JPWO2010082558A1

JPWO2010082558A1 - 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子

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Publication number: JPWO2010082558A1
Application number: JP2010546618A
Authority: JP
Inventors: 雅秀小林
Original assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2009-01-16
Filing date: 2010-01-12
Publication date: 2012-07-05
Anticipated expiration: 2030-01-12
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Abstract

熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ３３を有し、さらに適切な負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供する。また、この液晶性化合物を含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子を提供する。式（ａ）で表される液晶性化合物。例えば、ＲａおよびＲｂは、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数１〜９のアルコキシであり；環Ａ１および環Ａ２は、１，４−フェニレンまたはトランス−１，４−シクロへキシレンであり；Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３およびＬ４は水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２Ｏ−、または−ＯＣＨ２−である。

Description

本発明は液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは液晶性化合物であるラテラル位にフッ素を有するフルオロベンゼン誘導体、この化合物を含有したネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。

液晶表示パネル、液晶表示モジュール等に代表される液晶表示素子は、液晶性化合物（本発明では、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称を意味する。）が有する光学異方性、誘電率異方性などを利用したものであるが、この液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（ｐｈａｓｅｃｈａｎｇｅ）モード、ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（ｓｕｐｅｒｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＢＴＮ（ｂｉｓｔａｂｌｅｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＯＣＢ（ｏｐｔｉｃａｌｌｙｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄｂｅｎｄ）モード、ＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒｓｕｓｔａｉｎｅｄａｌｉｇｎｍｅｎｔ）などの様々なモードが知られている。

これら動作モードの中でもＥＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモードなどは、液晶分子の垂直配向性を利用した動作モードであり、特にＩＰＳモードおよびＶＡモードは、ＴＮモード、ＳＴＮモード等の従来の表示モードの欠点である視野角の狭さを改善可能であることが知られている。

そして、従来からこれら動作モードの液晶表示素子に使用可能な、負の誘電率異方性を有する液晶組成物の成分として、ベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた液晶性化合物が数多く検討されてきている。

例えばベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた化合物（Ａ）および（Ｂ）が検討されている（特許文献１および２参照）。しかし、このような化合物は、市場要求を満たすほどの高い負の誘電率異方性を有しない。

また、フッ素で置換されたベンゼンを有する化合物（Ｃ）が検討されている（特許文献３参照）。しかし、この化合物は、市場要求を満たすほどの高い負の誘電率異方性を有しない。

また、フッ素で置換されたベンゼンを有する、クオターフェニル化合物（Ｄ）が検討されている（特許文献４参照）。しかし、この化合物は融点が非常に高く、相溶性に乏しい。また、市場要求を満たすほどの高い負の誘電率異方性を有しない。

また、エチレン結合基と、フッ素で置換されたベンゼンを２つ有する化合物（Ｅ）が検討されている（特許文献５参照）。しかし、化合物（Ｅ）は融点が高く、相溶性に乏しい。また、市場要求を満たすほどの高い負の誘電率異方性を有しない。

特表平０２−５０３４４１号公報国際公開第８９／０２４２５号パンフレット特表２００２−１９３８５３号公報欧州特許第１３４６９９５号明細書国際公開第９８／２３５６４号パンフレット

したがって、ＩＰＳモードおよびＶＡモード等の動作モードの液晶表示素子であっても、ＣＲＴと比較すれば表示素子としてはいまだ問題があり、例えば、応答速度の向上、コントラストの向上、駆動電圧の低下が望まれている。

上述したＩＰＳモード、あるいはＶＡモードで動作する表示素子は、主として、負の誘電率異方性を有する液晶組成物から構成されているが、これらの特性をさらに向上させるためには、この液晶組成物に含まれる液晶性化合物が、以下（１）〜（８）で示す特性を有することが必要である。すなわち、
（１）化学的に安定であること、および物理的に安定であること
（２）高い透明点（液晶相−等方相の転移温度）を有すること
（３）液晶相（ネマチック相、スメクチック相等）の下限温度、特にネマチック相の下限温度が低いこと
（４）粘度が小さいこと
（５）適切な光学異方性を有すること
（６）負で絶対値が大きい誘電率異方性を有すること
（７）適切な弾性定数Ｋ_３３（Ｋ_３３：ベンド弾性定数）を有すること
（８）他の液晶性化合物との相溶性に優れること
である。

（１）のように化学的、物理的に安定な液晶性化合物を含む組成物を表示素子に用いると、電圧保持率を大きくすることができる。
また、（２）および（３）のように、高い透明点、あるいは液晶相の低い下限温度を有する液晶性化合物を含む組成物では、ネマチック相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度領域で表示素子として使用することが可能となる。

さらに、（４）のように粘度の小さい化合物、および（７）のように大きな弾性定数Ｋ_３３を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いると応答速度を向上することができ、（５）のように適切な光学異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合は、表示素子のコントラストの向上を図ることができる。素子の設計次第では、光学異方性は小さいものから大きなものまで必要である。最近ではセル厚を薄くすることにより応答速度を改善する手法が検討されており、それに伴い、大きな光学異方性を有する液晶組成物も必要となっている。

加えて、液晶性化合物が負に高い誘電率異方性を有する場合には、この化合物を含む液晶組成物のしきい値電圧を低くすることができるので、（６）のように負で絶対値が大きい誘電率異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合には、表示素子の駆動電圧を低くし、消費電力も小さくすることができる。さらに（７）のように小さな弾性定数Ｋ_３３を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いることで表示素子の駆動電圧を小さくすることができ、消費電力も小さくすることができる。

液晶性化合物は、単一の化合物では発揮することが困難な特性を発現させるために、他の多くの液晶性化合物と混合して調製した組成物として用いることが一般的である。したがって、表示素子に用いる液晶性化合物は、（８）のように、他の液晶性化合物等との相溶性が良好であることが好ましい。また、表示素子は、氷点下を含め幅広い温度領域で使用することもあるので、低い温度領域から良好な相溶性を有す化合物であることが好ましい場合もある。

本発明の第一の目的は、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、さらに、高い負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供することである。

本発明の第二の目的は、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が低く、大きな光学異方性、および高い負の誘電率異方性を有し、適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、しきい値電圧が低く、さらに、この化合物を含有して、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低い液晶組成物を提供することである。

本発明の第三の目的は、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である、上記組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。

本発明者らはこれらの課題に鑑み鋭意研究を行った結果、ベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられたフェニレンを有する特定構造の中において、フッ素で置換されたベンゼンを両端に有する４環液晶性化合物が、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、さらに、高い負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有していること、また、この化合物を含有する液晶組成物が、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が小さく、大きな光学異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３、および適切な高い誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低いこと、さらに、この組成物を含有する液晶表示素子が、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であることを見いだし、本発明を完成するに到った。

すなわち、本発明は、以下の項に記載された事項を有している。
〔１〕式（ａ）で表される液晶性化合物。

式（ａ）において、ＲａおよびＲｂは独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであるが、環Ａ^１および環Ａ^２が同時に１，４−フェニレンであることはなく；
Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３およびＬ^４は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素であり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔２〕式（ａ）において、環Ａ^１および環Ａ^２が独立して、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである項〔１〕に記載の液晶性化合物。

〔３〕式（ａ−１）で表される項〔２〕に記載の液晶性化合物。

式（ａ−１）において、Ｒａ_１およびＲｂ_１は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^３は、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
環Ａ^４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｌ^５、Ｌ^６、Ｌ^７およびＬ^８は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素であり；
Ｚ^３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔４〕式（ａ−２）で表される項〔２〕に記載の液晶性化合物。

式（ａ−２）において、Ｒａ_２およびＲｂ_２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^５および環Ａ^６は独立して、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであるが、環Ａ^５および環Ａ^６が同時に１，４−フェニレンであることはなく；
Ｌ^９、Ｌ^１０、Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素であり；
Ｚ^４は独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔５〕式（ａ−３）〜（ａ−８）のいずれか１つで表される項〔３〕に記載の液晶性化合物。

式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｒａ_３およびＲｂ_３は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^５は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔６〕式（ａ−９）〜（ａ−１５）のいずれか１つで表される項〔４〕に記載の液晶性化合物。

式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｒａ_４およびＲｂ_４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^６は独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

〔７〕式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が単結合である、項〔５〕に記載の液晶性化合物。

〔８〕式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＯＣＯ−である、項〔５〕に記載の液晶性化合物。

〔９〕式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＣＯＯ−である、項〔５〕に記載の液晶性化合物。

〔１０〕式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＯＣＨ_２−である、項〔５〕に記載の液晶性化合物。

〔１１〕式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＣＨ_２Ｏ−である、項〔５〕に記載の液晶性化合物。

〔１２〕式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＣＨ_２ＣＨ_２−である、項〔５〕に記載の液晶性化合物。

〔１３〕式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＯＣＯ−である、項〔６〕に記載の液晶性化合物。

〔１４〕式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＣＯＯ−である、項〔６〕に記載の液晶性化合物。

〔１５〕式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＯＣＨ_２−である、項〔６〕に記載の液晶性化合物。

〔１６〕式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＣＨ_２Ｏ−である、項〔６〕に記載の液晶性化合物。

〔１７〕式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＣＨ_２ＣＨ_２−である、項〔６〕に記載の液晶性化合物。

〔１８〕第一成分として、項[１]〜〔１７〕のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１つ含有し、第二成分として、式（ｅ−１）〜（ｅ−３）で表される化合物を少なくとも１つ含有する、液晶組成物。

式（ｅ−１）〜（ｅ−３）において、Ｒａ_１１およびＲｂ_１１は独立して、炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキル中において、相隣接しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない任意の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよく；
環Ａ^１１、環Ａ^１２、環Ａ^１３、および環Ａ^１４は独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＨ_２Ｏ−である。

〔１９〕第一成分が項〔３〕に記載の式（ａ−１）で表される化合物から選択される少なくとも１つの化合物であり、第二成分が項〔１８〕に記載の式（ｅ−１）〜（ｅ−３）から選択される少なくとも１つの化合物である、液晶組成物。

〔２０〕第一成分が項〔４〕に記載の式（ａ−２）で表される化合物から選択される少なくとも１つの化合物であり、第二成分が項〔１８〕に記載の式（ｅ−１）〜（ｅ−３）から選択される少なくとも１つの化合物である、液晶組成物。

〔２１〕液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の含有割合が５〜６０重量％の範囲であり、第二成分の含有割合が４０〜９５重量％の範囲である、項〔１８〕〜〔２０〕に記載の、液晶組成物。

〔２２〕第一成分、および第二成分に加えて、第三成分として式（ｇ−１）〜（ｇ−６）で表される化合物群および式（ｉ−１）〜（ｉ−４）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、項〔１８〕〜〔２１〕に記載の、液晶組成物。

式（ｇ−１）〜（ｇ−６）において、Ｒａ_２１およびＲｂ_２１は独立して、水素、または炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキル中において、相隣接しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない任意の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよく；
環Ａ^２１、環Ａ^２２、および環Ａ^２３は独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^２１、Ｚ^２２、およびＺ^２３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は独立して、フッ素または塩素であり；
ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０、１、または２であり、ｑ＋ｒは１または２であり、ｑ＋ｒ＋ｓは１、２、または３であり；
ｔは０、１、または２である。

式（ｉ−１）〜（ｉ−４）において、Ｒａ_２３およびＲｂ_２３は独立して、炭素数１〜８のアルキル、または炭素数１〜７のアルコキシであり；
環Ａ^２４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
環Ａ^２５は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ^２７は独立して、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−または−ＣＦ_２Ｏ−であり；
Ｘ^１、およびＸ^２は、共にフッ素、または一方がフッ素で他方が水素である。
〔２３〕第三成分が、式（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、項〔２２〕に記載の、液晶組成物。

式（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）において、Ｒａ_２２およびＲｂ_２２は独立して、炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜８のアルケニル、または炭素数１〜７のアルコキシであり；
Ｚ^２４、Ｚ^２５、およびＺ^２６は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；
Ｙ^１、およびＹ^２は、共にフッ素、または一方がフッ素で他方が塩素である。

〔２４〕液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の含有割合が５〜６０重量％の範囲であり、第二成分の含有割合が２０〜７５重量％の範囲であり、第三成分の含有割合が２０〜７５重量％の範囲である、項〔２２〕または〔２３〕のいずれか１項に記載の、液晶組成物。

〔２５〕項〔１８〕〜〔２４〕のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

〔２６〕液晶表示素子の動作モードが、ＶＡモード、ＩＰＳモードまたはＰＳＡモードであり、液晶表示素子の駆動方式がアクティブマトリックス方式である、項〔２５〕に記載の液晶表示素子。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相−等方相の相転移温度であり、そして単に透明点または上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（ａ）で表わされる化合物を液晶性化合物（ａ）と表記することがある。または、単に化合物（ａ）と略すことがある。この略記は他の式などで表される化合物にも適用することがある。各式において、六角形で囲んだＢ、Ｄ、Ｅなどの記号はそれぞれ環Ｂ、環Ｄ、環Ｅなどに対応する。百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。環Ａ^１、Ｙ^１、Ｂなど複数の同じ記号を同一の式または異なった式に記載したが、これらはそれぞれが同一であってもよいし、または異なってもよい。

「任意の」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示すが、個数が０である場合を含まない。任意のＡがＢ、ＣまたはＤで置き換えられてもよいという表現は、任意のＡがＢで置き換えられる場合、任意のＡがＣで置き換えられる場合および任意のＡがＤで置き換えられる場合に加えて、複数のＡがＢ〜Ｄの少なくとも２つで置き換えられる場合をも含むことを意味する。例えば、任意の−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキルには、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルなどが含まれる。なお、本発明においては、連続する２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−のようになることは好ましくない。そして、アルキルにおける末端の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられることも好ましくない。以下に本発明をさらに説明する。

本発明の液晶性化合物は、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ_３３（Ｋ_３３：ベンド弾性定数）を有し、さらに、高い負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有している。また、本発明の液晶性化合物は、ネマチック相の上限温度が低下せず、しかも、粘度が大きくなることなく、光学異方性が大きくなる傾向にある点で特に優れている。

また、本発明の液晶組成物は、粘度が小さく、大きな光学異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３、および高い負の誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。特に、本発明の液晶組成物は大きな光学異方性を有するため、大きな光学異方性が必要な素子に有効である。

さらに、本発明の液晶表示素子は、この液晶組成物を含有することを特徴とし、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であり、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＥＣＢモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードなどの表示モードの液晶表示素子に好適に使用することができ、特に、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードの液晶表示素子に好適に使用することができる。

以下、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、以下説明中では、特に断りのない限り、百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
〔液晶性化合物（ａ）〕
本発明の液晶性化合物は、式（ａ）で示される構造を有する（以下、これら化合物を「化合物（ａ）」ともいう。）。

式（ａ）において、ＲａおよびＲｂは独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシである。

環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであるが、環Ａ^１および環Ａ^２が同時に１，４−フェニレンであることはない。

Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３およびＬ^４は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素であり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

化合物（ａ）は、上記の如くＬ^１、Ｌ^２、Ｌ^３およびＬ^４の少なくとも３つはフッ素であるため、２位または３位の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンを両端に２つ有する。このような構造を有することで、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３、高い負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有す。特に、ネマチック相の上限温度が低下せず、しかも、粘度が大きくなることなく、負の誘電率異方性が高い点で特に優れている。

式中、ＲａおよびＲｂは、水素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり、例えば、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ_２−、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２Ｏ−、ＣＨ_３−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、Ｈ_２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−またはＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−である。

しかし、化合物の安定性を考慮すると、ＣＨ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＨ_２−のような酸素と酸素とが隣接した基や、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−などの二重結合部位が隣接した基は好ましくない。

これら基中の炭素−炭素結合の鎖は、直鎖であることが好ましい。炭素−炭素結合の鎖が直鎖であると、液晶相の温度範囲を広くすることができ、粘度を小さくすることができる。また、ＲａおよびＲｂのいずれかが光学活性基である場合には、キラルドーパントとして有用であり、該化合物を液晶組成物に添加することにより、液晶表示素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Ｒｅｖｅｒｓｅｔｗｉｓｔｅｄｄｏｍａｉｎ）を防止することができる。

これらＲａおよびＲｂとしては、アルキル、アルコキシ、またはアルケニルが特に好ましい。

ＲａおよびＲｂがアルキル、アルコキシ、またはアルケニルである場合には、液晶性化合物の液晶相の温度範囲を広げることができる。
アルケニルには、アルケニル中の二重結合の位置に依存して、−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置がある。

−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５などのように奇数位に二重結合を有するアルケニルでは、立体配置はトランス配置が好ましい。

一方、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７などのように偶数位に二重結合を有するアルケニルでは、立体配置はシス配置が好ましい。上述のような好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、液晶相の温度範囲が広く、大きな弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）を有し、化合物の粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができる。

アルキルの具体例としては、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−Ｃ_８Ｈ_１７、−Ｃ_９Ｈ_１９、またはＣ_１０Ｈ_２１を挙げることができ；
アルコキシの具体例としては、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣ_６Ｈ_１３、−ＯＣ_７Ｈ_１５、−ＯＣ_８Ｈ_１７、またはＯＣ_９Ｈ_１９を挙げることができ；
アルコキシアルキルの具体例としては、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＯＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_３ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_４ＯＣＨ_３、または（ＣＨ_２）_５ＯＣＨ_３を挙げることができ；
アルケニルの具体例としては、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２を挙げることができ；
アルケニルオキシの具体例としては、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、またはＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５を挙げることができる。

よって、ＲａおよびＲｂの具体例の中でも、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５が好ましく、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、または（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７がより好ましい。

環Ａ^１および環Ａ^２は、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルである。

これら環の中でも、１，４−フェニレン、およびトランス−１，４−シクロへキシレンがより好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレンが最も好ましい。

中でも、これら環のうち少なくとも一つの環が、トランス−１，４−シクロヘキシレンであるときには、粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができる。

Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３およびＬ^４はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を示すが、これらのうち少なくとも３つはフッ素原子である。

Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３およびＬ^４のうち、３つがフッ素であると、化合物の融点を下げることができるため好ましい。

Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３およびＬ^４のうち、すべてがフッ素であると、化合物の誘電率異方性を負に高くすることができるため最も好ましい。

Ｚ^１およびＺ^２は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

Ｚ^１およびＺ^２が、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である場合は、化合物の粘度を小さくすることができるため好ましい。Ｚ^１およびＺ^２が、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である場合は、化合物のネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができるためより好ましい。さらに、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−である場合は、化合物の誘電率異方性を負に高くすることができるためさらに好ましい。

化合物の安定性を考慮すると単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−またはＯＣＨ_２−が好ましく、単結合および−ＣＨ_２ＣＨ_２−がさらに好ましい。

Ｚ^１およびＺ^２が−ＣＨ＝ＣＨ−の場合には、二重結合に対する他の基の立体配置は、トランス配置が好ましい。このような立体配置であることにより、この液晶性化合物の液晶相の温度範囲を広げることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができる。

また、Ｚ^１およびＺ^２中に−ＣＨ＝ＣＨ−が含まれている場合には、液晶相の温度範囲を広げること、弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）を大きくすること、および化合物の粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加したときにはネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ）を高くすることができる。

なお、化合物の物性に大きな差異がないので、液晶性化合物（ａ）は^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。
これら液晶性化合物（ａ）では、Ｒ^１、Ｒ^２、環Ａ^１、環Ａ^２、Ｚ^１およびＺ^２を適宜選択することにより、誘電率異方性などの物性を所望の物性に調整することが可能である。

化合物（ａ）で表される化合物のうち、好ましい化合物の例として、化合物（ａ−１）を挙げることが出来る。

式（ａ−１）において、Ｒａ_１およびＲｂ_１は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシである。

環Ａ^３は、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり、環Ａ^４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。

Ｌ^５、Ｌ^６、Ｌ^７およびＬ^８は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素である。

Ｚ^３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

化合物（ａ）で表される化合物のうち、他の好ましい化合物の例として、化合物（ａ−２）を挙げることが出来る。

式（ａ−２）において、Ｒａ_２およびＲｂ_２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシである。

環Ａ^５および環Ａ^６は独立して、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであるが、環Ａ^５および環Ａ^６が同時に１，４−フェニレンであることはない。

Ｌ^９、Ｌ^１０、Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素である。

Ｚ^４は独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。

化合物（ａ）で表される化合物の中で、最も好ましい化合物の例としては、化合物（ａ−３）〜（ａ−１５）が挙げられる。

化合物（ａ−３）〜（ａ−１５）で示される液晶性化合物は１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロへキシレン基または１，４−シクロヘキセニレン基を持ち、化合物全体に対して構造が非対称であるため、熱や光に対する安定性を有し、液晶相の下限温度をより低く、ネマチック相の上限温度をより高く、適切な光学異方性および適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、粘度を小さくできるという観点でより好ましい。

化合物（ａ−３）〜（ａ−１５）で示される液晶性化合物は、高い負の誘電率異方性を有し、熱や光に対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、適切な光学異方性および適切な弾性定数Ｋ_３３を有する。このうち、Ｚ^５およびＺ^６が−ＣＨ＝ＣＨ−である化合物は、液晶相の下限温度をより低く、ネマチック相の上限温度をほとんど下げることなく、粘度をより小さくできるという観点で好ましい。また、Ｚ^５およびＺ^６が−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である化合物は化合物のネマチック相の上限温度を高くすることができるためより好ましい。また、Ｚ^５およびＺ^６が−ＣＨ_２ＣＨ_２−である化合物は、液晶相の下限温度をより低く、相溶性をより高く、粘度をより小さくできるという観点でさらに好ましい。さらに、Ｚ^５およびＺ^６が−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−である化合物は負の誘電率異方性をより高く、粘度をより小さくできるという観点で最も好ましい。

液晶性化合物がこれら液晶性化合物（ａ−３）〜（ａ−１５）で示される構造を有する場合には、高い負の誘電率異方性を有し、他の液晶性化合物との相溶性が極めてよい。さらに、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ_３３を有している。また、この液晶性化合物（ａ）を含有する液晶組成物は、液晶表示素子が通常使用される条件下で安定であり、低い温度で保管してもこの化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。

したがって、液晶性化合物（ａ）は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡ、またはＰＳＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に好適に適用することができ、ＩＰＳ、ＶＡ、またはＰＳＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に、特に好適に適用することができる。

〔液晶性化合物（ａ）の合成〕
液晶性化合物（ａ）は、有機合成化学の合成手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環、および結合基を導入する方法は、例えば、オーガニックシンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ，ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ）、オーガニック・リアクションズ（ＯｒｇａｎｉｃＲｅａｃｔｉｏｎｓ，ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（ＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｉｓ，ＰｅｒｇａｍｏｎＰｒｅｓｓ）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載されている。

＜結合基Ｚ^１またはＺ^２の形成＞
結合基Ｚ^１またはＺ^２を形成する方法の一例を示す。結合基を形成するスキームを以下示す。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１またはＭＳＧ^２は１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）から（１Ｅ）は液晶性化合物（ａ）に相当する。

＜２重結合の生成＞
一価の有機基ＭＳＧ^２を有する有機ハロゲン化合物（ａ１）とマグネシウムとを反応させ、グリニャール試薬を調製する。これら調製したグリニャール試薬あるいはリチウム塩と、アルデヒド誘導体（ａ２）とを反応させることにより、対応するアルコール誘導体を合成する。ついで、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用いて、得られたアルコール誘導体の脱水反応を行うことにより、対応する化合物（１Ａ）を合成することができる。

有機ハロゲン化合物（ａ１）を、ブチルリチウム、もしくはマグネシウムで処理して得られた化合物を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させて、アルデヒド誘導体（ａ３）を得る。ついで、得られたアルデヒド（ａ３）と、ホスホニウム塩（ａ４）をカリウムｔ−ブトキシド等の塩基で処理して得られるリンイリドとを反応させ、対応する２重結合を有する化合物（１Ａ）を合成することができる。なお、この反応では、反応条件によってシス体が生成する場合もあるので、トランス体を得る必要がある場合には、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

＜−ＣＨ_２ＣＨ_２−の生成＞
化合物（１Ａ）を炭素担持パラジウム（Ｐｄ／Ｃ）のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｂ）を合成することができる。

＜単結合の生成＞
有機ハロゲン化合物（ａ１）とマグネシウム、またはブチルリチウムとを反応させ、グリニャール試薬、またはリチウム塩を調製する。この調製したグリニャール試薬、またはリチウム塩とホウ酸トリメチルなどのホウ酸エステルを反応させ、塩酸などの酸で加水分解することによりジヒドロキシボラン誘導体（ａ５）を合成する。そのジヒドロキシボラン誘導体（ａ５）と有機ハロゲン化合物（ａ６）とを、例えば、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）とからなる触媒の存在下で反応させることにより、化合物（１Ｃ）を合成することができる。

また、一価の有機基ＭＳＧ^１を有する有機ハロゲン化合物（ａ６）にブチルリチウムを反応させ、さらに塩化亜鉛を反応させた後、得られた化合物を、例えば、ビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２）触媒の存在下で化合物（ａ１）と反応させることにより、化合物（１Ｃ）を合成することもできる。

＜−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−の生成＞
ジヒドロキシボラン誘導体（ａ５）を過酸化水素等の酸化剤により酸化し、アルコール誘導体（ａ７）を得る。別途、アルデヒド誘導体（ａ３）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元してアルコール誘導体（ａ８）を得る。得られたアルコール誘導体（ａ８）を臭化水素酸等でハロゲン化して有機ハロゲン化合物（ａ９）を得る。このようにして得られたアルコール誘導体（ａ８）と有機ハロゲン化合物（ａ９）とを炭酸カリウムなどの存在下反応させることにより化合物（１Ｄ）を合成することができる。

＜−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成＞
化合物（ａ６）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸誘導体（ａ１０）を得る。カルボン酸誘導体（ａ１０）と、フェノール誘導体（ａ１１）とをＤＤＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｅ）を合成することができる。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成することができる。

＜−Ｃ≡Ｃ−の生成＞
ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下で、化合物（ａ６）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（ａ１２）を得る。ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（ａ１２）を化合物（ａ１）と反応させて、化合物（１Ｆ）を合成する。

＜環Ａ^１または環Ａ^２の形成＞
トランス−１，４−シクロへキシレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、およびピリジン−２，５−ジイルなどの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。

〔液晶性化合物（ａ）の製造方法〕
以下、液晶性化合物（ａ）、すなわち一般式（ａ）で示される液晶性化合物の製造例を示す。

まず、４−ヨード安息香酸エチル（ｂ１）とジヒドロキシボラン誘導体（ｂ２）とを炭酸カリウム、Ｐｄ／Ｃ等の触媒の存在下、反応させることにより化合物（ｂ３）を得る。次いで、化合物（ｂ３）を水素化リチウムアルミニウム等で還元して化合物（ｂ４）を得る。次いで、塩化チオニル等で塩素化することにより（ｂ５）を得る。次いで、トリフェニルホスフィンと反応させることにより（ｂ６）を得る。
別途、ジフルオロベンゼン誘導体（ｂ７）とｓｅｃ−ＢｕＬｉとを反応させリチウム塩を調製する。このリチウム塩とカルボニル誘導体（ｂ８）とを反応させて、アルコール誘導体（ｂ９）を得る。ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下、得られたアルコール誘導体（ｂ９）の脱水反応を行い、さらに、Ｐｄ／Ｃ等の触媒存在下、水素添加反応を行うことにより、化合物（ｂ１０）を得る。得られた化合物（ｂ１０）をギ酸等で反応させて、カルボニル誘導体（ｂ１１）を得る。得られた化合物（ｂ１１）とメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドとをカリウムｔ−ブトキシド等の塩基の存在下反応させさらに、ギ酸等で反応させることにより、アルデヒド誘導体（ｂ１２）を得る。
上述の操作で得られた化合物（ｂ６）とアルデヒド誘導体（ｂ１２）とをカリウムｔ−ブトキシド等の塩基の存在下、Ｗｉｔｔｉｇ反応させ、さらに、Ｐｄ／Ｃ等の触媒存在下、水素添加反応を行うことによりることにより、本発明の液晶性化合物（ａ）の一例である（ｂ１３）を製造することができる。

〔液晶組成物〕
以下、本発明の液晶組成物について説明をする。この液晶組成物の成分は、少なくとも一種の液晶性化合物（ａ）を含むことを特徴とするが、液晶性化合物（ａ）を２種以上含んでいてもよく、液晶性化合物（ａ）のみから構成されていてもよい。また本発明の液晶組成物を調製するときには、例えば、液晶性化合物（ａ）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。成分を選択した液晶組成物は、粘度が低く、高い負の誘電率異方性を有し、適切な弾性定数Ｋ_３３を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低い。

〔液晶組成物（１）〕
本発明の液晶組成物は、液晶性化合物（ａ）に加え、第二成分として式（ｅ−１）〜（ｅ−３）で表される液晶性化合物（以下、それぞれ化合物（ｅ−１）〜（ｅ−３）ともいう。）の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する（以下、液晶組成物（１）ともいう。）。

式（ｅ−１）〜（ｅ−３）において、Ｒａ_１１およびＲｂ_１１は独立して、炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキル中において、相隣接しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない任意の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよい。

式（ｅ−１）〜（ｅ−３）において、環Ａ^１１、環Ａ^１２、環Ａ^１３、および環Ａ^１４は、独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。

式（ｅ−１）〜（ｅ−３）中、Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は、独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、またはＣＨ_２Ｏ−である。

液晶性化合物（ａ）に、第二成分である化合物（ｅ−１）〜（ｅ−３）を含有させることにより、その液晶組成物の粘度を小さくすることができ、ネマチック相の下限温度を低くすることができる。また、化合物（ｅ−１）〜（ｅ−３）の誘電率異方性はほぼ０であるため、それを含む液晶組成物の誘電率異方性を０に近づくように調整することができる。

化合物（ｅ−１）または（ｅ−２）は、それを含有する液晶組成物の粘度を小さく、電圧保持率を高くすることに有効な化合物である。さらに、化合物（ｅ−３）は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の上限温度を高くし、電圧保持率を高くすることに有効な化合物である。

環Ａ^１１、環Ａ^１２、環Ａ^１３、および環Ａ^１４において、２つ以上の環がトランス−１，４−シクロヘキシレンの場合は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の上限温度を高くすることができ、２つ以上の環が１，４−フェニレンの場合は、それを含有する組成物の光学異方性を大きくすることができる。

化合物（ｅ−１）〜（ｅ−３）の中でも、より好ましい化合物は、式（２−１）〜（２−７４）で示される化合物である（以下、それぞれ化合物（２−１）〜（２−７４）ともいう。）。これらの化合物においてＲａ_１１、およびＲｂ_１１は、化合物（ｅ−１）〜（ｅ−３）の場合と同一の意味である。

第二成分が化合物（２−１）〜（２−７４）である場合には、耐熱性、および耐光性に優れ、より高い比抵抗値を有し、ネマチック相の広い液晶組成物を調製することができる。

特に、第一成分が、式（ａ−３）〜（ａ−１５）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物であり、第二成分が化合物（ｅ−１）〜（ｅ−３）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である液晶組成物（１）は、耐熱性、および耐光性により優れ、より幅広いネマチック相を有し、より電圧保持率が大きく、より粘度が小さく、そして、適切な弾性定数Ｋ_３３を有す。

本発明の液晶組成物（１）中の第二成分の含有量は特に制限はないが、粘度を低くする観点からは含有量を多くすることが好ましい。ただし第二成分の含有量を多くすると液晶組成物のしきい値電圧が高くなる傾向にあるので、例えば、本発明の液晶組成物をＶＡモードの液晶素子に使用する場合には、第二成分の含有量は、液晶組成物（１）中に含まれる液晶性化合物の全重量に対して、４０〜９５重量％の範囲であり、第一成分の含有量は、液晶組成物（１）中に含まれる液晶性化合物の全重量に対して、５〜６０重量％の範囲がより好ましい。

〔液晶組成物（２）〕
本発明の液晶組成物としては、第一成分および第二成分に加えてさらに、第三成分として式（ｇ−１）〜（ｇ−６）で表される液晶性化合物（以下、それぞれ化合物（ｇ−１）〜（ｇ−６）ともいう。）の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有させた液晶組成物も好ましい（以下、液晶組成物（２）ともいう。）。

式（ｇ−１）〜（ｇ−６）中、Ｒａ_２１、およびＲｂ_２１は独立して、水素、または炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキル中において、相隣接しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない任意の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよい。

式（ｇ−１）〜（ｇ−６）中、環Ａ^２１、Ａ^２２、およびＡ^２３は、独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。

式（ｇ−１）〜（ｇ−６）中、Ｚ^２１、Ｚ^２２、およびＺ^２３は、独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は独立して、フッ素または塩素である。

式（ｇ−１）〜（ｇ−６）中、ｑ、ｒ、およびｓは、独立して０、１、または２であるが、ｑ＋ｒは１または２でありｑ＋ｒ＋ｓは１、２、または３であり、ｔは０、１、または２である。

第三成分として、化合物（ｇ−１）〜（ｇ−６）を含有する液晶組成物（２）は、誘電率異方性が負に高い。

また、液晶組成物のネマチック相の温度範囲が広く、粘度が小さく、誘電率異方性が負に高く、比抵抗値が大きな液晶組成物が得られ、さらにこれら物性が適切にバランスした液晶組成物が得られる。

また、化合物（ｇ−１）〜（ｇ−６）の中でも、低粘性、耐熱性、および耐光性という観点からは、式（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）で表される化合物（以下、それぞれ化合物（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）ともいう。）の群から選択される少なくとも１つの化合物が好ましい。

式（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）において、Ｒａ_２２およびＲｂ_２２は独立して、炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜８のアルケニル、または炭素数１〜７のアルコキシであり、Ｚ^２４、Ｚ^２５、およびＺ^２６は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−でありＹ^１、およびＹ^２は、共にフッ素、または一方がフッ素で他方が塩素である。

〔液晶組成物（３）〕
本発明の液晶組成物としては、第一成分および第二成分に加えてさらに、第三成分として式（ｉ−１）〜（ｉ−４）で表される液晶性化合物（以下、それぞれ化合物（ｉ−１）〜（ｉ−４）ともいう。）の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有させた液晶組成物も好ましい（以下、液晶組成物（３）ともいう。）。

式（ｉ−１）〜（ｉ−４）において、Ｒａ_２３およびＲｂ_２３は独立して、炭素数１〜８のアルキル、または炭素数１〜７のアルコキシであり、環Ａ^２４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり、環Ａ^２５は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｚ^２７は独立して、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−または−ＣＦ_２Ｏ−であり、Ｘ^１、およびＸ^２は、共にフッ素、または一方がフッ素で他方が水素である。

第三成分として化合物（ｉ−１）〜（ｉ−４）の群から選択される少なくとも１つの化合物を含む組成物（３）もまた、低粘性、耐熱性、および耐光性という観点で優れるため好ましい。

化合物（ｇ−１）〜（ｇ−６）、化合物（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）、および化合物（ｉ−１）〜（ｉ−４）は、目的とする物性を得るために、適宜併用することが可能である。

化合物（ｇ−１−１）、（ｇ−１−２）および（ｉ−２）は、それを含有する液晶組成物の粘度を小さくし、しきい値電圧値をより低くすることができ、ネマチック相の下限温度を低くすることができる。化合物（ｇ−１−２）、（ｇ−１−３）、（ｇ−１−４）および（ｉ−１）は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の上限温度を下げることなく、しきい値電圧値を低くすることができる。

化合物（ｇ−１−３）、（ｇ−２−２）および（ｉ−３）は、光学異方性を大きくすることができ、化合物（ｇ−１−４）、（ｇ−２−３）、（ｉ−１）および（ｉ−４）は、光学異方性をより大きくすることができる。

化合物（ｇ−２−１）、（ｇ−２−２）、（ｇ−２−３）、（ｉ−２）、（ｉ−３）および、（ｉ−４）は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の下限温度を低くすることができる。

好ましい液晶組成物の例としては、第一成分が式（ａ−３）〜（ａ−１５）である化合物群から選択される少なくとも１つの化合物であり、第二成分が式（ｅ−１）〜（ｅ−３）からなる化合物群から選択される少なくとも１つの化合物であり、第三成分が式（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）および（ｉ−１）〜（ｉ−４）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である液晶組成物が挙げられる。この組成を有する液晶組成物は、耐熱性および耐光性に優れ、ネマチック相の温度範囲が広く、粘度が小さく、電圧保持率が高く、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３を有す。さらにこれら物性が適切にバランスした液晶組成物である。

第三成分の中では、化合物（ｇ−１）および（ｇ−２）で代表される、化合物（３−１）〜（３−１１８）が好ましい。これらの化合物においてＲｂ_２２、およびＲｂ_２２は、化合物（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）の場合と同一の意味である。

化合物（ｇ−３）〜（ｇ−６）のような縮合環を有する化合物は、しきい値電圧値を低くすることができ、耐熱性、または耐光性といった観点から、化合物（３−１１９）〜（３−１４４）が好ましい。これらの化合物においてＲａ_２１、およびＲｂ_２１は、化合物（ｇ−３）〜（ｇ−６）の場合と同一の意味である。

本発明の液晶組成物における第三成分の含有量は、負の誘電率異方性の絶対値を小さくしないといった観点からは、含有量を多くすることが好ましい。
本発明に係る液晶組成物の第一成分、第二成分、および第三成分の含有割合は特に制限はされないが、液晶組成物の全重量に基づいて、液晶性化合物（ａ）の含有割合が５〜６０重量％の範囲、第二成分の含有割合が２０〜７５重量％の範囲、第三成分の含有割合が２０〜７５重量％の範囲であることが好ましい。

液晶組成物の第一成分、第二成分、および第三成分の含有割合がこの範囲にある場合には、耐熱性、耐光性に優れ、ネマチック相の温度範囲が広く、粘度が小さく、電圧保持率が高く、適切な光学異方性、高い誘電率異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３を有す。さらにこれら物性がより適切にバランスした液晶組成物が得られる。

〔液晶組成物の態様等〕
本発明に係る液晶組成物では、第一成分、第二成分、および必要に応じて添加する第三成分を構成する液晶性化合物に加えて、例えば液晶組成物の特性をさらに調整する目的で、さらに他の液晶性化合物を添加して使用する場合がある。また、例えばコストの観点から、本発明の液晶組成物では、第一成分、第二成分、および必要に応じて添加する第三成分を構成する液晶性化合物以外の液晶性化合物は添加せずに使用する場合もある。

また本発明に係る液晶組成物には、さらに、光学活性化合物、色素、消泡剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、重合可能な化合物、重合開始剤等の添加物を添加してもよい。
光学活性化合物を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶にらせん構造を誘起して、ねじれ角を与えることなどができる。

光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤を添加する。このキラルド−プ剤は液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐといった効果を有する。キラルド−プ剤の例として、（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）に示す光学活性化合物を挙げることができる。光学活性化合物の好ましい割合は５重量％以下である。さらに好ましい割合は０．０１重量％から２重量％の範囲である。

色素を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶組成物をＧＨ（Ｇｕｅｓｔｈｏｓｔ）モードを有する液晶表示素子に適用することなどが可能となる。
消泡剤を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶組成物の運搬中、あるいは該液晶組成物から液晶表示素子を製造工程中で、発泡を抑制することなどが可能となる。

紫外線吸収剤、あるいは酸化防止剤を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶組成物や該液晶組成物を含む液晶表示素子の劣化を防止することなどが可能となる。例えば酸化防止剤は、液晶組成物を加熱したときに比抵抗値の低下を抑制することが可能である。

紫外線吸収剤としては、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、トリアゾール系紫外線吸収剤などを挙げることができる。
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の具体例は、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノンである。

ベンゾエート系紫外線吸収剤の具体例は、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートである。
トリアゾール系紫外線吸収剤の具体例は、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロキシフタルイミド−メチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、および２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾールである。

酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、有機硫黄系酸化防止剤などを挙げることができる。
特に、液晶組成物の物性値を変化させずに酸化防止効果が高いという観点からは、式（Ｉ）で表される酸化防止剤が好ましい。

式（Ｉ）中、ｗは１から１５の整数を示す。

化合物（Ｉ）において、好ましいｎは、１、３、５、７、または９である。さらに好ましいｎは１または７である。ｎが１である化合物（Ｉ）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。ｎが７である化合物（Ｉ）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなくネマチック相の上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。

フェノール系酸化防止剤の具体例は、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−プロピルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ペンチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヘキシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヘプチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−オクチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ノニルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−デシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ウンデシルフェノール、２，
６−ジ−ｔ−ブチル−４−ドデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−トリデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−テトラデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ペンタデシルフェノール、２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチルー４−メチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−（２−オクタデシルオキシカルボニル）エチルフェノール、およびペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］である。

有機硫黄系酸化防止剤の具体例は、ジラウリル−３，３’−チオプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、および２−メルカプトベンズイミダゾールである。

紫外線吸収剤、酸化防止剤などに代表される添加物の添加量は、本発明の目的を損なわず、かつ添加物を添加する目的を達成できる量の範囲で添加して用いることができる。

例えば、紫外線吸収剤、あるいは酸化防止剤を添加する場合には、その添加割合は、本発明に係る液晶組成物の全重量に基づいて、通常１０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲、好ましくは３０〜３００ｐｐｍの範囲、より好ましくは４０〜２００ｐｐｍの範囲である。

なお、本発明に係る液晶組成物は、液晶組成物を構成する各化合物の合成工程、液晶組成物の調製工程等において混入する合成原料、副生成物、反応溶媒、合成触媒等の不純物を含んでいる場合もある。

ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒｓｕｓｔａｉｎｅｄａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの素子に適合させるために重合可能な化合物が組成物に混合される。重合可能な化合物の好ましい例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテル、エポキシ（オキシラン、オキセタン）、ビニルケトンなどの重合可能な基を有する化合物である。特に好ましい例は、アクリレート、またはメタクリレートの誘導体である。重合可能な化合物の好ましい割合は、その効果を得るために、０．０５重量％以上であり、不良表示を防ぐために１０重量％以下である。さらに好ましい割合は、０．１重量％から２重量％の範囲である。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤などの適切な開始剤存在下でＵＶ照射などにより重合される。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光重合開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ６５１（登録商標）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）、またはＤａｒｏｃｕｒｅ１１７３（登録商標）（ＣｉｂａＪＡＰＡＮＫ．Ｋ．）がラジカル重合に対して適切である。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤を０．１重量％から５重量％の範囲で含む。特に好ましくは、光重合開始剤を１重量％から３重量％の範囲で含む。

〔液晶組成物の製造方法〕
本発明に係る液晶組成物は、例えば、各成分を構成する化合物が液体の場合には、それぞれの化合物を混合し振とうさせることにより、また固体を含む場合には、それぞれの化合物を混合し、加熱溶解によってお互い液体にしてから振とうさせることにより調製することができる。また、本発明に係る液晶組成物はその他の公知の方法により調製することも可能である。

〔液晶組成物の特性〕
本発明に係る液晶組成物では、ネマチック相の上限温度を７０℃以上とすること、ネマチック相の下限温度は−２０℃以下とすることができ、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、この液晶組成物を含む液晶表示素子は広い温度領域で使用することが可能である。

本発明に係る液晶組成物では、組成等を適宜調整することで、光学異方性を０．０５〜０．１８の範囲とすることが好ましい。より好ましくは、０．１０〜０．１３の範囲である。
また、本発明に係る液晶組成物では、通常、−５．０〜−２．０の範囲の誘電率異方性、好ましくは、−４．５〜−２．５の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物を得ることができる。−４．５〜−２．５の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物は、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードで動作する液晶表示素子として好適に使用することができる。

〔液晶表示素子〕
本発明に係る液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＰＳＡモード等の動作モードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子だけでなく、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード等の動作モードを有しパッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。

これらＡＭ方式、およびＰＭ方式の液晶表示素子は、反射型、透過型、半透過型、いずれの液晶ディスプレイ等にも適用ができる。
また、本発明に係る液晶組成物は、導電剤を添加させた液晶組成物を用いたＤＳ（ｄｙｎａｍｉｃｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）モード素子や、液晶組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（ｎｅｍａｔｉｃｃｕｒｖｉｌｉｎｅａｒａｌｉｇｎｅｄｐｈａｓｅ）素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（ｐｏｌｙｍｅｒｄｉｓｐｅｒｓｅｄ）素子、例えばＰＮ（ｐｏｌｙｍｅｒｎｅｔｗｏｒｋ）素子にも使用できる。

中でも本発明に係る液晶組成物では、上述のような特性を有するので、ＶＡモード、ＩＰＳモード、またはＰＳＡモードなどの負の誘電率異方性を有する液晶組成物を利用した動作モードで駆動するＡＭ方式の液晶表示素子に好適に用いることができ、特に、ＶＡモードで駆動するＡＭ方式の液晶表示素子に好適に用いることができる。

なお、ＴＮモード、ＶＡモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＩＰＳモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。なお、ＶＡモードで駆動する液晶表示素子の構造は、Ｋ．Ｏｈｍｕｒｏ，Ｓ．Ｋａｔａｏｋａ，Ｔ．ＳａｓａｋｉａｎｄＹ．Ｋｏｉｋｅ，ＳＩＤ ’９７ＤｉｇｅｓｔｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ，２８，８４５（１９９７）に報告されており、ＩＰＳモードで駆動する液晶表示素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号パンフレット（ファミリー：ＵＳ５５７６８６７）に報告されている。
［実施例］

〔液晶性化合物（ａ）の実施例〕
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に断りのない限り、「％」は「重量％」を意味する。

得られた化合物は、^１Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムなどにより同定したので、まず分析方法について説明をする。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析
測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ_３等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数３２回の条件で行った。なお、得られた核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。また、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。

ＧＣ分析
測定装置は、島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ２５−０２５（長さ２５ｍ、内径０．２２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は１ｍｌ／分に調整した。試料気化室の温度を２８０℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を３００℃に設定した。

試料はトルエンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。

なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓＩｎｃ．製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓＩｎｃ．製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、ＲｅｓｔｅｋＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、ＳＧＥＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＰｔｙ．Ｌｔｄ製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）などを用いてもよい。

ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％とほぼ対応している。成分の液晶性化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶性化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶性化合物成分（被検成分）と基準となる液晶性化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶性化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。

〔液晶性化合物等の物性値の測定試料〕
液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２種類がある。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行う。まず、得られた液晶性化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を作製する。そして、得られた試料の測定値から、下記式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算する。この外挿値をこの化合物の物性値とする。

〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉
）／〈液晶性化合物の重量％〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出しなくなった組成で試料の物性値を測定しこの式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とする。

本測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、例えば、母液晶ｉの組成は以下のとおりである。
母液晶ｉ：

なお、液晶組成物の物性値を測定する試料としては、液晶組成物そのものを用いた。
〔液晶性化合物等の物性値の測定方法〕
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（ＳｔａｎｄａｒｄｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎｏｆＪａｐａｎ）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子またはＶＡ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

測定値のうち、液晶性化合物単体そのものを試料として得られた値と、液晶組成物そのものを試料として得られた値は、そのままの値を実験データとして記載した。化合物を母液晶に混合し試料として得られた場合には、外挿法で得られた値を外挿値とした。

相構造および転移温度（℃）
以下（１）、および（２）の方法で測定を行った。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に化合物を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め（ｏｎｓｅｔ）、転移温度を決定した。

以下、結晶はＣと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ｂ、またはＳ_Ａと表した。転移温度の表記として、例えば、「Ｃ５０．０Ｎ１００．０Ｉ」とは、結晶からネマチック相への転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。

ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に、試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。

低温相溶性
母液晶と液晶性化合物とを、液晶性化合物が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
Ｅ型回転粘度計を用いて測定した。

回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定はＭ．Ｉｍａｉｅｔａｌ．，ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ，Ｖｏｌ．２５９，３７（１９９５）に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れた。この素子に３０ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（ｔｒａｎｓｉｅｎｔｃｕｒｒｅｎｔ）のピーク電流（ｐｅａｋｃｕｒｒｅｎｔ）とピーク時間（ｐｅａｋｔｉｍｅ）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。なお、この計算に必要な誘電率異方性は、下記誘電率異方性で測定した値を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
誘電率異方性は以下の方法によって測定した。
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。

同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。

得られたＶＡ素子に試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。

また、得られたＴＮ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。

電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を、高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率（％）で表現したものである。

弾性定数（Ｋ_１１、Ｋ_３３；２５℃で測定）
測定には株式会社東陽テクニカ製のＥＣ−１型弾性定数測定器を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向セルに試料を入れた。このセルに２０ボルトから０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。測定した静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を『液晶デバイスハンドブック』（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．１００）から弾性定数の値を得た。

４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−［４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル−（トランス−４−シクロヘキシルエチル）］−１，１’−ビフェニル（Ｎｏ．６４７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、反応器へ４−ヨード安息香酸エチル（１）２５．０ｇ、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（２）２０．１ｇ、炭酸カリウム２５．０ｇ、Ｐｄ／Ｃ０．２５ｇ、トルエン１００ｍｌ、エタノール１００ｍｌおよび水１００ｍｌを加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水５００ｍｌおよびトルエン５００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにエタノールからの再結晶により精製し、乾燥させ、４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−ビフェニル安息香酸エチル（３）１８．８ｇを得た。化合物（１）からの収率は６７．９％であった。

第２工程
水素化リチウムアルミニウム１．４ｇをＴＨＦ１００ｍｌに懸濁した。この懸濁液に化合物（３）１８．８ｇを、−２０℃から−１０℃の温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で２時間攪拌した。ＧＣ分析により反応終了を確認後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。得られた有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、減圧下濃縮をして、（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−ビフェニル）メタノール（４）１２．０ｇを得た。化合物（３）からの収率は７４．０％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（４）１２．０ｇ、トルエン５０ｍｌおよびピリジン０．１２ｍｌを加え、４５℃で１時間攪拌した。その後、塩化チオニル３．６ｍｌを４５℃から５５℃の温度範囲で加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水２００ｍｌおよびトルエン２００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水で２回、水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比トルエン：ヘプタン＝１：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、４’−クロロメチル−４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−ビフェニル（５）９．４ｇを得た。化合物（４）からの収率は７３．２％であった。

第４工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（５）９．４ｇ、トルエン１００ｍｌおよびトリフェニルホスフィン１７．４ｇを加え、１時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、析出物をろ過し、トルエンで３回未反応の原料を洗い流した後、得られた白色固体を乾燥させ、４’−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル）メチルトリフェニルホスホニウムクロリド（６）９．０ｇを得た。化合物（５）からの収率は９５．７％であった。

第５工程
窒素雰囲気下の反応器へ、３−ブトキシ−１，２−ジフルオロベンゼン（７）３０．０ｇとＴＨＦ５００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．６６Ｍｎ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン溶液１２０ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン−８−オン（８）を３０．２ｇ含んだＴＨＦ２００ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。得られた反応混合物を１ＮＨＣｌ水溶液５００ｍｌと酢酸エチル５００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、８−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカ−８−オール（９）５５．０ｇを得た。得られた化合物（９）は黄色油状物であった。

第６工程
化合物（９）５５．０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸１．８ｇ、およびトルエン３００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水５００ｍｌとトルエン９００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。それを、トルエン１５０ｍｌ、ソルミックスＡ−１１１５０ｍｌとの混合溶媒に溶解させ、さらにＰｄ／Ｃを３．０ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、８−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン（１０）４７．８ｇを得た。化合物（９）からの収率は８４．０％であった。

第７工程
化合物（１０）４７．８ｇ、８７％蟻酸６７．０ｍｌ、およびトルエン２００ｍｌを混合し、この混合物を、２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水５００ｍｌとトルエン１０００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、１−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキサン−４−オン（１１）４０．４ｇを得た。化合物（１０）からの収率は９７．８％であった。

第８工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド４０．８ｇとＴＨＦ２００ｍｌを混合し、−３０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）１３．４ｇを−３０℃〜−２０℃の温度範囲で、２回に分けて投入した。−２０℃で３０分攪拌した後、ＴＨＦ１００ｍｌに溶解した化合物（１１）２８．０ｇを−３０〜−２０℃の温度範囲で滴下した。−１０℃で３０分攪拌した後、反応液を水２００ｍｌとトルエン２００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。得られた溶離液を減圧下、濃縮し、１−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−メトキシメチレンシクロヘキサンを得た。その後、８７％蟻酸４５．５ｇ、およびトルエン２００ｍｌを混合し、この混合物を、２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水１００ｍｌとトルエン２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、淡黄色固体を得た。この残渣をトルエン５０ｍｌに溶解し、７℃に冷却した９５％水酸化ナトリウム０．５ｇとメタノール２００ｍｌの混合液へ添加し、１０℃で２時間攪拌した。その後、２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１００ｍｌを添加し、５℃で２時間攪拌した。得られた反応液を水５００ｍｌとトルエン５００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣を濃縮し、トルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、トランス−４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキサンカルボアルデヒド（１２）２８．８ｇを得た。化合物（１１）からの収率は９８．３％であった。

第９工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させた４’−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル）メチルトリフェニルホスホニウムクロリド（６）１５．０ｇとＴＨＦ１００ｍｌを混合し、−１０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）３．１ｇを−１０℃〜−５℃の温度範囲で、２回に分けて投入した。−１０℃で６０分攪拌した後、ＴＨＦ３０ｍｌに溶解した化合物（１２）８．１ｇを−１０〜−５℃の温度範囲で滴下した。０℃で３０分攪拌した後、反応液を水１００ｍｌとトルエン５０ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、溶離液を減圧下、濃縮した。それを、トルエン１５０ｍｌ、ソルミックスＡ−１１１５０ｍｌとの混合溶媒に溶解させ、さらにＰｄ／Ｃを０．３ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１の混合溶媒（体積比酢酸エチル：ソルミックス＝１：４）からの再結晶により精製し、４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−［４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル−（トランス−４−シクロヘキシルエチル）］−１，１’−ビフェニル（Ｎｏ．６４７）８．３５ｇを得た。化合物（１２）からの収率は５７．８％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−［４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル−（トランス−４−シクロヘキシルエチル）］−１，１’−ビフェニル（Ｎｏ．６４７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．４３（ｄｄ，２Ｈ），７．２６（ｄ，２Ｈ），７．０９（ｔｄ，１Ｈ），６．８３（ｔｄ，１Ｈ），６．７９（ｔｄ，１Ｈ），６．６６（ｔｄ，１Ｈ），４．１４（ｑ，２Ｈ），４．００（ｑ，２Ｈ），２．７７（ｔｔ，１Ｈ），２．６９（ｔ，２Ｈ），１．９８−１．９１（ｍ，２Ｈ），１．９０−１．８３（ｍ，２Ｈ），１．７８（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．６３−１．５６（ｍ，２Ｈ），１．５５−１．３２（ｍ，８Ｈ），１．２０−１．１０（ｍ，２Ｈ），０．９８（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．６４７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ７４．２Ｓ_Ａ１３０．９Ｎ２２４．４Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１９６．６℃，Δε＝−９．２４，Δｎ＝０．２００．

４−ブトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−ビフェノキシメチル−トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサン（Ｎｏ．１５３９）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、反応器へ４−ブロモベンゾキシベンゼン（１４）５．０ｇ、４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（１３）４．８ｇ、炭酸カリウム１３．１ｇ、Ｐｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_２Ｃｌ_２０．４ｇ、トルエン１００ｍｌ、ソルミックスＡ−１１１００ｍｌおよび水１００ｍｌを加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水２００ｍｌおよびトルエン２００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、得られた残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにＰｄ／Ｃを０．３ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１の混合溶媒（体積比酢酸エチル：ソルミックス＝１：４）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４’−ブトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ヒドロキシフェノール（１５）４４．７ｇを得た。化合物（１４）からの収率は９０．８％であった。

第２工程
水素化リチウムアルミニウム４．２ｇをＴＨＦ３００ｍｌに懸濁した。この懸濁液にトランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキサンカルボアルデヒド（１６）５０．０ｇを、−２０℃から−１０℃の温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で２時間攪拌した。ＧＣ分析により反応終了を確認後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。得られた有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、減圧下濃縮をして、トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ）−ヒドロキシメチルシクロヘキサン（１７）４７．６ｇを得た。化合物（１６）からの収率は９４．５％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（１７）４７．６ｇ、トルエン３００ｍｌおよびピリジン０．５ｍｌを加え、４５℃で１時間攪拌した。その後、塩化チオニル１４．０ｍｌを４５℃から５５℃の温度範囲で加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水３００ｍｌおよびトルエン３００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水で２回、水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比トルエン：ヘプタン＝１：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−クロロメチル−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキサン（１８）４７．６ｇを得た。化合物（１７）からの収率は９３．６％であった。

第４工程
窒素雰囲気下、ＤＭＦ１００ｍｌに４’−ブトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ヒドロキシフェノール（１５）２．０ｇ、およびリン酸三カリウム（Ｋ_３ＰＯ_４）３．２ｇを加え、７０℃で攪拌した。そこへ化合物（１８）１．７ｇを加え、７０℃で、７時間攪拌した。得られた反応混合物を３０℃まで冷却し、ろ過によって固形物と分離した後、トルエン１００ｍｌ、および水１００ｍｌを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（体積比ヘプタン：トルエン＝１：２）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（体積比ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−ブトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−［４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル−（トランス−４−シクロヘキシル）フェノキシメチル］−１，１’−ビフェニル（Ｎｏ．１５３９）２．０ｇを得た。化合物（１８）からの収率は６３．９％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−ブトキシ−２，３−ジフルオロ−４’−［４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル−（トランス−４−シクロヘキシル）フェノキシメチル］−１，１’−ビフェニル（Ｎｏ．１５３９）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．４３（ｄ，２Ｈ），７．０６（ｔｄ，１Ｈ），６．９７（ｄ，２Ｈ），６．８７（ｔｄ，１Ｈ），６．７８（ｔｄ，１Ｈ），６．６９（ｔｄ，１Ｈ），４．１２（ｔ，２Ｈ），４．０８（ｑ，２Ｈ），３．８５（ｄ，２Ｈ），２．８２（ｔｔ，１Ｈ），２．１０−２．０２（ｍ，２Ｈ），１．９８−１．７９（ｍ，５Ｈ），１．５６−１．４８（ｍ，４Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），１．３４−１．２３（ｍ，２Ｈ），１．００（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．１５３９）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１１３．８Ｓ_Ａ１４３．４Ｎ２２４．１Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２０２．６℃，Δε＝−８．８３，Δｎ＝０．２０１．

トランス−４−（トランス−４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシルエチル）−４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルシクロヘキサン（Ｎｏ．４６７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、トルエン２００ｍｌへ化合物（１７）３０．０ｇ、イミダゾール９．８ｇおよびトリフェニルホスフィン（Ｐｈ_３Ｐ）３７．８ｇを加え、５℃で攪拌した。そこへヨウ素３３．８ｇを５分割して、５〜１０℃の温度範囲で加え、さらに３時間攪拌し、ＧＣ分析により反応が終了していることを確認した。得られた反応混合物を濾過により析出物を取り除き、得られた濾液から減圧下、溶媒を留去した。得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、トランス−４−ヨードメチル−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキサン（１９）２４．７ｇを得た。化合物（１７）からの収率は５８．５％であった。
なお、化合物（１９）は国際公開第２００６／０９３１０２号パンフレットに記載されている方法などにより合成することができる。

第２工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（１９）１０．０ｇ、トルエン１００ｍｌおよびトリフェニルホスフィン１３．８ｇを加え、５時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、析出物をろ過し、トルエンで３回未反応の原料を洗い流した後、得られた白色固体を乾燥させ、トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ）シクロヘキシルメチルトリフェニルホスホニウムヨージド（２０）９．０ｇを得た。化合物（１９）からの収率は８４．６％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させたトランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ）シクロヘキシルメチルトリフェニルホスホニウムヨージド（２０）７．１ｇとＴＨＦ１００ｍｌを混合し、−１０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）１．２ｇを−１０℃〜−５℃の温度範囲で、２回に分けて投入した。−１０℃で６０分攪拌した後、ＴＨＦ３０ｍｌに溶解した化合物（１２）３．０ｇを−１０〜−５℃の温度範囲で滴下した。０℃で３０分攪拌した後、反応液を水１００ｍｌとトルエン５０ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、溶離液を減圧下、濃縮した。それを、トルエン１５０ｍｌ、ソルミックスＡ−１１１５０ｍｌとの混合溶媒に溶解させ、さらにＰｄ／Ｃを０．３ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１の混合溶媒（体積比酢酸エチル：ソルミックス＝１：４）からの再結晶により精製し、トランス−４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−ブトキシフェニル）−シクロヘキシルエチル］−２，３−ジフルオロエトキシフェニルシクロヘキサン（Ｎｏ．４６７）２．５ｇを得た。化合物（１２）からの収率は４５．４％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−ブトキシフェニル）−シクロヘキシルエチル］−２，３−ジフルオロエトキシフェニルシクロヘキサン（Ｎｏ．４６７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８４（ｔｄ，２Ｈ），６．６７（ｔｄ，２Ｈ），４．０９（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），２．７４（ｔｔ，２Ｈ），１．８６（ｍ，８Ｈ），１．７８（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５４−１．３８（ｍ，９Ｈ），１．３０−１，２０（ｍ，６Ｈ），１．１４−１，０２（ｍ，４Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．４６７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ９９．４Ｓ_Ｂ１１６．７Ｓ_Ａ１２４．３Ｎ２３７．５Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２００．６℃，Δε＝−７．５２，Δｎ＝０．１２７．

トランス−４’−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）フェノキシメチル−トランス−４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）ビシクロヘキシル（Ｎｏ．３６７７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、３−ブトキシ−１，２−ジフルオロベンゼン（７）１０．０ｇとＴＨＦ２００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．００Ｍｓｅｃ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液６４．０ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて４−（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカ−８−イル）−シクロヘキサノン（２１）を１２．８ｇ含んだＴＨＦ５０ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。３％塩化アンモニウム水溶液１００ｍｌと酢酸エチル１００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、４−（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカ−８−イル）−１−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキサノール（２２）２２．７ｇを得た。得られた化合物（２２）は黄色油状物であった。

第２工程
化合物（２２）２２．７ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸０．６８ｇ、およびトルエン２００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水２００ｍｌとトルエン２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させた。さらに、Ｐｄ／Ｃを０．３ｇ加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Ｐｄ／Ｃを除去して、さらに溶媒を留去して、得られた残渣をＴＨＦとヘプタンの混合溶媒（体積比ＴＨＦ：ヘプタン＝１：９）からの再結晶により精製し、８−［４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキセニル］−１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン（２３）７．７ｇを得た。化合物（７）からの収率は３５．２％であった。

第３工程
化合物（２３）７．７ｇ、８７％蟻酸８．７ｇ、およびトルエン１００ｍｌを混合し、この混合物を、２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水２００ｍｌとトルエン２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、残渣をヘプタン溶媒からの再結晶により精製し、乾燥させ、４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−４−オン（２４）６．８ｇを得た。化合物（２３）からの収率は９９．０％であった。

第４工程
窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド７．９ｇとＴＨＦ１００ｍｌを混合し、−３０℃まで冷却した。その後、カリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）２．６ｇを−３０℃〜−２０℃の温度範囲で、４回に分けて投入した。−２０℃で３０分攪拌した後、ＴＨＦ３５ｍｌに溶解した化合物（２４）６．８ｇを−３０〜−２０℃の温度範囲で滴下した。−１０℃で３０分攪拌した後、反応液を水２００ｍｌとトルエン１００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。得られた溶離液を減圧下、濃縮し、４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４’−メトキシメチレン−ビシクロヘキシル（２５）７．２ｇを得た。化合物（２４）からの収率は９５．５％であった。

第５工程
化合物（２５）７．２ｇ、８７％蟻酸８．４ｇ、およびトルエン１００ｍｌを混合し、この混合物を、２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水２００ｍｌとトルエン３００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、淡黄色固体６．５ｇを得た。この残渣に、７℃に冷却した２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１４ｍｌと２−プロパノール２８ｍｌの混合液へ添加し、１０℃で２時間攪拌した。その後、２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２０ｍｌを添加し、５℃で２時間攪拌した。得られた反応液を水２００ｍｌとトルエン２００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンとＴＨＦの混合溶媒（体積比ヘプタン：ＴＨＦ＝９：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−トランス−４−カルボアルデヒド（２６）６．０ｇを得た。化合物（２５）からの収率は８６．４％であった。

第６工程
水素化リチウムアルミニウム４．２ｇをＴＨＦ３００ｍｌに懸濁した。この懸濁液に４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−トランス−４−カルボアルデヒド（２６）６．０ｇを、−２０℃から−１０℃の温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で２時間攪拌した。ＧＣ分析により反応終了を確認後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。得られた有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、減圧下濃縮をして、トランス−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−トランス −４−ヒドロキシメチルビシクロヘキシル（２７）６．０ｇを得た。化合物（２６）からの収率は９９．５％であった。

第７工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（２７）６．０ｇ、トルエン１００ｍｌおよびピリジン０．１ｍｌを加え、４５℃で１時間攪拌した。その後、塩化チオニル１．４ｍｌを４５℃から５５℃の温度範囲で加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水１００ｍｌおよびトルエン１００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水で２回、水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下で濃縮し、得られた残渣を、トルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比トルエン：ヘプタン＝１：１）を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、トランス−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−トランス −４−クロロメチルビシクロヘキシル（２８）６．２ｇを得た。化合物（２７）からの収率は９８．６％であった。

第８工程
窒素雰囲気下、ＤＭＦ１００ｍｌに４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェノール（１５）３．３ｇ、およびリン酸三カリウム（Ｋ_３ＰＯ_４）１６．８ｇを加え、８０℃で攪拌した。そこへ化合物（２８）６．２ｇを加え、８０℃で、７時間攪拌した。得られた反応混合物を３０℃まで冷却し、ろ過によって固形物と分離した後、トルエン１００ｍｌ、および水１００ｍｌを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（体積比ヘプタン：トルエン＝１：２）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（体積比ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、トランス−４’−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）フェノキシメチル−トランス−４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）ビシクロヘキシル（Ｎｏ．３６７７）３．６ｇを得た。化合物（２８）からの収率は４２．６％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニル）−４−［２，３−ジフルオロ−４−（４−ブトキシシクロヘキセニル）フェノキシメチル］シクロヘキサン（Ｎｏ．３６７７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８３（ｔｄ，１Ｈ），６．６７（ｔｄ，１Ｈ），６．６１（ｄ，２Ｈ），４．０７（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），３．７７（ｄ，２Ｈ），２．７３（ｔｔ，１Ｈ），１．９７−１．７１（ｍ，１１Ｈ），１．５５−１．３６（ｍ，７Ｈ），１．２３−０．９９（ｍ，８Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．３６７７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ９８．４Ｓ_Ａ１１３．４Ｎ２３５．４Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２００．６℃，Δε＝−９．７３，Δｎ＝０．１２７．

トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル安息香酸４’−ブトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニルエステル（Ｎｏ．２３７９）の合成

第１工程
化合物（１６）１０．０ｇ、アセトン５０ｍｌを混合し、この混合物を、３５℃で３０分攪拌した。この混合物にＪｏｎｅｓ試薬（８Ｎ）を４．７ｍｌを３０〜４０℃の温度範囲で加えた後、３５℃で２時間攪拌させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液にトルエン２００ｍｌと水２００ｍｌを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、チオ硫酸ナトリウム水溶液、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−（トランス−４−シクロヘキシル）−カルボン酸（３１）８．８ｇを得た。化合物（１６）からの収率は８３．１％であった。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（３１）１．２ｇ、４’−ブトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ヒドロキシフェノール（１５）１．０ｇ、１，３−ジシクロカルボジイミド（ＤＣＣ）０．８９ｇ、および４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．０５ｇをトルエン１００ｍｌ中に加え、２５℃で２０時間攪拌した。ＧＣ分析により反応が終了していることを確認後、トルエン１００ｍｌおよび水１００ｍｌを加え、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにヘプタンとＴＨＦの混合溶媒（体積比ヘプタン：ＴＨＦ＝２：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル安息香酸トランス−４’−ブトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニルエステル（Ｎｏ．２３７９）１．４３ｇを得た。化合物（１５）からの収率は６３．６％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル安息香酸トランス−４’−ブトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニルエステル（Ｎｏ．２３７９）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５１（ｄ，２Ｈ），７．１５（ｄ，２Ｈ），７．０８（ｔｄ，１Ｈ），６．８６（ｔｄ，１Ｈ），６．８０（ｔｄ，１Ｈ），６．６９（ｔｄ，１Ｈ），４．１４−４．０６（ｍ，４Ｈ），２．８６（ｔｔ，１Ｈ），２．６３（ｔｔ，１Ｈ），２．３３−２．２６（ｍ，２Ｈ），２．０４−１．９７（ｍ，２Ｈ），１．８７−１．７２（ｍ，４Ｈ），１．６２−１．５０（ｍ，４Ｈ），１．４６（ｔ，３Ｈ），０．９９（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．２３７９）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ８４．８Ｎ２８０．０Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２２１．６℃，Δε＝−８．６１，Δｎ＝０．１８５．

４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−トランス−４’（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−３−エン（Ｎｏ．３７７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、３−エトキシ−１，２−ジフルオロベンゼン（３１）３．０ｇとＴＨＦ２００ｍｌとを加えて、−７４℃まで冷却した。そこへ、１．００Ｍｓｅｃ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン溶液２３．０ｍｌを−７４℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間攪拌した。続いて４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−４−オン（２４）を７．０ｇ含んだＴＨＦ５０ｍｌ溶液を−７５℃から−７０℃の温度範囲で滴下し、２５℃に戻しつつ８時間攪拌した。３％塩化アンモニウム水溶液１００ｍｌと酢酸エチル１００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４’（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−４−オール（３２）９．７ｇを得た。得られた化合物（３２）は黄色油状物であった。

第２工程
化合物（３２）９．７ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸０．２９ｇ、およびトルエン２００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水２００ｍｌとトルエン２００ｍｌとを加え混合した後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させた。得られた残渣を酢酸エチルとソルミックスＡ−１１の混合溶媒（体積比酢酸エチル：ソルミックスＡ−１１＝１：４）からの再結晶により精製し、４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４’（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−３−エン（Ｎｏ．３７７）５．５ｇを得た。化合物（３１）からの収率は５５．５％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４’（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−３−エン（Ｎｏ．３７７）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８８（ｔｄ，１Ｈ），６．８４（ｔｄ，１Ｈ），６．７０−６．６３（ｍ，２Ｈ），５．９３（ｍ，１Ｈ），４．１１（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），２．７６（ｔｔ，１Ｈ），２．４９−２．３２（ｍ，２Ｈ），２．３１−２．２２（ｍ，１Ｈ），２．０３−１．８３（ｍ，６Ｈ），１．７８（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５４−１．３３（ｍ，９Ｈ），１．３１−１．１５（ｍ，３Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．３７７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ_１６５．２Ｃ_２６９．２Ｓ_Ａ１８２．９Ｎ２６９．５Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２１６．６℃，Δε＝−９．５０，Δｎ＝０．１５８．

実施例１〜６に示した手法により、対応した出発原料を用いて様々な化合物を合成し、それが目的とする化合物であることを確認した。

４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−３，３’−ジエン（Ｎｏ．４０７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８８（ｔｄ，１Ｈ），６．６６（ｔｄ，１Ｈ），５．９３（ｍ，２Ｈ），４．０９（ｑ，２Ｈ），４．０３（ｔ，２Ｈ），２．５０−２．２４（ｍ，６Ｈ），２．０５−１．９４（ｍ，４Ｈ），１．８０（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．６０−１．３７（ｍ，１１Ｈ），０．９８（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．４０７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ８７．１Ｓ_Ａ１９７．５Ｎ２４９．２Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２１５．９℃，Δε＝−９．５０，Δｎ＝０．１９３．

トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．１７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８４（ｔ，２Ｈ），６．６８（ｔ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），４．０２（ｔ，２Ｈ），２．７４（ｔｔ，２Ｈ），１．９４−１．８３（ｍ，８Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５４−１．３８（ｍ，９Ｈ），１．２７−１．１４（ｍ，６Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．１７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ９９．４Ｓ_Ａ１６１．９Ｎ２９３．８Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２１２．６℃，Δε＝−８．１８，Δｎ＝０．１４１．

１−ブトキシ−トランス−４−（４−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）フェニル）シクロヘキシル）−２，３−ジフルオロベンゼン（Ｎｏ．３２２７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１５（ｄｄ，４Ｈ），６．８９（ｔｄ，１Ｈ），６．７８（ｔｄ，１Ｈ），６．７０（ｔｄ，１Ｈ），６．６４（ｔｄ，１Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），４．０３（ｔ，２Ｈ），２．８６（ｍ，５Ｈ），２．５７（ｍｔ，１Ｈ），２．００（ｍ，４Ｈ），１．８１（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．７０−１．５７（ｍ，４Ｈ），１．５１（ｑ，２Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），０．９９（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．３２２７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ８７．９Ｓ_Ａ１０３．８Ｎ２０２．９Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１６８．６℃，Δε＝−７．２５，Δｎ＝０．１６５．

１−ブトキシ−４−（４−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）フェニル）シクロヘキシル−３−エニル）−２，３−ジフルオロベンゼン（Ｎｏ．３５８７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．３２（ｄ，２Ｈ），７．１２（ｄ，２Ｈ），６．８９（ｔｄ，１Ｈ），６．７５（ｔｄ，１Ｈ），６．６９（ｔｄ，１Ｈ），６．６２（ｔｄ，１Ｈ），６．１７（ｍ，１Ｈ），４．０９（ｑ，２Ｈ），４．０３（ｔ，２Ｈ），３．１６（ｍ，１Ｈ），２．８７（ｍ，４Ｈ），２．６４−２．４７（ｍ，３Ｈ），２．５４−２．４５（ｍ，１Ｈ），２．０９−２．０２（ｍ，１Ｈ），１．９７−１．８８（ｍ，１Ｈ），１．８０（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５０（ｑ，２Ｈ），１．４４（ｔ，３Ｈ），０．９８（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．３５８７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ_１８４．９Ｃ_２１００．５Ｓ_Ａ１３５．３Ｎ１８６．９Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１７５．３℃，Δε＝−８．４７，Δｎ＝０．１８６．

トランス−４−［（４’−エトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル）−４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル］シクロヘキサン（Ｎｏ．１９７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．４６（ｄ，２Ｈ），７．３２（ｄ，２Ｈ），７．１０（ｔｄ，１Ｈ），６．８９（ｔｄ，１Ｈ），６．７９（ｔｄ，１Ｈ），６．７０（ｔｄ，１Ｈ），４．１６（ｑ，２Ｈ），４．０３（ｔ，２Ｈ），２．９０（ｍ，１Ｈ），２．６４（ｍ，１Ｈ），２．０９−１．９７（ｍ，４Ｈ），１．８０（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．７４−１．６０（ｍ，４Ｈ），１．５３−１．４５（ｍ，５Ｈ），０．９８（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．１９７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１１９．０（Ｓ_Ａ１５７．３）Ｎ２９５．０Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２１４．６℃，Δε＝−８．８１，Δｎ＝０．２４０．

トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルエチル）−トランス−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．３０４７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８１（ｍ，２Ｈ），６．６６（ｑ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），４．０２（ｔ，２Ｈ），２．７０（ｔｔ，１Ｈ），２．６０（ｔ，２Ｈ），１．９０−１．７２（ｍ，１０Ｈ），１．５４−１．３６（ｍ，９Ｈ），１．２４−０．９８（ｍ，１２Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．３０４７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ_１６２．６Ｓ_Ａ１６９．７Ｎ２４２．５Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２０１．３℃，Δε＝−７．４７，Δｎ＝０．１４２．

４’−エトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル安息香酸トランス−４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシルエステル（Ｎｏ．２７６９）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；８．１１（ｄ，２Ｈ），７．５９（ｄ，２Ｈ），７．１３（ｔ，１Ｈ），６．８６（ｔ，１Ｈ），６．８２（ｔ，１Ｈ），６．９９（ｔ，１Ｈ），５．０５（ｍ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），４．０３（ｔ，２Ｈ），２．８６（ｔｔ，１Ｈ），２．２４（ｍ，２Ｈ），２．００−１．９４（ｍ，２Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．７４−１．６１（ｍ，４Ｈ），１．５４−１．４５（ｍ，５Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．２７６９）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１２９．０Ｎ２７５．８Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２０５．６℃，Δε＝−７．１４，Δｎ＝０．２１４．

トランス−４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル安息香酸トランス−４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシルエステル（Ｎｏ．２２０７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８３（ｔ，２Ｈ），６．６７（ｔ，２Ｈ），４．８０（ｍ，１Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），２．８０（ｔｔ，２Ｈ），２．３３（ｔｔ，１Ｈ），２．０９（ｍ，４Ｈ），１．９８−１．８８（ｍ，４Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．６６−１．４６（ｍ，１３Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．２２０７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１０８．７Ｎ２４４．６Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝１７４．６℃，Δε＝−６．９５，Δｎ＝０．１３６．

トランス−４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−１，１’−ビシクロヘキシル安息香酸４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルエステル（Ｎｏ．４９３７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８３（ｔ，１Ｈ），６．７９（ｔ，１Ｈ），６．６９（ｔ，１Ｈ），６．６７（ｔ，１Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），２．７３（ｔｔ，１Ｈ），２．５１（ｔｔ，１Ｈ），２．１８（ｍ，２Ｈ），１．９３−１．８２（ｍ，６Ｈ），１．７８（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．６２−１．３６（ｍ，９Ｈ），１．２５−１．０６（ｍ，６Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．４９３７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ９１．２Ｓ_Ｃ１５１．５Ｓ_Ａ１８２．８Ｎ２４４．６Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２００．６℃，Δε＝−７．９９，Δｎ＝０．１２７．

４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル安息香酸トランス−４−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−１，１’−ビシクロヘキシルエステル（Ｎｏ．５７１７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．６６（ｔ，１Ｈ），６．８３（ｔ，１Ｈ），６．７４（ｔ，１Ｈ），６．６７（ｔ，１Ｈ），４．９１（ｍ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），２．７３（ｔｔ，１Ｈ），２．１３（ｍ，２Ｈ），１．９３−１．８２（ｍ，６Ｈ），１．７８（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５４−１．３６（ｍ，９Ｈ），１．２５−１．１２（ｍ，６Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．５７１７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１１８．８Ｓ_Ａ１３３．１Ｎ２９４．０Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２３５．９℃，Δε＝−８．１１，Δｎ＝０．１４８．

４−（４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−４’（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−３−エン（Ｎｏ．４０９）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１３（ｄｄ，１Ｈ），７．０８（ｄｄ，１Ｈ），６．８８（ｔ，１Ｈ），６．８４（ｔ，１Ｈ），６．６７（ｔ，１Ｈ），６．０６（ｍ，１Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），２．７４（ｔｔ，２Ｈ），２．４９−２．２４（ｍ，３Ｈ），２．０２−１．８５（ｍ，６Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５４−１．３３（ｍ，８Ｈ），１．３０−１．１５（ｍ，３Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．４０９）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ５８．２Ｓ_Ａ１９０．３Ｎ２７５．４Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２２９．３℃，Δε＝−６．３９，Δｎ＝０．１８０．

４−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル−３−エン（Ｎｏ．４１０）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１３（ｔ，１Ｈ），６．８４（ｔ，１Ｈ），６．６７（ｔ，１Ｈ），６．６２（ｄｄ，１Ｈ），６．５６（ｄｄ，１Ｈ），５．８８（ｍ，１Ｈ），４．００（ｍ，４Ｈ），２．７６（ｔｔ，１Ｈ），２．４９−２．３４（ｍ，２Ｈ），２．２６（ｄｔ，１Ｈ），２．０２−１．８６（ｍ，６Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５４−１．３４（ｍ，９Ｈ），１．３０−１．１５（ｍ，３Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．４１０）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ７１．５Ｓ_Ａ１２５．３Ｎ２７２．７Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２２０．６℃，Δε＝−５．１９，Δｎ＝０．１７６．

トランス−４−（４−エトキシ−３−フルオロフェニル）−トランス−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．１３７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．９３（ｄ，１Ｈ），６．８７（ｍ，２Ｈ），６．８４（ｔ，１Ｈ），６．６７（ｔ，１Ｈ），４．０８（ｑ，２Ｈ），４．０１（ｔ，２Ｈ），２．７４（ｔｔ，１Ｈ），２．３９（ｔｔ，１Ｈ），１．９５−１．８２（ｍ，８Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５５−１．３３（ｍ，９Ｈ），１．２７−１．１１（ｍ，６Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．１３７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ７８．２Ｓ_Ｂ１２４．４Ｓ_Ａ１６０．２Ｎ２９７．７Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２１９．９℃，Δε＝−６．２２，Δｎ＝０．１６０．

トランス−４−（４−エトキシ−２−フルオロフェニル）−トランス−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．７７）

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．１０（ｔ，１Ｈ），６．８４（ｔ，１Ｈ），６．６７（ｔ，１Ｈ），６．６２（ｄｄ，１Ｈ），６．５６（ｄｄ，１Ｈ），４．０１（ｑ，２Ｈ），３．９８（ｔ，２Ｈ），２．７３（ｍ，２Ｈ），１．９３−１．８２（ｍ，８Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．５５−１．３７（ｍ，９Ｈ），１．２６−１．１５（ｍ，６Ｈ），０．９７（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（Ｎｏ．７７）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ９０．８Ｓ_Ａ９７．４Ｎ２９６．９Ｉ
Ｔ_ＮＩ＝２２６．６℃，Δε＝−５．５７，Δｎ＝０．１５８．

実施例１〜７に記載された合成方法と同様の方法により以下に示す、化合物（Ｎｏ．１）〜（Ｎｏ．６１８０）を合成することができる。付記したデータは前記した手法に従い、測定した値である。転移温度は化合物自体の測定値であり、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値である。

〔比較例１〕
比較例として、トランス−４−プロピル−トランス−４’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ａ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−プロピル−トランス−４’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ａ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８２（ｄｄ，１Ｈ），６．６４（ｄｄ，１Ｈ），４．０６（ｑ，２Ｈ），２．７１（ｔｔ，１Ｈ），１．８９−１．７９（ｍ，４Ｈ），１．７９−１．６９（ｍ，４Ｈ），１．４５−１．２６（ｍ，１４Ｈ），１．２０−１．０４（ｍ，４Ｈ），０．９０−０．７９（ｔ，３Ｈ）．

化合物（Ａ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ６６．９Ｓ_Ｂ７９．９Ｎ１８５．１Ｉ

前述した母液晶ｉとして記載された５つの化合物を混合し、ネマチック相を有する母液晶ｉを調製した。この母液晶ｉの物性は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝７４．６℃；粘度（η_２０）＝１８．９ｍＰａ・ｓ；光学異方性（Δｎ）＝０．０８７；誘電率異方性（Δε）＝−１．３。

この母液晶ｉ８５重量％と、合成したトランス−４−プロピル−トランス−４’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ａ）の１５重量％とからなる液晶組成物ｉｉを調製した。得られた液晶組成物ｉｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ａ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１５８．７℃；
光学異方性（Δｎ）＝０．１１４；
誘電率異方性（Δε）＝−５．４３；

液晶性化合物（Ｎｏ．１７）の物性
母液晶ｉ９０重量％と、実施例７で得られた４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．１７）の１０重量％とからなる液晶組成物ｉｉｉを調製した。得られた液晶組成物ｉｉｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ．１７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝２１２．６℃；
光学異方性（Δｎ）＝０．１４１；
誘電率異方性（Δε）＝−８．１８；

このことから液晶性化合物（Ｎｏ．１７）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）を大きく、誘電率異方性（Δε）を負に高くすることができる化合物であることがわかった。

また、比較例化合物（Ａ）と比較して、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が負に高く、融点が低い化合物であることがわかった。

〔比較例２〕
比較例として、トランス−４−ペンチル−トランス−４’’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’，４’，１’’−ターシクロヘキシル（Ｃ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−ペンチル−トランス−４’’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’，４’，１’’−ターシクロヘキシル（Ｃ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８５（ｔｄ，１Ｈ），６．６８（ｔｄ，１Ｈ），４．１１（ｑ，２Ｈ），２．７４（ｔｔ，１Ｈ），１．９３−１．８２（ｍ，４Ｈ），１．８２−１．６８（ｍ，８Ｈ），１．４８−１．３７（ｍ，４Ｈ），１．３７−０．８２（ｍ，２７Ｈ）．

化合物（Ｃ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ７１．８Ｓ_Ｂ２９８．２Ｎ３３０．７Ｉ

この母液晶ｉ９７重量％と、合成したトランス−４−ペンチル−トランス−４’’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’，４’，１’’−ターシクロヘキシル（Ｃ）の３重量％とからなる液晶組成物ｉｖを調製した。得られた液晶組成物ｉｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｃ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．１３７；
誘電率異方性（Δε）＝−１．８６；
また、液晶組成物ｉｖの弾性定数Ｋ_３３は１１．３１ｐＮであった。

液晶性化合物（Ｎｏ．１９７）の物性
母液晶ｉ９７重量％と、実施例７で得られたトランス−４−［（４’−エトキシ−２’，３’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル）−４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル］シクロヘキサン（Ｎｏ．１９７）の３重量％とからなる液晶組成物ｖを調製した。得られた液晶組成物ｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ．１９７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．２４０；
誘電率異方性（Δε）＝−８．８１；
また、液晶組成物ｖの弾性定数Ｋ_３３は１３．９７ｐＮであった。

このことから液晶性化合物（Ｎｏ．１９７）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）を大きく、誘電率異方性（Δε）を負に高くすることができる化合物であることがわかった。

また、比較例化合物（Ｃ）と比較して、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が負に高く、弾性定数Ｋ_３３が大きい化合物であることがわかった。

〔比較例３〕
比較例として、化合物（Ｄ）に類似の４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，３’’’，２，３−テトラフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｆ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，３’’’，２，３−テトラフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｆ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．２２（ｍ，４Ｈ），７．６２（ｍ，４Ｈ），７．１５（ｍ，２Ｈ），７．０１（ｔ，１Ｈ），６．８２（ｔ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），２．７０（ｔ，２Ｈ），１．６６（ｍ，２Ｈ），１．４９（ｔ，３Ｈ），１．３７（ｍ，４Ｈ），０．９３（ｍ，３Ｈ）．

化合物（Ｆ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１４９．８Ｎ３０６．７Ｉ

母液晶ｉ９５重量％と、合成した４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，３’’’，２，３−テトラフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｆ）の５重量％とからなる液晶組成物ｖを調製した。得られた液晶組成物ｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｆ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝−６．０５；
また、液晶組成物ｖの弾性定数Ｋ_３３は１５．７８ｐＮであった。

〔比較例３〕
比較例として、化合物（Ｄ）に類似の４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，２，３−トリフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｇ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，２，３−トリフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｆ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．７１（ｍ，４Ｈ），７．６４（ｄ，２Ｈ），７．６０（ｄ，２Ｈ），７．４０（ｔ，１Ｈ），７．１６（ｔ，１Ｈ），７．０５（ｄ，１Ｈ），７．００（ｄ，１Ｈ），６．８２（ｔ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），２．６５（ｔ，２Ｈ），１．６６（ｍ，２Ｈ），１．４９（ｔ，３Ｈ），１．３６（ｍ，４Ｈ），０．９２（ｍ，３Ｈ）．

化合物（Ｇ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１３８．７Ｓ_Ａ１８０．２Ｎ３０７．８Ｉ

母液晶ｉ９５重量％と、合成した４−エトキシ−４’’’−ペンチル−２’’’，２，３−トリフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｇ）の５重量％とからなる液晶組成物ｖを調製した。得られた液晶組成物ｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｇ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝−５．２０；
また、液晶組成物ｖの弾性定数Ｋ_３３は１５．４０ｐＮであった。

〔比較例３〕
比較例として、化合物（Ｄ）に類似の４−エトキシ−４’’’−ペンチル−３’’’，２，３−トリフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｈ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−エトキシ−４’’’−ペンチル−３’’’，２，３−トリフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｈ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．７１（ｄｄ，４Ｈ），７．６４（ｄ，２Ｈ），７．６０（ｄ，２Ｈ），７．３５（ｄｄ，１Ｈ），７．３０（ｄｄ，１Ｈ），７．２６（ｔ，１Ｈ），７．１５（ｔｄ，１Ｈ），６．８２（ｔ，１Ｈ），４．１７（ｑ，２Ｈ），２．６８（ｔ，２Ｈ），１．６６（ｍ，２Ｈ），１．４９（ｔ，３Ｈ），１．３７（ｍ，４Ｈ），０．９２（ｍ，３Ｈ）．

化合物（Ｈ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１５４．０Ｓ_Ａ２９７．４Ｎ３１９．３Ｉ

母液晶ｉ９５重量％と、合成した４−エトキシ−４’’’−ペンチル−３’’’，２，３−トリフルオロ−１，１’，４’，１’’，４’’，１’’’−クオターフェニル（Ｈ）の５重量％とからなる液晶組成物ｖを調製した。得られた液晶組成物ｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｈ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝−３．４６；
また、液晶組成物ｖの弾性定数Ｋ_３３は１５．３２ｐＮであった。

液晶性化合物（Ｎｏ．１７）の物性
母液晶ｉ９０重量％と、実施例７で得られた４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４’−（４−ブトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ｎｏ．１７）の１０重量％とからなる液晶組成物ｖｉを調製した。得られた液晶組成物ｖｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ．１７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝−８．１８；
また、液晶組成物ｖの弾性定数Ｋ_３３は１７．４５ｐＮであった。

このことから液晶性化合物（Ｎｏ．１７）は、融点が低く、誘電率異方性（Δε）が負に高く、弾性定数Ｋ_３３が大きくすることができる化合物であることがわかった。

また、比較例化合物（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）と比較して、誘電率異方性（Δε）が負に高く、融点が低く、弾性定数Ｋ_３３が大きい化合物であることがわかった。

〔比較例３〕
比較例として、化合物（Ｅ）に類似の４−エトキシ−２，３，２’’，３’’−テトラフルオロ−４’’−（４−ペンチルフェニルエチル）−１，１’’−ターフェニル（Ｉ）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、４−エトキシ−２，３，２’’，３’’−テトラフルオロ−４’’−（４−ペンチルフェニルエチル）−１，１’’−ターフェニル（Ｉ）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ_３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．６０（ｄｄ，４Ｈ），７．１８−７．１０（ｍ，６Ｈ），６．９７（ｔ，１Ｈ），６．８２（ｔｄ，１Ｈ），４．１８（ｑ，２Ｈ），３．００（ｍ，２Ｈ），２．９３（ｍ，２Ｈ），２．５８（ｔ，２Ｈ），１．６１（ｍ，２Ｈ），１．４９（ｔ，３Ｈ），１．３９−１．２７（ｍ，４Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．

化合物（Ｉ）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ１４６．１Ｎ２０９．０Ｉ

母液晶ｉ９５重量％と、合成した４−エトキシ−２，３，２’’，３’’−テトラフルオロ−４’’−（４−ペンチルフェニルエチル）−１，１’’−ターフェニル（Ｉ）の５重量％とからなる液晶組成物ｖｉを調製した。得られた液晶組成物ｖｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｉ）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝−４．３３；
粘度（η）＝１３９．３ｍＰａ・ｓ
また、液晶組成物ｖｉの弾性定数Ｋ_３３は１４．３７ｐＮであった。

液晶性化合物（Ｎｏ．３２２７）の物性
母液晶ｉ９５重量％と、実施例７で得られた１−ブトキシ−トランス−４−（４−（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）フェニル）シクロヘキシル）−２，３−ジフルオロベンゼン（Ｎｏ．３２２７）の５重量％とからなる液晶組成物ｖｉｉを調製した。得られた液晶組成物ｖｉｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ．３２２７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝−８．０４；
粘度（η）＝７８．８ｍＰａ・ｓ
また、液晶組成物ｖｉｉの弾性定数Ｋ_３３は１４．８ｐＮであった。

このことから液晶性化合物（Ｎｏ．３２２７）は、融点が低く、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）を大きく、粘度（η）が小さく、誘電率異方性（Δε）を負に高くすることができる化合物であることがわかった。

また、比較例化合物（Ｉ）と比較して、誘電率異方性（Δε）が負に高く、融点が低く、粘度（η）が小さく、弾性定数Ｋ_３３が大きい化合物であることがわかった。

〔液晶組成物の実施例〕
以下、本発明で得られる液晶組成物を実施例により詳細に説明する。なお、実施例で用いる液晶性化合物は、下記表１の定義に基づいて記号により表す。なお、表１中、１，４−シクロへキシレンの立体配置はトランス配置である。各化合物の割合（百分率）は、特に断りのない限り、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。各実施例の最後に得られた液晶組成物の特性値を示す。

なお、各実施例で使用する液晶性化合物の部分に記載した番号は、上述した本発明の第一成分から第三成分に用いる液晶性化合物を示す式番号に対応をしており、式番号を記載せずに、単に「−」と記載をしている場合には、この化合物はこれら成分には対応をしていないその他の化合物であることを意味している。

化合物の記号による表記方法を以下に示す。

特性値の測定は以下の方法にしたがって行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（ＳｔａｎｄａｒｄｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎｏｆＪａｐａｎ）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。

（１）ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。以下、ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略することがある。

（２）ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。以下、ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（３）光学異方性（Δｎ；２５℃で測定）
波長が５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により測定した。まず、主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。そして、偏光の方向がラビングの方向と平行であるときの屈折率（ｎ‖）、および偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときの屈折率（ｎ⊥）を測定した。光学異方性の値（Δｎ）は、（Δｎ）＝（ｎ‖）−（ｎ⊥）の式から算出した。

（４）粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定にはＥ型粘度計を用いた。

（５）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。

得られたＶＡ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。

また、得られたＴＮ素子に試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。
この値が負である組成物が、負の誘電率異方性を有する組成物である。

（６）電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）
ポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が６μｍであるセルに試料を入れてＴＮ素子を作製した。２５℃において、このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。ＴＮ素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期（１６．７ミリ秒）における電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。ＴＮ素子を取り除いたあと印加した電圧の波形から同様にして面積を求めた。電圧保持率（％）の値は、（電圧保持率）＝（ＴＮ素子がある場合の面積値）／（ＴＮ素子がない場合の面積値）×１００の値から算出した。

このようにして得られた電圧保持率を「ＶＨＲ−１」として示した。つぎに、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。このＴＮ素子を２５℃に戻したあと、上述した方法と同様の方法により電圧保持率を測定した。この加熱試験をした後に得た電圧保持率を「ＶＨＲ−２」として示した。なお、この加熱テストは促進試験であり、ＴＮ素子の長時間耐久試験に対応する試験として用いた。

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＯ１ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．１５３９）３％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．６４７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４６７）３％

２−ＨＨ−５（２−１）５％
３−ＨＨ−４（２−１）１０％
３−ＨＨ−５（２−１）６％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２５）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）９％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１２％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１２％
ＮＩ＝１０３．４℃；ＴＣ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１８；η＝２８．１ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．５．

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３６７７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢｅＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２７６９）５％

３−ＨＨ−４（２−１）５％
３−ＨＨ−５（２−１）５％
３−ＨＨ−Ｏ１（２−１）１０％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−２５）１５％
Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）１０％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）８％
ＮＩ＝１０２．７℃；Δｎ＝０．１０８；η＝２８．１ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．４．

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈｃｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４０７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨｃｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３７７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．１７）５％

３−ＨＨ−４（２−１）１０％
３−ＨＨ−５（２−１）５％
５−ＨＢ−３（２−４）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１０％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）１０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％
ＮＩ＝１０３．７℃；Δｎ＝０．１１０；η＝２９．６ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．９

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．１７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３４０７）５％

２−ＨＨ−５（２−１）５％
３−ＨＨ−４（２−１）５％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−４）５％
３−ＨＨＢ−１（２−２５）１０％
３−ＨＨＢ−３（２−２５）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−４（３−５７）５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３０４７）７％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３２２７）８％

２−ＨＨ−３（２−１）１０％
２−Ｈ２Ｈ−３（２−２）５％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−４）５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（２−２５）５％
３−ＨＢＢ−２（２−３５）５％
３−ＨＨＥＨ−３（２−４６）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）８％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）６％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−６３）３％
３−ＨＢＢ（２ＣＬ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９３）３％
ＮＩ＝１０２．５℃；Δｎ＝０．１０８；η＝３６．２ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．８

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＯ１ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．１５３９）３％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．６４７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４６７）３％

３−ＨＨ−４（２−１）１０％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１０％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３（２−４３）５％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（２−４３）５％
３−ＨＢＢＨ−５（２−６９）５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４（２−６９）４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）１０％
ＮＩ＝１０１．２℃；Δｎ＝０．１１８；η＝３１．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．５
上記組成物１００部にＯｐ０５を０．２５部添加したときのピッチは６０．７μｍであった。

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３６７７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢｅＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．２７６９）５％

２−ＨＨ−５（２−１）５％
３−ＨＨ−４（２−１）１０％
３−ＨＨ−５（２−１）５％
１Ｖ−ＨＢＢ−２（２−３５）５％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３（２−４４）５％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−５（２−４４）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１２％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３０）１２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）６％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−６３）６％
ＮＩ＝１０１．３℃；Δｎ＝０．１１８；η＝３２．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．６

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＣｈｃｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４０７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨｃｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３７７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．１７）５％

３−ＨＨ−４（２−１）１０％
３−ＨＨ−５（２−１）７％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２５）６％
Ｖ２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−１（２−４４）５％
３−ＨＨＥＨ−３（２−４６）５％
３−ＨＨＥＨ−５（２−４６）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−１０）５％
３−ＨＢ（２ＣＬ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１９）５％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）５％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３０）１２％
ＮＩ＝１０２．４℃；Δｎ＝０．０９７；η＝３１．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．６

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３４０７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３０４７）５％

３−ＨＨ−４（２−１）１２％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−４）１０％
３−ＨＢＢ−２（２−３５）５％
３−ＨＢＢＨ−５（２−６９）７％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４（２−６９）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−１０）３％
５−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−１０）３％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）５％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３０４７）８％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３２２７）７％

２−ＨＨ−３（２−１）１０％
３−ＨＨ−４（２−１）８％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１０％
３−ＨＨＥＢＨ−３（２−７４）５％
３−ＨＨＥＢＨ−５（２−７４）３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−２９）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−６３）５％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−６３）５％
ＮＩ＝１０１．２℃；Δｎ＝０．１０２；η＝３３．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．６

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．６４７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３６７７）５％

２−ＨＨ−３（２−１）１０％
３−ＨＨ−４（２−１）１０％
３−Ｈ２Ｈ−Ｖ（２−２）５％
３−ＨＨＥＢＨ−３（２−７４）５％
３−ＨＨＥＢＨ−５（２−７４）５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）５％
Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）４％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）８％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（３−５７）８％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−６３）５％
ＮＩ＝１０１．２℃；Δｎ＝０．１０６；η＝２９．６ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．５

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＯ１ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．１５３９）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）Ｈ２ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４６７）５％

３−ＨＨ−４（２−１）１０％
５−ＨＢ−３（２−４）５％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−４）１０％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３（２−４４）５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２（２−７３）５％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２９）１０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
ＮＩ＝１０１．８℃；Δｎ＝０．１１７；η＝３３．２ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．６

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３０４７）７％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３２２７）８％

２−ＨＨ−３（２−１）１０％
２−Ｈ２Ｈ−３（２−２）５％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−４）５％
３−ＨＨＢ−１（２−２５）５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（２−２５）５％
３−ＨＢＢ−２（２−３５）５％
３−ＨＨＥＨ−３（２−４６）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）８％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）８％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−６３）３％
３−ＨＢＢ（２ＣＬ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９３）３％
３−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（ｇ−１）５％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（ｇ−１）５％
３−ｄｈＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（ｇ−１）５％
ＮＩ＝１０２．６℃；Δｎ＝０．１０４；η＝３５．６ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．７

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３０４７）８％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３２２７）７％

２−ＨＨ−３（２−１）１０％
３−ＨＨ−５（２−１）８％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１０％
３−ＨＨＥＢＨ−３（２−７４）５％
３−ＨＨＥＢＨ−５（２−７４）４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−２９）３％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−６３）５％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３１）５％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（−）５％
ＮＩ＝１０２．４℃；Δｎ＝０．０９６；η＝３２．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．７

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＢ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．３２２７）８％

２−ＨＨ−３（２−１）１０％
２−Ｈ２Ｈ−３（２−２）５％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−４）５％
３−ＨＨＢ−１（２−２５）５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（２−２５）５％
３−ＨＢＢ−２（２−３５）５％
３−ＨＨＥＨ−３（２−４６）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）８％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）８％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−６３）３％
３−ＨＢＢ（２ＣＬ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９３）３％
３−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（ｇ−１）５％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（ｇ−１）５％
３−ｄｈＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（ｇ−１）５％
５−ＨＢ（３Ｆ）ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（ｉ−１）７％

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨｅＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．５７１７）５％
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＢＥＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（Ｎｏ．２７６９）５％
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＥＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（Ｎｏ．２２０７）３％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４９３７）３％

２−Ｈ２Ｈ−３（２−２）１０％
３−Ｈ２Ｈ−Ｖ（２−２）１５％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１１％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１１％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２（２−７３）５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３（２−７３）５％
３−ＨＨＥＢＨ−３（２−７４）５％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
ＮＩ＝１００．２℃；Δｎ＝０．１０９；η＝３１．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝−２．９．

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨｃｈＢ（３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４０９）６％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨＢ（３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．１３７）５％

３−Ｈ２Ｈ−Ｖ（２−２）１０％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１４％
３−ＨＨＢ−１（２−２５）５％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−２５）３％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（２−２５）５％
３−ＨＢＢＨ−５（２−６９）５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２（２−７３）２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）４％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）８％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（３−５９）３％
ＮＩ＝１０１．１℃；Δｎ＝０．１１０；η＝２９．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．２．

４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨｃｈＢ（３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４０９）３％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨＢ（３Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．１３７）５％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨｃｈＢ（２Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．４１０）３％
４Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＨＨＢ（２Ｆ）−Ｏ２（Ｎｏ．７７）５％

２−Ｈ２Ｈ−３（２−２）１０％
３−Ｈ２Ｈ−Ｖ（２−２）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１２％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−４）１０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（２−２５）５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２（２−７３）５％
３−ＨＨＥＢＨ−５（２−７４）５％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）１２％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）１０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３３）５％
ＮＩ＝１０４．８℃；Δｎ＝０．１１３；η＝２９．４ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．２．

化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、液晶相の広い温度範囲、高い透明点、他の液晶化合物との良好な相溶性、大きな光学異方性、適切な弾性定数Ｋ_３３、高い負の誘電率異方性を有する液晶化合物である。さらには、この液晶性化合物を含有する液晶組成物である。この液晶組成物を含有するので、使用できる広い温度範囲、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト、および低い駆動電圧を有する液晶表示素子となり、時計、電卓、ワ−プロなどのディスプレイに利用できる。

Claims

式（ａ）で表される液晶性化合物。

式（ａ）において、ＲａおよびＲｂは独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリジン−２，５−ジイルであるが、環Ａ^１および環Ａ^２が同時に１，４−フェニレンであることはなく；
Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３およびＬ^４は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素であり；
Ｚ^１およびＺ^２は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
式（ａ）において、環Ａ^１および環Ａ^２が独立して、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである請求項１に記載の液晶性化合物。
式（ａ−１）で表される請求項２に記載の液晶性化合物。

式（ａ−１）において、Ｒａ_１およびＲｂ_１は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^３は、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
環Ａ^４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｌ^５、Ｌ^６、Ｌ^７およびＬ^８は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素であり；
Ｚ^３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
式（ａ−２）で表される請求項２に記載の液晶性化合物。

式（ａ−２）において、Ｒａ_２およびＲｂ_２は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
環Ａ^５および環Ａ^６は独立して、１，４−フェニレン、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであるが、環Ａ^５および環Ａ^６が同時に１，４−フェニレンであることはなく；
Ｌ^９、Ｌ^１０、Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも３つはフッ素であり；
Ｚ^４は独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
式（ａ−３）〜（ａ−８）のいずれか１つで表される請求項３に記載の液晶性化合物。

式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｒａ_３およびＲｂ_３は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^５は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
式（ａ−９）〜（ａ−１５）のいずれか１つで表される請求項４に記載の液晶性化合物。

式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｒａ_４およびＲｂ_４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキル、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；
Ｚ^６は独立して、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−である。
式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が単結合である、請求項５に記載の液晶性化合物。
式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＯＣＯ−である、請求項５に記載の液晶性化合物。
式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＣＯＯ−である、請求項５に記載の液晶性化合物。
式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＯＣＨ_２−である、請求項５に記載の液晶性化合物。
式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＣＨ_２Ｏ−である、請求項５に記載の液晶性化合物。
式（ａ−３）〜（ａ−８）において、Ｚ^５が−ＣＨ_２ＣＨ_２−である、請求項５に記載の液晶性化合物。
式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＯＣＯ−である、請求項６に記載の液晶性化合物。
式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＣＯＯ−である、請求項６に記載の液晶性化合物。
式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＯＣＨ_２−である、請求項６に記載の液晶性化合物。
式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＣＨ_２Ｏ−である、請求項６に記載の液晶性化合物。
式（ａ−９）〜（ａ−１５）において、Ｚ^６が−ＣＨ_２ＣＨ_２−である、請求項６に記載の液晶性化合物。
第一成分として、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１つ含有し、第二成分として、式（ｅ−１）〜（ｅ−３）で表される化合物を少なくとも１つ含有する、液晶組成物。

式（ｅ−１）〜（ｅ−３）において、Ｒａ_１１およびＲｂ_１１は独立して、炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキル中において、相隣接しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない任意の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよく；
環Ａ^１１、環Ａ^１２、環Ａ^１３、および環Ａ^１４は独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＨ_２Ｏ−である。
第一成分が請求項３に記載の式（ａ−１）で表される化合物から選択される少なくとも１つの化合物であり、第二成分が請求項１８に記載の式（ｅ−１）〜（ｅ−３）から選択される少なくとも１つの化合物である、液晶組成物。
第一成分が請求項４に記載の式（ａ−２）で表される化合物から選択される少なくとも１つの化合物であり、第二成分が請求項１８に記載の式（ｅ−１）〜（ｅ−３）から選択される少なくとも１つの化合物である、液晶組成物。
液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の含有割合が５〜６０重量％の範囲であり、第二成分の含有割合が４０〜９５重量％の範囲である、請求項１８〜２０に記載の、液晶組成物。
第一成分、および第二成分に加えて、第三成分として式（ｇ−１）〜（ｇ−６）で表される化合物群および式（ｉ−１）〜（ｉ−４）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、請求項１８〜２１に記載の、液晶組成物。

式（ｇ−１）〜（ｇ−６）において、Ｒａ_２１およびＲｂ_２１は独立して、水素、または炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキル中において、相隣接しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない任意の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよく；
環Ａ^２１、環Ａ^２２、および環Ａ^２３は独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^２１、Ｚ^２２、およびＺ^２３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は独立して、フッ素または塩素であり；
ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０、１、または２であり、ｑ＋ｒは１または２であり、ｑ＋ｒ＋ｓは１、２、または３であり；
ｔは０、１、または２である。

式（ｉ−１）〜（ｉ−４）において、Ｒａ_２３およびＲｂ_２３は独立して、炭素数１〜８のアルキル、または炭素数１〜７のアルコキシであり；
環Ａ^２４は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；
環Ａ^２５は、トランス−１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ^２７は独立して、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−または−ＣＦ_２Ｏ−であり；
Ｘ^１、およびＸ^２は、共にフッ素、または一方がフッ素で他方が水素である。
第三成分が、式（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項２２に記載の、液晶組成物。

式（ｇ−１−１）〜（ｇ−２−３）において、Ｒａ_２２およびＲｂ_２２は独立して、炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜８のアルケニル、または炭素数１〜７のアルコキシであり；
Ｚ^２４、Ｚ^２５、およびＺ^２６は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；
Ｙ^１、およびＹ^２は、共にフッ素、または一方がフッ素で他方が塩素である。
液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の含有割合が５〜６０重量％の範囲であり、第二成分の含有割合が２０〜７５重量％の範囲であり、第三成分の含有割合が２０〜７５重量％の範囲である、請求項２２または２３のいずれか１項に記載の、液晶組成物。
請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
液晶表示素子の動作モードが、ＶＡモード、ＩＰＳモードまたはＰＳＡモードであり、液晶表示素子の駆動方式がアクティブマトリックス方式である、請求項２５に記載の液晶表示素子。