JPWO2010058697A1 - ガラスセラミック組成物およびガラスセラミック基板 - Google Patents
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Abstract
Description
ただし、C0は、試験前の容量であり、C1は試験後の容量である。また、上記の0.5%以下といった容量変動率を求めた負荷試験は、温度120℃、相対湿度95%、および15VのDC電圧印加の条件を100時間付与する加速試験である。
まず、ガラスセラミック組成物に含まれるホウケイ酸ガラスとして、表1に示すような種々の組成のものを用意した。
容量変動率[%]={(C1−C0)/C0}×100の式から求めた。
この実験例2は、第4のセラミックとして、実験例1で用いた酸化ジルコニウムに代えて、酸化マンガンを用いたことを特徴としている。
この実験例3は、第4のセラミックとして、実験例1で用いた酸化ジルコニウムと実験例2で用いた酸化マンガンとの双方を用いたことを特徴としている。
実験例4では、低誘電率層と高誘電率層とがともに積層されかつ一体に焼成されることによって得られた共焼結体を作製し、その電気的特性および構造欠陥の有無を評価した。
上式において、ε0は真空の誘電率である。
実験例5では、実験例4の場合と同様、低誘電率層と高誘電率層とがともに積層されかつ一体に焼成されることによって得られた共焼結体を作製し、その電気的特性および構造欠陥の有無を評価した。この場合、この実験例5では、低誘電率層を構成するガラスセラミック組成物(低ε材)において、第4のセラミックとして、実験例4で用いた酸化ジルコニウムに代えて、酸化マンガンを含むものを用いた。
実験例6では、実験例4および5の場合と同様、低誘電率層と高誘電率層とがともに積層されかつ一体に焼成されることによって得られた共焼結体を作製し、その抗折強度を評価した。この場合、この実験例6では、低誘電率層を構成するガラスセラミック組成物(低ε材)において、第4のセラミックとして、酸化ジルコニウムおよび酸化マンガンの双方を含むものを用いた。
実験例7では、実験例4、5および6の場合と同様、低誘電率層と高誘電率層とがともに積層されかつ一体に焼成されることによって得られた共焼結体を作製し、その反り量を評価した。この場合、この実験例7では、低誘電率層を構成するガラスセラミック組成物(低ε材)において、第4のセラミックとして、酸化ジルコニウムおよび酸化マンガンの少なくとも一方を含むものを用いるとともに、高誘電率層を構成するセラミックセラミック組成物(高ε材)においても、酸化ジルコニウムおよび酸化マンガンの少なくとも一方を含むものを用いた。
2 積層型ガラスセラミック基板
3 低誘電率層
4 高誘電率層
21 LCフィルタ
23 積層型ガラスセラミック基板
28〜40 セラミックグリーンシート
Claims (5)
- フォルステライトを主成分とする第1のセラミックと、
チタン酸ストロンチウムおよび酸化チタンの少なくとも一方を主成分とする第2のセラミックと、
ジルコン酸バリウムを主成分とする第3のセラミックと、
酸化ジルコニウムまたは酸化マンガンを主成分とする第4のセラミックと、
ホウケイ酸ガラスと
を含む、ガラスセラミック組成物であって、
前記第2のセラミックの含有率は、チタン酸ストロンチウムを主成分とする場合には3重量%以上かつ13重量%以下であり、酸化チタンを主成分とする場合には0.3重量%以上かつ10重量%以下であり、
前記第3のセラミックの含有率は、4重量%以上かつ8重量%以下であり、
前記第4のセラミックの含有率は、酸化ジルコニウムを主成分とする場合には5重量%以上かつ20重量%以下であり、酸化マンガンを主成分とする場合には1重量%以上かつ9重量%以下であり、
前記ホウケイ酸ガラスの含有率は、3重量%以上かつ20重量%以下であり、
前記ホウケイ酸ガラスは、リチウムをLi2O換算で3〜15重量%、マグネシウムをMgO換算で20〜50重量%、ホウ素をB2O3換算で15〜30重量%、ケイ素をSiO2換算で10〜35重量%、および、亜鉛をZnO換算で6〜20重量%含むとともに、酸化カルシウムおよび酸化ストロンチウムの少なくとも一方からなる添加成分をさらに含み、
前記添加成分の含有率を当該ホウケイ酸ガラスに占める割合で表したとき、前記添加成分の含有率の上限は、酸化カルシウムの場合にはCaO換算で15重量%であり、酸化ストロンチウムの場合にはSrO換算で25重量%である、
ガラスセラミック組成物。 - フォルステライトを主成分とする第1のセラミックと、
チタン酸ストロンチウムおよび酸化チタンの少なくとも一方を主成分とする第2のセラミックと、
ジルコン酸バリウムを主成分とする第3のセラミックと、
酸化ジルコニウムおよび酸化マンガンを主成分とする第4のセラミックと、
ホウケイ酸ガラスと
を含む、ガラスセラミック組成物であって、
前記第2のセラミックの含有率は、チタン酸ストロンチウムを主成分とする場合には3重量%以上かつ13重量%以下であり、酸化チタンを主成分とする場合には0.3重量%以上かつ10重量%以下であり、
前記第3のセラミックの含有率は、4重量%以上かつ8重量%以下であり、
前記第4のセラミックの含有率は、酸化ジルコニウムが5重量%以上かつ20重量%以下であり、酸化マンガンが1重量%以上かつ9重量%以下であり、
前記ホウケイ酸ガラスの含有率は、3重量%以上かつ20重量%以下であり、
前記ホウケイ酸ガラスは、リチウムをLi2O換算で3〜15重量%、マグネシウムをMgO換算で20〜50重量%、ホウ素をB2O3換算で15〜30重量%、ケイ素をSiO2換算で10〜35重量%、および、亜鉛をZnO換算で6〜20重量%含むとともに、酸化カルシウムおよび酸化ストロンチウムの少なくとも一方からなる添加成分をさらに含み、
前記添加成分の含有率を当該ホウケイ酸ガラスに占める割合で表したとき、前記添加成分の含有率の上限は、酸化カルシウムの場合にはCaO換算で15重量%であり、酸化ストロンチウムの場合にはSrO換算で25重量%である、
ガラスセラミック組成物。 - 請求項1または2に記載のガラスセラミック組成物を所定形状に成形し、1000℃以下の温度で焼成することによって得られた、ガラスセラミック基板。
- 低誘電率層、および前記低誘電率層とともに積層される高誘電率層を備え、
前記低誘電率層は、請求項1または2に記載のガラスセラミック組成物を焼成してなるものであり、
前記高誘電率層は、
ジルコン酸ストロンチウムを主成分とする第5のセラミックと、
チタン酸ストロンチウムを主成分とする第6のセラミックと、
フォルステライトを主成分とする第7のセラミックと、
第2のホウケイ酸ガラスと
を含む、ガラスセラミック組成物を焼成してなるものであり、
前記第2のホウケイ酸ガラスの含有率は、1重量%以上かつ12重量%以下であり、
前記第2のホウケイ酸ガラスは、リチウムをLi2O換算で3〜15重量%、マグネシウムをMgO換算で20〜50重量%、ホウ素をB2O3換算で15〜30重量%、ケイ素をSiO2換算で10〜35重量%、および、亜鉛をZnO換算で6〜20重量%含むとともに、酸化カルシウムおよび酸化ストロンチウムの少なくとも一方からなる第2の添加成分をさらに含み、
前記第2の添加成分の含有率を当該ホウケイ酸ガラスに占める割合で表したとき、前記第2の添加成分の含有率の上限は、酸化カルシウムの場合にはCaO換算で15重量%であり、酸化ストロンチウムの場合にはSrO換算で25重量%である、
積層型ガラスセラミック基板。 - 低誘電率層、および前記低誘電率層とともに積層される高誘電率層を備え、
前記低誘電率層は、請求項1または2に記載のガラスセラミック組成物を焼成してなるものであり、
前記高誘電率層は、
ジルコン酸ストロンチウムを主成分とする第5のセラミックと、
チタン酸ストロンチウムを主成分とする第6のセラミックと、
フォルステライトを主成分とする第7のセラミックと、
含有率が5重量%以上かつ20重量%以下の酸化ジルコニウムおよび/または含有率が1重量%以上かつ9重量%以下の酸化マンガンと、
第2のホウケイ酸ガラスと
を含む、ガラスセラミック組成物を焼成してなるものであり、
前記第2のホウケイ酸ガラスの含有率は、1重量%以上かつ12重量%以下であり、
前記第2のホウケイ酸ガラスは、リチウムをLi2O換算で3〜15重量%、マグネシウムをMgO換算で20〜50重量%、ホウ素をB2O3換算で15〜30重量%、ケイ素をSiO2換算で10〜35重量%、および、亜鉛をZnO換算で6〜20重量%含むとともに、酸化カルシウムおよび酸化ストロンチウムの少なくとも一方からなる第2の添加成分をさらに含み、
前記第2の添加成分の含有率を当該ホウケイ酸ガラスに占める割合で表したとき、前記第2の添加成分の含有率の上限は、酸化カルシウムの場合にはCaO換算で15重量%であり、酸化ストロンチウムの場合にはSrO換算で25重量%である、
積層型ガラスセラミック基板。
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