JPWO2009128534A1 - 非可逆回路及び非可逆回路素子、並びにそれらに用いる中心導体組立体 - Google Patents
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Abstract
Description
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体が、磁性材基板に一体的に形成されており、
前記第二の中心導体は、前記基板の主面側で磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差しており、
前記第二の中心導体の少なくとも一方の端部は、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して順方向又は逆方向となるように、屈曲していることを特徴とする。
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と、前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体は、磁性材基板に一体的に形成されており、
前記第二の中心導体は、前記基板の主面側に形成された複数本の帯状導体と、裏面側に形成された少なくとも一本の帯状導体とを直列に接続してなる1.5ターン以上のコイル状であり、
前記第二の中心導体の複数本の帯状導体は前記基板の主面側で磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差していることを特徴とする。
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と、前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体が、磁性材基板に一体的に形成されており、
前記第二の中心導体は、前記基板の主面側に形成された複数本の帯状導体と、裏面側に形成された少なくとも一本の帯状導体とを直列に接続してなる1.5ターン以上のコイル状であり、
前記基板の主面側における前記複数本の帯状導体は磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差しており、
前記基板の主面側における前記第二の中心導体の複数本の帯状導体の各々の少なくとも一方の端部は、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して順方向又は逆方向となるように、屈曲していることを特徴とする。
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体とを磁性材基板に一体的に形成し、
前記第二の中心導体を前記基板の主面側で磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差させ、
前記第二の中心導体の少なくとも一方の端部を、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して順方向又は逆方向となるように屈曲し、もって前記第二の並列共振回路の共振周波数におけるインピーダンスを調整することを特徴とする。
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体とを磁性材基板に一体的に形成し、
前記第二の中心導体を、前記基板の主面側に形成された複数本の帯状導体と、裏面側に形成された少なくとも一本の帯状導体とを直列に接続してなる1.5ターン以上のコイル状とし、
前記第二の中心導体の複数本の帯状導体を前記基板の主面側で磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差させ、もって前記第二の並列共振回路の共振周波数におけるインピーダンスを調整することを特徴とする。
この非可逆回路素子は図1に示す基本構成を有し、図4に示すように磁性材(マイクロ波フェライト)からなる矩形状基板(磁性体層)に第一及び第二の中心導体用線路を形成し、積層してなる中心導体組立体4(第二の中心導体150は主面上で第一の中心導体と電気的絶縁状態で交差する)と、内部にコンデンサCi及びCfが形成され、表面に電極パターン501〜503が形成され、抵抗素子Rを実装したセラミック多層基板5と、セラミック多層基板5を収容する下ケース7と、マイクロ波フェライトに直流磁界を印加する永久磁石3と、永久磁石3を収容し、下ケース7と係合する上ケース1とを具備する。
比較例1の非可逆回路素子は、中心導体組立体の第二の中心導体150に屈曲部151を設けない以外、実施例1と同様に作製した。
実施例2の非可逆回路素子は実施例1と同じ基本構成及び外形寸法を有するが、その中心導体組立体4は図20に示す外観及び図21に示す内部構造を有した。層S1及び層S2には厚さ50μmのグリーンシートを用い、層S3には厚さ25μmのグリーンシートを用い、層S4には厚さ15μmのグリーンシートを用いた。
第二の中心導体の線路150a,150bの端部を屈曲しない以外実施例2と同じ中心導体組立体を用いて、実施例1と同様にして非可逆回路素子を作製した。
図14に示すように、(a) 第二の中心導体150を幅0.12 mm及び厚さ10μmの一本の線路により形成し、(b) 第二の中心導体150の一方の端部を、そこを流れる高周波電流が第一の中心導体を流れる高周波電流の方向に対して逆方向となるように屈曲し、(c) アースポート側の他端部を、そこを流れる高周波電流が第一の中心導体を流れる高周波電流の方向に対して順方向となるように屈曲し、かつ(d) 各屈曲部の長さを0.12 mmとした以外実施例1と同様にして、中心導体組立体を作製した。この中心導体組立体を用いて、非可逆回路素子を作製した。セラミック多層基板5内に形成したコンデンサは実施例2のものより高容量とした。
Claims (15)
- 第一の入出力ポートと第二の入出力ポートとの間に第一のインダクタンス素子が配置され、第二の入出力ポートとアースポートとの間に第二のインダクタンス素子が配置された非可逆回路に使用される中心導体組立体であって、
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と、前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体が、磁性材基板に一体的に形成されており、
前記第二の中心導体は、前記基板の主面側で磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差しており、
前記第二の中心導体の少なくとも一方の端部は、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して順方向又は逆方向となるように、屈曲していることを特徴とする中心導体組立体。 - 請求項1に記載の中心導体組立体において、前記第一の中心導体の一部及び前記第二の中心導体は前記基板の主面側に形成されており、前記第一の中心導体の他の部分は前記基板内に形成されていることを特徴とする中心導体組立体。
- 請求項1又は2に記載の中心導体組立体において、前記第一のインダクタンス素子は前記第二のインダクタンス素子よりインダクタンスが小さいことを特徴とする中心導体組立体。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の中心導体組立体において、前記第一の中心導体と前記第二の中心導体の端部はそれぞれビアホール又は基板側面に形成された電極により底面に形成された端子電極に導通していることを特徴とする中心導体組立体。
- 第一の入出力ポートと第二の入出力ポートとの間に第一のインダクタンス素子が配置され、第二の入出力ポートとアースポートとの間に第二のインダクタンス素子が配置された非可逆回路に使用される中心導体組立体であって、
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と、前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体は、磁性材基板に一体的に形成されており、
前記第二の中心導体は、前記基板の主面側に形成された複数本の帯状導体と、裏面側に形成された少なくとも一本の帯状導体とを直列に接続してなる1.5ターン以上のコイル状であり、
前記第二の中心導体の複数本の帯状導体は前記基板の主面側で磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差していることを特徴とする中心導体組立体。 - 請求項5に記載の中心導体組立体において、前記第一の中心導体の一部は前記基板の主面側に形成されており、他の部分は前記基板内に形成されていることを特徴とする中心導体組立体。
- 請求項5又は6に記載の中心導体組立体において、前記第一のインダクタンス素子は前記第二のインダクタンス素子よりインダクタンスが小さいことを特徴とする中心導体組立体。
- 請求項5〜7のいずれかに記載の中心導体組立体において、前記第一の中心導体と前記第二の中心導体の端部はそれぞれビアホール又は基板側面に形成された電極により底面に形成された端子電極に導通していることを特徴とする中心導体組立体。
- 第一の入出力ポートと第二の入出力ポートとの間に第一のインダクタンス素子が配置され、第二の入出力ポートとアースポートとの間に第二のインダクタンス素子が配置された非可逆回路に使用される中心導体組立体であって、
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と、前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体が、磁性材基板に一体的に形成されており、
前記第二の中心導体は、前記基板の主面側に形成された複数本の帯状導体と、裏面側に形成された少なくとも一本の帯状導体とを直列に接続してなる1.5ターン以上のコイル状であり、
前記基板の主面側における前記複数本の帯状導体は磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差しており、
前記基板の主面側における前記第二の中心導体の複数本の帯状導体の各々の少なくとも一方の端部は、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して順方向又は逆方向となるように、屈曲していることを特徴とする中心導体組立体。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の中心導体組立体を具備する非可逆回路であって、前記中心導体組立体に直流磁界を印加する永久磁石と、前記第一のインダクタンス素子と第一の並列共振回路を構成する第一のキャパシタンス素子と、前記第二のインダクタンス素子と第二の並列共振回路を構成する第二のキャパシタンス素子とを備えたことを特徴とする非可逆回路。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の中心導体組立体を具備する非可逆回路素子であって、前記中心導体組立体に直流磁界を印加する永久磁石と、前記第一のインダクタンス素子と第一の並列共振回路を構成する第一のキャパシタンス素子と、前記第二のインダクタンス素子と第二の並列共振回路を構成する第二のキャパシタンス素子とを備え、前記第一及び第二のキャパシタンス素子は多層基板に内蔵されており、前記中心導体組立体は前記多層基板の主面に実装されていることを特徴とする非可逆回路素子。
- 第一の入出力ポートと第二の入出力ポートとの間に第一のインダクタンス素子及び第一のキャパシタンス素子を備えた第一の並列共振回路が配置され、第二の入出力ポートとアースポートとの間に第二のインダクタンス素子及び第二のキャパシタンス素子とを備えた第二の並列共振回路が配置された非可逆回路のインピーダンスを調整する方法であって、
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体とを磁性材基板に一体的に形成し、
前記第二の中心導体を前記基板の主面側で磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差させ、
前記第二の中心導体の少なくとも一方の端部を、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して順方向又は逆方向となるように屈曲し、もって前記第二の並列共振回路の共振周波数におけるインピーダンスを調整することを特徴とする方法。 - 請求項12に記載の非可逆回路のインピーダンス調整方法において、前記第二の中心導体のアースポート側の端部を、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して順方向となるように屈曲するか、第二の入出力ポート側の端部を、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して逆方向となるように屈曲し、もって共振周波数におけるインピーダンスをスミスチャートの等コンダクタンス曲線に沿って反時計方向に移動させることを特徴とする方法。
- 請求項12に記載の非可逆回路のインピーダンス調整方法において、前記第二の中心導体のアースポート側の端部を、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して逆方向となるように屈曲するか、第二の入出力ポート側の端部を、そこを流れる高周波電流が前記第一の中心導体を流れる高周波電流に対して順方向となるように屈曲し、もって共振周波数におけるインピーダンスをスミスチャートの等コンダクタンス曲線に沿って時計方向に移動させることを特徴とする方法。
- 第一の入出力ポートと第二の入出力ポートとの間に第一のインダクタンス素子及び第一のキャパシタンス素子を備えた第一の並列共振回路が配置され、第二の入出力ポートとアースポートとの間に第二のインダクタンス素子及び第二のキャパシタンス素子とを備えた第二の並列共振回路が配置された非可逆回路のインピーダンスを調整する方法であって、
前記第一のインダクタンス素子を構成する第一の中心導体と前記第二のインダクタンス素子を構成する第二の中心導体とを磁性材基板に一体的に形成し、
前記第二の中心導体を、前記基板の主面側に形成された複数本の帯状導体と、裏面側に形成された少なくとも一本の帯状導体とを直列に接続してなる1.5ターン以上のコイル状とし、
前記第二の中心導体の複数本の帯状導体を前記基板の主面側で磁性体層又は誘電体層を介して前記第一の中心導体と交差させ、もって前記第二の並列共振回路の共振周波数におけるインピーダンスを調整することを特徴とする方法。
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