JPWO2008102575A1 - 撮像装置及び撮像装置の製造方法 - Google Patents

撮像装置及び撮像装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008102575A1
JPWO2008102575A1 JP2009500101A JP2009500101A JPWO2008102575A1 JP WO2008102575 A1 JPWO2008102575 A1 JP WO2008102575A1 JP 2009500101 A JP2009500101 A JP 2009500101A JP 2009500101 A JP2009500101 A JP 2009500101A JP WO2008102575 A1 JPWO2008102575 A1 JP WO2008102575A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
imaging
lens
conductive member
image sensor
photoelectric conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009500101A
Other languages
English (en)
Inventor
斎藤　正
正 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Opto Inc
Original Assignee
Konica Minolta Opto Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Opto Inc filed Critical Konica Minolta Opto Inc
Publication of JPWO2008102575A1 publication Critical patent/JPWO2008102575A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H01L2224/0615—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49817—Disassembling with other than ancillary treating or assembling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

本発明は撮像素子を容易にシールド可能な撮像装置に関する。本発明は、導電性の鏡枠と、光電変換部を備えた撮像素子を含む素子ユニットと、前記鏡枠内に取り付けられ、前記撮像素子の前記光電変換部に被写体像を結像させる撮像レンズと、を有し、前記素子ユニットには前記鏡枠に接触可能な導電部材が露出していることを特徴とする。

Description

本発明は、撮像装置に関し、特に携帯電話等の搭載に適した小型の撮像装置及びその製造方法に関する。
近年、小型カメラが組み込まれた携帯電話機やハンディパソコン(携帯型パーソナルコンピュータ)の開発が進められている。例えば、小型カメラを備えた携帯電話機は、通話者の映像を内蔵の小型カメラにより撮像して画像データとして取り込み、通話相手にその画像データを送信することができる。このような小型カメラは、一般的にイメージセンサとレンズとにより構成される。すなわち、レンズによりイメージセンサ上に光学的像を形成し、イメージセンサにより光学像に対応した電気信号を生成することができる。
ところで、携帯電話機やハンディパソコンはより一層の小型化が進められており、これらに使用される小型カメラにも小型化が要求されている。このようなカメラへの小型化の要求を満足するために、レンズとイメージセンサとを一体化して形成したカメラモジュールが開発されている。
従来のカメラモジュールの製造方法によれば、モールド工程→ＬＦエッチング工程→ＰＫＧダイシング工程→ＰＫＧ搭載工程→センサチップ搭載工程→洗浄工程→レンズ搭載工程→試験工程という一連の工程を行なうことにより小型カメラとしてのカメラモジュールを製造することが多い。
より具体的に製造工程を説明するに、まずモールド工程では半導体チップを搭載した基板（リードフレーム（ＬＦ）と称する）上で半導体チップをモールドすることによりカメラモジュールの本体となるモールド成形体を形成する。この際、製造効率を高めるために、複数のモールド成形体を一体的に形成することが一般的である。ＬＦエッチング工程では外部端子として機能する部分のみを残してリードフレームをエッチングにより除去する。これにより、モールド成形体の底面に突起状の端子が形成される。その後、パッケージ（ＰＫＧ）ダイシング工程において、繋がって形成されている複数のモールド成形体をダイシングして個片化する。次に、ＰＫＧ搭載工程において、個片化されたモールド成形体はフレキシブル基板に搭載され、センサチップ搭載工程において各モールド成形体にセンサチップが搭載される。その後、センサチップが搭載されたモールド成形体を洗浄し、レンズ搭載工程において、モールド成形体にレンズ部が搭載される。最後にカメラモジュールの試験が行われ、カメラモジュールの製造が完了する。
上述のように、従来のカメラモジュールの製造方法によれば、ＬＦエッチング後直ちにＰＫＧダイシングが行なわれ、モールド成形体は個片化される。このため、センサチップ搭載工程からレンズ搭載工程までの工程では、個片化されたモールド成形体（ＰＫＧ単位）がフレキシブル基板に搭載された状態で行なわれる。すなわち、個片化されたモールド成形体の各々はフレキシブル基板に搭載されて固定された状態で、フレキシブル基板と一体となった状態でセンサチップやレンズホルダを搭載する工程が進められる。したがって、センサチップやレンズホルダを搭載する工程は個片化されたモールド成形体の各々に対して別個に行なわれることとなる。このため、複数のモールド成形体を一括してセンサチップやレンズホルダを搭載することはできず、製造工程が非効率的であるといった問題があった。
特開２００４−２００９６５号公報
これに対し特許文献１には、以下の工程でカメラモジュールを製造することが開示されている。かかる従来技術の製造工程によれば、まずイメージセンサ・チップが複数配置されて成るイメージセンサ・ウエハと、イメージセンサ・チップ大のレンズが複数配置されてウエハ形態を成したレンズアレイを準備する。その後、イメージセンサ・ウエハの表面にレンズアレイを貼り合わせる。更に、イメージセンサ・チップとレンズアレイとを切削溝に沿って切断することにより、個々のカメラモジュールに分割する。これにより製造工程を簡略化することができる。
ところで、撮像素子は外部からのノイズの影響を受けやすいため、導電性のシールドで周囲を囲う必要があるが、シールドの接地をどのようにして行うかという問題がある。又、特許文献１のカメラモジュールにおいては、撮像素子と基板との接続を、撮像素子の表面から裏面へと貫通する孔を通した再配線を直接接続している。しかるに、一般的な半導体ウエハは破損しやすいため、そのままではカメラモジュールとして必要な接続強度を確保することは困難である。これに対し、強度を確保するためにウエハの厚さを増大させると、配線用の貫通孔加工が困難となり、歩留まりが悪くなってコストアップを招く恐れがある。更に、レンズアレイ中のレンズと、ウエハ中の撮像素子には、それぞれ不良品が混じることもあるが、一方が不良品である場合、他方が良品であったとしても、両者を貼り合わせることで得られたカメラモジュールは不良品となってしまうので、一律に貼り合わせることは撮像装置の歩留まりを悪くさせるという問題がある。
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、製造容易性を確保しつつ歩留まりを向上できる撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
請求の範囲第１項に記載の撮像装置は、
導電性の鏡枠と、
光電変換部を備えた撮像素子を含む素子ユニットと、
前記鏡枠内に取り付けられ、前記撮像素子の前記光電変換部に被写体像を結像させる撮像レンズと、を有し、
前記素子ユニットには前記鏡枠に接触可能な導電部材が露出していることを特徴とする。
本発明によれば、前記撮像装置は、導電性の鏡枠を有しているので、前記撮像素子に対するシールド機能を有すると共に、コンパクトな構成を実現できる。更に、導電部材が露出しているので、前記導電性の鏡枠を前記素子ユニットに取り付けたときに、該導電部材に接触させることで電気的導通が創成され、該導電部材に接続された配線を基板などに接地させることで、前記鏡枠のシールド機能を発揮できる。
請求の範囲第２項に記載の撮像装置は、
前記素子ユニットは前記導電部材がインサートされていて前記撮像素子の裏面に取り付けられた樹脂板を有し、前記導電部材は前記樹脂板が切断されることにより露出することを特徴とする。
本発明によれば、樹脂板に導電部材をインサートし、樹脂板を前記撮像素子の裏面に取り付けた後に、撮像素子毎に前記樹脂板を切断すると、導電部材が露出することになる。従って、前記導電性の鏡枠と前記導電部材とを導通させることができる。
請求の範囲第３項に記載の撮像装置は、前記切断面に露出した前記導電部材は、前記撮像装置のアースに接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、前記鏡枠によるシールド機能を発揮することができる。
請求の範囲第４項に記載の撮像装置は、
光電変換部を備えた撮像素子と、前記撮像素子の裏面に取り付けられた樹脂板とを含む素子ユニットと、
前記撮像素子の前記光電変換部に被写体像を結像させる撮像レンズと、を有し、
前記樹脂板の内部には、前記撮像素子に取り付けられたときに、前記撮像素子の端子に接触する導電部材がインサートされていることを特徴とする。
一般的に、半導体ウエハに貫通孔を穿つためには、その厚さを薄くする方が有利である。ところが、撮像素子が薄くなると剛性が低下して、撮像レンズや鏡枠を支持することができなくなる。これに対し、前記樹脂板を前記撮像素子に裏打ちした素子ユニットを形成することで、高い剛性を確保できる。ところが、前記撮像素子に前記樹脂板を取り付けると、そのままでは前記撮像素子を貫通して裏面側に引き出された配線を、基板の配線に導通させることができなくなる。
本発明によれば、前記樹脂板の内部に導電部材をインサートすることによって、かかる導電部材を介して、前記撮像素子からの配線を基板の配線に導通させることができる。
請求の範囲第５項に記載の撮像装置の製造方法は、
光電変換部を備えた撮像素子と、前記撮像素子の前記光電変換部に被写体像を結像させる撮像レンズと、を有する撮像装置の製造方法において、
複数の前記撮像レンズを備えた撮像レンズアレイを形成する工程と、
前記撮像レンズアレイの中の所定の撮像レンズを選択し、該所定の撮像レンズのみに前記撮像素子を接着して、装置組立体を形成する工程と、
前記装置組立体を切断分離して撮像装置を形成する工程と、を有することを特徴とする。
特許文献１に示す従来技術では、レンズアレイ中のレンズと、ウエハ中の撮像素子には、それぞれ不良品が混じることもあるが、一方が不良品である場合、他方が良品であったとしても、両者を貼り合わせることで得られたカメラモジュールは不良品となり、歩留まりが悪くなる。
これに対して本発明によれば、一体で形成してなる成形部材中の複数の撮像レンズにおいて、良品と不良品とを選別し、選別された良品のみに対して、別個に形成された良品の撮像素子のみを組み付けることで、歩留まりを向上させることができる。
本発明によれば、製造容易性を確保しつつ歩留まりを向上できる撮像装置及びその製造方法を提供することができる。
本実施の形態にかかる撮像装置５０の断面図である。 撮像装置５０の撮像レンズ周辺の拡大図である。 素子ユニットを製造する工程を示す図である。 図４（ｃ）の矢印IV方向に見た図である。 選別された組み合わせを示す装置組立体ＡＳＹの断面図である。 選別された組み合わせを示す装置組立体ＡＳＹの斜視図である。 撮像レンズ群１０と良品の素子ユニットＥＵとに、鏡枠５６を組み付ける工程を示す図である。
符号の説明
１０ 撮像レンズ群
１１ 撮像レンズ
１１ａ フランジ
１２ 絞り部材
１３ 撮像レンズ
１３ａ フランジ
１４ 遮光部材
１５ 撮像レンズ
１５ａ フランジ
１６ 遮光部材
５０ 撮像装置
５１ イメージセンサ
５１ａ 光電変換部
５１ｂ 信号処理回路部
５１ｃ 貫通孔
５１ｄ 導電部材
５４ 樹脂板
５５ 導電部材
５５Ａ 導電部材
５６ 鏡枠
５６ａ フランジ部
５７ カバーガラス
ＡＳＹ 装置組立体
Ｂ 接着剤
ＣＧ カバーガラス
ＤＢ ダイシングブレード
ＥＢ 導電性接着剤
ＥＵ 素子ユニット
ＨＢ ハンダボール
ＩＳＷ イメージセンサ・ウエハ
Ｌ１ 配線層
Ｌ２ 配線層
ＬＳ１ 撮像レンズアレイ
ＬＳ２ 撮像レンズアレイ
ＬＳ３ 撮像レンズアレイ
ＬＳＹ レンズ組立体
ＲＰ 樹脂板
Ｓ 開口絞り
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本実施の形態にかかる撮像装置５０の断面図である。図２は、図１に示す撮像装置５０の撮像素子周辺を拡大して示す断面図である。
撮像装置５０は、撮像素子としてのイメージセンサ５１を有する。図２において、イメージセンサ５１には、その受光側の平面の中央部に、画素（光電変換素子）が２次元的に配置された、受光部としての光電変換部５１ａが形成されており、その周囲には信号処理回路部５１ｂが形成されている。かかる信号処理回路部５１ｂは、詳細は図示しないが、各画素を順次駆動し信号電荷を得る駆動回路部と、各信号電荷をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、このデジタル信号を用いて画像信号出力を形成する信号処理部等が配置されており、これらは配線層Ｌ１のセンサパッド（端子）を介して、外部と信号の授受を行えるようになっている。
また、イメージセンサ５１の受光側の平面（表面）から裏面にかけて貫通孔５１ｃが形成されている。イメージセンサ５１は、厚さが１００μｍ程度になるまで削られており、従って貫通孔５１ｃを形成する際に破損等を生じる恐れは少ない。貫通孔５１ｃ内に配置された導電部材５１ｄを介して、表面側の配線層Ｌ１の一部と、裏面側の配線層Ｌ２の一部とが導通している。
イメージセンサ５１の裏面には、補強用の樹脂板５４が接着されている。樹脂板５４は、複数の導電部材５５をインサート成形している。導電部材５５の上端は、イメージセンサ５１の裏面側の配線層Ｌ２に接触しており、導電部材５５の下端側は、ハンダボールＨＢに接触している。ハンダボールＨＢは、撮像装置５０ごと不図示の基板上に載置した状態で高温のリフロー層を通過することで溶融し、基板の配線に対して電気的導通を確立することとなる。これにより、基板からイメージセンサ５１までの配線を行える。イメージセンサ５１と樹脂板５４とで、素子ユニットＥＵを構成する。
イメージセンサ５１は、光電変換部５１ａからの信号電荷をデジタルＹＵＶ信号等の画像信号等に変換し、導電部材５５等を介して基板上の所定の回路に出力する。ここで、Ｙは輝度信号、Ｕ（＝Ｒ−Ｙ）は赤と輝度との色差信号、Ｖ（＝Ｂ―Ｙ）は青と輝度信号との色差信号である。なお、撮像素子は上記ＣＭＯＳ型のイメージセンサに限定されるものではなく、ＣＣＤ等の他のものを使用しても良い。
次に、鏡枠５６及び撮像レンズ１０について説明する。鉄などの導電部材からなる鏡枠５６は、上端に円形内孔を形成したフランジ５６ａを有し、全体として筒状であって、内部に撮像レンズ群１０を収容してなる。鏡枠５６の下端は、樹脂板５４の側面に嵌合して、導電性接着剤（ハンダでも良い）により取り付けられている。ここで、詳細は後述するが、樹脂板５４の側面にはインサート成形された導電部材５５Ａが露出しており、樹脂板５４に嵌合した鏡枠５６と導通するようになっている。尚、導電部材５５Ａは、それとは別に設けられ配線層Ｌ２を介して導電部材５５Ａに接続された導電部材５５Ｂと、それに接触するハンダボールＨＢを介して、不図示の基板のアース配線に接続されている。
図１において、イメージセンサ５１の上方には、接着剤Ｂを介してカバーガラス（ＩＲカットフィルタでも良い）５７が載置されている。カバーガラス５７上には、撮像レンズ１５がフランジ１５ａを突き当てるようにして載置され、その上には環状の遮光部材１４を介して撮像レンズ１３がフランジ１３ａを突き当てるようにして載置され、その上には環状の絞り部材１２を介して撮像レンズ１１がフランジ１１ａを突き当てるようにして載置されている。撮像レンズ１１のフランジ１１ａと鏡枠５６のフランジ部５６ａとの間には、環状の遮光部材１６が配置されている。絞り部材１２の内径の部分が、開口絞りＳとなっている。
本実施の形態によれば、薄いイメージセンサ５１を補強する樹脂板５４の内部に導電部材５５をインサートすることによって、かかる導電部材５５を介して、イメージセンサ５１からの配線を基板の配線に導通させることができるため、ワイヤ結線が不要になって、省スペースを実現できる撮像装置を提供できる。更に、接地された導電部材５５Ａは、樹脂板５４の側面に露出しており、樹脂板５４に嵌合する鏡枠５６に導通するので、イメージセンサ５１のシールド機能を容易に発揮できる。
次に、本実施の形態にかかる撮像装置の製造方法について説明する。図３〜７は撮像装置５０の製造工程を示す図である。まず、ウエハープロセスにより、複数のイメージセンサ５１及び配線層Ｌ１，Ｌ２がマトリクス状に配置されて成るイメージセンサ・ウエハＩＳＷが形成されているものとする。
ここで、図３（ａ）に示すように、イメージセンサ・ウエハＩＳＷの上方に、ウエハ形状を呈した大判のカバーガラス板ＣＧを配置する。続いて、図３（ｂ）に示すように、イメージセンサ・ウエハＩＳＷの下部に、多数の導電部材５５（５５Ａ，５５Ｂを含む）をインサート成形した樹脂板５４を接合した後、下面を研磨して所定の厚さにする。この段階で、イメージセンサ５１を検査して、良品の素子ユニットＥＵのみを選別するものとする。その後、図３（ｃ）に示すように、接着した部材を不図示のダイシングブレードで切断して、個々の素子ユニットＥＵを形成する。
尚、図３（ｃ）の素子ユニットＥＵを矢印IV方向に見た図４に示すように、隣接する素子ユニットＥＵの境界上に、導電部材５５Ａが形成されているので、点線で示すように素子ユニットＥＵが切断されると、その切断面に導電部材５５Ａが自然に露出することとなる。
次に、図５に示すように、遮光部材１６と、マトリクス状に形成した撮像レンズ１１を有する撮像レンズアレイＬＳ１と，絞り部材１２と、マトリクス状に形成した撮像レンズ１３を有する撮像レンズアレイＬＳ２と，遮光部材１４と、マトリクス状に形成した撮像レンズ１５を有する撮像レンズアレイＬＳ３とをこの順序で重ね合わせて接着し、成形部材としてのレンズ組立体ＬＳＹを形成する。しかるに、レンズ組立体ＬＳＹにおいては、撮像レンズに不良品が混じることもある。そこで、組み立て前に撮像レンズ１１、１３，１５を検査して、いずれにも欠陥のない組み合わせを選別する。ここでは、撮像レンズ１１’に成形欠陥が生じたものとする。
更に、図５及び図６（ａ）に示すように、レンズ組立体ＬＳＹにおける欠陥のない撮像レンズ１１、１３，１５の組み合わせのみに対応する位置に、選別した素子ユニットＥＵをそれぞれ配置して接着し、装置組立体ＡＳＹを形成する。その後、図５及び図６（ｂ）に示すように、接着した装置組立体ＡＳＹを、ダイシングブレードＤＢにより個々に切断分離する。このとき、欠陥のある撮像レンズ１１’を含む撮像レンズ群は廃却処分又はリサイクル処分とされるが、一般的に高価な素子ユニットＥＵを接着していないため、無駄が少なくなる。
このようにして、良品の撮像レンズ群１０と、良品の素子ユニットＥＵのみを組み合わせたものに対して、図７に示すように、レンズ側から鏡枠５６を嵌合させ、導電性接着剤ＥＢにより導通可能なように樹脂板５４に固着することができる。その後、導電部材５５に対向してハンダボールＨＢを介在させた状態で、不図示の基板上に載置し、リフロー槽に搬送されることなる。
以上、本発明を実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定して解釈されるべきではなく、適宜変更・改良が可能であることはもちろんである。撮像レンズは単レンズ構成でもよい。

Claims (5)

  1. 導電性の鏡枠と、
    光電変換部を備えた撮像素子を含む素子ユニットと、
    前記鏡枠内に取り付けられ、前記撮像素子の前記光電変換部に被写体像を結像させる撮像レンズと、を有し、
    前記素子ユニットには前記鏡枠に接触可能な導電部材が露出していることを特徴とする撮像装置。
  2. 前記素子ユニットは前記導電部材がインサートされていて前記撮像素子の裏面に取り付けられた樹脂板を有し、前記導電部材は前記樹脂板が切断されることにより露出することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の撮像装置。
  3. 前記導電部材は前記撮像装置のアースに接続されていることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の撮像装置。
  4. 光電変換部を備えた撮像素子と、前記撮像素子の裏面に取り付けられた樹脂板とを含む素子ユニットと、
    前記撮像素子の前記光電変換部に被写体像を結像させる撮像レンズと、を有し、
    前記樹脂板の内部には、前記撮像素子に取り付けられたときに前記撮像素子の端子に接触する導電部材がインサートされていることを特徴とする撮像装置。
  5. 光電変換部を備えた撮像素子と、前記撮像素子の前記光電変換部に被写体像を結像させる撮像レンズと、を有する撮像装置の製造方法において、
    複数の前記撮像レンズを備えた撮像レンズアレイを形成する工程と、
    前記撮像レンズアレイの中の所定の撮像レンズを選択し、該所定の撮像レンズのみに前記撮像素子を接着して、装置組立体を形成する工程と、
    前記装置組立体を切断分離して撮像装置を形成する工程と、
    を有することを特徴とする撮像装置の製造方法。
JP2009500101A 2007-02-21 2008-01-15 撮像装置及び撮像装置の製造方法 Pending JPWO2008102575A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007040671 2007-02-21
JP2007040671 2007-02-21
PCT/JP2008/050333 WO2008102575A1 (ja) 2007-02-21 2008-01-15 撮像装置及び撮像装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2008102575A1 true JPWO2008102575A1 (ja) 2010-05-27

Family

ID=39709855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009500101A Pending JPWO2008102575A1 (ja) 2007-02-21 2008-01-15 撮像装置及び撮像装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100315546A1 (ja)
EP (1) EP2124432A4 (ja)
JP (1) JPWO2008102575A1 (ja)
CN (1) CN101632294B (ja)
WO (1) WO2008102575A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5572979B2 (ja) * 2009-03-30 2014-08-20 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2011027867A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Konica Minolta Opto Inc 光学部品、光学部品の製造方法、レンズ集合体及びレンズ集合体の製造方法
JP5356264B2 (ja) * 2010-01-18 2013-12-04 シャープ株式会社 カメラモジュールおよびその製造方法、電子情報機器
TWM392438U (en) * 2010-01-21 2010-11-11 Mao Bang Electronic Co Ltd Image integrated circuit structure
WO2011093502A1 (ja) * 2010-02-01 2011-08-04 コニカミノルタオプト株式会社 レンズユニットの製造方法、撮像装置、金型の製造方法、成形金型及びガラスレンズアレイの成形方法
JP5464596B2 (ja) * 2010-02-26 2014-04-09 シャープ株式会社 カメラモジュール
FR2965103B1 (fr) * 2010-09-17 2013-06-28 Commissariat Energie Atomique Systeme optique d'imagerie a ftm amelioree
JP2016130746A (ja) * 2013-05-01 2016-07-21 富士フイルム株式会社 カメラモジュール及びその製造方法
CN105531829B (zh) 2013-09-10 2018-08-14 赫普塔冈微光有限公司 紧凑光电模块以及用于这样的模块的制造方法
US9749509B2 (en) * 2014-03-13 2017-08-29 Magna Electronics Inc. Camera with lens for vehicle vision system
JP2016100573A (ja) * 2014-11-26 2016-05-30 株式会社東芝 電子モジュール、及びカメラモジュール
KR102465474B1 (ko) 2016-02-18 2022-11-09 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 일체형 패키징 공정 기반 카메라 모듈, 그 일체형 기저 부품 및 그 제조 방법
JP2018200980A (ja) 2017-05-29 2018-12-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および固体撮像素子、並びに電子機器
JP2018200423A (ja) 2017-05-29 2018-12-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、および電子機器
CN108857315B (zh) * 2018-07-23 2019-12-31 遂宁市维美电子科技有限公司 一种手机镜头自动盖镜片装置
EP3952270A4 (en) * 2019-04-02 2022-05-25 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. CAMERA MODULE AND RESISTANCE-TYPE PHOTOSENSITIVE COMPONENT, AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF AND ELECTRONIC DEVICE

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314856A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Seiko Precision Inc 携帯機器用カメラ
JP2004229167A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュールの製造方法
JP2005176185A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Nec Access Technica Ltd カメラモジュール実装構造
JP2006005211A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3846158B2 (ja) * 2000-05-24 2006-11-15 松下電工株式会社 鏡筒及びこれを用いた撮像装置
JP3738824B2 (ja) * 2000-12-26 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2002329850A (ja) * 2001-05-01 2002-11-15 Canon Inc チップサイズパッケージおよびその製造方法
JP2004104078A (ja) * 2002-06-28 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュールおよびその製造方法
JP2004200965A (ja) 2002-12-18 2004-07-15 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュール及びその製造方法
US7105931B2 (en) * 2003-01-07 2006-09-12 Abbas Ismail Attarwala Electronic package and method
JP4441211B2 (ja) * 2003-08-13 2010-03-31 シチズン電子株式会社 小型撮像モジュール
JP2006165624A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Konica Minolta Opto Inc 撮像装置及び該撮像装置を有する携帯端末
JPWO2006088051A1 (ja) * 2005-02-16 2008-07-03 コニカミノルタオプト株式会社 カメラモジュール
JP4304163B2 (ja) * 2005-03-09 2009-07-29 パナソニック株式会社 撮像モジュールおよびその製造方法
WO2008023894A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Lg Innotek Co., Ltd Camera module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314856A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Seiko Precision Inc 携帯機器用カメラ
JP2004229167A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュールの製造方法
JP2005176185A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Nec Access Technica Ltd カメラモジュール実装構造
JP2006005211A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101632294B (zh) 2012-08-22
CN101632294A (zh) 2010-01-20
EP2124432A4 (en) 2012-03-21
US20100315546A1 (en) 2010-12-16
EP2124432A1 (en) 2009-11-25
WO2008102575A1 (ja) 2008-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2008102575A1 (ja) 撮像装置及び撮像装置の製造方法
KR100476558B1 (ko) 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정
US7948555B2 (en) Camera module and electronic apparatus having the same
JP4673721B2 (ja) 撮像装置及びその製造方法
KR100604190B1 (ko) 고체촬상장치, 반도체 웨이퍼, 광학장치용 모듈,고체촬상장치의 제조방법, 및 광학장치용 모듈의 제조방법
US10714526B2 (en) Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US20090085138A1 (en) Glass cap molding package, manufacturing method thereof and camera module
JP5035707B2 (ja) 撮像装置の製造方法及び撮像装置
JP4143304B2 (ja) カメラモジュールの製造方法
KR20060049586A (ko) 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 카메라 모듈
JP2005142575A (ja) 撮像素子とその製造方法
JP5392458B2 (ja) 半導体イメージセンサ
JP2009290033A (ja) 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
US20140073079A1 (en) Camera module and method of manufacturing the camera module
CN100459140C (zh) 固态成像器件及其制造方法和照相机模块
JP2011187482A (ja) 固体撮像装置、光学装置用モジュール、及び固体撮像装置の製造方法
CN111200702B (zh) 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备
JP2009049290A (ja) 撮像装置及びその製造方法
JP5520646B2 (ja) マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置
JP5554957B2 (ja) 撮像ユニット
US7329055B2 (en) Optoelectronics processing module and method for manufacturing thereof
KR101510381B1 (ko) 카메라 모듈
US7479397B2 (en) Optoelectronics processing module and method for manufacturing thereof
JP2011198853A (ja) マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
JP2009111130A (ja) 撮像装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101015

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120627

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130128