JPWO2008001593A1 - 露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2008001593A1 JPWO2008001593A1 JP2008522384A JP2008522384A JPWO2008001593A1 JP WO2008001593 A1 JPWO2008001593 A1 JP WO2008001593A1 JP 2008522384 A JP2008522384 A JP 2008522384A JP 2008522384 A JP2008522384 A JP 2008522384A JP WO2008001593 A1 JPWO2008001593 A1 JP WO2008001593A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- illumination light
- forming member
- illumination
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 300
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 54
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70158—Diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
第1パターン形成領域内に形成される第1パターンと、第1パターン形成領域とは異なる第2パターン形成領域内に形成される第2パターンを介した照明光を基板に導くことによって第1パターン及び第2パターンを基板上に転写する露光方法において、第1パターンを照明する照明条件に応じた照明光を形成するための第1照明光形成部材を準備する第1照明光形成部材準備工程(S10)と、第2パターンを照明する照明条件に応じた照明光を形成するための第2照明光形成部材を準備する第2照明光形成部材準備工程(S11)と、照明光に対して第1パターン及び第2パターンと基板とを走査方向に走査させるパターン走査工程と、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材を第1パターン及び第2パターンと同期して走査させる照明光形成部材走査工程と、第1パターンを基板上の第1パターン転写領域に露光すると共に、第2パターンを基板上の第2パターン転写領域に露光する露光工程(S13)とを備え、露光工程では、第1パターンの露光と第2パターンの露光とを連続的に行う。
Description
この発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程で使用される露光方法、該露光方法を用いた露光装置及び該露光方法または該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するリソグラフィ工程では、マスクに形成されたパターンの像を感光剤が塗布された基板上に転写する露光装置が使用されている。この露光装置を用いた露光方法の一つとして、ウエハ上の同一の露光領域内に第1のパターン(例えば、周期的パターン)と第2のパターン(例えば、孤立的パターン)が混在したパターンを転写露光する場合に、第1のパターンが形成されている第1のマスクと、第2のパターンが形成されている第2のマスクとを準備し、それぞれのパターンに応じた最適な露光条件(照明条件)によりそれぞれのパターンを順次転写露光する二重露光方法が使用されている。
通常、二重露光方法で露光を行う場合、まず第1のマスクを用いて1回目の露光を行い、次に第2のマスクに交換してから第2のマスクを用いて2回目の露光を行う。しかしながら、マスクを交換するための所定の時間を要するため、高いスループットを得ることができなかった。そこで、第1のパターンと第2のパターンを1つのマスクに形成し、走査露光方式によりウエハ上の第1のショット領域(露光領域)に第1のパターンを転写し、第2のショット領域に第2のパターンを転写した後、ウエハを走査方向に1つのショット領域分だけステップ移動させて、第2のショット領域に第1のパターンを、第3のショット領域に第2のパターンを転写し、順次これを繰り返すことにより第1のパターンと第2のパターンとを二重露光する方法が提案されている(例えば、特開平11−111601号公報参照)。
ところで、特許文献1記載の露光装置においては、それぞれのパターンを走査露光する際に、それぞれのパターンに応じた最適な照明条件により露光を行う必要がある。即ち、まず第1のパターンに応じた最適な照明条件により第1のパターンを走査露光し、次に第2のパターンに応じた最適な照明条件に切り換えてから第2のパターンを走査露光する。しかしながら、露光装置が備える照明光学系において各パターンに応じた最適な照明条件に切り換えるために所定の時間を要するため、スループットの低下を招いていた。
この発明の課題は、スループットを低下させることなく、複数のパターンのそれぞれに対応した所望の照明光により複数のパターンを基板上に連続的に露光することができる露光方法、該露光方法を用いた露光装置及び該露光方法または該露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することである。
この発明の露光方法は、第1パターン形成領域内に形成される第1パターンと、前記第1パターン形成領域とは異なる第2パターン形成領域内に形成される第2パターンを介した照明光を基板に導くことによって前記第1パターン及び前記第2パターンを前記基板上に転写する露光方法において、前記第1パターンを照明する照明条件に応じた照明光を形成するための第1照明光形成部材を準備する第1照明光形成部材準備工程と、前記第2パターンを照明する照明条件に応じた照明光を形成するための第2照明光形成部材を準備する第2照明光形成部材準備工程と、前記照明光に対して前記第1パターン及び前記第2パターンと前記基板とを走査方向に走査させるパターン走査工程と、前記第1照明光形成部材及び前記第2照明光形成部材を前記第1パターン及び前記第2パターンと同期して走査させる照明光形成部材走査工程と、前記第1パターンを前記基板上の第1パターン転写領域に露光すると共に、前記第2パターンを前記基板上の第2パターン転写領域に露光する露光工程とを備え、前記露光工程では、前記第1パターンの露光と前記第2パターンの露光とを連続的に行うことを特徴とする。
また、この発明の露光装置は、第1パターン形成領域内に形成される第1パターンと、前記第1パターン形成領域とは異なる第2パターン形成領域内に形成される第2パターンを介した照明光を基板に導くことによって前記第1パターン及び前記第2パターンを前記基板上に転写する露光装置において、前記第1パターンへ向かう照明光の光路中に配置され、前記第1パターンを照明する照明条件に応じた前記照明光を形成するための第1照明光形成部材と、前記第2パターンへ向かう照明光の光路中に配置され、前記第2パターンを照明する照明条件に応じた前記照明光を形成するための第2照明光形成部材とを備え、 前記第1パターン及び前記第2パターンと前記基板とを前記照明光に対して走査方向に走査させて前記第1パターン及び前記第2パターンを前記基板上に連続的に転写露光し、前記第1照明光形成部材及び前記第2照明光形成部材は、前記第1パターン及び前記第2パターンと同期して走査することを特徴とする。
また、この発明のデバイスの製造方法は、この発明の露光方法により露光を行なう露光装置またはこの発明の露光装置を用いて所定のパターンを基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。
また、この発明のデバイスの製造方法は、この発明の露光方法により露光を行なう露光装置またはこの発明の露光装置を用いて第1パターン及び第2パターンを基板上に重ね合わせて露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。
また、この発明の照明光角度分布変更部材は、パターンを基板上へ転写するためのパターンが形成されたフォトマスクの近傍に配置可能であって、該フォトマスクへ向かう照明光の角度分布を変更する照明光角度分布変更部材であって、前記フォトマスクへ向かう前記照明光の偏光状態を所定の偏光状態に設定するための偏光部材を備えていることを特徴とする。
以下、図面を参照して、この発明の第1の実施の形態にかかる露光装置について説明する。図1は、第1の実施の形態にかかる露光装置の構成を示す図である。図1に示す露光装置は、ステップ・アンド・スキャン方式を用いて二重露光を行うための投影露光装置である。なお、以下の説明においては、図1中に示すXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がウエハWに対して平行となるように設定され、Z軸がウエハWに対して直交する方向に設定されている。また、この実施の形態ではウエハWを移動させる方向(走査方向)をX軸方向に設定している。
図1に示すように、第1の実施の形態にかかる露光装置は、露光光源としての例えば約193nmの波長を有する光を供給するArFエキシマレーザ光源または約248nmの波長を有する光を供給するKrFエキシマレーザ光源(図示せず)を含み、図示しないリレー光学系、オプティカル・インテグレータ、視野絞り、コンデンサ光学系等から構成される照明光学系ILを備えている。光源から射出された照明光は、照明光学系ILを通過し、入射する照明光に対して回折作用を与える第1照明形状形成部材D1または第2照明形状形成部材D2を経て、レチクルR1(第1パターン形成領域)またはレチクルR2(第2パターン形成領域)を照明する。
第1照明形状形成部材D1は、レチクルR1に向かう照明光の光路中に配置されており、レチクルR1に形成されている第1パターンの特性(微細度、方向性など)等に基づく第1パターンを照明するのに適した照明条件に応じた照明光を形成する。即ち、第1照明形状形成部材D1には、第1パターンを最適な照明光により照明するために、レチクルR1に形成されている第1パターンへ向かう照明光の角度分布が所望の角度分布、即ち第1パターンを照明するのに最適な角度分布(第1の角度分布)となるように照明光を回折させる回折格子パターンが形成されている。
第2照明形状形成部材D2は、レチクルR2に向かう照明光の光路中に配置されており、レチクルR2に形成されている第2パターンの特性(微細度、方向性など)等に基づく第2パターンを照明するのに適した照明条件に応じた照明光を形成する。即ち、第2照明形状形成部材D2には、第2パターンを最適な照明光により照明するために、レチクルR2に形成されている第2パターンへ向かう照明光の角度分布が所望の角度分布、即ち第2パターンを照明するのに最適な角度分布(第2の角度分布)となるように照明光を回折させる回折格子パターンが形成されている。
レチクルR1及びレチクルR2は、レチクルステージ(原版ステージ)RST上にX方向(走査方向)に沿ってほぼ隣接して載置されている。レチクルステージRSTは、X方向に沿って移動可能、Y方向に沿って微小量移動可能及びXY平面内においてZ方向を軸として微小量回転可能に構成されている。第1照明形状形成部材D1及び第2照明形状形成部材D2は、X方向(走査方向)に沿ってほぼ隣接して配置されており、保持部材2により保持されている。保持部材2は、レチクルR1及びレチクルR2上に第1照明形状形成部材D1及び第2照明形状形成部材D2が位置するようにレチクルステージRST上に載置されている。
第1照明形状形成部材D1または第2照明形状形成部材D2を通過した照明光は、第1照明形状形成部材D1または第2照明形状形成部材D2により与えられた角度分布を有し、レチクルR1またはレチクルR2を重畳的に照明する。
レチクルR1またはレチクルR2に形成されている第1パターンまたは第2パターンを透過した照明光は、投影光学系PLを介して、感光性基板であるウエハ(基板)W上を照明する。ここで、第1照明形状形成部材D1または第2照明形状形成部材D2を通過することにより、投影光学系PLの瞳面上における照明光の形状は、例えば、輪帯形状、2極形状または4極形状等となる。ウエハWは、ウエハステージWST上に載置されている。ウエハステージWSTは、X方向、Y方向に沿って移動可能及びXY平面内においてZ方向を軸として回転可能に構成されている。
この露光装置を用いて第1パターン及び第2パターンをウエハW上に転写露光する場合には、照明光に対してレチクルステージRST及びウエハステージWSTを走査方向(X方向)に走査させて、第1パターンをウエハWの第1ショット領域(第1パターン転写領域)に転写露光し、第2パターンをウエハWの第2ショット領域(第2パターン転写領域)に転写露光する。即ち、第1パターン及び第2パターンをウエハW上に連続的に転写露光する。このとき、第1照明形状形成部材D1及び第2照明形状形成部材D2は、レチクルR1及びレチクルR2と同期して走査するため、第1パターンは第1照明形状形成部材D1を介した照明光により、第2パターンは第2照明形状形成部材D2を介した照明光により転写露光される。即ち、各パターンに適した照明条件に応じた照明光に瞬時に切り換えられるため、高い結像性能を得ることができ、スループットを低下させることなく転写露光することができる。
そして、ウエハステージWSTを1つのショット領域分だけ走査方向に移動させて、第1パターンをウエハWの第2ショット領域に転写露光し、第2パターンをウエハWの第3ショット領域に転写露光する。即ち、第2ショット領域には、第1パターン及び第2パターンが重ね合わせて露光される。このように、第1パターン及び第2パターンの転写露光を繰り返すことにより、各ショット領域に第1パターン及び第2パターンが重ね合わせて露光される。
この第1の実施の形態にかかる露光装置によれば、第1照明光形成部材D1及び第2照明光形成部材D2がレチクルR1及びレチクルR2と同期して走査するように構成されているため、第1照明光形成部材D1により形成された所望の照明光によりレチクルR1に形成されている第1パターンをウエハW上の第1ショット領域に露光することができ、かつ第2照明光形成部材D2により形成された所望の照明光によりレチクルR2に形成されている第2パターンをウエハW上の第2ショット領域に連続的に転写露光することができる。したがって、第1パターン及び第2パターンのそれぞれを最適な照明光により照明することができるため、第1パターン及び第2パターンのそれぞれにおいて高い結像性能を得ることができ、かつ第1パターンに適した照明光から第2パターンに適した照明光に瞬時に切り換えることができるため、スループットを向上させることができる。
なお、第1の実施の形態にかかる露光装置においては、第1照明光形成部材D1及び第2照明光形成部材D2として回折格子パターンが形成されている回折光学素子を用いているが、レチクルR1及びレチクルR2へ向かう照明光の角度分布を所望の角度分布とすることができる屈折光学素子を用いてもよい。
また、第1の実施の形態にかかる露光装置においては、2つのパターンに対応した2つの照明光を形成する第1照明光形成部材D1及び第2照明光形成部材D2を備えているが、3つ以上のパターンに対応した3つ以上の照明光を形成する3つ以上の照明光形成部材を備えるようにしてもよい。
次に、図面を参照して、この発明の第2の実施の形態にかかる露光装置について説明する。図2は、第2の実施の形態にかかる露光装置の構成を示す図である。図2に示すように、第2の実施の形態にかかる露光装置においては、第1の実施の形態にかかる露光装置の照明光学系ILを照明光学系IL´に、第1照明形状形成部材D1を第1偏光部材4に、第2照明形状形成部材D2を第2偏光部材6に変更したものである。従って、第2の実施の形態の説明においては、第1の実施の形態にかかる露光装置の構成と同一の構成の詳細な説明は省略する。なお、第2の実施の形態の説明においては、第1の実施の形態にかかる露光装置の構成と同一の構成には第1の実施の形態で用いたのと同一の符号を用いて説明を行う。
照明光学系IL´は、図示しないレーザ光源を備えている。レーザ光源から射出されたX方向に沿った偏光方向を有する直線偏光の光(照明光)は、図示しないリレー光学系等を経て、回折光学素子(図示せず)に入射する。回折光学素子は、照明光学系IL´の瞳面上での照明光の大きさおよび形状を変化させる機能を有する。この実施の形態においては、回折光学素子は、照明光学系IL´の瞳面上での照明光の形状を図3に示すような局所照明領域I1〜I4を有する4極形状に変化させる。
回折光学素子から射出した照明光は、図示しないリレー光学系等を経て、偏光変換部材(図示せず)に入射する。偏光変換部材は、ウエハWに対する照明光(ひいてはレチクルR1またはレチクルR2に対する照明光)の偏光状態を変化させる機能を有する。具体的には、偏光変換部材は、例えばX方向に偏光方向を有する直線偏光の光が入射した場合、照明光学系IL´の光軸を中心とする円の円周方向に実質的に平行な直線偏光の光に変換する。この実施の形態においては、局所照明領域I1及びI3を通過する照明光は、その偏光方向がX方向のままで変換されず、X方向に偏光方向を有する直線偏光(以下、第1直線偏光という。)となる。また、局所照明領域I2及びI4を通過する照明光は、その偏光方向がY方向に変換され、Y方向に偏光方向を有する直線偏光(以下、第2直線偏光という。)となる。
偏光変換部材を通過した光束は、マイクロレンズアレイ(図示せず)等を介して、第1偏光部材4または第2偏光部材6を経て、レチクルR1またはレチクルR2を照明する。なお、回折光学素子及び偏光変換部材等を備える照明光学系IL´の詳細な構成および作用については、特開2005−166871号公報を参照することができる。この特開2005−166871号公報の開示の全てはここに参照事項として明白に組み込まれる。
第1偏光部材4は、レチクルR1に向かう照明光の光路中に配置されており、レチクルR1に形成されている第1パターンの特性(微細度、方向性など)等に基づく第1パターンを照明するのに適した照明条件に応じた照明光を形成する。即ち、第1偏光部材4は、第1パターンを最適な照明光により照明するために、レチクルR1に形成されている第1パターンへ向かう照明光の偏光状態の分布が所望の偏光状態、即ち第1パターンを照明するのに最適な偏光状態の分布(第1の偏光状態分布)となるような偏光子等により構成されている。なお、この実施の形態においては、第1偏光部材4は、第1直線偏光のみを透過させる偏光子により構成されている。
第2偏光部材6は、レチクルR2に向かう照明光の光路中に配置されており、レチクルR2に形成されている第2パターンの特性(微細度、方向性など)等に基づく第2パターンを照明するのに適した照明条件に応じた照明光を形成する。即ち、第2偏光部材6は、第2パターンを最適な照明光により照明するために、レチクルR2に形成されている第2パターンへ向かう照明光の偏光状態の分布が所望の偏光状態、即ち第2パターンを照明するのに最適な偏光状態の分布(第2の偏光状態分布)となるような偏光子等により構成されている。なお、この実施の形態においては、第2偏光部材6は、第2直線偏光のみを透過させる偏光子により構成されている。
第1偏光部材4または第2偏光部材6を通過した照明光は、第1偏光部材4または第2偏光部材6を通過することにより所定の偏光状態の分布を有する照明光となり、レチクルR1またはレチクルR2を重畳的に照明する。
レチクルR1またはレチクルR2に形成されている第1パターンまたは第2パターンを透過した照明光は、投影光学系PLを介して、感光性基板であるウエハ(基板)W上を照明する。ここで、照明光が第1偏光部材4を通過した場合、第1直線偏光のみが透過するため、投影光学系PLの瞳面上における照明光の形状は、図4に示すような形状となる。また、照明光が第2偏光部材6を通過した場合、第2直線偏光のみが透過するため、投影光学系PLの瞳面上における照明光の形状は、図5に示すような形状となる。
この露光装置を用いて第1パターン及び第2パターンをウエハW上に転写露光する場合には、照明光に対してレチクルステージRST及びウエハステージWSTを走査方向(X方向)に走査させて、第1パターンをウエハWの第1ショット領域(第1パターン転写領域)に転写露光し、第2パターンをウエハWの第2ショット領域(第2パターン転写領域)に転写露光する。即ち、第1パターン及び第2パターンをウエハW上に連続的に転写露光する。このとき、第1偏光部材4及び第2偏光部材6は、レチクルR1及びレチクルR2と同期して走査するため、第1パターンは第1偏光部材4を介した照明光により、第2パターンは第2偏光部材6を介した照明光により転写露光される。即ち、各パターンに適した照明条件に応じた照明光に瞬時に切り換えられるため、高い結像性能を得ることができ、スループットを低下させることなく転写露光することができる。
そして、ウエハステージWSTを1つのショット領域分だけ走査方向に移動させて、第1パターンをウエハWの第2ショット領域に転写露光し、第2パターンをウエハWの第3ショット領域に転写露光する。このように、第1パターン及び第2パターンの転写露光を繰り返すことにより、各ショット領域に第1パターン及び第2パターンが重ね合わせて露光される。
この第2の実施の形態にかかる露光装置によれば、第1偏光部材4及び第2偏光部材6がレチクルR1及びレチクルR2と同期して走査するように構成されているため、第1偏光部材4を通過することにより所望の偏光状態の分布を有した照明光によりレチクルR1に形成されている第1パターンをウエハW上の第1ショット領域に露光することができ、かつ第2偏光部材6を通過することにより所望の偏光状態の分布を有した照明光によりレチクルR2に形成されている第2パターンをウエハW上の第2ショット領域に連続的に転写露光することができる。したがって、第1パターン及び第2パターンのそれぞれを最適な偏光状態の分布を有する照明光により照明することができるため、第1パターン及び第2パターンのそれぞれにおいて高い結像性能を得ることができ、かつ第1パターンに適した照明光から第2パターンに適した照明光に瞬時に切り換えることができるため、スループットを向上させることができる。
なお、第2の実施の形態にかかる露光装置においては、2つのパターンに対応した2つの偏光状態の分布を有する照明光を形成する第1偏光部材4及び第2偏光部材6を備えているが、3つ以上のパターンに対応した3つ以上の偏光状態の分布を有する照明光を形成する3つ以上の偏光部材を備えるようにしてもよい。
また、第2の実施の形態にかかる露光装置においては、照明光学系IL´が備える回折光学素子により4極照明を形成しているが、2極照明または輪帯照明等を形成してもよい。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、第1のパターンが形成されているレチクルR1(第1の原版)と、第2のパターンが形成されているレチクルR1と異なるレチクルR2(第2の原版)とを保持するレチクルステージRSTを備えているが、例えば図6に示すような第1のパターンP1及び第2のパターンP2が形成されている一つのレチクル(原版)R3を用い、このレチクルR3を保持するレチクルステージを備えるようにしてもよい。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材としての第1照明形状形成部材D1及び第2照明形状形成部材D2または第1偏光部材4及び第2偏光部材6を保持する保持部材2を備えているが、例えば図7に示すような第1照明光形成部材D3及び第2照明光形成部材D4を備えた一つの光学部材Lを用い、この光学部材Lを保持する保持部材を備えるようにしてもよい。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材としての第1照明形状形成部材D1及び第2照明形状形成部材D2または第1偏光部材4及び第2偏光部材6がレチクルR1,R2の直上に配置されているが、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材を照明光学系ILが備える視野絞りの位置またはその近傍、即ちレチクルR1,R2と光学的にほぼ共役な位置に配置するようにしてもよい。この場合には、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材を、レチクルR1,R2と同期して走査させることが可能な保持部材により保持させる。一般的に、レチクルR1,R2と光学的にほぼ共役な位置にはレチクルブラインドが配置されており、レチクルブラインドを含むレチクルブラインド結像光学系には光路折り曲げ鏡が含まれている。従って、この場合には、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材とレチクルR1,R2を異なる方向に移動させることになる。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材としての第1照明形状形成部材D1及び第2照明形状形成部材D2または第1偏光部材4及び第2偏光部材6がレチクルR1,R2の直上に配置されているが、第1照明形状形成部材D1及び第2照明形状形成部材D2または第1偏光部材4及び第2偏光部材6をレチクルR1,R2上に設けてもよい。この場合、レチクルR1,R2の基板上のパターンが形成される面と別の面(照明光入射側の面)に第1照明形状形成部材D1及び第2照明形状形成部材D2または第1偏光部材4及び第2偏光部材6を形成すればよい。
次に、図8に示すフローチャートを参照して、この実施の形態にかかる露光装置を用いた露光方法について説明する。なお、この実施の形態にかかる露光方法においては、レチクルR2に形成されている第2パターンが転写されたウエハW上に重なるようにレチクルR1に形成されている第1パターンを転写する二重露光を例に挙げて説明する。
まず、第1照明光形成部材として、レチクルR1に形成されている第1パターンを照明する照明条件に応じた照明光を形成するための第1照明形状形成部材D1または第1偏光部材4を準備する(ステップS10、第1照明光形成部材準備工程)。
次に、第2照明光形成部材として、レチクルR2に形成されている第2パターンを照明する照明条件に応じた照明光を形成するための第2照明形状形成部材D2または第2偏光部材6を準備する(ステップS11、第2照明光形成部材準備工程)。
次に、レチクルR1、レチクルR2、第1照明形状形成部材D1または第1偏光部材4及び第2照明形状形成部材D2または第2偏光部材6をこの実施の形態にかかる露光装置に搬入して、設置する(ステップS12)。即ち、レチクルR1及びレチクルR2を、レチクルステージRST上にX方向(走査方向)に沿ってほぼ隣接して載置する。また、第1照明形状形成部材D1または第1偏光部材4及び第2照明形状形成部材D2または第2偏光部材6を、保持部材2により保持させ、X方向(走査方向)に沿ってほぼ隣接して配置する。即ち、第1照明形状形成部材D1または第1偏光部材4はレチクルR1を照明する照明光の光路中に配置され、第2照明形状形成部材D2または第2偏光部材6はレチクルR2を照明する照明光の光路中に配置される。
次に、第1照明形状形成部材D1または第1偏光部材4を通過した照明光により照明された第1パターンを、レチクルステージRST及びウエハステージWST(ひいては、レチクルR1及びウエハW)、更に第1照明形状形成部材D1または第1偏光部材4を照明光学系IL及び投影光学系PLに対して走査方向(X方向)に走査させつつ、ウエハW上の第1ショット領域に転写露光する。更に、第2照明形状形成部材D2または第2偏光部材6を通過した照明光により照明された第2パターンを、レチクルステージRST及びウエハステージWST(ひいては、レチクルR2及びウエハW)、更に第2照明形状形成部材D2または第2偏光部材6を照明光学系IL及び投影光学系PLに対して走査方向(X方向)に走査させつつ、ウエハW上の第1ショット領域と隣接する第2ショット領域に転写露光する(ステップS13)。即ち、第1照明形状形成部材D1または第1偏光部材4及び第2照明形状形成部材D2または第2偏光部材6をレチクルR1及びレチクルR2と同期して走査させることにより、第1ショット領域に第1パターンを、そして第2ショット領域に第2パターンを連続的に転写露光する。
次に、ウエハステージWSTを1つのショット領域分だけ走査方向(X方向)に移動させて、第1パターンをウエハWの第2ショット領域に転写露光し、第2パターンをウエハWの第2ショット領域と隣接する第3ショット領域に転写露光する。こうして、第2ショット領域には、第1パターン及び第2パターンが重ね合わせて露光される。このように、第1パターン及び第2パターンを順次重ね合わせ露光していく。第1パターン及び第2パターンが重ねて転写露光されたウエハWは、露光装置から現像装置に搬送され、現像装置において現像される(現像工程)。
この実施の形態にかかる露光方法によれば、それぞれのパターンに適した照明光に瞬時に切り換えることができ、それぞれのパターンに適した照明光により照明することができるため、それぞれのパターンにおいて高い結像性能を得ることができ、かつ高いスループットで露光を行なうことができる。
なお、この実施の形態にかかる露光方法においては、二重露光を例に挙げて説明しているが、二重露光以外の露光についてもこの発明を適用することができる。
上述の実施の形態にかかる露光装置では、投影光学系を用いて所定のパターンを感光性基板(ウエハ)に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図9のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図9のステップS301において、ウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップS302において、ウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS303において、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて、マスクのパターンの像が投影光学系を介して、ウエハ上の各ショット領域に順次重ね合わせ露光される。その後、ステップS304において、ウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS305において、ウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、所定のパターンに対応する回路パターンが、ウエハ上の各ショット領域に形成される。
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行ない、ウエハから複数のデバイスに切断され、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行なっているため、高スループットで高精度な半導体デバイスを製造することができる。なお、ステップS301〜ステップS305では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
また、上述の実施の形態にかかる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図10のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。まず、図10において、パターン形成工程S401では、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定のパターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S402へ移行する。
次に、カラーフィルタ形成工程S402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S402の後に、セル組み立て工程S403が実行される。セル組み立て工程S403では、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程S403では、例えば、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
その後、モジュール組み立て工程S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行なっているため、高スループットで高精度な液晶表示素子を製造することができる。
この発明の露光方法によれば、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材を第1パターン及び第2パターンと同期して走査させているため、第1照明光形成部材により形成された所望の照明光により第1パターンを基板上の第1パターン転写領域に露光することができ、かつ第2照明光形成部材により形成された所望の照明光により第2パターンを基板上の第2パターン転写領域に連続的に転写露光することができる。したがって、第1パターンに適した照明光から第2パターンに適した照明光に瞬時に切り換えることができるため、スループットを向上させることができる。
また、この発明の露光装置によれば、第1照明光形成部材及び第2照明光形成部材が第1パターン及び第2パターンと同期して走査するように構成されているため、第1照明光形成部材により形成された所望の照明光により第1パターンを基板上の第1パターン転写領域に露光することができ、かつ第2照明光形成部材により形成された所望の照明光により第2パターンを基板上の第2パターン転写領域に連続的に転写露光することができる。したがって、第1パターンに適した照明光から第2パターンに適した照明光に瞬時に切り換えることができるため、スループットを向上させることができる。
また、この発明のデバイス製造方法によれば、この発明の露光方法またはこの発明の露光装置を用いて所定のパターンまたは第1パターン及び第2パターンの露光を行なうため、高スループットで高精度なデバイスを製造することができる。
なお、以上説明した実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や、均等物も含む趣旨である。
また、本開示は、2006年6月30日に提出された日本国特許出願2006−180623号に含まれた主題に関連し、その開示の全てはここに参照事項として明白に組み込まれる。
本発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程で使用される露光方法、該露光方法を用いた露光装置及び該露光方法または該露光装置を用いたデバイスの製造方法に好適に用いることが出来る。
Claims (22)
- 第1パターン形成領域内に形成される第1パターンと、前記第1パターン形成領域とは異なる第2パターン形成領域内に形成される第2パターンを介した照明光を基板に導くことによって前記第1パターン及び前記第2パターンを前記基板上に転写する露光方法において、
前記第1パターンを照明する照明条件に応じた照明光を形成するための第1照明光形成部材を準備する第1照明光形成部材準備工程と、
前記第2パターンを照明する照明条件に応じた照明光を形成するための第2照明光形成部材を準備する第2照明光形成部材準備工程と、
前記照明光に対して前記第1パターン及び前記第2パターンと前記基板とを走査方向に走査させるパターン走査工程と、
前記第1照明光形成部材及び前記第2照明光形成部材を前記第1パターン及び前記第2パターンと同期して走査させる照明光形成部材走査工程と、
前記第1パターンを前記基板上の第1パターン転写領域に露光すると共に、前記第2パターンを前記基板上の第2パターン転写領域に露光する露光工程と、
を備え、
前記露光工程では、前記第1パターンの露光と前記第2パターンの露光とを連続的に行うことを特徴とする露光方法。 - 前記第1パターン形成領域と前記第2パターン形成領域とは、前記走査方向に沿ってほぼ隣接して配置され、
前記第2パターンが転写された前記第2パターン転写領域に、前記第1パターンを重ね合わせて露光する第2の露光工程を更に備えていることを特徴とする請求項1記載の露光方法。 - 前記第1パターン形成領域及び前記第2パターン形成領域は、同一の原版上に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の露光方法。
- 前記第1パターン形成領域は、第1の原版上に形成され、
前記第2パターン形成領域は、前記第1の原版とは異なる第2の原版上に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の露光方法。 - 前記第1照明光形成部材準備工程では、前記第1パターンへ向かう照明光の角度分布を第1の角度分布にするための第1照明形状形成部材を準備し、
前記第2照明光形成部材準備工程では、前記第2パターンへ向かう照明光の角度分布を第2の角度分布にするための第2照明形状形成部材を準備することを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の露光方法。 - 前記第1照明形状形成部材及び前記第2照明形状形成部材は、入射する照明光に対して回折作用を与えることを特徴とする請求項5記載の露光方法。
- 前記第1照明光形成部材準備工程では、前記第1パターンへ向かう照明光の偏光状態の分布を第1偏光状態分布にするための第1偏光部材を準備し、
前記第2照明光形成部材準備工程では、前記第2パターンへ向かう照明光の偏光状態の分布を第2偏光状態分布にするための第2偏光部材を準備することを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の露光方法。 - パターンを基板上へ転写するためのパターンが形成されたフォトマスクの近傍に配置可能であって、該フォトマスクへ向かう照明光の角度分布を変更する照明光角度分布変更部材であって、
前記フォトマスクへ向かう前記照明光の偏光状態を所定の偏光状態に設定するための偏光部材を備えていることを特徴とする照明光角度分布変更部材。 - 前記偏光部材は、所定の偏光方向の光を透過させる偏光子を備えていることを特徴とする請求項8記載の照明光角度分布変更部材。
- 前記照明光に対して光透過性を持つ基板上に形成されて、前記フォトマスクへ向かう照明光の角度分布を変更する回折パターンを備えることを特徴とする請求項8又は9に記載の照明光角度分布変更部材。
- 前記フォトマスクの前記パターンが形成されている光透過性基板上の面とは異なる面に前記偏光部材が設けられていることを特徴とする照明光角度分布変更部材。
- 第1パターン形成領域内に形成される第1パターンと、前記第1パターン形成領域とは異なる第2パターン形成領域内に形成される第2パターンとを備えるフォトマスクと共に用いられ、
前記偏光部材は、前記第1パターンへ向かう前記照明光の偏光状態を第1の偏光状態にする第1偏光部材と、前記第2パターンへ向かう前記照明光の偏光状態を第2の偏光状態にする第2偏光部材とを備えることを特徴とする請求項8乃至請求項11の何れか一項に記載の照明光角度分布変更部材。 - 前記フォトマスクは前記第1パターンを備える第1フォトマスクと前記第2パターンを備える第2フォトマスクとを備えていることを特徴とする請求項12に記載の照明光角度分布変更部材。
- 第1パターン形成領域内に形成される第1パターンと、前記第1パターン形成領域とは異なる第2パターン形成領域内に形成される第2パターンを介した照明光を基板に導くことによって前記第1パターン及び前記第2パターンを前記基板上に転写する露光装置において、
前記第1パターンへ向かう照明光の光路中に配置され、前記第1パターンを照明する照明条件に応じた前記照明光を形成するための第1照明光形成部材と、
前記第2パターンへ向かう照明光の光路中に配置され、前記第2パターンを照明する照明条件に応じた前記照明光を形成するための第2照明光形成部材と、
を備え、
前記第1パターン及び前記第2パターンと前記基板とを前記照明光に対して走査方向に走査させて前記第1パターン及び前記第2パターンを前記基板上に連続的に転写露光し、 前記第1照明光形成部材及び前記第2照明光形成部材は、前記第1パターン及び前記第2パターンと同期して走査することを特徴とする露光装置。 - 前記第1パターン形成領域と前記第2パターン形成領域とは、前記走査方向に沿ってほぼ隣接して配置され、
前記第1パターンは前記基板上の第1パターン転写領域に露光され、且つ前記第2パターンは前記基板上の第2パターン転写領域に露光され、
前記第2パターンが転写された前記第2パターン転写領域内に、前記第1パターンを重ね合わせて露光することを特徴とする請求項14記載の露光装置。 - 前記第1パターン形成領域及び前記第2パターン形成領域が形成された原版を前記走査方向に沿って可動となるように保持する原版ステージを更に備えていることを特徴とする請求項14または請求項15記載の露光装置。
- 前記第1パターン形成領域は、第1の原版上に形成され、前記第2パターン形成領域は、前記第1の原版とは異なる第2の原版上に形成され、
前記第1の原版及び前記第2の原版を前記走査方向に沿って可動となるように保持する原版ステージを更に備えていることを特徴とする請求項14または請求項15記載の露光装置。 - 前記第1照明光形成部材は、前記第1パターンへ向かう照明光の角度分布を第1の角度分布にするための第1照明形状形成部材を有し、
前記第2照明光形成部材は、前記第2パターンへ向かう照明光の角度分布を第2の角度分布にするための第2照明形状形成部材を有することを特徴とする請求項14乃至請求項17の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記第1照明形状形成部材及び前記第2照明形状形成部材は、入射する照明光に対して回折作用を与える回折面を備えることを特徴とする請求項18記載の露光装置。
- 前記第1照明光形成部材は、前記第1パターンへ向かう照明光の偏光状態の分布を第1偏光状態にするための第1偏光部材を有し、
前記第2照明光形成部材は、前記第2パターンへ向かう照明光の偏光状態の分布を第2偏光状態にするための第2偏光部材を有することを特徴とする請求項14乃至請求項18の何れか一項に記載の露光装置。 - 請求項1乃至請求項7の何れか一項に記載の露光方法により露光を行なう露光装置または請求項14乃至請求項20の何れか一項に記載の露光装置を用いて所定のパターンを基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。 - 請求項1乃至請求項7の何れか一項に記載の露光方法により露光を行なう露光装置または請求項14乃至請求項20の何れか一項に記載の露光装置を用いて第1パターン及び第2パターンを基板上に重ね合わせて露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006180623 | 2006-06-30 | ||
JP2006180623 | 2006-06-30 | ||
PCT/JP2007/061611 WO2008001593A1 (fr) | 2006-06-30 | 2007-06-08 | PROCÉDÉ d'exposition, dispositif D'EXPOSITION, et procédé de fabrication de dispositif |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008001593A1 true JPWO2008001593A1 (ja) | 2009-11-26 |
Family
ID=38845361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008522384A Pending JPWO2008001593A1 (ja) | 2006-06-30 | 2007-06-08 | 露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090046266A1 (ja) |
EP (1) | EP2043133A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2008001593A1 (ja) |
KR (1) | KR20090033162A (ja) |
WO (1) | WO2008001593A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2009666A (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-23 | Asml Netherlands Bv | Reticle assembly, a lithographic apparatus, the use in a lithographic process, and a method to project two or more image fields in a single scanning movement of a lithographic process. |
US9581910B2 (en) | 2013-01-17 | 2017-02-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP6114952B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-04-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | リソグラフィによって感光性表面にパターンを転写する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05188576A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-07-30 | Gold Star Electron Co Ltd | 偏光子を用いた偏光露光装置及び偏光マスクの製造方法 |
JPH0794399A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH07201723A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH11111601A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JP2000021748A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2000021751A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2000021742A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2001297976A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP2002359176A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
WO2003088329A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
US20040263816A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006350351A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及び回路製造用のフォトリソグラフィ方法 |
JP2007201457A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6249335B1 (en) * | 1992-01-17 | 2001-06-19 | Nikon Corporation | Photo-mask and method of exposing and projection-exposing apparatus |
JPH05241324A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nikon Corp | フォトマスク及び露光方法 |
US6628370B1 (en) * | 1996-11-25 | 2003-09-30 | Mccullough Andrew W. | Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system |
JPH11274069A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Nikon Corp | 露光方法および装置 |
US6628372B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-09-30 | Mccullough Andrew W. | Use of multiple reticles in lithographic printing tools |
US6777143B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Multiple mask step and scan aligner |
JP4552428B2 (ja) | 2003-12-02 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4414875B2 (ja) | 2004-12-22 | 2010-02-10 | 矢崎総業株式会社 | 常時給電装置 |
KR100604941B1 (ko) * | 2005-06-15 | 2006-07-28 | 삼성전자주식회사 | 변형 조명을 구현하는 포토마스크, 제조방법 및 이를이용한 패턴 형성방법 |
-
2007
- 2007-06-08 KR KR1020087016472A patent/KR20090033162A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-06-08 WO PCT/JP2007/061611 patent/WO2008001593A1/ja active Application Filing
- 2007-06-08 JP JP2008522384A patent/JPWO2008001593A1/ja active Pending
- 2007-06-08 EP EP07744931A patent/EP2043133A4/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-09-11 US US12/208,870 patent/US20090046266A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05188576A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-07-30 | Gold Star Electron Co Ltd | 偏光子を用いた偏光露光装置及び偏光マスクの製造方法 |
JPH0794399A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH07201723A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH11111601A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JP2000021742A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2000021748A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2000021751A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP2001297976A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP2002359176A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
WO2003088329A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
US20040263816A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006350351A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及び回路製造用のフォトリソグラフィ方法 |
JP2007201457A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090046266A1 (en) | 2009-02-19 |
EP2043133A1 (en) | 2009-04-01 |
WO2008001593A1 (fr) | 2008-01-03 |
EP2043133A4 (en) | 2009-09-02 |
KR20090033162A (ko) | 2009-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5158439B2 (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
EP1837895B1 (en) | Optical integrator, illumination optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
CN103488056B (zh) | 照明光学装置的制造方法、照明方法、曝光方法和装置制造方法 | |
JP4998803B2 (ja) | 露光装置、デバイス製造方法、および露光方法 | |
JP2006196559A (ja) | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
US8223318B2 (en) | Illuminating optical apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method | |
JPWO2008001593A1 (ja) | 露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP4883482B2 (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
WO2011010560A1 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2008089941A (ja) | マスク、露光方法及び表示素子の製造方法 | |
JPWO2005062350A1 (ja) | 光束変換素子、露光装置、照明光学系及び露光方法 | |
JP4645271B2 (ja) | 投影光学系の製造方法、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2003178951A (ja) | 回折光学装置、屈折光学装置、照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
JP5604813B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2006108212A (ja) | 露光装置 | |
JP2006066429A (ja) | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
JP2008021767A (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2007158271A (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 | |
JP2004207389A (ja) | 照明光学装置、露光装置、露光方法、照明光学装置の調整方法、および露光装置の製造方法 | |
JP2008047745A (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2011009317A (ja) | オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100414 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120710 |