JPWO2009060652A1 - 電力増幅器およびこれを備える電波送信機 - Google Patents
電力増幅器およびこれを備える電波送信機 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009060652A1 JPWO2009060652A1 JP2009539978A JP2009539978A JPWO2009060652A1 JP WO2009060652 A1 JPWO2009060652 A1 JP WO2009060652A1 JP 2009539978 A JP2009539978 A JP 2009539978A JP 2009539978 A JP2009539978 A JP 2009539978A JP WO2009060652 A1 JPWO2009060652 A1 JP WO2009060652A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- power
- frequency
- output
- power amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 22
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 22
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/004—Control by varying the supply voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
- H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/336—A I/Q, i.e. phase quadrature, modulator or demodulator being used in an amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21136—An input signal of a power amplifier being on/off switched
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21142—Output signals of a plurality of power amplifiers are parallel combined to a common output
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21196—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers the supply voltage of a power amplifier being switchable controlled
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7215—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch at the input of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
高周波変調信号を増幅する電力増幅器であって、
前記高周波変調信号に含まれる、当該高周波変調信号の振幅変調成分のみを含む包絡線信号を時間離散信号に変換するAD変換器と、
前記AD変換器の出力信号を増幅するスイッチングアンプと、
前記スイッチングアンプの出力信号から高周波ノイズを除去するローパスフィルタと、
前記ローパスフィルタの出力信号が電源として供給され、前記高周波変調信号に含まれる搬送波信号を増幅するための複数の高周波電力増幅器と、
前記複数の高周波電力増幅器の総利得を制御することで、前記電力増幅器の出力信号の平均電力を調整する電力制御部と、を有することを特徴とする。
前記電力増幅器と、
電力制御信号、I信号、およびQ信号を生成するデジタルベースバンド回路と、
前記デジタルベースバンド回路から出力されるI信号およびQ信号を基に、前記包絡線信号および前記搬送波信号を生成する極座標変換回路と、をさらに備え、
前記AD変換器は、前記極座標変換回路から出力される前記包絡線信号を入力し、
前記複数の高周波電力増幅器は、前記極座標変換回路から出力される前記搬送波信号を入力し、
前記電力制御部は、前記デジタルベースバンド回路から出力される前記電力制御信号を入力し、当該電力制御信号を基に、前記複数の高周波電力増幅器のオン・オフ制御を行うことで、前記電力増幅器の出力信号の平均電力を調整することを特徴とする。
前記電力増幅器と、
電力制御信号、I信号、およびQ信号を生成するデジタルベースバンド回路と、
前記デジタルベースバンド回路から出力されるI信号およびQ信号を基に前記高周波変調信号を生成し、さらに、前記高周波変調信号を基に前記包絡線信号および前記搬送波信号を生成する極座標変換回路と、をさらに備え、
前記AD変換器は、前記極座標変換回路から出力される前記包絡線信号を入力し、
前記複数の高周波電力増幅器のうち初段の高周波電力増幅器は、前記極座標変換回路から出力される前記搬送波信号を入力し、
前記電力制御部は、前記デジタルベースバンド回路から出力される前記電力制御信号を入力し、当該電力制御信号を基に、前記高周波スイッチの切り替え制御を行うことで、前記電力増幅器の出力信号の平均電力を調整することを特徴とする。
図4に、本発明の第1の実施形態の電力増幅器10の構成を示す。
図6に、本発明の第2の実施形態の電力増幅器110を備える電波送信機の構成を示す。
本発明の第3の実施形態の電力増幅器は、第2の実施形態で行っていた高周波電力増幅器115−1〜115−nのオン・オフ制御以外の方法でも、出力信号の平均電力を調整できるようにしたものである。
図10に、本発明の第4の実施形態の電力増幅器510を備える電波送信機の構成を示す。
本発明の第5の実施形態の電力増幅器は、第4の実施形態で行っていた高周波スイッチ516−1〜516−nの切り替え制御以外の方法でも、出力信号の平均電力を調整できるようにしたものである。
Claims (15)
- 高周波変調信号を増幅する電力増幅器であって、
前記高周波変調信号に含まれる、当該高周波変調信号の振幅変調成分のみを含む包絡線信号を時間離散信号に変換するAD変換器と、
前記AD変換器の出力信号を増幅するスイッチングアンプと、
前記スイッチングアンプの出力信号から高周波ノイズを除去するローパスフィルタと、
前記ローパスフィルタの出力信号が電源として供給され、前記高周波変調信号に含まれる搬送波信号を増幅するための複数の高周波電力増幅器と、
前記複数の高周波電力増幅器の総利得を制御することで、前記電力増幅器の出力信号の平均電力を調整する電力制御部と、を有することを特徴とする電力増幅器。 - 前記複数の高周波電力増幅器は、並列に配置されており、
前記複数の高周波電力増幅器の各々は、前記搬送波信号と前記電源を乗算して増幅し、
前記電力増幅器は、
前記複数の高周波電力増幅器の出力信号を合成して外部に出力する電力合成回路をさらに有し、
前記電力制御部は、前記複数の高周波電力増幅器のオン・オフ制御を行うことで、前記電力増幅器の出力信号の平均電力を調整することを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器。 - 前記AD変換器の前段に配置された可変利得増幅器をさらに備え、
前記電力制御部は、前記可変利得増幅器の利得を制御する、請求項2に記載の電力増幅器。 - 前記複数の高周波電力増幅器の前段に配置された高周波可変利得増幅器をさらに備え、
前記電力制御部は、前記高周波可変利得増幅器の利得を制御する、請求項2または3に記載の電力増幅器。 - 前記AD変換器へ入力される前記包絡線信号の平均電力は略一定である、請求項2から4のいずれか1項に記載の電力増幅器。
- 前記搬送波信号は、前記高周波変調信号の位相変調成分のみを含む信号である、請求項2から5のいずれか1項に記載の電力増幅器。
- 前記搬送波信号は、前記高周波変調信号の位相変調成分と振幅変調成分を含む信号である、請求項2から5のいずれか1項に記載の電力増幅器。
- 前記複数の高周波電力増幅器は、直列に配置されており、
前記電力増幅器は、
前記複数の高周波電力増幅器の各々の間に配置された入力1端子・出力2端子の高周波スイッチであって、入力端子が前段の前記高周波電力増幅器に接続され、第1の出力端子が後段の前記高周波電力増幅器に接続された高周波スイッチと、
前記高周波スイッチの第2の出力端子に接続され、出力信号を外部に出力する整合回路と、をさらに有し、
初段の前記高周波電力増幅器は、前記搬送波信号と前記電源を乗算して増幅し、出力信号を後段の前記高周波スイッチへ出力し、
初段および最終段以外の前記高周波電力増幅器は、前段の前記高周波スイッチの出力信号を増幅し、出力信号を後段の前記高周波スイッチへ出力し、
最終段の高周波電力増幅器は、前段の前記高周波スイッチの出力信号を増幅し、出力信号を外部に出力し、
前記電力制御部は、前記高周波スイッチの切り替え制御を行うことで、前記電力増幅器の出力信号の平均電力を調整することを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器。 - 前記AD変換器の前段に配置された可変利得増幅器をさらに備え、
前記電力制御部は、前記可変利得増幅器の利得を制御する、請求項8に記載の電力増幅器。 - 前記複数の高周波電力増幅器の前段に配置された高周波可変利得増幅器をさらに備え、
前記電力制御部は、前記高周波可変利得増幅器の利得を制御する、請求項8または9に記載の電力増幅器。 - 前記AD変換器へ入力される前記包絡線信号の平均電力は略一定である、請求項8から10のいずれか1項に記載の電力増幅器。
- 前記搬送波信号は、前記高周波変調信号の位相変調成分のみを含む信号である、請求項8から11のいずれか1項に記載の電力増幅器。
- 前記搬送波信号は、前記高周波変調信号の位相変調成分と振幅変調成分を含む信号である、請求項8から11のいずれか1項に記載の電力増幅器。
- 請求項2から7のいずれか1項に記載の電力増幅器を備える電波送信機であって、
電力制御信号、I信号、およびQ信号を生成するデジタルベースバンド回路と、
前記デジタルベースバンド回路から出力されるI信号およびQ信号を基に、前記包絡線信号および前記搬送波信号を生成する極座標変換回路と、をさらに備え、
前記AD変換器は、前記極座標変換回路から出力される前記包絡線信号を入力し、
前記複数の高周波電力増幅器は、前記極座標変換回路から出力される前記搬送波信号を入力し、
前記電力制御部は、前記デジタルベースバンド回路から出力される前記電力制御信号を入力し、当該電力制御信号を基に、前記複数の高周波電力増幅器のオン・オフ制御を行うことで、前記電力増幅器の出力信号の平均電力を調整することを特徴とする電波送信機。 - 請求項8から13のいずれか1項に記載の電力増幅器を備える電波送信機であって、
電力制御信号、I信号、およびQ信号を生成するデジタルベースバンド回路と、
前記デジタルベースバンド回路から出力されるI信号およびQ信号を基に、前記包絡線信号および前記搬送波信号を生成する極座標変換回路と、をさらに備え、
前記AD変換器は、前記極座標変換回路から出力される前記包絡線信号を入力し、
前記複数の高周波電力増幅器のうち初段の高周波電力増幅器は、前記極座標変換回路から出力される前記搬送波信号を入力し、
前記電力制御部は、前記デジタルベースバンド回路から出力される前記電力制御信号を入力し、当該電力制御信号を基に、前記高周波スイッチの切り替え制御を行うことで、前記電力増幅器の出力信号の平均電力を調整することを特徴とする電波送信機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009539978A JP5126234B2 (ja) | 2007-11-05 | 2008-08-22 | 電力増幅器およびこれを備える電波送信機 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007287282 | 2007-11-05 | ||
JP2007287282 | 2007-11-05 | ||
PCT/JP2008/064975 WO2009060652A1 (ja) | 2007-11-05 | 2008-08-22 | 電力増幅器およびこれを備える電波送信機 |
JP2009539978A JP5126234B2 (ja) | 2007-11-05 | 2008-08-22 | 電力増幅器およびこれを備える電波送信機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009060652A1 true JPWO2009060652A1 (ja) | 2011-03-17 |
JP5126234B2 JP5126234B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=40625555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009539978A Expired - Fee Related JP5126234B2 (ja) | 2007-11-05 | 2008-08-22 | 電力増幅器およびこれを備える電波送信機 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8254496B2 (ja) |
JP (1) | JP5126234B2 (ja) |
WO (1) | WO2009060652A1 (ja) |
Families Citing this family (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008090721A1 (ja) * | 2007-01-24 | 2008-07-31 | Nec Corporation | 電力増幅器 |
US8135361B2 (en) * | 2008-08-04 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Polar modulation transmission apparatus |
US9112452B1 (en) | 2009-07-14 | 2015-08-18 | Rf Micro Devices, Inc. | High-efficiency power supply for a modulated load |
JPWO2011024342A1 (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | 送信装置 |
US8509713B2 (en) * | 2009-12-21 | 2013-08-13 | Ubidyne, Inc. | Single envelope tracking system for an active antenna array |
US9431974B2 (en) | 2010-04-19 | 2016-08-30 | Qorvo Us, Inc. | Pseudo-envelope following feedback delay compensation |
US8981848B2 (en) | 2010-04-19 | 2015-03-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Programmable delay circuitry |
US9099961B2 (en) | 2010-04-19 | 2015-08-04 | Rf Micro Devices, Inc. | Output impedance compensation of a pseudo-envelope follower power management system |
EP2782247B1 (en) | 2010-04-19 | 2018-08-15 | Qorvo US, Inc. | Pseudo-envelope following power management system |
US9112508B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-08-18 | Broadcom Corporation | Adaptive powered local oscillator generator circuit and related method |
US20110306391A1 (en) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Broadcom Corporation | Transmitter architecture enabling efficient preamplification gain control and related method |
JP2012004821A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Panasonic Corp | 高周波増幅器 |
US8862064B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-10-14 | Broadcom Corporation | Self-testing transceiver architecture and related method |
WO2012047738A1 (en) | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Rf Micro Devices, Inc. | SINGLE μC-BUCKBOOST CONVERTER WITH MULTIPLE REGULATED SUPPLY OUTPUTS |
WO2012068258A2 (en) | 2010-11-16 | 2012-05-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Digital fast cordic for envelope tracking generation |
CN103444076B (zh) | 2011-02-07 | 2016-05-04 | 射频小型装置公司 | 用于功率放大器包络跟踪的群延迟校准方法 |
US9247496B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-01-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Power loop control based envelope tracking |
US9379667B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-06-28 | Rf Micro Devices, Inc. | Multiple power supply input parallel amplifier based envelope tracking |
US9246460B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-01-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Power management architecture for modulated and constant supply operation |
CN103748794B (zh) | 2011-05-31 | 2015-09-16 | 射频小型装置公司 | 一种用于测量发射路径的复数增益的方法和设备 |
US9019011B2 (en) | 2011-06-01 | 2015-04-28 | Rf Micro Devices, Inc. | Method of power amplifier calibration for an envelope tracking system |
GB2488380B (en) | 2011-06-24 | 2018-04-04 | Snaptrack Inc | Envelope tracking system for mimo |
US8760228B2 (en) | 2011-06-24 | 2014-06-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Differential power management and power amplifier architecture |
US8952710B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-02-10 | Rf Micro Devices, Inc. | Pulsed behavior modeling with steady state average conditions |
US8792840B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-07-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Modified switching ripple for envelope tracking system |
US9263996B2 (en) | 2011-07-20 | 2016-02-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Quasi iso-gain supply voltage function for envelope tracking systems |
US8942652B2 (en) | 2011-09-02 | 2015-01-27 | Rf Micro Devices, Inc. | Split VCC and common VCC power management architecture for envelope tracking |
US8957728B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-02-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Combined filter and transconductance amplifier |
KR101800728B1 (ko) | 2011-10-14 | 2017-11-24 | 삼성전자주식회사 | 전력 증폭기의 동작 영역을 확대하기 위한 장치 및 방법 |
CN103988406B (zh) | 2011-10-26 | 2017-03-01 | Qorvo美国公司 | 射频(rf)开关转换器以及使用rf开关转换器的rf放大装置 |
CN103959189B (zh) | 2011-10-26 | 2015-12-23 | 射频小型装置公司 | 基于电感的并行放大器相位补偿 |
US9484797B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-11-01 | Qorvo Us, Inc. | RF switching converter with ripple correction |
US9024688B2 (en) | 2011-10-26 | 2015-05-05 | Rf Micro Devices, Inc. | Dual parallel amplifier based DC-DC converter |
US9250643B2 (en) | 2011-11-30 | 2016-02-02 | Rf Micro Devices, Inc. | Using a switching signal delay to reduce noise from a switching power supply |
US8975959B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-03-10 | Rf Micro Devices, Inc. | Monotonic conversion of RF power amplifier calibration data |
US9515621B2 (en) | 2011-11-30 | 2016-12-06 | Qorvo Us, Inc. | Multimode RF amplifier system |
US9041365B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-05-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Multiple mode RF power converter |
US9256234B2 (en) | 2011-12-01 | 2016-02-09 | Rf Micro Devices, Inc. | Voltage offset loop for a switching controller |
US8947161B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-02-03 | Rf Micro Devices, Inc. | Linear amplifier power supply modulation for envelope tracking |
US9280163B2 (en) | 2011-12-01 | 2016-03-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Average power tracking controller |
US9041364B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-05-26 | Rf Micro Devices, Inc. | RF power converter |
US9494962B2 (en) | 2011-12-02 | 2016-11-15 | Rf Micro Devices, Inc. | Phase reconfigurable switching power supply |
US9813036B2 (en) | 2011-12-16 | 2017-11-07 | Qorvo Us, Inc. | Dynamic loadline power amplifier with baseband linearization |
US9298198B2 (en) | 2011-12-28 | 2016-03-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Noise reduction for envelope tracking |
US8981839B2 (en) | 2012-06-11 | 2015-03-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Power source multiplexer |
WO2014018861A1 (en) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Programmable rf notch filter for envelope tracking |
US9419457B2 (en) | 2012-09-04 | 2016-08-16 | Google Technology Holdings LLC | Method and device with enhanced battery capacity savings |
US9225231B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-12-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Open loop ripple cancellation circuit in a DC-DC converter |
US9356461B2 (en) | 2012-09-25 | 2016-05-31 | Google Technology Holdings, LLC | Methods and systems for rapid wireless charging where the low state of charge (SOC) temperature dependent charging current and low SOC temperature limit are higher than the high SOC temperature dependent charging current and high SOC temperature limit |
US9197256B2 (en) | 2012-10-08 | 2015-11-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Reducing effects of RF mixer-based artifact using pre-distortion of an envelope power supply signal |
WO2014062902A1 (en) | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Rf Micro Devices, Inc | Transitioning from envelope tracking to average power tracking |
US9627975B2 (en) | 2012-11-16 | 2017-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Modulated power supply system and method with automatic transition between buck and boost modes |
US9929696B2 (en) | 2013-01-24 | 2018-03-27 | Qorvo Us, Inc. | Communications based adjustments of an offset capacitive voltage |
US9325284B2 (en) * | 2013-02-02 | 2016-04-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Radio frequency composite Class-S power amplifier having discrete power control |
US9178472B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-11-03 | Rf Micro Devices, Inc. | Bi-directional power supply signal based linear amplifier |
US9491706B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-11-08 | Google Technology Holdings LLC | Reduced-power transmitting from a communications device |
US9246454B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-01-26 | Google Technology Holdings, LLC | Low power consumption adaptive power amplifier |
WO2014152876A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Rf Micro Devices, Inc | Noise conversion gain limited rf power amplifier |
WO2014152903A2 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Rf Micro Devices, Inc | Envelope tracking power supply voltage dynamic range reduction |
US9479118B2 (en) | 2013-04-16 | 2016-10-25 | Rf Micro Devices, Inc. | Dual instantaneous envelope tracking |
JP6173785B2 (ja) * | 2013-06-12 | 2017-08-02 | 株式会社東芝 | 送信装置 |
US9374005B2 (en) | 2013-08-13 | 2016-06-21 | Rf Micro Devices, Inc. | Expanded range DC-DC converter |
JP6369137B2 (ja) | 2014-05-30 | 2018-08-08 | ソニー株式会社 | 送信装置、受信装置、および通信システム |
US9596653B2 (en) | 2013-12-16 | 2017-03-14 | Google Technology Holdings LLC | Remedying power drain via a coverage map |
JP6328028B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-05-23 | パナソニック株式会社 | 送信装置及び送信方法 |
US9865897B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-01-09 | Google Llc | Stacked electrochemical cell with increased energy density |
US9614476B2 (en) | 2014-07-01 | 2017-04-04 | Qorvo Us, Inc. | Group delay calibration of RF envelope tracking |
US9438293B2 (en) | 2014-08-05 | 2016-09-06 | Google Technology Holdings LLC | Tunable circuit elements for dynamic, per element power |
WO2016035166A1 (ja) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | 富士通株式会社 | 電力増幅回路及び半導体集積回路 |
US9472965B2 (en) | 2014-09-08 | 2016-10-18 | Google Technology Holdings LLC | Battery cycle life through smart overnight charging |
US9685981B2 (en) * | 2015-03-06 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Radio frequency system hybrid power amplifier systems and methods |
US9912297B2 (en) | 2015-07-01 | 2018-03-06 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking power converter circuitry |
US9843294B2 (en) | 2015-07-01 | 2017-12-12 | Qorvo Us, Inc. | Dual-mode envelope tracking power converter circuitry |
JP6538585B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2019-07-03 | 株式会社東芝 | 変調信号生成装置および無線装置 |
US9973147B2 (en) | 2016-05-10 | 2018-05-15 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking power management circuit |
TWI644512B (zh) | 2017-12-08 | 2018-12-11 | 財團法人工業技術研究院 | 可變增益放大器及其方法 |
US10476437B2 (en) | 2018-03-15 | 2019-11-12 | Qorvo Us, Inc. | Multimode voltage tracker circuit |
CN113485515B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-10-11 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种大功率射频功率源输出功率线性控制系统和方法 |
WO2023120086A1 (ja) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路、トラッキング回路及び電力増幅回路 |
CN115061529A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-09-16 | 陕西科技大学 | 一种nnbi射频功率源输出功率控制系统 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0936675A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 出力電力可変多段増幅装置 |
JP3712909B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2005-11-02 | 日本電信電話株式会社 | 高出力電力増幅器 |
US6681101B1 (en) * | 2000-01-11 | 2004-01-20 | Skyworks Solutions, Inc. | RF transmitter with extended efficient power control range |
GB2359206B (en) * | 2000-02-08 | 2004-06-23 | Wireless Systems Int Ltd | Amplifier arrangement |
JP4270743B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2009-06-03 | 株式会社東芝 | 高周波信号処理装置および送受信装置 |
JP3894478B2 (ja) * | 2002-04-08 | 2007-03-22 | 松下電器産業株式会社 | 送信機用増幅装置 |
US7502422B2 (en) * | 2003-06-04 | 2009-03-10 | M/A—COM, Inc. | Electromagnetic wave transmitter systems, methods and articles of manufacture |
US7042287B2 (en) | 2003-07-23 | 2006-05-09 | Northrop Grumman Corporation | System and method for reducing dynamic range and improving linearity in an amplication system |
KR100749899B1 (ko) | 2003-08-07 | 2007-08-21 | 가부시키가이샤 엔티티 도코모 | 전력 증폭기 |
JP4237589B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2009-03-11 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 電力増幅器 |
JP4540510B2 (ja) | 2004-03-10 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | 送信装置及び無線通信装置 |
JP2006013566A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品 |
JP2006135422A (ja) | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 送信回路 |
JP4817890B2 (ja) | 2005-03-17 | 2011-11-16 | パナソニック株式会社 | 増幅装置、ポーラ変調送信装置及び無線通信装置 |
JP4255929B2 (ja) | 2005-05-20 | 2009-04-22 | パナソニック株式会社 | 送信機 |
CN101213755B (zh) | 2005-06-30 | 2012-07-04 | 松下电器产业株式会社 | 发送电路及通信设备 |
-
2008
- 2008-08-22 US US12/740,871 patent/US8254496B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-22 JP JP2009539978A patent/JP5126234B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-22 WO PCT/JP2008/064975 patent/WO2009060652A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009060652A1 (ja) | 2009-05-14 |
US8254496B2 (en) | 2012-08-28 |
US20100266066A1 (en) | 2010-10-21 |
JP5126234B2 (ja) | 2013-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5126234B2 (ja) | 電力増幅器およびこれを備える電波送信機 | |
US7965140B2 (en) | Power amplifier | |
EP1536556B1 (en) | Switching amplifier architecture | |
JP5609890B2 (ja) | 送信装置 | |
EP1984978B1 (en) | Amplifier compression controller circuit | |
US8013674B2 (en) | Amplifier compression adjustment circuit | |
US8208876B2 (en) | Amplifier compression controller circuit | |
US6591090B1 (en) | Predistortion control for power reduction | |
US7091772B2 (en) | Power amplification by using different fixed power supply signals for the amplifier | |
US8249530B2 (en) | Apparatus and method for power amplification in wireless communication system | |
US7688156B2 (en) | Polar modulation transmission circuit and communication device | |
JP4199185B2 (ja) | 送信装置及び無線通信装置 | |
Woo et al. | SDR transmitter based on LINC amplifier with bias control | |
JP2009260658A (ja) | 電力増幅器 | |
US8254857B2 (en) | Radio communication device and radio communication method | |
Ranjan et al. | Microwave power amplifiers with digitally-controlled power supply voltage for high efficiency and high linearity | |
JP2012147385A (ja) | 増幅装置 | |
US20090180530A1 (en) | Apparatus and method for amplifying signal power in a communication system | |
US20090156142A1 (en) | Transmitter and communication apparatus | |
JP5440498B2 (ja) | 電力増幅器及びその増幅方法、それを用いた電波送信機 | |
US20130162350A1 (en) | Power amplifier | |
JP2017188734A (ja) | 増幅装置 | |
US6842492B1 (en) | Method and apparatus for peak-to-average signal reduction for radio frequency transmitters | |
GB2491186A (en) | A combined analogue and digital interface for the envelope path of an envelope-tracking amplifier | |
JP2005341117A (ja) | 非線形歪補償装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5126234 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |