KR20110110605A - 저손실 비영분산천이 광섬유 및 그 제조방법 - Google Patents

저손실 비영분산천이 광섬유 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20110110605A
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Abstract

본 발명에 따른 비영분산천이 광섬유는 코어 영역과 상기 코어 영역의 외곽에 위치하는 클래드 영역을 포함하며, 상기 코어 영역은 비굴절률차에 따라 복수개의 세부 영역들로 구분되고, 상기 세부 영역들 중 광섬유 중심에 위치한 영역의 GeO2 농도가 3.5mol% 이하인 것을 특징으로 한다.

Description

저손실 비영분산천이 광섬유 및 그 제조방법{Non-zero dispersion shifted fiber with low attenuation}
본 발명은 비영분산천이 광섬유에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 코어 영역이 비굴절률차에 따라 복수개의 세부 영역들로 구분되는 구조를 가진 저손실 비영분산천이 광섬유과 그 제조방법에 관한 것이다.
광통신을 위한 다중화 방식 중 파장분할다중화(Wavelength Division Multiplexing: WDM) 기술은 추가적인 광케이블의 포설없이 신호채널을 분할하여 데이터를 전송하는 방식을 사용하므로 회선확장이 용이하고 고속 대용량의 통신망에 적합하다.
파장 분할 다중화 방식에서는 분산천이 광섬유(Dispersion shifted fiber: DSF)가 널리 사용되는데, 분산천이 광섬유는 신호의 광 세기가 커질수록 비선형 현상(Nonlinearities)으로 인하여 전송특성이 저하되므로 이에 대한 문제가 해결되어야 한다. 이러한 비선형 현상에는, 실리카 분자의 유도산란에 의한 것으로서 짧은 파장 신호의 광전력이 긴 파장 신호로 전달되어 광신호 대 잡음비를 감소시키는 라만 산란(Stimulated Raman scattering, SRS)과 광섬유에 인가할 수 있는 최대 파워를 제한하는 브릴리언 산란(Stimulated Brillion scattering, SBS)이 있으며, 비선형 굴절률에 의한 것으로서 자기위상 변조(Self-phase modulation, SPM), 상호위상 변조(Cross-phase modulation, XPM), 및 사광파 혼합(Four wavelength mixing, FWM)이 있다. 파장 분할 다중화 방식과 같은 다채널의 통신 방식에서 채널 간격을 감소시키는 경우 특히 문제가 되는 것은 상호위상 변조와 사광파 혼합이다.
사광파 혼합은 광섬유 내에서 서로 다른 주파수를 갖는 두 개 이상의 광파들이 3차 전기 감수율(Third-order electric susceptability)에 의해 결합해서, 다른 파장의 새로운 광파를 만드는 현상으로, 이 새로운 광파가 다른 채널과 간섭하여 신호 왜곡을 야기하는 것이다. 사광파 혼합은 새로운 광파와 다른 채널 간에 위상 정합(Phase matching)이 일어날 경우에 최대가 된다.
사광파 혼합에 의해 발생되는 새로운 주파수 성분의 광전력의 세기는 광섬유의 분산값 및 유효 단면적(Effective area)이 커질수록 위상 부정합이 용이해지므로 감소된다.
따라서, 전송 용량이 증대된 파장 분할 다중화 시스템에서 사용되는 광섬유는 비선형 현상을 억제할 수 있는 충분한 분산을 가짐과 동시에 누적된 분산을 최소화하기 위해 최소의 분산을 가져야 한다. 또한 유효 단면적을 증대시키고 분산 기울기를 줄여 비선형 현상을 억제함과 동시에 사용 가능한 파장 대역을 넓혀야 한다.
상기한 요구에 따라 종래에는, 기존의 단일 모드 광섬유에 비해 작은 소정의 분산값을 가짐으로써 분산이 영(Zero)이 되지 않도록 구성되어 사용 파장대에서의 분산을 줄임과 동시에 비선형 현상을 감소시킬 수 있는 비영분산천이 광섬유(Non-zero dispersion shifted fiber, NZDSF)가 개시된 바 있다.
도 1에는 종래기술에 따른 비영분산천이 광섬유의 주요 구성이 도시되어 있다. 도 1의 (a)는 비영분산천이 광섬유의 반경 방향으로 코어 영역(1)와 클래드 영역(2)을 도시한 단면도이며, 도 1의 (b)는 코어의 세부 영역들(1a~1c)에 대한 비굴절률차를 도식화한 프로파일도이다.
도 1을 참조하면, 비영분산천이 광섬유는 코어 영역(1)과, 상기 코어 영역(1)의 외곽에 위치하는 클래드 영역(2)을 포함하고, 다시 코어 영역(1)은 중심으로부터 반경 방향으로 가면서 차례대로 위치하는 제1 코어(1a), 제2 코어(1b), 제3 코어(1c)를 포함한다.
코어 영역(1)을 이루는 제1 코어(1a), 제2 코어(1b), 제3 코어(1c)는 반경이 각각 r1, r2, r3이며, 비굴절률차가 각각 Δ1, Δ2, Δ3로 구성된다. 통상적으로 상기 코어 영역(1)의 조성은 GeO2 및 F 등의 불순물을 포함하고, 제조 안정화를 위하여 P2O5 를 포함하며, 특히 제1 코어(1a)의 GeO2 농도는 4.5~5.0mol%로 구성된다.
상기 코어 영역(1) 및 클래드 영역(2)은 수정화학기상증착(MCVD) 공법의 주요 공정인 클래드/코어 증착공정에 의해 형성된다. MCVD 공법에서는 회전하는 모재 석영튜브 내부로 SiCl4, GeCl4, POCl3 등의 원료가스를 산소와 함께 투입함과 아울러, 열영동(Thermophoresis)에 의해 튜브 내벽에 반응물이 증착되도록 석영튜브의 축방향을 따라 열원을 반복적으로 왕복이송시키면서 석영튜브를 가열하여 클래드와 코어의 증착층을 형성하는 방식으로 증착공정이 진행된다. 여기서, 상기 원료가스의 반응에 따라 생성되는 SiO2 입자는 클래드 및 코어의 직경을 결정하게 되며, GeO2 입자는 굴절률을 조절하고, P2O5 는 반응 입자들의 소결온도를 낮추어 주는 역할을 하게 된다.
상기 비영분산천이 광섬유는 코어 영역에 4.5mol% 이상의 GeO2 를 함유함으로 인해 레일리 산란(Rayleigh scattering) 손실이 0.152dB/km, 1550nm에서 손실이 0.21~0.22dB/km, φ30mm/1625nm에서 구부림에 따른 매크로 밴딩 손실(Macro bending loss)이 0.2~0.5dB/t인 특성을 나타낸다. 또한, 상기 비영분산천이 광섬유는 1550nm에서 유효면적이 60~70㎛2, 모드필드 직경(mode field diameter: MFD)이 9.1~10.0㎛, 케이블 차단파장이 1450nm 이하, 영분산이 1500nm 이하, 영분산 기울기가 0.08 이하인 특성을 갖는다.
그러나, 최근에는 광섬유 제조기술의 발달로 고객이 요구하는 손실 관련 스펙도 점차 낮아지는 추세에 있으며, 이에 따라 비영분산천이 광섬유의 손실 또한 1550nm에서 0.21dB/km 미만의 수준을 요구하고 있다.
본 발명은 상기와 같은 점을 고려하여 창안된 것으로서, 1550nm에서 0.20dB/km 이하의 손실 특성을 만족하고 굴곡 손실도 줄일 수 있도록 코어 영역이 개선된 구조를 가진 저손실 비영분산천이 광섬유를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 코어 영역과 상기 코어 영역의 외곽에 위치하는 클래드 영역을 포함하며, 상기 코어 영역은 비굴절률차에 따라 복수개의 세부 영역들로 구분되고, 상기 세부 영역들 중 광섬유 중심에 위치한 영역의 GeO2 농도가 3.5mol% 이하인 것을 특징으로 하는 저손실 비영분산천이 광섬유를 개시한다.
상기 코어 영역은 반경 방향으로 차례대로 위치하는 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어 및 제4 코어의 세부 영역을 포함하고, 상기 제1 코어는 상기 광섬유 중심에 위치한다.
상기 제2 코어, 제3 코어 및 제4 코어 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상은 P2O5를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
상기 코어 영역을 이루는 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어, 제4 코어는 비굴절률차가 각각 Δ1, Δ2, Δ3, Δ4 로 정의되고, 상기 비굴절률차의 대소관계는 Δ1> Δ3 > Δ2 ≥ Δ4를 만족하는 것이 바람직하다.
상기 Δ1은 0.46±0.03%, Δ2는 -0.10±0.03%, Δ3는 0.22±0.03%, Δ4는 -0.16±0.03% 인 것이 바람직하다.
상기 코어 영역을 이루는 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어, 제4 코어는 반경이 각각 r1, r2, r3, r4 로 정의되고, 상기 r1은 2.9±0.6㎛, r2는 6.0±0.6㎛, r3는 8.3±0.6㎛, r4는 11.5±0.6㎛ 인 것이 바람직하다.
상기 비영분산천이 광섬유는 1550nm에서 0.20dB/km 이하의 손실 특성을 갖는다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, SiCl4, GeCl4 및 POCl3 을 포함하는 원료가스를 이용하는 증착공정을 진행하여, 코어 영역과 상기 코어 영역의 외곽에 위치하는 클래드 영역을 포함하고 상기 코어 영역이 중심으로부터 반경 방향으로 가면서 비굴절률차에 따라 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어, 제4 코어로 구분되는 광섬유를 제조하는 비영분산천이 광섬유의 방법에 있어서, 상기 제2 코어, 제3 코어 및 제4 코어 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 형성시 상기 POCl3 를 원료가스에서 제외하여 상기 제1 코어의 GeO2 농도를 3.5mol% 이하로 제어하는 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유의 제조방법이 제공된다.
상기 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어 및 제4 코어의 비굴절률차를 각각 Δ1, Δ2, Δ3, Δ4 로 정의할 때, 상기 비굴절률차의 대소관계가 Δ1> Δ3 > Δ2 ≥ Δ4를 만족하도록 상기 코어 영역의 굴절률을 조절하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 비영분산천이 광섬유는 ITU-T G.655.A 광섬유 규격을 만족하면서 광 파워가 집중되는 코어 영역의 불순물 농도가 최소화됨으로써 손실 특성이 1550nm에서 0.20dB/km 이하 수준으로 개선될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 비영분산천이 광섬유는 φ30mm/1625nm에서 구부림에 따른 매크로 밴딩 손실(Macro bending loss)이 0.05dB/t 이하 수준으로 개선될 수 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술되는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1에는 종래기술에 따른 비영분산천이 광섬유의 구성도,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 비영분산천이 광섬유의 구성도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 비영분산천이 광섬유의 주요 구성이 도시되어 있다. 도 2의 (a)는 비영분산천이 광섬유의 반경 방향으로 코어 영역(10)과 클래드 영역(20)을 도시한 단면도이며, 도 2의 (b)는 코어의 세부 영역들(10a~10d)에 대한 비굴절률차를 도식화한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 비영분산천이 광섬유는 복수개의 세부 영역들(10a~10d)로 이루어지고 광섬유 중심에 위치하는 세부 영역의 GeO2 농도가 3.5mol% 이하인 코어 영역(10)과, 코어 영역(10)의 외곽에 위치하는 클래드 영역(20)을 포함한다.
코어 영역(10)은 중심으로부터 반경 방향으로 가면서 비굴절률차에 따라 복수개의 세부 영역들로 구분된다. 비록 도면에는 코어 영역(10)이 제1 코어(10a), 제2 코어(10b), 제3 코어(10c), 제4 코어(10d)로 구분되는 예가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 세부 영역의 개수에는 다양한 변형예가 있을 수 있다. 이하에서는 코어 영역(10)이 제1 코어(10a), 제2 코어(10b), 제3 코어(10c), 제4 코어(10d)로 구분되는 실시예를 중심으로 본 발명의 구성을 설명하기로 한다.
코어 영역(10)에는 광섬유 프리폼 제조시 굴절률 조절을 위해 첨가된 GeCl4 등에 의해 GeO2 및 F 등의 불순물이 포함된다. 레일리 산란에 따른 손실을 최소화하기 위해 세부 영역들 중 광섬유의 중심에 위치하는 제1 코어(10a)와 그에 인접한 제2 코어(10b)는 미량의 불순물을 포함하도록 구성된다.
특히 광 파워가 집중되고 약 9.6㎛ 내외의 MFD를 포함하는 코어 영역인 제1 코어(10a)에는 3.5mol% 이하의 농도로 GeO2가 함유된다. 이러한 조성에 의하면 값비싼 Ge의 사용량을 종래에 비해 현저히 줄이면서도 레일리 산란에 따른 손실 특성이 약 0.135dB/km 수준으로 개선되어 1550nm에서 0.20dB/km 이하의 손실 품질을 달성하는 것이 가능하다. 제1 코어(10a)에 함유되는 GeO2의 농도가 3.5mol%를 초과하는 경우에는 1550nm에서 광손실이 0.21dB/km 이상이 되어 전송 품질이 크게 저하되는 문제가 발생하게 된다.
제1 코어(10a)의 GeO2 농도를 3.5mol% 이하로 조성하기 위해 제1 코어(10a) 외곽에 위치한 세부 영역들(10b~10d)은 제1 코어(10a)에 비해 작은 굴절률을 유지하여야 한다. 이를 위하여 제2 코어(10b)와 제3 코어(10c)는 P2O5 를 함유하지 않도록 구성된다. 즉, 광섬유 프리폼 제조시 반응 입자들의 소결온도를 낮추도록 첨가하는 POCl3를 제2 코어(10b)와 제3 코어(10c)의 형성시에는 제외하는 공정에 의해 제2 코어(10b)와 제3 코어(10c)는 P2O5 를 함유하지 않는 조성을 갖게 된다.
광섬유 프리폼 제조시 원료가스에 POCl3를 첨가하면 프리폼의 점도가 낮아져서 안정된 온도에서 증착이 가능하고, 이렇게 제조된 프리폼은 인선공정시 장력이 인가됨에 따라 굴절률이 커지게 된다. 반대로, 광섬유 프리폼 제조시 원료가스에서 POCl3를 제외하여 점도를 높여줄 경우에는 인선공정시 장력이 의한 굴절률 변화가 억제된다. 따라서, 제2 코어(10b)와 제3 코어(10c)의 형성시 POCl3를 제외하게 되면 제2 코어(10b)와 제3 코어(10c)의 굴절률을 감소시킬 수 있으므로, 제1 코어(10a)의 GeO2 농도를 3.5mol% 이하 수준으로 낮추더라도, 제2 코어(10b) 및 제3 코어(10c)에 비해 제1 코어(10a)의 굴절률을 높게 유지하는 것이 가능하다.
구부림 손실의 감소 효과를 높이기 위하여 제4 코어(10d)는 제2 코어(10b)에 비해 상대적으로 낮은 굴절률을 갖도록 형성된다. 굴절률을 감소시키기 위해, 제4 코어(10d)의 형성을 위한 증착공정에서는 POCl3를 제외하는 한편, 불소(F)를 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서 제1 코어(10a), 제2 코어(10b), 제3 코어(10c), 제4 코어(10d) 간의 비굴절률차 대소관계는 Δ1> Δ3 > Δ2 ≥ Δ4를 만족하는 것이 바람직하다. Δ1, Δ2, Δ3, Δ4는 각각 제1 코어(10a), 제2 코어(10b), 제3 코어(10c), 제4 코어(10d)의 비굴절률차를 나타낸다. 제1 코어(10a), 제2 코어(10b), 제3 코어(10c), 제4 코어(10d)의 굴절률을 각각 n1, n2, n3, n4 라 하고, 클래드 영역(20)의 굴절률을 ncl이라 할 때, 비굴절률차는 Δ1 = (n1-ncl)/ncl ×100[%], Δ2 = (n2-ncl)/ncl ×100[%], Δ3 = (n1-ncl)/ncl ×100[%], Δ4 = (n1-ncl)/ncl ×100[%]로 정의된다.
ITU-T G.655.A 광섬유 규격을 만족하면서 우수한 손실 특성 및 분산 특성을 제공하기 위하여 비굴절률차 Δ1은 0.46±0.03%, Δ2는 -0.10±0.03%, Δ3은 0.22±0.03%, Δ4는 -0.16±0.03%로 한정되는 것이 바람직하다. 여기서, 제1 코어(10a), 제2 코어(10b), 제3 코어(10c), 제4 코어(10d)의 반경을 각각 r1, r2, r3, r4 라 할 때, 반경 r1은 2.9±0.6㎛, r2는 6.0±0.6㎛, r3는 8.3±0.6㎛, r4는 11.5±0.6㎛로 한정되는 것이 바람직하다.
상기와 같은 구조를 갖는 비영분산천이 광섬유는 제1 코어(10a)가 3.5mol% 이하의 GeO2 농도 조건을 만족함으로써 레일리 산란 손실이 0.135~0.138dB/km 수준으로 종래에 비해 감소하여 1550nm에서 0.20dB/km 이하의 손실 특성을 나타낸다. 또한, φ30mm/1625nm에서 구부림에 따른 매크로 밴딩 손실은 0.05dB/t 이하 수준이 되고, 1550nm에서 유효면적은 55~70㎛2, MFD는 9.1~10.0㎛, 케이블 차단파장은 1310nm 이하, 영분산은 1500nm 이하, 영분산 기울기는 0.08 이하인 특성을 나타낸다.
아래의 표 1에는 상기와 같은 조건을 만족하는 본 발명의 실시예 1 내지 3에 따른 비영분산천이 광섬유의 구체적인 설계치가 나타나 있으며, 표 2에는 그 설계치에 따라 제공되는 손실 특성 및 분산 특성이 나타나 있다. 여기서, 제1 코어(10a)는 GeO2 농도가 3.5mol% 이하인 조성을 가지며, 제2 코어(10b)와 제3 코어(10c)는 P2O5 를 함유하지 않는 조성을 갖는다.
Figure pat00001
Figure pat00002
표 1 및 표 2를 참조하면, 본 발명의 실시예 1 내지 3에 따른 비영분산천이 광섬유는 상술한 제1 코어(10a) 내지 제4 코어(10d)의 반경 및 비굴절률차 수치범위를 만족함으로써 파장 분할 다중화 방식의 광통신에 적용 가능한 고품질의 손실 특성 및 분산 특성을 나타냄을 확인할 수 있다.
상기와 같은 구성을 갖는 비영분산천이 광섬유는 수정화학기상증착(MCVD) 공법에 따라, 석영튜브 내부로 SiCl4, GeCl4 및 POCl3 을 포함하는 원료가스를 산소와 함께 투입함과 더불어 석영튜브의 길이방향으로 열원을 이동시켜 클래드/코어를 증착하는 공정을 포함하는 프리폼 제조공정과, 그 이후에 진행되는 인선공정 등을 거쳐 제조된다.
특히 코어 증착공정에서는 중심으로부터 반경 방향으로 가면서 비굴절률차에 따라 제1 코어(10a), 제2 코어(10b), 제3 코어(10c), 제4 코어(10d)로 구분되도록 굴절률을 제어하는 과정을 진행한다. 이때 제1 코어(10a)의 형성시에는 GeO2 농도가 3.5mol% 이하가 되도록 원료가스를 제어하고, 제2 코어(10b), 제3 코어(10c)의 형성시에는 POCl3를 원료가스에서 제외함으로써 상기 제1 코어(10a)에 비해 제2 코어(10b) 및 제3 코어(10c)의 굴절률을 낮추는 제어를 수행한다.
또한, 제1 코어(10a), 제2 코어(10b), 제3 코어(10c), 제4 코어(10d)의 형성시 원료가스의 조절을 통하여 코어의 각 세부 영역들의 굴절률을 제어함으로써 비굴절률차가 Δ1> Δ3 > Δ2 ≥ Δ4의 대소관계를 만족하는 비영분산천이 광섬유를 제조한다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
10: 코어 영역 10a: 제1 코어
10b: 제2 코어 10c: 제3 코어
10d: 제4 코어 20: 클래드 영역

Claims (8)

  1. 코어 영역과 상기 코어 영역의 외곽에 위치하는 클래드 영역을 포함하며, 상기 코어 영역은 비굴절률차에 따라 복수개의 세부 영역들로 구분되고,
    상기 세부 영역들 중 광섬유 중심에 위치한 영역의 GeO2 농도가 3.5mol% 이하인 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코어 영역은 반경 방향으로 차례대로 위치하는 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어 및 제4 코어의 세부 영역을 포함하고,
    상기 제1 코어는 상기 광섬유 중심에 위치한 영역인 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 코어, 제3 코어 및 제4 코어 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상이 P2O5를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 코어 영역을 이루는 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어, 제4 코어는 비굴절률차가 각각 Δ1, Δ2, Δ3, Δ4 로 정의되고,
    상기 비굴절률차의 대소관계는 Δ1> Δ3 > Δ2 ≥ Δ4를 만족하는 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 Δ1은 0.46±0.03%, Δ2는 -0.10±0.03%, Δ3는 0.22±0.03%, Δ4는 -0.16±0.03% 인 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 코어 영역을 이루는 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어, 제4 코어는 반경이 각각 r1, r2, r3, r4 로 정의되고,
    상기 r1은 2.9±0.6㎛, r2는 6.0±0.6㎛, r3는 8.3±0.6㎛, r4는 11.5±0.6㎛ 인 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유.
  7. SiCl4, GeCl4 및 POCl3 을 포함하는 원료가스를 이용하는 증착공정을 진행하여, 코어 영역과 상기 코어 영역의 외곽에 위치하는 클래드 영역을 포함하고 상기 코어 영역이 중심으로부터 반경 방향으로 가면서 비굴절률차에 따라 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어, 제4 코어로 구분되는 광섬유를 제조하는 비영분산천이 광섬유의 제조방법에 있어서,
    상기 제1 코어의 형성시에는 GeO2 농도가 3.5mol% 이하가 되도록 상기 원료가스를 제어하고,
    상기 제2 코어, 제3 코어 및 제4 코어 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 형성시에는 상기 POCl3를 원료가스에서 제외하는 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 코어, 제2 코어, 제3 코어 및 제4 코어의 비굴절률차를 각각 Δ1, Δ2, Δ3, Δ4 로 정의할 때, 상기 비굴절률차의 대소관계가 Δ1> Δ3 > Δ2 ≥ Δ4를 만족하도록 상기 코어 영역의 굴절률을 조절하는 것을 특징으로 하는 비영분산천이 광섬유의 제조방법.
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