JPWO2006126569A1 - 露光方法及びリソグラフィシステム - Google Patents
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Abstract
Description
リソグラフィシステム110では、各投影露光装置100iの投影光学系PLでの結像特性を考慮して、各投影露光装置100iにおけるパターンの投影像の歪み(ディストーション)の計測及びその計測結果に基づく像歪みデータ(ディストーション・データ)の算出が定期的に行われている。各投影露光装置100iにおける投影像の歪みの計測は、テストレチクルを用いた露光と、露光が終了したウエハ上のレジスト像(転写像)の計測との2段階で行われる。
また、リソグラフィシステム110では、露光工程の終了時に各投影露光装置100i(i=1〜N)の主制御装置20とホスト160との間で通信が行われ、主制御装置20から露光終了の通知とともに対応する投影露光装置100iの露光履歴データがホスト160に送られ、さらにホスト160から情報集中サーバ130に送られ、情報集中サーバ130により、記憶装置140内のデータベースに登録されるようになっている。このデータベースを、露光履歴データベースという。その露光履歴データには、その工程の露光処理を行った装置名、工程名、処理日時、像歪み補正値、露光ID等の情報が含まれる。図3(B)には、露光履歴データベースから得られたロット履歴に基づいて、後述するように作成されるロット履歴リストの一例が示されている。
ウエハW上のショット領域は、プロセスプログラムのショットマップに従って、マトリクス状に形成されている。ウエハW上に形成された各ショット領域のショット中心を、隣接するショット領域間で直線で結んでいけば、2次元格子を描くことができるようになる。以下では、この2次元格子を、ウエハグリッドと呼ぶ。このウエハグリッドにより、ウエハ上に既に形成された複数のショット領域相互間の設計上の位置に対する位置誤差、いわゆるショット間誤差を表現することができる。その意味で、ショット領域自体の変形による誤差である、上述した投影像の歪みなどに起因するショット内誤差はこのショット間誤差から除かれる。
次に、上述のようにして構成された本実施形態のリソグラフィシステム110によるウエハWの露光プロセスの際の各部の動作について図4〜図7に基づいて説明する。図4には、ホスト160の処理アルゴリズムを示すフローチャートが示され、図5、図6、図7には、情報集中サーバ130の処理アルゴリズムを示すフローチャートが示されている。
このリソグラフィシステム110で露光対象となっているウエハWは、複数枚毎にグループ化されている。このグループをロットと呼ぶ。本実施形態では、説明を簡略化するため、リソグラフィシステム110では、ウエハWはロット単位で処理される。ホスト160は、リソグラフィシステム110で処理されるプロセスプログラム(製品別工程)が記述されたプロセスプログラムファイルを有している。本実施形態では、説明を簡略化するため、ロット毎に、プロセスプログラムファイルが用意されているものとし、各投影露光装置100iに設定される露光条件(露光ID)は1つのみであるものとして、説明を行う。このプロセスプログラムファイルは、ホスト160内の図示の記憶装置に格納されている。
図4のフローチャートで示される、ホスト160の処理アルゴリズムがスタートするのは、あるプロセスプログラムに対応する露光処理の準備が開始されたときである。なお、前提として、露光対象となっているロットのウエハWは、すでに1層以上の露光が完了しているウエハであるものとする。
一方、情報集中サーバ130では、上記の問い合わせ情報を受信すると、図5のフローチャートで示されるプログラムの処理(処理アルゴリズム)を開始する。
Claims (16)
- 感光物体上に対する重ね合わせ露光を階層的に行う露光方法であって、
既に露光された少なくとも2つの層の中から、次層の重ね合わせ露光に関する情報を得るための基準となる基準層を、重ね合わせの際の基準となる2次元直交座標系の軸毎に選択する選択工程を含み、
前記重ね合わせ露光に関する情報は、前記基準層の露光に用いられた投影露光装置における、その露光が行われた時点での投影像の歪み成分を含む露光方法。 - 請求項1に記載の露光方法において、
選択された基準層におけるパターン像の形成状態に関する情報に基づいて、投影露光装置の露光状態を前記軸毎に調整しつつ、次層の重ね合わせ露光を行う工程をさらに含む露光方法。 - 請求項1に記載の露光方法において、
前記選択工程では、
少なくとも1つの軸に対して、複数の基準層が選択された場合には、
前記複数の基準層の投影像の歪み成分の加重平均処理により、その軸の前記投影像の歪み成分を算出する露光方法。 - 請求項3に記載の露光方法において、
前記加重平均処理の重みを決定する基準が、
露光対象の層に対する前記基準層の位置関係と、パターン線幅の近似度、プロセスの類似度を含む露光方法。 - 感光物体上に対する重ね合わせ露光を階層的に行う露光方法であって、
既に露光された少なくとも2つの層の中から、次層の重ね合わせ露光に関する情報を得るための基準となる基準層を、重ね合わせの際の基準となる2次元直交座標系の軸毎に選択する選択工程を含み、
前記重ね合わせ露光に関する情報は、前記基準層の露光に用いられた投影露光装置における、前記感光物体上に複数の区画領域を形成する際のそれらの形成位置の基準に対する位置ずれ量の非線形成分を含む露光方法。 - 請求項5に記載の露光方法において、
選択された基準層におけるパターン像の形成状態に関する情報に基づいて、投影露光装置の露光状態を前記軸毎に調整しつつ、次層の重ね合わせ露光を行う工程をさらに含む露光方法。 - 請求項5に記載の露光方法において、
前記選択工程では、
少なくとも1つの軸に対して、複数の基準層が選択された場合には、
当該軸に対応する前記非線形成分を、前記複数の基準層の非線形成分の加重平均とする露光方法。 - 請求項7に記載の露光方法において、
前記加重平均処理の重みを決定する基準が、
露光対象の層に対する前記基準層の位置関係と、パターン線幅の近似度、プロセスの類似度を含む露光方法。 - 感光物体上に対する重ね合わせ露光を階層的に行うリソグラフィシステムであって、
複数の投影露光装置と;
該複数の投影露光装置のいずれかにより、既に露光された層のパターン像の形成状態に関する情報を格納する記憶装置と;
既に露光された少なくとも2つの層の中から、その層の露光に用いられた投影露光装置における、その露光が行われた時点での投影像の歪み成分を含む、次層の重ね合わせ露光に関する情報を得るための基準となる基準層を、重ね合わせの際の基準となる2次元直交座標系の軸毎に選択する第1選択装置と;
前記複数の投影露光装置の中から、次層の重ね合わせ露光を行う投影露光装置を選択する第2選択装置と;
前記選択された軸ごとの基準層での露光状態に関する情報に基づいて、前記選択された投影露光装置における次層の重ね合わせ露光に関する情報を算出する算出装置と;を備えるリソグラフィシステム。 - 請求項9に記載のリソグラフィシステムにおいて、
選択された基準層におけるパターン像の形成状態に関する情報に基づいて、投影露光装置の露光状態を前記軸毎に調整しつつ、次層の重ね合わせ露光を行う工程をさらに含むリソグラフィシステム。 - 請求項9に記載のリソグラフィシステムにおいて、
前記選択工程では、
少なくとも1つの軸に対して、複数の基準層が選択された場合には、
前記複数の基準層の投影像の歪み成分の加重平均処理により、その軸の前記投影像の歪み成分を算出するリソグラフィシステム。 - 請求項11に記載のリソグラフィシステムにおいて、
前記加重平均処理の重みを決定する基準が、
露光対象の層に対する前記基準層の位置関係と、パターン線幅の近似度、プロセスの類似度を含むリソグラフィシステム。 - 感光物体上に対する重ね合わせ露光を階層的に行うリソグラフィシステムであって、
複数の投影露光装置と;
該複数の投影露光装置のいずれかにより、既に露光された層のパターン像の形成状態に関する情報を格納する記憶装置と;
既に露光された少なくとも2つの層の中から、その層の重ね合わせ露光に用いられた投影露光装置における、前記感光物体上に複数の区画領域を形成する際のそれらの形成位置の基準に対する位置ずれ量の非線形成分を含む、次層の重ね合わせ露光に関する情報を得るための基準となる基準層を、重ね合わせの際の基準となる2次元直交座標系の軸毎に選択する第1選択装置と;
前記複数の投影露光装置の中から、次層の重ね合わせ露光を行う投影露光装置を選択する第2選択装置と;
前記選択された軸ごとの基準層での露光状態に関する情報に基づいて、前記選択された投影露光装置における次層の重ね合わせ露光に関する情報を算出する算出装置と;を備えるリソグラフィシステム。 - 請求項13に記載のリソグラフィシステムにおいて、
選択された基準層におけるパターン像の形成状態に関する情報に基づいて、投影露光装置の露光状態を前記軸毎に調整しつつ、次層の重ね合わせ露光を行う工程をさらに含むリソグラフィシステム。 - 請求項13に記載のリソグラフィシステムにおいて、
前記選択工程では、
少なくとも1つの軸に対して、複数の基準層が選択された場合には、
当該軸に対応する前記非線形成分を、前記複数の基準層の非線形成分の加重平均とするリソグラフィシステム。 - 請求項15に記載のリソグラフィシステムにおいて、
前記加重平均処理の重みを決定する基準が、
露光対象の層に対する前記基準層の位置関係と、パターン線幅の近似度、プロセスの類似度を含むリソグラフィシステム。
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