JPWO2009081748A1 - 放射測温方法及び放射測温システム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施例1に係る放射測温方法並びに放射測温システムの第1の基本原理は以下の通りである。
本発明の実施例1に係る放射測温方法並びに放射測温システムを例えば半導体製造プロセスに実際に応用する場合には、付帯的な基本構成が更に必要となる。この付帯的な基本構成を備えた第2の基本原理は以下の通りである。
次に、本発明の実施例1に係る放射測温システムの具体的な構成を説明する。図5に示すように、放射測温システム10は、基板1上の薄膜2から放射される第1の偏光放射輝度成分の放射率が変化しない角度θeic範囲内の放射方向EAに対して、薄膜2の表面に垂直な面法線NLを中心に鏡面対称となる入射軸IA上に配設され、背景放射を吸収し遮蔽する擬似黒体5と、擬似黒体5の温度T2を測定する温度測定計6と、第1の偏光放射輝度成分及び擬似黒体5から入射軸IA上に放射され薄膜2の表面で反射された第2の偏光放射輝度成分を測定する放射計4と、第1の偏光放射輝度成分及び第2の偏光放射輝度成分の測定結果と温度測定計6により測定された温度T2とに基づき薄膜2の温度T1を演算する演算ユニット15とを備えている。
図7に示すように、実施例3に係る放射測温システム10は、前述の図5に示す実施例1に係る放射測温システム10に加えて、更にハイブリッド表面温度測定システム30を備える。このハイブリッド表面温度測定システム30は、接触センサ31と、放射輝度計測センサ32と、駆動制御ユニット33とを備えている。
前述の図7及び図8を用いて、実施例3に係る放射測温方法を説明する。まず最初に、放射測温システム10のチャンバ11内に配置された薄膜付基板の薄膜2の表面温度が、オフラインにおいて、ハイブリッド表面温度測定システム30を用いて測定される。ハイブリッド表面温度測定システム30においては、接触センサ31が駆動制御ユニット33によってチャンバ11内を移動し、接触センサ31の薄膜接触子311の表面が薄膜付基板の薄膜2の表面に接触する。薄膜接触子311は薄膜2との接触によって熱平衡状態になり、薄膜接触子311の裏面から放射輝度が放射される。この放射輝度は接触センサ31の透過体313、ケーブル314を通して放射輝度計測センサ32に出力される。放射輝度計測センサ32においては、入射される放射輝度に基づき薄膜2の表面温度を測定し、その測定結果が演算ユニット15に出力される。演算ユニット15においては、放射輝度計測センサ32からの測定結果に基づき、薄膜2の表面温度を算出し、その算出結果は表示ユニット16に薄膜2の表面温度として表示される。
上記のように、本発明を実施例1によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替の実施例及び運用技術に適用することができる。
Claims (13)
- 基板上に薄膜を形成し薄膜付基板を形成する工程と、
前記薄膜付基板から放射される偏光放射輝度成分を測定する方向を基板面法線からの角度として放射率が変化しない角度範囲内において測定する工程と、
前記偏光放射輝度成分の測定結果に基づき前記薄膜付基板の温度を演算する工程と、
を備えたことを特徴とする放射測温方法。 - 前記偏光放射輝度成分を測定する工程は、前記薄膜付基板の表面に対する法線と前記偏光放射輝度成分の測定方向とを含む放射面内に対して平行なp波偏光放射輝度成分を測定する工程であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の放射測温方法。
- 前記偏光放射輝度成分を測定する工程は、前記基板が不透明体となる波長域において、前記薄膜付基板から放射される偏光放射輝度成分を測定する工程であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の放射測温方法。
- 前記薄膜付基板を形成する工程は、基板上にシリコン酸化薄膜を形成し、薄膜付基板を形成する工程であり、前記p波偏光放射輝度成分を測定する工程は、前記シリコン酸化薄膜から放射されるp波偏光輝度成分を、前記薄膜付基板面の法線に対して中心を55度とし、53度から57度の角度範囲内において測定する工程であることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の放射測温方法。
- 前記薄膜付基板を形成する工程は、基板上にシリコン窒化薄膜を形成し、薄膜付基板を形成する工程であり、前記p波偏光放射輝度成分を測定する工程は、前記シリコン窒化薄膜付基板から放射されるp波偏光放射輝度成分を、前記薄膜付基板面の法線に対して中心を63度とし、61度から65度の角度範囲内において測定する工程であることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の放射測温方法。
- 前記薄膜付基板を形成する工程は、基板上にシリコンオキシナイトライド薄膜を形成し、薄膜付基板を形成する工程であり、前記p波偏光放射輝度成分を測定する工程は、前記シリコンオキシナイトライド薄膜から放射されるp波偏光放射輝度成分を、前記薄膜付基板面の法線に対して中心を57度とし、55度から59度の角度範囲内において測定する工程であることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の放射測温方法。
- 基板上に薄膜を形成し、薄膜付基板を形成する工程と、
前記薄膜付基板から放射される第1の偏光放射輝度成分の放射率が変化しない角度範囲内の放射方向に対して、前記薄膜付基板の表面に垂直な法線を軸にして鏡面対称となる入射軸上に背景放射を吸収遮蔽し、かつ一定の放射輝度を放射する擬似黒体を配設し、この擬似黒体の温度を測定する工程と、
前記放射軸方向上において前記第1の偏光放射輝度成分及び前記擬似黒体から前記入射軸上に放射され前記薄膜付基板の表面で反射され、前記放射方向へ向かう第2の偏光放射輝度成分を測定する工程と、
前記第1の偏光放射輝度成分及び前記第2の偏光放射輝度成分の測定結果と前記擬似黒体の温度の測定結果とに基づき前記薄膜付基板の温度を演算する工程と、
を備えたことを特徴とする放射測温方法。 - 前記薄膜付基板の前記薄膜の表面に薄膜接触子の表面を接触させ、前記薄膜接触子の表面と対向する裏面から放射される放射輝度を計測する工程と、
この計測された前記放射輝度に基づき前記薄膜の表面温度を測定する工程と、
を更に備えたことを特徴とする請求の範囲第1項又は第7項に記載の放射測温方法。 - 前記薄膜付基板の表面温度を前記薄膜接触子の裏面から放射される放射輝度に基づき測定する第1の工程の後に、前記薄膜付基板から放射される前記偏光放射輝度成分又は前記第1の偏光放射輝度成分を測定する方向を基板面法線からの角度として放射率が変化しない角度範囲内において測定し、この測定結果に基づき前記薄膜付基板の温度を演算する第2の工程を行い、
前記第1の工程の前記薄膜の表面温度の測定結果に対して、前記第2の工程の前記薄膜付基板の温度の演算結果が許容範囲内であるか否かを判定し、
許容範囲内であれば、前記薄膜付基板の温度の測定に前記第2の工程を使用することを特徴とする請求の範囲第8項に記載の放射測温方法。 - 基板上に薄膜を形成した薄膜付基板から放射される偏光放射輝度成分を放射率が変化しない角度範囲内において測定する放射計と、
前記放射計により測定された前記偏光放射輝度成分に基づき前記薄膜付基板の温度を演算する演算ユニットと、
を備えたことを特徴とする放射測温システム。 - 前記基板を内部に配設するチャンバと、
前記基板を加熱する熱発生源と、
前記薄膜付基板と前記放射計との間に配設され、前記薄膜付基板の熱放射から偏光放射輝度成分を抽出する偏光素子と、
を更に備えたことを特徴とする請求の範囲第10項に記載の放射測温システム。 - 薄膜付基板から放射される第1の偏光放射輝度成分の放射率が変化しない角度範囲内の放射方向に対して、前記薄膜付基板の表面に垂直な法線を軸にして鏡面対称となる入射軸上に配設され、背景放射を吸収遮蔽し、かつ一定の放射輝度を放射する擬似黒体と、
前記擬似黒体の温度を測定する温度測定計と、
前記放射方向に配設され、前記第1の偏光放射輝度成分及び前記擬似黒体から前記入射軸上に放射され前記薄膜付基板の表面で反射され、前記放射方向へ向かう第2の偏光放射輝度成分を測定する放射計と、
前記放射計により測定された前記第1の偏光放射輝度成分及び前記第2の偏光放射輝度成分と前記温度測定計により測定された前記擬似黒体の温度とに基づき前記薄膜付基板の温度を演算する演算ユニットと、
を備えたことを特徴とする放射測温システム。 - 前記薄膜付基板の前記薄膜の表面に接触させる薄膜接触子を有する接触センサと、
前記接触センサの前記薄膜接触子の前記表面に対向する裏面から放射される放射輝度を計測し、この計測結果を前記演算ユニットに出力する放射輝度計測センサと、
を更に備えたことを特徴とする請求の範囲第10項又は第12項に記載の放射測温システム。
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