JPWO2010016245A1 - イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ - Google Patents

イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ Download PDF

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Abstract

本発明のイッテルビウム添加光ファイバは、イッテルビウム、アルミニウム及びリンを少なくとも含有するコアと、このコアを囲むクラッドと、を備え、前記コア中の、前記アルミニウムの酸化アルミニウム換算濃度が0.2モル%以上であり、前記リンの五酸化二リン換算濃度が、前記酸化アルミニウム換算濃度よりも高く、且つ前記コアは、ゲルマニウムを含有しないか、ゲルマニウムを二酸化ゲルマニウム換算で1.1モル%未満含有する。

Description

本発明は、フォトダークニングが抑制されたイッテルビウム添加光ファイバ、並びにこの光ファイバを有するファイバレーザ及びファイバアンプに関する。
本願は、2008年08月04日に、日本国に出願された特願2008−201171号、及び2009年02月19日に出願されたPCT/JP2009/052906号に基づき優先権を主張し、それらの内容をここに援用する。
軸対称な導波構造を有する光ファイバのコア及び/又はクラッドに希土類元素等を添加した光増幅用ファイバは、ファイバアンプやファイバレーザ等の光活性媒質として使用されている。特に、希土類元素としてイッテルビウム(Yb)を含有するYb添加光ファイバは、ビーム品質の良い高パワー出力光が得られる。この出力光の発振波長は、既存の高出力レーザの一つであるNd−YAGとほぼ同じ1μm付近である。そのため、溶接、マーキング、切断等の材料加工用途の高出力光源用レーザ媒体としての実用化が期待されている。
図12は、従来のYb添加光ファイバの径方向の断面及び屈折率分布を例示する図である。
ここに示すYb添加光ファイバ110は、シングルクラッドファイバであり、コア111の外周上にクラッド112を設け、このクラッド112の外周上に保護被覆層113を設けたものである。Yb添加光ファイバ110では、導波する光を閉じ込めるために、コア111の屈折率がクラッド112の屈折率よりも高くなっている。コア111の屈折率を高くするためには、通常、ゲルマニウム(Ge)、アルミニウム(Al)、リン(P)等の屈折率上昇ドーパントがコア111に添加される。さらに、コア111には光増幅作用を有するドーパントとして、Ybが添加される。Ybは、通常、コア111中にほぼ均一な濃度分布となるように添加されるが、濃度分布があっても良く、さらにクラッド112の一部に添加されても良い。
このようなYb添加光ファイバに励起光を入射させ、信号光を入射させるか又はファイバブラッググレーティング等を使用してキャビティを組むことで、高パワーの信号光が得られる。
通常、ファイバレーザやファイバアンプの光増幅媒体としてYb添加光ファイバを使用する場合には、限定モード励振が可能で冷却効率が高いファイバ型光増幅媒体の利点を生かすために、実質的なシングルモード条件でYb添加光ファイバを使用することが多い。
実質的にシングルモード伝播させるための光導波路の条件は、コアの屈折率とコア径(換言すれば、コアの径方向における屈折率分布)、巻き径等の条件によって決定される。この際、コアの屈折率が低いか、又はコア径が小さいことが必要となる。
一方、光増幅媒体としての性能を考慮すると、より高パワーの光が出力できることが望まれる。すなわち、高パワーの光を光ファイバ中に伝播可能なことが、より良い増幅用光ファイバの条件である。しかし、光量が同等な光を、コア径が小さい光ファイバに入射させた場合と、コア径が大きい光ファイバに入射させた場合とで比較すると、前者の方が後者よりも光の伝送断面積(モードフィールド径)が小さいので、コアを伝播する光のパワー密度が高くなる。その結果、光によるコアガラスの損傷や光学的非線形現象を誘発し易い。あるいは、光伝送時の増幅パワーが制限されてしまう。したがって、このような観点からは、コア径が大きい方が望ましい。以上より、コア径を大きくし、かつシングルモード伝播させるためには、コアの屈折率を低くすることが必要となる。
ファイバアンプやファイバレーザの特性を悪化させる要因の一つに、ファイバ中を伝播する励起光や信号光によって生じる光ファイバの損失増加(フォトダークニング)がある(非特許文献1及び2参照)。この損失増加によって、光増幅媒体である希土類添加光ファイバの光増幅効率が徐々に低下する。その結果、ファイバアンプやファイバレーザは、経時に伴い出力が低下して、寿命が短くなってしまう。
そこで、これまでにフォトダークニングを抑制するための手法が種々開示されている。
例えば、非特許文献1には、DND(Direct Nanoparticle Deposition)と呼ばれる特殊な製造方法を適用することで、フォトダークニングを抑制することが開示されている。
また、非特許文献2には、光ファイバの製造時にアルミニウムを高濃度に添加することによって、フォトダークニングを抑制することが開示されている。
また、特許文献1には、光ファイバに水素を添加することで、フォトダークニングを抑制することが開示されている。
特開2007−114335号公報
S.Tammela et al., The Potential of Direct Nanoparticle Deposition for the Next Generation of Optical Fibers, The Proceeding of SPIE Photonics West 2006, Vol.6116-16 (2006) T. Kitabayashi et. al., Population Inversion Factor Dependence of Photodarkening of Yb-doped Fibers and Its Suppression by Highly Aluminum Doping, The Proceedings of OFC 2006, OThC5(2006)
しかし、非特許文献1に記載の方法によれば、従来法で製造した場合よりも確かにフォトダークニングは抑制できるが、その抑制効果はまだ不十分である。また、製造方法が特殊なため、従来法であるMCVD法やVAD法と比較して、光ファイバにはOH基の混入が多くなる。そのため、このOH基に起因する損失が大きくなってしまう。さらに、製造に使用するファイバプリフォームのサイズが制限されてしまうので、製造コストが上昇する。そのため、フォトダークニングが抑制された光増幅用光ファイバを安価に製造できない。
非特許文献2に記載の方法では、フォトダークニングを十分抑制するために、多量のアルミニウムが必要となる。その結果、光ファイバのコアの屈折率が高くなってしまう。この場合、光ファイバをシングルモード動作させるために、コア径を小さくする必要があるが、上記のように、所望の出力光が得られなくなってしまう。
特許文献1に記載の方法によれば、フォトダークニングを抑制できるが、水素含浸工程と光照射工程が必要となる。そのため、製造工程が煩雑となり、大量の光ファイバを製造することが困難である。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、従来法で製造可能な、フォトダークニングが抑制された光ファイバの提供を課題とする。
本発明は、上記課題を解決して係る目的を達成するために以下の手段を採用した。
(1)本発明のイッテルビウム添加光ファイバは、イッテルビウム、アルミニウム及びリンを少なくとも含有するコアと、このコアを囲むクラッドと、を備え、前記コア中の、前記アルミニウムの酸化アルミニウム換算濃度が0.2モル%以上であり、前記リンの五酸化二リン換算濃度が、前記酸化アルミニウム換算濃度よりも高い。
(2)前記コアは、ゲルマニウムを含有しないか、ゲルマニウムを二酸化ゲルマニウム換算で1.1モル%未満含有することが好ましい。
(3)前記コア中の、イッテルビウムの酸化イッテルビウム換算濃度及び前記酸化アルミニウム換算濃度の総和よりも、前記五酸化二リン換算濃度が大きいのが好ましい。
(4)前記コア中の、前記酸化イッテルビウム換算濃度と前記酸化アルミニウム換算濃度との比が0.01〜2であるのが好ましい。
(5)前記コア中の、前記酸化イッテルビウム換算濃度が0.01〜1.0モル%であるのが好ましい。
(6)前記コア中の、前記五酸化二リン換算濃度が20モル%以下であるのが好ましい。
(7)前記コア中の、前記五酸化二リン換算濃度が、前記酸化アルミニウム換算濃度の2倍以下であるのが好ましい。
(8)前記コアとクラッドとの比屈折率差が0.05〜0.65%であるのが好ましい。
(9)前記コアとクラッドとの比屈折率差が0.05〜0.25%であるのが好ましい。
(10)前記コアが、さらにフッ素及び/又はホウ素を含有するのが好ましい。
(11)前記コアが、さらにイッテルビウム以外の希土類元素及び遷移金属元素からなる群から選択される少なくとも一種を含有するのが好ましい。
(12)前記クラッドを少なくとも二層備え、径方向内側のクラッドの屈折率が外側のクラッドの屈折率よりも高いのが好ましい。
(13)前記(12)の場合、前記クラッドを少なくとも三層備え、径方向最内側のクラッドの屈折率nc1と、最外側のクラッドの屈折率nc3と、前記最内側及び前記最外側のクラッド間の中間クラッドの屈折率nc2とが、nc1>nc2>nc3の関係を満たすのが好ましい。
(14)本発明のファイバレーザは、上記(1)に記載のイッテルビウム添加光ファイバを光増幅媒体として有する。
(15)本発明のファイバアンプは、上記(1)に記載のイッテルビウム添加光ファイバを光増幅媒体として有する。
上記(1)に記載のイッテルビウム添加光ファイバでは、コア中の、アルミニウムの酸化アルミニウム換算濃度が0.2モル%以上であって、リンの五酸化二リン換算濃度が、前記酸化アルミニウム換算濃度よりも高くなっている。そのため、ガラスの結晶化が抑制されると共に、フォトダークニングが抑制される。その結果、優れた光増幅効果が得られる光ファイバを、安価かつ大量に提供できる。また、このような光ファイバを光増幅媒体として使用することで、経時に伴う出力低下が抑制され、光学特性が良好なファイバレーザ及びファイバアンプを安価に提供できる。
本発明の実施例1で作製したYb添加光ファイバの径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。 本発明の実施例1における、励起光照射前後での損失量とその差分の波長との関係を示すグラフである。 本発明の実施例2における、励起光照射前後での損失量とその差分の、波長との関係を示すグラフである。 本発明の実施例3における、励起光照射前後での損失量とその差分の、波長との関係を示すグラフである。 本発明の実施例4における、励起光照射前後での損失量とその差分の、波長との関係を示すグラフである。 本発明の実施例5における、励起光照射前後での損失量とその差分の、波長との関係を示すグラフである。 本発明の実施例6における、励起光照射前後での損失量とその差分の、波長との関係を示すグラフである。 本発明の実施例7における、励起光照射前後での損失量とその差分の、波長との関係を示すグラフである。 本発明の実施例8における、励起光照射前後での損失量とその差分の、波長との関係を示すグラフである。 本発明の実施例9における、励起光照射前後での損失量とその差分の、波長との関係を示すグラフである。 比較例1における、励起光照射前後での損失量とその差分の波長との関係を示すグラフである。 従来のYb添加光ファイバの径方向の断面及び屈折率分布を例示する図である。
以下、本発明について詳しく説明する。
以下で「モル%」の単位で示す添加成分の濃度は、屈折率分布を有する光ファイバにおいては、特に断りのない限り平均値である。
「コア径」とは、「コアの最大比屈折率差の1/eの比屈折率差を有する径」のことを指す。
<Yb添加光ファイバ>
本発明のYb添加光ファイバは、コアとこのコアを囲むクラッドとを備える。前記コアは、少なくともYb、Al及びPを含有する。前記コア中の、Alの酸化アルミニウム(Al)換算濃度は0.2モル%以上であり、Pの五酸化二リン(P)換算濃度が、前記Al換算濃度よりも高い。
Pはフォトダークニング抑制作用及び屈折率上昇作用を有するドーパントである。
Alは屈折率上昇作用及びガラスの結晶化抑制作用を有するドーパントである。
Ybは光増幅作用を有するドーパントである。
コア中のPは、フォトダークニングの抑制作用を有する。しかしながら、コアがYb及びPのみを含有する光ファイバは、コアの屈折率を所望の低い値とした場合、ガラスが結晶化してしまう。そのため、この光ファイバは、増幅用光ファイバとして使用できない。しかし、さらにAlをコアに含有させることにより、フォトダークニングを抑制しつつ、コアの屈折率を所望の低い値にしても、ガラスの結晶化を抑制できる。Alがガラスの結晶化抑制作用を有するのは、Yb及びPをガラス中に分散させるからであると推測される。
本発明は、Ybを含有するコア中の、PのP換算濃度(以下、単に「P換算濃度」と略記することがある)と、AlのAl換算濃度(以下、単に「Al換算濃度」と略記することがある)とが、それぞれ所定の範囲に設定されている。これにより、フォトダークニングの抑制とガラスの結晶化抑制とを高いレベルで両立できる。
さらに本発明は、コア中の、Ybの酸化イッテルビウム(Yb)換算濃度(以下、単に「Yb換算濃度」と略記することがある)を好ましい所定の範囲に設定することで、フォトダークニングの抑制効果とガラスの結晶化抑制効果とを損なうことなく、より優れた光増幅効果が得られる。
上記のような観点から、本発明においては、コア中の前記Al換算濃度を0.2モル%以上とする。さらに、前記Al換算濃度は0.2〜12モル%であることが好ましく、より具体的には、0.23〜11.82モル%の範囲を選択できる。Al換算濃度を0.2モル%以上とすることで、コアの屈折率を低くしても、ガラスの結晶化を抑制する一層高い効果が得られる。また、Al換算濃度を12モル%以下とすることで、光ファイバの伝送損失を抑制する一層高い効果が得られる。前記の「0.2〜12モル%」というAl換算濃度は、コア中のAlの濃度として0.08〜4.8モル%に相当する。
また、本発明においては、コア中のP換算濃度を、前記Al換算濃度よりも高くする。このようにすることで、ガラスの結晶化を抑制しつつフォトダークニングを抑制する高い効果が得られる。
さらに、前記P換算濃度は、Al換算濃度の19倍以下であることが好ましく、12倍以下であることがより好ましく、5.5倍以下であることが特に好ましく、2倍以下であることが最も好ましい。このような範囲とすることで、コアの屈折率上昇を抑制する一層高い効果が得られる。
また、前記P換算濃度は、20モル%以下であることが好ましく、0.5〜20モル%であることがより好ましく、1.5〜20モル%であることが特に好ましく、より具体的には、1.85〜19.83モル%の範囲を選択できる。Pの含有量が必要以上に多くなると、光ファイバの伝送損失が高くなってしまうが、このような範囲とすることで、伝送損失が抑制され、一層高い光の増幅効果が得られる。前記の「1.5〜20モル%」というP換算濃度は、コア中のPの濃度として0.43〜5.7モル%に相当する。
コア中の、前記Yb換算濃度は、0.01〜1.0モル%であることが好ましく、より具体的には、0.01〜0.99モル%の範囲を選択できる。Yb換算濃度を0.01モル%以上とすることで、一層高い光の増幅効果が得られる。また、1.0モル%以下とすることで、Ybをガラス中に安定して固溶させることができると共に、フォトダークニングを抑制した上で光を増幅する高い効果が得られる。なお、前記の「0.01〜1.0モル%」というYb換算濃度は、コア中のYbの濃度として0.004〜0.4モル%に相当する。
コア中の、前記Yb換算濃度と前記Al換算濃度との比(Yb換算濃度/Al換算濃度)は0.01〜2であることが好ましい。前記比を2以下とすることで、Alによるガラスの結晶化を抑制する一層高い効果が得られる。一方、前記比を0.01以上とすることで、屈折率を低くするためにAlの含有量を低下させても、Ybの含有量が不足することがなく、光学特性及び光の増幅効果が一層良好となる。また、十分な光の増幅効果を得るためにYbの含有量を増加させても、Alの含有量が適正な範囲に保持されるので、屈折率が必要以上に上昇することがない。
コア中の、前記P換算濃度は、前記Yb換算濃度及びAl換算濃度の総和よりも大きいことが好ましく、前記総和の1.05〜11.5倍であることがより好ましい。このような範囲とすることで、ガラスの結晶化を抑制しつつフォトダークニングを抑制する一層高い効果が得られる。
コア及びクラッドは、シリカガラスで構成されていることが好ましい。シリカガラスは、一般的な伝送用光ファイバで汎用されているのに加え、伝送損失の低減が可能であり、光を高効率で増幅するのに有利である。
コアには、Yb、Al及びP以外に、さらにその他の元素を含有させても良い。その他の元素を含有させることで、Yb添加光ファイバの機能を高めたり、異なる機能を付与できる。
例えば、コアにGeを含有させることで、Yb添加光ファイバにファイバブラッググレーティングを容易に形成できる。
また、フッ素(以下、Fと略記することがある)及びホウ素(以下、Bと略記することがある)のいずれか一方又は双方を含有させることで、コアの屈折率分布の制御が容易になり、所望の光学特性を有する光ファイバが容易に得られる。
また、コアに、イッテルビウム以外の希土類元素及び遷移金属元素からなる群から選択される少なくとも一種を含有させることで、共添加増感作用を発現させたり、励起波長を変化させたり、特定波長で発振させたりすることが可能となる。
前記希土類元素は、従来のYb添加光ファイバで使用されている公知のもので良く、具体的には、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イットリウム(Y)、ホルミウム(Ho)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)及びネオジム(Nd)等が例示できる。
前記遷移元素も、公知のものから目的に応じて適宜選択すれば良い。
コアに含有させるその他の元素は一種類でも良いし、二種類以上でも良い。そして、これら元素は、液浸法等、公知の方法でコアに添加すれば良い。
コアに含有させるその他の元素は、目的に応じて適宜その種類を選択すれば良い。そして、元素の種類に応じてその濃度を適宜設定すれば良い。
例えば、Geを含有させる場合には、二酸化ゲルマニウム(GeO)換算濃度が0.1〜1.1モル%であることが好ましく、0.3〜0.59モル%であることがより好ましい。0.1〜1.1モル%の二酸化ゲルマニウム(GeO)換算濃度は、コア中のGe濃度0.035〜0.37モル%に相当する。GeOは1モル%あたり比屈折率で約0.1%の屈折率上昇が起きることが公知である。従って、導波光学的な設計から所望されるある屈折率を得るためには、同様に屈折率上昇作用を持つ五酸化二リンや酸化アルミニウム、酸化イッテルビウム等のドープ量を相対的に減らす必要がある。例えば二酸化ゲルマニウムを2モル%添加すると、コアの比屈折率が約0.2%上昇することになるので、五酸化二リンや酸化アルミニウム、酸化イッテルビウムのいずれか1つまたは複数を比屈折率で約0.2%分ドープ量を減らして作製する必要がある。五酸化二リンを削減すると、フォトダークニングの抑制が不十分になるし、酸化アルミニウムを減らすと、ガラスの結晶化により製品製造が不可能になる。また、酸化イッテルビウムを減らすと、増幅効果がその分少なくなるので、望ましくない。例えば、クラッドとの比屈折率差0.35%の設計でイッテルビウム添加ファイバを添加した場合で比較すると、五酸化二リンや酸化アルミニウム、酸化イッテルビウムのドープ量を比屈折率で0.2%分減らす必要がある。例えば、五酸化二リンのみで0.2%分減らすことになると、4.3モル%分の削減が必要になり、フォトダークニングの抑制が不十分となる。また、酸化アルミニウムのみで0.2%分減らすことになると、1.4モル%分の削減が必要になり、ガラスの結晶化が発生し製品を製造できない。また、酸化イッテルビウムの削減のみでは、もともと酸化イッテルビウムの濃度が多くないので、比屈折率0.2%の削減はできない。以上から、多量のGeOには望ましくないことが多い。一方、GeOが少ないと、添加の目的を十分に発揮できない。例えば、本ファイバにグレーティングを付与することを考えると、最低限GeOが0.1モル%は必要であり、0.3モル%以上あるとより好適である。一方で、上記多量のGeOの弊害を勘案すると、1.1モル%程度がGeO添加の上限値となり、0.59モル%以下であるとより好適である。二酸化ゲルマニウムを0.6モル%添加すると、コアの比屈折率が約0.06%上昇することになるので、五酸化二リンや酸化アルミニウム、酸化イッテルビウムのいずれか1つまたは複数を比屈折率で約0.06%分ドープ量を減らして作製する必要がある。五酸化二リンを削減すると、フォトダークニングの抑制が不十分になるし、酸化アルミニウムを減らすと、ガラスの結晶化により製品製造が不可能になる。また、酸化イッテルビウムを減らすと、増幅効果がその分少なくなるので、望ましくない。例えば、クラッドとの比屈折率差0.35%の設計でイッテルビウム添加ファイバを添加した場合で比較すると、五酸化二リンや酸化アルミニウム、酸化イッテルビウムのドープ量を比屈折率で0.06%分減らす必要がある。例えば、五酸化二リンのみで0.06%分減らすことになると、1.3モル%分の削減が必要になり、フォトダークニングの抑制が不十分となる。また、酸化アルミニウムのみで0.06%分減らすことになると、0.4モル%分の削減が必要になり、ガラスの結晶化が発生し製品を製造できない。また、酸化イッテルビウムの削減のみでは、もともと酸化イッテルビウムの濃度が多くないので、比屈折率0.06%の削減はフォトダークニング抑制に観点から望ましくない。
また、以上のことから、グレーティングを付与する等、GeOを添加する特段の目的が無い場合には、GeOは極力添加しないことが望ましい。なぜなら、前述の通り、GeOを添加してもフォトダークニングに特段の影響を与えないにもかかわらず、GeO添加により屈折率上昇を伴ってしまうため、実効断面積の拡大に反し、耐パワー性が低くなってしまうためである。同様に、AlとP以外の、屈折率上昇剤(Ti等)もその元素を添加する効果が特段認められないときには、屈折率上昇元素は極力添加しないことが望ましい。
また、Bを含有させる場合には、三酸化二ホウ素(B)換算濃度が0.01〜5モル%であることが好ましく、0.05〜1モル%であることがより好ましい。上記範囲の上限値以下とすることで、残留応力の増大が抑制され、十分な強度の光ファイバが得られる。
また、Fを含有させる場合には、0.05〜3モル%であることが好ましく、0.1〜1モル%であることがより好ましい。上記範囲の上限値以下とすることで、コストが低減できる。
また、希土類元素又は遷移金属元素としてエルビウム(Er)を含有させる場合には、酸化エルビウム(Er)換算濃度が0.01〜1モル%であることが好ましく、0.05〜0.5モル%であることがより好ましい。上記範囲の上限値以下とすることで、濃度消光等の問題を抑制できる。
Yb等、コア中の元素は、コア中で濃度分布があっても良いが、良好な光学特性を得るためには、ほぼ均一な濃度であることが好ましい。
クラッドは、一層構造でも良いし、二層構造又は三層構造等、複数層構造でも良い。
例えば、ダブルクラッドファイバ又はトリプルクラッドファイバ等、マルチクラッドファイバとすることで、シングルクラッドファイバよりも高出力の光が得られる。マルチクラッドファイバでは、励起光をクラッドに導波させることで、励起光のコアへの集中を抑制できる。そのため、コアガラスの損傷や光学的非線形現象を抑制して、一層高出力のファイバレーザやファイバアンプを作製できる。このような観点からは、ダブルクラッドファイバよりも、励起光の利用効率が高いトリプルクラッドファイバが好ましい。
また、クラッドの形状は特に限定されず、目的に応じて適宜選択すれば良い。例えば、スキューモードを抑制するためには、例えば図5や図7〜10に示すように、径方向断面形状を多角形状、D型状等の非円形状にすることが好ましい。
また、コアの近傍に応力付与部を設けても良い。応力付与部は、例えば、石英ガラスにB等を添加した材料から形成できる。
コアの屈折率分布は、目的に応じて適宜調整すれば良い。例えば、図12で例示したような単峰ステップ型でも良いし、例えば図1や図3〜10に示すように釣鐘型、凹型、デュアルシェイプ、セグメントコア、二重凹型、W型等、公知の如何なる屈折率分布でも良い。
コア及びクラッドの屈折率は、Yb添加光ファイバの構造や、所望の比屈折率差等を考慮して、調整することが好ましい。
例えば、導波する光を閉じ込めるためには、コアの屈折率がクラッドの屈折率よりも高いことが好ましい。
また、クラッドを少なくとも二層備えるマルチクラッドファイバの場合には、径方向内側のクラッドの屈折率が、径方向外側のクラッドの屈折率よりも高いことが好ましい。このようにすることで、より高出力の光が得られる。なお、ここで「径方向内側」及び「径方向外側」とは、二層のクラッドの径方向における相対的な位置関係を示すものである。
したがって、「径方向内側のクラッド」及び「径方向外側のクラッド」とは、必ずしもダブルクラッドファイバの二層のクラッドのみを示すものではなく、三層以上のクラッドを備えるマルチクラッドファイバにおける、いずれか二層のクラッドを示すものである。
また、クラッドを少なくとも三層備えるマルチクラッドファイバの場合には、径方向最内側のクラッドの屈折率nc1と、最外側のクラッドの屈折率nc3と、前記最内側及び最外側のクラッド間の中間クラッドの屈折率nc2とが、nc1>nc2>nc3の関係を満たすことが好ましい。このようにすることで、より高出力な光を効率的に得られる。
ここで「中間クラッド」とは、最内側及び最外側のクラッド間に配置されたものであればいずれでも良く、例えば、トリプルクラッドファイバにおける、最内側及び最外側のクラッド間の中間クラッドのみを示すものではない。
コアとクラッドとの比屈折率差は、0.05〜0.65%であることが好ましく、0.05〜0.25%であることがより好ましい。前記比屈折率差を0.65%以下とすることで、光ファイバを実質的にシングルモード条件で使用する場合に、コア径が小さくなり過ぎず、光のパワー密度が高くなり過ぎない。ゆえに、光によるコアガラスの損傷や光学的非線形現象を抑制する高い効果が得られる。これにより、高出力光が容易に得られる。また、0.25%以下とすることで、一層高出力の光が得られる。一方、前記比屈折率差を0.05%以上とすることで、光を閉じ込める十分な効果が得られ、光ファイバの曲げや側圧に対しても、光を一層安定して導波できる。
ここで「コアとクラッドとの比屈折率差」とは、コアの屈折率をn、クラッドの屈折率をnとした場合に、式:(n−n)/n×100で算出される値である。
コア径は、コアの屈折率に応じて適宜設定することが好ましいが、通常は、3〜50μmであることが好ましく、4〜43μmであることがより好ましい。
本発明のYb添加光ファイバは、コアにYb、Al及びPを所定量添加すること以外は、公知の手法で製造できる。
例えば、MCVD法、VAD法等でファイバプリフォームを作製し、これを所望の外径となるように紡糸して、その外周上にUV硬化樹脂等で保護被覆層を形成することで製造できる。Ybは、ファイバプリフォーム作製過程において、スートに液浸法で添加する手法や、液滴を噴霧する手法で添加できる。
また、例えば、クラッドの形状を非円形状とする場合には、Yb添加後のファイバプリフォームを所望の形状に外削し、これを紡糸すれば良い。
また、例えば、クラッド中に応力付与部を設ける場合には、Yb添加後のファイバプリフォームにおいて、その中心軸方向に孔を設け、好ましくはその内表面を研削及び研磨して鏡面化した後、ここにMCVD法等で作製したB−SiOガラス製の応力付与部材を挿入し、次いで紡糸すれば良い。
<ファイバレーザ、ファイバアンプ>
本発明のファイバレーザ又はファイバアンプは、上記本発明のYb添加光ファイバを光増幅媒体として有することを特徴とする。
そして、増幅媒体として上記本発明のYb添加光ファイバを使用すること以外は、公知のファイバレーザ又はファイバアンプと同様の方法で製造できる。
本発明によれば、フォトダークニングの抑制効果に優れ、所望の高出力光が得られるYb添加光ファイバを、MCVD法やVAD法等の公知の手法を適用して製造できる。また、製造時に使用するファイバプリフォームのサイズも制限されることがない。したがって、上記のような優れた特性を有するYb添加光ファイバを、安価かつ大量に提供できる。
また、このような光ファイバを光増幅媒体として使用することで、経時に伴う出力低下が抑制され、光学特性が良好なファイバレーザ及びファイバアンプを安価に提供できる。
[実施例]
以下、具体的実施例により、本発明についてさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではない。
以下の実施例において、Yb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加量は、以下の方法で評価した。これにより用途や構造が異なる光ファイバでも、相対的に損失増加量を比較できる。
(フォトダークニングによる損失増加量の評価方法)
コアのYb吸収量が340dBとなるような中心軸方向における長さのYb添加光ファイバを使用し、そのコアに、波長976nmの励起光を入射光量が400mWとなるように100分間照射した。そして、波長800nmにおける照射前後の損失の差分を「フォトダークニングによる損失増加量」とした。
[実施例1]
図1に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図1は、Yb添加光ファイバ1の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ1はシングルクラッドファイバであり、コア11の外周上にクラッド12が設けられ、クラッド12の外周上に保護被覆層13が設けられたものである。
ファイバプリフォームは、MCVD法で作製した。また、Ybは液浸法で添加した。そして、ファイバプリフォームをガラス外径が約125μmになるまで紡糸し、外周上に保護被覆層を設けた。
コアのAlは1.67モル%、Ybは0.54モル%、Pは8.37モル%であった。また、コア径は約4.9μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.64%であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。この時の励起光照射前後での損失量とその差分の波長との関係を図2にグラフとして示す。図2中、波長1000nm付近で損失量のデータにノイズが見られるのは、この波長帯にYbの光吸収帯が存在するためである。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバアンプを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力1.5Wのファイバアンプで100時間経過後の出力低下量は3%以下であった。この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下は、1%以下であると考えられた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表1に示す。
[実施例2]
図3に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図3は、Yb添加光ファイバ2の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ2はシングルクラッドファイバであり、コア21の外周上にクラッド22が設けられ、クラッド22の外周上に保護被覆層23が設けられたものである。
ファイバプリフォームは、VAD法で作製した。また、Ybは液浸法で添加した。そして、ファイバプリフォームをガラス外径が約125μmになるまで紡糸し、外周上に保護被覆層を設けた。
コアのAlは0.84モル%、Ybは0.15モル%、Pは3.85モル%であった。また、コア径は約7μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.25%であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバレーザを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力3Wのファイバレーザで100時間経過後の出力低下量は3%以下であった。この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下は、1%以下であると考えられた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表1に示す。
[実施例3]
図4に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図4は、Yb添加光ファイバ3の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ3は、三層構造のコア31を有するシングルクラッドファイバであり、コア31の外周上にクラッド32が設けられ、クラッド32の外周上に保護被覆層33が設けられたものである。そして、コア31は、センタコア31aと、センタコア31aの外周上に設けられたリンググルーヴ31bと、リンググルーヴ31bの外周上に設けられたリングコア31cとからなる。
ファイバプリフォームは、MCVD法で作製した。また、Ybは液浸法で添加した。そして、ファイバプリフォームをガラス外径が約125μmになるまで紡糸し、外周上に保護被覆層を設けた。
コアのAlは0.80モル%、Ybは0.17モル%、Pは3.53モル%であった。また、コア径は約10.3μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.15%であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバレーザを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力4.5Wのファイバレーザで100時間経過後の出力低下量は4%以下であった。なお、この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下は2%以下であると考えられた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表1に示す。
[実施例4]
図5に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図5は、Yb添加光ファイバ4の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ4は、二層構造のクラッド42を有するダブルクラッドファイバであり、コア41の外周上に内側クラッド42aが設けられ、内側クラッド42aの外周上に外側クラッド42bが設けられ、外側クラッド42bの外周上に保護被覆層43が設けられたものである。また、内側クラッド42aの断面形状はD型状である。
ファイバプリフォームは、MCVD法で作製した。また、Ybは、スート作製中に液滴を噴霧する手法で添加した。この時点で円柱形状のファイバプリフォームを、断面形状が図5に示すようなD型状となるように外削した。そして、得られたファイバプリフォームをガラスの断面外接円の直径が約250μmになるまで紡糸した。この時、ガラスの外周上にガラスよりも屈折率が低いポリマークラッド材を塗布及び硬化させ、ガラスクラッドに励起光が閉じ込められる構造とした。さらに、その外周上を保護UV硬化樹脂で被覆した。
コアのAlは0.92モル%、Ybは0.19モル%、Pは2.09モル%であった。また、コア径は約18.7μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.10%であった。また、励起光を導波するガラスクラッドと光を閉じ込めるポリマークラッドとの屈折率差から得られるクラッドNAは、約0.41であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバレーザを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力14.8Wのパルス出力ファイバレーザで100時間経過後の出力低下量は1%以下であった。この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下はほとんどないと考えられた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表1に示す。
[実施例5]
図6に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図6は、Yb添加光ファイバ5の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ5は、二層構造のクラッド52を有するダブルクラッドファイバであり、コア51の外周上に内側クラッド52aが設けられ、内側クラッド52aの外周上に外側クラッド52bが設けられ、外側クラッド52bの外周上に保護被覆層53が設けられたものである。また、内側クラッド52a中には、コア51に対して対称な位置に一対の応力付与部54,54が設けられている。
ファイバプリフォームは、VAD法で作製した。また、Ybは、スート作製中に液滴を噴霧する手法で添加した。このファイバプリフォームの中心軸方向に、コアに対して対称な配置となるように一対の孔を設け、そこにボロン等を添加して作製した応力付与ガラスを挿入し、ガラス外径が約125μmになるまで紡糸した。この時、ガラスの外周上にガラスよりも屈折率が低いポリマークラッド材を塗布及び硬化させ、ガラスクラッドに励起光が閉じ込められる構造とした。さらに、その外周上を保護UV硬化樹脂で被覆した。
その結果、コアのAlは5.32モル%、Ybは0.33モル%、Pは6.86モル%の偏波保持型光ファイバが得られた。また、コア径は約10.3μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.15%であった。また、励起光を導波するガラスクラッドと光を閉じ込めるポリマークラッドとの屈折率差から得られるクラッドNAは、約0.46であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバレーザを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力10.8Wのファイバレーザで100時間経過後の出力低下量は4%以下であった。この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下は2%以下であると考えられた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表1に示す。
[実施例6]
図7に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図7は、Yb添加光ファイバ6の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ6は、二層構造のクラッド62を有するダブルクラッドファイバであり、コア61の外周上に内側クラッド62aが設けられ、内側クラッド62aの外周上に外側クラッド62bが設けられ、外側クラッド62bの外周上に保護被覆層63が設けられたものである。また、内側クラッド62aの断面形状は正八角形状であり、コア61、内側クラッド62a及び外側クラッド62bは同心状に配置されている。
ファイバプリフォームは、VAD法で作製した。また、Ybは液浸法で添加した。この時点で円柱形状のファイバプリフォームを、断面形状が図7に示すような正八角形状となるように外削した。そして、得られたファイバプリフォームをガラスの断面外接円の直径が約400μmになるまで紡糸した。この時、ガラスの外周上にガラスよりも屈折率が低いポリマークラッド材を塗布及び硬化させ、ガラスクラッドに励起光が閉じ込められる構造とした。
さらに、その外周上を保護UV硬化樹脂で被覆した。
コアのAlは0.78モル%、Ybは0.14モル%、Pは1.85モル%であった。また、コア径は約35μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.09%であった。また、励起光を導波するガラスクラッドと光を閉じ込めるポリマークラッドとの屈折率差から得られるクラッドNAは、約0.43であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバレーザを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力122Wのファイバレーザで100時間経過後の出力低下量は6%以下であった。この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下は3%以下であると考えられた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表1に示す。
[実施例7]
図8に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図8は、Yb添加光ファイバ7の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ7は、三層構造のクラッド72を有するトリプルクラッドファイバであり、コア71の外周上に最内側クラッド72aが設けられ、最内側クラッド72aの外周上に中間クラッド72bが設けられ、中間クラッド72bの外周上に最外側クラッド72cが設けられ、最外側クラッド72cの外周上に保護被覆層73が設けられたものである。また、中間クラッド72bの断面形状は正七角形状であり、コア71、最内側クラッド72a、中間クラッド72b及び最外側クラッド72cは同心状に配置されている。
ファイバプリフォームは、MCVD法で作製した。また、Ybは液浸法で添加した。この時点で円柱形状のファイバプリフォームを、断面形状が図8に示すような正七角形状となるように外削した。そして、得られたファイバプリフォームをガラスの断面外接円の直径が約380μmになるまで紡糸した。この時、ガラスの外周上にガラスよりも屈折率が低いポリマークラッド材を塗布及び硬化させ、ガラスクラッドに励起光が閉じ込められる構造とした。さらに、その外周上を保護UV硬化樹脂で被覆した。
コアのAlは10.49モル%、Ybは0.36モル%、Pは14.96モル%であった。また、コア径は約24μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.11%であった。また、励起光を導波するガラスクラッドと光を閉じ込めるポリマークラッドとの屈折率差から得られるクラッドNAは、約0.47であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバレーザを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力22Wのパルスファイバレーザで100時間経過後の出力低下量は3%以下であった。この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下は1%以下であると考えられた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表2に示す。
[実施例8]
図9に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図9は、Yb添加光ファイバ8の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ8は、二層構造のコア81及び三層構造のクラッド82を有するトリプルクラッドファイバである。すなわち、センタコア81aの外周上にリンググルーヴ81bが設けられ、リンググルーヴ81bの外周上に最内側クラッド82aが設けられ、最内側クラッド82aの外周上に中間クラッド82bが設けられ、中間クラッド82bの外周上に最外側クラッド82cが設けられ、最外側クラッド82cの外周上に保護被覆層83が設けられたものである。また、中間クラッド82bの断面形状は正七角形状であり、センタコア81a、リンググルーヴ81b、最内側クラッド82a、中間クラッド82b及び最外側クラッド82cは同心状に配置されている。
ファイバプリフォームは、MCVD法で作製した。また、Ybは液浸法で添加した。この時点で円柱形状のファイバプリフォームを、断面形状が図9に示すような正七角形状となるように外削した。そして、得られたファイバプリフォームをガラスの断面外接円の直径が約420μmになるまで紡糸した。この時、ガラスの外周上にガラスよりも屈折率が低いポリマークラッド材を塗布及び硬化させ、ガラスクラッドに励起光が閉じ込められる構造とした。さらに、その外周上を保護UV硬化樹脂で被覆した。
コアのAlは11.03モル%、Ybは0.71モル%、Pは14.43モル%であった。また、コア径は約34μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.10%であった。また、励起光を導波するガラスクラッドと光を閉じ込めるポリマークラッドとの屈折率差から得られるクラッドNAは、約0.46であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバレーザを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力50Wのパルスファイバレーザで100時間経過後の出力低下量は3%以下であった。この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下は1%以下であると考えられた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表2に示す。
[実施例9]
図10に示す構造のYb添加光ファイバを作製した。図10は、Yb添加光ファイバ9の径方向の断面及び屈折率分布を示す図である。Yb添加光ファイバ9は、二層構造のクラッド92を有するダブルクラッドファイバであり、コア91の外周上に内側クラッド92aが設けられ、内側クラッド92aの外周上に外側クラッド92bが設けられ、外側クラッド92bの外周上に保護被覆層93が設けられたものである。また、内側クラッド92a中には、コア91に対して対称な位置に一対の応力付与部94,94が設けられている。さらに、内側クラッド92aの断面形状は正八角形状であり、コア91、内側クラッド92a及び外側クラッド92bは同心状に配置されている。
コアにはAl、P、Yb以外にGe、Fを添加した。ファイバプリフォームは、MCVD法で作製した。また、Ybは液浸法で添加した。この時点で円柱形状のファイバプリフォームを、断面形状が図10に示すような正八角形状となるように外削した。さらに、このファイバプリフォームの中心軸方向に、コアに対して対称な配置となるように一対の孔を設け、そこにボロン等を添加して作製した応力付与ガラスを挿入した。次いで、得られたファイバプリフォームをガラスの断面外接円の直径が約250μmになるまで紡糸した。
この時、ガラスの外周上にガラスよりも屈折率が低いポリマークラッド材を塗布及び硬化させ、ガラスクラッドに励起光が閉じ込められる構造とした。さらに、その外周上を保護UV硬化樹脂で被覆した。
その結果、コアのAlは1.72モル%、Ybは0.26モル%、Pは2.35モル%、GeOは0.83モル%、Fは0.35モル%の偏波保持型光ファイバが得られた。また、コア径は約9.3μm、コアの比屈折率差(Δ)は約0.22%であった。また、励起光を導波するガラスクラッドと光を閉じ込めるポリマークラッドとの屈折率差から得られるクラッドNAは、約0.46であった。
得られたYb添加光ファイバのフォトダークニングによる損失増加はほとんど見られず、前記評価方法による損失増加量は、0.01dB以下であった。
また、得られたYb添加光ファイバを使用して、ファイバレーザを作製し、光出力の経時変化を評価した。その結果、初期出力11.3Wのパルスファイバレーザで100時間経過後の出力低下量は1%以下であった。この出力低下量は、光ファイバの損失増加以外に、温度変化や測定ばらつきに起因するものも含んでいる。そのため、フォトダークニングによる損失増加起因の出力低下はほとんどないと考えられた。
また、得られたYb添加光ファイバのコア中に、エキシマ露光によりグレーティング構造を形成した。その結果、波長1064nmの光で、反射率が100%、10%及び4%のファイバグレーティングをいずれも作製でき、反射率を任意に調整できることが確認できた。
得られたYb添加光ファイバと、その評価結果を表2に示す。
[実施例10〜26、比較例1〜2]
実施例1〜9と同様の手順で、表2〜5に示すYb添加光ファイバを作製し、フォトダークニングによる損失増加量を評価した。なお、それぞれのYb添加光ファイバの径方向断面のコア及びクラッドの形状は、以下の通りである。
実施例10;断面形状は図6と同様である。
実施例11;断面形状は図6と同様である。
実施例12;断面形状は図1と同様である。
実施例13;断面形状は図5と同様である。
実施例14;断面形状は図6と同様である。
実施例15;断面形状は図7と同様である。
実施例16;断面形状は図8と同様である。
実施例17;断面形状は図6と同様である。
実施例18;断面形状は図9と同様である。
実施例19;断面形状は図9と同様である。
実施例20;断面形状は図7と同様である。
実施例21;断面形状は図3と同様である。
実施例22;断面形状は図6と同様である。
実施例23;断面形状は図5と同様である。
実施例24;断面形状は図7と同様である。
実施例25;断面形状は図5と同様である。
実施例26;断面形状は図1と同様である。
比較例1;断面形状は図1と同様である。
比較例2;断面形状は図1と同様である。
比較例1のYb添加光ファイバは、コアにGeを含有し、Pを含有しない点以外は、実施例と同様のものであり、例えば、屈折率やYb濃度等が同等である実施例のYb添加光ファイバと、ほぼ同様の初期光増幅特性を有する。
比較例1の損失増加量評価時における、励起光照射前後での損失量とその差分の波長との関係を図11にグラフとして示す。図11より、励起光照射後において、短波長側へ単調増加する損失増加が確認できる。図11中、波長1000nm付近で損失量のデータにノイズが見られるのは、図2のグラフと同様に、この波長帯にYbの光吸収帯が存在するためである。
比較例2のYb添加光ファイバは、コア中のP換算濃度がAl換算濃度よりも低い点以外は、実施例と同様のものである。そして、表5から明らかなように、比較例2のYb添加光ファイバは、損失増加の抑制が十分ではないことが確認された。
本発明は、溶接、マーキング、切断等の材料加工用途の高出力光源用レーザ媒体として利用可能である。
1,2,3,4,5,6,7,8,9 イッテルビウム添加光ファイバ
11,21,31,41,51,61,71,81,91 コア
12,22,32,42,52,62,72,82,92 クラッド
42a,52a,62a,92a 内側クラッド
42b,52b,62b,92b 外側クラッド
72a,82a 最内側クラッド
72b,82b 中間クラッド
72c,82c 最外側クラッド

Claims (15)

  1. イッテルビウム、アルミニウム及びリンを少なくとも含有するコアと、このコアを囲むクラッドと、を備え、
    前記コア中の、前記アルミニウムの酸化アルミニウム換算濃度が0.2モル%以上であり、
    前記リンの五酸化二リン換算濃度が、前記酸化アルミニウム換算濃度よりも高
    く、
    前記コアは、ゲルマニウムを含有しないか、ゲルマニウムを二酸化ゲルマニウム換算で1.1モル%未満含有する
    ことを特徴とするイッテルビウム添加光ファイバ。
  2. 前記コア及び前記クラッドが、シリカガラスで構成されていることを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  3. 前記コア中の、前記イッテルビウムの酸化イッテルビウム換算濃度と前記酸化アルミニウム換算濃度との総和よりも、前記五酸化二リン換算濃度が大きいことを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  4. 前記コア中の、前記酸化イッテルビウム換算濃度と前記酸化アルミニウム換算濃度との比が、0.01〜2であることを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  5. 前記コア中の、前記酸化イッテルビウム換算濃度が0.01〜1.0モル%であることを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  6. 前記コア中の、前記五酸化二リン換算濃度が20モル%以下であることを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  7. 前記コア中の、前記五酸化二リン換算濃度が、前記酸化アルミニウム換算濃度の2倍以下であることを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  8. 前記コアと前記クラッドとの比屈折率差が0.05〜0.65%であることを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  9. 前記コアと前記クラッドとの比屈折率差が0.05〜0.25%であることを特徴とする請求項8に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  10. 前記コアが、さらにフッ素及び/又はホウ素を含有することを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  11. 前記コアが、さらにイッテルビウム以外の希土類元素及び遷移金属元素からなる群から選択される少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  12. 前記クラッドを少なくとも二層備え、径方向内側のクラッドの屈折率が外側のクラッドの屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  13. 前記クラッドを少なくとも三層備え、径方向最内側のクラッドの屈折率nc1と、最外側のクラッドの屈折率nc3と、前記最内側及び前記最外側のクラッド間の中間クラッドの屈折率nc2とが、nc1>nc2>nc3の関係を満たすことを特徴とする請求項12に記載のイッテルビウム添加光ファイバ。
  14. 請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバを光増幅媒体として有することを特徴とするファイバレーザ。
  15. 請求項1に記載のイッテルビウム添加光ファイバを光増幅媒体として有することを特徴とするファイバアンプ。
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