JPWO2010074067A1 - 無電解錫又は錫合金めっき液及び該めっき液を用いて錫又は錫合金被膜を形成した電子部品 - Google Patents
無電解錫又は錫合金めっき液及び該めっき液を用いて錫又は錫合金被膜を形成した電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010074067A1 JPWO2010074067A1 JP2010544075A JP2010544075A JPWO2010074067A1 JP WO2010074067 A1 JPWO2010074067 A1 JP WO2010074067A1 JP 2010544075 A JP2010544075 A JP 2010544075A JP 2010544075 A JP2010544075 A JP 2010544075A JP WO2010074067 A1 JPWO2010074067 A1 JP WO2010074067A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- tin
- lower alkyl
- amino group
- substituted amino
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 *c1nnn[n]1* Chemical compound *c1nnn[n]1* 0.000 description 7
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/52—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating using reducing agents for coating with metallic material not provided for in a single one of groups C23C18/32 - C23C18/50
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Description
又、近年では鉛フリー化の動きからリジッドプリント基板の最終表面処理方法として、無電解錫めっきプロセスが注目を浴びつつある。しかし、無電解錫めっき液は一般的にpHが低く、さらに比較的高温(50℃以上)で被めっき物をめっき液に浸漬するため、フレキシブルプリント基板では、銅とカバーレイフィルムとの界面に、リジッドプリント基板では銅とソルダーレジストとの界面に錫めっき液が浸入し、ソルダーレジストの浮きや、局部電池を形成してこの部分の銅を溶出してしまうなどの問題点があった。
(1)少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、環内に窒素原子を3つ以上含むアゾール化合物又はアジン化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。
(2)前記無電解錫又は錫合金めっき液が下記一般式(A)又は(B)で示されるトリアゾール化合物を含有することを特徴とする前記(1)記載の無電解錫又は錫合金めっき液。
(8)前記電子部品がプリント配線基板であることを特徴とする前記(7)記載の電子部品。
(9)前記電子部品がTABフィルムキャリアであることを特徴とする前記(7)記載の電子部品。
(10)前記電子部品がウェハ基板であることを特徴とする前記(7)記載の電子部品。
環内に窒素原子を3つ以上含むアゾール化合物又はアジン化合物としては、環内に窒素原子を3つ又は4つ含むアゾール化合物又はアジン化合物が好ましく、トリアゾール化合物、ベンゾトリアゾール化合物、テトラゾール化合物、トリアジン化合物等が挙げられ、特に下記一般式(A)、(B)で表されるトリアゾール化合物、一般式(C)で表されるベンゾトリアゾール化合物、一般式(D)、(E)で表されるテトラゾール化合物、一般式(F)で表されるトリアジン化合物が好ましい。
上記一般式(B)で示される化合物としては、1H−1,2,4−トリアゾール、3−メチル−1H−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1H−1,2,4−トリアゾール等が好ましい。
錫塩としては、任意の可溶性の第一錫塩類を用いることができ、錫の酸化物、塩化物、硫酸塩及び有機スルホン酸塩等を用いることができる。
錫合金めっきの場合は錫と合金を形成する金属塩を用いるが、該金属塩としては、銀、鉛、銅、コバルト、ニッケル、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム等の金属の、酸化物、塩化物、硫酸塩及び有機スルホン酸塩等を用いることができる。
上記有機スルホン酸塩の有機スルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、メタノールスルホン酸、エタノールスルホン酸、フェノールスルホン酸、ナフトールスルホン酸等を挙げることができる。
錫めっきの場合の錫塩の濃度は、金属濃度として1〜200g/Lが好ましく、より好ましくは2〜100g/Lである。
錫合金めっきの場合、錫と合金を形成する金属塩は、錫塩1質量部に対して好ましくは0.001〜99.9質量部、特に好ましくは0.009〜90質量部用いることができ、錫塩と錫と合金を形成する金属塩の合計で、錫を含む金属濃度として1〜200g/Lが好ましく、より好ましくは2〜100g/Lである。
(1)チオ尿素、及び1,3−ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素(例えば、1,3−ジエチル−2−チオ尿素)、N,N′−ジイソプロピルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、1,3−ジフェニルチオ尿素、二酸化チオ尿素、チオセミカルバジドなどのチオ尿素誘導体。
(2)エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩(EDTA・2Na)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、エチレンジアミンテトラメチレンリン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンリン酸など。
(3)ニトリロ三酢酸(NTA)、イミノジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸(IDP)、アミノトリメチレンリン酸、アミノトリメチレンリン酸五ナトリウム塩、ベンジルアミン、2−ナフチルアミン、イソブチルアミン、イソアミルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサエチレンヘプタミン、シンナミルアミン、p−メトキシシンナミルアミンなど。
上記錯化剤の添加量は、一般に5〜300g/Lである。
これら酸の濃度は1〜300g/Lが好ましく、より好ましくは5〜200g/Lである。
界面活性剤は、析出結晶を微細化しかつ均一化するという効果を奏し、また、錫合金めっきを施す場合には、酸化還元電位の差が大きい錫と合金成分金属元素との電位差を小さくして、合金組成品位を安定化するという効果も奏する。
界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン系、両性の各種の界面活性剤を用いることができる。
ノニオン系界面活性剤としては、ポリアルキレングリコール、C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類、C1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C1〜C25アルキルナフトール、C1〜C25アルコキシルリン酸(塩)、ソルビタンエステル、C1〜C22脂肪族アミドなどにエチレンオキシド及び/又はプロピレンオキシドを2〜300モル付加重合させたもの等が挙げられる。
アニオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩等が挙げられる。
カチオン系界面活性剤としては、モノアルキルアミン類、ジアルキルアミン類、トリアルキルアミン類、ジメチルジアルキルアンモニウム塩、トリメチルアルキルアンモニウム塩等が挙げられる。
両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、スルホベタイン、イミダゾリンベタイン、アミノカルボン酸等が挙げられる。
界面活性剤の濃度は、0.01〜10g/Lが好ましく、より好ましくは0.05〜5g/Lである。
酸化防止剤の濃度は、1〜200g/Lが好ましい。
処理時間は10〜36000秒が好ましく、より好ましくは60〜30000秒である。10秒未満では成膜性が低く、良好な特性が出ない。36000秒を超えても錫被膜の析出速度がかなり落ちてしまうので、メリットがない。
得られる錫めっき膜又は錫合金めっき膜の膜厚は、好ましくは0.01〜5μm、さらに好ましくは0.3〜3μmである。
電子部品の例としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂や紙フェノール樹脂などの基材表面に銅又は銅合金層を設け、エッチングにより、銅又は銅合金パターンを形成した後に、少なくとも銅又は銅合金パターン上を含む基板上にソルダーレジストを設けたリジッドプリント基板や、ポリイミドやPETフィルム表面上に銅又は銅合金層を設け、エッチングにより、銅又は銅合金パターンを形成した後に、少なくとも銅又は銅合金パターン上を含む基板上にカバーレイフィルムなどをラミネートしたフレキシブル基板などが挙げられる。
ソルダーレジストやカバーレイフィルムなどの樹脂組成物は特に限定されず、公知のものを用いることができる。
上記基材上に設けられる銅又は銅合金層としては、公知の方法で形成されたものでよく、銅合金となる金属としては、例えばニッケル、クロム、亜鉛、錫、銀、ベリリウム、マグネシウム、チタン、鉄、アルミニウム、マンガン、コバルト、鉛、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、インジウム、セレン、ケイ素等が挙げられる。
実施例1〜23、比較例1〜2
被めっき材料として、ガラスエポキシ基板上に銅箔を貼り付け、エッチングによりパターンを形成した後、少なくとも銅パターン上を含む基板上にソルダーレジスト(PSR4000SP19、太陽インキ)を形成した通常のプリント配線基板を用い、以下のようにめっき処理した。
めっき工程
酸性脱脂
↓
水洗3回
↓
ソフトエッチング(硫酸−過硫酸ナトリウム系)
↓
水洗3回
↓
無電解錫めっき又は錫合金めっき
↓
水洗、乾燥
無電解錫又は錫合金めっきは、表1に記載のめっき液を用い、70℃×10分の浸漬条件で行った。
尚、実施例10で用いた1−[N,N−ビ(ヒドロキシルエチル)アミノメチル]トリルトリアゾールは、4−メチル−1−[N,N−ビ(ヒドロキシルエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾールと5−メチル−1−[N,N−ビ(ヒドロキシルエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾールの4:6程度の混合物である。
(膜厚)
70℃×10分の浸漬条件における膜厚を蛍光X線膜厚計(SII、SFT−3200)にて測定した。
無電解錫又は錫合金めっき後に当該プリント基板をエポキシ樹脂で樹脂埋め込みを行い、無電解錫めっきされた部分とソルダーレジストが接する領域を含む断面を観察するために、研磨して、プリント基板断面観察用のサンプルを作製した後に、SEM観察をするための前処理として金蒸着を行い、SEMによりソルーレジストと銅界面のめっき液の浸入を観察し、以下のように評価した。
○:ソルダーレジスト/銅界面へのめっき液の浸入が30μm以下である。
△:ソルダーレジスト/銅界面へのめっき液の浸入が30μmを超え200μm以下である。
×:ソルダーレジスト/銅界面へのめっき液の浸入が200μmを超える。又はめっき上がりの時点でソルダーレジストが一部銅から剥離してしまっている。
窒素雰囲気下、ピーク温度250℃、リフローオーブンを用いてリフローを3回行い、はんだペーストとしてM705−GRN−360−K2−V(千住金属)を用い、厚み200μmのメタルマスクを用いて塗布し、はんだ濡れ性を評価した。
○:リフロー3回後、5×5mmのパッドにはんだペーストを全面に塗布後リフローしたところ、パッド面積の95%以上がはんだペーストによって被覆されていた。
△:リフロー3回後、5×5mmのパッドにはんだペーストを全面に塗布後リフローしたところ、パッド面積の80%以上95%未満がはんだペーストによって被覆されていた。
×:リフロー3回後、5×5mmのパッドにはんだペーストを全面に塗布後リフローしたところ、パッド面積の80%未満がはんだペーストによって被覆されていた。
いて、環内に窒素原子を3つ以上含む下記一般式(A)、(B)、(D)、(E)で示される化合物からなる群から選ばれたアゾール化合物又は下記一般式(F)で示されるアジン化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。
[化1]
(R1〜R3は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表す。)
[化2]
(R9、R10は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表す。)
[化3]
(R11、R12は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表し、R13は単結合、または炭素数10以下のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、アラルキレン基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基のいずれかが置換した基、または、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基の2価基のいずれかを表す。)
[化4]
(R14〜R16は、炭素数10以下のアルキル基、または、該アルキル基にハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子のいずれかを表す。)
(2)前記無電解錫又は錫合金めっき液がアゾール化合物として下記一般式(A)又は(B)で示されるトリアゾール化合物を含有することを特徴とする前記(1)記載の無電解錫又は錫合金めっき液。
[化5]
(R1〜R3は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表す。)
[0009]
[0010]
(3)前記無電解錫又は錫合金めっき液がアゾール化合物として下記一般式(D)で示されるテトラゾール化合物を含有することを特徴とする前記(1)記載の無電解錫又は錫合金めっき液。
[化6]
(R9、R10は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表す。
[0011]
(4)前記無電解錫又は錫合金めっき液がアゾール化合物として下記一般式(E)で示されるテトラゾール化合物を含有することを特徴とする前記(1)記載の無電解錫又は錫合金めっき液。
[化7]
(R11、R12は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表し、R13は単結合、または炭素数10以下のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、アラルキレン基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基のいずれかが置換した基、または、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基の2価基のいずれかを表す。)
[0012]
(5)前記無電解錫又は錫合金めっき液がアジン化合物として下記一般式(F)で示されるトリアジン化合物を含有することを特徴とする前記(1)記載の無電解錫又は錫合金めっき液。
[化8]
(R14〜R16は、炭素数10以下のアルキル基、または、該アルキル基にハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子のいずれかを表す。)
[0013]
(6)前記(1)〜(5)のいずれかに記載の無電解錫又は錫合金めっき液に、表面に銅又は銅合金パターン、および少なくとも該銅又は銅合金パターン上に形成された樹脂組成物を有する電子部品を浸漬して、錫または錫合金被膜を形成した電子部品であって、銅又は銅合金と樹脂組成物界面への前記無電解錫又は錫合金めっき液の浸入深さが30μm以下であることを特徴とする電子部品。
(7)前記電子部品がプリント配線基板であることを特徴とする前記(6)記載の電子部品。
(8)前記電子部品がTABフィルムキャリアであることを特徴とする前記(6)記載の電子部品。
(9)前記電子部品がウェハ基板であることを特徴とする前記(6)記載の電子部品。
発明の効果
[0014]
本発明の無電解錫又は錫合金めっき液は、フレキシブル基板やリジッドプリント基板の最終表面処理に用いた際に、カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、カバーレイフィルムやソルダーレジストの浮き、及び局部電池を形成してこの部分の銅又は銅合金を溶出してしまうなどの問題点を解決することができる。また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成することができる。
発明を実施するための最良の形態
[0015]
本発明の無電解錫めっき液、または錫合金めっき液は、めっき液中に少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含むとともに、環内に窒素原子を3つ以上含むアゾール化合物又はアジン化合物を含有する。
環内に窒素原子を3つ以上含むアゾール化合物又はアジン化合物としては、環内に窒素原子を3つ又は4つ含むアゾール化合物又はアジン化合物が好ましく、トリアゾール化合物、ベンゾトリアゾール化合物、テトラゾール化合物、トリアジン化合物等が挙げられ、特に下記一般式(A)、(B)で表されるトリアゾール化合物、一般式(D)、(E)で表されるテトラゾール化合物、一般式(F)で表されるトリアジン化合物が好ましい。
[0016]
[化9]
(R1〜R3は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表す。)
[0017]
[0018]
[化10]
(R9、R10は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表す。)
[0019]
[化11]
(R11、R12は、炭素数10以下のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子のいずれかを表し、R13は単結合、または炭素数10以下のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、アラルキレン基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基のいずれかが置換した基、または、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基の2価の基のいずれかを表す。)
[0020]
[化12]
(R14〜R16は、炭素数10以下のアルキル基、または、該アルキル基にハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒド
ロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかが置換した基、または、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子のいずれかを表す。)
[0021]
上記一般式(A)〜(F)において、R1〜R12、R14〜R16における炭素数10以下のアルキル基としては炭素数1〜4の低級アルキル基が好ましく、アルケニル基及びアルキニル基としては炭素数2〜4のアルケニル基及びアルキニル基が好ましく、アリール基としてはフェニル基が好ましく、アラルキル基としてはベンジル基が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましい。これらのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基は、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基のいずれかで置換されていても良い。また、R1〜R12、R14〜R16としては、その他にアミノ基、低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基、または、ハロゲン原子、水素原子が挙げられ、これらの中でも水酸基、メルカプト基、アミノ基、低級アルキル置換アミノ基、カルボキシル基、水素原子が好適である。前記低級アルキル置換アミノ基、ヒドロキシ低級アルキル置換アミノ基の低級アルキルとしては、炭素数1〜4のアルキルが好ましい。
[0022]
R13において、炭素数10以下のアルキレン基としては炭素数1〜4の低級アルキレン基が好ましく、炭素数10以下のアルケニレン基及びアルキニレン基としては炭素数2〜4のアルケニレン基及びアルキニレン基が好ましく、炭素数10以下のアリーレン基としてはフェニレン基が好ましく、炭素数10以下のアラルキレン基としてはベンジリデン基が好ましい。これらのアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、アラルキニレン基は、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基のいずれかで置換されていても
良い。R13として、その他に単結合、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基の2価の基が挙げられ、単結合、アゾ基又はジスルフィド基の2価の基が好適である。
[0023]
上記一般式(A)で示される化合物としては、1H−1,2,3−トリアゾール、5−メチル−1H−1,2,3−トリアゾール、5−アミノ−1H−1,2,3−トリアゾール等が好ましい。
上記一般式(B)で示される化合物としては、1H−1,2,4−トリアゾール、3−メチル−1H−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1H−1,2,4−トリアゾール等が好ましい。
[0024]
[0025]
上記一般式(D)で示される化合物としては、1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾール等が好ましい。
[0026]
上記一般式(E)で示される化合物としては、ビステトラゾール、5,5’−メチレンビス−1H−テトラゾール、5,5’−アゾビス−1H−テトラゾール、5,5’−アゾビス−1メチル−テトラゾール、5,5’−ジスルフィド−1H−テトラゾール等が好ましい。
[0027]
上記一般式(F)で示される化合物としては、2−アミノ−4−エトキシ−6−メチルアミノ−1,3,5−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−フェニル−1,3,5−トリアジン、メラミン等が好ましい。
[0028]
環内に窒素原子を3つ以上含むアゾール化合物又はアジン化合物は、めっき液中1種だけでなく、2種以上用いてもよく、めっき液中合計で0.01〜300g/L含有するのが好ましく、より好ましくは0.1〜100g/
にソルダーレジストを設けたリジッドプリント基板や、ポリイミドやPETフィルム表面上に銅又は銅合金層を設け、エッチングにより、銅又は銅合金パターンを形成した後に、少なくとも銅又は銅合金パターン上を含む基板上にカバーレイフィルムなどをラミネートしたフレキシブル基板などが挙げられる。
[0037]
樹脂組成物としては、カバーレイフィルムやソルダーレジスト等であり、その表面処理として本発明の無電解錫又は錫合金めっき液を用いることが好ましい。
ソルダーレジストやカバーレイフィルムなどの樹脂組成物は特に限定されず、公知のものを用いることができる。
上記基材上に設けられる銅又は銅合金層としては、公知の方法で形成されたものでよく、銅合金となる金属としては、例えばニッケル、クロム、亜鉛、錫、銀、ベリリウム、マグネシウム、チタン、鉄、アルミニウム、マンガン、コバルト、鉛、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、インジウム、セレン、ケイ素等が挙げられる。
[0038]
本発明の無電解錫又は錫めっき液は、カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっきの浸入が少なく、浸入深さを30μm未満とすることができ、カバーレイフィルムやソルダーレジストの浮き、及び局部電池を形成してこの部分の銅又は銅合金を溶出してしまうなどの問題点を解決することができる。また得られる錫又は錫合金被膜は、はんだ濡れ性が良好であり、はんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜となる。
実施例
[0039]
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1〜18、参考例1〜5、比較例1〜2
被めっき材料として、ガラスエポキシ基板上に銅箔を貼り付け、エッチングによりパターンを形成した後、少なくとも銅パターン上を含む基板上にソルダーレジスト(PSR4000SP19、太陽インキ)を形成した通常のプリント配線基板を用い、以下のようにめっき処理した。
めっき工程
無電解錫又は錫合金めっきは、表1に記載のめっき液を用い、70℃×10分の浸漬条件で行った。
尚、参考例4で用いた1−[N,N−ビ(ヒドロキシルエチル)アミノメチル]トリルトリアゾールは、4−メチル−1−[N,N−ビ(ヒドロキシルエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾールと5−メチル−1−[N,N−ビ(ヒドロキシルエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾールの4:6程度の混合物である。
[0040]
得られためっき物を用い、以下のように評価した。結果を表1に示す。
(膜厚)
70℃×10分の浸漬条件における膜厚を蛍光X線膜厚計(SII、SFT−3200)にて測定した。
[0041]
(ソルダーレジストの状態)
無電解錫又は錫合金めっき後に当該プリント基板をエポキシ樹脂で樹脂埋め込みを行い、無電解錫めっきされた部分とソルダーレジストが接する領域を含む断面を観察するために、研磨して、プリント基板断面観察用のサンプルを作製した後に、SEM観察をするための前処理として金蒸着を行い、S
Claims (10)
- 少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、環内に窒素原子を3つ以上含むアゾール化合物又はアジン化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。
- 前記無電解錫又は錫合金めっき液が下記一般式(E)で示されるテトラゾール化合物を含有することを特徴とする請求項1記載の無電解錫又は錫合金めっき液。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の無電解錫又は錫合金めっき液に、表面に銅又は銅合金パターン、および少なくとも該銅又は銅合金パターン上に形成された樹脂組成物を有する電子部品を浸漬して、錫または錫合金被膜を形成した電子部品であって、銅又は銅合金と樹脂組成物界面への前記無電解錫又は錫合金めっき液の浸入深さが30μm以下であることを特徴とする電子部品。
- 前記電子部品がプリント配線基板であることを特徴とする請求項7記載の電子部品。
- 前記電子部品がTABフィルムキャリアであることを特徴とする請求項7記載の電子部品。
- 前記電子部品がウェハ基板であることを特徴とする請求項7記載の電子部品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008327314 | 2008-12-24 | ||
JP2008327314 | 2008-12-24 | ||
PCT/JP2009/071301 WO2010074067A1 (ja) | 2008-12-24 | 2009-12-22 | 無電解錫又は錫合金めっき液及び該めっき液を用いて錫又は錫合金被膜を形成した電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010074067A1 true JPWO2010074067A1 (ja) | 2012-06-21 |
JP6029259B2 JP6029259B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=42287676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010544075A Active JP6029259B2 (ja) | 2008-12-24 | 2009-12-22 | 無電解錫又は錫合金めっき液及び該めっき液を用いて錫又は錫合金被膜を形成した電子部品 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6029259B2 (ja) |
TW (1) | TW201035374A (ja) |
WO (1) | WO2010074067A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120004776A (ko) * | 2010-07-07 | 2012-01-13 | 삼성전기주식회사 | 무전해 주석 환원 도금액 및 이를 이용한 무전해 주석 환원 도금방법 |
TWI553157B (zh) * | 2015-06-26 | 2016-10-11 | 長興材料工業股份有限公司 | 金屬披覆積層板前處理組合物及其應用 |
WO2017115701A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 三菱マテリアル株式会社 | SnAg合金めっき液 |
JP6210148B2 (ja) | 2015-12-28 | 2017-10-11 | 三菱マテリアル株式会社 | SnAg合金めっき液 |
US10868383B2 (en) * | 2017-01-30 | 2020-12-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-treated plated material, connector terminal, connector, FFC terminal, FFC, FPC and electronic part |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3419995B2 (ja) * | 1996-05-10 | 2003-06-23 | 株式会社大和化成研究所 | 無電解錫−銀合金めっき浴 |
JP2009235565A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-10-15 | Nippon Paint Co Ltd | 銅の表面処理液および表面処理方法 |
-
2009
- 2009-12-22 JP JP2010544075A patent/JP6029259B2/ja active Active
- 2009-12-22 WO PCT/JP2009/071301 patent/WO2010074067A1/ja active Application Filing
- 2009-12-24 TW TW98144664A patent/TW201035374A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201035374A (en) | 2010-10-01 |
JP6029259B2 (ja) | 2016-11-24 |
WO2010074067A1 (ja) | 2010-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6926120B2 (ja) | 基板表面の活性化を含む基板表面に金属または金属合金を析出させるための方法 | |
JP6029259B2 (ja) | 無電解錫又は錫合金めっき液及び該めっき液を用いて錫又は錫合金被膜を形成した電子部品 | |
JPWO2009110364A1 (ja) | 銅の表面処理剤および表面処理方法 | |
JP2010265491A (ja) | スズ又はスズ合金メッキ浴、及び当該メッキ浴を用いたバレルメッキ方法 | |
EP3276046B1 (en) | Plating solution using ammonium salt | |
JP4288469B2 (ja) | 銅侵食防止用の無電解スズメッキ浴、及び銅侵食防止方法 | |
JP2009235565A (ja) | 銅の表面処理液および表面処理方法 | |
JP5401714B2 (ja) | 無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法 | |
JP4901181B2 (ja) | 無電解スズメッキ浴 | |
JPH1161426A (ja) | 無電解スズ及びスズ合金メッキ浴、当該無電解メッキ方法、並びに当該無電解メッキ浴でスズ又はスズ合金皮膜を形成した電子部品 | |
JP2010150613A (ja) | 銅の表面処理剤および表面処理方法、並びに銅表面の皮膜 | |
JP5424461B2 (ja) | 無電解錫又は錫合金めっき液及び該めっき液を用いて錫又は錫合金被膜を形成した電子部品 | |
JP4621293B2 (ja) | 銅の表面処理剤および表面処理方法 | |
JP4932542B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
JP7335280B2 (ja) | 無電解銅又は銅合金めっき浴及びめっきする方法 | |
TWI804539B (zh) | 無電鍍金鍍浴 | |
JP5278988B2 (ja) | 無電解スズメッキ浴及び電子部品の無電解スズメッキ方法 | |
JP4147388B2 (ja) | 銅侵食防止用の無電解スズメッキ浴、及び銅侵食防止方法 | |
EP3276047B1 (en) | Plating solution using sulfonium salt | |
JP3489037B2 (ja) | Tab用無電解スズ又はスズ―鉛合金メッキ浴、及びtabのフィルムキャリヤの無電解スズ又はスズ―鉛合金メッキ方法 | |
TW200422430A (en) | Substutition type electroless gold plating solution | |
JP7316250B2 (ja) | 無電解金めっき浴および無電解金めっき方法 | |
JP2006057116A (ja) | 無電解スズメッキ浴 | |
JP4660814B2 (ja) | 無電解スズメッキ浴 | |
JP2018123402A (ja) | アンモニウム塩を用いためっき液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140409 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150120 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150305 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6029259 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |