JPWO2008038344A1 - ガス放電表示デバイス - Google Patents

Abstract

ＰＤＰ等のガス放電表示デバイスにおいて、誘電体層からのガス放出を低減して長寿命を実現できる技術である。本ＰＤＰは、放電ガスが封入される放電空間を挟む一対の基板構造体の前面側基板構造体に、表示電極群と、誘電体層と、保護層とがこの順に形成され、当該誘電体層の光透過率が、放電発光の波長１７２ｎｍにおいて８０％以上とする。これに対応してパネル寿命が４０００時間以上確保される。

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やプラズマアドレス液晶装置（ＰＡＬＣ）等の放電のための電極群及びそれを覆う誘電体層を有したガス放電表示デバイスに関し、特に、誘電体層に関する。

ＰＤＰは、セルを構成する電極間、即ち対をなす表示電極（Ｘ，Ｙ電極）間に電界をかけると、放電空間内の放電ガスが励起されてイオン化することにより真空紫外線が放出される。そしてその放出された真空紫外線が蛍光体に当たることにより蛍光体から可視光が放出される。この可視光がセルの表示に利用されユーザに輝度として視認される。

また、従来のＰＤＰにおいて、ガラス基板上の表示電極群を覆うように、低融点ガラス等からなる誘電体層が形成されている。また、一方の当該誘電体層の表面にはＭｇＯ等による保護層（保護膜）が形成されており、保護層に対向して放電空間の反対側に蛍光体（その底面）が配置されている。汎用の誘電体層は、低融点ガラスを含んで構成されるガラスペーストやガラスシートを焼成することによりその樹脂分をバーンアウトさせて低融点ガラスを溶解させることにより形成されている。

最近では、ＰＤＰの性能を向上させるために、上記低融点ガラスからなる誘電体層に代えて、ＣＶＤ（化学気相成長）法などの気相成長法により誘電体層を形成する技術が知られている。このような技術（ＣＶＤ法の例）について、特開２００４−２４７０６８号公報（特許文献１）に記載されている。

また、ＰＤＰの誘電体層の形成において、誘電体層から不純物ガスのガス放出（脱ガスともいう）が発生することが知られている。特開２００５−２４３３８０号公報（特許文献２）では、ＰＤＰの誘電体層からのガス放出による放電電圧上昇及び放電遅れを防ぐことを目的として、誘電体層中に存在するＨ_２Ｏの結合密度を制限することが提案されている。
特開２００４−２４７０６８号公報 特開２００５−２４３３８０号公報

ＰＤＰでは、製造速度を向上させるために、誘電体層の成膜速度を上げることが望まれている。しかしながら、単純にその成膜速度を上げて形成した構成では、前記誘電体層からの不純物ガスのガス放出が増加することになる。セルでの放電を通じて、この不純物ガスにより、蛍光体及び／又は保護層（ＭｇＯ）が劣化する問題がある。

上記問題に対して、誘電体層に含まれる、ガス放出の要因である不純物を減少させることが考えられる。しかしながら、それだけでは、不純物の量と、放出される不純物ガスの量との対応関係がとれず、そのこととパネル寿命との相関関係がはっきりしない。

本発明は以上のような問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＰＤＰ等のガス放電表示デバイスにおいて、誘電体層からのガス放出を低減して長寿命を実現できる技術を提供することにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。前記目的を達成するために、本発明は、ＰＤＰ等の電極群とそれを覆う誘電体層を有したガス放電表示デバイスの技術であって、特に誘電体層の構造を特徴とする。

本発明のガス放電表示デバイスでは、デバイス寿命と強い相関関係を持つと考えられる誘電体層の光学特性及びそれに影響を与える内部構造を利用することにより、誘電体層からのガス放出を低減して長寿命を実現するものである。

本発明者は、研究における様々な分析から以下を見出した。前述した蛍光体及び／又は保護層の劣化に関して、誘電体層からのガス放出が大きく関係しており、このガス放出を抑えることにより、ガス放電表示デバイスの寿命が長くなる。誘電体層からのガス放出は、単に誘電体を構成している原子や分子に起因するものではなく、その特性は、誘電体層の光学特性及びそれに影響を与える内部構造（結合状態）に依存しそれが大きな役割を果たしている。即ち、誘電体層における結合状態が変わると、ガス放出のし易さが変わる。

誘電体層からの不純物ガスのガス放出は、放電空間で発生した放電ガスの発光を誘電体層が吸収することにより発生する。その詳しいメカニズムとしては、誘電体層中の結晶構造（結合状態）における欠陥や不純物が、放電ガスであるＸｅの発光の波長１７２ｎｍ（または１７３ｎｍ）を吸収することにより、不純物ガスを放出する。これが蛍光体及び／又は保護層を劣化させる。上記結晶構造における欠陥や不純物は従来も存在したが、制御はなされていなかった。

誘電体層がＸｅの発光（波長１７２ｎｍ）を吸収せずに透過すれば、ガス放出を無くすことが原理的に可能である。よって、このことから、本ガス放電表示デバイスでは、誘電体層の光透過率とデバイス寿命との関係を用い、誘電体層の組成における結合状態によって光透過率を上げること（または光吸収率を下げること）によりデバイス寿命を長くする。

本ガス放電表示デバイスの誘電体層は、放電空間内に封入された放電ガスの発光を十分に透過すること、特に、Ｘｅの発光の波長１７２ｎｍの光透過率が特定範囲、例えば８０％以上に規定されることを特徴とする。

また例えば、誘電体層は、その窒素含有量が３．８×１０^１９個／ｃｍ^３以下である。また、誘電体層の光透過率を変える１つの手段として、誘電体中に少量のフッ素をドープ（添加）する構成により、光透過率を向上させる。また例えば、誘電体層は、プラズマＣＶＤ法などの気相成長法により形成される。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。本発明によれば、ＰＤＰ等のガス放電表示デバイスにおいて、誘電体層からのガス放出を低減して長寿命を実現できる。

本発明の一実施の形態であるＰＤＰの１画素に対応する部分を分解斜視構成で示す図である。 本発明の一実施の形態であるＰＤＰの１セルに対応する部分を横及び面垂直方向の断面構成で示す図である。 本発明の一実施の形態であるＰＤＰにおける、パネル寿命と、誘電体層（厚さ約５μｍ）の波長１７２ｎｍにおける光透過率との関係を示す図である。 本発明の一実施の形態であるＰＤＰにおける、誘電体層（厚さ約５μｍ）の波長１７２ｎｍにおける光透過率と、窒素含有量との関係を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

本実施の形態のガス放電表示デバイス及びその製造方法では、ＰＤＰを例に採り、その誘電体層（特に前面部２０１側の誘電体層１７）が、放電ガスの特定の発光波長（１７２ｎｍ）を透過する材料からなる特定の構造を持つ構成である。この誘電体層の特定の発光波長（１７２ｎｍ）についての光透過率が、特定の範囲（８０％以上）に規定される。また、それに対応して、誘電体層の窒素含有量が、特定の範囲（３．８×１０^１９個／ｃｍ^３以下）に規定される。

＜ＰＤＰ＞
まず、図１，図２において、本実施の形態のＰＤＰ１０の基本的な構造｛ＡＣ型・面放電、（Ｘ，Ｙ，Ａ）三電極、ストライプリブ構成｝を説明する。本ＰＤＰ１０は、実用化されている従来の代表的なＰＤＰの構造と概略同じものであり、保護層１３を用いる一例である。なお、ＰＤＰの詳しい構造は、駆動方式などに応じて各種が可能であり、本発明及び実施の形態の特徴は、これらに対しても同様に適用できる。

図１において、ＰＤＰ１０は、主に、前面側と背面側の一対の基板構造体である前面部（前面基板構造体）２０１と背面部（背面基板構造体）２０２が対向して組み合わされ、その間の放電空間（Ｓ）に放電ガスが封入されることにより構成される。ＰＤＰ１０の表示領域５０は、複数の表示セル（セル）の行列により構成される。第１（横）方向のＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色に対応するセル（Ｃｒ，Ｃｇ，Ｃｂ）のセットで画素（Ｐ）が構成される。

前面部２０１は、一般的に、前面ガラス基板１１、表示電極（３１，３２）、誘電体層（第１誘電体層）１２、及び保護層（保護膜）１３からなる。複数本の表示電極（３１，３２）は、前面ガラス基板１１上で第１（横）方向に平行に伸びて形成される。誘電体層１２は、前面ガラス基板１１上に表示電極（３１，３２）を覆うように形成される。更に、保護層１３は、誘電体層１２上で放電空間（Ｓ）に露出する面側に形成される。

表示電極（３１，３２）は、維持用のＸ電極３１と、維持及び走査用のＹ電極３２とで構成される。表示電極（３１，３２）は、例えば、透明電極（透明電極膜）４１とバス電極（金属電極）４２とで構成される。透明電極４１は、例えば直線状あるいはセル単位に突出する形であり、列方向に隣接の透明電極４１間で放電ギャップを形成する。バス電極４２は、透明電極４１の抵抗を下げるもので、透明電極４１上に積層され、直線状で透明電極４１よりも幅狭であり、駆動回路側と接続される。透明電極４１の形成の方法としては、透明電極４１を構成する材料となる、金属の有機化合物を含むペーストを、塗布及び焼成することにより形成する方法が挙げられる。

背面部２０１は、一般的に、背面ガラス基板２１、アドレス電極３３、誘電体層（第２誘電体層）２２、隔壁（ストライプ状のリブ）２３、及び蛍光体（蛍光体層）２４｛２４ｒ，２４ｇ，２４ｂ｝からなる。複数本のアドレス電極３３は、背面ガラス基板２１上で表示電極（３１，３２）と交差するように第２（縦）方向に平行に直線状に伸びて形成される。誘電体層２２は、背面ガラス基板２１上でアドレス電極３３を覆うように形成される。

隔壁２３は、誘電体層２２上、アドレス電極３３間で、第２方向に帯状（ストライプ状）に形成される。隔壁２３は、例えば、低融点ガラスとバインダとからなるガラスペーストを、誘電体層２２上に膜状に塗布し、焼成した後、サンドブラスト法により所定形状のマスクを介して切削することにより形成することができる。また、バインダに感光性の樹脂を使用した場合、所定形状のマスクを使用して露光及び現像した後、焼成することにより形成することも可能である。

Ｒ，Ｇ，Ｂの各色の蛍光体２４｛２４ｒ，２４ｇ，２４ｂ｝は、放電空間（Ｓ）における隔壁２３間において、誘電体層２２面上及び隔壁２３側面に形成される。蛍光体２４は、例えば、バインダが溶解された溶液に粒子状の蛍光体物質を分散させた蛍光体ペーストを、隔壁２３間に塗布し、不活性雰囲気下で焼成することにより形成することができる。また、背面側基板には、誘電体層を形成せず、隔壁２９をガラス基板２１上に形成してもよい。

上記前面部２０１と背面部２０２を、表示電極（３１，３２）とアドレス電極３３が直交してそれらが内側向きになるように対向配置し、それらの基板周辺部をシールガラス等により封止し、隔壁２３により区切られる空間に、例えばＮｅ−Ｘｅガスによる放電ガスを充填及び封入することにより、ＰＤＰ１０が構成される。各セル（Ｃｒ，Ｃｇ，Ｃｂ）は、それぞれ対応するＲ，Ｇ，Ｂの色の単位発光領域となる。

上記構造のＰＤＰ１０において、表示電極（３１，３２）及びアドレス電極３３間、例えば維持動作のために表示電極（３１，３２）間に電界をかけると、放電ガスが励起されてイオン化することにより、真空紫外線が放出される。そしてこの放出された真空紫外線が蛍光体２８に当たることにより、蛍光体２８から対応する色（例えばＲ）の可視光が放出される。この可視光がセルでの表示に利用されユーザに輝度として認識される。

誘電体層（１２，２２）は、例えばＣＶＤ法などの気相成長法により形成される。第１誘電体層１２は、本発明で特徴的な構造を有する。なお第２誘電体層２２にも同様の特徴を適用することが可能である。本特徴に関係が大きい部分は、特に誘電体層（１２，２２）、保護層１３、及び蛍光体２４の構成である。

なお、図１のＰＤＰ１０の構成に限らず、放電を行わせる電極を被覆する誘電体層を有するガス放電表示デバイス、例えば前述したＰＡＬＣにも、同様に適用可能である。また、対向放電型、前面基板構造体側に蛍光体を配置した透過型、三電極構造以外、メッシュ状（格子状）隔壁構成などでもよい。

＜ガス放出＞
図２のＰＤＰ１０のセル（Ｃ）の横及び面垂直方向の断面の構成において、第１誘電体層１２からの不純物ガスのガス放出（３０３）のメカニズムについて説明する。例えば駆動回路からの表示電極（３１，３２）間の駆動電圧の印加により、放電空間（Ｓ）における放電３０１により真空紫外線が放出さる。その真空紫外線が蛍光体２４に当たると、蛍光体２８から対応する色（例えばＲ）の可視光３０２が放出される。この可視光（放電発光）３０２が、保護層１３及び第１誘電体層１２を通過して前面側へ抜ける。この可視光３０２が、誘電体層１２で化学反応して、ガス放出（脱ガス）現象が発生する。これにより放出されるガス（不純物ガス）３０３が、保護層１３や蛍光体２４に影響して、それらを劣化させる。

Ｘｅを含んだ放電ガスにおける、Ｘｅのエキシマ発光の波長が約１７２ｎｍである。

＜誘電体層の光透過率とパネル寿命の関係＞
次に、図３において、ＰＤＰ１０の誘電体層１２の光透過率［％］とパネル寿命［時間］との関係を示している。ここで、光透過率を測定した誘電体層１２の膜厚は、約５μｍである。また、パネル寿命とは、ＰＤＰ１０の初期輝度に対して輝度７０％となる点灯時間のことである。光透過率の条件とパネル寿命とに相関がとれる。

図３から、誘電体層１２の光透過率が高いとパネル寿命も長くなることがわかる。製品としての寿命性能を満足させるためには例えば４０００時間が必要である。この寿命評価方法において、パネル寿命の４０００時間以上の条件から、光透過率が８０％以上であることが必要である。蛍光体２４及び保護層１３に対する不純物ガス（３０３）の影響を少なくするためには、成膜条件により不純物ガス（３０３）のガス放出の少ない誘電体層１２を形成するか、あるいは、多少の不純ガス（３０３）を放出する誘電体層１２であってもその膜厚が薄いセル設計をすればよい。本実施の形態では、前者の手法を用いる。

＜誘電体層中の窒素含有量と波長１７２ｎｍの光透過率の関係＞
次に、図４において、ＰＤＰ１０の誘電体層１２中の窒素含有量［個／ｃｍ^３］と、誘電体層１２の波長１７２ｎｍにおける光透過率［％］との関係を示している。図４から、誘電体層１２中の窒素含有量が増加すると、波長１７２ｎｍにおける光透過率が低くなることがわかる。図３で示した誘電体層１２の光透過率とパネル寿命との関係から、即ち光透過率８０％以上から、誘電体層１２の窒素含有量は、３．８×１０^１９［個／ｃｍ^３］以下であることが必要である。

以上から、本実施の形態のＰＤＰ１０の製造方法では、プラズマＣＶＤ法により、特定の結晶構造を持ち、波長１７２ｎｍにおける光透過率が８０％以上の範囲となり、窒素含有量が３．８×１０^１９［個／ｃｍ^３］以下である誘電体層１２を形成することにより、不純物ガス（３０３）のガス放出を少なくして、パネル寿命を４０００時間以上確保する。

＜条件＞
図３におけるパネル寿命の測定は、次のような条件で行った。ＰＤＰ１０は、以下の構成とした。

表示電極（３１，３２）の透明電極４１の幅： ３００μｍ
表示電極（３１，３２）のバス電極４２の幅： １００μｍ
表示電極（３１，３２）間の放電ギャップ： １００μｍ
誘電体層１２の厚み： １０μｍ
隔壁２３の高さ： １００μｍ
Ｎｅ−Ｘｅ（８％）による放電ガスのガス圧： ５００Ｔｏｒｒ
蛍光体層２４の厚み： ２０μｍ
蛍光体層−赤（２４ｒ）の材料： （Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ_３：Ｅｕ^３＋
蛍光体層−緑（２８ｇ）の材料： Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ^２＋
蛍光体層−青（２８ｂ）の材料： ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋
駆動周波数： ６０ｋＨｚ
＜プラズマＣＶＤ法＞
本実施の形態では、誘電体層１２をプラズマＣＶＤ法により形成する。プラズマＣＶＤ法の使用は、基板の反りの制御及び低コストなどの理由から好ましい。それ以外でも、上記特定の水素及び／又は窒素含有量の誘電体層１２を形成することができさえすれば、プラズマＣＶＤ法以外のＣＶＤ法、スパッタ法、及び蒸着法などの気相成長法を使用することも可能である。

プラズマＣＶＤ法で誘電体層１２を形成する場合、使用する原料ガスは、シラン（ＳｉＨ_４）、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）、メチルトリメトキシシラン（ＣＨ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３）等のシリコンソースと、それに加える、Ｎ_２Ｏ、ＣＯ_２、ＣＯ、Ｈ_２Ｏ、Ｏ_２等の、酸素を含む非シリコンソースと、が挙げられる。本例では特に、ＳｉＨ_４とＮ_２Ｏとを用いる。

プラズマＣＶＤ法の成膜条件としては、形成を望む基板の大きさ及び誘電体層１２の性質などにより異なるが、サセプタ面積２０００〜１５０００ｃｍ^２、ＲＦ出力が２０００〜２００００Ｗ、容器内温度が３６０〜４５０℃、容器内ガス気圧が１．５〜４Ｔｏｒｒ等の条件が挙げられる。

本実施の形態では、図３，図４において、誘電体層１２は、プラズマＣＶＤ法により、サセプタ面積が２０００〜１５０００ｃｍ^２、ＲＦ出力が２０００〜２００００Ｗ、ガス流量比：ＳｉＨ_４／Ｎ_２Ｏを約１／１０に固定して、ＳｉＨ_４の流量を２８００〜８８００ｃｍ^３まで変化させて形成した。酸素を含む非シリコンソースとしてＮ_２Ｏに窒素が入っているが、本実施の形態ではこの窒素含有量を制御することにより、光透過率を上げる。

（実施の形態１）
以上の基本構成等を踏まえて、本発明の実施の形態１のＰＤＰ１０及びその製造方法の構成は以下である。

前面部（前面基板構造体）２０１の形成において、まず、前面ガラス基板１１上に、公知の方法により、透明電極４１及びバス電極４２からなる表示電極（３１，３２）を形成する。

次に、サセプタ面積が１５０００ｃｍ^２のプラズマＣＶＤ装置（プラズマＣＶＤ法により成膜する装置）を用いて、ＲＦ出力が５．０ｋＷ、容器内温度が４５０℃、容器内ガス気圧が３．０Ｔｏｒｒの条件で、原料ガスとしてＳｉＨ_４とＮ_２Ｏをそれぞれ３０００ｓｃｃｍと３００００ｓｃｃｍの流量（流量比：１／１０）でプラズマＣＶＤ装置内に流す。これにより、表示電極（３１，３２）を覆う厚さ５μｍの誘電体層１２を形成する。

上記により得られた誘電体層１２の波長１７２ｎｍにおける光透過率は、８９．４％であり、窒素含有量は、１．３×１０^１９［個／ｃｍ^３］であった。

次に、更に保護層１３として、公知の方法により、１．０μｍの膜厚のＭｇＯを、電子ビーム蒸着法により、誘電体層１２上に形成する。これにより、前面部２０１が構成される。

次に、背面部（背面基板構造体）２０２の形成において、まず、公知の方法により、背面ガラス基板２１上にアドレス電極３３を形成し、それを覆って誘電体層２２を形成し、その上に、隣接のアドレス電極３３間に帯状の隔壁２３を形成し、更に、隔壁２３間に、セル列ごとに区別してＲ，Ｇ，Ｂの各色の蛍光体２４｛２４４，２４ｇ，２４ｂ｝を形成する。これにより、背面部２０２が構成される。

最後に、上記前面部２０１と背面部２０２とを貼り合わせて封止し、さらに放電ガスを封入すること等により、ＰＤＰ１０を得る。得られたＰＤＰ１０の初期輝度に対して７０％の輝度となった時間は、およそ７５００時間であり、パネル寿命としては十分であることがわかった。

＜比較例＞
上記実施の形態１との比較例を説明する。この比較例の条件において、ガス圧力を２．５Ｔｏｒｒとすること以外は、実施の形態１と同様にして、誘電体層１２を形成した。これにより得られた誘電体層１２の波長１７２ｎｍにおける光透過率は、約５％であり、窒素含有量は、２．２×１０^２０［個／ｃｍ^３］であった。この場合、得られたＰＤＰ１０の初期輝度に対して７０％の輝度となった時間は、およそ５００時間であり、輝度が大きく低下していた。

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２のＰＤＰ１０の構成は以下である。条件において、ガス圧力を４．０Ｔｏｒｒとすること以外は、実施の形態１と同様にして、誘電体層１２を形成した。これにより得られた誘電体層１２の波長１７２ｎｍにおける光透過率は、８７．２％であり、窒素含有量は、１．９×１０^１９［個／ｃｍ^３］であった。次に、実施の形態１と同様の製造工程によって、ＰＤＰ１０を得た。得られたＰＤＰ１０の初期輝度に対して７０％の輝度となった時間は、およそ５８００時間であり、パネル寿命は十分であることがわかった。

なお、実施の形態２の成膜条件において、ガス圧力が２．５Ｔｏｒｒとすると、得られた誘電体層１２の波長１７２ｎｍにおける光透過率は約５％であり、窒素含有量は２．２×１０^２０［個／ｃｍ^３］であった。この場合、得られたＰＤＰ１０の初期輝度に対して７０％の輝度となった時間は、およそ５００時間であり、輝度が大きく低下していた。

（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３のＰＤＰ１０の構成は以下である。実施の形態３では、実施の形態２の製造方法に対して、流量３０００ｓｃｃｍのＣＦ_４（フッ化炭素）を追加して、ガス圧力を２．５Ｔｏｒｒとして、誘電体層１２を形成した。これにより得られた誘電体層１２の波長１７２ｎｍにおける光透過率は、約８４％であり、フッ素含有量は、約１．０重量％であった。同条件でＣＦ_４を追加しない場合の光透過率は、約５％であったことから、大幅な光透過率の改善を実現した。本実施の形態では、フッ素系ガスの添加により、ＳｉとＦの結合状態の光学特性を利用している。

以上説明したように、各実施の形態によれば、ガス放電表示デバイス（ＰＤＰ１０）の誘電体層１２の光透過率が特定の範囲に規定されていることから、デバイス寿命に影響するガス放出が抑制されるので、高信頼性・長寿命の表示デバイスを提供することができる。

なお、以上の構成は、光透過率を制御するものであるが、その他、光吸収率を制御する形態としてもよい。なお、光透過率は、１００％から、光吸収率（ガス放出と関係する）と光反射率（相対的に少ない）とを引いたものとして計算できる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

本発明は、ＰＤＰやＰＡＬＣ等のガス放電表示デバイスに利用可能である。

Claims (6)

1. 基板上に配列された複数の電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を有したガス放電表示デバイスであって、
   前記誘電体層は、光透過率が波長１７２ｎｍにおいて８０％以上であることを特徴とするガス放電表示デバイス。
2. 請求項１記載のガス放電表示デバイスにおいて、
   前記誘電体層は、プラズマＣＶＤ法で形成されることを特徴とするガス放電表示デバイス。
3. 請求項１記載のガス放電表示デバイスにおいて、
   前記誘電体層は、その窒素含有量が３．８×１０^１９個／ｃｍ^３以下であることを特徴とするガス放電表示デバイス。
4. 請求項１記載のガス放電表示デバイスにおいて、
   前記誘電体層は、その形成の原料としてＳｉＨ_４が使用されていることを特徴とするガス放電表示デバイス。
5. 請求項１記載のガス放電表示デバイスにおいて、
   前記誘電体層は、その主成分がＳｉＯ_２であることを特徴とするガス放電表示デバイス。
6. 請求項５記載のガス放電表示デバイスにおいて、
   前記誘電体層は、フッ素を含んで構成されることを特徴とするガス放電表示デバイス。

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