JPWO2006080207A1 - 蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

液相法によって蛍光体の前駆体を形成する前駆体形成工程と、前記前駆体を焼成することによって前記蛍光体を生成する焼成工程とを具備する蛍光体の製造方法において、前記焼成工程は、前記前駆体を不活性ガスの雰囲気下で焼成する複数の焼成工程によって構成されていることを特徴とする蛍光体の製造方法。

Description

本発明は、蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネルに係り、特に、複数の焼成工程を具備し、各焼成工程における所定の焼成条件で、蛍光体の前駆体を焼成する蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネルに関する。

近年、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）に代替する新たな映像表示方式を利用した表示装置として、液晶パネルを利用した液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）現象を利用したＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ：Plasma Display Panel）を利用したプラズマディスプレイ等が開発されている。

このうち、プラズマディスプレイは、薄型軽量化、構造の簡素化及び大画面化を図ることが可能であると共に、視覚可能な範囲、いわゆる視野角が、水平及び垂直方向ともそれぞれ１６０度以上に及ぶため、液晶パネルと比較すると、上下左右の広範囲から鮮明な画像を見ることも可能である。また、ドットマトリックスによる固定画素での映像表示方式であるため、色ズレの発生や、画面の歪みを抑制し、大画面であっても高画質映像を映しだすことも可能である。

このようなプラズマディスプレイに用いられるＰＤＰには、電極を備えた２枚のガラス基板と、基板間に設けられた隔壁とによって形成される多数の放電セルが具備されており、これら放電セルの内部には、蛍光体が塗布された蛍光体層が形成されている。このように構成されたＰＤＰは、電極間に電圧を印加して放電セルを選択的に放電させることによって、放電セルの内部に封入された放電ガスに起因する真空紫外線（以下、ＶＵＶ：Vacuum Ultraviolet）を発生させ、このＶＵＶにより、蛍光体が励起されて可視光を発光するようになっている。

上述した蛍光体の一般的な製造方法として、蛍光体母体を構成する元素を含む化合物と、賦活剤元素を含む化合物とを所定量混合した後に焼成して固体間反応を行う固相法と、蛍光体母体を構成する元素を含む蛍光体原料溶液と賦活剤元素を含む蛍光体原料溶液とを混合し、得られた蛍光体前駆体沈殿を固液分離してから焼成を行う液相法とが挙げられる。

しかし、液相法によって蛍光体を製造する場合、まず始めに、蛍光体の前駆体である沈殿物を生成させ、この前駆体を焼成することで蛍光体が得られるが、前駆体を沈殿させる媒体中に多くの不純物が混入するといった問題が生じている。これら不純物は、焼成処理の際に、完全に燃焼することが困難であるため、残存した不純物に伴って、発光強度の低下、蛍光体の変色及び焼成むら、スパッタリングによる蛍光体の損傷等といった問題が生じている。

そこで、製造安定性及び発光強度の向上を図ることが可能な蛍光体の製造方法として、第１焼成工程は酸素含有雰囲気下において、第２焼成工程は弱還元性雰囲気下において、それぞれ所定の焼成温度又は焼成時間で焼成を行うことにより、製造過程で発生する蛍光体の変色及び焼成むら等を抑制させる無機蛍光体の製造方法及び無機蛍光体が開発されている（例えば、特許文献１参照）。

また、発光強度の向上を図ることが可能な蛍光体の製造方法として、不活性ガス雰囲気下において、焼成温度を所定の範囲内に設定して焼成を行うことにより、所望のα−サイアロン系酸窒化物フォトルミネッセンスを容易に製造するサイアロン系酸窒化物蛍光体及びその製造方法が開発されている（例えば、特許文献２参照）。

しかしながら、上述した無機蛍光体の製造方法及び無機蛍光体の場合、各種焼成条件を変更することにより、蛍光体の変色及び焼成むら等を抑制することが可能であるが、スパッタリングによる蛍光体の損傷を低減させる点については、十分な効果が得られないといった問題が生じている。

また、十分な発光強度を維持しつつ、スパッタリングによる蛍光体の損傷を低減させることが可能な技術は、現状において、何ら開示されていない。
特開２００３−１８３６４３号公報 特開２００４−２３８５０６号公報

本発明の目的は、高い発光強度を維持しつつ、スパッタリングによる蛍光体の損傷を効率的に低減させることが可能な蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネルを提供することにある。

上記目的を達成するための本発明の態様の一つは、液相法によって蛍光体の前駆体を形成する前駆体形成工程と、前記前駆体を焼成することによって前記蛍光体を生成する焼成工程とを具備する蛍光体の製造方法において、前記焼成工程は、前記前駆体を不活性ガスの雰囲気下で焼成する複数の焼成工程によって構成されていることを特徴とする蛍光体の製造方法にある。

Ｙ字型反応装置を示す概念図である。 プラズマディスプレイパネルの構造を示す斜視図である。 他の放電セルの構造を示す斜視図である。 他の放電セルの構造を示す斜視図である。

本発明の上記目的は、以下の構成によって達成される。
（１）液相法によって蛍光体の前駆体を形成する前駆体形成工程と、前記前駆体を焼成することによって前記蛍光体を生成する焼成工程とを具備する蛍光体の製造方法において、前記焼成工程は、前記前駆体を不活性ガスの雰囲気下で焼成する複数の焼成工程によって構成されていることを特徴とする蛍光体の製造方法。
（２）前記複数の焼成工程における焼成温度は、１０００〜１４００℃であることを特徴とする前記（１）に記載の蛍光体の製造方法。
（３）第１の焼成工程における焼成時間は、３〜１０時間であることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の蛍光体の製造方法。
（４）第２の焼成工程以降の各焼成工程における焼成時間は、２〜５時間であることを特徴とする前記（１）から（３）のいずれか一項に記載の蛍光体の製造方法。
（５）前記（１）から（４）のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする蛍光体。
（６）前記（５）に記載の蛍光体を用いて製造された放電セルを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

前記（１）に記載の発明によれば、焼成工程が、前駆体を不活性ガスの雰囲気下で焼成する複数の焼成工程によって構成されているので、不活性ガス下で複数回の焼成処理を行うことにより、不純物又は副塩を効率的に燃焼させることが可能となり、これによって、焼成処理による蛍光体の変色又は焼成むらを防止することで、蛍光体及びプラズマディスプレイパネルにおける高い発光強度を維持しつつ、スパッタリング又はＶＵＶの照射による蛍光体本体の損傷を効率的に低減させることができる。

前記（２）に記載の発明によれば、複数の焼成工程における焼成温度が、１０００〜１４００℃であるので、各焼成工程における焼成温度を調整することにより、不純物又は副塩をより効率的に燃焼させることができる。

前記（３）に記載の発明によれば、第１の焼成工程における焼成時間が、３〜１０時間であるので、第１の焼成工程における焼成時間を調整することにより、不純物又は副塩をより効率的に燃焼させることができる。

前記（４）に記載の発明によれば、第２の焼成工程以降の各焼成工程における焼成時間が、２〜５時間であるので、第２の焼成工程以降の各焼成工程における焼成時間を調整することにより、不純物又は副塩をより効率的に燃焼させることができる。

前記（５）に記載の発明によれば、前記（１）から（４）のいずれか一項に記載の製造方法により製造されているので、製造過程において不純物又は副塩等が効率的に除去されることにより、化学量論的な純度の向上を図ることが可能となり、これによって、発光強度を維持しつつ、スパッタリングによる蛍光体の損傷の低減を図ることができる。

前記（６）に記載の発明によれば、前記（５）に記載の蛍光体を用いて製造された放電セルを有するので、放電セルの発光強度の向上を図ることが可能となり、これによって、ＰＤＰの発光強度の向上を図ることができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。

図１から図４を参照しながら、本発明に係る蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにプラズマディスプレイパネルについてそれぞれ説明する。

まず始めに、蛍光体について説明する。

本実施形態における蛍光体は、表面層付近の組成により発光強度の影響を特に受けやすい真空紫外線励起蛍光体（以下、蛍光体）であって、前駆体形成工程を経た後、不活性ガス雰囲気で調整された複数の焼成工程において、所定の条件下で焼成されている。これによって、脱塩処理後に反応しない余剰の不純物や、反応によって生ずる副塩等が残留した場合であっても、不純物又は副塩等が均一かつ確実に燃焼されることによって、不純物又副塩等が除去され、蛍光体が効率的にＶＵＶを受光することにより、高い発光強度を維持しつつ、スパッタリングによる蛍光体の損傷の低減を図ることができる。

このような蛍光体に使用される無機蛍光体は、大別して青色発光蛍光体化合物、緑色発光蛍光体化合物及び赤色発光蛍光体化合物の計３種類が挙げられる。

以下、各蛍光体化合物の具体的な化合物例を示す。

[青色発光蛍光体化合物]
（ＢＬ−１）：Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ^４＋
（ＢＬ−２）：Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−３）：ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−４）：ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋
（ＢＬ−５）：ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋
（ＢＬ−６）：（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−７）：（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−８）：ＺｎＳ：Ａｇ
（ＢＬ−９）：ＣａＷＯ_４
（ＢＬ−１０）：Ｙ₂ＳｉＯ_５：Ｃｅ
（ＢＬ−１１）：ＺｎＳ：Ａｇ，Ｇａ，Ｃｌ
（ＢＬ−１２）：Ｃａ_２Ｂ_５Ｏ_９Ｃｌ：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−１３）：ＢａＭｇＡｌ_１４Ｏ_２３：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−１４）：ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋，Ｔｂ^３＋，Ｓｍ^２＋
（ＢＬ−１５）：ＢａＭｇＡｌ_１４Ｏ_２３：Ｓｍ^２＋
（ＢＬ−１６）：Ｂａ_２Ｍｇ_２Ａｌ_１２Ｏ_２２：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−１７）：Ｂａ_２Ｍｇ_４Ａｌ_８Ｏ_１８：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−１８）：Ｂａ_３Ｍｇ_５Ａｌ_１８Ｏ_３５：Ｅｕ^２＋
（ＢＬ−１９）：（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋
［緑色発光蛍光体化合物］
（ＧＬ−１）：（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋
（ＧＬ−２）：Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋
（ＧＬ−３）：（Ｓｒ，Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋
（ＧＬ−４）：（Ｂａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋
（ＧＬ−５）：Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋
（ＧＬ−６）：Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７−Ｓｒ_２Ｂ_２Ｏ_５：Ｅｕ^２＋
（ＧＬ−７）：（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋
（ＧＬ−８）：Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８−２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ^２＋
（ＧＬ−９）：Ｚｒ_２ＳｉＯ_４，ＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋
（ＧＬ−１０）：Ｂａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋
（ＧＬ−１１）：ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ
（ＧＬ−１２）：（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ
（ＧＬ−１３）：ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ
（ＧＬ−１４）：Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ^２＋
（ＧＬ−１５）：ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ
（ＧＬ−１６）：（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ
（ＧＬ−１７）：ＺｎＳ：Ｃｕ
（ＧＬ−１８）：Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ
（ＧＬ−１９）：Ｌａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ
（ＧＬ−２０）：Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ，Ｔｂ
（ＧＬ−２１）：Ｚｎ_２ＧｅＯ_４：Ｍｎ
（ＧＬ−２２）：ＣｅＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｔｂ
（ＧＬ−２３）：ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ^２＋
（ＧＬ−２４）：ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｏ
（ＧＬ−２５）：ＭｇＯ・ｎＢ_２Ｏ_３：Ｃｅ，Ｔｂ
（ＧＬ−２６）：ＬａＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ
（ＧＬ−２７）：Ｌａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ
（ＧＬ−２８）：ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ^２＋，Ｔｂ^３＋，Ｓｍ^２＋
［赤色発光蛍光体化合物］
（ＲＬ−１）：Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−２）：（Ｂａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−３）：Ｃａ_２Ｙ_８（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−４）：ＬｉＹ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−５）：（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−６）：（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−７）：ＹＶＯ_４：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−８）：ＹＶＯ_４：Ｅｕ^３＋，Ｂｉ^３＋
（ＲＬ−９）：ＣａＳ：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−１０）：Ｙ_２Ｏ_３：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−１１）：３．５ＭｇＯ，０．５ＭｇＦ_２ＧｅＯ_２：Ｍｎ
（ＲＬ−１２）：ＹＡｌＯ_３：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−１３）：ＹＢＯ_３：Ｅｕ^３＋
（ＲＬ−１４）：（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ_３：Ｅｕ^３＋
なお、本発明に係る蛍光体には、上記した（ＧＬ−１４）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ^２＋が用いられることが好ましい。

次に、上述した蛍光体の製造方法について説明する。

本実施形態における蛍光体の製造方法は、蛍光体の前駆体を形成する前駆体形成工程と、前駆体形成工程により得られた前駆体を焼成して蛍光体粒子を得る焼成工程と、焼成工程において得られた蛍光体粒子の表面にエッチング処理を施して不純物等を除去する表面処理工程とから構成されている。

以下、各工程の詳細について、それぞれ説明する。

まず始めに、前駆体形成工程について説明する。

前駆体形成工程においては、蛍光体の中間生成物である前駆体が合成され、後続の焼成工程において、前駆体が所定の温度で焼成されることにより、蛍光体粒子が得られる。

なお、上述した前駆体は、液相法により合成されることが好ましい。ここで、液相法とは、液体の存在下又は液中で前駆体を合成する方法のことであり、液相合成法とも呼ばれる。液相法では、蛍光体原料を液相中で反応させるので、蛍光体を構成する元素イオン間での反応が行われ、化学量論的に高純度な蛍光体が得られ易い。また、固相間反応と粉砕工程とを繰り返し行いながら蛍光体を製造する固相法と比較して、粉砕工程を行わずに微少な粒径の粒子を得ることが可能であるため、粉砕時にかかる応力による結晶中の格子欠陥を防ぎ、発光効率の低下を防止することができる。

また、本実施形態における液相法には、冷却晶析を代表とする一般的な晶析法や、ゾルゲル法が用いられるが、特に反応晶析法を好ましく用いることができる。

ゾルゲル法による無機蛍光体の前駆体の製造方法とは、一般的には母体、賦活剤又は共賦活剤として、例えばＳｉ（ＯＣＨ_３）_４や、Ｅｕ^３＋（ＣＨ_３ＣＯＣＨＣＯＣＨ_３）_３等の金属アルコキシド、Ａｌ（ＯＣ_４Ｈ_９）_３の２−ブタノール溶液に金属マグネシウムを加えて作るＭｇ［Ａｌ（ＯＣ_４Ｈ_９）_３］_２等の金属錯体又はそれらの有機溶媒溶液に金属単体を加えて作るダブルアルコキシド、金属ハロゲン化物、有機酸の金属塩又は金属単体を用いて、これらを必要量混合し、熱的又は化学的に重縮合することによる製造方法をいう。

反応晶析法による無機蛍光体の前駆体の製造方法とは、晶析現象を利用して、蛍光体の原料となる元素を含む溶液若しくは原料ガスを、液相又は気相中で混合させることによって前駆体を作製する方法のことである。ここで、晶析現象とは、冷却、蒸発、ｐＨ調節、濃縮等による物理的若しくは化学的な環境の変化、または化学反応により混合系の状態に変化を生じる場合等に液相中から固相が析出してくる現象のことをいい、反応晶析法においては、このような晶析現象の発生に起因する物理的、化学的操作による製造方法をいう。

なお、反応晶析法を適用する際の溶媒は、反応原料が溶解すれば何れの溶液も適用可能であるが、過飽和度に対する制御の容易性の観点から、水が好ましい。また、複数の反応原料を用いる場合、原料を添加する順序は、同時であっても異なっていてもよく、活性に応じて適切な順序を適宜選択することが可能である。

さらに、前駆体の形成においては、より微少で粒径分布の狭い蛍光体を製造するために、反応晶析法を含め、２液以上の原料溶液を保護コロイドの存在下で貧溶媒中に液中添加することが好ましい。また、蛍光体の種類により、反応中の温度、添加速度、撹拌速度及びｐＨ等、諸物性を調整することがより好ましく、反応中に超音波を照射してもよい。さらに、粒径制御のために、界面活性剤や、ポリマー等を添加してもよい。

併せて、原料を添加し終えた時点において、必要に応じて溶液に濃縮又は熟成処理の何れか一の処理を施すことも好ましい態様の１つである。

本実施形態における反応晶析法には、図１に示すように、具備された複数の流路の形態が、平面視においてＹ字型となる、いわゆるＹ字型反応装置１が適用可能である。このうち、Ｙ字型反応装置１には、一の蛍光体原料溶液Ａが貯留される第１タンク２と、他の蛍光体原料溶液Ｂが貯留される第２タンク３とが備えられており、第１タンク２及び第２タンク３には、第１流路４及び第２流路５の一端がそれぞれ接続されている。これら第１流路４及び第２流路５の中途部には、各蛍光体原料溶液Ａ，Ｂを供給するためのポンプＰ１，Ｐ２がそれぞれ設けられている。また、各流路４，５の他端は、接続部Ｃを介して第３流路６が接続されており、接続部Ｃにおいて、各流路４，５を介して連続的に供給される蛍光体原料溶液Ａ，Ｂが衝突及び混合されるようになっている。

第３流路６の吐出口の下方には、熟成用容器７が設置されており、混合後の混合溶液が連続的に供給するようになっている。また、熟成用容器７には、内部に貯留される混合溶液を撹拌するための撹拌翼８が具備され、この撹拌翼８は、回転動力源である駆動装置９と接続されている。

なお、使用される反応装置は、Ｙ字型反応装置１に限定されず、流路の形態のみが相違し、平面視においてＴ字型となる、いわゆるＴ字型製造装置であってもよい。

また、上述した保護コロイドは、微粒子化した前駆体粒子同士の凝集を防ぐために機能するものであり、天然又は人工を問わず、各種高分子化合物が適用可能であるが、特に、タンパク質を好適に適用可能である。

なお、タンパク質としては、例えば、ゼラチン、水溶性タンパク質、水溶性糖タンパク質が挙げられる。具体的には、アルブミン、卵白アルブミン、カゼイン、大豆タンパク、合成タンパク質、遺伝子工学的に合成されたタンパク質等が挙げられる。

また、ゼラチンとしては、例えば、石灰処理ゼラチン、酸処理ゼラチン等が挙げられ、これらを併用してもよい。さらに、これらのゼラチンの加水分解物、これらのゼラチンの酵素分解物を用いてもよい。

さらに、保護コロイドは、単一の組成である必要はなく、各種バインダを混合してもよい。具体的には、例えば、上記したゼラチンと、他の高分子とのグラフトポリマーが適用可能である。

なお、保護コロイドの平均分子量は、１０，０００以上であることが好ましく、１０，０００〜３００，０００であることがより好ましく、１０，０００〜３０，０００であることが特に好ましい。また、保護コロイドは、原料溶液の一つ以上に添加することができ、原料溶液の全てに添加してもよく、保護コロイドを添加する量や、反応液の添加速度により、前駆体の粒径を制御することができる。

また、焼成後の蛍光体粒子の粒径、粒径分布、発光特性等の蛍光体の諸特性は、前駆体の性状に大きく左右されるため、前駆体形成工程において、前駆体の粒径制御を行うことにより、前駆体を十分小さくすることが好ましい。また、前駆体を微粒子化すると、前駆体同士の凝集が起こり易くなるため、保護コロイドを添加することにより前駆体同士の凝集を防いだ上で、前駆体を合成することは極めて有効であり、粒径制御が容易になる。なお、保護コロイドの存在下で反応を行う場合には、前駆体の粒径分布の制御や副塩等の不純物排除に十分配慮することが必要である。

上述した前駆体形成工程において、粒径制御等が適宜行われ、前駆体が合成された後、必要に応じて、濾過、蒸発乾固、遠心分離等の方法によって前駆体を回収し、洗浄工程や、脱塩工程が行われることが好ましい。

脱塩工程は、前駆体から副塩などの不純物を取り除くための工程であり、各種膜分離法、凝集沈降法、電気透析法、イオン交換樹脂を用いた方法、ヌーデル水洗法、限外濾過膜を用いた方法等が適用可能である。

なお、脱塩工程の時期は、本実施形態に限定されず、前駆体形成終了直後に行われてもよいし、原料の反応具合に応じて、複数回の脱塩工程が行われてもよい。

また、脱塩工程後、さらに乾燥工程が行われてもよい。乾燥工程は、脱塩工程後に行われることが好ましく、真空乾燥、気流乾燥、流動層乾燥、噴霧乾燥等の何れの方法も適用可能である。乾燥温度は、特に限定されるものではないが、使用される溶媒が気化する温度付近以上の温度であることが好ましく、乾燥温度が高過ぎると、乾燥と同時に焼成が施されて、後続の焼成処理が行われることなく蛍光体が得られるため、５０〜３００℃の範囲であることがより好ましい。

次に、焼成工程について説明する。

希土類ホウ酸塩蛍光体、珪酸塩蛍光体及びアルミン酸蛍光体等の本発明に係る蛍光体は、各々の前駆体に対して複数回の焼成処理を実施することにより得られる。

以下、焼成処理における条件（以下、焼成条件）について説明する。

焼成条件としては、焼成雰囲気、焼成温度、焼成回数及び焼成時間が挙げられる。

このうち、焼成雰囲気は、不活性ガス雰囲気であり、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下であることが好ましく、酸素濃度が１０ｐｐｍ以下であることがより好ましい。

また、水素濃度が１％以下であって、残りの成分は窒素であることが好ましく、窒素濃度が１００％以下であることがより好ましい。

焼成温度としては、焼成装置における装置内部を不活性ガス雰囲気に置換した後に、１０００〜１４００℃の範囲内で保持されることが好ましく、１１００〜１３００℃の範囲内で保持されることがより好ましい。

焼成時間としては、第１焼成工程においては、一定温度で３〜１０時間の範囲内で保持されることが好ましく、６〜９時間の範囲内で保持されることがより好ましい。一方、第２焼成工程以降の各焼成工程においては、一定温度で２〜５時間の範囲内で保持されることが好ましく、２〜３時間の範囲内で保持されることがより好ましい。

焼成装置又は焼成容器には、公知の装置又は容器を使用することができる。例えば、箱型炉、坩堝炉、円柱管型、ボート型、ロータリーキルン等が好ましく用いられる。

また、焼成処理時には、必要に応じて焼結防止剤が添加されてもよい。焼結防止剤が添加される場合においては、前駆体形成時にスラリーとして添加されてもよく、また、粉状の焼結防止剤を乾燥済前駆体と混合して焼成されてもよい。

焼結防止剤は、特に限定されるものではないが、蛍光体の種類、焼成条件によって適宜選択することが可能である。例えば、蛍光体の焼成温度域によって８００℃以下における焼成には、ＴｉＯ₂等の金属酸化物が、１０００℃以下での焼成には、ＳｉＯ₂が、１７００℃以下での焼成には、Ａｌ₂Ｏ₃が、それぞれ好適に使用可能である。したがって、本発明においては、Ａｌ₂Ｏ₃を使用することが好ましい。

なお、本実施形態における焼成工程は、複数の焼成工程によって構成されているが、２以上４以下の工数で構成されていることが好ましく、３以下の工数で構成されていることがより好ましい。

ここで、１回の焼成工程とは、室温（２５±３℃）から所定の温度までの加熱処理、所定の温度における保持、所定の温度から室温への冷却処理からなる１サイクルの工程のことを示している。

なお、冷却処理の方法としては、特に限定されるものではないが、公知の冷却方法の中から適宜選択することが可能であり、例えば、放置によって温度を低下させる方法や、冷却機を用いて温度制御することで強制的に温度低下させる方法等、何れの方法であってもよい。

また、冷却処理が完了した後、焼成装置の内部に大気雰囲気を導入し、改めて不活性ガス雰囲気を導入して、後続の焼成工程へと進行するようになっていてもよい。

さらに、必要に応じて焼成の後に還元処理又は酸化処理等が施されてもよい。また、焼成工程後、表面処理工程、分散工程等が具備されていてもよく、分級工程が具備されていてもよい。以下、各処理工程の詳細について、それぞれ説明する。

まず始めに、表面処理工程について説明する。

表面処理工程では、種々の目的で吸着又は被覆等の表面処理が行われる。このような表面処理は、目的によって実行時期が異なり、実行時期を適宜適切に選択することで、その効果がより顕著に現れることが確認されている。例えば、分散工程前の何れかの時点において、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎから選択される少なくとも１種の元素を含有する酸化物で蛍光体の表面を被覆すると、分散処理時における蛍光体の結晶性の低下を抑制することが可能であり、さらに蛍光体の表面欠陥に励起エネルギーが捕獲されることを防止することにより、発光強度の低下を抑制できる。また、分散工程後の何れかの時点において、有機高分子化合物等によって蛍光体の表面が被覆されると、耐候性等の特性が向上し、耐久性に優れた蛍光体を得ることができる。これら表面処理を施す際における被覆層の厚さや、被覆率等は、適宜任意に制御することができる。

次に、分散工程について説明する。

上述した焼成工程において得られる蛍光体粒子に対しては、以下のような分散処理を施すことが好ましい。

分散処理方法としては、例えば、高速攪拌型のインペラー型の分散機、コロイドミル、ローラーミル、また、ボールミル、振動ボールミル、アトライタミル、遊星ボールミル、サンドミルなど媒体メディアを装置内で運動させてその衝突（ｃｒｕｓｈ）及び剪断力の両方により微粒化するもの、またはカッターミル、ハンマーミル、ジェットミル等の乾式型分散機、超音波分散機、高圧ホモジナイザー等が挙げられる。

このうち、本実施形態においては、特に、媒体（メディア）を使用する湿式メディア型分散機が使用されることが好ましく、連続的な分散処理が可能な連続式湿式メディア型分散機が使用されることがより好ましい。また、複数の連続式湿式メディア型分散機を直列に接続する態様等も適用できる。ここで、「連続的に分散処理が可能」とは、少なくとも蛍光体及び分散媒体を、時間当たり一定の量比で途切れることなく分散機に供給しながら分散処理すると同時に、前記分散機内で製造された分散物を供給に押し出される形で途切れることなく分散機より吐出する形態を指す。蛍光体の製造方法で分散処理工程として媒体（メディア）を使用する湿式メディア型分散機を用いる場合、その分散室容器（ベッセル）は縦型でも横型でも適宜選択することが可能である。

最後に、エッチング工程について説明する。

本実施形態における蛍光体には、電界発光型蛍光体のように、表面の凸部により発光強度を向上させるという役割がないため、蛍光体粒子を蛍光体層に密に充填するという観点及び蛍光体粒子に表面に対して均一にエッチング処理を施すという観点から、粒子表面における凸部が少ない、または凸部がない蛍光体粒子に対してエッチング処理を施すことが好ましい。

なお、蛍光体粒子の表面の不純物に応じて適宜選択することが可能であり、例えば、微粒子や、イオンスパッタ等により、表面を削る物理的な方法であってもよいが、エッチング液に蛍光体粒子を浸して表面の不純物等を溶解する等の化学的な方法が効果的である。この際、エッチング溶液が蛍光体粒子本体を侵食すると発光強度は低くなってしまうため、エッチングは注意深く行う必要がある。

また、エッチング溶液の種類は、不純物等に応じて決定され、酸性若しくはアルカリ性であってもよく、水溶液若しくは有機溶剤であってもよい。この際、酸性の水溶液を用いた場合には、効果が顕著に現れるため、特に強酸が用いられることが好ましい。

なお、強酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸、過塩素酸等が適用可能であるが、塩酸、硝酸、硫酸が好ましく、塩酸が特に好ましい。

また、エッチング処理が施された後に、水洗処理等を行い、エッチング液を除去することが好ましい。

次に、図２から図４を参照しながら、上述した蛍光体を利用したＰＤＰについて説明する。

一般的に、ＰＤＰは、電極の構造及び動作モードから、直流電圧を印加するＤＣ型と、交流電圧を印加するＡＣ型とに大別されるが、本実施形態では、図２に示すようなＡＣ型のＰＤＰを参照しながら、詳細について説明する。

本実施形態におけるＰＤＰ１０１は、図２に示すように、平板状に成型された前面板１０２と、前面板１０２と略同一形状であって、前面板１０２の一面と対向する位置に配置された背面板１０３とを備えて構成されている。これら基板１０２，１０３のうち、前面板１０２は、放電セルから発せられる可視光を透過し、基板上に各種の情報表示を行うようになっており、ＰＤＰ１０１の表示画面として機能する。

この前面板１０２には、ソーダライムガラス、いわゆる青板ガラス等の可視光を透過する材料が好適に用いられ、その厚さ寸法は、１〜８ｍｍの範囲が好ましく、２ｍｍであることがより好ましい。

また、前面板１０２には、前面板１０２の背面板１０３と対向する面に複数の表示電極１０４が、一定の間隔毎に配置されている。これら表示電極１０４には、幅広の帯状に形成された透明電極１０５と、透明電極１０５と同一形状に形成されたバス電極１０６とが備えられ、透明電極１０５の上面に、バス電極１０６が積層された構造となっている。

表示電極１０４は、平面視において隔壁１１２と直交しており、所定の放電ギャップを設けて対向する位置関係に配置された２つで一組となっている。

透明電極１０５としては、ネサ膜等の透明電極が適用可能であり、そのシート抵抗は、１００Ω以下であることが好ましい。また、透明電極５の幅寸法は、１０〜２００μｍの範囲が好ましい。

バス電極１０６は、抵抗を下げるためのものであり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒのスパッタリング等により形成される。また、バス電極１０６の幅寸法は、透明電極１０５よりも小さく形成されており、５〜５０μｍの範囲が好ましい。

前面板１０２に配設された表示電極１０４は、その表面全体が誘電体層１０７により被覆されている。この誘電体層７は、低融点ガラス等の誘電物質から形成することが可能であり、厚さ寸法は、２０〜３０μｍの範囲が好ましい。

誘電体層１０７の上面は、その表面全体が保護層１０８により被覆されている。この保護層１０８は、ＭｇＯ膜が適用可能であり、その厚さ寸法は、０．５〜５０μｍの範囲が好ましい。

一方、前面板１０２の一面と対向する位置に配置された背面板１０３は、前面板１０２と同様に、ソーダライムガラス、いわゆる青板ガラス等が適用可能であり、その厚さ寸法は、１〜８ｍｍの範囲が好ましく、２ｍｍ程度がより好ましい。

この背面板１０３の前面板１０２と対向する面には、複数のアドレス電極１０９が配設されている。これらアドレス電極１０９は、透明電極１０５及びバス電極１０６と同一の形状に形成されており、平面視において、上記した表示電極１０４と直交するように、一定の間隔毎に設けられている。また、アドレス電極１０９は、Ａｇ厚膜電極等の金属電極が適用可能であり、その幅寸法は、１００〜２００μｍの範囲が好ましい。

さらに、アドレス電極１０９は、その表面全体が誘電体層１１０により被覆されており、この誘電体層１１０は、低融点ガラス等の誘電物質から形成することが可能であり、その厚さ寸法は、２０〜３０μｍの範囲が好ましい。

誘電体層１１０の上面には、背面板３に対して垂直方向に突出した形状の隔壁１１１が配設されている。これら隔壁１１１は、長尺に形成されており、アドレス電極１０９の両側であって、隣接する隔壁１１１の長手方向が互いに平行となるように配置されている。また、隔壁１１１により、所定形状に区画された複数の微少放電空間（以下、放電セル１１２）は、平面視において、ストライプ状に形成されている。

隔壁１１１は、低融点ガラス等の誘電物質から形成することが可能であり、その幅寸法は、１０〜５００μｍの範囲が好ましく、１００μｍ程度がより好ましい。また、隔壁１１１の高さ寸法は、通常１０〜１００μｍの範囲であり、５０μｍ程度が好ましい。

本実施形態における放電セル１１２は、前面板１０２及び背面板１０３が水平に配置されたときに、隔壁１１１が所定の間隔毎に平行に、すなわちストライプ状に配設されていることから、ストライプ型と呼ばれている。

なお、放電セルの構造は、このようなストライプ型のものに限定されるものではなく、図３に示すように、隔壁１１３を平面視において格子状に設けた格子型の放電セル１１４であってもよいし、図４に示すように、互いに対象な屈曲した一組の隔壁１１５によりハニカム状（八角形状）の放電セル１１６であってもよい。

各放電セル１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂには、本実施例において製造された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかに発光する蛍光体から構成された蛍光体層１１７Ｒ，１１７Ｇ，１１７Ｂのいずれかが一定の順序で設けられている。また、各放電セル１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの内部中空には、放電ガスが封入されており、平面視において、表示電極１０４と、アドレス電極１０９とが交差する点が少なくとも一つ設けられている。さらに、各蛍光体層１１７Ｒ，１１７Ｇ，１１７Ｂの厚さ寸法は、特に限定されず、５〜５０μｍの範囲が好ましい。

各蛍光体層１１７Ｒ，１１７Ｇ，１１７Ｂは、隔壁の側面や、底面に形成されている。これら蛍光体層１１７Ｒ，１１７Ｇ，１１７Ｂは、まず始めに、上記した蛍光体をバインダ、溶剤、分散剤などの混合物に分散させることで蛍光体ペーストが作製される。そして、これら蛍光体ペーストが適度な粘度に調整され、対応する各放電セル１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂに塗布又は充填されて、最後に乾燥又は焼成されることにより形成されている。

なお、蛍光体ペーストの調整は、従来公知の方法により行うことが可能である。また、蛍光体ペーストを放電セル１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂに塗布又は充填する方法としては、スクリーン印刷法、フォトレジストフィルム法、インクジェット法など種々の方法が適用可能である。

上述した構成からなるＰＤＰ１０１は、表示に際して、アドレス電極１０９と、一組の表示電極１０４，１０４のうちいずれか一方の表示電極１０４との間で選択的にトリガー放電を行わせることにより、表示を行う放電セルが選択される。その後、選択された放電セルの内部において、一組の表示電極１０４，１０４の間でサステイン放電を行わせることにより、放電ガスに起因する紫外線を生じさせ、蛍光体層１１７Ｒ，１１７Ｇ，１１７Ｂから可視光を生じさせるようになっている。

以上より、本実施形態におけるＰＤＰ１は、上述した蛍光体を用いて製造された放電セル１１２を有するので、放電セル１１２の発光強度の向上を図ることが可能となり、これによって、ＰＤＰ１の発光強度の向上を図ることができる。

次に、蛍光体の製造方法及び蛍光体の実施例について説明する。
［実施例１］
本実施例では、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ^２＋を原料に用いた緑色蛍光体の前駆体を合成し、得られた前駆体を異なる条件下で焼成することにより、蛍光体１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０を得て、これら蛍光体１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０における蛍光体ダメージの受けやすさの代替評価としてスパッタリング処理前後の相対発光強度に基づいて評価を行った。

まず始めに、前駆体の合成方法について説明する。 二酸化ケイ素４５ｇが含有されたコロイダルシリカ（扶桑化学工業株式会社製：ＰＬ−３）と、濃度２８％アンモニア水２１９ｇと、純水とを混合させ、液量を１５００ｃｃに調整したものをＡ液とした。

また、硝酸亜鉛６水和物（関東化学株式会社製：純度９９．０％）４２４ｇと、硝酸マンガン６水和物（関東化学株式会社製：純度９８．０％）２１．５ｇとを純水に溶解させて、液量を１５００ｃｃに調整したものをＢ液とした。

上述したＡ液及びＢ液を、図１に示すように、Ｙ字型反応装置１の各タンク２，３にそれぞれ貯留させ、４０℃の温度で保温した。そして、これらＡ液及びＢ液を、ポンプＰ１，Ｐ２により、それぞれ１２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で熟成用容器７に供給して、反応により得られた沈殿物を純水で希釈した。その後、加圧濾過によって固液分離し、さらに１００℃の温度で１２時間乾燥させることにより、乾燥済み前駆体が得られた。

次に、得られた乾燥済み前駆体を、第１焼成工程において、焼成雰囲気のみを窒素１００％雰囲気と、酸素２０％含有雰囲気とに相違させて、１２４０℃の温度で５時間焼成することにより、蛍光体１、２がそれぞれ得られた。

そして、得られた蛍光体１を、第２焼成工程において、窒素１００％雰囲気下で、１２４０℃の温度で５時間焼成することにより、蛍光体３が得られた。さらに、得られた蛍光体３を、第３焼成工程において、第２焼成工程と同様の条件下で、再度焼成することにより、蛍光体４が得られた。

一方、蛍光体１を、第２焼成工程において、酸素２０％含有雰囲気下で、１２４０℃の温度で５時間焼成することにより、蛍光体５が得られた。さらに、得られた蛍光体５を、第３焼成工程において、第２焼成工程と同様の条件下で、再度焼成することにより、蛍光体６が得られた。

また、得られた蛍光体２を、第２焼成工程において、酸素２０％含有雰囲気下で、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体７が得られた。さらに、得られた蛍光体７を、第３焼成工程において、第２焼成工程と同様の条件下で、再度焼成することにより、蛍光体８が得られた。

一方、蛍光体２を、第２焼成工程において、窒素１００％雰囲気下で、１２４０℃の温度で５時間焼成することにより、蛍光体９が得られた。さらに、得られた蛍光体９を、第３焼成工程において、第２焼成工程と同様の条件下で、再度焼成することにより、蛍光体１０が得られた。

ここで、得られた蛍光体１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０の焼成条件について、表１にまとめて示した。

続いて、上述した蛍光体１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０に、等量の純水を加え、ポットミルによる解砕及び分散処理を行った。その後、微小粒子及び巨大粒子を除去するために、篩による分級処理が行われ、蛍光体分散溶液が得られた。

そして、分級後の蛍光体分散溶液を４０℃に保温しながら、蛍光体１ｇ当たり０．００２モルの２Ｎ塩酸を添加して２０分間攪拌し、純水による洗浄処理を行った後、１００℃の温度で１２時間乾燥させて、一連の蛍光体の製造工程が完了した。

次に、蛍光体の評価方法について説明する。

蛍光体の評価は、スパッタリング前及びスパッタリング後のそれぞれにおける相対発光強度に基づいて算出されるスパッタリング維持率を指標に用いて行った。以下、スパッタリング維持率の算出方法の詳細について説明する。

得られた蛍光体１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０を、０．１〜１．５Ｐａの真空槽の内部に導入し、エキシマ１４６ｎｍランプ（ウシオ電機社製）を用いてＶＵＶを照射させた。そして、照射によって得られた緑色光のピーク強度を、検出器（大塚電子株式会社製：ＭＣＰＤ−３０００）を用いて測定し、蛍光体１の発光強度を１００とした時の相対値である相対発光強度を算出し、「相対発光強度」として、表２に示した。

次に、得られた蛍光体１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０を、スパッタリング装置（サンユー電子株式会社製：ＳＣ−７０１）におけるアルゴンガス１００％で満たされた放電空間の内部に導入し、１ｍＡの電流を導通させることで、１５分間放電し、スパッタリングを行った。そして、上述した方法により、相対発光強度を算出し「スパッタリング後の相対発光強度」とした。

さらに、上述した「スパッタリング後の相対発光強度」を、最初に測定した「相対発光強度」で除し、百分率に換算した値を「スパッタリング維持率（％）」として、表２に示した。このスパッタリング維持率は、数値が高いほど、発光強度の低減が抑制されている、すなわち、蛍光体がＶＵＶやイオン、電子によるダメージを受けにくいことになる。

その結果、窒素１００％雰囲気下において、１回のみの焼成処理が施された蛍光体１と、同一の雰囲気下において、２回及び３回の焼成処理が施された蛍光体３，４とを比較すると、蛍光体１に対して、蛍光体３，４の方が相対発光強度及びスパッタリング維持率共に高いことが判明した。

また、これら蛍光体３，４を、第２焼成工程の焼成雰囲気のみを酸素２０％含有雰囲気に変更して得られた蛍光体５と、第２及び第３焼成工程の焼成雰囲気を酸素２０％含有雰囲気にそれぞれ変更して得られた蛍光体６と比較すると、蛍光体５，６に対して蛍光体３，４の方が相対発光強度及びスパッタリング維持率共に高いことが判明した。

一方、酸素２０％含有雰囲気下において、１回のみの焼成処理が施された蛍光体２と、同一の雰囲気下において、２回及び３回の焼成処理が施された蛍光体７，８とは、上述した蛍光体３，４と比較すると、相対発光強度及びスパッタリング維持率共に低い値を示した。

また、蛍光体２を、第２焼成工程の焼成雰囲気のみを窒素１００％雰囲気に変更して得られた蛍光体９、並びに第２及び第３焼成工程の焼成雰囲気を窒素１００％雰囲気にそれぞれ変更して得られた蛍光体１０と比較すると、蛍光体２に対して、蛍光体９，１０の方が相対発光強度は高いが、上述した蛍光体３，４と比較すると、蛍光体９，１０に対して、蛍光体３，４の方が相対発光強度及びスパッタリング維持率共に高い値を示した。

これら結果より、一の焼成工程を経て得られた蛍光体１や、何れかの焼成工程において酸素含有雰囲気下で焼成された蛍光体２，５，６，７，８，９，１０は、第１及び第２焼成工程において窒素１００％雰囲気下で焼成した蛍光体３や、第１、第２及び第３焼成工程において窒素１００％雰囲気下で焼成した蛍光体４と比較すると、相対発光強度及びスパッタリング維持率共に顕著に低い値を示していることより、焼成工程が、前駆体を窒素１００％雰囲気、すなわち不活性ガス雰囲気下で焼成する複数の焼成工程によって構成されていることで、所望の蛍光体が得られることが判明した。
［実施例２］
次に、実施例１で得られた前駆体１を、焼成温度のみを９００℃と、１２４０℃とに相違させて、窒素１００％雰囲気下で５時間焼成することにより、蛍光体１１、１２がそれぞれ得られた。

得られた蛍光体１１を、窒素１００％雰囲気下において、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体１３が得られた。さらに、得られた蛍光体１３を、同様の条件下において、再度焼成することにより、蛍光体１４が得られた。

一方、蛍光体１２を、窒素１００％雰囲気下において、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体１５が得られた。さらに、得られた蛍光体１３を、同様の条件下において、再度焼成することにより、蛍光体１６が得られた。

ここで、得られた蛍光体１１，１２，１３，１４，１５，１６の焼成条件について、表３にまとめて示した。

得られた蛍光体１１，１２，１３，１４，１５，１６を、それぞれ実施例１と同様に解砕及び分散処理、分級処理、酸処理、洗浄処理、乾燥処理を順次行い、各処理が施された蛍光体１１，１２，１３，１４，１５，１６について、実施例１と同様に相対発光強度及びスパッタリング維持率を測定し、表４に示した。

その結果、窒素１００％雰囲気下において、９００℃の温度で５時間焼成した蛍光体１１と、この蛍光体１１を後続の第２焼成工程において１２４０℃の温度で３時間焼成した蛍光体１３、並びに蛍光体１１を後続の第２及び第３焼成工程において１２４０℃の温度で３時間それぞれ焼成した蛍光体１４とを比較すると、蛍光体１１に対して、蛍光体１３，１４の方が相対発光強度及びスパッタリング維持率共に高い値を示した。

また、窒素１００％雰囲気下において、１５００℃の温度で５時間焼成した蛍光体１２と、この蛍光体１２を後続の第２焼成工程において１２４０℃の温度で３時間焼成した蛍光体１５、並びに蛍光体１２を後続の第２及び第３焼成工程において１２４０℃の温度で３時間それぞれ焼成した蛍光体１６とを比較すると、蛍光体１２に対して、蛍光体１５，１６の方が相対発光強度及びスパッタリング維持率共に高い値を示した。

これらの結果より、蛍光体１１，１３，１４及び蛍光体１２，１５，１６は、第１焼成工程における焼成温度のみが１２４０℃と相違する蛍光体１，３，４と比較すると、相対発光強度、または相対発光強度及びスパッタリング維持率共に低い値を示していることより、第１焼成工程における焼成温度は、１０００〜１４００℃の範囲内であることが好ましいことが判明した。
［実施例３］
次に、実施例１で得られた蛍光体１を、焼成温度のみを９００℃と、１５００℃とに相違させて、窒素１００％雰囲気中で３時間焼成することにより、蛍光体１７，１８がそれぞれ得られた。

得られた蛍光体１７を、窒素１００％雰囲気中において、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体１９が得られた。

一方、蛍光体１８を、窒素１００％雰囲気中において、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体２０が得られた。

ここで、得られた蛍光体１７，１８，１９，２０の焼成条件について、表５にまとめて示した。

得られた蛍光体１７，１８，１９，２０を、それぞれ実施例１と同様に解砕及び分散処理、分級処理、酸処理、洗浄処理、乾燥処理を順次行い、各処理が施された蛍光体１７，１８，１９，２０について、実施例１と同様に相対発光強度及びスパッタリング維持率を測定し、表６に示した。

その結果、蛍光体１を後続の第２焼成工程において９００℃の温度で３時間焼成した蛍光体１７、並びに蛍光体１を後続の第２焼成工程において９００℃の温度で３時間焼成し、さらに第３焼成工程において１２４０℃の温度で３時間焼成した蛍光体１９とを比較すると、蛍光体１７及び蛍光体１９は、相対発光強度及びスパッタリング維持率共に同一の値を示した。

また、蛍光体１を後続の第２焼成工程において９００℃の温度で３時間焼成した蛍光体１８、並びに蛍光体１を後続の第２焼成工程において９００℃の温度で３時間焼成し、さらに第３焼成工程において１２４０℃の温度で３時間焼成した蛍光体２０とを比較すると、蛍光体１８及び蛍光体２０は、相対発光強度及びスパッタリング維持率共に同一の値を示した。

これらの結果より、蛍光体１７，１９及び蛍光体１８，２０は、第２焼成工程における焼成温度のみが１２４０℃と相違する蛍光体３，４と比較すると、相対発光強度が低い値を示していることより、第２工程における焼成温度は、１０００〜１４００℃の範囲内であることが好ましいことが判明した。
［実施例４］
実施例１で得られた前駆体１を、焼成時間のみを２時間と、１１時間とに相違させて、窒素１００％雰囲気中において１２４０℃の温度で焼成することにより、蛍光体２１，２２がそれぞれ得られた。

得られた蛍光体２１を、窒素１００％雰囲気中において、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体２３が得られた。さらに、得られた蛍光体２３を、同様の条件下において、再度焼成することにより、蛍光体２４が得られた。

一方、蛍光体２２を、窒素１００％雰囲気中において、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体２５が得られた。さらに、得られた蛍光体２５を、同様の条件下において、再度焼成することにより、蛍光体２６が得られた。

ここで、得られた蛍光体２１，２２，２３，２４，２５，２６の焼成条件について、表７にまとめて示した。

得られた蛍光体２１，２２，２３，２４，２５，２６を、それぞれ実施例１と同様に解砕及び分散処理、分級処理、酸処理、洗浄処理、乾燥処理を順次行い、各処理が施された蛍光体２１、２２、２３、２４、２５及び２６について、実施例１と同様に相対発光強度及びスパッタリング維持率を測定し、表８に示した。

その結果、窒素１００％雰囲気下において、１２４０℃の温度で２時間焼成した蛍光体２１と、この蛍光体２１を後続の第２焼成工程において１２４０℃の温度で３時間焼成した蛍光体２３、並びに蛍光体２１を後続の第２及び第３焼成工程において１２４０℃の温度で３時間それぞれ焼成した蛍光体２４とを比較すると、蛍光体２１に対して、蛍光体２３，２４の方が相対発光強度及びスパッタリング維持率共に高い値を示した。

また、窒素１００％雰囲気下において、１２４０℃の温度で１１時間焼成して得られた蛍光体２２と、この蛍光体２２を後続の第２焼成工程において１２４０℃の温度で３時間焼成した蛍光体２５、並びに蛍光体２２を後続の第２及び第３焼成工程において１２４０℃の温度で３時間それぞれ焼成した蛍光体２６とを比較すると、蛍光体２２に対して、蛍光体２５，２６の方が相対発光強度及びスパッタリング維持率共に高い値を示した。

これらの結果より、蛍光体２１，２３，２４及び蛍光体２２，２５，２６は、第１焼成工程における焼成時間のみがそれぞれ５時間と相違する蛍光体１，３，４と比較すると、相対発光強度及びスパッタリング維持率が共に低い値を示していることより、第１焼成工程における焼成時間は、３〜１０時間の範囲内であることが好ましいことが判明した。
［実施例５］
次に、実施例１で得られた蛍光体１を、後続の第２焼成工程において、焼成時間のみを１時間と、６時間とに相違させて、窒素１００％雰囲気中において１２４０℃の温度で焼成することにより、蛍光体２７，２８がそれぞれ得られた。

得られた蛍光体２７を、窒素１００％雰囲気中において、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体２９が得られた。

一方、蛍光体２８を、窒素１００％雰囲気中において、１２４０℃の温度で３時間焼成することにより、蛍光体３０が得られた。

ここで、得られた蛍光体２７，２８，２９，３０の焼成条件について、表９にまとめて示した。

得られた蛍光体２７，２８，２９，３０を、それぞれ実施例１と同様に解砕及び分散処理、分級処理、酸処理、洗浄処理、乾燥処理を順次行い、各処理が施された蛍光体２７，２８，２９，３０について、実施例１と同様に相対発光強度及びスパッタリング維持率を測定し、表１０に示した。

その結果、蛍光体１を後続の第２焼成工程において１２４０℃の温度で１時間焼成した蛍光体２７、並びに蛍光体１を後続の第２焼成工程において１２４０℃の温度で１時間焼成し、さらに第３焼成工程において１２４０℃の温度で３時間焼成した蛍光体１９とを比較すると、蛍光体２７及び蛍光体２９は、相対発光強度及びスパッタリング維持率共に同一の値を示した。

また、蛍光体１を後続の第２焼成工程において１２４０℃の温度で６時間焼成した蛍光体２８、並びに蛍光体１を後続の第２焼成工程において１２４０℃の温度で６時間焼成し、さらに第３焼成工程において１２４０℃の温度で３時間焼成した蛍光体３０とを比較すると、蛍光体２８及び蛍光体３０は、相対発光強度及びスパッタリング維持率共に同一の値を示した。

これらの結果より、蛍光体２７，２９及び蛍光体２８，３０は、第２焼成工程における焼成時間のみが３時間と相違する蛍光体３や、第２及び第３焼成工程における焼成時間がそれぞれ３時間と相違する蛍光体４と比較すると、相対発光強度が低い値を示しており、第２焼成工程以降の各焼成工程における焼成時間は、２〜５時間の範囲内であることが好ましいことが判明した。

以上より、本実施形態における蛍光体の製造方法及び蛍光体によれば、焼成工程が、前駆体を不活性ガスの雰囲気下で焼成する複数の焼成工程によって構成されているので、不活性ガス下で複数回の焼成処理を行うことにより、蛍光体中に残留した不純物又は副塩を効率的に燃焼させることが可能となり、これによって、焼成処理による蛍光体の変色又は焼成むらを防止することで、蛍光体及びプラズマディスプレイパネル１０１における高い発光強度を維持しつつ、スパッタリング又はＶＵＶの照射による蛍光体本体の損傷を効率的に低減させることができる。

また、複数の焼成工程における焼成温度が、１０００〜１４００℃であるので、各焼成工程における焼成温度を調整することにより、蛍光体中に残留した不純物又は副塩をより効率的に燃焼させることが可能となり、より好ましい効果を得ることができる。

さらに、第１焼成工程における焼成時間が、３〜１０時間であるので、第１焼成工程における焼成時間を調整することにより、蛍光体中に残留した不純物又は副塩をより効率的に燃焼させることが可能となり、より好ましい効果を得ることができる。

さらに、第２焼成工程以降の各焼成工程における焼成時間が、２〜５時間であるので、第２焼成工程以降の各焼成工程における焼成時間を調整することにより、蛍光体中に残留した不純物又は副塩をより効率的に燃焼させることが可能となり、より好ましい効果を得ることができる。

Claims (6)

1. 液相法によって蛍光体の前駆体を形成する前駆体形成工程と、
   前記前駆体を焼成することによって前記蛍光体を生成する焼成工程とを具備する蛍光体の製造方法において、
   前記焼成工程は、前記前駆体を不活性ガスの雰囲気下で焼成する複数の焼成工程によって構成されていることを特徴とする蛍光体の製造方法。
2. 前記複数の焼成工程における焼成温度は、１０００〜１４００℃であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の蛍光体の製造方法。
3. 第１の焼成工程における焼成時間は、３〜１０時間であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の蛍光体の製造方法。
4. 第２の焼成工程以降の各焼成工程における焼成時間は、２〜５時間であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の蛍光体の製造方法。
5. 請求の範囲第１項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする蛍光体。
6. 請求の範囲第５項に記載の蛍光体を用いて製造された放電セルを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。