JPWO2010067395A1 - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 92
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 145
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 44
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 30
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 26
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 91
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 description 67
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 50
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 50
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 25
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 2
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004819 silanols Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
vapor deposition)やプラズマCVDにより形成されシリコン酸化膜であった。このようなシリコン酸化膜の比誘電率は、一般的には4.1程度である。
mechanical polishing)を施すと剥離してしまうという問題がある。
6・・・絶縁膜 8・・・処理室 9・・・電子線
10・・・発生装置 11・・・ガス 12・・・試料支持台
14・・・加熱装置 18・・・ガス導入装置
20・・・バルブ 22・・・ガス導入制御装置
24・・・シリコンウェハ 26・・・素子間分離膜
28・・・ソース拡散層 30・・・ドレイン拡散層
32・・・ゲート電極 34・・・サイドウォールシリコン系絶縁膜
36・・SiO2膜 38・・・ストッパ膜
40・・・コンタクトホール 42・・・TiO
44・・・第1の導体プラグ 46・・・SiC膜(第1のSiC:O:H膜)
48・・第1の多孔質絶縁膜 49・・・第2の層間絶縁膜
50・・・エチレンガス 52・・・第2のSiC:O:H膜
54・・・第1の配線溝 56・・・TaN層
58・・・Cu 60・・・第1のCu配線
62・・・第1のSiN膜 64・・・第2の多孔質絶縁膜
66・・・第3のSiC:O:H膜 68・・・第3の多孔質絶縁膜
70・・・第4のSiC:O:H膜 72・・・第3の層間絶縁膜
74・・・第4の層間絶縁膜 75・・・ビアホール
76・・・第2の配線溝 78・・・TaN層 80・・・Cu
82・・・第2のCu配線 84・・・第2の導体プラグ
86・・・第2のSiN膜 88・・・製造装置(実施例2)
89・・・プラズマの発生装置 90・・・対向電極
91・・・原料ガス 92・・・高周波電源 94・・・ガス導入口
96・・・噴出口
ここで、Xは、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基、及びビニル基の何れかを表す。また、Rは、水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、アリール基、及びビニル基の何れかを表す。また、nは、0〜3の整数である。
比誘電率は、評価対象の絶縁膜に形成した評価用コンデンサの容量と、当該絶縁膜の厚さに基づいて算出されたものである。
リーク電流密度は、上記評価用コンデンサのリーク電流と絶縁膜の厚さに基づいて算出されたもである。リーク電流の測定は、電流―電圧測定器(所謂、I−Vメータ)を用いて、電圧を0V〜20Vの範囲で0.02V間隔で増加(又は減少)させて試料に流れる電流を測定することにより行った。評価対象となるリーク電流密度は、絶縁膜に0.2MV/cmの電界が印加された時のリーク電流から算出された値である。
弾性率が高い膜ほど、絶縁膜の機械的強度は高くなる。そこで、機械的強度の指標として、弾性率も評価項目に加えられた。
ダングリングボンド密度の計測に用いられる試料は、評価対象の絶縁膜を基板からはぎ取り、粉末にしたものである。この試料を用いて、単位重量当たりのダングリングボンド量(ダングリングボンド密度)が求められる。
絶縁膜に内部応力が発生すると、層間絶縁膜によって覆われた配線のストレスマイグレーションが促進される。そこで、絶縁膜変性処理前後における絶縁膜の内部応力差も評価項目に加えられた。
従って、本半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の生産性が向上する。
chemical vapor deposition)によって形成される。その後、このSiO2膜36の上にストッパ膜38が形成され、更に、電極取り出し用のコンタクトホール40が形成される(図6B参照)。
上述した例は、TAOSおよびASを原料として製造されるケイ素化合物を含む液状組成物を焼成して絶縁膜を形成し、この絶縁膜に絶縁膜変性処理及びダングリングボンド終端処理を施す半導体装置の製造方法である。
ここで、Xは、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基、及びビニル基の何れかを表す。また、Rは、水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、アリール基、及びビニル基の何れかを表す。また、nは、0〜3の整数である。
on glass;比誘電率は約2.7)も、SiOC含有絶縁膜またはSiOCH含有絶縁膜の一種である。
Claims (17)
- シロキサン結合を有する絶縁膜を、エネルギー線又はプラズマに曝す第1の工程と、
水素、炭素、窒素、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくても一つの元素を構成元素として含むガス(但し、N2及びH2Oガスを除く)に前記絶縁膜を曝露する第2の工程とを備え、
前記第2の工程において、前記絶縁膜に対する前記ガスの暴露によって前記絶縁膜の比誘電率が下降した後、前記絶縁膜の比誘電率が最初に上昇する時点よりも前に、前記曝露を終了する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記曝露を行う時間が、0.5分以上で且つ10分以下であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記曝露中に於ける前記ガスの圧力が、0.05Pa以上で且つ700Pa以下であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜が、配線が形成される層間絶縁膜であって、
前記第2の工程における前記絶縁膜の温度が、0℃以上400℃以下であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至4の何れか1項に半導体装置の製造方法において、
前記ガスが、水素、メタン、エチレン、アンモニア、シラン、及びヘキサメチルジシラザンからなる群から選ばれた何れか一つのガスであることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記エネルギー線が電子線又は紫外線であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の工程が、前記絶縁膜の機械的強度を増加させる工程であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の工程が、前記絶縁膜を加工する工程であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の工程が、前記絶縁膜をプラズマに曝してエッチングする工程及び前絶縁膜の上に形成されたフォトレジスト膜をプラズマに曝して除去する工程の何れか一方又は双方であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至9の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜の比誘電率が2.7以下で2.0以上であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至10の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜が、ケイ素化合物を含む液状組成物を半導体基板に塗布し、塗布した前記液状組成物を焼結して形成した絶縁膜であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ケイ素化合物が、
テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および下記一般式(I)で示されるアルコキシシラン(AS)を、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
XnSi(OR)4−n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。) - 請求項11に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ケイ素化合物が、
テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解または部分加水分解した後の中間体に、下記一般式(II)で示されるアルコキシシラン(AS)または前記アルコキシシランの加水分解物もしくは部分加水分解物を混合して得られるケイ素化合物、又は当該ケイ素化合物の一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
XnSi(OR)4−n (II)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。) - シロキサン結合を有する絶縁膜の結合手を切断する第1の工程と、
水素、炭素、窒素、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくても一つの元素を構成元素として含むガス(但し、窒素及びH2Oガスを除く)に前記絶縁膜を曝露する第2の工程とを備え、
前記第2の工程において、前記絶縁膜に対する前記ガスの暴露によって前記絶縁膜の比誘電率が下降した後、前記絶縁膜の比誘電率が最初に上昇する時点よりも前に、前記曝露を終了する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜が曝されるエネルギー線又はプラズマを生成する発生装置を備える処理室と、
水素、炭素、窒素、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくても一つの元素を構成元素として含むガス(但し、N2及びH2Oガスを除く)を前記処理室に導入し、且つ前記絶縁膜の比誘電率が降下した後、最初に上昇する時点より前に前記ガスの導入を終了するガス導入装置を、
具備する半導体装置の製造装置。 - 請求項15に記載の半導体装置の製造装置において、
前記発生装置が電子線又は紫外線を発生する装置であることを、
特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項15又は請求項16に記載の半導体装置の製造装置において、
前記ガスが、水素、メタン、エチレン、アンモニア、シラン、及びヘキサメチルジシラザンからなる群から選ばれる何れか一つのガスであることを、
特徴とする半導体装置の製造装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/003642 WO2010067395A1 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010067395A1 true JPWO2010067395A1 (ja) | 2012-05-17 |
JP5565314B2 JP5565314B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=42242408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010541893A Expired - Fee Related JP5565314B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110223766A1 (ja) |
JP (1) | JP5565314B2 (ja) |
KR (1) | KR101350020B1 (ja) |
WO (1) | WO2010067395A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9285334B2 (en) * | 2013-06-06 | 2016-03-15 | Zhi David Chen | Hybrid dielectric moisture sensors |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6652922B1 (en) * | 1995-06-15 | 2003-11-25 | Alliedsignal Inc. | Electron-beam processed films for microelectronics structures |
US6284050B1 (en) * | 1998-05-18 | 2001-09-04 | Novellus Systems, Inc. | UV exposure for improving properties and adhesion of dielectric polymer films formed by chemical vapor deposition |
US6177143B1 (en) * | 1999-01-06 | 2001-01-23 | Allied Signal Inc | Electron beam treatment of siloxane resins |
JP3888794B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2007-03-07 | 松下電器産業株式会社 | 多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法 |
KR100364054B1 (ko) * | 1999-06-08 | 2003-02-07 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 반도체 기판상의 실리콘 폴리머 절연막 및 그 형성방법 |
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JP4195773B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2008-12-10 | Jsr株式会社 | 層間絶縁膜形成用組成物、層間絶縁膜の形成方法およびシリカ系層間絶縁膜 |
US20030157340A1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-08-21 | Jsr Corporation | Process for producing silica-based film, silica-based film, insulating film, and semiconductor device |
US6902771B2 (en) * | 2000-02-01 | 2005-06-07 | Jsr Corporation | Process for producing silica-based film, silica-based film, insulating film, and semiconductor device |
JP3419745B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2003-06-23 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7029826B2 (en) * | 2000-06-23 | 2006-04-18 | Honeywell International Inc. | Method to restore hydrophobicity in dielectric films and materials |
US6746969B2 (en) * | 2000-10-20 | 2004-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
TW559860B (en) * | 2001-05-10 | 2003-11-01 | Toshiba Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
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US20030054115A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Ralph Albano | Ultraviolet curing process for porous low-K materials |
US7083991B2 (en) * | 2002-01-24 | 2006-08-01 | Novellus Systems, Inc. | Method of in-situ treatment of low-k films with a silylating agent after exposure to oxidizing environments |
JP4225765B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2009-02-18 | 日揮触媒化成株式会社 | 低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜 |
US7709371B2 (en) * | 2003-01-25 | 2010-05-04 | Honeywell International Inc. | Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents |
US7074727B2 (en) * | 2003-07-09 | 2006-07-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process for improving dielectric properties in low-k organosilicate dielectric material |
US7147900B2 (en) * | 2003-08-14 | 2006-12-12 | Asm Japan K.K. | Method for forming silicon-containing insulation film having low dielectric constant treated with electron beam radiation |
US7345000B2 (en) * | 2003-10-10 | 2008-03-18 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a dielectric film |
US7553769B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method for treating a dielectric film |
US7611996B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-11-03 | Applied Materials, Inc. | Multi-stage curing of low K nano-porous films |
JP5057647B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
US20060128166A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Fujitsu Limited | Semiconductor device fabrication method |
CN1787186A (zh) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 富士通株式会社 | 半导体器件制造方法 |
US7357977B2 (en) * | 2005-01-13 | 2008-04-15 | International Business Machines Corporation | Ultralow dielectric constant layer with controlled biaxial stress |
JP4563894B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2010-10-13 | 富士通株式会社 | シリカ系被膜の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP4634923B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2011-02-16 | 株式会社東芝 | 絶縁膜の製造方法、トランジスタの製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
-
2008
- 2008-12-08 KR KR1020117013134A patent/KR101350020B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-12-08 WO PCT/JP2008/003642 patent/WO2010067395A1/ja active Application Filing
- 2008-12-08 JP JP2010541893A patent/JP5565314B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-20 US US13/112,579 patent/US20110223766A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5565314B2 (ja) | 2014-08-06 |
US20110223766A1 (en) | 2011-09-15 |
KR20110091533A (ko) | 2011-08-11 |
WO2010067395A1 (ja) | 2010-06-17 |
KR101350020B1 (ko) | 2014-01-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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