JP2007180286A - シリコンウエハの温度測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Siウエハ1の加工表面1aの反対側の面1bに、SiOまたはSiO2 からなる酸化膜2を0.3μm以上、好ましくは1.0〜2.0μmの範囲の厚さに形成し、その酸化膜2から放射される赤外光のうち、波長範囲が9〜10μmの放射赤外光を赤外線放射温度計3に入射させることにより、その赤外光の放射エネルギー量からSiウエハ1の加工表面温度を測定する。
【選択図】 図2
Description
図1において、1はSiウエハであり、このSiウエハ1の表裏両面のうち、高集積回路パータンの形成などの微細加工を施すためにエッチング処理や、CVD、プラズマCVD等の薄膜形成処理などを行う加工表面1aの反対側の面1bに、SiOまたはSiO2からなる酸化膜2を、0.3μm以上、好ましくは、1.0μm〜10.0μmの範囲の厚さに形成している。
1a 加工表面
1b 加工表面の反対側の面
2 酸化膜(または窒化膜)
3 赤外線放射温度計
Claims (4)
- シリコンウエハの表面からその温度に応じて放射される赤外光の放射エネルギー量を測定してシリコンウエハの表面温度を測定する方法であって、
前記シリコンウエハの表面に、酸化膜または窒化膜を形成し、この膜の光吸収領域における赤外放射率を90%以上になるよう膜厚を確保するとともに、この酸化膜または窒化膜から放射される前記波長域の赤外光の放射エネルギー量を測定して前記シリコンウエハの表面温度を測定することを特徴とするシリコンウエハの温度測定方法。 - 前記酸化膜が、一酸化ケイ素または二酸化ケイ素であり、また、前記酸化膜が窒化ケイ素である請求項1に記載のシリコンウエハの温度測定方法。
- 前記酸化膜または窒化膜の厚さが0.3μm以上に設定されているとともに、前記測定波長域が9〜10μmまたは10〜11μmの範囲に設定されている請求項1または2に記載のシリコンウエハの温度測定方法。
- 前記酸化膜または窒化膜の厚さが1.0μm〜10.0μmの範囲に設定されているとともに、前記測定波長域が9〜10μmまたは10〜11μmの範囲に設定されている請求項1〜3のいずれかに記載のシリコンウエハの温度測定方法。
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