JPWO2010032534A1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(実施の形態1)
図1〜図4は、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す図である。図1は正面図であり、図2は図1中右端部の拡大図であり、図3は側面図であり、図4は樹脂基板RS3の下面図である。図1〜図4を参照して、本実施の形態における半導体装置としてのパッケージオンパッケージ(PoP)PPは、基板SUB上に搭載されており、半導体パッケージSP1〜SP3の各々と、コイルCOとを有している。半導体パッケージSP1〜SP3の各々はxy平面に平行に配置されており、たとえば矩形の平面形状を有している。半導体パッケージSP3(半導体パッケージ)上には半導体パッケージSP2が搭載されており、半導体パッケージSP2上には半導体パッケージSP1が搭載されている。コイルCOは導線によって構成されており、半導体パッケージSP1〜SP3に巻付けられている。それによって、半導体パッケージSP1〜SP3の各々にはコイルCOの一部が設けられている。なお、半導体パッケージSP1〜SP3およびコイルCOは、モールド樹脂(図示なし)によって封止されていてもよい。
図8は、本発明の実施の形態2における半導体装置の通信方法を説明する模式図である。図8を参照して、本実施の形態においては、パッケージオンパッケージPP1のコイルCO1の軸およびパッケージオンパッケージPP2のコイルCO2の軸は、いずれもxy平面内においてx軸に対して傾斜する方向を向いている。また、コイルCO1の軸とコイルCO2の軸とが一致するように、パッケージオンパッケージPP1とパッケージオンパッケージPP2とは配置されている。これにより、コイルCO1とコイルCO2とは誘導性結合を形成し、パッケージオンパッケージPP1とパッケージオンパッケージPP2との間でxy平面内における通信が可能となる。
図10〜図12は、本発明の実施の形態3における半導体装置の構成を示す図である。図10は正面図であり、図11は図10両端部の拡大断面図であり、図12は樹脂基板RS3の上面図である。図10〜図12を参照して、本実施の形態における半導体装置としてのパッケージオンパッケージPPは、コイルがパッケージオンパッケージ内部に形成されており、外部に露出していない点において、実施の形態1のパッケージオンパッケージとは異なっている。
図13および図14は、本発明の実施の形態4における半導体装置の構成を示す図である。図13は電極および導電層の平面レイアウトを示す図であり、図14は図13のXIV−XIV線に沿った断面図である。図13および図14を参照して、本実施の形態における半導体装置としてのパッケージオンパッケージPPは、基板SUB上に搭載されており、1つのみの半導体パッケージSP4を備えている。
図15〜図17は、本発明の実施の形態5における半導体装置の構成を示す図である。図15はxz平面で切った場合の(図17のXV−XV線に沿う)部分断面図であり、図16はyx平面で切った場合の(図17のXVI−XVI線に沿う)部分断面図である。図17は樹脂基板RS1の下面図である。図15〜図17を参照して、本実施の形態における半導体装置としてのパッケージオンパッケージPP1は、実施の形態3におけるパッケージオンパッケージと、半導体パッケージ内部の導電層のパターンにおいて異なっている。
図18〜図20は、本発明の実施の形態6における半導体装置の構成を示す図である。図18はyz平面で切った場合の部分断面図であり、図19は樹脂基板RS1の下面図であり、図20は樹脂基板RS3の上面図である。図18〜図20を参照して、本実施の形態における半導体装置としてのパッケージオンパッケージPPは、実施の形態3におけるパッケージオンパッケージと、半導体パッケージ内部の導電層のパターンにおいて異なっている。
図21および図22は、本発明の実施の形態7における半導体装置の構成を示す図である。図21は電極および導電層の平面レイアウトを示す図であり、図22は図21のXXII−XXII線に沿った断面図である。図21および図22を参照して、本実施の形態における半導体装置としてのパッケージオンパッケージPPは、実施の形態4におけるパッケージオンパッケージと、半導体チップ内部の導電層のパターンにおいて異なっている。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (12)
- 主平面(LS)と、前記主平面(LS)から突出した接続電極(SB3)とを有する半導体パッケージ(SP3)と、
少なくとも一部が前記半導体パッケージ(SP3)に設けられたコイル(CO)とを備え、
前記コイル(CO)の軸が前記主平面(LS)の法線(NL)に対して傾斜している、半導体装置(PP)。 - 前記コイル(CO)の軸(AX)が前記主平面(LS)の法線(NL)に対して直交している、請求の範囲第1項に記載の半導体装置(PP)。
- 前記コイル(CO)の少なくとも一部は導線によって構成されている、請求の範囲第1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体パッケージ(SP3)上に搭載され、かつ前記半導体パッケージ(SP3)と電気的に接続された上部接続電極(SB1a)を有する上部半導体パッケージ(SP1)をさらに備え、
前記コイル(CO)の少なくとも一部は前記上部接続電極(SB1a)によって構成されている、請求の範囲第1項に記載の半導体装置(PP)。 - 前記コイル(CO)の少なくとも一部は前記半導体パッケージ(SP3)内部に形成された導電層(CL2)と、前記上部半導体パッケージ(SP1)内部に形成された上部導電層(CL1)とによって構成されている、請求の範囲第4項に記載の半導体装置(PP)。
- 前記コイル(CO1)は、前記半導体パッケージが搭載される基板(SUB)の配線(CL8)に直接接続され、かつ前記配線(CL8)を通じて前記コイル(CO1)が他の半導体装置(PP2)のコイル(CO2)と電気的に接続されるように構成されている、請求の範囲第1項に記載の半導体装置(PP1)。
- 前記半導体パッケージ(SP4)は複数の積層された半導体チップ(ST1〜ST3)と、前記法線(NL)に沿って前記半導体チップ(ST1〜ST3)の各々を貫通することにより前記複数の半導体チップ(ST1〜ST3)の各々を互いに電気的に接続する貫通電極(EL1)とを有し、前記コイル(CO)の少なくとも一部は前記貫通電極(EL1)によって構成されている、請求の範囲第1項に記載の半導体装置(PP)。
- 前記コイル(CO1)から発生する磁界の変化に基づいて無線通信を行なう、請求の範囲第1項に記載の半導体装置(PP1)。
- 半導体パッケージ(SP3)と、
前記半導体パッケージ(SP3)上に搭載され、かつ前記半導体パッケージ(SP3)と電気的に接続された上部接続電極(SB1b)を有する上部半導体パッケージ(SP1)と、
少なくとも一部が前記半導体パッケージ(SP3)に設けられたコイル(CO)とを備え、
前記コイル(CO)の少なくとも一部は前記上部接続電極(SB1b)によって構成されている、半導体装置(PP)。 - 前記コイル(CO)の少なくとも一部は前記半導体パッケージ(SP3)内部に形成された導電層(CL13)と、前記上部半導体パッケージ(SP1)内部に形成された上部導電層(CL12)とによって構成されている、請求の範囲第9項に記載の半導体装置(PP)。
- 前記半導体パッケージ(SP4)は複数の積層された半導体チップ(ST1〜ST3)と、前記法線(NL)に沿って前記半導体チップ(ST1〜ST3)の各々を貫通することにより前記複数の半導体チップ(ST1〜ST3)の各々を互いに電気的に接続する貫通電極(EL1)とを有し、前記コイル(CO)の少なくとも一部は前記貫通電極(EL1)によって構成されている、請求の範囲第9項に記載の半導体装置。
- 前記コイル(CO1)から発生する磁界の変化に基づいて無線通信を行なう、請求の範囲第9項に記載の半導体装置(PP1)。
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