JPWO2008099950A1 - 光変調器用部品および光変調器 - Google Patents
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Abstract
Description
「Highly Functional Hybrid Modules Using Low Loss Direct Attachment Technique with Plannar Lightwave Circuit and LiNbO3 Devices」T.Yamada et al.「ISMOT−2005」pp.107−110,2005では、PLC光回路とLN導波路デバイスを接続している。また、特開2005−173162では、PLC光回路とLN導波路デバイスとを接続することが記載されており、この際、二つの基板間で光導波路のモードフィールド径が異なるために、その間にモードフィールド径を調整するためのテーパー部を設けることが記載されている。
なお,特開2004−245991には、いわゆるヤトイ構造が記載されている。
特開平4−355714では、光導波路を折り返すことで変調器を短くすることを提案している。しかし、それでも複雑な構造の光変調器の場合には、変調器チップはかなり長く、解決が必要である。
「Highly Functional Hybrid Modules Using Low Loss Direct Attachment Technique with Plannar Lightwave Circuit and LiNbO3 Devices」T.Yamada et al.「ISMOT−2005」pp.107−110,2005、および特開2005−173162では、二種類の異なる光導波路基板を接合する方法が記載されているが、両基板間での線膨張係数の不一致など、デバイスの信頼性や特性に課題がある。
また、光変調器の高周波相互作用部は、駆動電圧を低減するために、電極ギャップを狭くする必要がある。一方、電極ギャップを狭くしつつ、同時に、特性インピーダンス整合を保ち、光波−マイクロ波速度整合を達成するためには、変調器基板の厚さを5μm以下にまで薄くする必要がある。
このような非常に薄いニオブ酸リチウム基板上に例えばチタン拡散光導波路を形成すると、基板の厚さ方向(縦方向)のモードサイズが基板厚さで制約されるために、横に偏平な形状となる。一方、接続するべき光ファイバーのモードフィールド径は10μm程度の円形である。このため、薄いニオブ酸リチウム基板上に形成された光導波路を、外部の光ファイバーに対して接続すると、挿入損失が増加する。
本発明の課題は、分岐型光導波路を伝搬する光に対して電圧を印加し、変調する相互作用部を備えている光変調器において、光変調器を作製するのに必要なウエハサイズを小さくし、製造コストを低減できるようにすることである。
本発明は、電気光学材料からなる変調用基板、この基板に設けられており、少なくとも一対の分岐部を備えている光導波路、および各分岐部に対して電圧を印加し、分岐部を伝搬する光を変調する高周波相互作用部を備えている光変調器用部品であって、変調用基板の接合面に光導波路の複数の端面が存在していることを特徴とする。
また、本発明は、前記光変調器用部品および受動部品を備えており、前記受動部品が、電気光学材料からなる受動部品用基板、およびこの受動部品用基板に形成されており、光導波路の各端面とそれぞれ接続する光導波路を備えており、光変調器用基板と受動部品用基板とが接合されていることを特徴とする、光変調器に係るものである。
また、本発明は、前記光変調器用部品および光ファイバー伝搬光の接続部品を備えており、接続部品が、電気光学材料からなる接続部品用基板、およびこの基板に形成されており、光導波路の各端面とそれぞれ接続する光導波路を備えており、光変調器用基板と接続部品用基板とが接合されていることを特徴とする、光変調器に係るものである。
本発明によれば、分岐部型光導波路を伝搬する光を電気的に変調する相互作用部を備えている光変調器において、この相互作用部の設けられた部分を部品として別体に独立させ、光変調器用部品の接合面に光導波路の各端面を形成することを想到した。そして、別体の受動部品を設け、この受動部品を変調用部品と接合することによって、相互作用部の光導波路端面を受動型の光導波路端面へと接続し、これによって光変調器として機能させることを想到した。この結果、相互作用部における光導波路構造および電極構造が複雑な場合であっても、光変調器部品の長さは大きく削減することができる。更に、受動部品を別体に分けた場合であっても、接合部分における光損失は最小限にとどめ得ることを確認し、本発明に到達した。
また、本発明によれば、高周波相互作用を営む部分と、光ファイバー伝搬光を入射または出射させるべき光接続部分とを、上記のように別々のチップによって構成した。そして、光ファイバー伝搬光を接続する接続用部品は、高周波相互作用を営む変調用基板よりも厚くする。これによって、光ファイバー伝搬光を変調器に入射、あるいは変調器から出射させるときの挿入損失を低減できる。また、接続用部品と変調用部品との間でのスポットサイズ変換に伴う結合損失は、それほど大きくない。
なお、「Highly Functional Hybrid Modules Using Low Loss Direct Attachment Technique with Plannar Lightwave Circuit and LiNbO3 Devices」T.Yamada et al.「ISMOT−2005」pp.107−110,2005、および特開2005−173162では、二種類の異なる光導波路基板を結合しているが、これは例えばニオブ酸リチウム光変調器と、PLC(石英系平面光回路)とを接合することで、光時分割多重モジュールを製造するものである。しかし、光変調器とPLCとはそれぞれ別個の機能を営むものであり、光変調器それ自体を能動部品(光変調作用部)と受動部品とに分割することは想定されていない。
図2(a)は、光変調器用部品2を示す平面図であり、図2(b)は、光変調器用部品2の正面図である。
図3(a)は、受動部品3の平面図であり、図3(b)は、受動部品3の正面図である。
図4は、光変調器1の側面図である。
図5は、本発明の光変調器21の平面図である。
図6は、光変調器用部品22を示す平面図である。
図7は、本発明の光変調器31を示す平面図である。
図8は、光変調器用部品32を示す平面図である。
図9は、本発明の光変調器41を示す平面図である。
図10は、図9の光変調器41の側面図である。
図11は、本発明の光変調器51を示す平面図である。
図12は、図11の光変調器51の側面図である。
以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る光変調器1を概略的に示す平面図である。図2(a)は、光変調器用部品2を示す平面図であり、図2(b)は、光変調器用部品2をその端面側から見た正面図である。図3(a)は、受動部品3を示す平面図であり、図3(b)は、受動部品3を端面側から見た正面図である。図4は、光変調器1を示す側面図である。
図2の光変調器用部品2は、変調用基板4、支持基体16および両者を接着する低誘電率層17を備えている。変調用基板4では、端面4aから端面4bへと向かって光導波路6が延びている。入射側端面4aには、光導波路の入射側端面15G、15Hが形成されており、露出している。また、部品2の出射側端面4b側には、光導波路の各分岐部6c、6fの端面15A、15B、15C、15Dが露出している。
図3の受動部品3は基板8からなっている。基板8の表面側には光導波路6d、6eが形成されている。基板8の接合面8aには光導波路の端面16A、16B、16C、16Dが形成されており、基板8の末端面8bには反射材7が形成されている。
これらの光変調器用部品と受動部品とを接合することで、図1の光変調器1を作製する。例えば、図4に示すように、光変調器用部品2の基板4の接合面4bおよび支持基体16の接合面を、受動部品3の基板8の接合面8aに対して、接着層19を介して接着できる。
この結果、図1に示すように、光変調器用部品側の光導波路と受動部品側の光導波路とが光学的に接合され、光導波路6が形成される。本例では、光導波路6の端部6aから入射した光は、分岐点で分岐し、分岐部6b、6cを通過する。次いで、端部6dを通過し、反射材7で反射され、端部6e、分岐部6f、6g、出射部6hを通過して端面4aから出射する。分岐部6c、6fにおいて、伝搬光に電圧を印加し、変調する。
本例では、電極はいわゆるCPW型の電極配置をとっているが、本発明はCPW型光変調器には限定されず、種々の形態の光変調器に対して適用できる。本発明は、例えば、いわゆるACPS型の光変調器や、独立変調型の光変調器に対して、適用可能である。
図1の光変調器では、9、11は接地電極であり、10は信号電極である。本例では、接地電極9、11と信号電極10との間の各ギャップにおいて光導波路6に電圧を印加する。
内側の接地電極9は、図示しないフィードスルーに接続される給電部9aと、主部と略平行に伸びる1列の電極部9bとを備えている。外側の接地電極11は、光導波路をまたぐ接続部11b、および分岐部6c、6fと平行に伸びる電極部11a、11cを備えている。信号電極10は、一対の給電部10a、各給電部10aから各分岐部6c、6fと平行に伸びる電極部10b、各電極部10bを接続する接続部10cを備えている。
図5、図6は、いわゆるSSB変調器に対して本発明を適用した例を示すものである。図5は、光変調器21を示す平面図であり、図6は、本発明に係る光変調器用部品22を示す平面図である。
図6の光変調器用部品22は、変調用基板24、支持基体16および両者を接着する低誘電率層17を備えている。変調用基板24では、端面24aから端面24bへと向かって光導波路26が延びている。部品22の端面24aには、光導波路の端面15G、15Hが形成されており、露出している。また、部品22の反対側の端面24b側には、光導波路の端面15E、15Fが露出している。端面24a側から見て、第一次の分岐部26c、第二次の分岐部26d、第一次の分岐部26eが順次形成されている。
図5の受動部品23A、23Bは、基板28からなっている。受動部品23Aでは、基板28上に入射部26a、第一次の分岐部26bが形成されている。受動部品23Bでは、基板28上に出射部26g、第一次の分岐部26fが形成されている。相互作用部5内において、適当な接地電極、信号電極から所定の信号電圧を印加し、分岐部26d内を伝搬する光を変調する。
光変調器用部品22の両端面にそれぞれ受動部品23A、23Bを接合することで、図5の光変調器21を作製する。例えば、図4に示すように、光変調器用部品22の基板24の接合面24a、24bおよび支持基体16の接合面を、受動部品23A、23Bの基板28の接合面28aに対して、接着層19を介して接着できる。
本例では、光導波路26の端部26aから入射した光は、分岐点で分岐し、第一次の分岐部26b、26cを通過し、再び分岐し、第二次の分岐部26dに入射する。そして、分岐部26d内で変調が加えられる。次いで、分岐部26dの光は合波され、第一次の分岐部26e、26fを通過し、更に合波され、出射部26gを通過して変調器外へと出射する。
前述の各例においては、光変調器用部品の変調用基板の接合面に、光導波路の各分岐部の各端面が露出していた。このように、光導波路の分岐部の端面を接合面に露出させることが好ましい。しかし、変調用基板の接合面に露出させるのは、光導波路の分岐部の端面には限定されない。
図7、図8は、いわゆるCSRZ変調器に対して本発明を適用した例を示す。図7は、光変調器31を示す平面図であり、図8は、本発明に係る光変調器用部品32を示す平面図である。
図8の光変調器用部品32は、変調用基板34、支持基体16および両者を接着する低誘電率層17を備えている。変調用基板34では、端面34aから接合面34bへと向かって光導波路36が延びている。部品32の端面34aには、光導波路の端面15G、15Hが形成されており、露出している。また、部品32の反対側の端面34b側には、光導波路の端面15E、15Fが露出している。
図7の受動部品33は基板38からなっている。基板38上には接続部36fおよび反射部36gが形成されている。また部品33の末端面には反射材7が形成されている。
光変調器用部品32の端面34bに受動部品33を接合することで、図7の光変調器31を作製する。例えば、図4に示すように、光変調器用部品32の基板34の接合面34bおよび支持基体16の接合面を、受動部品33の基板38の接合面38aに対して、接着層19を介して接着できる。
本例では、光導波路36の端部36aから入射した光は、分岐点で分岐し、分岐部36bを通過し、分岐部36cで変調が加えられる。次いで、分岐部36dの光は合波され、導波部36e、36f、反射部36gを通過し、反射材7で反射される。次いで、反射部36g、導波部36f、36eを通過し、分岐し、変調部36cで所定の変調を受ける。次いで、分岐部36bを通過し、合波し、導波部36aから出射する。
以下、本発明を、光ファイバー伝搬光の接続用部品と高周波変調用部品との組み合わせに対して適用した実施例について述べる。図9〜図12はこの実施形態に係るものである。
図9、図10は、図5、図6と同じく、SSB変調器に対して本発明を適用した例を示すものである。
図9は、光変調器41を示す平面図であり、図10は、本発明に係る光変調器41を示す平面図である。
光変調器用部品42は、変調用基板44、支持基体16および両者を接着する低誘電率層17を備えている。変調用基板44では、端面44aから端面44bへと向かって光導波路26dが延びている。部品42の端面44aには、光導波路の端面55が形成されており、露出している。また、部品42の反対側の端面44b側には、光導波路の端面56が露出している。端面44aと44bとの間には、第二次の分岐部26dが例えば合計4列形成されている。
図9の接続部品43A、43Bは、それぞれ、基板48からなっている。光入射側の接続部品43Aでは、基板48上に入射部26a、第一次の分岐部26b、26c、第二次の分岐部の末端が形成されている。光出射側の接続部品43Bでは、基板48上に出射部26g、第一次の分岐部26e、26fおよび第二次の分岐部の末端が形成されている。
光変調器用部品42の両端面にそれぞれ接続部品43A、43Bを接合することで、図10の光変調器41を作製する。例えば、光変調器用部品42の基板44の接合面44a、44bおよび支持基体16の接合面を、各接続部品43A、43Bの基板48の接合面48bに対して、図示しない接着層を介して接着できる。
本例では、光ファイバー伝搬光は、矢印Aのように、光導波路26の端部26aから入射し、分波部39Aで分岐し、第一次の分岐部26b、26cを通過し、再び分波部39Bで分岐し、第二次の分岐部26dに入射する。そして、分岐部26d内で変調が加えられる。次いで、分岐部26dの光は合波部40Bで合波され、第一次の分岐部26eを通過し、更に合波部40Aで合波され、出射部26gを通過し、矢印Bのように変調器外へと出射する。
ただし、本例では、矢印Aの入射光、矢印Bの出射光は、いずれも、光ファイバー伝搬光となる。
また、光入射部、光出射部ともに、光ファイバーを直接接続部品43A、43Bへとピッグテイル接続することができる。あるいは、光ファイバーをレンズ結合を通して各接続部品の光導波路へと結合することができる。いずれも、光ファイバー伝搬光が接続部品に対して接続されている。
図11、図12は、いわゆるCSRZ変調器に対して本発明を適用した例を示す。図11は、光変調器51を示す平面図であり、図12は、光変調器51を示す側面図である。
光変調器用部品52は、変調用基板54、支持基体16および両者を接着する低誘電率層17を備えている。変調用基板54では、接合面54aから端面54bへと向かって光導波路36が延びている。具体的には、4列の第一次の分岐部36c、36d、合波部40A、分波部39B、導波部36e、36f、反射部36gが設けられている。部品52の接合面54aには、光導波路の端面55が形成されており、露出している。部品52の端面54bには反射材7が形成されている。
接続用部品53は基板58からなっている。基板58上には、入射部36a、出射部36h、分岐部39A、合波部40Bおよび第一次の分岐部36bが形成されている。
光変調器用部品52の接合面54aに接続用部品53を接合することで、光変調器51を作製する。例えば、図12に示すように、光変調器用部品52の基板54の接合面54aおよび支持基体16の接合面を、接続用部品53の基板58の接合面58bに対して、図示しない接着層を介して接着できる。
本例では、光導波路36の入射部36aから入射した光は、分波部39Aで分岐し、分岐部36bを通過し、分岐部36cで変調が加えられる。次いで、分岐部36dの光は合波部40Aで合波され、導波部36e、36f、反射部36gを通過し、反射材7で反射される。次いで、反射部36g、導波部36eを通過し、分波部39Bで分岐し、変調部36cで所定の変調を受ける。次いで、分岐部36bを通過し、合波部40Bで合波し、出射部36hから出射する。
光変調用基板、あるいは接続用基板の中には、バイアス点を移動するために、位相調整用の電極を設けることができる。位相調整用の電極とは、dcバイアス点を調整するために駆動する電極のことである。この駆動電圧の周波数は、例えば1KHz〜400MHzである。
また、光導波路には、前述した各例のように、合波部、分波部を設けることができる。この場合には、合波部、分波部は、光変調用基板に設けても良く、接続用基板に設けても良い。合波部、分波部を接続用基板に設けた場合には、接続用基板の方が厚いので、伝搬光をシングルモード化しやすいという利点がある。
光導波路は、変調用基板、受動部品用基板、接続用基板の一方の主面に直接形成されたリッジ型の光導波路であってよく、各基板の一方の主面の上に他の層を介して形成されたリッジ型の光導波路であってよく、また各基板の内部に内拡散法やイオン交換法によって形成された光導波路、例えばチタン拡散光導波路、プロトン交換光導波路であってよい。具体的には、光導波路が、基板表面から突出するリッジ型光導波路であってよい。リッジ型の光導波路は、レーザー加工、機械加工によって形成可能である。あるいは、高屈折率膜を基板上に形成し、この高屈折率膜を機械加工やレーザーアブレーション加工することによって、リッジ型の三次元光導波路を形成できる。高屈折率膜は、例えば化学的気相成長法、物理的気相成長法、有機金属化学的気相成長法、スパッタリング法、液相エピタキシャル法によって形成できる。
上記の各例では、電極は変調用基板の表面に設けられているが、変調用基板の表面に直接形成されていてよく、低誘電率層ないしバッファ層の上に形成されていてよい。低誘電率層は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナなどの公知の材料を使用することができる。ここで言う低誘電率層とは、基板本体を構成する材質の誘電率よりも低い誘電率を有する材料からなる層を言う。
変調用基板、受動部品用基板、接続用基板を構成する材料は、強誘電性の電気光学材料、好ましくは単結晶からなる。こうした結晶は、光の変調が可能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、KTP、GaAs及び水晶などを例示することができる。
支持基体の材質は、上記した強誘電性の電気光学材料に加えて、更に石英ガラス等のガラスであってもよい。
また、好適な実施形態においては、変調用基板と受動部品用基板(または接続用基板)とが同種の材質からなる。ここで、同種の材質とは、材質の基本組成が同じであればよく、ドープ成分の有無は問わない。このように同種の材質からなる光変調基板と受動部品用基板(または接続用基板)とを接合することは、異種材料からなる異種機能部品の接合を前提とする特開2005−173162からは、不自然であり、想定できないと考えられる。
変調用基板と支持基体とを接着する接着剤は、変調用基板よりも低誘電率である材料からなる。その具体例は、前記の条件を満足する限り特に限定されないが、エポキシ系接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化性接着剤、アロンセラミックスC(商品名、東亜合成社製)(熱膨張係数13×10−6/K)を例示できる。
変調用基板と受動部品用基板(または接続用基板)とを接合する方法は特に限定されず、以下を例示できる。変調用基板と受動部品用基板(または接続用基板)を接合するためには、サブミクロンの精度で可動できる光学調芯機を用いて実施することができる。変調器基板と受動部品基板(または接続用基板)は、光学調芯機の専用冶具にそれぞれ固定する。最初に、変調器基板上の光導波路36aと光ファイバの光軸を光導波路36eから出射する光パワーが最大になる位置に調芯する。次に、受動部品用基板(または接続用基板)の光導波路36fと変調用基板の光導波路36eを調芯する。その後、UV硬化樹脂を使用して双方を接合する。
なお、チップ間のあおり調整は、調芯機の専用冶具の組み付け精度で調整しなくともよいが、高精度を要求する場合には調芯機のあおり調芯にて調整することもできる。変調用基板と受動部品用基板(または接続用基板)の接合面、および光ファイバとの接合面には、ヤトイ構造を設けてもよい。この場合には、環境温度の変化によって光出力の変動を抑制することが可能となる。このヤトイ構造は、たとえば、特開2004−245991に記載されている。
特に、変調用基板と受動部品用基板とを接着する場合には、接着剤は特に限定されないが、エポキシ系接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化性接着剤、アロンセラミックスC(商品名、東亜合成社製)(熱膨張係数13×10−6/K)を例示できる。
上記した各例では、振幅変調器に発明を適用した場合について述べたが、光導波路配置が異なる位相変調器に対しても本発明を適用できる。
好適な実施形態においては、良好な反射減衰を確保するために、変調用基板の接合面4b、24a、24b、34bが、分岐部における伝搬光の進行方向に垂直な平面Lに対して傾斜している(図1〜図12参照)。この傾斜角度θは特に限定されないが、光導波路のスポットサイズ直径が10ミクロンの場合、1°以上が好ましく、また、30°以下が好ましい。但し、好適なθは接続する光導波路のスポットサイズに依存するため、スポットサイズが大きければ好適なθはこれより小さくなり、反対にスポットサイズが小さい場合は、好適なθはこれより大きくなる可能性がある。
図1、図2では、チップの幅方向に傾斜角度を設けているが、チップの厚み方向に傾斜角度を設けることもできる。
また、端面に反射防止コートを用いることでも反射減衰を向上することができるため、良好な反射減衰量を確保しつつ、θを0°にすることも可能である。
好適な実施形態においては、例えば図4、図10、図12に示すように、受動部品用基板8(または接続用基板)が、変調用基板3、低誘電率層17および支持基体16と接合されている。この実施形態によれば、光変調器の全体を薄板加工する場合と比べて、薄板加工する基板面積を著しく削減できるので、生産コストをよりいっそう低減することが可能となる。
こうした観点からは、変調用基板の厚さT(図2(b),図10、図12参照)は、20μm以下であることが好ましく、10μm以下であることが更に好ましい。また、受動部品用基板の厚さV(図3(b)、図10、図12参照)は、100μm以上であることが好ましく、200μm以上であることが更に好ましい。支持基体の厚さP(図2(b)、図10、図12参照)は特に限定されないが、部品の取り扱いという観点からは、100μm以上が好ましく、500μm以上が更に好ましい。
また、変調用基板上、受動部品側基板上、接続用基板上の各光導波路がチタン内拡散光導波路である場合には、光導波路を形成するためのチタン膜の厚さを、変調用基板側において相対的に小さくし、相互作用部における光の閉じ込めを弱くしてシングルモード化することができる。これによって光消光比が向上する。更に、光導波路を形成するためのチタン膜の厚さを、受動部品側基板(または接続用基板)において相対的に大きくし、光導波路の曲がり部における光の閉じ込めを強くして、曲がり部からの光の放射による損失を低減することができる。
具体的には、Xカットした3インチウエハ(LiNbO3単結晶)を使用し、チタン拡散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウエハの表面にマッハツェンダー型の光導波路を形成した。光導波路のサイズは、例えば1/e2で10μmとできる。次いで、メッキプロセスにより、信号電極10および接地電極9、11を形成した。
次に、研磨定盤に研磨ダミー基板を固定し、その上に変調器用の基板本体を、電極面を下向きにして貼り付けた。次に、横型研磨、ラップおよびポリッシング(CMP)にて7.5μm厚みまで変調器用基板4を薄型加工した。次いで、平板状の支持基板16上に基板4を固定した。接着固定用の樹脂は、樹脂厚50μmとした。光導波路の端面(光ファイバーへの接続部)を端面研磨し、ダイシングにてウエハを切断し、各チップを得た。チップの幅を2mmとし、デバイスの全厚さを0.5mmとした。
RF変調基板の接合部での反射戻り光を抑制するため、端面に角度6°の傾斜を設けた。チップ接合面には端面斜め研磨加工を行い、その後ARコート膜7を蒸着により形成した。
一方、Xカットした3インチウエハ(LiNbO3単結晶)を使用し、チタン拡散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウエハの表面にマッハツェンダー型の光導波路を形成した。光導波路のサイズは、例えば1/e2で10μmとできる。次いで、ウエハを加工し、受動部品を得た。この受動部品の幅を2mmとし、全厚さを0.5mmとした。受動部品の接合面には角度6°の傾斜を設けた。そして、接合面にARコートを施した。光導波路の導波光を観察する事で両基板のアラインメントを行い、紫外線硬化型樹脂を用いて接合し、図1、図4の変調器を得た。
信号電極と接地電極とのギャップは21.5μmとした。電極の厚みを20μmとした。各湾曲部の曲率半径は15mmとし、折り返し部分の全角を10°とした。
接合した光導波路のチップ接合部での過剰損失を測定したところ、0.2dBであった。また、入射光の反射減衰量も十分に確保されており、光源に影響がない事を確認した。RF変調部5に形成したRF電極9、10、11の高周波特性をネットワークアナライザを用いて測定したところ、S21の−6dB帯域として25GHz以上が確保されており、40Gb/s変調が可能である事も確認した。
本発明の特定の実施形態を説明してきたけれども、本発明はこれら特定の実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲の範囲から離れることなく、種々の変更や改変を行いながら実施できる。
Claims (12)
- 電気光学材料からなる変調用基板、この基板に設けられており、少なくとも一対の分岐部を備えている光導波路、および前記各分岐部に対して電圧を印加し、前記分岐部を伝搬する光を変調する高周波相互作用部を備えている光変調器用部品であって、
前記変調用基板の接合面に前記光導波路の複数の端面が存在していることを特徴とする、光変調器用部品。 - 支持基体、およびこの支持基体と前記変調用基板とを接着する接着層を備えていることを特徴とする、請求項1記載の光変調器用部品。
- 前記高周波相互作用部が、前記分岐部に対して前記電圧を印加するための信号電極および接地電極を備えていることを特徴とする、請求項1または2記載の光変調器用部品。
- 前記変調用基板の前記接合面が、前記分岐部における前記伝搬光の進行方向に垂直な平面に対して傾斜していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の光変調器用部品。
- 請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の光変調器用部品および受動部品を備えており、前記受動部品が、電気光学材料からなる受動部品用基板、およびこの受動部品用基板に形成されており、前記光導波路の前記各端面とそれぞれ接続する光導波路を備えており、前記光変調器用基板と前記受動部品用基板とが接合されていることを特徴とする、光変調器。
- 前記変調用基板と前記受動部品用基板とが同種の材質からなることを特徴とする、請求項5記載の光変調器。
- 前記受動部品の前記光導波路が折り返し部を備えていることを特徴とする、請求項5または6記載の光変調器。
- 前記受動部品用基板が前記変調用基板、前記接着層および前記支持基体と接合されていることを特徴とする、請求項5〜7のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
- 請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の光変調器用部品および光ファイバー伝搬光の接続部品を備えており、前記接続部品が、電気光学材料からなる接続部品用基板、およびこの接続部品用基板に形成されており、前記光導波路の前記各端面とそれぞれ接続する光導波路を備えており、前記光変調器用基板と前記接続部品用基板とが接合されていることを特徴とする、光変調器。
- 前記変調用基板と前記接続部品用基板とが同種の材質からなることを特徴とする、請求項9記載の光変調器。
- 前記接続部品用基板が、前記変調用基板、前記接着層および前記支持基体と接合されていることを特徴とする、請求項9または10記載の光変調器。
- 前記接続部品の前記光導波路が合波部または分波部を有することを特徴とする、請求項9〜11のいずれか一つの請求項に記載の光変調器。
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