所望の散乱物質が分散しているガラス粉末を得ることができ、これをガラス基板またはガラスリボン上に供給し、散乱物質および所望の組成のガラス層からなる散乱層を形成することができる。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法において、前記散乱層を形成する工程は、前記ガラス基板上で、半球状の散乱性表面を形成する工程を含むものを含む。
この構成によれば、ガラス基板上で表面張力により半球状となるようにガラス粉末の供給量を調整することで、所望の散乱性表面を得ることができる。

また、本発明の有機ＬＥＤ素子の製造方法では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法に記載の電子デバイス用基板の製造方法を含み、前記第１電極上に発光機能を有する層を形成する工程と、前記発光機能を有する層上に第２電極を形成する工程とを含む。
この構成によれば、表面が平坦で、均一な膜を形成でき、電極間距離を均一にでき、電界集中による劣化を防止でき、また散乱層の存在による光取り出し効率の向上から、信頼性の向上を図ることができる。

また本発明では、ガラス基板と、前記ガラス基板上に、島状に形成された複数個のガラス散乱領域とを含む。

また本発明では、上記電子デバイス用基板において、前記島状に形成された複数個のガラス散乱領域は、前記ガラス基板上に、散乱物質を含むガラス層を介して形成される。

また本発明の導電膜付きの電子デバイス用基板の製造方法は、上記電子デバイス用基板の散乱層の上に、導電膜を形成する工程を具備している。

また本発明の自己発光型電子素子では、導電膜付きの電子デバイス用基板と、前記電子デバイス用基板の導電膜上に、順次積層された発光機能を有する層と、第２の導電膜とを具備したことを特徴とする。

また本発明の有機ＬＥＤ素子は、前記発光機能を有する層が有機層である。

上記構成によれば、ガラス基板上に、所望の組成のガラス粉末を供給して熱により散乱層を形成するようにしているため、高精度の屈折率制御が可能であり、所望の屈折率を持つ散乱層を極めて容易に得ることができる。

本発明の実施の形態１の電子デバイスの製造方法を示すフローチャート図 本発明の実施の形態１の散乱層付き電子デバイス用基板の製造設備の一部を示す断面模式図 本発明の実施の形態１の方法を用いて形成した散乱層付き電子デバイス用基板を示す断面模式図 本発明の実施の形態１の方法を用いて形成した電子デバイスを示す断面模式図 本発明の実施の形態２の散乱層付き電子デバイス用基板製造設備の散乱層形成装置を示す要部拡大図 本発明の実施例の散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法を示す説明図 本発明の実施例の散乱層付き電子デバイス用基板を示す模式図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図

以下本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
（実施の形態１）
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、図１にフローチャートを示すように、ガラス原料またはガラスを加熱溶解して溶融ガラスを製造する工程（ステップＳ１００１）と、溶融金属を収容した溶融金属浴槽（溶融金属槽）の浴面に溶融ガラスを連続的に供給して連続したガラスリボンを形成する成形工程（ステップＳ１００２）と、前記連続したガラスリボン上に、所望の組成のガラス粉末を供給し、ガラス粉末の溶融により散乱層を形成する工程（ステップＳ１００３）と、前記散乱層付きの連続したガラスリボンを徐冷する工程（ステップＳ１００４）と、徐冷された前記散乱層付きの連続したガラスリボンを切断して散乱層付きガラス基板とする工程（ステップＳ１００５）とを含むことを特徴とする。

図２は本実施の形態の電子デバイス用基板の製造方法に用いられる製造設備の一部を示す断面模式図である。
図２に示す板ガラスの製造設備は、溶融ガラスを調製、清澄させる溶解清澄槽（図示略）の後段に設置され、溶融金属１ａが収容された溶融金属槽１と、溶融金属槽１の後段に設置された搬送室２と、この搬送室２の後段に設置された徐冷炉３とから概略構成されている。搬送室２の入口近傍には、本発明に係る散乱層形成装置としてのスプレーノズル２ｂが設置されている。また、徐冷炉３の後段には、ガラスリボンの表面を検査する欠点検出器（図示せず）と、冷却されたガラスリボンを切断する切断機（図示せず）とが備えられている。

フロート法による散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法においては、図２の製造設備を用いて、まず、溶融金属を収容した溶融金属槽１の水平な浴面に溶融ガラスを連続的に供給してガラスリボン６を形成し、次にガラスリボン６を、溶融金属槽出口より引き上げて溶融金属槽外へ引き出す。このガラスリボンを浴槽の出口から引き上げる延伸力で目標の厚みに成形する。次いで、ガラスリボンを、リフトアウトロール２ａ上を搬送させながら、散乱層を形成するためのガラス粉末をエタノール中に分散させて形成した懸濁液をスプレーノズル２ｂを介してスプレー法により、このガラスリボン上に供給し、徐冷炉３に搬入し、徐冷炉内を搬送させながら徐冷する。その後、ガラスリボンを所定の長さに切断することによって、散乱層付き電子デバイス用基板を製造する。

溶融金属槽１には、金属錫等からなる溶融金属１ａが満たされており、溶解清澄槽（図示略、以下同様）から溶融ガラス５がこの溶融金属１ａの浴面１ｂ上に連続的に供給されるように構成されている。
そして、搬送室２の入り口付近にはガラス粉末の懸濁液を供給するためのスプレーノズル２ｂがリフトアウトロール２ａに対向して配置されており、ガラス粉末の懸濁液がガラスリボン６上に供給されるように構成されている。
次に、搬送室２にはリフトアウトロール２ａが備えられており、溶融金属槽１から板状に成形されたガラスリボン６をリフトアウトロール２ａの牽引力によって引き出すように構成されている。
また、徐冷炉３には、レヤーロール３ｂが備えられており、搬送室２から搬送されたガラスリボン６を、レヤーロール３ｂによって徐冷炉３内を搬送するように構成されている。

溶解清澄槽で溶融された溶融ガラス５は、溶解清澄槽から溶融金属槽１の溶融金属１ａの浴面１ｂ上に連続的に供給され、溶融ガラス５を所望の厚みと幅に成形された後、スプレーノズル２ｂからガラス粉末の懸濁液の供給を受けながら、リフトアウトロール２ａの牽引力によって引き伸ばされつつ溶融金属槽１の出口から引き出される。このとき、溶融ガラス５は、塑性変形し得る温度に調整されて散乱層付きガラスリボン６となる。成形された散乱層付きガラスリボン６は、搬送室２を通過して徐冷炉３に搬送され、徐冷炉３内部を通過する際に徐々に冷却される。このとき、搬送室２の入口に設置されたスプレーノズル２ｂによって、ガラスリボン６の上面に散乱層（図３，４参照：ここでは図示せず）が形成される。

なお、本実施の形態では散乱層形成のためのスプレーノズル２ｂを搬送室２の入口に設置する場合について説明したが、溶融金属槽１の後の工程であればよく、例えば徐冷炉３に設置してもよい。このスプレーノズル２ｂはガラス粉末の懸濁液を、ガラスリボン６に供給するものである。高温形成という観点からは、できる限り溶融金属槽１の直後に設置することが好ましいが、ガラスの状態が安定した徐冷炉３の入り口に設置することが好ましい。（以下、実施の形態２においても同様）

以上説明したように、本実施の形態によれば、基板となるガラスリボン６の上面にガラス粉末Ｍからなる散乱層をスプレー法により形成するので、ガラス粉末Ｍが搬送室２内部に飛散するおそれがなく、搬送室２内の設備の劣化を防止することができる。また、本実施の形態によれば、ガラスの組成によらずに散乱層Ｂを形成することができる。また、本実施の形態によれば、加熱状態にあるガラスリボン６上にガラス粉末Ｍを供給する。そして、ガラスリボン６上に付着したガラス粉末Ｍは、ガラスリボン６自体の熱で溶融される。よって、ガラス基板となるガラスリボン６と散乱層となるガラス粉末層の界面での密着性は、良い。なお、ガラスリボン６の表面温度によっては、ガラス基板となるガラスリボン６と散乱層となるガラス粉末層との界面に中間層を形成することができる。この中間層は、ガラス基板と散乱層との密着性の向上と、光学特性の向上に有効である。このため、ガラスリボンにガラス粉末を供給する位置、すなわち搬送室あるいは徐冷室における位置を調整することで、ガラス基板となるガラスリボン６の表面温度を制御することができる。

本実施の形態では、搬送室２及び／若しくは徐冷炉３に滞在するときのガラスリボン６の温度をそのまま利用してガラス粉末を溶融させるため、加熱装置を新たに設ける必要はなく、経済的である。また、本実施の形態では、ガラスリボン６の温度をそのまま利用することにより、ガラス基板の熱履歴（熱変化）を少なくすることができ、熱変化による劣化を防ぐことができる。また、本実施の形態では、ガラスリボン６の温度をそのまま利用することにより、散乱層形成のために再び加熱する必要はなく、そのためのエネルギーを削減することができる。そのため、本実施の形態は、環境にやさしく、ＣＯ_２の削減に貢献できる。
また、本実施の形態では、既存の搬送室２及び／若しくは徐冷炉３にガラス粉末Ｍを噴霧するスプレーノズル２ｂを設け、その滞在時間内でガラス粉末を溶融させるため、既存のガラスの製造時間において散乱層も形成することができる。そのため、本実施の形態では、製造に要する時間を大幅に短縮できる。

さらに、上記方法は、板ガラスの一面を溶融金属の浴面によって形成するとともに、他面である自由面は溶融ガラスが溶融金属上に広がることによって形成されるので、板ガラスの平坦性が極めて高くなり、また、大量生産にも適している。

また、フロート法においては、リフトアウトロール上を搬送された高温のガラスリボンを、後段の徐冷炉において冷却速度を制御しながら徐冷しているため、ガラスの急激な収縮による割れや平坦度の低下を防止することができる。

次に、上述した実施の形態の方法で形成した散乱層付き電子デバイス用基板およびこれを用いた有機ＬＥＤ素子について説明する。図３は、散乱層付き電子デバイス用基板、図４は、これを用いた有機ＬＥＤ素子の構造を示す断面図である。
本発明の電極および散乱層付き電子デバイス用基板１００は、図３に示すように、透光性のガラス基板１０１と、散乱層１０２と、透光性電極（図示せず）とにより構成される。
本発明の有機ＬＥＤ素子は、図４に示すように、上記電極および散乱層付き電子デバイス用基板１００と、有機層１１０と、反射性電極１２０とにより構成される。

製造に際しては、以下に詳述する方法で電極および散乱層付き電子デバイス用基板を形成した後、電荷注入層、発光層を含む有機層１１０を蒸着法あるいは塗布法により形成し、最後に反射性電極を形成する。

本発明の散乱層付き電子デバイス用基板１００は、透光性のガラス基板１０１と、前記ガラス基板上に形成されたガラスからなる散乱層１０２と透光性電極１０３を具備する。散乱層１０２は、透過する光の１波長に対して第１の屈折率を有するベース材１０５と、ベース材１０５中に分散された、ベース材１０５と異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質１０４とを具備する。散乱層１０２内に分散する散乱物質１０４の分布は、散乱層１０２内部から透光性電極１０３に向かうに連れて、小さくなっている。この場合における散乱物質１０４は、気泡である。なお、透光性電極１０３は、第１の屈折率と同じ若しくはより低い第３の屈折率を有する。

ここで、ガラスからなる散乱層１０２の半分の厚さ（δ／２）における散乱物質１０４の密度ρ_１と、透光性電極１０３と対向する側の散乱層１０２の表面（すなわち基板側の表面）から距離ｘ（δ／２＜ｘ≦δ）における散乱物質の密度ρ_２とは、ρ_１≧ρ_２を満たす。

さらに、ガラスからなる散乱層１０２の透光性電極１０３側表面からの距離ｘ（ｘ≦０．２μｍ）における散乱物質１０４の密度ρ_２が、距離ｘ＝２μｍにおける散乱物質１０４の密度ρ_１に対し、ρ_１＞ρ_２を満たす。このように表面近傍でより小さくなっているのが望ましい。このことは、ガラスリボンの表面温度５７０℃および５８０℃の場合について測定した結果、表面温度を若干変化させても同様の結果を得ることができた。

ここで、ガラスリボン６の表面温度が５７０℃及び５８０℃の領域で形成した散乱層１０２を切断し、その断面を研磨し、倍率１万倍でＳＥＭ写真を撮った。そして、その写真から、気泡の数と、気泡のガラス散乱層表面からの距離の関係を調べた。ＳＥＭ写真の横手方向の長さは１２．５μｍであった。ＳＥＭ写真に散乱層表層から０．２５μｍ刻みでラインを引き、この０．２５μｍ×１２．５μｍの枠中に確認できる泡の数をカウントした。ここで複数の枠にまたがって存在する泡は、下の枠にあるものとしてカウントした。その結果、透光性電極側表面に近い領域ではより密度ρが小さくなっていることがわかった。

さらにまた、ガラスからなる前記散乱層の透光性電極側表面からの距離ｘ（ｘ≦０．２μｍ）における散乱物質の密度ρ_２が、距離ｘ＝５μｍにおける前記散乱物質の密度ρ_１に対し、ρ_１＞ρ_２を満たすようにするのが望ましい。上記散乱層についての考察は本出願人の出願であるＰＣＴ／ＪＰ２００８／０６３３１９を参照することであきらかになろう。

この構成によれば、気泡や析出結晶あるいはベース材と異なる組成の材料からなる散乱物質は、ガラス層からなる散乱層表層及び直下よりも、散乱層内部により多く存在する。よって、散乱層表面は、平滑である。そのため、平滑な散乱層上に形成される透光性電極の厚さを均一にすることができ、その表面も平滑になる。同様に、平滑な透光性電極上に形成される有機層、及び有機層上に形成される反射性電極の厚さも均一にすることができ、それらの表面も平滑になる。この結果、発光機能を有する層に局所的に大電圧が印加されることもないため、長寿命化をはかることができる。

また高解像度ディスプレイのように、微細画素で構成する表示装置を形成する場合には、微細な画素パターンを形成する必要があり、表面の凹凸は、画素の位置やサイズにばらつきが生じる原因となるだけでなく、この凸凹で有機ＬＥＤ素子が短絡してしまうという問題があったが、微細パターンを精度よく形成することができる。

また、散乱層表面の表面粗さＲａは、３０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ましい。そのため、透光性電極が下地の影響を受けることなく、薄く形成することができる。散乱層表面の表面粗さＲａが３０ｎｍを越えると、その上に形成される有機層の被覆性が悪くなる場合があり、ガラス散乱層上に形成される透明電極ともう一方の電極との間で短絡が発生する場合がある。電極間短絡により、素子は不灯となるが、過電流を印加することにより、修復することが可能な場合がある。修復を可能とするうえで、ガラス散乱層の表面粗さＲａは、１０ｎｍ以下が好ましく、３ｎｍ以下がより好ましい。

なお、ある材料系ではガラスリボン６にガラス粉末Ｍを供給する時のガラスリボン６の温度を５７０℃以上としたときに表面粗さ１０ｎｍ以下とすることができることがわかっている（表１参照）。材料系によって最適な成膜条件は異なるが、散乱物質の種類や大きさをコントロールすることで散乱物質が最表面に存在するのを抑制し、表面平滑性に優れた散乱層を得ることができる。

なお、散乱層を、ガラスリボン上で形成した後、再度焼成を行うようにしてもよい。
また、散乱物質の大きさは、散乱層中に気泡がある場合、気泡が大きくなると、溶融や焼成などの散乱層形成プロセス途中で浮力が大きくなり、浮上し易くなり、最表面に到達すると気泡が破裂し、表面平滑性を著しく低下させることになる可能性がある。また相対的にその部分の散乱物質の数が少なくなるためその部分のみ散乱性が低下することにもなる。このように大きな気泡が凝集すれば、むらとなって視認されることにもなる。さらにまた直径が５μｍ以上の気泡の割合が１５％以下であるのが望ましく、さらに望ましくは、１０％以下であり、さらに望ましくは７％以下である。また、散乱物質が気泡以外の場合でも、相対的にその部分の散乱物質の数が少なくなるため、その部分のみ散乱性が低下することになる。従って散乱物質の最大長さが５μｍ以上のものの割合が１５％以下であるのが望ましく、望ましくは１０％以下であり、さらに望ましくは７％以下である。

次に散乱層を形成するためのガラス粉末の製造方法について説明する。
（ガラス粉末の作製方法）
ガラス粉末を準備する。ここで用いるガラス粉末は、所望の屈折率となるように、材料組成および散乱物質を制御して形成されたガラスを、所望の粒径となるように粉砕して得られる。
すなわち、所望の組成となるように、粉末原料を調合、溶解し、溶解した粉末原料をアルミナ製のボールミルで１２時間乾式粉砕し、平均粒径（ｄ５０、積算値５０％の粒度、単位μｍ）が１〜３μｍであるガラス粉末を作製した。このガラスのガラス転移温度は４８３℃、屈服点は５２８℃、熱膨張係数は８３×１０^−７（１／℃）である。このガラスのＦ線（４８６．１３ｎｍ）での屈折率ｎＦは２．０３５５８、ｄ線（５８７．５６ｎｍ）での屈折率ｎｄは１．９９８１０、Ｃ線（６５６．２７ｎｍ）での屈折率ｎＣは１．９８３４４である。屈折率は、屈折率計（カルニュー光学工業社製、商品名：ＫＲＰ−２）で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）および屈服点(Ａｔ)は、熱分析装置（Ｂｒｕｋｅｒ社製、商品名：ＴＤ５０００ＳＡ）で熱膨張法により、昇温速度５℃／分で測定した。

ここで用いるガラス粉末は粒径のＤ_１０が０．２μｍ以上でかつ、Ｄ_９０が５μｍ以下であるものを用いるのが望ましい。粒径のＤ_９０が５μｍを越えると、散乱層の膜厚に対する値が大きくなり、表面の均一性が低下する。一方粒径のＤ_１０が０．２μｍに満たないと、界面の存在比率が高くなり、結晶が析出し易く、失透し易いという問題がある。

ここで、散乱層を形成するガラス組成としては、ここでは表１に示すものを用いる。所望の散乱特性が得られ、懸濁液を形成可能であれば特に限定はされないが、取り出し効率を最大化するためには、例えば、Ｐ_２Ｏ_５を含み、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２及びＷＯ_３からなる群のうち少なくとも一つの成分を含有する系、Ｂ_２Ｏ_３及びＬａ_２Ｏ_３を必須成分として含み、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５及びＷＯ_３、から群のうち少なくとも一つの成分を含有する系、ＳｉＯ_２を必須成分として含み、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＴｉＯ_２のうちいずれか一成分を含有する系、Ｂｉ_２Ｏ_３を主成分として含有し、ガラス形成助剤としてＳｉＯ_２及び／若しくはＢ_２Ｏ_３などを含有する系などが挙げられる。なお、本発明において散乱層として使用する全てのガラス系において、環境に対して悪影響を及ぼす可能性のある成分である、Ａｓ_２Ｏ_３、ＰｂＯ、ＣｄＯ、ＴｈＯ_２、ＨｇＯについては、原料由来の不純物としてやむを得ず混入する場合を除いて含んでいてはならない。

更にまた、屈折率が低くてよい場合には、Ｒ_２Ｏ−ＲＯ−ＢａＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、ＲＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｐ_２Ｏ_５、Ｒ_２Ｏ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２等を用いることができる。
ここで、Ｒ_２Ｏは、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏのいずれか一つを含む。ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ及びＳｒＯのいずれか一つを含む。

（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態２について説明する。
なお実施の形態１では、基板となるガラスリボン６を形成しつつ、搬送室２の入り口において、スプレーノズル２ｂから懸濁液を吹き付けることで、散乱層Ｂとなるガラス層を形成した。実施の形態２では、図５に製造装置の要部拡大図を示すように、前記ガラス粉末を静電粉体塗装により直接前記基板（ガラスリボン６）上に吹き付けることで散乱層Ｂを形成するようにしたことを特徴とする。本実施の形態でもおおむね図２に示した前記実施の形態１の装置と同様の装置を用いるが、ガラスリボンの裏面側に静電粉体塗装装置（図２参照）を設けている点と、散乱層形成装置を徐冷室３の入り口に設けた点で、ローラによるガラス層の汚染や破壊を防ぐために、ローラではなく、把持部（図示せず）が所定の間隔で設けられている点で、異なる。ここでもガラス粉末は、粒径のＤ_１０が０．２μｍ以上でかつ、Ｄ_９０が５μｍ以下であるものを用いる。

次に、図５を参照して、本発明に係る散乱層形成装置の一例について説明する。散乱層形成装置は、ガラスリボン６の下面６ａ側に配置される。散乱層形成装置は、ガラス粉末を帯電状態かつ流動状態で保持する帯電装置１１（形成手段）と、ガラスリボン６を挟んで帯電装置１１と対向する位置に配置された引出電極１２とを備える。

引出電極１２は、平面視略矩形状に形成された板状の電極である。ここで、引出電極１２の長手方向の長さは、ガラスリボン６の幅と同じ、若しくはガラスリボン６の幅より長く設定されている。引出電極１２は、配線１２ａを介して、徐冷炉３の外部に設置された図示しない高電圧電源装置に接続されているか、または接地されている。

ガラス粉末の帯電装置１１は、帯電電極１３と、帯電電極１３を収納するとともにガラス粉末Ｍを流動状態で保持し、かつガラスリボン６側に開口部１４ｅを有する帯電化保持容器１４とから構成されている。
図５に示すように、帯電電極１３は、ガラスリボン６の幅方向に沿って延在する電極本体１３ａと、電極本体１３ａから上側（ガラスリボン６側）に向けて突出された複数の針状電極１３ｂとから構成されている。針状電極１３ｂは、相互に等間隔をあけて配置されている。帯電電極１３の材質は、７００℃程度で変形せず、かつ酸化しない耐熱材料からなることが好ましく、例えばステンレス合金、ニッケルまたはニッケル合金等が好ましい。また針状電極１３ｂの相互の間隔は、例えばガラスリボン６の幅１０ｃｍ毎に１本の割合で設置するとよい。なお、帯電電極１３の形状は本実施の形態の形状であることは必須ではなく、ガラス粉末Ｍを効率良く帯電させることが出来れば特に形状に限定されない。
電極本体１３ａの一端側には配線が接続されており、帯電電極１３はこの配線を介して、徐冷炉３の外部に設置された図示しない高電圧電源装置に接続されている。

次に図５に示すように、帯電化保持容器１４は、容器本体１４ａと、容器本体１４ａの内部に立設された一対の隔壁部１４ｂとから構成されている。容器本体１４ａの内部空間が一対の隔壁部１４ｂによって３つに区画されている。すなわち、容器本体１４ａには、隔壁部同士の間に位置する帯電化室１４ｃと、帯電化室１４ｃの両側に隔壁部１４ｂを介して配置された回収室１４ｄとが形成されている。そして、帯電化室１４ｃ及び回収室１４ｄは、ガラスリボン６の移動方向Ｌに沿って、回収室１４ｄ、帯電化室１４ｃ、回収室１４ｄの順に並ぶように配置されている。また、容器本体１４ａのガラスリボン６と対向する位置には開口部１４ｅが設けられており、帯電電極１３がガラスリボン６の下面６ａを臨む形になっている。

また、帯電化室１４ｃには、ガスのみを通過できる程度の細孔が設けられてなる整流部材１４ｆが備えられている。整流部材１４ｆより上側の部分は、ガラス粉末Ｍが帯電されかつ流動された状態で保持される帯電・流動部１４ｃ１である。整流部材１４ｆより下側の部分は、ガラス粉末Ｍを流動状態にするために帯電・流動部１４ｃ１に向けてガスを噴出させるためのガス導入部１４ｃ２である。帯電・流動部１４ｃ１の内部には、帯電電極１３が配置されている。また、ガス導入部１４ｃ２の内部には、ガス導入配管１４ｇが取り付けられている。更に、帯電・流動部１４ｃ１の内部には、ガラス粉末Ｍを供給する供給装置（図示略）が取り付けられている。例えば、供給装置としては、スクリューコンベア等である。

帯電・流動部１４ｃ１に供給されるガラス粉末Ｍとしては、ガラスリボン６に付着して緩衝作用を発現させ、高温で流動状態を形成しやすく、さらに帯電しやすく、凝集して粗大粒子を形成することがないものが望ましい。

また、ガラス粉末に加え、帯電助剤を添加してもよい。帯電助剤としては、ガラスと化学反応を起こさず容易に洗い流すことができ、かつ徐冷炉３（図２参照）内部の設備を腐食させないものが好ましい。例えばアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の硫酸塩、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の塩化物塩、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属炭酸塩、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、および金属硫化物からなり群から選択される１種以上の粉体が好ましく、芒硝（硫酸ナトリウムの十水塩）または炭酸カルシウムがより好ましい。

ガラス粉末Ｍの粒径は、例えば粒径のＤ_１０が０．２μｍ以上でかつ、Ｄ_９０が５μｍ以下であるものを用いる。程度が好ましいが、ガラスリボン６にガラス粉末Ｍを均一に付着させることが可能であれば、粒度について特に限定はない。

また、容器本体１４ａに設けられた開口部１４ｅによって、帯電・流動部１４ｃ１及び回収室１４ｄがガラスリボンの下面６ａ側に開放されている。また、各回収室１４ｄにはガス導出配管１４ｈがそれぞれが備えられている。ガス導出配管１４ｈは、帯電・流動部１４ｃ１から噴出されて回収室１４ｄに回収されたガラス粉末Ｍを含む導入ガスを、容器本体１４ａの外部に排出できるようになっている。

帯電化保持容器１４は、雰囲気温度が７００℃前後になる徐冷炉３の入口近傍に設置されることから、帯電化保持容器１４を構成する容器本体１４ａ、隔壁部１４ｂ及び整流部材１４ｆ等の部材はいずれも、耐熱性を有する材料で構成されることが好ましい。また、帯電化保持容器１４には、高電圧電源装置に接続される帯電電極１３が収納されることから、容器本体１４ａ、隔壁部１４ｂ及び整流部材１４ｆ等の構成部材はいずれも、絶縁性を有する材料で構成されることが好ましい。耐熱性及び絶縁性を満たす材料としては、石英ガラスまたはアルミナ系セラミックスに代表される各種の耐熱性セラミックスを例示できる。

帯電電極１３及び帯電電極用の配線は、帯電化保持容器１４の構成部材や徐冷炉３内部の設備に対して絶縁されていることが好ましい。帯電電極１３及びその配線が十分に絶縁されていない場合、絶縁されていない箇所において放電が生じてしまい、ガラス粉末Ｍに対する帯電効率が低下してしまうので好ましくない。特に、帯電化保持容器１４が設置される環境は数百℃程度の高温雰囲気であるため、僅かな絶縁不良箇所からでも放電が起こりやすい。絶縁対策としては、徐冷炉３内部における配線には、できるだけ金属部材を近接させないことが望ましい。また、配線には、耐熱・耐絶縁性材料で被覆することが望ましい。配線を被覆するチューブ（図示せず）の材質は、帯電化保持容器１４の構成材料と同様に耐熱性及び絶縁性を満たす材料を用いればよい。

次に、回収室１４ｄについて詳細に説明する。回収室１４ｄは、隔壁部１４ｂによって帯電化室１４ｃと区画されている。この隔壁部１４ｂの上端部１４ｂ１は、容器本体１４ａの上端部１４ａ１よりも下側に位置している。これにより、帯電化室１４ｃから供給されたガラス粉末Ｍの一部がガラスリボン６に付着せずに周囲に飛散した場合に、飛散したガラス粉末Ｍを容器本体１４ａの上端部１４ａ１によって堰き止め、回収室１４ｄに回収できる形になっている。

また、回収室１４ｄには、回収室１４ｄ内の雰囲気を吸引して取り出すためのガス導出配管１４ｈが取り付けられている。これにより、回収室１４ｄに回収されたガラス粉末Ｍを帯電化保持容器１４及び徐冷炉３の外部に排出できるようになっている。上記構成の回収室１４ｄを帯電化室１４ｃの両側に設置することによって、ガラス粉末Ｍの徐冷炉３内部への飛散を防止し、ガラス粉末Ｍによる徐冷炉３内の汚染を防止できる。なお、回収したガラス粉末は、再利用できるようになっている。

帯電化保持容器１４の開口部１４ｅとガラスリボン６との距離が近すぎると、ガラスリボン６が撓んだ際にガラスリボン６が帯電化保持容器１４に接触するおそれがある。また、開口部１４ｅとガラスリボン６との距離が離れすぎると、開口部１４ｅとガラスリボン６との間からガラス粉末Ｍが飛散して、徐冷炉３内部を汚染するおそれがある。従って帯電化保持容器１４は、ガラスリボン６に接触しない程度にガラスリボン６に近づけて設置すればよく、例えば帯電化防止容器１４の開口部１４ｅとガラスリボン６との距離を２〜５ｃｍ程度に設定するとよい。

次に、ガラスリボン６に散乱層を形成する方法について図５を参照して説明する。
まず、帯電化保持容器１４の帯電・流動部１４ｃ１にガラス粉末Ｍを供給する。そして、例えば乾燥空気または窒素等（以下、乾燥空気等ともいう）をガス導入配管１４ｇからガス導入部１４ｃ２に供給する。徐冷炉３内部の温度に影響を与えない様、乾燥空気等は加熱後導入しても良い。ガス導入部１４ｃ２に供給された乾燥空気等は、整流部材１４ｆを通過して整流部材１４ｆの上面全面から帯電・流動部１４ｃ１に均一に噴出される。この噴出された乾燥空気等によってガラス粉末が舞い上げられ、ガラス粉末Ｍが流動状態になる。

このとき、帯電電極１３に電力を供給することによって、ガラス粉末Ｍを例えばマイナスに帯電させる。帯電条件としては、ガラス粉末Ｍの種類、形成しようとする散乱層の厚み、および単位時間当たりのコーティング量によるが、例えば、１０ｋＶ以上、１００μＡ以上とすることが好ましい。

帯電されたガラス粉末Ｍは、針状電極１３ｂによってガラスリボン６の下面６ａに向けて誘導される。また、帯電されたガラス粉末Ｍは、引出電極１２によってもガラスリボン６の下面６ａに向けて誘導される。また、ガラスリボン６自体は、概ねプラスに帯電している。以上より、ガラス粉末Ｍがガラスリボン６の下面６ａに均一に付着して、ガラスリボンの熱によって、ガラスリボン６の下面６ａに散乱層Ｂ（１０２）が形成される。

なお、乾燥空気等によって帯電・流動部１４ｃ１内で流動状態にされた後に、帯電されずにガラスリボン６に付着されなかったガラス粉末Ｍや、帯電されたがガラスリボン６には付着されなかったガラス粉末Ｍは、回収室１４ｄに落下し、ガス導出配管１４ｈを介して乾燥空気等とともに帯電化保持容器１４の外部に取り出される。これにより、徐冷炉３内部の汚染が低減される。また、外部に取り出したガラス粉末Ｍは、フィルタで捕集して再利用できる。

以上説明したように、本実施の形態２によれば、ガラスリボン６の下面６ａにガラス粉末Ｍからなる散乱層Ｂを静電塗装法により形成するので、ガラス粉末Ｍが徐冷炉３内部に飛散するおそれがなく、徐冷炉３内の設備の劣化を防止することができる。また、プラスに帯電したガラスリボン６に対してマイナスに帯電させたガラス粉末Ｍを付着させる、所謂静電塗装法によって散乱層Ｂを形成するので、ガラスの組成によらずに散乱層Ｂを形成することができ、液晶ディスプレイ用の板ガラスのような、無アルカリガラスにも散乱層Ｂが形成可能である。

また、ガラスリボン６の下面６ａ側に帯電化保持容器１４を配置すると共に帯電化保持容器１４と対向する位置に引出電極１２を配置し、引出電極１２によって帯電状態のガラス粉末Ｍをガラスリボン６の下面６ａに向けて誘導し、ガラス粉末Ｍを下面６ａに付着させて散乱層Ｂを形成するので、下面６ａの全面に均一に散乱層Ｂを形成することができる。なお、ガラスリボン６自体はプラスに帯電しているので、引出電極１２がなくても乾燥空気等の流動によりマイナスに帯電しているガラス粉末Ｍをガラスリボン側に誘導させて散乱層Ｂを形成できるが、引出電極１２があったほうが、より効率よく散乱層Ｂを形成できる。
更に、ガラス粉末Ｍをガラスリボン６の下面６ａ側において帯電させるので、帯電されたガラス粉末Ｍをすみやかにガラスリボン６に付着させて散乱層Ｂを形成することができ、散乱層Ｂの形成効率が向上して散乱層Ｂを下面６ａ全面にもれなく形成できる。

なお、前記実施の形態では、プラスに帯電したガラスリボン６に対してマイナスに帯電させたガラス粉末Ｍを付着させるようにしたが、ガラスリボン６とガラス粉末Ｍとの組成によってはこの帯電電荷は逆であってもよく、マイナスに帯電したガラスリボン６に対してプラスに帯電させたガラス粉末Ｍを付着させるようにしてもよい。

更にまた、本実施の形態によれば、付着しきれなかったガラス粉末Ｍを、回収室１４ｄ及びガス導出配管１４ｈによって徐冷炉３の外部に排出させるので、ガラス粉末Ｍによって徐冷炉３内部が汚染されるおそれがなく、また外部に取り出したガラス粉末Ｍを再利用できる。

また、ガラスリボン上にガラス粉末を供給する工程は、前記実施の形態１および２の方法の他、ガラス粉末を、溶融しながら溶射法により前記ガラス基板上に供給するという方法をとるようにしてもよい。

また、再度、所望の温度で加熱する焼成工程を実施してもよい。さらにまた、ガラス粉末を供給する工程は複数回にわたってもよい。
さらにまた、ガラス基板を形成した後、このガラス基板上に散乱層を形成するようにしてもよい。このとき、ガラス基板が常温の時にガラス粉末を供給して、後に焼成してもよい。

また、ガラス基板または形成途中のガラスリボンにガラス粉末を供給する工程を、前記基板上に第１のガラス粉末を供給する第１の工程と、前記第１の工程とは異なる供給条件で第２のガラス粉末を供給する第２の工程とを含むようにしてもよい。これにより、厚さ方向で組成の異なる散乱層を形成することができる。また多層膜を形成することで散乱性の向上を図ることができる。

また、上記第１および第２の工程は、互いに異なる組成のガラス粉末あるいはガラスペーストを、供給する工程であってもよい。

なお、ガラス基板上に、供給するのはガラス粉末のみでもよいが、フリットガラスペーストを用いてもよい。特に、２つの工程で異なる組成のガラス粉末を供給する場合には、フリットガラスペーストを用いるのが望ましい。
ここでフリットガラスペーストの形成は例えば以下のようにして行なう。
ガラス粉末とビヒクルを準備する。ここで、ビヒクルとは、樹脂、溶剤、界面活性剤を混合したものをいう。ここで用いるガラス粉末は、所望の屈折率となるように、材料組成および散乱物質を制御して形成されたガラスを、所望の粒径となるように粉砕して得られ、このガラス粉末に樹脂、溶剤、各種調整剤を添加して用いる。具体的には、５０℃〜８０℃に加熱した溶剤中に樹脂、界面活性剤などを投入し、その後４時間から１２時間程度静置したのち、ろ過し、得られる。
次に、ガラス粉末とビヒクルとを、プラネタリーミキサーで混合した後、３本ロールで均一分散させる。その後粘度調整のため、混練機で混練する。通常ガラス材料７０〜８０ｗｔ％に対してビヒクル２０〜３０ｗｔ％とする。

また、本発明では、上記散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法において、前記第２の工程は、前記第１の工程よりも前記散乱物質となる成分の少ないガラス粉末を、供給する工程をとるようにしてもよい。
これにより、散乱層の表面側で散乱物質の密度の小さい散乱層を得ることができる。

なお、散乱層はガラス基板上に直接形成されているが、例えばガラス基板上にスパッタ法によってシリカ薄膜を形成した後、散乱層を形成するなど、バリア層を介して形成してもよい。しかし、ガラス基板上に接着剤や有機層を介する事無くガラスからなる散乱層を形成することで、極めて安定でかつ平坦な表面を得ることができる上、無機物質のみで構成することで、熱的に安定で長寿命の光デバイスを形成することが可能となる。

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記の各実施の形態２においては、散乱層Ｂの形成を静電塗装方法により行ったが、本発明はこれに限定されず、ガラス粉末Ｍを帯電させて、ガラスリボン６の下面６ａに向けて流動させることが出来る方法であればよく、たとえば静電スプレーを使用しても良い。また、ガラスリボン６自体はプラスに帯電しているので、引出電極１２がなくても乾燥空気等の流動によりマイナスに帯電しているガラス粉末Ｍをガラスリボン側に誘導できる場合があるので、引出電極は省略してもよい。

以下、実施例について説明する。
＜実施例＞
まずガラス組成が表１になるように粉末原料を調合し、１１００℃の電気炉にて溶解し、ロールにキャストしてガラスのフレークを得た。このガラスのガラス転移温度は４９９℃、屈服点は５４５℃、熱膨張係数は７４×１０^−７（１／℃）（１００〜３００℃の平均値）である。このガラスのＦ線（４８６．１３ｎｍ）での屈折率ｎＦは２．０４４８、ｄ線（５８７．５６ｎｍ）での屈折率ｎｄは２．００６５、Ｃ線（６５６．２７ｎｍ）での屈折率ｎＣは１．９９１８である。屈折率は、屈折率計（カルニュー光学工業社製、商品名：ＫＲＰ−２）で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）および屈服点(Ａｔ)は、熱分析装置（Ｂｒｕｋｅｒ社製、商品名：ＴＤ５０００ＳＡ）で熱膨張法により、昇温速度５℃／分で測定した。

そしてこのようにして得られたフレークをジルコニア製の遊星ミルで２時間粉砕した後、ふるいにかけて粉末を作製した。このときの粒度分布は、Ｄ₅₀が、０．９０５μｍ、Ｄ_１0が、０．３９８μｍ、Ｄ_９0が、３．０２４μｍであった。このガラス粉末２．０ｇをエタノール１００ｇに分散させ、懸濁液を作った。

この懸濁液を図６に示すように、霧吹きを用いて、６００℃に加熱された基板３０１上に吹き付けた。ここで基板３０１はセラミック基台３００上に載置されているものとする。基板には、１ｃｍ□、厚さが０．７ｍｍのソーダライムガラスを用い、基板加熱には赤外線集光加熱炉を用いた。赤外線集光加熱炉は、赤外線ランプから出た赤外線を、赤外線を吸収するセラミックスに集光する。

セラミックスは、赤外線を吸収し、加熱され、その上に設置された基板は、このセラミックスからの伝熱で加熱される。霧吹きは基板から４０ｃｍ離して吹き付けた。
この時、霧吹きと基板が近すぎると、霧吹きの風によりガラス粉末が基板に着弾しにくくなり、霧吹きと基板が遠すぎると、基板に着弾する確率が減ってしまい、効率が悪くなる。

一度の吹き付けで３００ｍｇの懸濁液を射出することができる。この作業を１００回繰り返したところ、図７（ａ）および（ｂ）に示すように基板２０１上に島状にガラスの焼結膜（散乱層）２０２が形成された。焼結膜は半球状であり、直径が３μｍから８０μｍであった。直径が大きいほど、扁平になる傾向があり、厚さは最大部で５０μｍ程度であった。また基板の被覆率は６０％程度であった。焼結膜は、内部に気泡を含んでいるが、表面は平滑な面が形成されていた。この作業を繰り返せば、焼結膜が得られるはずである。このように島状の焼結膜は、空気との界面で、散乱性をもつことから、散乱層２０２の形成された散乱層つき電子デバイス用基板２００が得られる。図７（ａ）は上面図、図７（ｂ）は断面図である。

このようにして得られた電子デバイス用基板２００は、表面積が大きいことから、太陽電池などに有効であり、発電効率の高い太陽電池を得ることが可能となる。

またこの方法では、硬化後のガラス基板上にガラス粉末を供給するようにしたが、実施の形態１および２で説明したような板ガラス製造装置を用いて、容易に成膜することも可能である。

本出願は、2009年1月26日出願の日本特許出願（特願2009−014796）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

なお、本発明の散乱層つき電子デバイス用基板は、有機ＥＬ素子や太陽電池に限定されることなく、無機ＥＬ素子、液晶など、種々の発光デバイス、あるいは光量センサ、などの受光デバイスなど光デバイスの高効率化に有効である。

１ 溶融金属槽
１ｂ 浴面
２ａ リフトアウトロール
２ｂ スプレーノズル
３ 徐冷炉
３ａ 徐冷炉の入口
５ 溶融ガラス
６ ガラスリボン
６ａ ガラスリボンの下面
１１ 帯電装置（形成手段）
１２ 引出電極
１３ 帯電電極
１４ 帯電化保持容器
Ｂ 散乱層
Ｍ ガラス粉末

Claims (13)

1. ガラス基板を用意する工程と、
   所望の組成のガラス粉末を形成する工程と、
   前記ガラス粉末を前記ガラス基板上に供給して、熱により、散乱層を形成する工程とを含む散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法。
2. 請求項１に記載の散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法であって、
   前記散乱層を形成する工程は、
   さらに、前記ガラス基板上に供給された前記ガラス粉末を焼成する工程を含む散乱層付き電子デバイス基板の製造方法。
3. 請求項１に記載の散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法であって、
   ガラス原料またはガラスを加熱溶解して溶融ガラスを製造する工程と、
   溶融金属を収容した溶融金属浴槽の浴面に溶融ガラスを連続的に供給して連続したガラスリボンを形成する成形工程と、
   前記連続したガラスリボン上に、所望の組成のガラス粉末を供給し、ガラス粉末の溶融または焼結により散乱層を形成する工程と、
   前記散乱層付きの連続したガラスリボンを徐冷する工程と、
   徐冷された前記散乱層付きの連続したガラスリボンを切断して散乱層付きガラス基板とする工程とを含む散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法であって、
   前記散乱層を形成する工程は、
   第１の屈折率を有するベース材と、前記ベース材中に分散された、前記ベース材と異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質とを具備し、
   前記散乱層内部から最表面にむかって、散乱層中の散乱物質の層内分布が、小さくなっている散乱層を形成する工程である散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法であって、
   前記供給する工程は、
   前記ガラス粉末を静電粉体塗装により直接前記基板上に吹き付ける工程である散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法。
6. 請求項１乃至４のいずれかに記載の散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法であって、
   前記供給する工程は、
   前記ガラス粉末を、液体中に分散させてスプレー法により吹き付ける工程である散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法。
7. 請求項１乃至４のいずれかに記載の散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法であって、
   前記供給する工程は、
   前記ガラス粉末を、溶融しながら溶射法により前記ガラス基板上に供給する工程である散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法。
8. 請求項５乃至７のいずれかに記載の散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法であって、
   前記供給する工程は、粒径のＤ_１０が０．２μｍ以上でかつ、Ｄ_９０が５μｍ以下であるガラス粉末を供給する工程を含む散乱層付き電子デバイス用基板の製造方法。
9. ガラス基板と、
   前記ガラス基板上に、島状に形成された複数個のガラス散乱領域とを含む電子デバイス用基板。
10. 請求項９に記載の電子デバイス用基板であって、
    前記島状に形成された複数個のガラス散乱領域は、
    前記ガラス基板上に、散乱物質を含むガラス層を介して形成される電子デバイス用基板。
11. 請求項９又は１０に記載の電子デバイス用基板の散乱層の上に形成された導電膜を具備した電子デバイス用基板の製造方法。
12. 請求項１１により製造された導電膜付きの電子デバイス用基板と、
    前記電子デバイス用基板の導電膜上に、順次積層された発光機能を有する層と、第２の導電膜とを具備した自己発光型の電子デバイス。
13. 請求項１２に記載の自己発光型の電子デバイスであって、
    前記発光機能を有する層が有機層である有機ＬＥＤ素子。

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