JPWO2008117758A1 - データ記憶媒体用基板ガラスおよびガラス基板 - Google Patents

Abstract

化学強化処理等の付加処理を行わなくとも耐候性に優れ、白ヤケ現象が起りにくく、ガラス転移点が６８０℃以上であり、かつ耐酸性に優れたデータ記憶媒体用基板用ガラスの提供を目的とする。質量％表示で、ＳｉＯ２を４７〜６０％、Ａｌ２Ｏ３を８〜２０％、ＭｇＯを０〜８％、ＣａＯを０〜６％、ＳｒＯを１〜１８％、ＢａＯを０〜１３％、ＴｉＯ２を１〜６％、ＺｒＯ２を１〜５％、Ｎａ２Ｏを２〜８％、Ｋ２Ｏを１〜１５％含有し、ガラス転移点が６８０℃以上であることを特徴とするデータ記憶媒体用基板ガラス。

Description

本発明は、磁気ディスク、光ディスク等のデータ記憶媒体の基板に用いられる基板用ガラスおよびガラス基板に関する。

磁気ディスク、光ディスク等のデータ記憶媒体基板用ガラスとして、ソーダライムシリカガラスが広く用いられている。しかし、ソーダライムシリカガラスからなる基板は、いわゆる白ヤケ現象により、その在庫中に表面性状が著しく変化するおそれがあった。そのため、ソーダライムシリカガラスを磁気ディスク基板として用いる場合には、基板上に形成される下地膜、磁性膜、保護膜等の膜がはがれやすくなるという問題点があった。また、白ヤケ現象を起りにくくするために、ソーダライムシリカガラスを化学強化処理するという手段がある。しかし、化学強化処理は、工程が増加し、化学強化処理後の基板表面によごれが付着しやすい、等の問題がある。そこで、これまでも、化学強化処理等の付加処理を行わなくとも耐候性に優れ、白ヤケ現象が起りにくいデータ記憶媒体用基板ガラスが提案されている（特許文献１、特許文献２）。

米国特許第６，９４９，４８５号公報 米国特許第５，５９９，７５４号公報

しかしながら、特許文献２に記載の基板用ガラスのガラス転移点（Ｔｇ）は６８０℃未満であり、ガラス転移点が６８０℃を超えるものはなかった。なお、特許文献１の例８には、ガラス転移点が７１０℃であるデータ記憶媒体用基板ガラスが開示されているが、このガラスの耐酸性は極めて悪く（９０℃の０．１ｍｏｌ／ｌのＨＣｌ水溶液に２０時間ガラスを浸漬したときの重量減少量が１１．３ｍｇ／ｃｍ^２である）、ガラスの研磨工程や洗浄工程においてｐＨの低い薬液に晒されたときに面荒れを起こしやすいという問題点がある。

そこで、本発明は、化学強化処理等の付加処理を行わなくとも耐候性に優れ、白ヤケ現象が起りにくく、ガラス転移点が６８０℃以上であり、かつ耐酸性に優れたデータ記憶媒体用基板用ガラスの提供を目的とする。

本発明は、質量％表示で、ＳｉＯ_２を４７〜６０％、Ａｌ_２Ｏ_３を８〜２０％、ＭｇＯを０〜８％、ＣａＯを０〜６％、ＳｒＯを１〜１８％、ＢａＯを０〜１３％、ＴｉＯ_２を１〜６％、ＺｒＯ_２を１〜５％、Ｎａ_２Ｏを２〜８％、Ｋ_２Ｏを１〜１５％含有し、ガラス転移点が６８０℃以上であることを特徴とするデータ記憶媒体用基板ガラスを提供する。
また、前記データ記憶媒体用基板ガラスからなるガラス基板を提供する。

本発明によれば、以下のような特長を有するデータ記憶媒体用ガラス基板を提供できる。
（１）化学強化処理がなくとも耐候性に優れ、在庫中に付着物（白ヤケ）が発生しにくい。
（２）熱膨張係数が従来使用されているソーダライムシリカガラスと同程度またはそれ以上にできる。
（３）ガラス転移点を、より高い６８０℃以上にできるので、データ記憶媒体の記録密度をより増加させることができる。
（４）耐酸性に優れ、ガラスの研磨工程や洗浄工程においてｐＨの低い薬液に晒されたときに面荒れが起こりにくい。
（５）密度が２．８ｇ／ｃｍ^３以下と小さく、データ記録媒体として採用された際、軽量化が可能である。また、基板がたわみにくいため、記録容量を増大させることが可能である。また、記録媒体が衝撃を受けた際、割れにくい。
（６）ヤング率が７５ＧＰａ以上と高く、基板がたわみにくいため、記録容量を増大させることが可能である。また、記録媒体が衝撃を受けた際、割れにくい。
（７）ガラス基板製造時における失透による歩留まりの低下を抑制できる。

本発明の基板用ガラス（以下、単に本発明のガラスということがある。）は、磁気ディスク、光ディスク等のデータ記憶媒体用の基板に用いられる。なお、特に言及しない限り、組成は質量百分率で表記する。

本発明のガラスの耐酸性（９０℃の０．１ｍｏｌ／ｌのＨＣｌ水溶液に２０時間ガラスを浸漬したときの重量減少量）は５ｍｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。より好ましくは１ｍｇ／ｃｍ^２以下、特に好ましくは０．５ｍｇ／ｃｍ^２以下、最も好ましくは０．１ｍｇ／ｃｍ^２以下である。上記の耐酸性が好ましい理由は、ガラスの研磨工程や洗浄工程においてｐＨの低い薬液に晒されたときに面荒れを起こしにくいためである。

本発明のガラスの５０〜３５０℃における平均線膨張係数（以下、熱膨張係数ということがある。）は、ソーダライムシリカガラスと同程度またはそれ以上、すなわち７５×１０^-7／℃以上であることが好ましい。より好ましくは７６×１０^-7／℃以上、特に好ましくは７７×１０^-7／℃以上、最も好ましくは７８×１０^-7／℃以上である。上記の熱膨張係数が好ましい理由は、データ記憶媒体用基板に取り付けるハブの金属の熱膨張係数（典型的には１００×１０^-7／℃以上）により近い熱膨張係数、少なくとも従来使用されているソーダライムシリカガラスの熱膨張係数以上であることが求められているからである。

本発明のガラスのガラス転移点は６８０℃以上である。より好ましくは６８５℃以上、最も好ましくは６９０℃以上である。ガラス転移点が６８０℃以上とされる理由は、データ記憶媒体の記憶密度の増大が容易になるからである。すなわち、記憶密度増大のためには、磁気記録層である磁性層の保磁力を増加させることが有効であり、そのためには磁性層形成に際して行われる熱処理をより高い温度で行う必要がある。データ記憶媒体用基板に用いられるガラスのガラス転移点が６８０℃未満では所望の温度で前記熱処理を行えないおそれがある。

本発明のガラスは、その粘度が１０⁴ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ₄と液相温度Ｔ_Lとの差ΔＴ（＝Ｔ_L−Ｔ₄）が５０℃以下、すなわちΔＴ≦５０℃であることが好ましい。ΔＴが５０℃超では成形が困難になるおそれがある。より好ましくは３０℃以下、特に好ましくは０℃以下である。上記のΔＴが好ましい理由は、フロート法、フュージョン法、ダウンドロー法、プレス法などで大量生産を行う際、失透による歩留低下を抑制するためである。中でも、本発明のガラスはフロート法で成形できることが好ましい。

本発明のガラスはその密度が２．８ｇ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。より好ましくは２．７７ｇ／ｃｍ^３以下、最も好ましくは２.７５ｇ／ｃｍ^３以下である。上記の密度が好ましい理由はデータ記録媒体の軽量化を行うためである。また、記録媒体の記録容量を増すために基板の薄板化を行い、記録媒体と読み取りヘッドの間隔を小さくする際、前記基板の薄板化に伴う基板のたわみやそりの増大を抑えるためである。また記録媒体が衝撃を受けた際、基板をたわみにくくし、応力の発生を抑え、割れにくくするためである。

本発明のガラスのヤング率すなわち本発明のガラス基板のヤング率は７５ＧＰａ以上であることが好ましい。より好ましくは７６ＧＰａ以上、特に好ましくは７８ＧＰａ以上、最も好ましくは８０ＧＰａ以上である。上記のヤング率が好ましい理由は記録媒体の記録容量を増すために基板の薄板化を行い、記録媒体と読み取りヘッドの間隔を小さくする際、前記基板の薄板化に伴う基板のたわみやそりの増大を抑えるためである。また記録媒体が衝撃を受けた際、基板をたわみにくくし、応力の発生を抑え、割れにくくするためである。

次に、本発明の基板用ガラスの組成（各成分の含有量）について、酸化物基準により、特に断らない限り質量百分率表示で説明する。
ＳｉＯ₂はガラスの骨格を形成する必須成分である。４７％未満では、ガラスが不安定になる。また、耐候性や耐酸性、ヤング率が低下するおそれがある。好ましくは４８％以上、特に好ましくは４９％以上、最も好ましくは５０％以上である。６０％超では、熱膨張係数が小さくなりすぎ、ガラスを作製するための溶解温度が高くなりすぎる。好ましくは５７％以下である。
また、ＳｉＯ₂のモル百分率表示含有量は５９％以上であることが好ましい。ＳｉＯ₂が５９モル％未満では耐酸性が低下するおそれがある。

Ａｌ₂Ｏ₃はガラスの耐候性、ヤング率を高くする効果を有し、必須成分である。また、ガラス転移点を高くする効果も有する。８％未満では前記効果が小さい。好ましくは１０％以上、より好ましくは１１％以上である。２０％超では溶融ガラスの粘度が高くなりすぎ成形、特にフロート成形が困難になる。また、液相温度も高くなりすぎる。好ましくは１８％以下、より好ましくは１７％以下、特に好ましくは１６％以下である。

ＭｇＯは必須成分ではないが、溶融ガラスの粘度を低下させガラスを溶融しやすくし、ヤング率を高くする効果を有し、８％まで含有してもよい。８％超では化学耐久性が悪化し、ガラスが不安定になり、液相温度も高くなりすぎるおそれがある。前記ΔＴをより小さくしたい場合などには７％以下とすることが好ましい。ＭｇＯを含有する場合、１％以上含有することが好ましい。

ＣａＯは必須成分ではないが、溶融ガラスの粘度を低下させ、ヤング率を高くし、またはガラスを溶融しやすくする効果を有し、６％まで含有してもよい。ＣａＯが６％超ではガラスの化学耐久性が悪化し、ガラスが不安定になり、または液相温度が高くなりすぎるおそれがある。好ましくは５．５％以下である。なお、液相温度を低下させたい場合またはΔＴをより小さくしたい場合であってもＣａＯは１．５％以上含有することが好ましい。仮にＣａＯを１．５％未満にしようとすると熱膨張係数が低下傾向となる。これを回避するためにたとえば、アルカリ金属酸化物を増加させるとガラス転移点が低下し、ＳｒＯ、ＢａＯを増加させると密度が大きくなり、ＭｇＯを増加させると液相温度が高くなる、などの問題が起こる。好ましくは２％以上である。

ＳｒＯは熱膨張係数を大きくし、また溶融ガラスの粘度を低下させガラスを溶融しやすくする効果を有し、必須である。１％未満では前記効果が小さい。好ましくは２％以上、より好ましくは３％以上、特に好ましくは４％以上、最も好ましくは５％以上である。１８％超では化学耐久性が悪化し、ガラスが不安定になり、液相温度も高くなりすぎ、ガラスの密度が高くなりすぎるおそれがある。好ましくは１７％以下、より好ましくは１６％以下、特に好ましくは１５％以下、最も好ましくは１４％以下である。

ＢａＯは必須成分ではないが、ガラス転移点を高くし、熱膨張係数を大きくし、また溶融ガラスの粘度を低下させガラスを溶融しやすくする効果を有し、１３％まで含有してもよい。１３％超ではガラスの耐候性を低下させ、液相温度が高くなりすぎ、ガラスの密度が高くなりすぎるおそれがある。好ましくは１０％以下である。密度を小さくしたい場合などには８％以下とすることが好ましい。ＢａＯを含有する場合、０．５％以上含有することが好ましい。なお、耐候性をより向上させたい場合にはＢａＯを実質的に含有しないことが好ましい。

ＴｉＯ₂は、熱膨張係数を大きくし、ガラスの耐候性を高くし、ガラス転移点を高くし、またはヤング率を高くする効果を有し、必須である。６％超ではガラスが不安定になるおそれがある。好ましくは５％以下である。１％未満ではガラスの耐熱性またはガラス転移点が低下する。２％以上含有することが好ましく、３％以上含有することがより好ましい。

ＺｒＯ₂は、ガラスの耐候性を高くし、またガラス転移点を高くする効果を有し、必須である。５％超ではガラスが不安定になり、液相温度が高くなりすぎ、密度が高くなりすぎるおそれがある。

ＴｉＯ_２およびＺｒＯ_２の含有量の和（ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２）は１１％以下であることが好ましい。（ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２）が１１％未満では耐熱性もしくはガラス転移点が低下する、または高温粘性が高くなるおそれがある。
ＢａＯおよびＺｒＯ_２の含有量の和は６．５モル％以下であることが好ましい。この和が６．５モル％超では密度または液相温度が高くなりすぎるおそれがある。

Ｎａ₂Ｏは、熱膨張係数を大きくし、また溶融ガラスの粘度を低下させガラスを溶融しやすくする効果を有し、必須である。
Ｎａ₂Ｏが８％超ではガラスの耐候性を低下させるおそれがある。好ましくは５％以下である。２％未満では熱膨張係数が小さくなる。

Ｋ₂Ｏは、熱膨張係数を大きくし、また溶融ガラスの粘度を低下させガラスを溶融しやすくする効果を有し、必須である。
Ｋ₂Ｏが１５％超ではガラスの耐候性を低下させ、液相温度が高くなりすぎるおそれがある。好ましくは１４．５％以下、より好ましくは１３％以下、特に好ましくは１２％以下、最も好ましくは１１％未満である。１％未満では熱膨張係数が小さくなる。好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上である。

（Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）は１６％以下であることが好ましい。１６％超では、耐候性が低下する、またガラス転移点が低くなるおそれがある。好ましくは１５％以下、より好ましくは１４％以下、特に好ましくは１３％以下である。（Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）は５％以上であることが好ましい。５％未満では溶融ガラスの粘度が高くなりすぎるおそれがある。より好ましくは８％以上である。

Ｋ_２Ｏ／Ｎａ_２Ｏは１．５以上４０以下であることが好ましい。１．５未満では、ガラス転移点が低くなる、または熱膨張係数が小さくなりすぎるおそれがある。あるいは、ガラス転移点の低下を抑制するためにＡｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２等をより多く含有しなければならなくなるなどにより高温粘性が高くなるおそれがある。４０超では溶融ガラスの粘度が高くなりすぎるおそれがある。好ましくは３０以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは５以下である。

ＳｉＯ_２／（ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２）は５．０〜１０．０であることが好ましい。５.０未満では、ガラス転移点が低くなるおそれがある。１０超では液相温度が高くなるおそれがある。好ましくは９．８以下、より好ましくは９．５以下である。

本発明のガラスは実質的に、または本質的に上記成分からなるが、この他に以下に例示する成分などを、本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。上記成分以外の成分の含有量の合計は２０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。
ＳＯ₃、Ｃｌ、Ａｓ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃等の清澄剤、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＮｉＯ、ＣｏＯ等の着色剤、を合量で５％まで含有してもよい。

熱膨張係数を大きくし、また溶融ガラスの粘度を低下させガラスを溶融しやすくするためにＺｎＯ、Ｌｉ₂Ｏを合計で１０％まで含有してもよい。Ｌｉ₂Ｏを含有する場合、その含有量は０．１〜５％であることがより好ましい。Ｌｉ₂Ｏの含有量が５％超では耐候性が低下する、またガラス転移点が低くなるおそれがある。合計はより好ましくは５％以下、特に好ましくは３％以下である。

ガラスの溶解性や安定性を向上させるために、Ｂ₂Ｏ_３、Ｐ₂Ｏ₅、Ｖ₂Ｏ₅等を、ヤング率を大きくするためにＬａ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃等の希土類金属酸化物を、それらの合量で１５％まで含有してもよい。好ましくは５％以下である。

ＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのモル％表示の含有量の合計）に対するＳｒＯとＢａＯのモル％表示の含有量の合計の比は、０．０１以上３以下であることが好ましい。０．０１未満では、ガラスの液相温度が高くなりすぎ、ガラス転移点が低くなるおそれがある。３超ではガラスの耐候性を低下させ、ガラスの密度が高くなりすぎ、ガラスの強度を低下させるおそれがある。好ましくは２以下、より好ましくは１以下である。

本発明のガラス基板は、磁気ディスク、光ディスク等のデータ記憶媒体用の基板として用いられる。
本発明のガラス基板は本発明のガラスからなり、表面を充分洗浄して付着物が認められない状態にした後、１２０℃、２気圧の水蒸気雰囲気に２０時間保持したとき、該ガラス基板表面に存在する大きさが１０μｍ以上の付着物の数Ｎ_Lは１個／ｃｍ²以下であり、大きさが１μｍ以上１０μｍ未満の付着物の数Ｎ_Sは１０^７個／ｃｍ²以下であることが好ましい。

Ｎ_Lが１個／ｃｍ²超またはＮ_Sが１０^７個／ｃｍ²超では、ガラス基板在庫中にガラス基板表面に付着物（白ヤケ）が発生し、磁気ディスクにおいてはガラス基板上に形成される下地膜、磁性膜、保護膜等の膜がはがれやすくなる。この付着物は、空気中の水分や炭酸ガスの影響によりガラス基板に生成付着した反応生成物であると考えられ、拭いても除去できないものである。Ｎ_Lは好ましくは０．５個／ｃｍ²以下、より好ましくは０．２個／ｃｍ²以下である。Ｎ_Sは好ましくは１０^５個／ｃｍ²以下、より好ましくは０．８×１０⁵個／ｃｍ²以下、特に好ましくは０．６×１０⁵個／ｃｍ²以下である。

本発明のガラスおよびガラス基板の製造方法は特に限定されず、各種方法を適用できる。たとえば、通常使用される各成分の原料を目標組成となるように調合し、これをガラス溶融窯で加熱溶融する。バブリング、撹拌、清澄剤の添加等によりガラスを均質化し、周知のフロート法、プレス法、またダウンドロー法などの方法により所定の厚さの板ガラスに成形し、徐冷後必要に応じて研削、研磨などの加工を行った後、所定の寸法・形状のガラス基板とされる。成形法としては、特に、大量生産に適したフロート法が好適である。

各成分の原料を表１、２のＳｉＯ₂からＫ₂Ｏまでの欄に質量百分率表示で示した組成となるように調合し、白金るつぼを用いて１５５０〜１６５０℃の温度で３〜５時間溶解した。次いで溶融ガラスを流し出して板状に成形し、徐冷した。

こうして得られたガラス板について、ガラス転移点Ｔ_g（単位：℃）、熱膨張係数α（単位：×１０^-7／℃）、密度ρ（単位：ｇ／ｃｍ³）、ヤング率Ｅ（単位：ＧＰａ）、粘度が１０⁴Ｐとなる温度Ｔ₄（単位：℃）、液相温度Ｔ_L（単位：℃）、耐酸性Ａ（単位：ｍｇ／ｃｍ^２）、前記Ｎ_L（単位：個／ｃｍ²）、前記Ｎ_S（単位：１０⁴個／ｃｍ²）を、以下に示す方法により測定した。結果を表に示す。なお、表中の＊を付したものは組成から推定した値であり、「−」は測定しなかったことを示す。

Ｔ_g：示差熱膨張計を用いて、石英ガラスを参照試料として室温から５℃／分の割合で昇温した際のガラスの伸び率を、ガラスが軟化してもはや伸びが観測されなくなる温度、すなわち屈伏点まで測定し、熱膨張曲線における屈曲点に相当する温度をガラス転移点とした。

α：前記Ｔ_gの測定と同様にして得られた熱膨張曲線から５０〜３５０℃における平均線膨張係数を算出した。
ρ：アルキメデス法により測定した。
Ｅ：厚さが８〜２０ｍｍ、大きさが４ｃｍ×４ｃｍのガラス板について、超音波パルス法により測定した。
Ｔ₄：回転粘度計により測定した。
Ｔ_L：ガラスを乳鉢で２ｍｍ程度のガラス粒に粉砕し、このガラス粒を白金ボートに並べて置き、温度傾斜炉中で２４時間熱処理した。結晶が析出しているガラス粒の温度の最高値を液相温度とした。Ｔ_Lは１２００℃以下であることが好ましい。

Ａ：厚さが２ｍｍ、大きさが４ｃｍ×４ｃｍのガラス板の両面を鏡面研磨し、炭酸カルシウムおよび中性洗剤を用いて洗浄した後、９０℃に加熱した０．１ｍｏｌ／ｌのＨＣｌ水溶液に２０時間浸漬した。浸漬前後におけるガラスの重量減少量、およびガラスの表面積を測定し、その比を取ることで耐酸性とした。

Ｎ_L、Ｎ_S：厚さが１〜２ｍｍ、大きさが４ｃｍ×４ｃｍのガラス板の両面を鏡面研磨し、炭酸カルシウムおよび中性洗剤を用いて洗浄した後、超加速寿命試験器（不飽和型プレッシャークッカーＴＰＣ−４１０、タバイエスペック（株））に入れて１２０℃、２気圧の水蒸気雰囲気に２０時間静置した。取り出したガラス板の表面２００μｍ角の範囲を微分干渉顕微鏡で観察し、大きさが１０μｍ以上の付着物の個数と大きさが１μｍ以上１０μｍ未満の付着物の個数をカウントし、これら個数と前記観察面積２００μｍ×２００μｍから算出した。

例１〜８のガラスは実施例であり、例９〜１３のガラスは比較例である。例１０のガラスは米国特許第６，９４９，４８５号明細書（例８）に記載されているガラスである。

表５、６に質量％表示のガラス組成とその組成から推定したＴ_g、α、ρ、Ｅ、Ｔ₄、Ｔ_L、Ａ、Ｎ_L、Ｎ_Sを示す。例１４〜２２は実施例、例２３は比較例である。
また、表７、８に例１４〜２３のガラスのモル％表示組成を示す。

本発明によるガラス基板は、磁気ディスク、光ディスク等のデータ記憶媒体の基板として極めて広範な分野に利用される。

なお、２００７年３月２３日に出願された日本特許出願２００７−０７７０２０号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (17)

1. 質量％表示で、ＳｉＯ_２を４７〜６０％、Ａｌ_２Ｏ_３を８〜２０％、ＭｇＯを０〜８％、ＣａＯを０〜６％、ＳｒＯを１〜１８％、ＢａＯを０〜１３％、ＴｉＯ_２を１〜６％、ＺｒＯ_２を１〜５％、Ｎａ_２Ｏを２〜８％、Ｋ_２Ｏを１〜１５％含有し、ガラス転移点が６８０℃以上であることを特徴とするデータ記憶媒体用基板ガラス。
2. Ｎａ_２Ｏの質量％表示含有量に対するＫ_２Ｏの質量％表示含有量の比（Ｋ_２Ｏ／Ｎａ_２Ｏ）が１．５以上である請求項１に記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
3. 前記Ｋ_２Ｏ／Ｎａ_２Ｏが１０以下である請求項２に記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
4. Ｎａ_２Ｏの含有量およびＫ_２Ｏの含有量の和（Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）が１６質量％以下である請求項１、２または３に記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
5. （Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）が１３質量％以下である請求項１、２または３に記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
6. ＴｉＯ_２およびＺｒＯ_２の質量％表示含有量の和に対するＳｉＯ_２の質量％表示含有量の比ＳｉＯ_２／（ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２）が５．０〜１０．０である請求項１〜５のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
7. Ａｌ_２Ｏ_３を１１質量％以上含有する請求項１〜６のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
8. ＴｉＯ_２およびＺｒＯ_２の含有量の和が１１質量％以下である請求項１〜７のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
9. ＳｉＯ_２含有量が５９モル％以上である請求項１〜８のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
10. ＢａＯおよびＺｒＯ_２の含有量の和が６．５モル％以下である請求項１〜９のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
11. 密度が２．８ｇ／ｃｍ^３以下である請求項１〜１０のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
12. 液相温度をＴ_Ｌ（単位：℃）、粘度が１０^４ｄＰａ・ｓとなる温度をＴ_４（単位：℃）として、Ｔ_Ｌ−Ｔ_４≦５０℃である請求項１〜１１のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
13. ９０℃の０．１ｍｏｌ／ｌのＨＣｌ水溶液に２０時間ガラスを浸漬したときの重量減少量が５ｍｇ／ｃｍ^２以下である請求項１〜１２のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
14. ５０〜３５０℃における平均線膨張係数が７５×１０^−７／℃以上である請求項１〜１３のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラス。
15. 請求項１〜１４のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラスからなるガラス基板。
16. 請求項１〜１４のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラスからなるガラス基板であって、１２０℃、２気圧の水蒸気雰囲気に２０時間保持した該ガラス基板表面に存在する大きさが１０μｍ以上の付着物の数が１個／ｃｍ^２以下であり、大きさが１μｍ以上１０μｍ未満の付着物の数が１０^７個／ｃｍ^２以下であるガラス基板。
17. 請求項１〜１４のいずれかに記載のデータ記憶媒体用基板ガラスからなるガラス基板であって、ヤング率が７５ＧＰａ以上であるガラス基板。